CN114427818A - 蓝宝石晶片的测量装置 - Google Patents
蓝宝石晶片的测量装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114427818A CN114427818A CN202111629241.9A CN202111629241A CN114427818A CN 114427818 A CN114427818 A CN 114427818A CN 202111629241 A CN202111629241 A CN 202111629241A CN 114427818 A CN114427818 A CN 114427818A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- station
- sapphire wafer
- conveyor belt
- power mechanism
- sapphire
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 226
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 title claims abstract description 226
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims abstract description 71
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 215
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 123
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 103
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 93
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 70
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 64
- 239000002699 waste material Substances 0.000 claims description 41
- 235000011194 food seasoning agent Nutrition 0.000 claims description 35
- 238000007605 air drying Methods 0.000 claims description 32
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 28
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 28
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 12
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 6
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 10
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 21
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 239000002351 wastewater Substances 0.000 description 8
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000004018 waxing Methods 0.000 description 2
- 229920000742 Cotton Polymers 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B5/00—Measuring arrangements characterised by the use of mechanical techniques
- G01B5/02—Measuring arrangements characterised by the use of mechanical techniques for measuring length, width or thickness
- G01B5/06—Measuring arrangements characterised by the use of mechanical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
本公开涉及一种蓝宝石晶片的测量装置，属于蓝宝石晶片加工领域。该蓝宝石晶片的测量装置包括上料工位、清洗工位以及测量工位，所述清洗工位包括传送带和沿传送带依次布置的一次水洗工位、二次水洗工位以及风干蓝宝石晶片的风干工位，所述上料工位设置在所述传送带的上游，用于向所述传送带递送待清洗的所述蓝宝石晶片，所述测量工位设置在所述传送带的下游，用于承接已清洗的所述蓝宝石晶片以使得所述蓝宝石晶片的TTV值得到检测。本公开的蓝宝石晶片的测量装置解决了相关技术中存在的蓝宝石晶片的TTV值测量结果不准确的问题。
Description
技术领域
本公开涉及蓝宝石晶片加工技术领域，具体地，涉及一种蓝宝石晶片的测量装置。
背景技术
对于制作LED芯片来说，蓝宝石衬底材料成为成本和工艺可行性的首选材料，它是由高纯度的三氧化二铝颗粒转化为LED产品的，在此过程中有一道重要的工序是铜抛，该工序中，首先经过上蜡机对蓝宝石晶片与液态蜡进行加工，之后将蓝宝石晶片粘贴在陶瓷盘表面，并经过人工运输至铜抛机台，让蓝宝石晶片在铜抛机中经过20-70分钟的研磨与修整，使蓝宝石晶片表面充分附着研磨剂与抛光剂，再经过人工清洗并吹去水渍后，测量蓝宝石晶片的TTV是否符合标准值，最后由人工搬运至下蜡机台，将晶片与陶瓷盘分离，对晶片进行装盒，并对陶瓷盘进行清洗即可。上述过程中，蓝宝石晶片的TTV值测量的准确与否决定了最终产品性能的优劣，而蓝宝石晶片的清洗效果的好坏则直接影响到了蓝宝石晶片的TTV值的测量结果是否准确。
发明内容
本公开提供了一种蓝宝石晶片的测量装置，该蓝宝石晶片的测量装置解决了相关技术中存在的蓝宝石晶片的TTV值测量结果不准确的问题。
为了实现上述目的，本公开提供一种蓝宝石晶片的测量装置，包括上料工位、清洗工位以及测量工位，所述清洗工位包括传送带和沿传送带依次布置的一次水洗工位、二次水洗工位以及风干蓝宝石晶片的风干工位，所述上料工位设置在所述传送带的上游，用于向所述传送带递送待清洗的所述蓝宝石晶片，所述测量工位设置在所述传送带的下游，用于承接已清洗的所述蓝宝石晶片以使得所述蓝宝石晶片的TTV值得到检测。
可选地，所述测量工位包括第一安装架、第一承托面以及第一承载件，所述第一安装架设置在所述风干工位的下游，所述第一承托面设置在所述第一安装架的顶部，所述第一承载件设置在所述第一承托面上，所述第一承载件用于承接从所述风干工位递送过来的装载蓝宝石晶片的陶瓷盘。
可选地，所述测量工位还包括第一动力机构，所述第一动力机构设置在所述第一承托面的下方，所述第一动力机构的输出端穿过所述第一承托面与所述第一承载件的底部连接，当所述装载蓝宝石晶片的陶瓷盘从所述风干工位递送至所述第一承载件上时，所述第一动力机构带动所述第一承载件旋转。
可选地，所述测量工位还包括设置在所述第一承托面上的第一辅助件，所述第一辅助件位于所述第一承载件的靠近所述风干工位的一侧，所述第一辅助件用于辅助所述装载蓝宝石晶片的陶瓷盘从所述风干工位递送至所述第一承载件上。
可选地，所述测量工位还包括测量结构，所述测量结构包括第二安装架、第二承托面以及测量件，所述第二安装架设置在所述第一安装架的顶部，所述第二承托面设置在所述第二安装架的顶部，所述第二承托面位于所述第一承托面上方且平行于所述第一承托面，所述测量件设置在所述第二承托面上，所述测量件用于对放置在所述第一承载件上的所述装载蓝宝石晶片的陶瓷盘中的所述蓝宝石晶片的TTV值进行检测。
可选地，所述上料工位包括第三安装架、第三承托面、第二承载件以及第二动力机构，所述第三安装架设置在所述一次水洗工位的上游，所述第三承托面设置在所述第三安装架的顶部，所述第二承载件设置在所述第三承托面上，所述第二动力机构设置在所述第三安装架上，所述第二动力机构用于推动所述第二承载件上放置的装载蓝宝石晶片的陶瓷盘递送至所述一次水洗工位。
可选地，所述第二动力机构的输出端还设置有缓冲件，所述缓冲件的靠近所述一次水洗工位的一端设置为弧形面。
可选地，所述上料工位还包括设置在所述第三承托面上的第二辅助件，所述第二辅助件位于所述第二承载件的靠近所述一次水洗工位的一侧，所述第二辅助件用于辅助所述装载蓝宝石晶片的陶瓷盘从所述第二承载件上递送至所述一次水洗工位。
可选地，所述一次水洗工位包括中空的喷淋件，所述喷淋件设置在所述传送带的上方，所述喷淋件上设置有注液部和喷液部，所述注液部与所述喷液部均与所述喷淋件的内部连通，且所述喷液部的出液口朝向所述传送带设置。
可选地，所述二次水洗工位包括第四安装架、第四承托面、第三动力机构、连接件以及清洗件，所述第四安装架设置在所述传送带的上方且横跨所述传送带，所述第四承托面设置在所述第四安装架的顶部，所述第三动力机构设置在所述第四承托面上，所述第三动力机构的输出端穿过所述第四承托面与所述连接件连接，所述清洗件设置在所述连接件上。
可选地，所述清洗件为柔性清洗件。
可选地，所述清洗件为环形清洗件。
可选地，所述连接件上还设置有贯通的注水孔，所述注水孔的出水口位于所述环形清洗件的环形之中且朝向所述传送带设置。
可选地，所述二次水洗工位还包括用于止挡所述传送带上正在进行二次清洗的装载蓝宝石晶片的陶瓷盘传送至所述风干工位的挡停机构，所述挡停机构包括第四动力机构和止挡件，所述第四动力机构设置在所述第四承托面上，且沿所述传送带的输送方向，所述第四动力机构位于所述第三动力机构的后方，所述第四动力机构的输出端穿过所述第四承托面与所述止挡件连接，其中，所述第四动力机构的输出方向为竖直方向。
可选地，所述风干工位包括风干件，所述风干件设置在所述传送带的上方，所述风干件的内部中空，所述风干件上设置有与其内部连通的进气部和出气部，所述出气部的出气口朝向所述传送带设置。
可选地，所述蓝宝石晶片的测量装置还包括废液处理工位，所述废液处理工位包括排液结构和设置在所述传送带下方的废液导出结构，所述排液结构设置在所述传送带上，和/或所述排液结构设置在所述传送带的侧方，所述废液导出结构的水平投影覆盖所述排液结构的水平投影。
可选地，所述排液结构设置在所述传送带上，所述排液结构为开设在所述传送带上的多个通孔。
可选地，所述排液结构设置在所述传送带的侧方，所述传送带的两侧设置有挡板，所述排液结构为所述传送带与所述挡板之间预留的一段间隙。
可选地，所述排液结构的一部分设置在所述传送带上，所述排液结构的一部分为开设在所述传送带上的多个通孔；所述排液结构的另一部分设置在所述传送带的侧方，所述传送带的两侧设置有挡板，所述排液结构的另一部分为所述传送带与所述挡板之间预留的一段间隙。
可选地，所述废液导出结构包括废液存储箱，所述废液存储箱上设置有集液口和出液口，所述集液口位于所述废液存储箱的顶部，所述出液口位于所述废液存储箱的底部，其中，所述集液口的水平投影覆盖所述排液结构的水平投影。
与相关技术相比，本公开的有益效果在于：
通过设置上料工位、清洗工位以及测量工位，并且清洗工位包括传送带和沿传送带的传送方向依次设置的一次水洗工位、二次水洗工位以及风干工位，上料工位设置在传送带的上游，用于向所述传送带递送待清洗的所述蓝宝石晶片，测量工位设置在传送带的下游，用于承接已清洗的蓝宝石晶片以使蓝宝石晶片的TTV值得到测量，来实现在对蓝宝石晶片进行两次清洗加一次风干后再进行表面的TTV值测量的目的。由于两次清洗加一次风干的清洁效果相较于普通的一次清洗的效果有显著提高，因而此时测量的蓝宝石晶片表面的TTV值也更为准确，也即能够实现提高蓝宝石晶片的TTV值的测量准确度的目的。
此外，将上料工位、清洗工位以及测量工位按照蓝宝石晶片的流转顺序依次排布，可以极大地缩短蓝宝石晶片的流转周期，且能够避免人工搬运过程中对装载蓝宝石晶片的陶瓷盘表面造成的磕碰损伤。
另外，本公开的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。
附图说明
附图是用来提供对本公开的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本公开，但并不构成对本公开的限制。在附图中：
图1是本公开的蓝宝石晶片的测量装置的立体图；
图2是本公开的测量工位的立体图；
图3是本公开中测量件为台式测量工装时的使用状态图；
图4是本公开的上料工位的立体图；
图5是本公开的一次水洗工位的立体图；
图6是本公开的二次水洗工位的立体图；
图7是本公开的连接件的立体图；
图8是本公开的连接件的仰视图；
图9是本公开的清洗件的俯视图；
图10是本公开的风干工位的立体图；
图11是本公开的废液处理工位的立体图。
附图标记说明
1-上料工位；
11-第三安装架；
12-第三承托面；
13-第二承载件；
14-第二动力机构；141-缓冲件；
15-第二辅助件；
2-清洗工位；
21-传送带；
22-一次水洗工位；
221-喷淋件；221a-注液部；221b-喷液部；
23-二次水洗工位；
231-第四安装架；
232-第四承托面；
233-第三动力机构；
234-连接件；234a-注水孔；
235-清洗件；
236-挡停机构；236a-第四动力机构；236b-止挡件；
24-风干工位；241-风干件；241a-进气部；241b-出气部；
3-测量工位；
31-第一安装架；32-第一承托面；33-第一承载件；34-第一动力机构；35-第一辅助件；
36-测量结构；361-第二安装架；362-第二承托面；363-测量件；
4-蓝宝石晶片；
5-装载蓝宝石晶片的陶瓷盘；
6-废液处理工位；
61-废液导出结构；611-废液存储箱；611a-集液口；611b-出液口。
具体实施方式
以下结合附图对本公开的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本公开，并不用于限制本公开。
参照图1所示，本公开提供了一种蓝宝石晶片的测量装置，包括上料工位1、清洗工位2以及测量工位3，清洗工位2包括传送带21和沿传送带21依次布置的一次水洗工位22、二次水洗工位23以及风干蓝宝石晶片4的风干工位24，上料工位1设置在传送带21的上游，用于向传送带21递送待清洗的蓝宝石晶片4，测量工位3设置在传送带21的下游，用于承接已清洗的蓝宝石晶片4以使得蓝宝石晶片4的TTV值得到检测。
需要说明的是，本实施例中，在测量工位3之前设置了清洗工位2和上料工位，其作用主要是为了使装载蓝宝石晶片的陶瓷盘5在流转过程中能够减少搬运，以避免磕碰损坏。此外，清洗工位2包括了传送带21以及沿传送带21依次布置的一次水洗工位22、二次水洗工位23以及风干工位24，其目的则是为了使蓝宝石晶片4在进行TTV值的测量之前，对蓝宝石晶片4的表面进行彻底的清洗和风干，以避免在TTV值的测量过程中，蓝宝石晶片4表面残留的污渍对测量结果造成影响，最终保证蓝宝石晶片4的TTV值的测量结果的准确性。
此外，为使上述过程实现自动化控制，还可以在该蓝宝石晶片的测量装置中设置控制器以及与控制器电性连接的多个传感器，其中的多个传感器分别用于对各个工位中的不同工作状态进行检测，以实时将相应的信号发送给控制器，使控制器及时发出相应指令，并控制该工位进行相应动作。此处，关于控制器和传感器采用现有技术即可实现，本公开在此描述的仅仅是其主要的工作原理和工作过程。
参照图1和图2所示，作为一种可能的实现方式，测量工位3包括第一安装架31、第一承托面32以及第一承载件33，第一安装架31设置在风干工位24的下游，第一承托面32设置在第一安装架31的顶部，第一承载件33设置在第一承托面32上，第一承载件33用于承接从风干工位24递送过来的装载蓝宝石晶片的陶瓷盘5。
需要说明的是，本实施例中，第一安装架31为方形框架，第一承托面32为与第一安装架31的形状相适配的方形板，第一安装架31和第一承托面32均可以采用具有一定强度的金属材质或者硬质塑料制成，以使第一承载件33能够可靠地安装在其上并承载装载蓝宝石晶片的陶瓷盘5。其中，第一承载件33设置在第一承托面32的中心位置，以使整个装置的重量均匀分布，从而提高整个装置的安全性，其形状可以为圆形，以适应于装载蓝宝石晶片的陶瓷盘5的外形轮廓。此处，第一承载件33的上表面与传送带21的上表面相平齐，其主要是为了使装载蓝宝石晶片的陶瓷盘5能够顺利从传送带21上顺利递送至第一承载件33上。
此外，为了方便测量后将装载蓝宝石晶片的陶瓷盘5从第一承载件33上搬离，可以将第一承载件33的外形尺寸设置为略小于装载蓝宝石晶片的陶瓷盘5的外形尺寸，也可以将第一承载件33的外形尺寸设置为与装载蓝宝石晶片的陶瓷盘5的外形尺寸相同，此时，需要在第一承载件33的侧壁上设置多个沿第一承载件33的厚度方向贯通的指槽，以方便人手的抓握。第一承载件33与装载蓝宝石晶片的陶瓷盘5的外形尺寸关系无论采用哪种方式，其主要目的都是为了方便人手的抓握，以可靠平稳地将装载蓝宝石晶片的陶瓷盘5从第一承载件33上搬运下来。
还需要说明的是，本实施例中，通过设置传送带21的传送速度，就可以使装载蓝宝石晶片的陶瓷盘5顺利递送至第一承载件33上。
参照图1和图2所示，作为一种可能的实现方式，测量工位3还包括第一动力机构34，第一动力机构34设置在第一承托面32的下方，第一动力机构34的输出端穿过第一承托面32与第一承载件33的底部连接，当装载蓝宝石晶片的陶瓷盘5从风干工位24递送至第一承载件33上时，第一动力机构34带动第一承载件33旋转。
需要说明的是，本实施例中，第一动力机构34可以为电机。当装载蓝宝石晶片的陶瓷盘5从风干工位24递送至第一承载件33上时，第一动力机构34带动第一承载件33旋转，与此同时，放置在第一承载件33上的装载蓝宝石晶片的陶瓷盘5也随之旋转，也即装载蓝宝石晶片的陶瓷盘5中的蓝宝石晶片4旋转，由此，操作者无需实时变换测量位置便可测量出蓝宝石晶片4的TTV值，因而该蓝宝石晶片的测量装置实现了简化测量过程的目的。
为使上述过程实现自动化控制，还可以设置用于检测第一承载件33上是否放置有装载蓝宝石晶片的陶瓷盘5的第一传感器，第一传感器与控制器电性连接，当第一传感器检测到第一承载件33上放置有装载蓝宝石晶片的陶瓷盘5时，第一传感器将信号发送给控制器，控制器控制第一动力机构34运动。其中，可以设置第一承载件33旋转一圈所用时长为第一预设时长，当第一动力机构34工作时间达到预设时长后，也即第一承载件33恰好旋转一圈后，控制器控制第一动力机构34停止运动，此时，测量工位3完成对其上放置的蓝宝石晶片4的TTV值的测量。
参照图1和图2所示，作为一种可能的实现方式，测量工位3还包括设置在第一承托面32上的第一辅助件35，第一辅助件35位于第一承载件33的靠近风干工位24的一侧，第一辅助件35用于辅助装载蓝宝石晶片的陶瓷盘5从风干工位24递送至第一承载件33上。
需要说明的是，本实施例中，第一辅助件35可以为安装在第一承托面32上的滚轮，也可以为固定在第一承托面32上的圆弧面，其主要目的是为了将装载蓝宝石晶片的陶瓷盘5从风干工位24下方的传送带21上顺利平稳地递送至第一承载件33上。此处，为了提高第一辅助件35的辅助传送效果，可以并行设置多排第一辅助件35，以更好地将装载蓝宝石晶片的陶瓷盘5传送至第一承载件33上。
参照图1和图2所示，作为一种可能的实现方式，测量工位3还包括测量结构36，测量结构36包括第二安装架361、第二承托面362以及测量件363，第二安装架361设置在第一安装架31的顶部，第二承托面362设置在第二安装架361的顶部，第二承托面362位于第一承托面32上方且平行于第一承托面32，测量件363设置在第二承托面362上，测量件363用于对放置在第一承载件33上的装载蓝宝石晶片的陶瓷盘5中的蓝宝石晶片4的TTV值进行检测。
需要说明的是，本实施例中，第二安装架361可以为与第一安装架31类似的方形框架，其高度的设置以不影响到下方的蓝宝石晶片4的TTV值的测量为准。第二承托面362的形状为与第二安装架361的顶部形状相适配的方形板，第二安装架361和第二承托面362均可以采用具有一定强度的金属材质或者硬质塑料制成，以实现对测量件363的稳定可靠固定。
其中，测量件363可以为普通的台式测量工装(参照图3所示)，也可以为激光测距传感器(图中未示出)。当测量件363为台式测量工装时，测量件363放置在第二承托面362的上表面，需要使用时，将其取下使用即可。具体地，台式测量工装包括千分表的表头部分和表架部分，使用时，将表架部分固定在第一承载件33上放置的装载蓝宝石晶片的陶瓷盘5的中心位置处，而使千分表的表头部分与其中一个蓝宝石晶片4的表面相接触，之后，通过旋转千分表的表头部分，使其依次与每个蓝宝石晶片4的表面相接触并记录读数，最后，通过计算这些读数之间的差值便可得到这些蓝宝石晶片4的TTT值。
此外，也可以通过将表架部分固定在第一承载件33上放置的装载蓝宝石晶片的陶瓷盘5的中心位置处，而使千分表的表头部分与其中一个蓝宝石晶片4的表面相接触，之后通过第一动力机构34的运动，并带动其上连接的第一承载件33旋转，从而使第一承载件33带动装载蓝宝石晶片的陶瓷盘5旋转，最终使得这些蓝宝石晶片4进行旋转，由此，千分表的表头部分便可以与装载蓝宝石晶片的陶瓷盘5中的每一个蓝宝石晶片4的表面进行接触，从而测得这些蓝宝石晶片4的厚度之间的差值，最终得到这些蓝宝石晶片4的TTV值。
当测量件363为激光测距传感器时，测量件363安装在第二承托面362的内顶面，即测量件363安装在第二承托面362的顶面的靠近第一承托面32的一侧。当第一承载件33上放置装载蓝宝石晶片的陶瓷盘5时，第一动力机构34开始运动，并带动其上连接的第一承载件33旋转，从而带动装载蓝宝石晶片的陶瓷盘5随之旋转，此时，随着装载蓝宝石晶片的陶瓷盘5的旋转，激光测距传感器便可以对装载蓝宝石晶片的陶瓷盘5中的蓝宝石晶片4进行逐个测量，最终得到这些蓝宝石晶片4的TTV值。
此处，为使上述过程实现自动化控制，可以设置用于检测第一承载件33上是否放置有装载蓝宝石晶片的陶瓷盘5的第一传感器。当第一传感器检测到第一承载件33上放置有装载蓝宝石晶片的陶瓷盘5时，第一传感器将信号发送给控制器，控制器控制第一动力机构34带动第一承载件33旋转。此时，测量件363开始对蓝宝石晶片4的TTV值进行检测。当第一承载件33恰好旋转完一圈，控制器再次通过第一动力机构34控制第一承载件33停止旋转，此时便完成了对于第一承载件33上放置的蓝宝石晶片的陶瓷盘5中的蓝宝石晶片4的TTV值的测量。
此外，关于测量件363既可以采用普通的台式测量工装，可以采用激光测距传感器，而关于测量件363采用这两种实现方式时的工作过程已经在前述实施例中做了详细描述，本实施例在此不再赘述。此外，本实施例中仅描述了第一传感器与各个部件之间的工作关系，涉及到它们之间电性连接的相关内容采用现有技术即可实现，本实施例在此不再赘述。
参照图1和图4所示，作为一种可能的实现方式，上料工位1包括第三安装架11、第三承托面12、第二承载件13以及第二动力机构14，第三安装架11设置在一次水洗工位22的上游，第三承托面12设置在第三安装架11的顶部，第二承载件13设置在第三承托面12上，第二动力机构14设置在第三安装架11上，第二动力机构14用于推动第二承载件13上放置的装载蓝宝石晶片的陶瓷盘5递送至一次水洗工位22。
需要说明的是，本实施例中，第三安装架11为方形框架，第三承托面12为与第三安装架11相适配的方形板，两者均采用具有一定强度的金属材质或者硬质塑料制成。第二承载件13可以为方形板，也可以为圆形板，其尺寸大小以能够将装载蓝宝石晶片的陶瓷盘5稳定可靠地放置在第二承载件13上即可。此处，第二动力机构14可以采用气缸，其中，第二动力机构14的输出端的最低面不低于第二承载件13的上表面，其目的主要是为了能够使第二动力机构14准确可靠地对放置在第二承载件13上的装载蓝宝石晶片的陶瓷盘5进行有效推动，避免在工作过程中第二动力机构14的输出端撞击到第二承载件13的侧壁上。
此外，为使上述过程便于自动化控制，还可以在第三安装架11上设置用于检测第二承载件13上是否放置有装载蓝宝石晶片的陶瓷盘5的第二传感器。当第二传感器检测到第二承载件13上放置有装载蓝宝石晶片的陶瓷盘5时，控制器控制第二动力机构14推动装载蓝宝石晶片的陶瓷盘5从第二承载件13上递送至传送带21上。另外，本实施例中仅描述了第二传感器与各个部件之间的工作关系，涉及到它们之间电性连接的相关内容采用现有技术即可实现，本实施例在此不再赘述。
参照图1和图4所示，作为一种可能的实现方式，第二动力机构14的输出端还设置有缓冲件141，缓冲件141的靠近一次水洗工位22的一端设置为弧形面。
需要说明的是，本实施例中，缓冲件141可以为设置在第二动力机构14的输出端的凸块，该凸块可以采用橡胶、硅胶等材质，还可以为其他能够实现缓冲功能的材质，本实施例对此不作限定。此外，该凸块的最低面不低于第二承载件13的上表面的高度，以避免工作时第二动力机构14带动该凸块撞击到第二承载件13的侧壁上。此外，为使该凸块施加在第二承载件13上的蓝宝石晶片的陶瓷盘5的推送力度均匀平稳，可以将该凸块的靠近一次水洗工位22的端面设置为与装载蓝宝石晶片的陶瓷盘5的侧壁形状相吻合的弧形面。
参照图1和图4所示，作为一种可能的实现方式，上料工位1还包括设置在第三承托面12上的第二辅助件15，第二辅助件15位于第二承载件13的靠近一次水洗工位22的一侧，第二辅助件15用于辅助装载蓝宝石晶片的陶瓷盘5从第二承载件13上递送至一次水洗工位22。
需要说明的是，本实施例中，第二辅助件15可以采用安装在第三承托面12上的滚轮或者圆弧面，其目的以能够实现将第二承载件13上放置的装载蓝宝石晶片的陶瓷盘5顺利递送至传送带21上即可。此处，为了使第二辅助件15对装载蓝宝石晶片的陶瓷盘5的递送过程起到更好的辅助作用，可以在第二承载件13的靠近一次水洗工位22的一侧设置多排并行设置的第二辅助件15，以将装载蓝宝石晶片的陶瓷盘5更加平稳地递送至传送带21上。
参照图1和图5所示，作为一种可能的实现方式，一次水洗工位22包括中空的喷淋件221，喷淋件221设置在传送带21的上方，喷淋件221上设置有注液部221a和喷液部221b，注液部221a与喷液部221b均与喷淋件221的内部连通，且喷液部221b的出液口朝向传送带21设置。
需要说明的是，本实施例中，喷淋件221可以为圆形管，其中的注液部221a和喷液部221b则分别为与喷淋件221的内部连通的细管。其中，喷淋件221上的注液部221a与外部的输水管连接，当一次水洗工位22下方经过装载蓝宝石晶片的陶瓷盘5时，喷液部221b的出液口打开，并对着蓝宝石晶片4的表面进行喷淋处理。当装载蓝宝石晶片的陶瓷盘5离开一次水洗工位22时，关闭喷淋件221上的喷液部221b，使其停止喷水即可。此处，为使装载蓝宝石晶片的陶瓷盘5中的蓝宝石晶片4的表面得到更好的清洗，可以设置喷淋件221绕其中轴线做一定角度的旋转。例如，喷淋件221能够绕着其中轴线做10°、15°、20°、25°或者30°的旋转，以使来自喷淋件221中的喷液部221b中的水流能够对一次水洗工位22下方的蓝宝石晶片4的表面进行全面彻底的冲洗。
此外，为使上述过程便于自动化控制，并且节约资源，可以通过设置控制器来控制喷淋件221上的喷液部221b的打开与关闭。而关于控制器的控制方式可以采用现有技术，本实施例在此不再赘述。
参照图1和图6所示，作为一种可能的实现方式，二次水洗工位23包括第四安装架231、第四承托面232、第三动力机构233、连接件234以及清洗件235，第四安装架231设置在传送带21的上方且横跨传送带21，第四承托面232设置在第四安装架231的顶部，第三动力机构233设置在第四承托面232上，第三动力机构233的输出端穿过第四承托面232与连接件234连接，清洗件235设置在连接件234上。
需要说明的是，本实施例中，第四安装架231为方形框架，第四承托面232为与第四安装架231的方形框架相适配的方形板，第四安装架231和第四承托面232的材质均采用具有一定强度的金属材质或者硬质塑料，其目的主要是为了将其他部件稳定可靠地固定在其上。
此处，清洗件235的外形尺寸不小于装载蓝宝石晶片的陶瓷盘5的外形尺寸，其目的主要是为了使清洗件235的清洗范围能够覆盖到装载蓝宝石晶片的陶瓷盘5中的所有蓝宝石晶片4的整个表面，以便清洗件235能够对所有蓝宝石晶片4的整个表面进行彻底的清洗。并且，清洗件235可以通过粘接、卡接等方式固定在连接件234上，其目的主要是为了便于清洗件235的更换。当装载蓝宝石晶片的陶瓷盘5经过二次水洗工位23下方时，第三动力机构233通过连接件234带动清洗件235做旋转运动，以对蓝宝石晶片4的表面进行擦拭清洗。其中，第三动力机构233可以为电机。
还需要说明的是，本实施例中，清洗件235的下表面，即清洗件235的靠近传送带21的表面，略低于装载蓝宝石晶片的陶瓷盘5中的蓝宝石晶片4的上表面，其主要目的是为了保证装载蓝宝石晶片的陶瓷盘5从清洗件235下方经过时，清洗件235的下表面能够与蓝宝石晶片4的上表面接触并对其进行擦拭清洗。
此外，为使上述过程便于自动化控制，可以设置用于检测二次水洗工位23下方是否有装载蓝宝石晶片的陶瓷盘5的第三传感器，当第三传感器检测到二次水洗工位23的下方有装载蓝宝石晶片的陶瓷盘5时，第三传感器将信号发送给控制器，此时，控制器控制第三动力机构233开始运动。其中，关于控制器与第三传感器以及第三动力机构233之间电性连接的相关内容采用现有技术即可实现，本实施例在此不再赘述。
作为一种可能的实现方式，清洗件235为柔性清洗件。
需要说明的是，本实施例中，清洗件235可以为海绵、棉布等具有柔性特性的材质，还可以为其他能够实现同样清洁效果的柔性清洗件，本实施例对此不作限定。
作为一种可能的实现方式，清洗件235为环形清洗件。
需要说明的是，本实施例中，清洗件235的形状为环形，这样设置的目的一方面是为了节省材料，另一方面则是与蓝宝石晶片4在装载蓝宝石晶片的陶瓷盘5中的环形排布方式相适应，以便于在清洗过程中，沿环形排布的每个蓝宝石晶片4的表面都能够得到清洗件235的彻底清洗。
参照图7和图8所示，作为一种可能的实现方式，连接件234上还设置有贯通的注水孔234a，注水孔234a的出水口位于环形清洗件的环形之中且朝向传送带21设置。
需要说明的是，本实施例中，连接件234的形状为喇叭形，其中，喇叭口的一端连接清洗件235，而远离喇叭口的一端固定在第三动力机构233的输出端上。注水孔234a从连接件234的远离喇叭口的一端的侧壁上贯穿，并且注水孔234a的出水口位于环形清洗件的环形之中且朝向传送带21设置。其目的主要是为了能够使来自注水孔234a中的水流首先对蓝宝石晶片4的表面进行冲洗，之后，再通过清洗件235对蓝宝石晶片4的表面进行擦拭，最终使得蓝宝石晶片4在经过二次水洗工位23后具有干净的表面。
此外，为使上述过程便于自动化控制，还可以在注水孔234a处设置电磁阀，并通过控制器控制该电磁阀的通断来对注水孔234a进行控制。
参照图1和图6所示，作为一种可能的实现方式，二次水洗工位23还包括用于止挡传送带21上正在进行二次清洗的装载蓝宝石晶片的陶瓷盘5传送至风干工位24的挡停机构236，挡停机构236包括第四动力机构236a和止挡件236b，第四动力机构236a设置在第四承托面232上，且沿传送带21的输送方向，第四动力机构236a位于第三动力机构233的后方，第四动力机构236a的输出端穿过第四承托面232与止挡件236b连接，其中，第四动力机构236a的输出方向为竖直方向。
需要说明的是，本实施例中，第四动力机构236a可以为气缸，通过将气缸的伸缩方向设置为竖直方向来使气缸带动其输出端连接的止挡件236b沿竖直方向做伸缩运动。此处，止挡件236b能够下降的最低高度需低于装载蓝宝石晶片的陶瓷盘5的表面高度，这样设置的目的是为了使蓝宝石晶片4在二次水洗工位23下方进行清洗时，止挡件236b能够对装载蓝宝石晶片的陶瓷盘5起到止挡作用，从而避免蓝宝石晶片4在没有得到充分清洗的情况下传送至下个工位。此外，止挡件236b在对装载蓝宝石晶片的陶瓷盘5进行止挡时有可能会对装载蓝宝石晶片的陶瓷盘5的侧壁造成磕碰，因而可以将止挡件236b工作面，即止挡件236b的用于接触装载蓝宝石晶片的陶瓷盘5的侧面，加工成与装载蓝宝石晶片的陶瓷盘5的侧壁相吻合的圆弧形，以增大止挡件236b与装载蓝宝石晶片的陶瓷盘5之间的接触面积，从而降低磕碰风险。此处，还可以将止挡件236b的材质设置为橡胶或者硅胶等，以进一步降低止挡件236b与装载蓝宝石晶片的陶瓷盘5接触时的磕碰风险。
此外，为使上述过程便于自动化控制，还可以采用控制器控制第四动力机构236a的方式来间接地控制连接在第四动力机构236a上的止挡件236b做止挡运动，以此来对二次水洗工位23下方的装载蓝宝石晶片的陶瓷盘5进行止挡。其中，关于控制器与第四动力机构236a之间电性连接的相关内容采用现有技术即可实现，本实施例在此不再赘述。
参照图1和图10所示，作为一种可能的实现方式，风干工位24包括风干件241，风干件241设置在传送带21的上方，风干件241的内部中空，风干件241上设置有与其内部连通的进气部241a和出气部241b，出气部241b的出气口朝向传送带21设置。
需要说明的是，本实施例中，风干件241可以为圆管状，其侧壁上开设有能够连接外界气管的进气部241a和能够用于向蓝宝石晶片4的表面喷气的出气部241b。此处，进气部241a可以为开设在风干件241的侧壁上且与其内部连通的开口，出气部241b可以为与风干件241的内部连通的细管。此处，之所以将出气部241b设置为与风干件241的内部连通的细管，其目的主要是为了使出气部241b的出气口能够具有较远的喷射射程，以便能够将气体喷射至蓝宝石晶片4的表面，最终使蓝宝石晶片4上残留的水渍得到去除。此处，为提高风干效果，可以设置风干件241能够绕着其中轴线做一定角度的旋转，例如，风干件241能够绕着其中轴线做10°、15°、20°、25°或者30°的旋转，以使来自风干件241上的出气部241b中的气体能够对风干工位24下方的蓝宝石晶片4的表面进行全面彻底的风干。
此外，为使上述过程便于自动化控制，可以通过控制器来控制风干件241工作，以便当装载蓝宝石晶片的陶瓷盘5经过风干工位24时，其上装载的蓝宝石晶片4恰好受到来自风干件241中的气体的风干。其中，关于风干件241与控制器之间电性连接的相关内容采用现有技术即可实现，本实施例在此不再赘述。
参照图1和图11所示，作为一种可能的实现方式，蓝宝石晶片的测量装置还包括废液处理工位6，废液处理工位6包括排液结构和设置在传送带21下方的废液导出结构61，其中，废液导出结构61的水平投影覆盖排液结构的水平投影。
需要说明的是，本实施例中，排液结构用于将一次水洗工位22和二次水洗工位23中排出的多余水从传送带21上引出，而废液导出结构61则用于承接排液结构中排出的水，并将此部分水引导至外部。
关于排液结构的实现方式有以下三种：
其中一种实现方式是，排液结构设置在传送带21上，排液结构为开设在传送带21上的多个通孔。
需要说明的是，本实施例中，在保证传送带21的传送效果的前提下，可以将排液结构的多个通孔均匀开设在传送带21上，以使一次水洗工位22和二次水洗工位23中产生的废水通过多个该通孔顺利排放至传送带21下方的废液导出结构61中，并最终通过废液导出结构61将此部分废水引导至外部。
第二种实现方式是，排液结构设置在传送带21的侧方，传送带21的两侧设置有挡板，排液结构为传送带21与挡板之间预留的一段间隙。
需要说明的是，本实施例中，可以将排液结构设置为传送带21与挡板之间的一段间隙，此间隙的大小以能够顺利排出一次水洗工位22和二次水洗工位23中产生的废水为准。相较于排液结构为均匀开设在传送带21上的多个通孔的这种结构会破坏传送带21的表面结构，降低其使用寿命而言，废液结构采用设置为传送带21与挡板之间的一段间隙可以完整地保留传送带21的表面结构，从而延长传送带21的使用寿命。工作时，一次水洗工位22和二次水洗工位23中产生的废水通过该间隙排放至传送带21下方的废液导出结构61中，并最终通过废液导出结构61将此部分废水引导至外部。
第三种实现方式是，排液结构的一部分设置在传送带21上，即排液结构的一部分为开设在传送带21上的多个通孔，另一部分设置在传送带21的侧方，也即传送带21的两侧设置有挡板，排液结构的另一部分为传送带21与挡板之间预留的一段间隙。
需要说明的是，本实施例中，排液结构的实现方式综合了上述两种实施例中描述的情况，其排水效果优于以上两种实施例中排液结构的排水效果，使一次水洗工位22和二次水洗工位23在工作过程中产生的废水能够更加及时地排出至传送带21下方的废液导出结构61中，并通过废液导出结构61将此部分废水引导至外部。
参照图11所示，作为一种可能的实现方式，废液导出结构61包括废液存储箱611，废液存储箱611上设置有集液口611a和出液口611b，集液口611a位于废液存储箱611的顶部，出液口611b位于废液存储箱611的底部，其中，集液口611a的水平投影覆盖排液结构的水平投影。
需要说明的是，本实施例中，废液存储箱611可以为倒置的棱锥形状，其中，棱锥的大端设置为集液口611a，而出液口611b则设置在棱锥的小端处。相较于废液存储箱611为正置的棱锥形状，且棱锥的小端设置为集液口611a，而出液口611b设置在棱锥的大端处而言，本实施例中的设置方式能够更为方便地对一次水洗工位22和二次水洗工位23中产生的废水进行收集和排出。
参照图1至图11所示，关于该蓝宝石晶片的测量装置的具体工作原理如下：
使用时，将装载蓝宝石晶片的陶瓷盘5放置在上料工位1中的第二承载件13上，此时，第二传感器检测到第二承载件13上放置有装载蓝宝石晶片的陶瓷盘5，第二传感器将信号发送给控制器，控制器控制第二动力机构14运动。具体地，控制器控制第二动力机构14开始运动，并使第二动力机构14的输出端上设置的缓冲件141与装载蓝宝石晶片的陶瓷盘5的侧壁相接触，第二动力机构14通过缓冲件141推动装载蓝宝石晶片的陶瓷盘5朝着传送带21的传送方向运动。由于第二辅助件15的辅助作用，装载蓝宝石晶片的陶瓷盘5从第二承载件13上能够平稳递送至传送带21上。
与此同时，控制器控制一次水洗工位22中的喷淋件221上的喷液部221b朝着传送带21喷射水流，当装载蓝宝石晶片的陶瓷盘5经过一次水洗工位22下方时，其上装载的蓝宝石晶片4被水流冲洗。并且，此时控制器控制挡停机构236中的第四动力机构236a带动止挡件236b做竖直向下运动，直至止挡件236b能够对传送带21上传送的装载蓝宝石晶片的陶瓷盘5起到止挡其继续向前运动的作用。
之后，装载蓝宝石晶片的陶瓷盘5沿着传送带21的传送方向继续运动到二次水洗工位23的下方，并被第三传感器检测到，第三传感器将信号发送给控制器，控制器控制第三动力机构233运动，第三动力机构233通过连接件234带动清洗件235旋转，以使清洗件235对装载蓝宝石晶片的陶瓷盘5中的蓝宝石晶片4的表面进行清洁。与此同时，控制器通过控制注水孔234a中设置的电磁阀来控制水流通过连接件234上的注水孔234a流入蓝宝石晶片4的表面，在水流与清洗件235的共同作用下，蓝宝石晶片4的表面进行了第二次清洗。
当第三动力机构233工作预设时长后，即清洗件235对所有蓝宝石晶片4的表面完成彻底清洗后，控制器控制第三动力机构233停止运动。同时，控制器控制第四动力机构236a带动止挡件236b向上回缩，以使经过二次清洗的装载蓝宝石晶片的陶瓷盘5能够顺利从二次水洗工位23下方通过。
之后，装载蓝宝石晶片的陶瓷盘5继续沿着传送带21的传送方向向前运动，此时，控制器控制风干工位24开启。当装载蓝宝石晶片的陶瓷盘5从风干工位24下方通过时，控制器控制风干件241上的出气部241b开启，以使出气部241b对装载蓝宝石晶片的陶瓷盘5中的蓝宝石晶片4的表面进行风干处理。
之后，装载蓝宝石晶片的陶瓷盘5继续沿着传送带21的传送方向运动，直至其在第一辅助件35的辅助作用下被递送至第一承载件33上。此时，第一传感器检测到第一承载件33上放置有装载蓝宝石晶片的陶瓷盘5，第一传感器将信号发送给控制器，控制器控制第一动力机构34带动第一承载件33做旋转运动，由于装载蓝宝石晶片的陶瓷盘5放置在第一承载件33上，因而装载蓝宝石晶片的陶瓷盘5也随之做旋转运动，直至第一承载件33旋转完一圈，控制器在此控制第一动力机构34停止运动。在此过程中，随着装载蓝宝石晶片的陶瓷盘5的旋转，蓝宝石晶片4也在旋转，由此，便可通过测量结构36对装载蓝宝石晶片的陶瓷盘5中的蓝宝石晶片4的厚度进行检测，以最终得到这些蓝宝石晶片4的TTV值。至此，该蓝宝石晶片的的测量装置的使用过程结束。
以上结合附图详细描述了本公开的优选实施方式，但是，本公开并不限于上述实施方式中的具体细节，在本公开的技术构思范围内，可以对本公开的技术方案进行多种简单变型，这些简单变型均属于本公开的保护范围。
另外需要说明的是，在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征，在不矛盾的情况下，可以通过任何合适的方式进行组合。为了避免不必要的重复，本公开对各种可能的组合方式不再另行说明。
此外，本公开的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合，只要其不违背本公开的思想，其同样应当视为本公开所公开的内容。
Claims (20)
1.一种蓝宝石晶片的测量装置，其特征在于，包括上料工位(1)、清洗工位(2)以及测量工位(3)，所述清洗工位(2)包括传送带(21)和沿传送带(21)依次布置的一次水洗工位(22)、二次水洗工位(23)以及风干蓝宝石晶片(4)的风干工位(24)，所述上料工位(1)设置在所述传送带(21)的上游，用于向所述传送带(21)递送待清洗的所述蓝宝石晶片(4)，所述测量工位(3)设置在所述传送带(21)的下游，用于承接已清洗的所述蓝宝石晶片(4)以使得所述蓝宝石晶片(4)的TTV值得到检测。
2.根据权利要求1所述的蓝宝石晶片的测量装置，其特征在于，所述测量工位(3)包括第一安装架(31)、第一承托面(32)以及第一承载件(33)，所述第一安装架(31)设置在所述风干工位(24)的下游，所述第一承托面(32)设置在所述第一安装架(31)的顶部，所述第一承载件(33)设置在所述第一承托面(32)上，所述第一承载件(33)用于承接从所述风干工位(24)递送过来的装载蓝宝石晶片的陶瓷盘(5)。
3.根据权利要求2所述的蓝宝石晶片的测量装置，其特征在于，所述测量工位(3)还包括第一动力机构(34)，所述第一动力机构(34)设置在所述第一承托面(32)的下方，所述第一动力机构(34)的输出端穿过所述第一承托面(32)与所述第一承载件(33)的底部连接，当所述装载蓝宝石晶片的陶瓷盘(5)从所述风干工位(24)递送至所述第一承载件(33)上时，所述第一动力机构(34)带动所述第一承载件(33)旋转。
4.根据权利要求3所述的蓝宝石晶片的测量装置，其特征在于，所述测量工位(3)还包括设置在所述第一承托面(32)上的第一辅助件(35)，所述第一辅助件(35)位于所述第一承载件(33)的靠近所述风干工位(24)的一侧，所述第一辅助件(35)用于辅助所述装载蓝宝石晶片的陶瓷盘(5)从所述风干工位(24)递送至所述第一承载件(33)上。
5.根据权利要求3或4所述的蓝宝石晶片的测量装置，其特征在于，所述测量工位(3)还包括测量结构(36)，所述测量结构(36)包括第二安装架(361)、第二承托面(362)以及测量件(363)，所述第二安装架(361)设置在所述第一安装架(31)的顶部，所述第二承托面(362)设置在所述第二安装架(361)的顶部，所述第二承托面(362)位于所述第一承托面(32)上方且平行于所述第一承托面(32)，所述测量件(363)设置在所述第二承托面(362)上，所述测量件(363)用于对放置在所述第一承载件(33)上的所述装载蓝宝石晶片的陶瓷盘(5)中的所述蓝宝石晶片(4)的TTV值进行检测。
6.根据权利要求1所述的蓝宝石晶片的测量装置，其特征在于，所述上料工位(1)包括第三安装架(11)、第三承托面(12)、第二承载件(13)以及第二动力机构(14)，所述第三安装架(11)设置在所述一次水洗工位(22)的上游，所述第三承托面(12)设置在所述第三安装架(11)的顶部，所述第二承载件(13)设置在所述第三承托面(12)上，所述第二动力机构(14)设置在所述第三安装架(11)上，所述第二动力机构(14)用于推动所述第二承载件(13)上放置的装载蓝宝石晶片的陶瓷盘(5)递送至所述一次水洗工位(22)。
7.根据权利要求6所述的蓝宝石晶片的测量装置，其特征在于，所述第二动力机构(14)的输出端还设置有缓冲件(141)，所述缓冲件(141)的靠近所述一次水洗工位(22)的一端设置为弧形面。
8.根据权利要求6或7所述的蓝宝石晶片的测量装置，其特征在于，所述上料工位(1)还包括设置在所述第三承托面(12)上的第二辅助件(15)，所述第二辅助件(15)位于所述第二承载件(13)的靠近所述一次水洗工位(22)的一侧，所述第二辅助件(15)用于辅助所述装载蓝宝石晶片的陶瓷盘(5)从所述第二承载件(13)上递送至所述一次水洗工位(22)。
9.根据权利要求1所述的蓝宝石晶片的测量装置，其特征在于，所述一次水洗工位(22)包括中空的喷淋件(221)，所述喷淋件(221)设置在所述传送带(21)的上方，所述喷淋件(221)上设置有注液部(221a)和喷液部(221b)，所述注液部(221a)与所述喷液部(221b)均与所述喷淋件(221)的内部连通，且所述喷液部(221b)的出液口朝向所述传送带(21)设置。
10.根据权利要求1所述的蓝宝石晶片的测量装置，其特征在于，所述二次水洗工位(23)包括第四安装架(231)、第四承托面(232)、第三动力机构(233)、连接件(234)以及清洗件(235)，所述第四安装架(231)设置在所述传送带(21)的上方且横跨所述传送带(21)，所述第四承托面(232)设置在所述第四安装架(231)的顶部，所述第三动力机构(233)设置在所述第四承托面(232)上，所述第三动力机构(233)的输出端穿过所述第四承托面(232)与所述连接件(234)连接，所述清洗件(235)设置在所述连接件(234)上。
11.根据权利要求10所述的蓝宝石晶片的测量装置，其特征在于，所述清洗件(235)为柔性清洗件。
12.根据权利要求10所述的蓝宝石晶片的测量装置，其特征在于，所述清洗件(235)为环形清洗件。
13.根据权利要求12所述的蓝宝石晶片的测量装置，其特征在于，所述连接件(234)上还设置有贯通的注水孔(234a)，所述注水孔(234a)的出水口位于所述环形清洗件的环形之中且朝向所述传送带(21)设置。
14.根据权利要求10至13中任一项所述的蓝宝石晶片的测量装置，其特征在于，所述二次水洗工位(23)还包括用于止挡所述传送带(21)上正在进行二次清洗的装载蓝宝石晶片的陶瓷盘(5)传送至所述风干工位(24)的挡停机构(236)，所述挡停机构(236)包括第四动力机构(236a)和止挡件(236b)，所述第四动力机构(236a)设置在所述第四承托面(232)上，且沿所述传送带(21)的输送方向，所述第四动力机构(236a)位于所述第三动力机构(233)的后方，所述第四动力机构(236a)的输出端穿过所述第四承托面(232)与所述止挡件(236b)连接，其中，所述第四动力机构(236a)的输出方向为竖直方向。
15.根据权利要求1所述的蓝宝石晶片的测量装置，其特征在于，所述风干工位(24)包括风干件(241)，所述风干件(241)设置在所述传送带(21)的上方，所述风干件(241)的内部中空，所述风干件(241)上设置有与其内部连通的进气部(241a)和出气部(241b)，所述出气部(241b)的出气口朝向所述传送带(21)设置。
16.根据权利要求1所述的蓝宝石晶片的测量装置，其特征在于，所述蓝宝石晶片的测量装置还包括废液处理工位(6)，所述废液处理工位(6)包括排液结构和设置在所述传送带(21)下方的废液导出结构(61)，所述排液结构设置在所述传送带(21)上，和/或所述排液结构设置在所述传送带(21)的侧方，所述废液导出结构(61)的水平投影覆盖所述排液结构的水平投影。
17.根据权利要求16所述的蓝宝石晶片的测量装置，其特征在于，所述排液结构设置在所述传送带(21)上，所述排液结构为开设在所述传送带(21)上的多个通孔。
18.根据权利要求16所述的蓝宝石晶片的测量装置，其特征在于，所述排液结构设置在所述传送带(21)的侧方，所述传送带(21)的两侧设置有挡板，所述排液结构为所述传送带(21)与所述挡板之间预留的一段间隙。
19.根据权利要求16所述的蓝宝石晶片的测量装置，其特征在于，所述排液结构的一部分设置在所述传送带(21)上，所述排液结构的一部分为开设在所述传送带(21)上的多个通孔；所述排液结构的另一部分设置在所述传送带(21)的侧方，所述传送带(21)的两侧设置有挡板，所述排液结构的另一部分为所述传送带(21)与所述挡板之间预留的一段间隙。
20.根据权利要求16至19中任一项所述的蓝宝石晶片的测量装置，其特征在于，所述废液导出结构(61)包括废液存储箱(611)，所述废液存储箱(611)上设置有集液口(611a)和出液口(611b)，所述集液口(611a)位于所述废液存储箱(611)的顶部，所述出液口(611b)位于所述废液存储箱(611)的底部，其中，所述集液口(611a)的水平投影覆盖所述排液结构的水平投影。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111629241.9A CN114427818A (zh) | 2021-12-28 | 2021-12-28 | 蓝宝石晶片的测量装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111629241.9A CN114427818A (zh) | 2021-12-28 | 2021-12-28 | 蓝宝石晶片的测量装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114427818A true CN114427818A (zh) | 2022-05-03 |
Family
ID=81310471
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202111629241.9A Pending CN114427818A (zh) | 2021-12-28 | 2021-12-28 | 蓝宝石晶片的测量装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114427818A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116448027A (zh) * | 2023-06-16 | 2023-07-18 | 浙江晶盛机电股份有限公司 | 晶圆测量系统及晶圆测量方法 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN204353881U (zh) * | 2014-11-27 | 2015-05-27 | 六安瑞兴机械设备科技有限公司 | 一种全自动料架的送料机构 |
| KR101747083B1 (ko) * | 2017-02-09 | 2017-06-16 | 씨엠티 주식회사 | 웨이퍼의 표면개질 자동검사시스템 |
| CN208495075U (zh) * | 2018-06-29 | 2019-02-15 | 浙江贝盛新材料科技有限公司 | 单晶硅片的清洗装置 |
| CN110600406A (zh) * | 2019-09-24 | 2019-12-20 | 拓思精工科技(苏州)有限公司 | 一种陶瓷盘与晶片的清洗贴合一体机 |
| CN110617771A (zh) * | 2019-10-18 | 2019-12-27 | 杭州中为光电技术有限公司 | 用于自动检测蓝宝石晶片厚度的装置 |
| CN211303916U (zh) * | 2019-12-18 | 2020-08-21 | 青岛高测科技股份有限公司 | 一种板材自动双面清洁定位输送线 |
| CN111921945A (zh) * | 2020-07-14 | 2020-11-13 | 海盐得胜化工设备有限公司 | 一种多晶硅规整填料清洗工艺 |
| CN212461617U (zh) * | 2020-07-14 | 2021-02-02 | 常州捷佳创精密机械有限公司 | 硅片清洗装置及硅片双面清洗设备 |
-
2021
- 2021-12-28 CN CN202111629241.9A patent/CN114427818A/zh active Pending
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN204353881U (zh) * | 2014-11-27 | 2015-05-27 | 六安瑞兴机械设备科技有限公司 | 一种全自动料架的送料机构 |
| KR101747083B1 (ko) * | 2017-02-09 | 2017-06-16 | 씨엠티 주식회사 | 웨이퍼의 표면개질 자동검사시스템 |
| CN208495075U (zh) * | 2018-06-29 | 2019-02-15 | 浙江贝盛新材料科技有限公司 | 单晶硅片的清洗装置 |
| CN110600406A (zh) * | 2019-09-24 | 2019-12-20 | 拓思精工科技(苏州)有限公司 | 一种陶瓷盘与晶片的清洗贴合一体机 |
| CN110617771A (zh) * | 2019-10-18 | 2019-12-27 | 杭州中为光电技术有限公司 | 用于自动检测蓝宝石晶片厚度的装置 |
| CN211303916U (zh) * | 2019-12-18 | 2020-08-21 | 青岛高测科技股份有限公司 | 一种板材自动双面清洁定位输送线 |
| CN111921945A (zh) * | 2020-07-14 | 2020-11-13 | 海盐得胜化工设备有限公司 | 一种多晶硅规整填料清洗工艺 |
| CN212461617U (zh) * | 2020-07-14 | 2021-02-02 | 常州捷佳创精密机械有限公司 | 硅片清洗装置及硅片双面清洗设备 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116448027A (zh) * | 2023-06-16 | 2023-07-18 | 浙江晶盛机电股份有限公司 | 晶圆测量系统及晶圆测量方法 |
| CN116448027B (zh) * | 2023-06-16 | 2023-10-13 | 浙江晶盛机电股份有限公司 | 晶圆测量系统及晶圆测量方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101891128B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 토출 기구 세정 방법 | |
| KR101852705B1 (ko) | 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법 | |
| KR100379650B1 (ko) | 기판세정장치및기판세정방법 | |
| KR20160024818A (ko) | 기판 처리 장치 | |
| JPH07307321A (ja) | 洗浄方法及び洗浄装置 | |
| TW200805450A (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
| CN114427818A (zh) | 蓝宝石晶片的测量装置 | |
| CN204866740U (zh) | 全自动清洗机 | |
| KR102377848B1 (ko) | 기판 액처리 장치 | |
| TWI790282B (zh) | 基板處理裝置、基板處理方法及記錄媒體 | |
| CN107081683B (zh) | 一种金属表面处理装置 | |
| KR101816692B1 (ko) | 기판 처리 시스템 | |
| KR102435162B1 (ko) | 연마 장치 | |
| TWI819050B (zh) | 非接觸式的清潔模組 | |
| JP7169769B2 (ja) | 基板裏面研磨部材のドレッシング装置及びドレッシング方法 | |
| JP3420046B2 (ja) | 洗浄装置 | |
| CN100437923C (zh) | 半导体晶片的清洗方法和清洗装置 | |
| JP2007036152A (ja) | ウェーハ洗浄乾燥方法及びウェーハ洗浄乾燥装置 | |
| KR100710685B1 (ko) | 기판수납용기용 건식세정장치 | |
| JP5894490B2 (ja) | 研削装置 | |
| CN114649245B (zh) | 一种用于承载和清洁硅片的装置 | |
| KR20180058020A (ko) | 골프채 세척장치 | |
| JP6578040B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| CN209318337U (zh) | 一种可计数的螺母植入机 | |
| JPH0766161A (ja) | ウエ−ハ枚葉洗浄装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |