CN114714234B - 一种碳化硅晶片减薄装置及方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了碳化硅晶片减薄领域的，具体为一种碳化硅晶片减薄装置，操作室和安装箱，所述安装箱顶端设置有抛光机构，所述操作室内侧壁设置有间歇起伏机构，所述间歇起伏机构包括两个转动盘和两V形牵引架，所述转动盘对称转动连接在操作室内侧壁上，其中一个所述转动盘表面传动连接有第一电机，所述第一电机固定连接在操作室外侧壁上，所述V形牵引架上均开设有牵引弧槽，两个所述转动盘表面共同固定连接有推动杆。本发明通过设置间歇起伏机构，使得晶片间歇进行抛光作用，避免晶片长时间摩擦抛光，导致晶片温度升高，发生损害，同时将将牵引弧槽半径设置与推动杆运动轨迹半径相同，延长抛光时间，避免抛光时间短，导致抛光效率降低。

Description

一种碳化硅晶片减薄装置及方法

技术领域

本发明公开了碳化硅晶片减薄领域的，具体为一种碳化硅晶片减薄装置及方法。

背景技术

碳化硅晶片减薄机，采用了晶圆自旋，磨轮系统以极低速进给方式磨削。具体步骤是把所要加工的晶圆粘接到减薄膜上，然后把减薄膜及上面芯片利用真空吸附到多孔陶瓷承片台上，杯形金刚石砂轮工作面的内外圆舟中线调整到硅片的中心位置，硅片和砂轮绕各自的轴线回转，进行切进磨削，通过减薄/研磨的方式对晶片衬底进行减薄，改善芯片散热效果，减薄到一定厚度有利于后期封装工艺。

现有技术中，在通过物理法对碳化硅晶片进行减薄时，当晶片长时间在多孔陶瓷承片台进行抛光减薄时，会因二者摩擦导致晶片发热，传统降温方式，是直接将冷却水喷射到多孔陶瓷承片台上进行降温，但是晶片与多孔陶瓷承片台紧密贴合，冷却水难以直接与晶片接触，从而降低降温效果，导致晶片温度升高，造成损害的问题。

基于此，本发明设计了一种碳化硅晶片减薄装置及方法，以解决上述问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种碳化硅晶片减薄装置及方法，以解决上述背景技术中提出了现有技术中，在通过物理法对碳化硅晶片进行减薄时，当晶片长时间在多孔陶瓷承片台进行抛光减薄时，会因二者摩擦导致晶片发热，传统降温方式，是直接将冷却水喷射到多孔陶瓷承片台上进行降温，但是晶片与多孔陶瓷承片台紧密贴合，冷却水难以直接与晶片接触，从而降低降温效果，导致晶片温度升高，造成损害的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种碳化硅晶片减薄装置，操作室和安装箱，所述安装箱顶端设置有抛光机构，所述操作室内侧壁设置有间歇起伏机构；

所述间歇起伏机构包括两个转动盘和两V形牵引架，所述转动盘对称转动连接在操作室内侧壁上，其中一个所述转动盘表面传动连接有第一电机，所述第一电机固定连接在操作室外侧壁上；所述V形牵引架上均开设有牵引弧槽，两个所述转动盘表面共同固定连接有推动杆，所述推动杆滑动在牵引弧槽内，所述V形牵引架两端均滑动连接有第一滑杆，所述第一滑杆两端固定连接在操作室内；两个所述V形牵引架底端共同固定连接有推动台，所述推动台底端阵列固定连接有连接杆，数个所述连接杆底端共同固定连接有安装台，所述安装台底端设置有安装机构，所述安装箱顶端设置有冷却机构；

工作时，现有技术中，在通过物理法对碳化硅晶片进行减薄时，当晶片长时间在多孔陶瓷承片台进行抛光减薄时，会因二者摩擦导致晶片发热，传统降温方式，是直接将冷却水喷射到多孔陶瓷承片台上进行降温，但是晶片与多孔陶瓷承片台紧密贴合，冷却水难以直接与晶片接触，从而降低降温效果，导致晶片温度升高，造成损害的问题，该技术方案可以解决上述问题，具体操作如下：将待减薄晶片通过安装机构安装在安装台上，随后启动第一电机，使得第一电机输出轴转动，驱动转动盘转动，从而使得推动杆沿着牵引弧槽运动，并将两个V形牵引架向下推动，在连接杆的连接作用下，使得推动台向下运动，直到安装机构中晶片与抛光机构接触，晶片通过抛光机构进行抛光，使得晶片减薄，并且将牵引弧槽半径设置与推动杆运动轨迹半径相同，当推动杆带动推动台运动到最底端时，由于牵引弧槽半径与推动杆运动轨迹半径相同，推动杆沿着牵引弧槽运动时，V形牵引架不会被牵引向上，从而延长抛光时间，避免抛光时间短，降低抛光效率，当推动杆沿着牵引弧槽运动结束后，推动杆带动V形牵引架向上运动，推动台带动安装机构向上运动，晶片停止抛光，避免发生晶片长时间摩擦抛光，导致晶片温度升高，造成损害的问题，随后在冷却机构的作用下，对晶片和抛光机构进行降温，从而提高散热效率，该晶片减薄装置，通过设置间歇起伏机构，使得晶片间歇进行抛光作用，避免晶片长时间摩擦抛光，导致晶片温度升高，发生损害，同时将将牵引弧槽半径设置与推动杆运动轨迹半径相同，延长抛光时间，避免抛光时间短，降低抛光效率。

作为本发明的进一步方案，所述冷却机构包括冷却池，所述冷却池固定连接在安装箱内，所述冷却池外侧壁阵列固定联通有注水软管，所述注水软管贯穿安装箱后其端部均固定连接有水泵，数个所述水泵底端共同固定连接有环形旋架，所述环形旋架滑动连接在安装箱顶端，所述水泵表面均固定联通有出水软管，所述出水软管端部均固定联通有喷射器，所述喷射器喷射面正对安装机构底端，所述喷射器端部固定连接有转动杆，所述转动杆转动连接在环形旋架内侧壁上，所述环形旋架和V形牵引架共同设置有间歇驱动机构；工作时，当晶片抛光时，晶片表面存有大量碳化硅颗粒，从而导致摩擦力增大，不仅增加发热量同时降低抛光精度，通过设置冷却机构，当安装机构远离抛光机构时，此时喷射器位于安装机构底端，正对晶片，当安装机构向下运动时，在间歇驱动机构的作用下，使得环形旋架转动，带动水泵旋转，使得喷射器远离安装机构，避免安装机构向下运动时与喷射器发生干涉，当安装机构向上运动时，在间歇驱动机构的作用下，喷射器复位，重新回到安装机构底端，通过水泵，将冷却池内的冷却液喷射到安装机构上，不仅有效清洗晶片表面附着的碳化硅颗粒，同时使冷却液直接与晶片接触，提高散热效果。

作为本发明的进一步方案，所述间歇驱动机构包括阵列开设在环形旋架外侧壁上的第一齿槽，所述环形旋架外侧壁对称啮合有驱动齿条板，所述驱动齿条板端部均滑动连接有第二滑杆，所述第二滑杆端部固定连接在操作室内侧壁上，所述第二滑杆表面均套接有复位弹簧，所述复位弹簧两端分别固定连接在驱动齿条板和操作室上，所述驱动齿条板另一端倾斜转动连接有第一推动板，所述第一推动板端部转动连接有第二推动板，所述第二推动板固定连接在V形牵引板底端；工作时，通过设置第二推动板，当V形牵引板向下运动时，第二推动板向下运动，通过第一推动板的推动作用，使得驱动齿条板沿着第二滑杆运动，通过第一齿槽和驱动齿条板啮合作用下，使得环形旋架转动，带动水泵和喷射器运动，远离安装机构底部，当V形牵引板向上运动时，在复位弹簧的作用下，驱动齿条板复位，并驱动环形旋架转动，从而使喷射器重新正对着安装机构底部，对着晶片表面进行喷射清洗，达到清洗和降温效果。

作为本发明的进一步方案，所述安装箱顶端阵列开设有第二齿槽，所述安装箱顶端啮合有第一齿轮，所述第一齿轮固定连接在转动杆表面；工作时，当V形牵引板向下运动使环形旋架转动时，通过第一齿轮与第二齿槽啮合作用，使得转动杆转动，将原本正对安装机构的喷射器翻转朝下，对着抛光机构，当晶片抛光时，使得喷射器将抛光机构表面的碳化硅颗粒进行冲洗和降温，从而提高降温效果和抛光精度。

作为本发明的进一步方案，所述安装机构包括第二电机，所述第二电机顶端固定连接有推动台底端上，所述第二电机输出轴表面固定连接有第二齿轮，所述第二齿轮侧面阵列啮合有第三齿轮，所述第三齿轮轴转动连接在安装台顶端，所述第三齿轮轴底端均固定连接有安装架，所述安装架转动连接在安装台底端，所述安装架底端通过可拆卸的方式固定连接有真空夹具，所述喷射器喷射分别位于真空夹具底端；工作时，通过真空夹具固定晶片，再将真空夹具通过可拆卸的方式固定在安装架上，减薄时，启动第二电机，使得第二电机输出轴转动，从而驱动第二齿轮转动，通过第二齿轮和第三齿轮啮合作用，使得第三齿轮转动，从而驱动安装架转动，使得安装在安装架上的真空夹具转动，从而提高抛光效率。

作为本发明的进一步方案，所述抛光机构包括抛光盘，所述抛光盘位于安装箱顶端，抛光盘底端传动连接有第三电机，所述第三电机固定连接在安装箱底端，所述第三电机输出轴与冷却池转动连接；工作时，启动第三电机，使得第三电机的输出轴转动，从而使得抛光盘转动，对晶片进行抛光减薄。

作为本发明的进一步方案，所述抛光盘外侧壁开设有斜面，所述第三电机输出轴表面转动连接有过滤网，所述过滤网倾斜固定连接在冷却池顶端；工作时，通过设置斜面，当喷射器喷射冷却液时，冷却液通过斜面经过过滤网过滤后重新进入到冷却池中，从而循环使用冷却液，节约资源。

一种碳化硅晶片减薄装置使用方法，该碳化硅晶片减薄装置使用方法的具体步骤如下：

步骤一：将待减薄晶片通过安装机构安装在安装台上；

步骤二：随后启动第一电机，使得第一电机输出轴转动，驱动转动盘转动，从而使得推动杆沿着牵引弧槽运动，并将两个V形牵引架向下推动；

步骤三：在连接杆的连接作用下，使得推动台向下运动，直到安装机构中晶片与抛光机构接触，晶片通过抛光机构进行抛光，使得晶片减薄；

步骤四：并且将牵引弧槽半径设置与推动杆运动轨迹半径相同，当推动杆带动推动台运动到最底端时，由于牵引弧槽半径与推动杆运动轨迹半径相同，推动杆沿着牵引弧槽运动时，V形牵引架不会被牵引向上，从而延长抛光时间；

步骤五：当推动杆沿着牵引弧槽运动结束后，推动杆带动V形牵引架向上运动，推动台带动安装机构向上运动，晶片停止抛光；

步骤六：随后在冷却机构的作用下，对晶片和抛光机构进行降温；

步骤七：连续使用，直到晶片厚度减薄，到达要求，再取下晶片。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：

本发明通过设置间歇起伏机构，使得晶片间歇进行抛光作用，避免晶片长时间摩擦抛光，导致晶片温度升高，发生损害，同时将将牵引弧槽半径设置与推动杆运动轨迹半径相同，延长抛光时间，避免抛光时间短，导致抛光效率降低。

本发明通过设置冷却机构和间歇驱动机构，当安装机构远离抛光机构时，此时喷射器位于安装机构底端，正对晶片，当安装机构向下运动时，在间歇驱动机构的作用下，使得环形旋架转动，带动水泵旋转，使得喷射器远离安装机构，避免安装机构向下运动时与喷射器发生干涉，当安装机构向上运动时，在间歇驱动机构的作用下，喷射器复位，重新回到安装机构底端，通过水泵，将冷却池内的冷却液喷射到安装机构上，不仅有效清洗晶片表面附着的碳化硅颗粒，同时使冷却液直接与晶片接触，提高散热效果。

本发明通过设置第一齿轮和第二齿槽，当V形牵引板向下运动使环形旋架转动时，通过第一齿轮与第二齿槽啮合作用，使得转动杆转动，将原本正对安装机构的喷射器翻转朝下，对着抛光机构，当晶片抛光时，使得喷射器将抛光机构表面的碳化硅颗粒进行冲洗和降温，从而提高降温效果和抛光精度。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明中减薄装置的使用流程图；

图2为本发明中减薄装置的总体结构第一示意图；

图3为本发明中减薄装置的总体结构剖视图；

图4为本发明中减薄装置的总体结构第二示意图（隐藏操作室）；

图5为本发明中减薄装置转动盘、V形牵引架和推动杆的连接情况图；

图6为本发明中减薄装置间歇起伏机构连接情况图；

图7为本发明中减薄装置安装台、第二齿轮和第三齿轮连接情况图；

图8为本发明中减薄装置的总体结构第三示意图（隐藏操作室）；

图9为图8中A处放大图；

图10为本发明中减薄装置安装箱剖视图；

图11 为本发明中减薄装置安装架和真空夹具连接情况图。

附图中，各标号所代表的部件列表如下：

操作室1、安装箱2、转动盘3、V形牵引架4、第一电机5、牵引弧槽6、推动杆7、第一滑杆8、推动台9、连接杆10、安装台11、冷却池12、注水软管13、水泵14、环形旋架15、出水软管16、喷射器17、转动杆18、第一齿槽19、驱动齿条板20、第二滑杆21、复位弹簧22、第一推动板23、第二推动板24、第二齿槽25、第一齿轮26、第二电机27、第二齿轮28、第三齿轮29、安装架30、真空夹具31、抛光盘32、第三电机33、斜面34、过滤网35。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

请参阅图1-11，本发明提供一种技术方案：一种碳化硅晶片减薄装置，操作室1和安装箱2，安装箱2顶端设置有抛光机构，操作室1内侧壁设置有间歇起伏机构；

间歇起伏机构包括两个转动盘3和两V形牵引架4，转动盘3对称转动连接在操作室1内侧壁上，其中一个转动盘3表面传动连接有第一电机5，第一电机5固定连接在操作室1外侧壁上；

V形牵引架4上均开设有牵引弧槽6，两个转动盘3表面共同固定连接有推动杆7，推动杆7滑动在牵引弧槽6内，V形牵引架4两端均滑动连接有第一滑杆8，第一滑杆8两端固定连接在操作室1内；

两个V形牵引架4底端共同固定连接有推动台9，推动台9底端阵列固定连接有连接杆10，数个连接杆10底端共同固定连接有安装台11，安装台11底端设置有安装机构，安装箱2顶端设置有冷却机构；

工作时，现有技术中，在通过物理法对碳化硅晶片进行减薄时，当晶片长时间在多孔陶瓷承片台进行抛光减薄时，会因二者摩擦导致晶片发热，传统降温方式，是直接将冷却水喷射到多孔陶瓷承片台上进行降温，但是晶片与多孔陶瓷承片台紧密贴合，冷却水难以直接与晶片接触，从而降低降温效果，导致晶片温度升高，造成损害的问题，该技术方案可以解决上述问题，具体操作如下：将待减薄晶片通过安装机构安装在安装台11上，随后启动第一电机5，使得第一电机5输出轴转动，驱动转动盘3转动，从而使得推动杆7沿着牵引弧槽6运动，并将两个V形牵引架4向下推动，在连接杆10的连接作用下，使得推动台9向下运动，直到安装机构中晶片与抛光机构接触，晶片通过抛光机构进行抛光，使得晶片减薄，并且将牵引弧槽6半径设置与推动杆7运动轨迹半径相同，当推动杆7带动推动台9运动到最底端时，由于牵引弧槽6半径与推动杆7运动轨迹半径相同，推动杆7沿着牵引弧槽6运动时，V形牵引架4不会被牵引向上，从而延长抛光时间，避免抛光时间短，降低抛光效率，当推动杆7沿着牵引弧槽6运动结束后，推动杆7带动V形牵引架4向上运动，推动台9带动安装机构向上运动，晶片停止抛光，避免发生晶片长时间摩擦抛光，导致晶片温度升高，造成损害的问题，随后在冷却机构的作用下，对晶片和抛光机构进行降温，从而提高散热效率，该晶片减薄装置，通过设置间歇起伏机构，使得晶片间歇进行抛光作用，避免晶片长时间摩擦抛光，导致晶片温度升高，发生损害，同时将将牵引弧槽6半径设置与推动杆7运动轨迹半径相同，延长抛光时间，避免抛光时间短，降低抛光效率。

作为本发明的进一步方案，冷却机构包括冷却池12，冷却池12固定连接在安装箱2内，冷却池12外侧壁阵列固定联通有注水软管13，注水软管13贯穿安装箱2后其端部均固定连接有水泵14，数个水泵14底端共同固定连接有环形旋架15，环形旋架15滑动连接在安装箱2顶端，水泵14表面均固定联通有出水软管16，出水软管16端部均固定联通有喷射器17，喷射器17喷射面正对安装机构底端，喷射器17端部固定连接有转动杆18，转动杆18转动连接在环形旋架15内侧壁上，环形旋架15和V形牵引架4共同设置有间歇驱动机构；工作时，当晶片抛光时，晶片表面存有大量碳化硅颗粒，从而导致摩擦力增大，不仅增加发热量同时降低抛光精度，通过设置冷却机构，当安装机构远离抛光机构时，此时喷射器17位于安装机构底端，正对晶片，当安装机构向下运动时，在间歇驱动机构的作用下，使得环形旋架15转动，带动水泵14旋转，使得喷射器17远离安装机构，避免安装机构向下运动时与喷射器17发生干涉，当安装机构向上运动时，在间歇驱动机构的作用下，喷射器17复位，重新回到安装机构底端，通过水泵14，将冷却池12内的冷却液喷射到安装机构上，不仅有效清洗晶片表面附着的碳化硅颗粒，同时使冷却液直接与晶片接触，提高散热效果。

作为本发明的进一步方案，间歇驱动机构包括阵列开设在环形旋架15外侧壁上的第一齿槽19，环形旋架15外侧壁对称啮合有驱动齿条板20，驱动齿条板20端部均滑动连接有第二滑杆21，第二滑杆21端部固定连接在操作室1内侧壁上，第二滑杆21表面均套接有复位弹簧22，复位弹簧22两端分别固定连接在驱动齿条板20和操作室1上，驱动齿条板20另一端倾斜转动连接有第一推动板23，第一推动板23端部转动连接有第二推动板24，第二推动板24固定连接在V形牵引板底端；工作时，通过设置第二推动板24，当V形牵引板向下运动时，第二推动板24向下运动，通过第一推动板23的推动作用，使得驱动齿条板20沿着第二滑杆21运动，通过第一齿槽19和驱动齿条板20啮合作用下，使得环形旋架15转动，带动水泵14和喷射器17运动，远离安装机构底部，当V形牵引板向上运动时，在复位弹簧22的作用下，驱动齿条板20复位，并驱动环形旋架15转动，从而使喷射器17重新正对着安装机构底部，对着晶片表面进行喷射清洗，达到清洗和降温效果。

作为本发明的进一步方案，安装箱2顶端阵列开设有第二齿槽25，安装箱2顶端啮合有第一齿轮26，第一齿轮26固定连接在转动杆18表面；工作时，当V形牵引板向下运动使环形旋架15转动时，通过第一齿轮26与第二齿槽25啮合作用，使得转动杆18转动，将原本正对安装机构的喷射器17翻转朝下，对着抛光机构，当晶片抛光时，使得喷射器17将抛光机构表面的碳化硅颗粒进行冲洗和降温，从而提高降温效果和抛光精度。

作为本发明的进一步方案，安装机构包括第二电机27，第二电机27顶端固定连接有推动台9底端上，第二电机27输出轴表面固定连接有第二齿轮28，第二齿轮28侧面阵列啮合有第三齿轮29，第三齿轮29轴转动连接在安装台11顶端，第三齿轮29轴底端均固定连接有安装架30，安装架30转动连接在安装台11底端，安装架30底端通过可拆卸的方式固定连接有真空夹具31，喷射器17喷射分别位于真空夹具31底端；工作时，通过真空夹具31固定晶片，再将真空夹具31通过可拆卸的方式固定在安装架30上，减薄时，启动第二电机27，使得第二电机27输出轴转动，从而驱动第二齿轮28转动，通过第二齿轮28和第三齿轮29啮合作用，使得第三齿轮29转动，从而驱动安装架30转动，使得安装在安装架30上的真空夹具31转动，从而提高抛光效率。

作为本发明的进一步方案，抛光机构包括抛光盘32，抛光盘32位于安装箱2顶端，抛光盘32底端传动连接有第三电机33，第三电机33固定连接在安装箱2底端，第三电机33输出轴与冷却池12转动连接；工作时，启动第三电机33，使得第三电机33的输出轴转动，从而使得抛光盘32转动，对晶片进行抛光减薄。

作为本发明的进一步方案，抛光盘32外侧壁开设有斜面34，第三电机33输出轴表面转动连接有过滤网35，过滤网35倾斜固定连接在冷却池12顶端；工作时，通过设置斜面34，当喷射器17喷射冷却液时，冷却液通过斜面34经过过滤网35过滤后重新进入到冷却池12中，从而循环使用冷却液，节约资源。

一种碳化硅晶片减薄装置使用方法，该碳化硅晶片减薄装置使用方法的具体步骤如下：

步骤一：将待减薄晶片通过安装机构安装在安装台11上；

步骤二：随后启动第一电机5，使得第一电机5输出轴转动，驱动转动盘3转动，从而使得推动杆7沿着牵引弧槽6运动，并将两个V形牵引架4向下推动；

步骤三：在连接杆10的连接作用下，使得推动台9向下运动，直到安装机构中晶片与抛光机构接触，晶片通过抛光机构进行抛光，使得晶片减薄；

步骤四：并且将牵引弧槽6半径设置与推动杆7运动轨迹半径相同，当推动杆7带动推动台9运动到最底端时，由于牵引弧槽6半径与推动杆7运动轨迹半径相同，推动杆7沿着牵引弧槽6运动时，V形牵引架4不会被牵引向上，从而延长抛光时间；

步骤五：当推动杆7沿着牵引弧槽6运动结束后，推动杆7带动V形牵引架4向上运动，推动台9带动安装机构向上运动，晶片停止抛光；

步骤六：随后在冷却机构的作用下，对晶片和抛光机构进行降温；

步骤七：连续使用，直到晶片厚度减薄，到达要求，再取下晶片。

工作原理：将待减薄晶片通过安装机构安装在安装台11上，随后启动第一电机5，使得第一电机5输出轴转动，驱动转动盘3转动，从而使得推动杆7沿着牵引弧槽6运动，并将两个V形牵引架4向下推动，在连接杆10的连接作用下，使得推动台9向下运动，直到安装机构中晶片与抛光机构接触，晶片通过抛光机构进行抛光，使得晶片减薄，并且将牵引弧槽6半径设置与推动杆7运动轨迹半径相同，当推动杆7带动推动台9运动到最底端时，由于牵引弧槽6半径与推动杆7运动轨迹半径相同，推动杆7沿着牵引弧槽6运动时，V形牵引架4不会被牵引向上，从而延长抛光时间，避免抛光时间短，降低抛光效率，当推动杆7沿着牵引弧槽6运动结束后，推动杆7带动V形牵引架4向上运动，推动台9带动安装机构向上运动，晶片停止抛光，避免发生晶片长时间摩擦抛光，导致晶片温度升高，造成损害的问题，随后在冷却机构的作用下，对晶片和抛光机构进行降温，从而提高散热效率。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“示例”、“具体示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

以上公开的本发明优选实施例只是用于帮助阐述本发明。优选实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该发明仅为的具体实施方式。显然，根据本说明书的内容，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本发明的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地理解和利用本发明。本发明仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。

Claims (5)

1.一种碳化硅晶片减薄装置，其特征在于：操作室（1）和安装箱（2），所述安装箱（2）顶端设置有抛光机构，所述操作室（1）内侧壁设置有间歇起伏机构；

所述间歇起伏机构包括两个转动盘（3）和两V形牵引架（4），所述转动盘（3）对称转动连接在操作室（1）内侧壁上，其中一个所述转动盘（3）表面传动连接有第一电机（5），所述第一电机（5）固定连接在操作室（1）外侧壁上；

所述V形牵引架（4）上均开设有牵引弧槽（6），两个所述转动盘（3）表面共同固定连接有推动杆（7），所述推动杆（7）滑动在牵引弧槽（6）内，所述V形牵引架（4）两端均滑动连接有第一滑杆（8），所述第一滑杆（8）两端固定连接在操作室（1）内；

两个所述V形牵引架（4）底端共同固定连接有推动台（9），所述推动台（9）底端阵列固定连接有连接杆（10），数个所述连接杆（10）底端共同固定连接有安装台（11），所述安装台（11）底端设置有安装机构，所述安装箱（2）顶端设置有冷却机构；所述冷却机构包括冷却池（12），所述冷却池（12）固定连接在安装箱（2）内，所述冷却池（12）外侧壁阵列固定联通有注水软管（13），所述注水软管（13）贯穿安装箱（2）后其端部均固定连接有水泵（14），数个所述水泵（14）底端共同固定连接有环形旋架（15），所述环形旋架（15）滑动连接在安装箱（2）顶端，所述水泵（14）表面均固定联通有出水软管（16），所述出水软管（16）端部均固定联通有喷射器（17），所述喷射器（17）喷射面正对安装机构底端，所述喷射器（17）端部固定连接有转动杆（18），所述转动杆（18）转动连接在环形旋架（15）内侧壁上，所述环形旋架（15）和V形牵引架（4）共同设置有间歇驱动机构；

所述间歇驱动机构包括阵列开设在环形旋架（15）外侧壁上的第一齿槽（19），所述环形旋架（15）外侧壁对称啮合有驱动齿条板（20），所述驱动齿条板（20）端部均滑动连接有第二滑杆（21），所述第二滑杆（21）端部固定连接在操作室（1）内侧壁上，所述第二滑杆（21）表面均套接有复位弹簧（22），所述复位弹簧（22）两端分别固定连接在驱动齿条板（20）和操作室（1）上，所述驱动齿条板（20）另一端倾斜转动连接有第一推动板（23），所述第一推动板（23）端部转动连接有第二推动板（24），所述第二推动板（24）固定连接在V形牵引板底端；

所述安装箱（2）顶端阵列开设有第二齿槽（25），所述安装箱（2）顶端啮合有第一齿轮（26），所述第一齿轮（26）固定连接在转动杆（18）表面。

2.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶片减薄装置，其特征在于：所述安装机构包括第二电机（27），所述第二电机（27）顶端固定连接有推动台（9）底端上，所述第二电机（27）输出轴表面固定连接有第二齿轮（28），所述第二齿轮（28）侧面阵列啮合有第三齿轮（29），所述第三齿轮（29）轴转动连接在安装台（11）顶端，所述第三齿轮（29）轴底端均固定连接有安装架（30），所述安装架（30）转动连接在安装台（11）底端，所述安装架（30）底端通过可拆卸的方式固定连接有真空夹具（31），所述喷射器（17）喷射分别位于真空夹具（31）底端。

3.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶片减薄装置，其特征在于：所述抛光机构包括抛光盘（32），所述抛光盘（32）位于安装箱（2）顶端，抛光盘（32）底端传动连接有第三电机（33），所述第三电机（33）固定连接在安装箱（2）底端，所述第三电机（33）输出轴与冷却池（12）转动连接。

4.根据权利要求3所述的一种碳化硅晶片减薄装置，其特征在于：所述抛光盘（32）外侧壁开设有斜面（34），所述第三电机（33）输出轴表面转动连接有过滤网（35），所述过滤网（35）倾斜固定连接在冷却池（12）顶端。

5.一种碳化硅晶片减薄装置使用方法，适用于权利要求1-4任一项所述的一种碳化硅晶片减薄装置，其特征在于：碳化硅晶片减薄装置使用方法的具体步骤如下：

步骤一：将待减薄晶片通过安装机构安装在安装台（11）上；

步骤二：随后启动第一电机（5），使得第一电机（5）输出轴转动，驱动转动盘（3）转动，从而使得推动杆（7）沿着牵引弧槽（6）运动，并将两个V形牵引架（4）向下推动；

步骤三：在连接杆（10）的连接作用下，使得推动台（9）向下运动，直到安装机构中晶片与抛光机构接触，晶片通过抛光机构进行抛光，使得晶片减薄；

步骤四：并且将牵引弧槽（6）半径设置与推动杆（7）运动轨迹半径相同，当推动杆（7）带动推动台（9）运动到最底端时，由于牵引弧槽（6）半径与推动杆（7）运动轨迹半径相同，推动杆（7）沿着牵引弧槽（6）运动时，V形牵引架（4）不会被牵引向上，从而延长抛光时间；

步骤五：当推动杆（7）沿着牵引弧槽（6）运动结束后，推动杆（7）带动V形牵引架（4）向上运动，推动台（9）带动安装机构向上运动，晶片停止抛光；

步骤六：随后在冷却机构的作用下，对晶片和抛光机构进行降温；

步骤七：连续使用，直到晶片厚度减薄，到达要求，再取下晶片。