CN114478025A - 一种利用晶体硅装饰陶瓷的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及各类陶瓷材质制备技术领域，具体涉及一种利用晶体硅装饰陶瓷的方法；包括以下步骤：(1)取晶体硅或浸泡液浸泡干燥后的晶体硅，(2)利用步骤(1)中的晶体硅形成陶瓷坯体，(3)利用步骤(1)中的晶体硅装饰陶瓷釉面，(4)将(2)和(3)成型陶瓷坯体在烧成窑炉中煅烧成型，制得晶体硅装饰陶瓷；本发明采用晶体硅美化陶瓷，通过硅晶体材料表面强金属色本身，对光线强反射的物理特性达到闪光效果，增强陶瓷产品装饰性，同时，材料易得、工艺技术简便易行，质量稳定、产率高、效益好，更具装饰性和竞争力，陶瓷装饰产品烧成温度范围广，适应各种烧成气氛，易于控制，可快速烧成，环保节能，此外，闪光效果突出明显。

Description

一种利用晶体硅装饰陶瓷的方法
技术领域
本发明涉及各类陶瓷材质制备技术领域，具体涉及一种利用晶体硅装饰陶瓷的方法。
背景技术
陶瓷是陶器与瓷器的统称，是以粘土等天然硅酸盐为主要原料烧成的制品。
陶瓷装饰是在陶瓷上进行加工的各种方式技法，通过这些方式技法，赋予陶瓷的美感，提高扩大陶瓷的属性，使陶瓷既有实用性又有艺术性。陶瓷装饰有秞上彩绘、釉下彩绘，釉下雕刻，利用各种颜色釉装饰，也有多种技法相结合的装饰。这种被称为“火的艺术”，经过与现代科学、工艺、材料的结合，形成了多姿多彩的艺术形式和不断进步的制作手段，以及多种材质的巧妙利用，构成了与其它艺术相媲美的不同时代风貌。
陶瓷装饰材料是指用来装饰陶瓷制品的各类颜料、贴花纸等材料，其中以釉上装饰颜料为主。釉上颜料主要由熔剂和色料配制而成，不同的釉上颜料由于其配方组成的不同，其在陶瓷表面施用和烧制过后呈现的外观和质感都大相径庭。
现有的陶瓷釉中含有发光小晶粒及星点的是一种叫砂金釉的装饰，也称为金星釉，这是在釉层中形成的一种非大晶型结晶的结晶体。这些晶体不浮在釉的表面之上，而是埋藏在釉的表面之下，悬浮在透明的玻璃基体之中。这种装饰仅限于陶瓷釉料中，这种釉料生产过程复杂(要烧制熔块配釉)，工艺控制较难(釉层过薄过厚都不好，烧成温度局限在1120-1180℃，只能氧化焰烧成，慢冷且需保温，析晶温度苛刻，不适于快速烧成，会流釉给生产带来不便，结晶体且只能存在釉中，釉色单调)，成品率低，无法满足对于装饰陶瓷的产品要求。
综上所述，研发一种利用晶体硅装饰陶瓷的方法，仍是各类陶瓷材质制备技术领域中急需解决的关键问题。
发明内容
针对现有技术所存在的上述缺点，本发明提供了一种利用晶体硅装饰陶瓷的方法，本发明采用晶体硅美化陶瓷，通过硅晶体材料表面强金属色本身，对光线强反射的物理特性达到闪光效果，增强陶瓷产品装饰性，同时，材料易得、工艺技术简便易行，质量稳定、产率高、效益好，更具装饰性和竞争力，陶瓷装饰产品烧成温度范围广，适应各种烧成气氛，易于控制，可快速烧成，环保节能，此外，闪光效果突出明显，可应用于各种陶瓷材质。
为实现上述目的，本发明提供了如下技术方案：
一种利用晶体硅装饰陶瓷的方法，包括以下步骤：
(1)取晶体硅或浸泡液浸泡干燥后的晶体硅；
(2)利用步骤(1)中的晶体硅形成陶瓷坯体；
(3)利用步骤(1)中的晶体硅装饰陶瓷釉面；
(4)将步骤(2)和步骤(3)成型陶瓷坯体在烧成窑炉中煅烧成型，制得晶体硅装饰陶瓷。
本发明进一步设置为：所述浸泡液为特定的盐类或碱类中的任意一种。
本发明进一步设置为：在步骤(1)中，所述晶体硅为单晶硅、多晶硅、金属硅和单质硅中的任意一种。
本发明进一步设置为：在步骤(1)中，所述晶体硅的粒径为10目-200目。
本发明进一步设置为：在步骤(2)中，利用步骤(1)中的晶体硅形成陶瓷坯体，包括以下方式：
(a)将晶体硅与坯料直接混合得到混合料，再塑造形成陶瓷坯体；
(b)在坯体压制成型时，在坯体表面布晶体硅再压制成型；
(c)将晶体硅与釉料混合后，通过淋釉或喷釉在陶瓷表面布晶体硅；
(d)在施釉的釉面上布晶体硅；
(e)在坯体和釉面上设计图案布晶体硅。
本发明进一步设置为：在使用(a)方式形成陶瓷坯体时，晶体硅占混合料的质量分数为3-30％。
本发明进一步设置为：在步骤(4)中，所述烧成气氛为氧化气氛、还原气氛和中性气氛中的任意一种。
本发明进一步设置为：在步骤(4)中，所述煅烧成型的温度为600-1600℃。
有益效果
采用本发明提供的技术方案，与已知的公有技术相比，具有如下有益效果：
(1)本发明采用晶体硅美化陶瓷，是一种新的陶瓷装饰材质和装饰方法，通过硅晶体材料表面强金属色本身，对光线强反射的物理特性达到闪光效果，增强陶瓷产品装饰性，此外，材料易得、工艺技术简便易行，质量稳定、产率高、效益好，更具装饰性和竞争力。
(2)本发明陶瓷装饰产品烧成温度范围广，适应各种烧成气氛，易于控制。
(3)本发明烧成周期可长可短，可快速烧成，可在10分钟内烧成，环保节能。
(4)本发明闪光粒度大小、闪光范围、闪光图案可控，闪光效果突出明显。
(5)本发明可应用于各种陶瓷材质，具有广泛的应用前景。
(6)本发明可以装饰各种成型法制备的坯料和各种陶瓷釉料，并且砖体和釉面视情况可采取全抛光、半抛光或不抛光工艺。
附图说明
图1为本发明利用晶体硅装饰陶瓷的成品图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述；显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例：
一种利用晶体硅装饰陶瓷的方法，包括以下步骤：
(1)取晶体硅或浸泡液浸泡干燥后的晶体硅。
进一步的，浸泡液为特定的盐类或碱类中的任意一种。
进一步的，晶体硅为单晶硅、多晶硅、金属硅和单质硅中的任意一种。
进一步的，晶体硅的粒径为10目-200目(2.00mm-0.080mm)。
需要说明的是，本发明中所使用的晶体硅可以是工业产品，也可以是废边角料，或是太阳能废旧硅板等经过加工所形成的，晶体硅属于原子晶体，是带有金属光泽的灰黑色固体、硬度大、有脆性、常温下化学性质不活泼，温度升高活泼性增加的一种非金属元素。
(2)利用步骤(1)中的晶体硅形成陶瓷坯体。
包括以下方式：
(a)将晶体硅与坯料直接混合得到混合料，再塑造形成陶瓷坯体。
进一步的，晶体硅占混合料的质量分数为3-30％。
(b)在坯体压制成型时，在坯体表面布晶体硅再压制成型。
(c)将晶体硅与釉料混合后，通过淋釉或喷釉在陶瓷表面布晶体硅。
(d)在施釉的釉面上布晶体硅。
(e)在坯体和釉面上设计图案布晶体硅。
需要说明的是，本发明利用晶体硅的金属光泽，在陶瓷坯体表面和陶瓷釉面出现熠熠闪光类似星光的一种装饰，在各类传统陶瓷均可应用，在建陶上应用最佳，如亚光砖、半抛砖上、全抛砖、抛釉砖均可适用。本发明提供了多种利用晶体硅的方式，使得本发明的方法具有广泛的应用前景。
(3)利用步骤(1)中的晶体硅装饰陶瓷釉面。
(4)将步骤(2)和步骤(3)成型陶瓷坯体在烧成窑炉煅烧成型，制得晶体硅装饰陶瓷。
进一步的，烧成气氛为氧化气氛、还原气氛和中性气氛中的任意一种。
进一步的，煅烧成型的温度为600-1600℃。
需要说明的是，本发明所提供的方法，不仅烧成温度范围广，而且适应各种烧成气氛。
其中，氧化气氛是烧窑时高温时候，窑内空气供给充分，燃料完全燃烧的情况下产生的一种火焰气氛。其特征是无烟透明，燃烧产物中主要成分是二氧化碳及过剩的氧气，不含可燃物质或含量很少使陶瓷产品充分氧化；还原气氛是不完全燃烧的火焰，这时窑中所产生的一氧化碳和氢气多，没有或者极少游离氧的存在；中性气氛，含碳量不同的材料在这样的气氛中实现不增碳，不脱碳、不氧化的光亮热处理。
本发明相对于传统的方法，其具有以下优点：
(1)烧成温度范围广，可以在600-1600℃的温度范围内，适应各种烧成气氛，能够使用氧化气氛、还原气氛或中性气氛。
(2)烧成周期可长可短，可快速烧成，可在10分钟内烧成。
(3)闪光粒度大小、范围、形状可控，闪光效果突出明显。
(4)可应用于各种陶瓷材质，包括但不限于传统陶瓷、紫砂以及特种陶瓷。
(5)可以装饰坯体和釉料。
(6)砖体和釉面视情况可采取全抛光、半抛光或不抛光工艺。
为了更好的对本发明进行效果说明，如图1所示，是利用晶体硅装饰陶瓷的成品，从图1中可以看出，其釉面闪光。通过硅晶体材料表面强金属色本身，对光线强反射的物理特性达到闪光效果，增强了陶瓷产品的装饰性。
以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不会使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (8)

1.一种利用晶体硅装饰陶瓷的方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)取晶体硅或浸泡液浸泡干燥后的晶体硅；
(2)利用步骤(1)中的晶体硅形成陶瓷坯体；
(3)利用步骤(1)中的晶体硅装饰陶瓷釉面；
(4)将步骤(2)和步骤(3)成型陶瓷坯体在烧成窑炉中煅烧成型，制得晶体硅装饰陶瓷。
2.根据权利要求1所述的一种利用晶体硅装饰陶瓷的方法，其特征在于，所述浸泡液为特定的盐类或碱类中的任意一种。
3.根据权利要求1所述的一种利用晶体硅装饰陶瓷的方法，其特征在于，在步骤(1)中，所述晶体硅为单晶硅、多晶硅、金属硅和单质硅中的任意一种。
4.根据权利要求1所述的一种利用晶体硅装饰陶瓷的方法，其特征在于，在步骤(1)中，所述晶体硅的粒径为10目-200目。
5.根据权利要求1所述的一种利用晶体硅装饰陶瓷的方法，其特征在于，在步骤(2)中，利用步骤(1)中的晶体硅形成陶瓷坯体，包括以下方式：
(a)将晶体硅与坯料直接混合得到混合料，再塑造形成陶瓷坯体；
(b)在坯体压制成型时，在坯体表面布晶体硅再压制成型；
(c)将晶体硅与釉料混合后，通过淋釉或喷釉在陶瓷表面布晶体硅；
(d)在施釉的釉面上布晶体硅；
(e)在坯体和釉面上设计图案布晶体硅。
6.根据权利要求5所述的一种利用晶体硅装饰陶瓷的方法，其特征在于，在使用(a)方式形成陶瓷坯体时，晶体硅占混合料的质量分数为3-30％。
7.根据权利要求1所述的一种利用晶体硅装饰陶瓷的方法，其特征在于，在步骤(4)中，所述烧成气氛为氧化气氛、还原气氛和中性气氛中的任意一种。
8.根据权利要求1所述的一种利用晶体硅装饰陶瓷的方法，其特征在于，在步骤(4)中，所述煅烧成型的温度为600-1600℃。
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