CN114695496A - 显示装置 - Google Patents
显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114695496A CN114695496A CN202210323582.1A CN202210323582A CN114695496A CN 114695496 A CN114695496 A CN 114695496A CN 202210323582 A CN202210323582 A CN 202210323582A CN 114695496 A CN114695496 A CN 114695496A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- recess
- display device
- recesses
- edge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 60
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims abstract description 30
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 243
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 15
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 14
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 9
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/0412—Digitisers structurally integrated in a display
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133345—Insulating layers
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/13338—Input devices, e.g. touch panels
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
- G06F3/0443—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a single layer of sensing electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
- G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
- G06F2203/04102—Flexible digitiser, i.e. constructional details for allowing the whole digitising part of a device to be flexed or rolled like a sheet of paper
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
- G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
- G06F2203/04103—Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
- G06F3/0446—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a grid-like structure of electrodes in at least two directions, e.g. using row and column electrodes
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Human Computer Interaction (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Position Input By Displaying (AREA)
Abstract
本发明涉及一种显示装置,其包含基底、驱动结构层、显示结构层和触控层。所述基底包含弯曲区域和邻近于弯曲区域的主要区域。驱动结构层安置于基底上。驱动结构层包含绝缘结构,并且绝缘结构包含多个凹部。显示结构层安置于驱动结构层上。触控层安置于驱动结构层上。触控层的一部分安置于基底的弯曲区域上。多个凹部的至少一部分安置于基底的弯曲区域上。
Description
相关申请的交叉引用
本申请是申请日为2017年12月28日、申请号为201711454199.5、发明名称为”显示装置”、要求2017年1月3日提交的第62/441,579号美国临时申请以及2017年4月6日提交的第15/480,383号美国专利申请的优先权权益的发明专利申请的分案申请。上文所提及专利申请的全部内容特此通过引用的方式并入本文中且成为本说明书的一部分。
技术领域
本发明涉及一种显示装置。
背景技术
如今,例如手机、个人计算机、数码相机或其它消费型电子设备之类的电子装置已获得了广泛的使用。在电子装置的常规显示装置的制造过程中,是在主基底上形成显示结构层之后,切割主基底以形成多个显示装置。然而,显示装置的基底的边缘处会形成微小裂纹(micro-cracks)。一旦微小裂纹扩散到显示结构层所处的区域,显示结构层将遭到破坏。此外,如果显示装置具有柔性,则微小裂纹的扩散情况将更严重,显示装置的耐久性明显降低。
发明内容
本发明提供一种显示装置,其具有多个凹部。依据一些实施例,可阻止显示装置的微小裂纹的扩散。
根据本发明的实施例的显示装置包含基底、驱动结构层、显示结构层和触控层。所述基底包含弯曲区域和邻近于弯曲区域的主要区域。驱动结构层安置于基底上。驱动结构层包括绝缘结构,并且绝缘结构包括多个凹部。显示结构层安置于驱动结构层上。触控层安置于驱动结构层上。触控层的一部分安置于基底的弯曲区域上。多个凹部的至少一部分安置于基底的弯曲区域上。
根据本发明的实施例的显示装置包含基底、驱动结构层、显示结构层和触控层。所述基底包含弯曲区域和邻近于弯曲区域的主要区域。驱动结构层安置于基底上。驱动结构层包括裂纹阻止件。显示结构层安置于驱动结构层上。触控层安置于驱动结构层上。触控层的一部分安置于基底的弯曲区域上。裂纹阻止件的至少一部分安置于基底的弯曲区域上。
基于以上内容,在本发明中,驱动结构层包含多个凹部。依据一些实施例,可以减轻微小裂纹的扩散,或者可以改进显示装置的耐久性。
为了使本发明的以上特征及优势更好理解,如下参照附图详细地描述几个实施例。
附图说明
包含附图是为了便于进一步理解本发明,并且附图并入在本说明书中且构成本说明书的一部分。附图示出了本发明的实施例,且与描述一起用于解释本发明的原理。
图1是根据本发明的实施例的显示装置的示意性剖面图;
图2至图4是根据本发明的三个实施例的显示装置的示意性俯视图;
图5是根据本发明的另一实施例的显示装置的示意性俯视图;
图6是根据本发明的实施例的显示装置的示意性局部放大剖面图;
图7是根据本发明的实施例的显示装置的示意性局部放大剖面图;
图8是根据本发明的实施例的显示装置的示意性局部放大剖面图;
图9是根据本发明的实施例的显示装置的示意性局部放大剖面图;
图10是根据本发明的实施例的显示装置的多个凹部的示意性局部放大剖面图;
图11是根据本发明的另一实施例的显示装置的多个凹部的示意性局部放大剖面图;
图12是根据本发明的实施例的显示装置的多个凹部的示意性局部放大剖面图;
图13A到图13E是根据本发明的五个实施例的显示装置的角落的示意性局部放大俯视图;
图14是图13A沿着I-I线的示意性剖面图;
图15A到图15H是根据本发明的八个实施例的显示装置的直边的示意性局部放大俯视图。
附图标号说明
100、300、400、500、600:显示装置;
110、210A-210D:基底;
112:弯曲区域;
114:主要区域;
116、142:边缘;
118:表面;
120:驱动结构层;
122、122A1-122A3、122B、122C、122D、222A-222D、722、722A-722F、822A-822H:凹部;
122AS、122B1、122CS、122DS:侧壁;
122AB、122CB、122DB:底部;
124:薄膜晶体管;
126A:缓冲层;
126B:栅极绝缘层;
126C:保护层;
126D:平坦化层;
130、230、630:显示结构层;
132:像素电极层;
134:发光层;
136:共同电极层;
138:像素界定层;
140、240、440:触控层;
150:罩盖层;
160:有机层;
180:绝缘结构;
442:上部触控电极层;
444:下部触控电极层;
540:触控电极层;
632:微型LED;
632A:第一电极;
632B:第一类型掺杂半导体层;
632C:量子阱层;
632D:第二类型掺杂半导体层;
632E:第二电极;
722A1、722B1:弧形边缘;
1241:主动层;
1242:栅极层;
1243:源极/漏极层;
I12:第一氧化硅层;
I14:第一氮化硅层;
I16:第二氧化硅层;
I18:第二氮化硅层;
T12、T14、T16、T18、T20:厚度;
W12、W14:宽度;
D12、D14、D21、D22:深度;
D1、D2:方向;
D10:距离。
具体实施方式
现在将详细参考本发明的目前优选的实施例,附图中示出了这些优选实施例的实例。只要可能,在附图和描述中用相同的附图标号指代相同或相似的部分。
有关本发明的前述及其他技术内容、特点与功效,在以下配合参考附图的实施例的详细说明中,将可清楚的呈现。以下实施例中所提到的方向用语,例如:上、下、左、右、前或后等,仅是参考附加附图的方向。因此,使用的方向用语是用来说明并非用来限制本发明。举例而言,在以下描述中,当叙述第一对象在第二对象之上时,可包含第一对象及第二对象直接接触的实施例,且也可包含第一对象及第二对象未直接接触的实施例。此外,在第一对象及第二对象未直接接触的实施例中,第一对象及第二对象之间还有可能有其他对象或只是单纯的空间。图1是根据本发明的实施例的显示装置的示意性剖面图。参看图1,显示装置100包含基底110、驱动结构层120、显示结构层130和触控层140。基底110可以是柔性基底或刚性基底。柔性基底可以由塑料制成,并且刚性基底可以由玻璃制成,但不设限于此。基底110具有弯曲区域112和邻近于弯曲区域112的主要区域114。弯曲区域112可以被认为是基底110的弯曲部分,而主要区域114可以被认为是基底110的未弯曲部分。在一些实施例中,主要区域114可以是平坦的。然而,在其它实施例中,主要区域114可以是不平坦的并且包含不平坦的或弯曲的表面。弯曲区域112的弯曲程度可以大于主要区域114。换句话说,弯曲区域112的最大曲率大于主要区域114的最大曲率。
弯曲工艺可以在显示装置呈现给消费者(或使用者)之前进行。图1示出了显示装置的基底110已经弯曲的状态。替代地,根据一些实施例,当柔性基底被用作基底时,弯曲工艺可以由消费者进行。也就是说,原先,显示装置的基底可以是平坦的,然后消费者可以根据要求让基底弯曲使其具有弯曲区域,因而获得如图1中所示的显示装置。在本发明中,弯曲区域可以表示已弯曲的部分,或者将由消费者弯曲的部分。
驱动结构层120安置于基底110上。驱动结构层120包括绝缘结构。绝缘结构包含多个凹部122。多个凹部122可以作为裂纹阻止件。凹部可以采用开口或狭缝的形式。显示结构层130安置于驱动结构层120上。触控层140安置于驱动结构层120上。触控层140的一部分安置于基底110的弯曲区域112上。多个凹部122的至少一部分安置于基底110的弯曲区域112上。
由于驱动结构层120包含安置于基底110的弯曲区域112上的多个凹部122,所以即使基底110的边缘和/或驱动结构层120的边缘可能存在微小裂纹,藉由多个凹部122可以阻止微小裂纹的扩散。以此方式,可以减轻微小裂纹的扩散,或者可以增加基底110、驱动结构层120、显示结构层130和触控层140的良率,或者可以改进显示装置的耐久性。同时,可能无需担心反复地弯曲会导致微小裂纹在显示装置100上扩散。
驱动结构层120可包括由多个绝缘层和传导层构成的驱动电路和驱动组件,但不设限于此。显示结构层130可以包括多个有机发光二极管(organic light emittingdiode,OLED)组件、多个微型LED或其它合适的显示器结构,但不设限于此。触控层140可以包括多个绝缘层和传导层,但不设限于此。驱动结构层120、显示结构层130和触控层140可能不是明确地分开的。例如,在一些实施例中,触控层140的一部分可以在驱动结构层120与显示结构层130之间,触控层140的另一部分位于显示结构层130上。基底110的弯曲区域112是基底110的具有曲面的部分。弯曲区域112可以如图1中所示在基底110一侧。然而,如果显示装置设计成像书一样可折叠,则弯曲区域可以在基底的中间区,但不设限于此。图1只是为了方便理解本实施例的示意图。
图2至图4是根据本发明的三个实施例的显示装置的示意性俯视图。填有网点的区域是多个凹部分布的位置。在图2至图4的显示装置中,多个凹部222A、222B和222C的分布位置包围触控层240。多个凹部222A、222B和222C的分布位置位于基底210A、210B和210C的边缘。多个凹部222A和222B的分布位置是连续条带区域,并且多个凹部222C的分布位置是不连续条带区域,但不设限于此。基底210A和基底210B的形状不同,但不设限于此。图5是根据本发明的另一实施例的显示装置的示意性俯视图。在另一方面,如图5中所示,多个凹部222D的分布位置包围显示结构层230。基底210D和基底210A的形状相同。图2至图5的四个实施例存在显示结构层和触控层,但是每个实施例中只示出了显示结构层和触控层中的一者。在图2至图5中,基底(210A、210B、210C或210D)可以在边缘的位置中弯曲以形成弯曲区域。例如,在图2中,示出了三条虚线。基底210A可以沿着其中至少一条虚线弯曲以形成弯曲区域112。类似地,关于图3至图5中示出的显示装置,基底可以沿着其中至少一条虚线弯曲以形成弯曲区域,但不设限于此。
参看图1,基底110进一步包括第一边缘116,触控层140包括邻近于第一边缘116的第二边缘142,多个凹部122的一部分安置于第一边缘116与第二边缘142之间。多个凹部122的一部分与第一边缘116之间的最小距离是第一距离D10,并且第一距离D10在0.1微米与1000微米之间,但不设限于此。在本实施例中,显示结构层130被触控层140完全覆盖。由于多个凹部122是安置于第一边缘116与第二边缘142之间,所以多个凹部122位于显示结构层130的外部。因此,显示结构层130外部的多个凹部可以阻止微小裂纹的扩散,可以让微小裂纹远离袭显示结构层130。
图6是根据本发明的实施例的显示装置的示意性局部放大剖面图。参看图6,显示装置300与图1的显示装置100相似,并且对其相似细节不再赘述。这两者之间的主要差异是显示装置300还包括罩盖层150。罩盖层150安置于显示结构层130与触控层140之间。罩盖层150保护显示结构层130和驱动结构层120免于因为湿气渗透、后期处理等等而发生退化。本实施例的罩盖层150还提供平坦表面用于安置触控层140。罩盖层150可包括多个堆叠层,这多个堆叠层可以包括无机层和无机层之间的有机层。本实施例的显示结构层130包含像素电极层132、发光层134和共同电极层136。像素界定层138安置于像素电极层132上,并且设有开口。发光层134安置在像素界定层138的开口中,并且在像素电极层132与共同电极层136之间,以形成发光OLED,用于发光为使用者构成图像。像素电极层132可以是阳极,共同电极层136可以是阴极。或者,替代地,像素电极层132可以是阴极,共同电极层136可以是阳极。
参看图6,驱动结构层120可以进一步包含绝缘结构180。绝缘结构180可以包含如图1中所示的多个凹部122。在一些实施例中,绝缘结构180可以包含至少一个绝缘层。在一些实施例中,绝缘结构180可以包含多个绝缘层。绝缘层可以是平坦化层、栅极绝缘层、缓冲层、保护层等,但不设限于此。具体地说,在一些实施例中,驱动结构层120包含多个薄膜晶体管(thin film transistor,TFT)124,图6中只示出了一个TFT 124。TFT 124可以电连接到像素电极层132并控制发光OLED。TFT 124可以包含缓冲层126A、主动层1241、栅极层1242、栅极绝缘层126B、保护层126C、源极/漏极层1243和平坦化层126D。缓冲层126A安置于基底110上,并且在基底110与主动层1241之间。栅极绝缘层126B安置于主动层1241与栅极层1242之间。保护层126C覆盖栅极层1242,并且平坦化层126D覆盖源极/漏极层1243。基于图6的这个TFT结构,绝缘结构180可以包含缓冲层126A、栅极绝缘层126B、保护层126C和平坦化层126D中的至少一个层,但不设限于此。例如,在另一实施例中,绝缘层180仅仅包含缓冲层126A、栅极绝缘层126B和保护层126C,但不设限于此。
图7是根据本发明的实施例的显示装置的示意性局部放大剖面图。参看图7,显示装置400与图6的显示装置300相似,并且对其相似细节不再赘述。这两个显示装置之间的主要差别是显示装置400的触控层440包含上部触控电极层442和下部触控电极层444。上部触控电极层442安置于罩盖层150上,并且下部触控电极层444安置于显示结构层130与罩盖层150之间。下部触控电极层444和共同电极层136可以是同一个层,并且可以由相同材料制成。具体地说,首先,可以形成电极层,然后通过光刻法将电极层图案化以形成下部触控电极层444和共同电极层136。
图8是根据本发明的实施例的显示装置的示意性局部放大剖面图。参看图8,显示装置500与图6的显示装置300相似,并且对其相似细节不再赘述。这两个显示装置之间的主要差别是显示装置500的触控电极层540安置于显示结构层130与驱动结构层120之间。触控电极层540和像素电极层132可以是同一个层,并且可以由相同材料制成。具体地说,首先,可以形成电极层,然后通过光刻法将电极层图案化以形成触控电极层540和像素电极层132。或者,替代地,触控电极层540可以是与源极/漏极层1243相同的层并且由相同的材料制成。
图9是根据本发明的实施例的显示装置的示意性局部放大剖面图。参看图9,显示装置600与图6的显示装置300相似,并且对其相似细节不再赘述。这两个显示装置之间的主要差别是显示装置600的显示结构层630包含多个微型LED 632。在本实施例中,两个微型LED 632可以安置在一个像素中。在另一实施例中,一个像素中可以只安置一个微型LED632,但不设限于此。每个微型LED 632包含第一电极632A、第一类型掺杂半导体层632B、量子阱层(quantum well layer)632C、第二类型掺杂半导体层632D和第二电极632E。第一类型掺杂半导体层和第二类型掺杂半导体层可以是不同的掺杂类型。例如,第一类型可以是N掺杂,第二类型可以是P掺杂,或者是相反的情况。出于例示性目的,本实施例的微型LED632是垂直LED。然而,在其它实施例中,还可在显示结构层630中采用倒装芯片(flip-chip)LED或其它发光装置。在将微型LED 632接合到显示装置600上时,基底110会受到挤压,微小裂纹扩散的可能性增加。因此,具有多个凹部122(如图1所示)的绝缘结构180是非常重要的。
图10是根据本发明的实施例的显示装置的弯曲区域中,具有多个凹部结构的绝缘结构的示意性局部放大剖面图。如上文所述,绝缘结构180可以包含至少一个绝缘层,或者可以包含多个绝缘层。当绝缘结构180包含多个绝缘层时,多个凹部可以具有不同深度。例如,在图10中,绝缘结构180可以包含缓冲层126A、栅极绝缘层126B和保护层126C。绝缘结构180可以包含主要区域上和弯曲区域上的多个凹部。图10示出了弯曲区域上的多个凹部的一部分。凹部122A1、122A2和122A3形成于绝缘结构180中。凹部122A1形成于保护层126C中,凹部122A2形成于保护层126C和栅极绝缘层126B中。凹部122A3形成于保护层126C、栅极绝缘层126B和缓冲层126A中。基底110的表面118仅仅在一些凹部中露出,但是表面118不在其它凹部中露出。例如,如图10中所示,基底110的表面118通过凹部122A3露出,但是不通过凹部122A1和凹部122A2露出,但不设限于此。
参看图10,绝缘结构180包含具有不同深度的凹部122A1、122A2和122A3,但不设限于此。具有不同深度的凹部可以阻止发生在不同深度中的微小裂纹的扩散。参看图10,凹部122A3包含侧壁122AS和底部122AB。绝缘结构180包含由侧壁122AS和底部122AB形成的角θ,并且角θ可以在10°与80°之间。在实验中,当角θ是90°时,微小裂纹的扩散概率是23%,当角θ是80°、60°、50°、20°和10°时,微小裂纹的扩散概率分别是10%、8%、7%、9%和7%。在一些实施例中,角θ可以在10°到80°之间。在一些实施例中,角θ可以在20°到60°之间。
绝缘结构180中包含的凹部的侧壁可以是光滑的,或者可以具有阶梯形轮廓。例如,如图10中所示,凹部122A1、122A2和122A3的侧壁是光滑的。然而,如图11中所示的凹部122B的侧壁122B1具有阶梯122B2,但不设限于此。
参看图11,凹部122B形成于绝缘结构180中。绝缘结构180可以包含堆叠绝缘层,其包含第一氧化硅层I12、第一氮化硅层I14、第二氧化硅层I16和第二氮化硅层I18,但不设限于此。氧化硅层的总厚度(诸如第一氧化硅层I12的厚度T12和第二氧化硅层I16的厚度T16的总和)可以大于氮化硅层的总厚度(诸如第一氮化硅层I14的厚度T14和第二氮化硅层I18的厚度T18的总和)。例如,氧化硅层的总厚度可以大于氮化硅层的总厚度。例如,氧化硅层的总厚度和氮化硅层的总厚度的比值,可以大于1.5倍,且小于15倍。
图12是根据本发明的实施例的显示装置的弯曲区域中,具有多个凹部结构的绝缘结构的示意性局部放大剖面图。绝缘结构180可以包含主要区域上和弯曲区域上的多个凹部。图12示出了弯曲区域上的多个凹部的一部分。参看图12,绝缘结构180包括第一凹部122C和第二凹部122D。第一凹部122C的最小宽度是第一宽度W12,第二凹部122D的最小宽度是第二宽度W14,并且第一宽度W12不同于第二宽度W14,但不设限于此。
第一凹部122C具有第一深度D12,第二凹部122D具有第二深度D14,第一深度D12不同于第二深度D14。因此,可以阻止在不同深度中发生的微小裂纹扩散。第一凹部122C包含第一侧壁122CS和第一底部122CB,并且第二凹部122D包含第二侧壁122DS和第二底部122DB。绝缘结构180包含由第一侧壁122CS和第一底部122CB形成的第一角θ1,以及由第二侧壁122DS和第二底部122DB形成的第二角θ2。第一角θ1和第二角θ2可以在10°到80°的范围内,例如在20°到60°的范围内。第一角θ1和第二角θ2可以是相同的或不同的。第一角θ1除以第二角θ2得到的商可以小于1.5并且大于0.8。第一凹部122C的顶部的角可如图12中所示具有平滑的轮廓。因此,可以进一步增强微小裂纹扩散的减轻效果。
在一些实施例中,本实施例的显示装置可进一步包括有机层160,其覆盖多个凹部中的第一凹部122C和第二凹部122D。在一些实施例中,有机层160可以通过如图6中所示的罩盖层150的有机层或其它层的相同制造过程形成,但是有机层160可以是与图6中示出的层不同的一个层,但不设限于此。或者,在一些实施例中,有机层160可以是与显示结构层130的像素界定层138相同的层。有机层160可以减轻多个凹部处出现的应力集中,并且可以减轻微小裂纹的扩散。有机层160的厚度T20可以大于第一凹部122C的第一深度D12和第二凹部122D的第二深度D14。有机层160的厚度T20可以为第一凹部122C的第一深度D12的1.5倍以上,和/或为第二凹部122D的第二深度D14的1.5倍以上。
图13A到图13E是根据本发明的五个实施例的显示装置的角落的示意性局部放大俯视图。例如,图13A到图13E中示出的角落可以示出图2中的区域C。图13A到图13E是用微观视点示出的,而图2到图5是用宏观视点示出的。与图13A到图13E相似的多个凹部可以分布在图2到图5中示出的填有网点的区域中。参看图13A,在弯曲区域上的多个凹部的一部分中,多个凹部722包括至少一个第一凹部722A和至少一个第二凹部722B。在本实施例中,多个第一凹部722A和多个第二凹部722B可以安置在绝缘结构180中,但不设限于此。第一凹部722A沿着第一方向D1延伸,第二凹部722B沿着第二方向D2延伸,第一方向D1不同于第二方向D2。第一方向D1可以垂直于第二方向D2,但不设限于此。第一凹部722A和第二凹部722B可以安置于弯曲区域上。第一凹部722A和第二凹部722B沿着不同方向延伸可以阻止在不同方向上发生的微小裂纹的扩散。同时,第一凹部722A和第二凹部722B可具有弧形边缘722A1和722B1,用于减小尖角(cusp angles),从而减轻尖角处出现微小裂纹的情况,但不设限于此。
根据一些实施例,绝缘结构中的凹部可以具有各种深度,并且可以具有各种宽度。例如,参看图13A和图14,第一凹部722A的最小宽度是第一宽度W1,第二凹部722B的最小宽度是第二宽度W2,第一宽度W1可以不同于第二宽度W2。此外,第一凹部722A具有第一深度D21,第二凹部722B1具有第二深度D22,并且第一深度D21可以不同于第二深度D22。
参看图13B,所述多个凹部包括沿着四个不同方向延伸的凹部722C。参看图13C,所述多个凹部包括凹部722D,其具有连续的十字形状。参看图13D,所述多个凹部包括凹部722E,其具有连续十字形状和直线形状。参看图13E,所述多个凹部包括凹部722F,其具有曲线形状和直线形状。
图15A到图15H是根据本发明的八个实施例的显示装置的直边的示意性局部放大俯视图。参看图15A,所述多个凹部包括一连串的凹部822A,其具有S形状。参看图15B,所述多个凹部包括多个凹部822B,其具有较宽的直线形状。参看图15C,所述多个凹部包括多个凹部822C,其具有较细的直线形状。参看图15D,所述多个凹部包括多个凹部822D,其具有圆形形状。参看图15E,所述多个凹部包括多个凹部822E,其具有连续的十字形状。参看图15F,所述多个凹部包括多个凹部822F,其具有螺旋形状。参看图15G,所述多个凹部包括多个凹部822G,其具有较宽间距的连续S形状。参看图15H,所述多个凹部包括多个凹部822H,其具有较窄间距的连续S形状。
鉴于前述内容,在根据本发明的实施例的显示装置中,由于驱动结构层的多个凹部的作用,所以微小裂纹将不会扩散到显示装置的显示区域。微小裂纹扩散的缓解效果对于可折叠显示装置而言更为重要。本发明的显示装置的可靠性更好,或者可以良好地保持显示品质。
对于所属领域的技术人员将显而易见的是,在不脱离本发明的范围或精神的前提下,可以对本发明的结构进行各种修改和变化。鉴于前述内容,希望本发明涵盖属于所附权利要求及其等效物的范围内的本发明的修改和变化。
Claims (11)
1.一种显示装置,其特征在于,包括:
基底,其包括弯曲区域和第一边缘;
驱动结构层,其安置于所述基底上,且包括相邻于所述第一边缘的第二边缘,其中所述驱动结构层包括绝缘结构,所述绝缘结构包括多个凹部,且所述基底的所述第一边缘位于所述驱动结构层外;以及
触控层,其安置于所述驱动结构层上,且包括相邻于所述第二边缘的第三边缘,其中所述触控层的一部分安置于所述基底的所述弯曲区域上,且所述驱动结构层的所述第二边缘位于所述触控层外,
其中所述多个凹部的一部分的一边缘与所述第一边缘之间的最小距离是第一距离,且所述第一距离大于或等于10微米且小于或等于140微米,以及
其中所述第一边缘、所述第二边缘以及所述第三边缘不相重叠,且所述第二边缘安置于所述第一边缘以及所述第三边缘之间。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述多个凹部被有机层全部覆盖。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其中所述有机层的侧壁为弧形。
4.根据权利要求2所述的显示装置,其中所述多个凹部包括第一凹部和第二凹部,所述第一凹部具有第一深度,所述第二凹部具有第二深度,所述有机层的厚度大于所述第一深度以及所述第二深度。
5.根据权利要求4所述的显示装置,其中所述有机层的厚度大于所述第一深度的1.5倍以及所述第二深度的1.5倍。
6.根据权利要求2所述的显示装置,其中所述多个凹部中的第一凹部具有第一侧壁,所述绝缘结构具有绝缘结构边缘,且所述绝缘结构边缘位于所述第一侧壁以及所述有机层的侧壁之间。
7.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述多个凹部在俯视图中环绕所述触控层。
8.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述驱动结构层包括主动层、栅极层以及源极/漏极层,所述绝缘结构包括沿远离所述基底的方向依序层叠安置的缓冲层、栅极绝缘层和保护层,所述缓冲层还安置于所述基底与所述主动层之间,所述栅极绝缘层还安置于所述主动层与所述栅极层之间,所述保护层还安置于所述栅极层与所述源极/漏极层之间,且所述多个凹部藉由贯穿所述缓冲层、所述栅极绝缘层以及所述保护层中的至少一者来形成。
9.根据权利要求8所述的显示装置,所述多个凹部包括第一凹部、第二凹部以及第三凹部,所述第一凹部藉由贯穿所述保护层来形成,所述第二凹部藉由贯穿所述栅极绝缘层以及所述保护层来形成,所述第三凹部藉由贯穿所述缓冲层、所述栅极绝缘层以及所述保护层来形成。
10.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述多个凹部包括第一凹部和第二凹部,所述第一凹部具有第一侧壁,所述第二凹部具有第二侧壁,所述第一侧壁以及所述第二侧壁具有阶梯结构。
11.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述多个凹部包括第一凹部和第二凹部,所述第一凹部包含第一侧壁和第一底部,所述第二凹部包含第二侧壁和第二底部,第一侧壁与第一底部之间具备第一角度,第二侧壁与第二底部之间具备第二角度,且第一角度与第二角度不同。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201762441579P | 2017-01-03 | 2017-01-03 | |
US62/441,579 | 2017-01-03 | ||
US15/480,383 | 2017-04-06 | ||
US15/480,383 US20180188861A1 (en) | 2017-01-03 | 2017-04-06 | Display device |
CN201711454199.5A CN108269832A (zh) | 2017-01-03 | 2017-12-28 | 显示装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201711454199.5A Division CN108269832A (zh) | 2017-01-03 | 2017-12-28 | 显示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114695496A true CN114695496A (zh) | 2022-07-01 |
Family
ID=62712454
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201711247869.6A Active CN108268164B (zh) | 2017-01-03 | 2017-12-01 | 触控显示装置 |
CN202210323582.1A Pending CN114695496A (zh) | 2017-01-03 | 2017-12-28 | 显示装置 |
CN201711454199.5A Pending CN108269832A (zh) | 2017-01-03 | 2017-12-28 | 显示装置 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201711247869.6A Active CN108268164B (zh) | 2017-01-03 | 2017-12-01 | 触控显示装置 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201711454199.5A Pending CN108269832A (zh) | 2017-01-03 | 2017-12-28 | 显示装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (7) | US20180188861A1 (zh) |
CN (3) | CN108268164B (zh) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI679569B (zh) * | 2018-11-26 | 2019-12-11 | 友達光電股份有限公司 | 顯示裝置 |
CN109585513B (zh) * | 2018-12-06 | 2021-02-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性显示基板、显示装置及其控制方法 |
KR20200081628A (ko) | 2018-12-27 | 2020-07-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
KR20210085033A (ko) * | 2019-12-30 | 2021-07-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 폴더블 표시 장치 |
US11716863B2 (en) * | 2020-05-11 | 2023-08-01 | Universal Display Corporation | Hybrid display architecture |
KR20220167843A (ko) * | 2021-06-14 | 2022-12-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 제조 방법, 그에 따라 제조된 표시장치, 및 표시장치를 포함하는 전자장치 |
KR20240033372A (ko) * | 2022-09-05 | 2024-03-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
Family Cites Families (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007065523A (ja) * | 2005-09-02 | 2007-03-15 | Hitachi Displays Ltd | 表示パネル及び表示装置とこれを備える機器 |
US7662464B2 (en) * | 2007-04-04 | 2010-02-16 | Innovation & Infinity Global Corp. | Anti-reflection coating with low resistivity function and transparent conductive coating as outermost layer |
TW200923536A (en) * | 2007-11-23 | 2009-06-01 | Acrosense Technology Co Ltd | High transmittance touch panel |
CN101452352B (zh) * | 2007-12-03 | 2012-07-25 | 义强科技股份有限公司 | 触控装置 |
CN101452351B (zh) * | 2007-12-03 | 2010-11-17 | 义强科技股份有限公司 | 高透光率的触控装置 |
CN101441538B (zh) * | 2008-12-19 | 2010-11-10 | 友达光电股份有限公司 | 触控式装置的结构与触控式显示面板 |
JP5195593B2 (ja) * | 2009-04-01 | 2013-05-08 | セイコーエプソン株式会社 | 有機el装置および有機el装置の製造方法、ならびに電子機器 |
FR2954534B1 (fr) * | 2009-12-22 | 2012-03-16 | Valeo Systemes Thermiques | Module de commande et d'affichage pour vehicule automobile et procede de fabrication correspondant |
TWI419094B (zh) * | 2010-09-10 | 2013-12-11 | Au Optronics Corp | 可撓性顯示面板 |
TW201243663A (en) * | 2011-04-20 | 2012-11-01 | Wintek Corp | Touch display panel |
KR101838736B1 (ko) * | 2011-12-20 | 2018-03-15 | 삼성전자 주식회사 | 테이프 배선 기판 및 이를 포함하는 칩 온 필름 패키지 |
WO2013137251A1 (ja) * | 2012-03-15 | 2013-09-19 | 綜研化学株式会社 | 反射防止フィルム |
US9495033B2 (en) * | 2012-09-06 | 2016-11-15 | Konica Minolta, Inc. | Display device with touch panel |
CN104076991B (zh) * | 2013-03-25 | 2018-02-09 | 上海天马微电子有限公司 | 一种触摸屏、触摸显示面板和触摸显示装置 |
US9324959B2 (en) * | 2013-07-12 | 2016-04-26 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and method of manufacturing the same |
KR20150008711A (ko) | 2013-07-15 | 2015-01-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 접촉 감지 기능이 있는 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR102116105B1 (ko) * | 2013-07-31 | 2020-05-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 가요성 표시 장치 |
JP5964807B2 (ja) * | 2013-08-30 | 2016-08-03 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | フレキシブル有機電界発光装置及びその製造方法 |
KR102193781B1 (ko) * | 2013-10-29 | 2020-12-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 터치 스크린 패널 일체형 표시장치 |
CN109309113B (zh) * | 2013-11-12 | 2023-05-23 | 宸鸿光电科技股份有限公司 | 有机发光二极管触控显示设备 |
KR102132697B1 (ko) * | 2013-12-05 | 2020-07-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 휘어진 디스플레이 장치 |
KR102405610B1 (ko) | 2014-04-14 | 2022-06-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 터치 감지 구조물 및 표시 장치 |
KR20160038781A (ko) * | 2014-09-30 | 2016-04-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 유기 금속 이리듐 착체, 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치 |
CN107111970B (zh) * | 2014-10-28 | 2021-08-13 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置、显示装置的制造方法及电子设备 |
CN105677073A (zh) * | 2014-11-21 | 2016-06-15 | 群创光电股份有限公司 | 触控显示装置及其制造方法 |
US9780157B2 (en) * | 2014-12-23 | 2017-10-03 | Lg Display Co., Ltd. | Flexible display device with gate-in-panel circuit |
KR102323242B1 (ko) * | 2015-03-10 | 2021-11-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 가요성 표시 장치 |
KR102374644B1 (ko) | 2015-03-24 | 2022-03-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
EP3089002B1 (en) * | 2015-04-30 | 2021-09-08 | LG Display Co., Ltd. | Touch sensor integrated type display device |
KR102373329B1 (ko) | 2015-04-30 | 2022-03-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
WO2016204121A1 (ja) * | 2015-06-18 | 2016-12-22 | シャープ株式会社 | フレキシブル電子デバイス及びフレキシブル電子デバイスの製造方法 |
EP3324457A4 (en) * | 2015-12-30 | 2019-04-10 | Shenzhen Royole Technologies Co., Ltd. | FLEXIBLE DISPLAY SHEET AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR |
US10361385B2 (en) * | 2016-02-12 | 2019-07-23 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
US20170357325A1 (en) * | 2016-06-14 | 2017-12-14 | Apple Inc. | Localized Deflection Using a Bending Haptic Actuator |
KR102648414B1 (ko) * | 2016-10-31 | 2024-03-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 인-셀 터치 폴더블 표시 장치 |
-
2017
- 2017-04-06 US US15/480,383 patent/US20180188861A1/en not_active Abandoned
- 2017-08-07 US US15/670,129 patent/US10310652B2/en active Active
- 2017-12-01 CN CN201711247869.6A patent/CN108268164B/zh active Active
- 2017-12-28 CN CN202210323582.1A patent/CN114695496A/zh active Pending
- 2017-12-28 CN CN201711454199.5A patent/CN108269832A/zh active Pending
-
2019
- 2019-04-22 US US16/390,425 patent/US10691244B2/en active Active
- 2019-11-26 US US16/697,086 patent/US11281318B2/en active Active
-
2020
- 2020-05-18 US US16/876,298 patent/US20200278767A1/en not_active Abandoned
-
2022
- 2022-02-14 US US17/670,507 patent/US11747930B2/en active Active
-
2023
- 2023-07-18 US US18/353,892 patent/US20230359296A1/en active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20190250747A1 (en) | 2019-08-15 |
US20200278767A1 (en) | 2020-09-03 |
US10691244B2 (en) | 2020-06-23 |
US20180188861A1 (en) | 2018-07-05 |
US10310652B2 (en) | 2019-06-04 |
US11281318B2 (en) | 2022-03-22 |
CN108268164A (zh) | 2018-07-10 |
US20220171485A1 (en) | 2022-06-02 |
US20200097114A1 (en) | 2020-03-26 |
US20230359296A1 (en) | 2023-11-09 |
CN108269832A (zh) | 2018-07-10 |
CN108268164B (zh) | 2021-06-11 |
US20180188862A1 (en) | 2018-07-05 |
US11747930B2 (en) | 2023-09-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN114695496A (zh) | 显示装置 | |
US10707429B2 (en) | Flexible display panel and flexible display apparatus | |
US10014490B2 (en) | Flexible display panel, fabrication method, and flexible display apparatus | |
US11355716B2 (en) | Flexible display panel and fabricating method thereof, flexible display apparatus | |
US11751424B2 (en) | Display device | |
CN108538897B (zh) | 具有微盖层的显示装置及其制造方法 | |
CN109585690B (zh) | 显示面板及显示装置 | |
TW201705572A (zh) | 可撓性顯示器 | |
CN109546002B (zh) | 有机电致发光显示面板及显示装置 | |
CN104851888B (zh) | 薄膜晶体管阵列面板 | |
US20180226611A1 (en) | Display device | |
KR102396298B1 (ko) | 플렉서블 디스플레이 장치 | |
JP2019096577A (ja) | 表示装置 | |
CN109473465B (zh) | 显示面板及其制造方法、显示装置 | |
US20210408473A1 (en) | Display substrate and method for manufacturing same, and display device | |
KR101778364B1 (ko) | 디스플레이 디바이스 | |
CN110349999B (zh) | 显示装置 | |
US10937507B2 (en) | Bit line driver device including active region | |
US10600817B2 (en) | Thin film transistor and flat display device | |
CN106876341B (zh) | 半导体元件 | |
JP2018198166A (ja) | 表示装置 | |
US20120068257A1 (en) | Semiconductor memory device | |
CN115132752A (zh) | 显示面板 | |
TWI463226B (zh) | 液晶顯示裝置及其製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |