CN114730602A - 三维存储器及其控制方法 - Google Patents

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CN114730602A
CN114730602A CN202180003110.1A CN202180003110A CN114730602A CN 114730602 A CN114730602 A CN 114730602A CN 202180003110 A CN202180003110 A CN 202180003110A CN 114730602 A CN114730602 A CN 114730602A
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CN
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memory
voltage
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memory cells
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CN202180003110.1A
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谢学准
宋雅丽
靳磊
赵向南
闵园园
贾建权
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Yangtze Memory Technologies Co Ltd
Original Assignee
Yangtze Memory Technologies Co Ltd
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Abstract

一种三维存储器及其控制方法，所述三维存储器包括沿衬底的垂直方向堆叠的第一堆栈(110)和第二堆栈(120)，第一堆栈(110)和第二堆栈(120)都分别包括多个存储串，每个存储串包括多个存储单元，多个存储单元包括第一部分和第二部分，其中第一部分的存储单元对应的沟道结构的直径小于第二部分的存储单元对应的沟道结构的直径，方法包括：对选中的存储单元进行读操作，选中的存储单元在第一堆栈(110)和/或第二堆栈(120)中；向第一堆栈(110)和第二堆栈(120)中除选中的存储单元之外的未选中的存储单元施加导通电压，第一导通电压小于第二导通电压，其中，向第一部分中的第一未选中存储单元施加第一导通电压，向第二部分中的第二未选中存储单元施加第二导通电压(S410)。

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