CN111921945A - 一种多晶硅规整填料清洗工艺 - Google Patents

一种多晶硅规整填料清洗工艺 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种多晶硅规整填料清洗工艺，包括以下步骤：步骤S1清洗前处理；步骤S2沥干；步骤S3上料；步骤S4第一次超声波清洗；步骤S5第二次超声波清洗；步骤S6第一次鼓泡漂洗；步骤S7第二次鼓泡漂洗；步骤S8超纯水清洗；步骤S9喷淋处理；步骤S10风机吹水；步骤S11烘干处理；步骤S12检测；步骤S13包装；本发明通过将多晶硅进行多次超声波清洗、纯水清洗、喷淋清洗等多道步骤，能够提高多晶硅清洗质量，提高清洗效率，减小人工劳动强度，提高多晶硅成品质量。

Description

一种多晶硅规整填料清洗工艺
【技术领域】
本发明涉及多晶硅的技术领域，特别是多晶硅清洗工艺的技术领域。
【背景技术】
多晶硅，是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅，多晶硅在生产过程中需要将附着在多晶硅表面的污渍、灰尘清洗掉，以提高多晶硅纯度，提高成品质量。
【发明内容】
本发明的目的就是解决现有技术中的问题，提出一种多晶硅规整填料清洗工艺，能够提高多晶硅清洗质量，提高清洗效率。
为实现上述目的，本发明提出了一种多晶硅规整填料清洗工艺，包括以下步骤：
步骤S1清洗前处理：将多晶硅通过喷淋设备进行喷淋清洗，喷淋时间5-15min；
步骤S2沥干：将步骤S1中喷淋完成的多晶硅沥干水份；
步骤S3上料：将步骤S2中沥干水份的多晶硅导入清洗设备内：
步骤S4第一次超声波清洗：将多晶硅导入第一超声波清洗槽内，进行第一次超声波清洗，清洗时间2-10min；
步骤S5第二次超声波清洗：将步骤S4中清洗后的多晶硅导入第二超声波清洗槽内，进行第二次超声波清洗，清洗时间2-10min；
步骤S6第一次鼓泡漂洗：将步骤S5中第二次超声波清洗完成的多晶硅导入鼓泡漂洗槽内，通过鼓泡机进行鼓泡清洗，清洗时间2-10min；
步骤S7第二次鼓泡漂洗：将步骤S6中第一次鼓泡漂洗完成的多晶硅导入第二鼓泡漂洗槽内，通过鼓泡机进行鼓泡清洗，清洗时间2-10min；
步骤S8超纯水清洗：将步骤S7第二次鼓泡漂洗完成的多晶硅导入超纯水槽内，通过超纯水进行超纯水清洗，清洗时间为2-10min；
步骤S9喷淋处理：将步骤步骤S8超纯水清洗完成的多晶硅导入喷淋区，进行喷淋处理，喷淋时间5-15min；
步骤S10风机吹水：将喷淋处理后的多晶硅导入鼓风风机区，通过风机进行吹水，将多晶硅表面水份初步风干；
步骤S11烘干处理：将风干后的多晶硅导入烘干炉，通过热风循环加热，进行烘干处理，彻底烘干多晶硅表面水份，烘干时间10-15min；
步骤S12检测：将烘干后的多晶硅自然冷却，冷却完成后进行检验，剔除不合格产品；
步骤S13包装：使用无尘PVC膜将检验合格的多晶硅缠绕包装，包装完成后置于木箱内封存。
作为优选，所述的步骤S4第一次超声波清洗、步骤S5第二次超声波清洗中清洗液温度为50-60℃。
作为优选，所述的步骤S6第一次鼓泡漂洗、步骤S7第二次鼓泡漂洗中均使用纯水作为清洗液。
作为优选，所述的步骤S7第二次鼓泡漂洗清洗液温度为50-60℃。
作为优选，所述的步骤S11烘干处理中热空气温度为110-120℃。
本发明一种多晶硅规整填料清洗工艺的有益效果：本发明通过将多晶硅进行多次超声波清洗、纯水清洗、喷淋清洗等多道步骤，能够提高多晶硅清洗质量，提高清洗效率，减小人工劳动强度，提高多晶硅成品质量。
本发明的特征及优点将通过实施例进行详细说明。
【具体实施方式】
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明了，下面通过实施例，对本发明进行进一步详细说明。但是应该理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限制本发明的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本发明的概念。
实施例一：
本发明一种多晶硅规整填料清洗工艺，包括以下步骤：
步骤S1清洗前处理：将多晶硅通过喷淋设备进行喷淋清洗，喷淋时间5min；
步骤S2沥干：将步骤S1中喷淋完成的多晶硅沥干水份；
步骤S3上料：将步骤S2中沥干水份的多晶硅导入清洗设备内：
步骤S4第一次超声波清洗：将多晶硅导入第一超声波清洗槽内，进行第一次超声波清洗，清洗时间2min；
步骤S5第二次超声波清洗：将步骤S4中清洗后的多晶硅导入第二超声波清洗槽内，进行第二次超声波清洗，清洗时间2min；
步骤S6第一次鼓泡漂洗：将步骤S5中第二次超声波清洗完成的多晶硅导入鼓泡漂洗槽内，通过鼓泡机进行鼓泡清洗，清洗时间2min；
步骤S7第二次鼓泡漂洗：将步骤S6中第一次鼓泡漂洗完成的多晶硅导入第二鼓泡漂洗槽内，通过鼓泡机进行鼓泡清洗，清洗时间2min；
步骤S8超纯水清洗：将步骤S7第二次鼓泡漂洗完成的多晶硅导入超纯水槽内，通过超纯水进行超纯水清洗，清洗时间为2min；
步骤S9喷淋处理：将步骤步骤S8超纯水清洗完成的多晶硅导入喷淋区，进行喷淋处理，喷淋时间5min；
步骤S10风机吹水：将喷淋处理后的多晶硅导入鼓风风机区，通过风机进行吹水，将多晶硅表面水份初步风干；
步骤S11烘干处理：将风干后的多晶硅导入烘干炉，通过热风循环加热，进行烘干处理，彻底烘干多晶硅表面水份，烘干时间10min；
步骤S12检测：将烘干后的多晶硅自然冷却，冷却完成后进行检验，剔除不合格产品；
步骤S13包装：使用无尘PVC膜将检验合格的多晶硅缠绕包装，包装完成后置于木箱内封存。
所述的步骤S4第一次超声波清洗、步骤S5第二次超声波清洗中清洗液温度为50℃，所述的步骤S6第一次鼓泡漂洗、步骤S7第二次鼓泡漂洗中均使用纯水作为清洗液，所述的步骤S7第二次鼓泡漂洗清洗液温度为50℃，所述的步骤S11烘干处理中热空气温度为110℃。
实施例二：
本发明一种多晶硅规整填料清洗工艺，包括以下步骤：
步骤S1清洗前处理：将多晶硅通过喷淋设备进行喷淋清洗，喷淋时间15min；
步骤S2沥干：将步骤S1中喷淋完成的多晶硅沥干水份；
步骤S3上料：将步骤S2中沥干水份的多晶硅导入清洗设备内：
步骤S4第一次超声波清洗：将多晶硅导入第一超声波清洗槽内，进行第一次超声波清洗，清洗时间10min；
步骤S5第二次超声波清洗：将步骤S4中清洗后的多晶硅导入第二超声波清洗槽内，进行第二次超声波清洗，清洗时间10min；
步骤S6第一次鼓泡漂洗：将步骤S5中第二次超声波清洗完成的多晶硅导入鼓泡漂洗槽内，通过鼓泡机进行鼓泡清洗，清洗时间10min；
步骤S7第二次鼓泡漂洗：将步骤S6中第一次鼓泡漂洗完成的多晶硅导入第二鼓泡漂洗槽内，通过鼓泡机进行鼓泡清洗，清洗时间10min；
步骤S8超纯水清洗：将步骤S7第二次鼓泡漂洗完成的多晶硅导入超纯水槽内，通过超纯水进行超纯水清洗，清洗时间为10min；
步骤S9喷淋处理：将步骤步骤S8超纯水清洗完成的多晶硅导入喷淋区，进行喷淋处理，喷淋时间15min；
步骤S10风机吹水：将喷淋处理后的多晶硅导入鼓风风机区，通过风机进行吹水，将多晶硅表面水份初步风干；
步骤S11烘干处理：将风干后的多晶硅导入烘干炉，通过热风循环加热，进行烘干处理，彻底烘干多晶硅表面水份，烘干时间15min；
步骤S12检测：将烘干后的多晶硅自然冷却，冷却完成后进行检验，剔除不合格产品；
步骤S13包装：使用无尘PVC膜将检验合格的多晶硅缠绕包装，包装完成后置于木箱内封存。
所述的步骤S4第一次超声波清洗、步骤S5第二次超声波清洗中清洗液温度为60℃，所述的步骤S6第一次鼓泡漂洗、步骤S7第二次鼓泡漂洗中均使用纯水作为清洗液，所述的步骤S7第二次鼓泡漂洗清洗液温度为60℃，所述的步骤S11烘干处理中热空气温度为120℃。
实施例三：
本发明一种多晶硅规整填料清洗工艺，包括以下步骤：
步骤S1清洗前处理：将多晶硅通过喷淋设备进行喷淋清洗，喷淋时间8min；
步骤S2沥干：将步骤S1中喷淋完成的多晶硅沥干水份；
步骤S3上料：将步骤S2中沥干水份的多晶硅导入清洗设备内：
步骤S4第一次超声波清洗：将多晶硅导入第一超声波清洗槽内，进行第一次超声波清洗，清洗时间6min；
步骤S5第二次超声波清洗：将步骤S4中清洗后的多晶硅导入第二超声波清洗槽内，进行第二次超声波清洗，清洗时间6min；
步骤S6第一次鼓泡漂洗：将步骤S5中第二次超声波清洗完成的多晶硅导入鼓泡漂洗槽内，通过鼓泡机进行鼓泡清洗，清洗时间6min；
步骤S7第二次鼓泡漂洗：将步骤S6中第一次鼓泡漂洗完成的多晶硅导入第二鼓泡漂洗槽内，通过鼓泡机进行鼓泡清洗，清洗时间6min；
步骤S8超纯水清洗：将步骤S7第二次鼓泡漂洗完成的多晶硅导入超纯水槽内，通过超纯水进行超纯水清洗，清洗时间为6min；
步骤S9喷淋处理：将步骤步骤S8超纯水清洗完成的多晶硅导入喷淋区，进行喷淋处理，喷淋时间6min；
步骤S10风机吹水：将喷淋处理后的多晶硅导入鼓风风机区，通过风机进行吹水，将多晶硅表面水份初步风干；
步骤S11烘干处理：将风干后的多晶硅导入烘干炉，通过热风循环加热，进行烘干处理，彻底烘干多晶硅表面水份，烘干时间13min；
步骤S12检测：将烘干后的多晶硅自然冷却，冷却完成后进行检验，剔除不合格产品；
步骤S13包装：使用无尘PVC膜将检验合格的多晶硅缠绕包装，包装完成后置于木箱内封存。
所述的步骤S4第一次超声波清洗、步骤S5第二次超声波清洗中清洗液温度为55℃，所述的步骤S6第一次鼓泡漂洗、步骤S7第二次鼓泡漂洗中均使用纯水作为清洗液，所述的步骤S7第二次鼓泡漂洗清洗液温度为55℃，所述的步骤S11烘干处理中热空气温度为115℃。
上述实施例是对本发明的说明，不是对本发明的限定，任何对本发明简单变换后的方案均属于本发明的保护范围。

Claims (5)

1.一种多晶硅规整填料清洗工艺，其特征在于：包括以下步骤：
步骤S1清洗前处理：将多晶硅通过喷淋设备进行喷淋清洗，喷淋时间5-15min；
步骤S2沥干：将步骤S1中喷淋完成的多晶硅沥干水份；
步骤S3上料：将步骤S2中沥干水份的多晶硅导入清洗设备内：
步骤S4第一次超声波清洗：将多晶硅导入第一超声波清洗槽内，进行第一次超声波清洗，清洗时间2-10min；
步骤S5第二次超声波清洗：将步骤S4中清洗后的多晶硅导入第二超声波清洗槽内，进行第二次超声波清洗，清洗时间2-10min；
步骤S6第一次鼓泡漂洗：将步骤S5中第二次超声波清洗完成的多晶硅导入鼓泡漂洗槽内，通过鼓泡机进行鼓泡清洗，清洗时间2-10min；
步骤S7第二次鼓泡漂洗：将步骤S6中第一次鼓泡漂洗完成的多晶硅导入第二鼓泡漂洗槽内，通过鼓泡机进行鼓泡清洗，清洗时间2-10min；
步骤S8超纯水清洗：将步骤S7第二次鼓泡漂洗完成的多晶硅导入超纯水槽内，通过超纯水进行超纯水清洗，清洗时间为2-10min；
步骤S9喷淋处理：将步骤步骤S8超纯水清洗完成的多晶硅导入喷淋区，进行喷淋处理，喷淋时间5-15min；
步骤S10风机吹水：将喷淋处理后的多晶硅导入鼓风风机区，通过风机进行吹水，将多晶硅表面水份初步风干；
步骤S11烘干处理：将风干后的多晶硅导入烘干炉，通过热风循环加热，进行烘干处理，彻底烘干多晶硅表面水份，烘干时间10-15min；
步骤S12检测：将烘干后的多晶硅自然冷却，冷却完成后进行检验，剔除不合格产品；
步骤S13包装：使用无尘PVC膜将检验合格的多晶硅缠绕包装，包装完成后置于木箱内封存。
2.如权利要求1所述的一种多晶硅规整填料清洗工艺，其特征在于：所述的步骤S4第一次超声波清洗、步骤S5第二次超声波清洗中清洗液温度为50-60℃。
3.如权利要求1所述的一种多晶硅规整填料清洗工艺，其特征在于：所述的步骤S6第一次鼓泡漂洗、步骤S7第二次鼓泡漂洗中均使用纯水作为清洗液。
4.如权利要求1所述的一种多晶硅规整填料清洗工艺，其特征在于：所述的步骤S7第二次鼓泡漂洗清洗液温度为50-60℃。
5.如权利要求1所述的一种多晶硅规整填料清洗工艺，其特征在于：所述的步骤S11烘干处理中热空气温度为110-120℃。
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