CN114804836A - 陶瓷基体及其制备方法、陶瓷发热体及电子雾化装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种陶瓷基体、制备方法及其用途。所述陶瓷基体，按照各组分占质量百分比计，包括如下原料：(a)碳化硅10～70wt％；(b)氧化铝6～60wt％；(c)二氧化硅5～45wt％；和(d)玻璃粉0～15wt％，且不包括0。所述发热体在不降低孔隙率和导油速率的基础上，可以同时提高陶瓷基体的强度，可以用于电子雾化装置领域。

Description

陶瓷基体及其制备方法、陶瓷发热体及电子雾化装置
优先权
本申请要求于2021年01月27日向中国国家知识产权局提交的申请号为PCT/CN2021/073998、发明名称为“陶瓷基体及其制备方法、陶瓷发热体及电子雾化装置”的优先权，并在此对其内容进行交叉引用。
技术领域
本发明涉及陶瓷生产技术领域，具体涉及一种陶瓷基体及其制备方法、陶瓷发热体及电子雾化装置。
背景技术
电子雾化装置具有与普通香烟相似的外观和口感，但通常不含有香烟中的焦油、悬浮微粒等其他有害成分，因此电子雾化装置普遍用作香烟的替代品。
电子雾化装置通常包括发热体，目前应用比较广的是陶瓷发热体。陶瓷发热体包括陶瓷基体，为了提高陶瓷基体抗压强度，一般选择提高烧结温度，然而提高烧结温度会降低材料孔隙率，且会使材料变脆、变质，材料孔隙率的降低会影响导油速率，进而造成供油不足的问题。
发明内容
因此，本发明要解决的技术问题在于克服现有技术在提高陶瓷基体抗压强度的同时会降低孔隙率和导油速率的缺陷，从而提供一种陶瓷基体及其制备方法、陶瓷发热体及其用途电子雾化装置，所述陶瓷基体在不降低孔隙率和导油速率的基础上，可以同时提高陶瓷基体的抗压强度。
为了解决上述技术问题，本发明采用了如下技术方案：
一种陶瓷基体，按照各组分占质量百分比计，包括如下原料：
(a)碳化硅10～70wt％；
(b)氧化铝6～60wt％；
(c)二氧化硅5～45wt％；和
(d)玻璃粉0～15wt％，且不包括0。
所述不降低孔隙率和导油速率意指，所述孔隙率和导油速率至少保持不变，优选孔隙率和导油速率有所提高。本发明的目的在于，使孔隙率和导油速率不降低，同时又可以提高陶瓷基体的抗压强度。
如上各组分的含量均为各组分占的质量百分比，也就是说各组分的质量占所有组分质量总和的百分比，各组分的质量百分比之和为100％。所述陶瓷基体原料包括碳化硅、氧化铝、二氧化硅以及玻璃粉，以及任选地可以添加的其他组分，所述其他组分赋予所述陶瓷基体附加的性能。
所述碳化硅的含量例如为10wt％、12wt％、15wt％、20wt％、25wt％、30wt％、35wt％、40wt％、45wt％、50wt％、55wt％、60wt％、65wt％或70wt％，碳化硅含量过高，烧结温度会有所提高，会提高陶瓷基体的热导率，降低陶瓷发热体的热效率，过低则会降低陶瓷基体的抗压强度。从陶瓷基体抗压强度及热导率角度考虑，所述碳化硅的含量优选为20～50wt％。
所述氧化铝的含量例如为6wt％、10wt％、15wt％、20wt％、25wt％、30wt％、35wt％、40wt％、45wt％、50wt％或60wt％。氧化铝含量过高烧结温度会有所提高，会提高陶瓷基体的热导率，降低陶瓷发热体的热效率，含量过低则会降低陶瓷基体的抗压强度。从陶瓷基体抗压强度及热导率角度考虑，所述氧化铝的含量优选为10～30wt％。
所述二氧化硅的含量例如为5wt％、10wt％、15wt％、20wt％、25wt％、30wt％、35wt％或40wt％。二氧化硅含量过高会降低陶瓷基体导油速率，过低则影响陶瓷基体抗压强度。从陶瓷基体抗压强度及导油速率角度考虑，所述二氧化硅的含量优选为15～25wt％。
所述玻璃粉的含量例如为1wt％、2wt％、3wt％、4wt％、5wt％、6wt％、7wt％、8wt％、9wt％、10wt％、11wt％、12wt％、13wt％、14wt％或15wt％。玻璃粉含量过高会降低陶瓷基体的导油速率和孔隙率，过低则会影响陶瓷基体的抗压强度。从陶瓷基体抗压强度、孔隙及导油速率角度考虑，所述玻璃粉的含量优选为5～12wt％。
在本发明一种优选地实施方式中，所述陶瓷基体的孔隙率为50％-60％，强度为：抗压强度15-45MPa。
需要说明的是，在本发明中，所述孔隙率的测试方法为：参照GB/T1966-1996陶瓷显气孔率、容量试验方法，所述抗压强度的测试方法为参照GB/T 1964-1996陶瓷压缩强度试验方法，测试样品的尺寸为9mm3.2mm2mm，测试接触面积为3.2mm×2mm。
在本发明一种优选地实施方式中，所述陶瓷基体的导热系数为0.8-2.4w/mk。
需要说明的是，在本发明中，所述导热系数的测试方法为：Hot Disk瞬态平面热源法。
在本发明一种优选地实施方式中，所述玻璃粉包括二氧化硅、氧化铝、氧化钙、氧化钠、氧化钾、氧化钡、氧化硼或氧化锌中的至少一种，优选包括二氧化硅、氧化铝、氧化钙、氧化钠、氧化钾、氧化钡、氧化硼和氧化锌。
本发明还提供了一种陶瓷基体，按照各组分占质量百分比计，包括如下组分：
碳化硅10～70wt％、氧化铝6～65wt％、二氧化硅15～50wt％、氧化钙0.8～2.3wt％、氧化钠0.1～0.4wt％、氧化钾0.1～0.2wt％、氧化硼0.1～0.2wt％、氧化钡0.1～0.4wt％和氧化锌0.2～0.5wt％。
如上各组分的含量均为各组分占的质量百分比，也就是说各组分的质量占所有组分质量总和的百分比，各组分的质量百分比之和为100％。
本发明还提供了一种如上所述的陶瓷基体的制备方法，包括：
将混合后的各组分依次进行研磨、干燥、造粒和成型，得到陶瓷生坯，然后将所述陶瓷生坯烧结。
在本发明一种优选地实施方式中，研磨包括：将混合后的各组分在水和研磨介质的存在下进行研磨，所述研磨包括如下工艺参数中的至少一个：
温度为20～30℃，研磨时间为5～30min，料球比为1:1～1:2.5。
所述研磨温度例如为21℃、22℃、23℃、24℃、25℃、26℃、27℃、28℃、29℃或30℃，所述研磨时间例如为6min、10min、15min、20min、25min或30min。
典型但非限制性的研磨介质包括：氧化铝研磨球、氧化锆研磨球或玛瑙研磨球中的任意一种。
所述研磨例如可以在研磨机中进行，所述料球比是指研磨机内物料与研磨介质质量之比，例如为1:1、1:1.2、1:1.4、1:1.6、1:1.8、1:2、1:2.2、1:2.4或1:2.5。
在本发明一种优选地实施方式中，干燥温度为60-90℃，干燥时间为4～8h。
在本发明一种优选地实施方式中，成型压力为10-40MPa，例如10MPa、15MPa、20MPa、25MPa、30MPa、35MPa或40MPa，成型时间为5-20s，例如为5s、8s、11s、14s、17s或20s。
所述成型例如可以通过自动干压成型机进行。
在本发明一种优选地实施方式中，烧结温度为1100-1700℃，例如为1150℃、1200℃、1250℃、1300℃、1350℃、1400℃、1450℃、1500℃、1550℃、1600℃或1650℃。如果烧结温度低于1100℃，则陶瓷基体烧结程度不够，抗压强度低，达不到使用要求，烧结温度高于1700℃，陶瓷基体会出现过烧鼓泡问题，大大降低其导油速率及孔隙率。烧结时间为2-8h，例如为2.5h、3h、3.5h、4h、4.5h、5h、5.5h、6h、6.5h、7h或7.5h，优选地，烧结温度为1300-1500℃，烧结时间为2-4h。
在本发明一种优选地实施方式中，所述发热体的制备方法包括：
将各组分混合后，加入水和研磨介质进行研磨，研磨介质为氧化铝研磨球，所述研磨温度为20～30℃，研磨时间为5～30min，料球比为1:1～1:2.5；
将研磨后的粉体进行干燥，干燥温度为60-90℃，干燥时间为4～8h；
将干燥后的粉体进行造粒；
对造粒后的粉体进行成型，获得陶瓷生坯，其中，成型压力为10-40MPa，成型时间为5-20s；
对陶瓷生坯进行烧结，烧结温度为1100-1700℃，烧结时间为2-8h。
本发明还提供了一种陶瓷发热体，所述陶瓷发热体用于在通电时加热并雾化气溶胶生成基质，所述陶瓷发热体包括：
陶瓷基体，为如上所述的陶瓷基体；和
发热体，设置在所述陶瓷基体上，用于在通电时产生热量，所述陶瓷基体对所述发热体产生的热量进行导热。
在本发明一种优选地实施方式中，所述陶瓷基体包括相对的吸液面和雾化面，所述发热体设置在所述雾化面上。吸液面用于吸纳气溶胶生成基质，雾化面用于雾化陶瓷基体上的气溶胶生成基质，发热体设置在为雾化面的陶瓷基体一侧。陶瓷基体吸收烟液，利用毛细作用力将烟液吸收至发热体进行雾化成烟。
本发明还提供了一种电子雾化装置，所述电子雾化装置包括：
陶瓷发热体，为如上所述的陶瓷发热体，用于在通电时加热并雾化气溶胶生成基质；和
电源组件，所述陶瓷发热体与所述电源组件连接，所述电源组件用于向所述陶瓷发热体供电。
本发明技术方案，具有如下优点：
在本发明中，碳化硅具有高热导、收缩率小以及高温稳定的优点，但其烧结温度较高，氧化铝可以辅助烧结并降低烧结温度。通过特定含量碳化硅、氧化铝和二氧化硅的协同作用，可以实现热导率的调控。此外，碳化硅、氧化铝和二氧化硅在高温下会形成碳化硅-刚玉-莫来石三元晶相的骨架，赋予了材料较高的强度，玻璃粉作为粘结剂，在烧结的时候液化，冷却后粘结各种组分，可以提高发热体的抗弯强度。玻璃粉则会在高温下熔融后形成液相，促进骨料颗粒的迁移与烧结，骨料颗粒间通过液相粘结，提高了颗粒间的结合力，进一步提高材料的强度；另一方面，由于玻璃粉在高温下形成液相，包裹着骨料颗粒周围，原先由玻璃粉颗粒填充的孔隙会随着玻璃液相的流动而变大，从而进一步提升了材料整体的导油性能。
本发明的玻璃粉优选除了含有二氧化硅和氧化铝两种组分之外，还含有氧化钙、氧化钠、氧化钾、氧化钡、氧化硼和氧化锌。上述组分的作用在于，控制玻璃粉的熔点，在高温下形成液相促进骨料烧结，并且提高玻璃相自身的结合强度及玻璃相与骨料颗粒间的结合强度，从而赋予材料较高的强度。
具体实施方式
实施例1
一种陶瓷基体，按照各组分占质量百分比计，包括如下原料：(a)碳化硅18％；(b)氧化铝42％；(c)二氧化硅25％；和(d)玻璃粉15％。
所述陶瓷基体的制备方法，包括：
将各组分混合后，加入水和研磨介质进行研磨，研磨介质为氧化铝研磨球，所述研磨温度为25℃，研磨时间为10min，料球比为1：2；
将研磨后的粉体进行干燥，干燥温度为80℃，干燥时间为5h；
将干燥后的粉体进行造粒；
对造粒后的粉体进行成型，获得陶瓷生坯，其中，成型压力为15MPa，成型时间为10s；
对陶瓷生坯进行烧结，烧结温度为1250℃，烧结时间为2.5h。
所得到的陶瓷基体，按照各组分占质量百分比计，包括如下组分：
碳化硅18wt％、氧化铝43.2wt％、二氧化硅34.9wt％、氧化钙2.3wt％、氧化钠0.4％、氧化钾0.1wt％、氧化硼0.2wt％、氧化钡0.4wt％和氧化锌0.5wt％。
实施例2
一种陶瓷基体，按照各组分占质量百分比计，包括如下原料：(a)碳化硅28％；(b)氧化铝32％；(c)二氧化硅35％；和(d)玻璃粉5％。
所述陶瓷基体的制备方法，包括：
将各组分混合后，加入水和研磨介质进行研磨，研磨介质为氧化铝研磨球，所述研磨温度为24℃，研磨时间为15min，料球比为1：1.2；
将研磨后的粉体进行干燥，干燥温度为70℃，干燥时间为6h；
将干燥后的粉体进行造粒；
对造粒后的粉体进行成型，获得陶瓷生坯，其中，成型压力为16MPa，成型时间为15s；
对陶瓷生坯进行烧结，烧结温度为1450℃，烧结时间为3h。
所得到的陶瓷基体，按照各组分占质量百分比计，包括如下组分：
碳化硅28wt％、氧化铝32.3wt％、二氧化硅38.2wt％、氧化钙0.8wt％、氧化钠0.1％、氧化钾0.2wt％、氧化硼0.1wt％、氧化钡0.1wt％和氧化锌0.2wt％。
实施例3
一种陶瓷基体，按照各组分占质量百分比计，包括如下原料：(a)碳化硅64％；(b)氧化铝16％；(c)二氧化硅15％；和(d)玻璃粉5％。
所述陶瓷基体的制备方法，包括：
将各组分混合后，加入水和研磨介质进行研磨，研磨介质为氧化铝研磨球，所述研磨温度为16℃，研磨时间为10min，料球比为1：1.5；
将研磨后的粉体进行干燥，干燥温度为75℃，干燥时间为5h；
将干燥后的粉体进行造粒；
对造粒后的粉体进行成型，获得陶瓷生坯，其中，成型压力为15MPa，成型时间为12s；
对陶瓷生坯进行烧结，烧结温度为1500℃，烧结时间为3h。
所得到的陶瓷基体，按照各组分占质量百分比计，包括如下组分：
碳化硅64wt％、氧化铝16.3wt％、二氧化硅18.2wt％、氧化钙0.8wt％、氧化钠0.1％、氧化钾0.2wt％、氧化硼0.1wt％、氧化钡0.1wt％和氧化锌0.2wt％。
实施例4
一种陶瓷基体，按照各组分占质量百分比计，包括如下原料：(a)碳化硅50％；(b)氧化铝6％；(c)二氧化硅34％；和(d)玻璃粉10％。
所述陶瓷基体的制备方法，包括：
将各组分混合后，加入水和研磨介质进行研磨，研磨介质为氧化铝研磨球，所述研磨温度为25℃，研磨时间为10min，料球比为1：2；
将研磨后的粉体进行干燥，干燥温度为80℃，干燥时间为5h；
将干燥后的粉体进行造粒；
对造粒后的粉体进行成型，获得陶瓷生坯，其中，成型压力为19MPa，成型时间为10s；
对陶瓷生坯进行烧结，烧结温度为1400℃，烧结时间为2h。
所得到的陶瓷基体，按照各组分占质量百分比计，包括如下组分：
碳化硅50wt％、氧化铝6.7wt％、二氧化硅40.7wt％、氧化钙1.5wt％、氧化钠0.3％、氧化钾0.1wt％、氧化硼0.1wt％、氧化钡0.3wt％和氧化锌0.3wt％。
实施例5
一种陶瓷基体，按照各组分占质量百分比计，包括如下原料：(a)碳化硅50％；(b)氧化铝21％；(c)二氧化硅17％；和(d)玻璃粉12％。
所述陶瓷基体的制备方法，包括：
将各组分混合后，加入水和研磨介质进行研磨，研磨介质为氧化铝研磨球，所述研磨温度为25℃，研磨时间为15min，料球比为1：2；
将研磨后的粉体进行干燥，干燥温度为80℃，干燥时间为4h；
将干燥后的粉体进行造粒；
对造粒后的粉体进行成型，获得陶瓷生坯，其中，成型压力为13MPa，成型时间为10s；
对陶瓷生坯进行烧结，烧结温度为1320℃，烧结时间为4h。
所得到的陶瓷基体，按照各组分占质量百分比计，包括如下组分：
碳化硅50wt％、氧化铝21.8wt％、二氧化硅25.0wt％、氧化钙1.8wt％、氧化钠0.4％、氧化钾0.1wt％、氧化硼0.1wt％、氧化钡0.4wt％和氧化锌0.4wt％。
实施例6
一种陶瓷基体，按照各组分占质量百分比计，包括如下原料：(a)碳化硅20％；(b)氧化铝50％；(c)二氧化硅20％；和(d)玻璃粉10％。
所述陶瓷基体的制备方法，包括：
将各组分混合后，加入水和研磨介质进行研磨，研磨介质为氧化铝研磨球，所述研磨温度为25℃，研磨时间为15min，料球比为1：2；
将研磨后的粉体进行干燥，干燥温度为85℃，干燥时间为6h；
将干燥后的粉体进行造粒；
对造粒后的粉体进行成型，获得陶瓷生坯，其中，成型压力为14MPa，成型时间为15s；
对陶瓷生坯进行烧结，烧结温度为1375℃，烧结时间为2.5h。
所得到的陶瓷基体，按照各组分占质量百分比计，包括如下组分：
碳化硅20wt％、氧化铝50.7wt％、二氧化硅26.7wt％、氧化钙1.5wt％、氧化钠0.3％、氧化钾0.1wt％、氧化硼0.1wt％、氧化钡0.3wt％和氧化锌0.3wt％。
实施例7
一种陶瓷基体，按照各组分占质量百分比计，包括如下原料：(a)碳化硅55％；(b)氧化铝20％；(c)二氧化硅10％；和(d)玻璃粉15％。
所述陶瓷基体的制备方法，包括：
将各组分混合后，加入水和研磨介质进行研磨，研磨介质为氧化铝研磨球，所述研磨温度为26℃，研磨时间为20min，料球比为1：2.5；
将研磨后的粉体进行干燥，干燥温度为65℃，干燥时间为8h；
将干燥后的粉体进行造粒；
对造粒后的粉体进行成型，获得陶瓷生坯，其中，成型压力为20MPa，成型时间为15s；
对陶瓷生坯进行烧结，烧结温度为1350℃，烧结时间为4h。
所得到的陶瓷基体，按照各组分占质量百分比计，包括如下组分：
碳化硅55wt％、氧化铝21.1wt％、二氧化硅20.0wt％、氧化钙2.3wt％、氧化钠0.4％、氧化钾0.1wt％、氧化硼0.2wt％、氧化钡0.4wt％和氧化锌0.5wt％。
实施例8
一种陶瓷基体，按照各组分占质量百分比计，包括如下原料：(a)碳化硅55％；(b)氧化铝19％；(c)二氧化硅15％；和(d)玻璃粉11％。
所述陶瓷基体的制备方法，包括：
将各组分混合后，加入水和研磨介质进行研磨，研磨介质为氧化铝研磨球，所述研磨温度为25℃，研磨时间为25min，料球比为1：2；
将研磨后的粉体进行干燥，干燥温度为80℃，干燥时间为5h；
将干燥后的粉体进行造粒；
对造粒后的粉体进行成型，获得陶瓷生坯，其中，成型压力为15MPa，成型时间为15s；
对陶瓷生坯进行烧结，烧结温度为1500℃，烧结时间为2.5h。
所得到的陶瓷基体，按照各组分占质量百分比计，包括如下组分：
碳化硅55wt％、氧化铝20.0wt％、二氧化硅22.1wt％、氧化钙1.7wt％、氧化钠0.3％、氧化钾0.1wt％、氧化硼0.1wt％、氧化钡0.3wt％和氧化锌0.4wt％。
实施例9
一种陶瓷基体，按照各组分占质量百分比计，包括如下原料：(a)碳化硅30％；(b)氧化铝16％；(c)二氧化硅44％；和(d)玻璃粉10％。
所述陶瓷基体的制备方法，包括：
将各组分混合后，加入水和研磨介质进行研磨，研磨介质为氧化铝研磨球，所述研磨温度为25℃，研磨时间为10min，料球比为1：2；
将研磨后的粉体进行干燥，干燥温度为85℃，干燥时间为4h；
将干燥后的粉体进行造粒；
对造粒后的粉体进行成型，获得陶瓷生坯，其中，成型压力为25MPa，成型时间为10s；
对陶瓷生坯进行烧结，烧结温度为1450℃，烧结时间为5h。
所得到的陶瓷基体，按照各组分占质量百分比计，包括如下组分：
碳化硅30wt％、氧化铝17.2wt％、二氧化硅49.1wt％、氧化钙2.2wt％、氧化钠0.4％、氧化钾0.1wt％、氧化硼0.1wt％、氧化钡0.4wt％和氧化锌0.5wt％。
实施例10
一种陶瓷基体，按照各组分占质量百分比计，包括如下原料：(a)碳化硅10％；(b)氧化铝60％；(c)二氧化硅15％；和(d)玻璃粉15％。
所述陶瓷基体的制备方法，包括：
将各组分混合后，加入水和研磨介质进行研磨，研磨介质为氧化铝研磨球，所述研磨温度为25℃，研磨时间为25min，料球比为1：1；
将研磨后的粉体进行干燥，干燥温度为90℃，干燥时间为4h；
将干燥后的粉体进行造粒；
对造粒后的粉体进行成型，获得陶瓷生坯，其中，成型压力为25MPa，成型时间为15s；
对陶瓷生坯进行烧结，烧结温度为1200℃，烧结时间为6h。
所得到的陶瓷基体，按照各组分占质量百分比计，包括如下组分：
碳化硅10wt％、氧化铝61.0wt％、二氧化硅25.1wt％、氧化钙2.3wt％、氧化钠0.4％、氧化钾0.1wt％、氧化硼0.2wt％、氧化钡0.4wt％和氧化锌0.5wt％。
实施例11
一种陶瓷基体，按照各组分占质量百分比计，包括如下原料：(a)碳化硅70％；(b)氧化铝10％；(c)二氧化硅5％；和(d)玻璃粉15％。
所述陶瓷基体的制备方法，包括：
将各组分混合后，加入水和研磨介质进行研磨，研磨介质为氧化铝研磨球，所述研磨温度为25℃，研磨时间为25min，料球比为1：2；
将研磨后的粉体进行干燥，干燥温度为80℃，干燥时间为7h；
将干燥后的粉体进行造粒；
对造粒后的粉体进行成型，获得陶瓷生坯，其中，成型压力为30MPa，成型时间为10s；
对陶瓷生坯进行烧结，烧结温度为1200℃，烧结时间为3h。
所得到的陶瓷基体，按照各组分占质量百分比计，包括如下组分：
碳化硅70wt％、氧化铝11.1wt％、二氧化硅15.0wt％、氧化钙2.3wt％、氧化钠0.4％、氧化钾0.1wt％、氧化硼0.2wt％、氧化钡0.4wt％和氧化锌0.5wt％。
对比例1
一种陶瓷基体，按照各组分占质量百分比计，包括如下原料：(a)碳化硅75％；(b)氧化铝1％；(c)二氧化硅4％；和(d)玻璃粉20％。
所述陶瓷基体的制备方法，包括：
将各组分混合后，加入水和研磨介质进行研磨，研磨介质为氧化铝研磨球，所述研磨温度为25℃，研磨时间为10min，料球比为1：2；
将研磨后的粉体进行干燥，干燥温度为80℃，干燥时间为5h；
将干燥后的粉体进行造粒；
对造粒后的粉体进行成型，获得陶瓷生坯，其中，成型压力为20MPa，成型时间为10s；
对陶瓷生坯进行烧结，烧结温度为1250℃，烧结时间为3h。
所得到的陶瓷基体，按各组分占的质量百分比计，包括如下组分：
SiC 75wt％、Al2O3 4wt％、SiO2 10wt％、CaO 5wt％、Na2O 2wt％、K2O 1wt％、B2O31wt％、BaO 1wt％和ZnO 1wt％。
对比例2
一种陶瓷基体，按各组分占的质量百分比计，包括如下原料：碳化硅55wt％、氧化铝25wt％以及二氧化硅20wt％。
所述陶瓷基体的制备方法，包括：
将各组分混合后，加入水和研磨介质进行研磨，研磨介质为氧化铝研磨球，所述研磨温度为25℃，研磨时间为15min，料球比为1：1.4；
将研磨后的粉体进行干燥，干燥温度为80℃，干燥时间为4h；
将干燥后的粉体进行造粒；
对造粒后的粉体进行成型，获得陶瓷生坯，其中，成型压力为15MPa，成型时间为15s；
对陶瓷生坯进行烧结，烧结温度为1600℃，烧结时间为6h。
得到的陶瓷基体，按各组分占的质量百分比计，包括如下组分：
碳化硅55wt％、氧化铝25wt％以及二氧化硅20wt％。
对比例3
对比例3为cCELL陶瓷雾化芯，生产厂家：东莞市麦克新材料科技有限公司。
对比例4
对比例4为FFELM陶瓷雾化芯，生产厂家：东莞市麦克新材料科技有限公司。
对比例5
一种陶瓷基体，按照各组分占质量百分比计，包括如下原料：(a)碳化硅10％；(b)氧化铝40％；(c)二氧化硅50％；和(d)玻璃粉0％。
所述陶瓷基体的制备方法，包括：
将各组分混合后，加入水和研磨介质进行研磨，研磨介质为氧化铝研磨球，所述研磨温度为25℃，研磨时间为10min，料球比为1：2；
将研磨后的粉体进行干燥，干燥温度为60℃，干燥时间为8h；
将干燥后的粉体进行造粒；
对造粒后的粉体进行成型，获得陶瓷生坯，其中，成型压力为15MPa，成型时间为15s；
对陶瓷生坯进行烧结，烧结温度为1600℃，烧结时间为4h。
所得到的陶瓷基体，按照各组分占质量百分比计，包括如下组分：
碳化硅10wt％、氧化铝40wt％和二氧化硅50wt％。
对实施例1-11的陶瓷基体以及对比例1-5的陶瓷基体进行孔隙率、导油速率、强度和导热系数测试，具体测试方法为：
孔隙率的测试方法为：参照GB/T 1966-1996陶瓷显气孔率、容量试验方法。
所述强度的测试方法为参照GB/T 1964-1996陶瓷压缩强度试验方法，测试样品的尺寸为9mm×3.2mm×2mm，测试接触面积为3.2mm×2mm。
导油速率的测试方法为将多孔陶瓷切割成规整的1cm*1cm*1cm的样块，使用10ml精密注射进样器向水平放置的样块表面滴下20微升的标准烟油(该标准烟油为50㎎烟草标准烟油)液体，在电子显微镜下观察液滴完全没入样块所需时间，计算标准烟油液体体积和烟油液滴完全没入样块所需时间的比值即可得到导油速率。
导热系数的测试方法为：Hot Disk瞬态平面热源法。
实施例1-11、对比例1-2和5的性能评价如表2所示：
表2
Figure BDA0003440799380000171
Figure BDA0003440799380000181
对对比例3东莞市麦克新材料科技有限公司生产的3个cCELL陶瓷雾化芯样品进行测试，3个样品的组成一样，性能评价如表3所示
表3
Figure BDA0003440799380000182
对对比例4东莞市麦克新材料科技有限公司生产的3个FFELM陶瓷雾化芯样品进行测试，3个样品的组成一样，性能评价如表4所示
表4
Figure BDA0003440799380000183
通过实施例1-11和对比例3-4相比可以发现，实施例1-11相较于对比例3和4，孔隙率相同或接近，但实施例1-11陶瓷基体的强度明显高于对比例3-4。
显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。

Claims (17)

1.一种陶瓷基体，按照各组分占质量百分比计，包括如下原料：
(a)碳化硅10～70wt％；
(b)氧化铝6～60wt％；
(c)二氧化硅5～45wt％；和
(d)玻璃粉0～15wt％，且不包括0。
2.如权利要求1所述的陶瓷基体，其特征在于，所述碳化硅的含量为20～50wt％。
3.如权利要求1所述的陶瓷基体，其特征在于，所述氧化铝的含量为10～30wt％。
4.如权利要求1所述的陶瓷基体，其特征在于，所述二氧化硅的含量为15～25wt％。
5.如权利要求1所述的陶瓷基体，其特征在于，所述玻璃粉的含量为5～12wt％。
6.如权利要求1-5任一项所述的陶瓷基体，其特征在于，陶瓷基体的孔隙率为50％-60％，抗压强度为：15-45MPa。
7.如权利要求1-5任一项所述的陶瓷基体，其特征在于，所述陶瓷基体的导热系数为0.8-2.4w/mk。
8.如权利要求1-5任一项所述的陶瓷基体，其特征在于，所述玻璃粉包括二氧化硅、氧化铝、氧化钙、氧化钠、氧化钾、氧化钡、氧化硼或氧化锌中的至少一种，优选包括二氧化硅、氧化铝、氧化钙、氧化钠、氧化钾、氧化钡、氧化硼和氧化锌。
9.一种陶瓷基体，按照各组分占质量百分比计，包括如下组分：
碳化硅10～70wt％、氧化铝6～65wt％、二氧化硅15～50wt％、氧化钙0.8～2.3wt％、氧化钠0.1～0.4wt％、氧化钾0.1～0.2wt％、氧化硼0.1～0.2wt％、氧化钡0.1～0.4wt％和氧化锌0.2～0.5wt％。
10.一种如权利要求1-9任一项所述的陶瓷基体的制备方法，包括：
将混合后的各组分依次进行研磨、干燥、造粒和成型，得到陶瓷生坯，然后将所述陶瓷生坯烧结。
11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，研磨包括：将混合后的各组分在水和研磨介质的存在下进行研磨，所述研磨包括如下工艺参数中的至少一个：
所述研磨温度为20～30℃，研磨时间为5～30min，料球比为1:1～1:2.5。
12.如权利要求10所述的方法，其特征在于，成型压力为10-40MPa，成型时间为5-20s。
13.如权利要求10所述的方法，其特征在于，烧结温度为1100-1700℃，烧结时间为2-8h，优选地，烧结温度为1300-1500℃，烧结时间为2-4h。
14.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述陶瓷基体的制备方法包括：
将各组分混合后，加入水和研磨介质进行研磨，研磨介质为氧化铝研磨球，所述研磨温度为20～30℃，研磨时间为5～30min，料球比为1:1～1:2.5；
将研磨后的粉体进行干燥，干燥温度为60-90℃，干燥时间为4～8h；
将干燥后的粉体进行造粒；
对造粒后的粉体进行成型，获得陶瓷生坯，其中，成型压力为10-40MPa，成型时间为5-20s；
对陶瓷生坯进行烧结，烧结温度为1100-1700℃，烧结时间为2-8h。
15.一种陶瓷发热体，其特征在于，所述陶瓷发热体用于在通电时加热并雾化气溶胶生成基质，所述陶瓷发热体包括：
陶瓷基体，为如权利要求1-9任一项所述的陶瓷基体；和
发热体，设置在所述陶瓷基体上，用于在通电时产生热量，所述陶瓷基体对所述发热体产生的热量进行导热。
16.根据权利要求15所述的陶瓷发热体，其特征在于，所述陶瓷基体包括相对的吸液面和雾化面，所述发热体设置在所述雾化面上。
17.一种电子雾化装置，其特征在于，包括：
陶瓷发热体，为如权利要求15-16任一所述的陶瓷发热体，用于在通电时加热并雾化气溶胶生成基质；和
电源组件，所述陶瓷发热体与所述电源组件连接，所述电源组件用于向所述陶瓷发热体供电。
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