CN114497424A - 有机电致发光器件及包括其的电子装置 - Google Patents

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Abstract

本申请属于有机发光器件领域，提供有机电致发光器件及包括其的电子装置，所述有机电致发光器件包括阳极和阴极，以及设置在所述阳极和所述阴极之间的空穴传输层和有机发光层，所述空穴传输层包含第一有机化合物，所述有机发光层包含第二有机化合物，所述第一有机化合物由化学式I‑1和化学式I‑2连接组成；所述第二有机化合物由化学式II‑1和化学式II‑2稠合连接组成。本申请的有机电致发光器件具有较高的电子性能。
Figure DDA0003451292920000011

Description

有机电致发光器件及包括其的电子装置
技术领域
本申请属于有机电致发光技术领域，具体提供有机电致发光器件及包括其的电子装置。
背景技术
本发明涉及有机电致发光器件，特别是涉及特定的空穴传输物质和发光物质为特征的有机电致发光器件。
有机电致发光二极管由于其优异的电致发光性能，如：响应速度快、对比度高、节能省电、色彩饱和度高、宽温操作、可柔性化制备、轻薄便携等优点，使其逐渐成为显示领域的新星。近年来有机电致发光器件越来越多地应用于手机、笔记本、穿戴显示、车载、军工等显示领域，具有广阔的发展前景。
最早的有机电致发光器件为三明治结构，即采用阴极和阳极以及夹在两电极之间的发光层组成器件实现发光。随着技术的发展，为了更加有效地注入和平衡载流子，限制器件中的载流子在发光层中复合，提高有机电致发光器件的效率及其它性能，在三明治结构器件的基础上又引入了多种不同功能的有机层，发展了多层有机电致发光器件结构，结构为阳极、空穴注入层、第一空穴传输层、第二空穴传输层(或电子阻挡层)、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、阴极。
有机电致发光器件是一种载流子注入型发光器件，其发光原理为：在外加电场的作用下，电子和空穴分别从阴极和阳极向夹在两电极之间的有机层注入，注入的电子和空穴在有机层中迁移，迁移的电子和空穴在发光层中复合产生激子，激子以辐射跃迁的形式发光，以非辐射跃迁或能量传递等形式进行能量耗散。
有机电致发光器件应用到显示领域中，最为关键的性能是寿命和效率问题，也是制约有机电致发光器件发展的致命因素。目前，有机电致发光器件结构基本为多层器件结构，不同有机层间具有复杂的表面/界面效应，各功能层材料的结构、特性、组成以及器件的组成结构都会器件的效率、寿命以及其它性能产生至关重要的影响。因此，需要对有机电致发光器件功能层的组合和材料特性进行深入研究。
发明内容
本申请的目的是提供有机电致发光器件及包括其的电子装置，所述有机电致发光器件具有较高的器件效率和寿命。
根据本申请的第一方面，提供有机电致发光器件，包括阳极和阴极，以及设置在所述阳极和所述阴极之间的空穴传输层和有机发光层，所述空穴传输层包含第一有机化合物，所述有机发光层包含第二有机化合物，所述第一有机化合物由化学式I-1和化学式I-2连接组成，所述第二有机化合物由化学式II-1和化学式II-2稠合组成，
Figure BDA0003451292900000021
在化学式I-1和化学式I-2中，*表示化学式I-1与化学式I-2连接点，化学式I-2中的一个连接点与化学式I-1的连接点连接；
在化学式II-1和化学式II-2中，*表示化学式II-1与化学式II-2中的连接点，化学式II-2中的连接点与化学式II-1中任意两个相邻的连接点稠合；
Ar1、Ar2和Ar3相同或不同，且各自独立地选自碳原子数为6～30的取代或未取代的芳基、碳原子数为3～30的取代或未取代的杂芳基；
Ar1、Ar2和Ar3中的取代基相同或不同，且各自独立地选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为3～12的三烷基硅基、三苯基硅基、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为6～20的芳基、碳原子数为5～20的杂芳基、碳原子数为3～10的环烷基；
L、L1、L2和L3相同或不同，且各自独立地选自单键、碳原子数为6～30的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为5～30的取代或未取代的亚杂芳基；
L、L1、L2和L3中的取代基相同或不同，且各自独立地选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为6～20的芳基、碳原子数为3～20的杂芳基；
b为L的个数，b选自1或2；
a为L3的个数，a选自1或2；
R1、R2、R3、R4和R5相同或不同，且各自独立地选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为1～5的烷基、碳原子数为6～12的芳基、碳原子数为5～12的杂芳基；
R1、R2、R3、R4和R5以Ri表示，n1～n5以ni表示，ni表示Ri的个数，i为变量，表示1、2、3、4和5，当i为1、3、5时，ni选自0、1、2、3或4；当i为2时，ni选自0、1、2或3；当i为4时，ni选自0、1或2；且当ni大于1时，任意两个Ri相同或不同；任选地，任意两个R3形成碳原子数为6～15的芳香环；任选地，两个R4形成碳原子数为6～15的芳香环；任选地，任意两个R5形成碳原子数为6～15的芳香环；
X选自N(R6)、S或O；
R6选自碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为6～30的取代或未取代的芳基、碳原子数为3～30的取代或未取代的杂芳基；
R6中的取代基各自独立地选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为6～20的芳基、碳原子数为5～20的杂芳基。
根据本申请的第二方面，提供一种电子装置，包括本申请第一方面提供的有机电致发光器件。
通过上述技术方案，本申请的有机电致发光器件采用金刚烷芴的2、3号位连接芳胺的第一有机化合物作为第二空穴传输层材料，并且在有机发光层中采用苯并五元环并咔唑结构有机化合物，二者搭配。其中，第一有机化合物可以通过超共轭效应提升共轭体系的电子云密度，增强含氮化合物的空穴传输速率以及电子耐受度，当其与特定的具有优良发光性能的苯并五元环并咔唑化合物发光主体层搭配时，可以有效的提高空穴传输速率，确保空穴能够顺利从空穴传输层进入有机发光层，而且将载流子限制在有机发光层中，进而提高器件效率和寿命。
本申请的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。
附图说明
附图是用来提供对本申请的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本申请，但并不构成对本申请的限制。在附图中：
图1是本申请一种实施方式的有机电致发光器件的结构示意图。
图2是本申请一种实施方式的第一电子装置的结构示意图。
附图标记说明
100、阳极；200、阴极；300、功能层；310、空穴注入层；320、空穴传输层；321、第一空穴传输层；322、第二空穴传输层；330、有机发光层；340、电子传输层；350、电子注入层；400、第一电子装置。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施方式使得本申请将更加全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施方式中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本申请的实施方式的充分理解。
在图中，为了清晰，可能夸大了区域和层的厚度。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。
本申请的第一方面提供有机电致发光器件，包括阳极和阴极，以及设置在所述阳极和所述阴极之间的空穴传输层和有机发光层，所述空穴传输层包含第一有机化合物，所述有机发光层包含第二有机化合物，所述第一有机化合物由化学式I-1和化学式I-2连接组成，所述第二有机化合物由化学式II-1和化学式II-2稠合组成，
Figure BDA0003451292900000031
在化学式I-1和化学式I-2中，*表示化学式I-1与化学式I-2连接点，化学式I-2中的一个连接点与化学式I-1的连接点连接；
在化学式II-1和化学式II-2中，*表示化学式II-1与化学式II-2中的连接点，化学式II-2中的连接点与化学式II-1中任意两个相邻的连接点稠合；
Ar1、Ar2和Ar3相同或不同，且各自独立地选自碳原子数为6～30的取代或未取代的芳基、碳原子数为3～30的取代或未取代的杂芳基；
Ar1、Ar2和Ar3中的取代基相同或不同，且各自独立地选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为3～12的三烷基硅基、三苯基硅基、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为6～20的芳基、碳原子数为5～20的杂芳基、碳原子数为3～10的环烷基；
L、L1、L2和L3相同或不同，且各自独立地选自单键、碳原子数为6～30的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为5～30的取代或未取代的亚杂芳基；
L、L1、L2和L3中的取代基相同或不同，且各自独立地选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为6～20的芳基、碳原子数为3～20的杂芳基；
b为L的个数，b选自1或2；
a为L3的个数，a选自1或2；
R1、R2、R3、R4和R5相同或不同，且各自独立地选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为1～5的烷基、碳原子数为6～12的芳基、碳原子数为5～12的杂芳基；
R1、R2、R3、R4和R5以Ri表示，n1～n5以ni表示，ni表示Ri的个数，i为变量，表示1、2、3、4和5，当i为1、3、5时，ni选自0、1、2、3或4；当i为2时，ni选自0、1、2或3；当i为4时，ni选自0、1或2；且当ni大于1时，任意两个Ri相同或不同；任选地，任意两个R3形成碳原子数为6～15的芳香环；任选地，两个R4形成碳原子数为6～15的芳香环；任选地，任意两个R5形成碳原子数为6～15的芳香环；
X选自N(R6)、S或O；
R6选自碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为6～30的取代或未取代的芳基、碳原子数为3～30的取代或未取代的杂芳基；
R6中的取代基各自独立地选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为6～20的芳基、碳原子数为5～20的杂芳基。
具体地，本申请的“碳原子数为6～15的芳香环”可以为苯环、萘环、蒽环、菲环。
本申请中，所采用的描述方式“……各自独立地为”与“……分别独立地为”和“……独立地选自”可以互换，均应做广义理解，其既可以是指在不同基团中，相同符号之间所表达的具体选项之间互相不影响，也可以表示在相同的基团中，相同符号之间所表达的具体选项之间互相不影响。例如，“
Figure BDA0003451292900000041
其中，各q独立地为0、1、2或3，各R”独立地选自氢、氘、氟、氯”，其含义是：式Q-1表示苯环上有q个取代基R”，各个R”可以相同也可以不同，每个R”的选项之间互不影响；式Q-2表示联苯的每一个苯环上有q个取代基R”，两个苯环上的R”取代基的个数q可以相同或不同，各个R”可以相同也可以不同，每个R”的选项之间互不影响。
本申请中，“取代或未取代的”这样的术语是指，在该术语后面记载的官能团可以具有或不具有取代基(下文为了便于描述，将取代基统称为Rc)。举例来讲，“取代或未取代的芳基”是指具有取代基Rc的芳基或者没有取代的芳基。其中上述的取代基即Rc例如可以为氘、卤素基团、氰基、杂芳基、芳基、三烷基硅基、三苯基硅基、烷基、环烷基等。
本申请中，取代或未取代的官能团的碳原子数，指的是所有碳原子数。举例而言，若L1为碳原子数为12的取代的亚芳基，则亚芳基及其上的取代基的所有碳原子数为12。
本申请中，芳基指的是衍生自芳香碳环的任选官能团或取代基。芳基可以是单环芳基(例如苯基)或多环芳基，换言之，芳基可以是单环芳基、稠环芳基、通过碳碳键共轭连接的两个或者更多个单环芳基、通过碳碳键共轭连接的单环芳基和稠环芳基、通过碳碳键共轭连接的两个或者更多个稠环芳基。即，除非另有说明，通过碳碳键共轭连接的两个或者更多个芳香基团也可以视为本申请的芳基。其中，稠环芳基例如可以包括双环稠合芳基(例如萘基)、三环稠合芳基(例如菲基、芴基、蒽基)等。芳基中不含有B、N、O、S、P、Se和Si等杂原子。举例而言，在本申请中，联苯基、三联苯基等为芳基。芳基的实例可以包括但不限于，苯基、萘基、芴基、蒽基、联苯基、三联苯基、苯并[9,10]菲基、芘基、苯并荧蒽基、
Figure BDA0003451292900000052
基等。本申请中，涉及的亚芳基是指芳基进一步失去一个氢原子所形成的二价基团。
本申请中，取代的芳基可以是芳基中的一个或者两个以上氢原子被诸如氘原子、卤素基团、氰基、芳基、杂芳基、三烷基硅基、烷基、环烷基、卤代烷基等基团取代。杂芳基取代的芳基的具体实例包括但不限于，二苯并呋喃基取代的苯基、二苯并噻吩基取代的苯基、吡啶基取代的苯基等。应当理解地是，取代的芳基的碳原子数，指的是芳基和芳基上的取代基的碳原子总数，例如碳原子数为18的取代的芳基，指的是芳基和取代基的总碳原子数为18。
本申请中，杂芳基是指环中包含至少一个杂原子的一价芳香环或其衍生物，杂原子可以是B、O、N、P、Si、Se和S中的一种或多种。杂芳基可以是单环杂芳基或多环杂芳基，换言之，杂芳基可以是单个芳香环体系，也可以是通过碳碳键共轭连接的多个芳香环体系，且任一芳香环体系为一个芳香单环或者一个芳香稠环。示例地，杂芳基可以包括噻吩基、呋喃基、吡咯基、咪唑基、噻唑基、噁唑基、噁二唑基、三唑基、吡啶基、联吡啶基、嘧啶基、三嗪基、吖啶基、哒嗪基、吡嗪基、喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、吩噁嗪基、酞嗪基、吡啶并嘧啶基、吡啶并吡嗪基、吡嗪并吡嗪基、异喹啉基、吲哚基、咔唑基、苯并噁唑基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、苯并咔唑基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、噻吩并噻吩基、苯并呋喃基、菲咯啉基、异噁唑基、噻二唑基、苯并噻唑基、吩噻嗪基、硅芴基、二苯并呋喃基以及N-苯基咔唑基、N-吡啶基咔唑基、N-甲基咔唑基等，而不限于此。其中，噻吩基、呋喃基、菲咯啉基等为单个芳香环体系类型的杂芳基，N-苯基咔唑基、N-吡啶基咔唑基为通过碳碳键共轭连接的多环体系类型的杂芳基。本申请中，涉及的亚杂芳基是指杂芳基进一步失去一个氢原子所形成的二价基团。
本申请中，取代的杂芳基可以是杂芳基中的一个或者两个以上氢原子被诸如氘原子、卤素基团、氰基、芳基、杂芳基、三烷基硅基、烷基、环烷基、卤代烷基等基团取代。芳基取代的杂芳基的具体实例包括但不限于，苯基取代的二苯并呋喃基、苯基取代的二苯并噻吩基、苯基取代的吡啶基等。应当理解地是，取代的杂芳基的碳原子数，指的是杂芳基和杂芳基上的取代基的碳原子总数。
本申请中，作为取代基的芳基的碳原子数可以为6～20，例如碳原子数可以为6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20，作为取代基的芳基的具体实例包括但不限于，苯基、联苯基、萘基、蒽基、
Figure BDA0003451292900000053
基、芴基、菲基。
本申请中，作为取代基的芳基的碳原子数可以为5～20，例如碳原子数可以为5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20，作为取代基的杂芳基的具体实例包括但不限于，吡啶基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、异喹啉基。
本申请中，不定位连接键涉及的是从环体系中伸出的单键
Figure BDA0003451292900000051
其表示该连接键的一端可以连接该键所贯穿的环体系中的任意位置，另一端连接化合物分子其余部分。
本申请中，碳原子数为1～10的烷基可以包括碳原子数1至10的直链烷基和碳原子数3至10的支链烷基。烷基的碳原子数例如可以为1、2、3、4、5、6、7、8、9、10，烷基的具体实例包括但不限于，甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、新戊基、正己基、正庚基、正辛基、2-乙基己基、壬基、癸基、3,7-二甲基辛基等。
本申请中，卤素基团例如可以为氟、氯、溴、碘。
本申请中，三烷基硅基的具体实例包括但不限于，三甲基硅基、三乙基硅基等。
本申请中，碳原子数为3～10的环烷基的碳原子数例如可以为3、4、5、6、7、8、10。环烷基的具体实例包括但不限于，环戊基、环己基、金刚烷基。
本申请中，不定位连接键是指从环体系中伸出的单键
Figure BDA0003451292900000061
其表示该连接键的一端可以连接该键所贯穿的环体系中的任意位置，另一端连接化合物分子其余部分。
举例而言，如下式(f)中所示地，式(f)所表示的萘基通过两个贯穿双环的不定位连接键与分子其他位置连接，其所表示的含义，包括如式(f-1)～式(f-10)所示出的任一可能的连接方式。
Figure BDA0003451292900000062
再举例而言，如下式(X')中所示地，式(X')所表示的二苯并呋喃基通过一个从一侧苯环中间伸出的不定位连接键与分子其他位置连接，其所表示的含义，包括如式(X'-1)～式(X'-4)所示出的任一可能的连接方式。
Figure BDA0003451292900000063
本申请中的不定位取代基，指的是通过一个从环体系中央伸出的单键连接的取代基，其表示该取代基可以连接在该环体系中的任何可能位置。例如，下式(Y)中所示的，式(Y)所表示的取代基R基通过一个不定位连接键与喹啉环连接，其所表示的含义，包括如式(Y-1)～式(Y-7)所示出的任一可能的连接方式。
Figure BDA0003451292900000064
本申请中，所述第二有机化合物可以由以下式2-1至式2-6所示组成：
Figure BDA0003451292900000071
在本申请的一种实施方式中，Ar1和Ar2各自独立地选自碳原子数为6～25的取代或未取代的芳基、碳原子数为5～20的取代或未取代的杂芳基。例如，Ar1和Ar2各自独立地选自碳原子数为6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20、21、22、23、24、25的取代或未取代的芳基，碳原子数为5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20的取代或未取代的杂芳基。
优选地，Ar1和Ar2中的取代基各自独立地选自氘、氟、氰基、碳原子数为3～6的三烷基硅基、三苯基硅基、碳原子数为1～5的烷基、碳原子数为6～12的芳基、碳原子数为5～12的杂芳基、碳原子数为5～10的环烷基。
可选地，Ar1和Ar2各自独立地选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的螺二芴、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的咔唑基。
优选地，Ar1和Ar2中的取代基各自独立地选自氘、氟、氰基、三甲基硅基、三苯基硅基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基、萘基、联苯基、吡啶基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、环戊基、环己基。
可选地，Ar1和Ar2各自独立地选自取代或未取代的基团W，未取代的基团W选自以下基团：
Figure BDA0003451292900000072
其中，取代的基团W中具有一个或两个以上的取代基，取代基独立地选自氘、氟、氰基、三甲基硅基、三苯基硅基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基、萘基、联苯基、吡啶基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、环戊基、环己基，且当取代基个数大于1时，各取代基相同或不同。
可选地，Ar1和Ar2各自独立地选自如下基团组成的组：
Figure BDA0003451292900000073
Figure BDA0003451292900000081
进一步可选地，Ar1和Ar2各自独立地选自如下基团组成的组：
Figure BDA0003451292900000082
Figure BDA0003451292900000091
在本申请的一种实施方式中，L、L1、L2和L3选自单键、碳原子数为6～20的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为5～20的取代或未取代的亚杂芳基。例如，L、L1、L2和L3选自单键，碳原子数为6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20的取代或未取代的亚芳基，碳原子数为5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20的取代或未取代的亚杂芳基。
优选地，L、L1、L2和L3中的取代基各自独立地选自氘、氟、氰基、碳原子数为1～5的烷基、碳原子数为6～12的芳基、碳原子数为5～12的杂芳基。
可选地，L、L1和L2选自单键、取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚萘基、取代或未取代的亚联苯基、取代或未取代的亚三联苯基、取代或未取代的亚芴基、取代或未取代的亚喹啉基、取代或未取代的亚二苯并呋喃基、取代或未取代的亚二苯并噻吩基、取代或未取代的亚咔唑基。
优选地，L、L1和L2中的取代基各自独立地选自氘、氟、氰基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基、萘基、吡啶基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基。
可选地，L、L1和L2各自独立地选自单键、或者取代或未取代的基团Q，未取代的基团Q选自以下基团：
Figure BDA0003451292900000092
其中，取代的基团Q中具有一个或两个以上的取代基，所述取代基各自独立地选自氘、氟、氰基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基、萘基、吡啶基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基，当取代基个数大于1时，各取代基相同或不同。
可选地，L、L1和L2各自独立地选自单键或者以下基团：
Figure BDA0003451292900000093
Figure BDA0003451292900000101
进一步可选地，L、L1和L2各自独立地选自单键或者以下基团：
Figure BDA0003451292900000102
在本申请的一种实施方式中，L3选自单键或者以下基团所组成的组：
Figure BDA0003451292900000103
可选地，L3选自单键或者以下基团所组成的组：
Figure BDA0003451292900000104
在本申请的一种实施方式中，Ar3选自碳原子数为6～20的取代或未取代的芳基、碳原子数为5～20的取代或未取代的杂芳基。例如，Ar3选自碳原子数为6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20的取代或未取代的芳基，碳原子数为5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20的取代或未取代的杂芳基。
优选地，Ar3中的取代基各自独立地选自氘、氟、氰基、碳原子数为1～5的烷基、碳原子数为6～12的芳基、碳原子数为5～12的杂芳基。
可选地，Ar3选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的苯并[b]萘并[2,3-d]呋喃基、取代或未取代的三亚苯基。
优选地，Ar3中的取代基各自独立地选自氘、氟、氰基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基、萘基。
可选地，Ar3选自取代或未取代的基团E，未取代的基团E选自以下基团：
Figure BDA0003451292900000111
其中，取代的基团E中具有一个或两个以上的取代基，所述取代基各自独立地选自氘、氟、氰基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基、萘基，当取代基个数大于1时，各取代基相同或不同。
可选地，Ar3选自以下基团所组成的组：
Figure BDA0003451292900000112
进一步可选地，Ar3选自以下基团所组成的组：
Figure BDA0003451292900000113
在本申请的一种实施方式中，R6选自碳原子数为1～5的烷基、碳原子数为6～20的取代或未取代的芳基、碳原子数为5～20的取代或未取代的杂芳基。例如，R6选自碳原子数为1、2、3、4、5的烷基，碳原子数为6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20的取代或未取代的芳基，碳原子数为5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20的取代或未取代的杂芳基。
优选地，R6中的取代基各自独立地选自氘、氟、氰基、碳原子数为1～5的烷基、碳原子数为6～12的芳基。
可选地，R6选自碳原子数为1～5的烷基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯基噻吩基、取代或未取代的芴基。
优选地，R6中的取代基各自独立地选自氘、氟、氰基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基、萘基、联苯基。
可选地，R6选自碳原子数为1～5的烷基或者以下基团所组成的组：
Figure BDA0003451292900000121
进一步可选地，R6选自甲基、乙基、异丙基、叔丁基或者以下基团所组成的组：
Figure BDA0003451292900000122
在本申请的一种实施方式中，R1、R2、R3、R4和R5各自独立地选自氘、氟、氰基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基、萘基、联苯基、吡啶基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基。
在本申请的一种实施方式中，发光层包括第一主体材料和第二主体材料，第一主体材料为第二有机化合物，第二主体材料为第三有机化合物，第三有机化合物也由化学式II-1和化学式II-2稠合组成。其中，第二有机化合物的L3选自单键、
Figure BDA0003451292900000123
第三有机化合物的L3选自
Figure BDA0003451292900000124
第二有机化合物和第三有机化合物的Ar3、R3、R4、R5、X如上文所述。
在本申请中，优选地，所述第一有机化合物的结构为
Figure BDA0003451292900000125
可选地，所述第一有机化合物选自如权利要求15所述的化合物。
可选地，所述第二有机化合物选自如权利要求16所述的化合物。
在本申请中，有机发光层可以由单一发光材料组成，也可以由主体材料和掺杂材料组成。可选地，所述有机发光层的主体材料包含本申请所提供的第二有机化合物。
可选地，本申请的有机电致发光器件为红光器件。
可选地，所述空穴传输层包括层叠设置的第一空穴传输层和第二空穴传输层，且相对于所述第二空穴传输层，所述第一空穴传输层更靠近所述阳极。本申请中，所述第二空穴传输层与所述有机发光层层叠设置。所述第二空穴传输层也称为空穴调整层或电子阻挡层。
在一种具体的实施方式中，如图1所示，所述有机电致发光器件可以包括依次层叠设置的阳极100、第一空穴传输层321、第二空穴传输层322、有机发光层330、电子传输层340和阴极200。其中，所述第一空穴传输层321和第二空穴传输层322组成空穴传输层320。
可选地，阳极100包括以下阳极材料，其优选地是有助于空穴注入至功能层中的具有大逸出功(功函数，work function)材料。阳极材料具体实例包括：金属如镍、铂、钒、铬、铜、锌和金或它们的合金；金属氧化物如氧化锌、氧化铟、氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)；组合的金属和氧化物如ZnO∶Al或SnO2∶Sb；或导电聚合物如聚(3-甲基噻吩)、聚[3,4-(亚乙基-1,2-二氧基)噻吩](PEDT)、聚吡咯和聚苯胺，但不限于此。优选包括包含氧化铟锡(铟锡氧化物，indium tin oxide)(ITO)作为阳极的透明电极。
本申请中，所述第一空穴传输层的材料可以选自酞菁衍生物、萘菁衍生物、卟啉衍生物、联苯胺型三芳胺、苯乙烯胺型三芳胺、二胺型三芳胺或者其他类型的材料，本领域技术人员可参照现有技术选择。例如，所述第一空穴传输层的材料选自以下化合物所组成的组：
Figure BDA0003451292900000131
Figure BDA0003451292900000141
在一种具体的实施方式中，第一空穴传输层321可以由化合物NPB组成，第二空穴传输层322含有本申请的第一有机化合物。
可选地，有机发光层330由主体材料和掺杂材料组成，注入有机发光层330的空穴和注入有机发光层330的电子可以在有机发光层330复合而形成激子，激子将能量传递给主体材料，主体材料将能量传递给掺杂材料，进而使得掺杂材料能够发光。
有机发光层330的主体材料可以为金属螯合类化合物、双苯乙烯基衍生物、芳香族胺衍生物、二苯并呋喃衍生物或者其他类型的材料，本申请对此不做特殊的限制。所述主体材料分为单一主体材料和混合主体材料。在一种实施方式中，所述主体材料为单一主体材料，所述单一主体选自本申请的第二有机化合物，即所述主体材料由所述第二有机化合物组成。在另一种实施方式中，所述主体材料为混合主体材料，其中包含ET型主体材料和HT型主体材料。
在一种具体的实施方式中，有机发光层330的主体材料可以为本申请的第二有机化合物。
所述有机发光层330的掺杂材料可参照现有技术选择，例如可以选自铱(III)有机金属络合物、铂(II)有机金属络合物、钌(II)络合物等。所掺杂材料的具体实例包括但不限于，
Figure BDA0003451292900000142
Figure BDA0003451292900000151
在一种具体实施方式中，有机发光层330的掺杂材料可以为Ir(dmpq)2acac。
可选地，电子传输层340可以为单层结构，也可以为多层结构，其可以包括一种或者多种电子传输材料，电子传输材料通常可以包含金属络合物或/或含氮杂环衍生物，其中，所述金属络合物材料例如可以选自LiQ、Alq3、Bepq2等；所述含氮杂环衍生物可以为具有含氮六元环或五元环骨架的芳香族环、具有含氮六元环或五元环骨架的稠合芳香族环化合物等，具体实例包括但不限于，BCP、Bphen、NBphen、DBimiBphen、BimiBphen等1,10-菲咯啉类化合物，或者结构如下所示的含杂氮芳基的蒽类化合物、三嗪类或嘧啶类化合物。在一种具体的实施方式中，所述电子传输层340包含LiQ和ET-9。
Figure BDA0003451292900000152
Figure BDA0003451292900000161
本申请中，阴极200可以包括阴极材料，其是有助于电子注入材料至功能层中的具有小逸出功的材料。阴极材料的具体实例包括但不限于，金属如镁、钙、钠、钾、钛、铟、钇、锂、钆、铝、银、锡和铅或它们的合金；或多层材料如LiF/Al、Liq/Al、LiO2/Al、LiF/Ca、LiF/Al和BaF2/Ca。优选包括包含镁和银的金属电极作为阴极。
可选地，如图1所示，在阳极100和第一空穴传输层321之间还可以设置有空穴注入层310，以增强向第一空穴传输层321注入空穴的能力。空穴注入层310可以选用联苯胺衍生物、星爆状芳基胺类化合物、酞菁衍生物或者其他材料，本申请对此不做特殊的限制。例如，空穴注入层310可以选自以下化合物所组成的组：
Figure BDA0003451292900000162
在本申请的一种实施方式中，空穴注入层310可以为F4-TCNQ。
可选地，在阴极200和电子传输层340之间还可以设置有电子注入层350，以增强向电子传输层340注入电子的能力。电子注入层350可以包括有碱金属硫化物、碱金属卤化物等无机材料，或者可以包括碱金属与有机物的络合物。例如，电子注入层350可以包括Yb。
本申请的第二方面提供一种电子装置，该电子装置包括本申请的有机电致发光器件。
按照一种具体的实施方式，如图2所示，本申请提供的电子装置为第一电子装置400，该第一电子装置400包括上述有机电致发光器件。第一电子装置400例如可以为显示装置、照明装置、光通讯装置或者其他类型的电子装置，例如可以包括但不限于电脑屏幕、手机屏幕、电视机、电子纸、应急照明灯、光模块等。
下面结合合成例来具体说明本申请的有机化合物的合成方法，但本申请并不因此受到任何限制。
本申请中未提到的合成方法的化合物的都是通过商业途径获得的原料产品。
合成例
第一有机化合物的合成
1、中间体IM 1-A3的合成
Figure BDA0003451292900000171
将IM 1-A1(10g，31.17mmol)、对氯苯硼酸(3.89g，24.93mmol)、四(三苯基膦)钯(0.72g，0.62mmol)、碳酸钾(6.45g，46.75mmol)、四丁基氯化铵(1.73g，6.23mmol)、甲苯(80mL)、乙醇(20mL)和去离子水(20mL)加入圆底烧瓶中，氮气保护下升温至78℃，搅拌6h；将反应液冷却至室温，加入甲苯(100mL)进行萃取，合并有机相，使用无水硫酸镁进行干燥，过滤，减压除去溶剂；所得粗品使用正庚烷为流动相进行硅胶柱色谱提纯，之后用二氯甲烷/乙酸乙酯体系进行重结晶提纯，得到白色固体的IM 1-A3(7.5g，收率40.6％)。
参照IM 1-A3的方法合成表1所列的IM 1-Ax，不同之处在于，使用原料1代替IM 1-A1，使用原料2代替对氯苯硼酸，其中，使用的主要原料、合成的中间体及其收率如表1所示。
表1
Figure BDA0003451292900000172
2、化合物1的合成
Figure BDA0003451292900000181
将IM I-A1(4.1g，12.77mmol)、二(4-联苯基)胺(4.1g，12.77mmol)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0.12g，0.13mmol)、2-二环己基膦-2’,6’-二甲氧基联苯(0.10g，0.25mmol)以及叔丁醇钠(1.84g，19.17mmol)加入甲苯(40mL)中，氮气保护下加热至108℃，搅拌1h；而后冷却至室温，反应液使用水洗后加入硫酸镁干燥，过滤后将滤液减压除去溶剂；使用甲苯体系对粗品进行重结晶提纯，得到白色固体化合物1(4.35g，收率56.2％)；质谱(m/z)＝606.3[M+H]+。
1H-NMR(400MHz,CD2Cl2):8.11(d,1H),8.02(d,1H),7.64-7.60(m,6H),7.55(d,4H),7.43(t,4H),7.33-7.24(m,8H),7.06(dd,1H),2.91(m,4H),2.19(m,2H),2.00(s,2H),1.82(d,4H),1.61(s,2H)。
参照化合物1的方法合成表2所列的化合物，不同之处在于，使用原料5代替IM 1-A1，使用原料6代替二(4-联苯基)胺，其中使用的主要原料、合成的化合物及其收率、质谱如表2所示。
表2
Figure BDA0003451292900000182
Figure BDA0003451292900000191
Figure BDA0003451292900000201
第二有机化合物的合成
3、中间体IM C-1的合成
Figure BDA0003451292900000202
1)中间体IM 1-I-C1的制备
将2-溴咔唑(30.0g，121.8mmol)、碘苯(24.8g，78.03mmol)、CuI(4.64g，24.3mmol)，K2CO3(37.0g，268.1mmol)、18-冠醚-6(3.2g，12.1mmol)加入三口烧瓶中，并加入干燥过的DMF(300mL)溶剂，氮气保护下，升温至150℃，保持温度搅拌17h；冷却至室温，停止搅拌，反应液水洗后分离有机相，使用无水硫酸镁干燥，减压除去溶剂，得到粗品；使用二氯甲烷/正庚烷作为流动相对粗品进行硅胶柱色谱提纯，得到白色固体IM 1-I-C1(26.3g，收率67％)。
2)中间体IM 1-II-C1的制备
将IM 1-I-C1(26.0g，80.6mmol)、邻氯苯胺(11.3g，88.7mmol)、Pd(dba)2(0.73g，0.8mmol)，2-二环己基膦-2,4,6-三异丙基联苯x-phos(0.76g，1.6mmol)，叔丁醇钠(11.6g，121.0mmol)加入三口烧瓶中，并加入甲苯(300mL)溶剂，氮气保护下，升温至110℃，保持温度搅拌15h；冷却至室温，停止搅拌，反应液水洗后分离有机相，使用无水硫酸镁干燥，减压除去溶剂，得到粗品；使用二氯甲烷/正庚烷作为流动相对粗品进行硅胶柱色谱提纯，得到白色固体IM 1-II-C1(15.7g，收率53％)。
3)中间体IM C-1的制备
将中间体IM 1-II-C1(15.0g，46.5mmol)，碳酸铯(37.9g，116.3mmol)，三环己基磷氟硼酸盐(8.5g，23.2mmol)和Pd(dba)2(0.52g，2.3mmol)，加入三口烧瓶中，并加入甲苯(150mL)溶剂，氮气保护下，升温至110℃，保持温度搅拌10h；冷却至室温，停止搅拌，反应液水洗后分离有机相，使用无水硫酸镁干燥，减压除去溶剂，得到粗品；使用二氯甲烷/正庚烷作为流动相对粗品进行硅胶柱色谱提纯，得到白色固体IM C-1(9.43g，收率61％)。
参照IM C-1的方法合成表3所列的IM C-x，不同之处在于，使用原料7代替2-溴咔唑，使用原料8代替碘苯，使用原料9代替邻氯苯胺，其中使用的主要原料、合成的中间体及其最后一步收率如表3所示。
表3
Figure BDA0003451292900000211
Figure BDA0003451292900000221
4、化合物C-1的合成
Figure BDA0003451292900000222
将IM C-1(9.0g，27.0mmol)、1-溴-4-(2-苯基)苯(8.3g，27.0mmol)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0.2g，0.3mmol)、2-二环己基膦-2′,6′-二甲氧基-联苯(0.2g，0.5mmol)、叔丁醇钠(5.2g，154.1mmol)加入三口烧瓶中，并加入甲苯(300mL)溶剂，氮气保护下，升温至110℃，保持温度搅拌15h；冷却至室温，停止搅拌，反应液水洗后分离有机相，使用无水硫酸镁干燥，减压除去溶剂，得到粗品；使用二氯甲烷/正庚烷作为流动相对粗品进行硅胶柱色谱提纯，得到白色固体化合物C-1(9.9g，收率64％)；质谱(m/z)＝573.23[M+H]+。
参照化合物C-1的方法合成表4所列的化合物，不同之处在于，使用IM C-x代替IMC-1，使用原料10代替1-溴-4-(2-苯基)苯，其中，使用的主要原料、合成的化合物及其收率、质谱如表4所示。
表4
Figure BDA0003451292900000223
Figure BDA0003451292900000231
5、中间体IM l-D1的合成
Figure BDA0003451292900000241
1)IM 1-I-D1的合成
将5-溴苯并[B]萘并[1,2-D]噻吩(50g，159.6mmol)、联硼酸频呢醇酯(60.8g，239.4mmol)、KOAc(39.1g，399.1mol)、PdCl2(dppf)(2.3g，3.2mmol)溶解于DMF溶剂之后，在150℃温度下回流反应12h。若反应结束，则将反应物的温度冷却至常温，并利用CH2Cl2进行提取，利用MgSO4来干燥有机层并进行浓缩之后，利用CH2Cl2和甲醇溶剂对浓缩后生成的有机物进行再结晶化，由此获得IM 1-I-D1(35.8g，收率80％)。
2)IM 1-II-D1的合成
将IM 1-I-D1(35.3g，98.0mmol)、邻溴硝基苯(18.0g，89.1mol)、K2CO3(30.7g，222.7mol)、Pd(PPh3)4(2.0g，1.7mmol)溶解于THF和少量的水之后，在66℃温度下回流反应13h。反应结束，则将反应物的温度冷却至常温，并利用CH2Cl2进行提取，利用MgSO4来干燥有机层并进行浓缩之后，利用胶柱来分离所生成的有机物，由此获得IM 1-II-D1(17.5g，收率70％)。
3)IM l-D1的合成
将IM 1-II-D1(15.0g，42.2mmol)和三苯基磷(27.6g，105.5mmol)溶解于邻二氯苯，反应24h。则利用减压蒸馏来去除溶剂之后，对所浓缩的生成物进行硅胶柱及再结晶获得IM l-D1(10.2g，收率75％)。
参照IM 1-D1的方法合成表5所列的中间体，不同之处在于，以下表中的原料11代替5-溴苯并[B]萘并[1,2-D]噻吩，其中，使用的主要原料、合成的中间体及其最后一步收率如表5所示。
表5
Figure BDA0003451292900000242
6、中间体IM 1-E1的合成
Figure BDA0003451292900000243
将2,4-二氯苯并呋喃[3,2-D]嘧啶(30.0g，125.5mol)、苯硼酸(15.3g，125.5mol)、K2CO3(43.3g，313.7mol)、Pd(PPh3)4(2.9g，2.5mol)溶解于THF(120mL)和水(30mL)少量的之后，在66℃温度下回流反应12h。若反应结束，则将反应物的温度冷却至常温，并利用CH2Cl2进行提取，用水擦拭。利用MgSO4来干燥有机层并进行浓缩之后，利用硅胶柱来分离所生成的有机物，由此获得IM 1-E1(28.1g，收率80％)。
参照IM 1-E1的方法合成表6所列的IM 1-Ex，不同之处在于，使用原料13代替2,4-二氯苯并呋喃[3,2-D]嘧啶，使用原料14代替苯硼酸，其中，使用的主要原料、合成的中间体及其收率如表6所示。
表6
Figure BDA0003451292900000251
Figure BDA0003451292900000261
7、化合物D-1的合成
Figure BDA0003451292900000262
将IM 1-D1(12.0g，37.1mmol)、IM 1-E1(10.4g，37.1mmol)、Pd2(dba)3(0.3g，0.3mmol)、t-Bu3P(0.1g，0.7mmol)、叔丁醇钠(7.1g，74.2mmol)溶解于甲苯溶剂之后，在110℃的温度下回流反应12h。反应结束，则将反应物的温度冷却至常温，并利用CH2Cl2进行提取，用水擦拭。利用MgSO4来干燥有机层并进行浓缩之后，对所生成的化合物进行硅胶柱及再结晶来获得了化合物D-1(17.4g，收率83％)；质谱(m/z)＝568.14[M+H]+。
参照化合物D-1的方法合成表7所列的化合物，不同之处在于，使用中间体IM 1-Dx代替IM 1-D1，使用IM 1-Ex代替IM 1-E1，其中，使用的中间体、合成的化合物及其收率、质谱如表7所示。
表7
Figure BDA0003451292900000263
Figure BDA0003451292900000271
Figure BDA0003451292900000281
器件制备实施例
实施例1：红色有机电致发光器件
通过以下过程制备阳极：将厚度分别为
Figure BDA0003451292900000282
的镀有ITO/Ag/ITO三层材料的玻璃基板切割成40mm(长)×40mm(宽)×0.7mm(厚)的尺寸，采用光刻工序，将其制备成具有阴极、阳极以及绝缘层图案的实验基板，并用紫外臭氧以及O2∶N2等离子进行表面处理，以增加阳极的功函数，并可采用有机溶剂清洗ITO基板表面，以清除ITO基板表面的杂质及油污。
在实验基板(阳极)上真空蒸镀HAT-CN以形成厚度为
Figure BDA0003451292900000283
的空穴注入层(HIL)，然后在空穴注入层上真空蒸镀NPB，以形成厚度为
Figure BDA0003451292900000284
的第一空穴传输层。
在第一空穴传输层上真空蒸镀化合物1，形成厚度为
Figure BDA0003451292900000285
的第二空穴传输层。
在第二空穴传输层上，将化合物C-1∶化合物D-1∶Ir(dmpq)2acac以38％∶57％∶5％的蒸镀比进行共同蒸镀，形成厚度为
Figure BDA0003451292900000286
的红色发光层(EML)。
在发光层上，将ET-1和LiQ以1∶1的重量比进行混合并蒸镀形成
Figure BDA0003451292900000287
厚的电子传输层(ETL)，将Yb蒸镀在电子传输层上以形成厚度为
Figure BDA0003451292900000288
的电子注入层(EIL)。
然后将镁(Mg)和银(Ag)以1∶9的蒸镀比例混合，真空蒸镀在电子注入层上，形成厚度为
Figure BDA0003451292900000289
的阴极。
此外，在上述阴极上真空蒸镀厚度为
Figure BDA00034512929000002810
的CP-1，从而完成有机电致发光器件的制作。
实施例2～16
除了在形成第二空穴传输层时，使用表9第二空穴传输层一列所示的化合物替代化合物1，并且在形成有机发光层时，使用表9发光层第一主体一列所示的化合物替代化合物C-1，使用表9发光层第二主体一列所示的化合物替代化合物D-1以外，利用与实施例1相同的方法制作有机电致发光器件。
比较例1
除了在形成有机发光层时，使用CBP替代化合物C-1和化合物D-1(即CBP∶Ir(dmpq)2aca以95％∶5％的蒸镀比进行共同蒸镀红色发光层)以外，利用与实施例1相同的方法制作有机电致发光器件。。
比较例2
除了在形成第二空穴传输层时，使用化合物56替代化合物1，并且在形成有机发光层时，使用α,β-ADN替代化合物C-1和化合物D-1(即α,β-ADN∶Ir(dmpq)2aca以95％∶5％的蒸镀比进行共同蒸镀红色发光层)以外，利用与实施例1相同的方法制作有机电致发光器件。
比较例3
除了在形成第二空穴传输层时，使用化合物NPD替代化合物1以外，利用与实施例1相同的方法制作有机电致发光器件。
比较例4
除了在形成第二空穴传输层时，使用化合物A替代化合物1，并且在形成有机发光层时，使用化合物C-3替代化合物C-1，使用化合物D-2替代化合物D-1以外，利用与实施例1相同的方法制作有机电致发光器件。
比较例5
除了在形成第二空穴传输层时，使用化合物B替代化合物1，并且在形成有机发光层时，使用化合物C-26替代化合物C-1，使用化合物D-78替代化合物D-1以外，利用与实施例1相同的方法制作有机电致发光器件。
以上实施例和比较例中，制备器件所使用的主要材料的结构如下表9所示：
表8
Figure BDA0003451292900000291
对实施例1-16和比较例1-5制备所得的红色有机电致发光器件进行性能测试，具体在10mA/cm2的条件下测试了器件的IVL性能，T95器件寿命在20mA/cm2的条件下进行测试，测试结果见表1。
表9
Figure BDA0003451292900000301
根据上述表9的结果可知，与比较例1～5相比，采用第一有机化合物为第二空穴传输层的材料，搭配第二有机化合物作为红光发光主体层材料的实施例1～16，电流效率至少提高10％，寿命至少提高14％。
此外，选择芳胺连接在金刚烷3号位的化合物作为第二空穴传输材料组合的器件具有较高的空穴迁移率，同时分子的稳定性高，能进一步提高器件的效率和寿命。
以上结合附图详细描述了本申请的优选实施方式，但是，本申请并不限于上述实施方式中的具体细节，在本申请的技术构思范围内，可以对本申请的技术方案进行多种简单变型，这些简单变型均属于本申请的保护范围。
另外需要说明的是，在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征，在不矛盾的情况下，可以通过任何合适的方式进行组合。此外，本申请的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合，只要其不违背本申请的思想，其同样应当视为本申请所公开的内容。

Claims (18)

1.有机电致发光器件，其特征在于，包括阳极和阴极，以及设置在所述阳极和所述阴极之间的空穴传输层和有机发光层，所述空穴传输层包含第一有机化合物，所述有机发光层包含第二有机化合物，所述第一有机化合物由化学式I-1和化学式I-2连接组成，所述第二有机化合物由化学式II-1和化学式II-2稠合组成，
Figure FDA0003451292890000011
在化学式I-1和化学式I-2中，*表示化学式I-1与化学式I-2连接点，化学式I-2中的一个连接点与化学式I-1的连接点连接；
在化学式II-1和化学式II-2中，*表示化学式II-1与化学式II-2中的连接点，化学式II-2中的连接点与化学式II-1中任意两个相邻的连接点稠合；
Ar1、Ar2和Ar3相同或不同，且各自独立地选自碳原子数为6～30的取代或未取代的芳基、碳原子数为3～30的取代或未取代的杂芳基；
Ar1、Ar2和Ar3中的取代基相同或不同，且各自独立地选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为3～12的三烷基硅基、三苯基硅基、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为6～20的芳基、碳原子数为5～20的杂芳基、碳原子数为3～10的环烷基；
L、L1、L2和L3相同或不同，且各自独立地选自单键、碳原子数为6～30的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为5～30的取代或未取代的亚杂芳基；
L、L1、L2和L3中的取代基相同或不同，且各自独立地选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为6～20的芳基、碳原子数为3～20的杂芳基；
b为L的个数，b选自1或2；
a为L3的个数，a选自1或2；
R1、R2、R3、R4和R5相同或不同，且各自独立地选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为1～5的烷基、碳原子数为6～12的芳基、碳原子数为5～12的杂芳基；
R1、R2、R3、R4和R5以Ri表示，n1～n5以ni表示，ni表示Ri的个数，i为变量，表示1、2、3、4和5，当i为1、3、5时，ni选自0、1、2、3或4；当i为2时，ni选自0、1、2或3；当i为4时，ni选自0、1或2；且当ni大于1时，任意两个Ri相同或不同；任选地，任意两个R3形成碳原子数为6～15的芳香环；任选地，两个R4形成碳原子数为6～15的芳香环；任选地，任意两个R5形成碳原子数为6～15的芳香环；
X选自N(R6)、S或O；
R6选自碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为6～30的取代或未取代的芳基、碳原子数为3～30的取代或未取代的杂芳基；
R6中的取代基各自独立地选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为6～20的芳基、碳原子数为5～20的杂芳基。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其中，Ar1和Ar2各自独立地选自碳原子数为6～25的取代或未取代的芳基、碳原子数为5～20的取代或未取代的杂芳基；
可选地，Ar1和Ar2中的取代基各自独立地选自氘、氟、氰基、碳原子数为3～6的三烷基硅基、三苯基硅基、碳原子数为1～5的烷基、碳原子数为6～12的芳基、碳原子数为5～12的杂芳基、碳原子数为5～10的环烷基。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其中，Ar1和Ar2各自独立地选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的螺二芴、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的咔唑基；
可选地，Ar1和Ar2中的取代基各自独立地选自氘、氟、氰基、三甲基硅基、三苯基硅基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基、萘基、联苯基、吡啶基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、环戊基、环己基。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其中，Ar1和Ar2各自独立地选自如下基团组成的组：
Figure FDA0003451292890000021
5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其中，L、L1、L2和L3选自单键、碳原子数为6～20的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为5～20的取代或未取代的亚杂芳基；
可选地，L、L1、L2和L3中的取代基各自独立地选自氘、氟、氰基、碳原子数为1～5的烷基、碳原子数为6～12的芳基、碳原子数为5～12的杂芳基。
6.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其中，L、L1和L2选自单键、取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚萘基、取代或未取代的亚联苯基、取代或未取代的亚三联苯基、取代或未取代的亚芴基、取代或未取代的亚喹啉基、取代或未取代的亚二苯并呋喃基、取代或未取代的亚二苯并噻吩基、取代或未取代的亚咔唑基；
可选地，L、L1和L2中的取代基各自独立地选自氘、氟、氰基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基、萘基、吡啶基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基。
7.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其中，L、L1和L2各自独立地选自单键或者以下基团：
Figure FDA0003451292890000031
8.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其中，L3选自单键或者以下基团所组成的组：
Figure FDA0003451292890000032
9.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其中，Ar3选自碳原子数为6～20的取代或未取代的芳基、碳原子数为5～20的取代或未取代的杂芳基；
可选地，Ar3中的取代基各自独立地选自氘、氟、氰基、碳原子数为1～5的烷基、碳原子数为6～12的芳基、碳原子数为5～12的杂芳基。
10.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其中，Ar3选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的苯并[b]萘并[2,3-d]呋喃基、取代或未取代的三亚苯基；
可选地，Ar3中的取代基各自独立地选自氘、氟、氰基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基、萘基。
11.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其中，Ar3选自以下基团所组成的组：
Figure FDA0003451292890000033
12.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其中，R6选自碳原子数为1～5的烷基、碳原子数为6～20的取代或未取代的芳基、碳原子数为5～20的取代或未取代的杂芳基；
可选地，R6中的取代基各自独立地选自氘、氟、氰基、碳原子数为1～5的烷基、碳原子数为6～12的芳基。
13.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其中，R6选自碳原子数为1～5的烷基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯基噻吩基、取代或未取代的芴基；
可选地，R6中的取代基各自独立地选自氘、氟、氰基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基、萘基、联苯基。
14.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其中，R6选自碳原子数为1～5的烷基或者以下基团所组成的组：
Figure FDA0003451292890000041
15.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其中，所述第一有机化合物选自以下化合物所组成的组：
Figure FDA0003451292890000042
Figure FDA0003451292890000051
Figure FDA0003451292890000061
Figure FDA0003451292890000071
Figure FDA0003451292890000081
16.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其中，所述第二有机化合物选自以下化合物所组成的组：
Figure FDA0003451292890000082
Figure FDA0003451292890000091
Figure FDA0003451292890000101
Figure FDA0003451292890000111
Figure FDA0003451292890000121
Figure FDA0003451292890000131
17.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其中，所述空穴传输层包括依次层叠设置的第一空穴传输层和第二空穴传输层，且相对于所述第一空穴传输层，所述第一空穴传输层更靠近所述阳极，且所述第二空穴传输层包括所述第一有机化合物。
18.一种电子装置，其特征在于，包括权利要求1～17中任一项所述的有机电致发光器件。
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