CN114424155A - 用于压力处理的分层器件和方法 - Google Patents
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Abstract
本申请涉及一种分层器件。所述器件包括两个基膜、附接到面向第二基膜的第一基膜上的导电图案、和将第一基膜和第二基膜粘结在一起的粘结层。所述粘结层包括开口,导电图案包括与粘结层中的开口对齐的暴露部分。所述器件还包括附接到第一基膜和导电图案的暴露部分的间隔物,其中间隔物填充由粘结层中的开口产生的空间的至少一部分。本发明还涉及一种生产分层器件的方法。
Description
技术领域
本申请涉及用于电子学的分层器件领域。本申请还涉及用于生产分层器件的方法。
背景技术
压力处理技术用于制造分层器件以制造密封且薄的电子器件,并可能将它们形成在表面上。这些技术包括热成型、真空成型、层压和许多其他涉及使用热量和压力的技术。在压力处理中,易碎或位于暴露区域的器件的部件可能容易因从相对侧施加到结构上的压力而损坏。
发明概述
根据本发明的器件的特征在于权利要求1中提出的内容。
所述方法的特征在于权利要求19中提出的内容。
术语“包含/包括”在本说明书中用于表示包括其后的特征或要素,但不排除一个或多个附加特征或要素的存在。
将进一步理解,对“一个(a,an)”项目的提及是指这些项目中的一个或多个。
除非另有说明,否则本说明书中的表述“膜”和“层”应理解为是指其横向尺寸显著大于其厚度的结构。从这个意义上说,膜可以被认为是一种“薄”结构。
根据本发明的第一方面,提供了一种器件。所述器件可以是分层器件、分层电子器件、层压器件、层压电子器件或包括电路的任何其他合适的器件。所述器件包括第一基膜和以预定距离平行于第一基膜定位的第二基膜。第一基膜和第二基膜各自包括两个表面,其中一个表面面向另一个膜的对应表面。第一和第二基膜可以是第一和第二基板。词语“第一”和“第二”可互换使用并且仅用于清楚起见,例如,如果器件水平放置,则第一和第二基膜可以各自为底膜或顶膜等。
所述器件包括附接到第一基膜的面向第二基膜的表面上的导电图案。所述器件还包括至少部分填充第一基膜和第二基膜之间的空间、包围导电图案的一部分并将第一基膜和第二基膜粘结在一起的粘结层。粘结层至少部分将第一和第二基膜彼此连接。连接可以是粘附或任何其他类型的粘结,例如在形成或热处理后将第一和第二基膜粘结在一起的非粘合剂层。
粘结层包括开口,导电图案包括至少一个与粘结层中的开口对齐的暴露部分。器件还包括附接到第一基膜和导电图案的暴露部分的间隔物,其中间隔物填充由粘结层中的开口形成的空间的至少一部分。
在各种电子应用中可能需要粘结层中的开口和导电图案的暴露部分以提供对导电图案接入和可能的连接点。根据第一方面的器件被布置成经受热成型、真空成型、层压或任何其他基于压力并且可能基于温度的制造工艺。在这些工艺中,如果在第一和第二基膜上均匀地施加压力,由于第一和第二基膜相互压入的力,以及由于导电图案的脆性,由于开口而未被粘结层覆盖的导电图案的暴露部分可能会暴露而受到损坏。根据第一方面的器件包括至少一个间隔物,该间隔物填充由开口形成的空间的至少一部分,从而在高压处理期间提供防止导电图案损坏和断裂的保护。
在一个实施方案中,根据第一方面的器件中导电图案的暴露部分的至少一端处于松脱状态且与第一基膜脱离,例如,如果粘结层中的开口与第一和/或第二基膜之一的边界相邻,使得暴露部分位于导电图案的边缘,并因此仅由粘结层固定并在一侧附接到第一基膜上。这可以更容易地接近导电图案的暴露部分,例如用于提供连接点。
根据一个实施方案,间隔物包括刚性固定到第一基膜和导电图案的暴露部分的两个或更多个结构,并且其中这些结构以预定距离彼此相邻定位。
根据实施方案的结构可以包括柱、间隔点或任何其他适于防止在进一步制造期间对导电图案施加过大压力的结构。两个或更多个结构也可以与导电图案的元件相邻放置,以提供更好的保护。这些结构可以在高度上对齐,使得它们的上侧定位在基本相同的水平面上,从而为要压靠的上层形成不连续的表面,从而均匀地保护导电图案免受损坏。
在一个实施方案中,间隔结构包括选自以下的材料:紫外交联性聚合物油墨、可热交联的聚合物油墨和热固性油墨。这些材料提供了在热成型过程中保护所需的刚性、柔韧性和耐温性的组合。这些材料也可以经是紫外线固化的。
在替代的实施方案中,间隔物可以具有不分离成单独结构的实心形状。
根据一个实施方案,间隔物包括剥离涂层,该剥离涂层均匀地填充由粘结层中的开口形成的空间的至少一部分。
剥离涂层可以为导电图案提供保护,并且可用于其中导电图案在热成型后具有一个或多个松脱(loose)端部的应用,从而可以去除(剥离)剥离涂层。然而,刚性固定到第一基膜的来自先前实施方案的柱或其他间隔结构可能更耐用并且提供更高的耐久和耐温性。
剥离涂层可包含聚合物基质、可紫外线或热交联的聚合物。剥离涂层可以在其被印刷之后并且在器件被处理且涂层被剥离之前通过温度或紫外线辐射来固化。除了交联或作为交联的替代,剥离涂层还可以包含溶剂或水基溶液,其中溶剂或水在印刷工艺之后的干燥过程中被蒸发。
在进一步的实施方案中,间隔物可包括刚性固定到第一基膜的彼此相邻定位的两个或更多个分开的间隔结构和剥离涂层的组合。
在一个实施方案中,第一基膜和第二基膜是非导电的。这可以为它们之间的导电图案提供绝缘。非导电第一基膜和第二基膜可包括选自以下的材料:聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、环烯烃共聚物、三乙酸酯、环烯烃共聚物、聚氯乙烯、聚2,6-萘甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚丙烯、聚乙烯及其任何组合。
在一个实施方案中,第一基膜和/或第二基膜是透明的。除非另有说明,否则本说明书中的表述“透明”应理解为是指基膜或其部件和材料在所讨论的相关波长范围内的光学透明度。透明材料或结构是指允许在此相关波长的光或通常电磁辐射通过此材料或结构传播的材料或结构。相关的波长范围可能取决于要使用层压透明膜的应用。在一个实施方案中,相关波长范围是约390-700纳米的可见波长范围。在一个实施方案中,优选的波长范围为850-1550纳米。
此外,基膜或其部件的透明度主要是指层压膜或其部件在厚度方向上的透明度,因此为了“透明”,入射到基膜或其部件上的足够部分的光能应在厚度方向上通过基膜传播。这部分可能取决于要使用基膜的应用。在一个实施方案中,第一和/或第二基膜或其部件的透射率为在其中存在透明导体材料的位置处垂直入射到层压膜上的光能量的20-99.99%。在一个实施方案中,所述透射率为20%或更高,或30%或更高,或40%或更高,或50%或更高,或60%或更高,或70%或更高,或80%或更高,90%或更高。透射率可以根据标准JIS-K7361,ASTM D1003测量。
在一个实施方案中,导电图案包括导电高纵横比分子结构(HARM结构)的网络。
导电“HARM结构”是指导电“纳米结构”,即在纳米尺度(即小于或等于约100纳米)上具有一个或多个特征尺寸的结构。“高纵横比”是指导电结构在两个垂直方向上的尺寸大小存在显著差异。例如,纳米结构的长度可能比其厚度和/或宽度高几十倍或数百倍。在HARM结构网络中,大量所述纳米结构相互连接,形成电互连分子的网络。从宏观角度来看,HAMS网络形成了一种实心的整体材料,其中单个分子结构是无取向或非取向的(即基本上随机取向)或取向的。各种类型的HARMS网络可以具有合理电阻率的薄透明层的形式生产。
在一个实施方案中,导电HARM结构包括金属纳米线,例如银纳米线。
在一个实施方案中,导电HARM结构网络包含碳纳米结构。在一个实施方案中,碳纳米结构包括碳纳米管、碳纳米芽、碳纳米带或其任何组合。在一个实施方案中,碳纳米结构包括碳纳米芽,即碳纳米芽分子。碳纳米芽或碳纳米芽分子具有共价键合到管状碳分子侧面的富勒烯或类富勒烯分子。碳纳米结构(尤其是碳纳米芽)从电学、光学(透明性)和机械(坚固性与柔韧性和/或可变形性相结合)的观点来看都具有优势。
在一个实施方案中,导电图案包括至少一组导电迹线。导电迹线可用于各种分层电子器件。在一些情况下,导电迹线特别脆弱,且可能容易因施加通过第一和第二基膜的压力而断裂,这产生了对诸如根据第一方面的间隔物的保护结构的额外需求。
在一个实施方案中,所述器件还包括附接到第二基膜的面向第一基膜的表面上的第二导电图案,其中附接到第一基膜的面向第二基膜的表面上的导电图案为第一导电图案。该实施方案提供了一种具有至少两个彼此面对并连接到相对基底膜的导电图案的器件。在该实施方案中,间隔物保护第一和第二导电图案免受损坏,这可能由例如在热成型或层压中施加的压力引起。间隔物还可以保护导电迹线不相互短路。
在替代实施方案中,第二导电图案可附接到第一基膜的相对侧或第二基膜的相对侧。
在一个实施方案中,第一和第二导电图案被对齐以在平行的第一和第二基膜的平面中分开。在该实施方案中,将导电图案分开,使得它们可以彼此绝缘,并且在高压处理期间不会损坏。例如,在诸如接触式传感器的应用中,电极可以位于不同的平面上,并且不重叠。
在一个实施方案中,至少部分填充第一基膜和第二基膜之间的空间并包围部分导电图案的粘结层包含粘合剂。粘结层还可以包含选自以下的粘结促进剂:丙烯酸粘合剂、硅粘合剂、聚合物粘合剂、交联性聚合物、环氧粘合剂、聚碳酸酯、热塑性聚氨酯(TPU)及其任意组合。
粘合剂可以是光学透明粘合剂(OCR),其在需要透明膜的器件例如具有显示器的器件中是有利的。
在一个实施方案中,粘结层进一步构造为使其包围的导电图案的部分绝缘。粘合剂可以用作导电图案的绝缘体,从而消除了添加其他绝缘结构或将导电元件彼此分开的必要性。
在一个实施方案中,间隔物填充导电图案的暴露部分和第二基膜之间的空间的至少一部分。间隔物还可进一步绝缘导电图案的暴露部分,并替代开口中的粘合剂,而不具有粘合剂性质且易于移除或允许器件的部件松脱或可拆卸(可脱离)。
在一个实施方案中,间隔物包括能够在高达25℃的温度下承受至少5200巴的压力的机械刚性材料。在一个实施方案中,该材料能够在高达180℃的温度下承受该压力。这些机械刚性材料可包括可UV固化的聚合物基质、丝网印刷油墨、水基聚合物基质或其他合适的材料。合适的材料的实例为Nor-Cote UVS-161,用于刚性固定的间隔物,以及在剥离涂层Kiwomask S 110、Kiwomask S 111或Kiwomask S 150的情况下。
在一个实施方案中,所述器件包括三个或更多个基膜,它们通过粘合剂以堆叠的方式相互附接。在该实施方案中,如第一方面中所述,每个相邻的一对基膜可包括导电图案和在每层粘合剂开口中的间隔物。
在一个示例性实施方案中,提供了一种包括任何先前实施方案的器件的接触式传感器。导电图案的暴露部分包括接触式传感器的至少一个电极。在其他实施方案中,接触式开关、接触式传感器、太阳能板、加热元件和其他设备可以有利地结合根据第一方面的器件。
在一个实施方案例中,第一或第二基膜的厚度为1-5000μm、或10-2000μm、或30-500μm、或50-300μm。该优选尺寸适用于器件的大多数应用,例如接触式开关、接触式传感器、加热元件和太阳能电池。然而,在某些应用中,基膜也可能更厚。第一基膜和第二基膜可以具有相同或不同的厚度。
在第二方面,提供了一种用于生产分层电子器件的方法。所述方法包括提供第一基膜和以预定距离平行于第一基膜定位的第二基膜,将导电图案施加到第一基膜的面向第二基膜的表面上,在第一基膜和部分导电图案上印刷间隔物,通过将粘结层切割成包括开口的预定形状来制备粘结层,将粘结层放置在第一基膜和第二基膜之间以至少部分填充第一基膜和第二基膜之间的空间,并包围部分导电图案,使粘结层中的开口与在第一基膜和部分导电图案上印制的间隔物的位置对齐,并在预定的压力和温度下处理所得分层结构。粘结层可包括粘合剂或可在预定温度下熔化的热塑性薄膜。
可以通过各种方式将粘结层置于第一和第二基膜之间。在一个实施方案中,粘结层以图案印刷在第一基膜和导电图案上。印刷的粘结层的图案可以包括一个或多个开口,因此在该实施方案中,制备粘结层和将其放置在薄膜之间的操作可以在一个步骤中进行。
在处理所得分层结构之前的操作可提供如第一方面的任何实施方案中所述的分层器件。处理得到的分层结构最终完成分层器件的生产。根据一些实施方案,处理可包括成型、热成型、层压或其他压力处理技术。所述方法的益处包括生产效率和改进的所得分层结构,该分层结构尤其在最终压力处理步骤期间受到保护。
在一个实施方案中,通过沉积导电材料并蚀刻导电材料以产生图案,将导电图案施加到第一基膜的面对第二基膜的表面上。在一个实施方案中,导电图案也被施加到第二基膜的表面上。在一个实施方案中,在已将导电材料沉积在第一基膜和/或第二基膜上之后,在导电材料中形成导电图案。
在一个实施方案中,取决于导电图案的材料,本领域现有的各种工艺可用于沉积导电材料。例如,可以通过在真空条件下溅射、印刷、电镀、从气相沉积、在力场中沉积、使用喷涂或旋转干燥从溶液沉积,或通过任何其他合适的方法沉积导电材料。
对于图案化,可以使用各种工艺。在一个实施方案中,将激光工艺、蚀刻工艺、直接印刷、机械工艺、烧制工艺或其任意组合用于图案化。在一个实施方案中,激光工艺是激光烧蚀。在一个实施方案中,蚀刻工艺是光刻工艺。在一个实施方案中,图案是在将导电材料沉积在第一和/或第二基膜上的同时或之后形成的。
根据一个实施方案,在第一基膜和第二基膜之间添加粘结层之前,在第二基膜上执行施加导电图案和印刷间隔物的操作。第二基膜上的导电图案可以面向第一基膜,或者施加在第二基膜的相对表面上。所述方法的操作也可多次进行,以创建层压或多层器件,所述器件包括基膜之间的间隔物,以在压力处理期间强化导电图案的暴露部分。
在一个实施方案中,所得分层结构的压力处理包括在130-200℃的温度下热成型。
在一个实施方案中,所得分层结构的压力处理包括在真空中在50-300℃或150-300℃或170-190℃的温度下层压。根据进一步的实施方案,压力处理可包括诸如热成型、层压等技术的组合。
在一个实施方案中,所述方法还包括通过冲切或激光切割与印刷有间隔物的导电图案的部分相对应的导电图案的一部分来产生导电图案的至少一个松脱端。
在处理之前产生导电图案的松脱或可拆卸端可提供更容易接近导电图案的暴露部分,例如,如果导电图案包括电极,则用于提供对电极的连接点。
在一个实施方案中,所述方法还包括在压力处理后冷却所述器件。可能需要冷却操作来固定形状,例如在热成型或任何其他工艺之后。
应当理解,上述益处和优点可以涉及一个实施方案或可以涉及个几实施方案。这些实施方案不限于解决任何或所有所示问题的实施方案或具有任何或所有所述益处和优点的实施方案。
以上描述的实施方案可以彼此任意组合使用。几个实施方案可以组合在一起以形成另一个实施方案。本申请所涉及的方法、分层器件、用途或触敏膜可以包括上述实施方案中的至少一个。
附图简述
所包括的附图用于提供对分层器件及其生产方法的进一步理解,其示出了实施方案并且与描述一起有助于解释上述原理。在附图中:
图1a示意性地示出了根据一个实施方案的分层器件的截面图;
图1b是根据一个实施方案的去除了间隔物的分层器件的示意性截面图;
图1c是根据一个实施方案的具有间隔结构的分层器件的示意性截面图;
图1d是根据一个实施方案的具有组合间隔物的分层器件的示意性截面图;
图2a示意性地示出了根据一个实施方案的具有剥离间隔物的器件的俯视图;
图2b是根据一个实施方案的具有间隔结构的器件的示意性俯视图;
图3示意性地示出了根据一个实施方案的包括松脱导电结构的柔性分层器件的截面图;和
图4是根据实施方案的方法的框图。
发明详述
现在将详细参考所描述的示例实施方案,其实例在附图中示出。
以下描述详细地公开了一些实施方案,使得本领域技术人员可以利用基于本公开的分层器件和方法。并不是详细讨论实施方案的所有步骤,因为基于本说明书,一些步骤对于本领域技术人员来说是显而易见的。
为简单起见,在重复部件的情况下,将在以下示例性实施方案中保持项目编号。
本发明一般涉及分层电子器件,例如接触式开关、接触式传感器、接触式显示器、加热元件、太阳能电池等。在这些器件中,当在制造中使用诸如压力成型、热成型、层压或任何其他技术的压力处理时,通常希望通过使其导电元件的一部分暴露来提供与分层器件的电接触。然而,由于在压力处理过程中产生的力,暴露部分容易在压力处理过程中受损。根据本发明实施方案的器件包括额外的间隔元件,其防止此类损坏并保护导电元件的暴露部分。根据一个方面的方法提供了一种使用间隔物制造分层器件的方法。
图1a示意性地示出了根据示例实施方式的分层器件100的截面图。所述器件包括第一基膜101、与第一基膜101平行设置的第二基膜102、附接到第一基膜101的面向第二基膜102的表面上的导电图案104、以及它们之间的粘结层103。
第一和第二基膜101、102可以是使导电图案104绝缘的非导电基板。基膜101、102可包括选自以下的材料:聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、环烯烃共聚物、三乙酸酯、环烯烃共聚物、聚氯乙烯、聚2,6-萘甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚丙烯、聚乙烯及其任何组合。
根据一种实施方式,导电图案104被示意性地示出为一组导电迹线。导电迹线通常用于诸如接触式传感器等分层电子器件中。然而,导电图案104可以具有导电元件的任何其他适当布置。
导电图案104可包括导电高纵横比分子结构(HARM-结构)的网络,并且由于一些HARM-结构的有利特性而可用于透明膜。
粘结层103至少部分填充第一基膜101和第二基膜102之间的空间,从而包围部分导电图案104并将第一基膜101和第二基膜102粘结在一起。粘结层103可包括粘合剂。粘结层103还可包括选自以下的粘结促进剂:丙烯酸粘合剂、硅粘合剂、聚合物粘合剂、交联性聚合物、环氧树脂粘合剂、聚碳酸酯、热塑性聚氨酯(TPU)及其任意组合。粘合剂可以是光学透明粘合剂(OCR),其用于要求透明膜的器件,例如具有显示器的器件。
粘结层103包括开口107,其可位于侧面,如图1a的侧视图所示,或者在器件100的周边内。在一种实施方式中,开口107布置在粘结层103的周边处,以提供接入点。
导电图案104包括至少一个与粘结层103中的开口107对齐的暴露部分。图1a-1d的截面图被定向为使得开口107和导电图案104的暴露部分面对观察者。
所述结构为导电图案104提供接入点,然而,如果器件100经受压力成形、热成形、层压或其他类型的压力处理,则导电图案104的暴露部分有可能因压力而受损。这至少部分是因为提供接入所需的粘结层103中的开口107。开口107暴露导电图案104的一部分,并移除粘结层103在器件100中的别处提供的支撑。
器件100还包括附接到第一基膜101和导电图案104的暴露部分的间隔物105,其中间隔物105填充由粘结层103中的开口107产生的空间的至少一部分。图1a-1b图示了其中间隔物105包括剥离涂层105的实施方式,该剥离涂层105均匀地填充由粘结层103中的开口107产生的空间的至少一部分。剥离涂层105可包括聚合物基质、可紫外线或热交联的聚合物,或者溶剂基或水基溶液。
剥离涂层105可以具有临时用途并且可以被去除,例如可剥离,或,如果其包括溶剂基或水基溶液则部分蒸发。在通过在预定温度下进行压力处理完成器件制造后,可将其去除。压力处理可包括在130-200℃的温度下热成型,或在170-190℃的温度下在真空中层压,或者任何其他合适的基于压力的处理,其将器件的层密封和/或形成在一起并且到表面上。图1b显示了热成型之后的器件100,其中剥离涂层105被去除,而是留下空间105',该空间可以稍后用填充物填充或保持为空。
图1c-1d示出了其中间隔物包括刚性固定到第一基膜101和导电图案104的暴露部分的两个或更多个结构106的实施方式。这些结构106以预定距离彼此相邻定位。
在图1c所示的实施方式中,结构106也在高度上对齐,使得它们的上表面与第二基膜102的下表面基本位于同一平面内。在图1c所示的实施方式中,结构106被成形为柱状,然而任何其他合适的形状可用于间隔结构106。
刚性固定结构106可包括选自以下的材料:紫外交联性聚合物油墨、可热交联的聚合物油墨和热固性油墨。这些材料可以足够刚硬以在高达250℃的温度下承受至少5200巴的压力,同时保护导电图案104在压力处理期间免受损坏。
图1d示出分层器件100可包括刚性固定的柱或间隔结构106和剥离附加涂层105”的组合。在一些实施方式中,实心单一结构可以刚性地固定到第一基膜101,如果这些结构提供的针对压力的保护是足够的。
图2a是具有剥离涂层206的分层器件200的示意性俯视图,图2b是具有刚性固定结构206的分层器件200的示意性俯视图。因此,图2a-2b中所示的器件200可以是图1a-1d中所示的器件100的一个示例。在图2b中,刚性固定结构仅示意性地示出,并且可以位于交叉虚线区域206内的任何位置。
在图2a-2b中,导电图案204显示为延伸到器件中,例如在接触式传感器实施方式中。导电图案204包括具有暴露端部207的暴露部分。可以使端部207或导电图案204的整个暴露部分松脱并与第一基膜脱离(图2a-2b中未示出)。第二基膜202被图示为器件200中的顶膜。第一和/或第二基膜202可以是透明的。
除了附接到第一基膜上的第一导电图案204之外,如图2a-2b所示,作为电路的外部部分和位于外部的两个脚(pin),器件200还可包括第二导电图案214(或其任何数)。第二导电图案214在面对第一基膜的表面处附接到第二基膜202。尽管这在图2a-2b中不可见,根据本实施方式,第二导电图案214附接到第二上基膜202的向内表面。本实施方式中的第一和第二导电图案204、214被对齐以在平行的第一和第二基膜202的平面中分开。这样,导电图案204、214被布置为避免在压力处理期间彼此接触。
图3是包括分别附接到第一基膜301和第二基膜302的两个导电图案304、314的示例分层器件的示意性侧视图。所述器件包括使导电图案304、314绝缘并填充第一和第二基膜301、302之间的空间的非导电粘结层303。
所述器件还包括粘合剂层303中的开口,其由图3上的垂直线标记。器件还包括定位在导电层304、314之间的间隔物305,以代替开口中的粘合剂。使导电图案314的暴露部分松脱并与第一基膜脱离,以更易于外部接入(图3的右边)。在图3中,至少第二基膜302的材料允许其具有柔性。
图4是根据一个方面的用于生产分层电子器件的方法的流程图。所述方法包括提供彼此平行定位的第一基膜和第二基膜401。基膜可提供在腔室或反应器中以供进一步组装。所述方法还包括将导电图案402施加到第一基膜的上表面,并在第一基膜和导电图案的一部分上印刷间隔物403。然后,所述方法包括形成填充第一和第二基膜之间空间的粘结层404。所述方法还包括在粘结层中创建与间隔物对齐的开口405,例如通过将其切割成预定形状,使得该开口与印刷在第一基膜和导电图案的一部分上的间隔物的位置对齐。
所述方法通过在预定温度下对所得的分层结构406进行压力处理来完成。压力处理可以通过任何适当的方式进行,包括对基膜中的一个或者二者施加压力。在一个实施方式中,压力处理还包括用UV交联处理所得分层结构。在一些示例中,所得分层结构的压力处理406可包括在130-200℃的温度下热成型,或任何其他合适的技术,例如层压和真空成型。
处理所得分层结构之前的操作可以提供分层器件,如与图1a-3中所示的任何分层器件相关的描述。处理所得分层结构最终完成分层器件的生产。根据一些实施方式,处理可包括成型、热成型、层压或其他压力处理技术。所述方法的益处包括生产效率和改进的所得分层结构,该分层结构尤其在最终压力处理步骤期间受到保护。
通过沉积导电材料并蚀刻导电材料以产生图案,可以将导电图案施加到第一基膜的面向第二基膜的表面上。也可以将第二导电图案施加到第二基膜的表面。
在第一基膜和第二基膜之间形成404粘结层之前,可以在第二基膜上执行施加导电图案402和印刷间隔物403的操作。第二基膜上的导电图案可以面向第一基膜,或者施加在第二基膜的相对表面上。所述方法的操作也可多次进行,以产生层压或多层器件,所述器件包括基膜之间的间隔物,以在压力处理期间强化导电图案的暴露部分。
所述方法还包括通过冲切或激光切割与印刷有间隔物的导电图案的部分相对应的导电图案的一部分来产生导电图案的至少一个松脱端。
在处理406之前产生导电图案的松脱或可拆卸端部可提供更容易接入导电图案的暴露部分,例如,如果导电图案包括电极,则用于提供到电极的连接点。
在压力处理406之后,所述方法还可包括冷却所述器件(图4上未示出)。可能需要冷却操作来固定形状,例如在热成型或任何其他工艺之后。
如本领域技术人员所清楚的,本发明不限于上述示例和实施方式,且这些实施方式现可以在权利要求书的范围内自由变化。
Claims (25)
1.一种分层器件,其包括:
第一基膜,
第二基膜,其以预定距离平行于第一基膜定位,
附接到第一基膜的面向第二基膜的表面上的导电图案,
粘结层,其至少部分填充第一基膜和第二基膜之间的空间、包围所述导电图案的一部分并将第一基膜和第二基膜粘结在一起,
其中:
所述粘结层包括开口,
所述导电图案包括至少一个与所述粘结层中的开口对齐的暴露部分,和
所述器件还包括附接到第一基膜和所述导电图案的暴露部分的间隔物,其中所述间隔物填充由所述粘结层中的开口产生的空间的至少一部分。
2.权利要求1所述的器件,其中所述间隔物包括刚性地固定到第一基膜和所述导电图案的暴露部分的两个或更多个结构,且其中所述结构以预定距离彼此相邻定位。
3.权利要求2所述的器件,其中所述结构包括选自以下的材料:紫外交联性聚合物油墨、可热交联的聚合物油墨和热固性油墨。
4.权利要求1所述的器件,其中所述间隔物包括剥离涂层,所述剥离涂层均匀地填充由所述粘结层中的开口产生的空间的至少一部分。
5.权利要求4所述的器件,其中所述剥离涂层包括聚合物基质、可紫外或热交联的聚合物、或者溶剂基或水基溶液。
6.权利要求1-5中任一项所述的器件,其中所述导电图案的暴露部分的至少一个端部分是松脱的且与第一基膜脱离。
7.权利要求1-6任一项所述的器件,其中第一基膜和第二基膜是非导电的。
8.权利要求7所述的器件,其中第一基膜和第二基膜包括选自以下的材料:聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、环烯烃共聚物、三乙酸酯、环烯烃共聚物、聚氯乙烯、聚2,6-萘甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚丙烯、聚乙烯及其任何组合。
9.权利要求1-8中任一项所述的器件,其中第一基膜和/或第二基膜是透明的。
10.权利要求1-9中任一项所述的器件,其中所述导电图案包括导电高纵横比分子结构的网络。
11.权利要求1-10中任一项所述的器件,其中所述导电图案包括至少一组导电迹线。
12.权利要求1-11中任一项所述的器件,其包括附接到第二基膜的面向第一基膜的表面上的第二导电图案,其中所述附接到第一基膜的面向第二基膜体的表面上的导电图案为第一导电图案。
13.权利要求12所述的器件,其中所述第一导电图案和第二导电图案被对齐以在平行的第一基膜和第二基膜的平面中分开。
14.权利要求1-13中任一项所述的器件,其中所述至少部分填充第一基膜和第二基膜之间的空间且包围所述导电图案的一部分的粘结层包括光学透明粘合剂。
15.权利要求1-14中任一项所述的器件,其中所述粘结层还被构建为使其包围的所述导电图案的部分绝缘。
16.权利要求1-15中任一项所述的器件,其中所述间隔物填充所述导电图案的暴露部分和第二基膜之间的空间的至少一部分。
17.权利要求1-16中任一项所述的器件,其中所述间隔物包括能够在高达250℃的温度下承受至少5200巴压力的机械刚性材料。
18.一种接触式传感器,其包括权利要求1-17中任一项所述的器件,其中所述导电图案的暴露部分包括所述接触式传感器的至少一个电极。
19.一种用于生产分层电子器件的方法,其包括:
提供第一基膜和以预定距离平行于第一基膜定位的第二基膜,
将导电图案施加到第一基膜的面向第二基膜的表面上,
在第一基膜和导电图案的一部分上印刷间隔物,
通过将粘结层切割成包括开口的预定形状来制备粘结层,
将所述粘结层放置在第一基膜和第二基膜之间以至少部分填充第一基膜和第二基膜之间的空间,并包围导电图案的一部分,使得所述粘结层中的开口与在第一基膜和导电图案的一部分上印刷的间隔物对齐,和
在预定的温度下压力处理所得分层结构。
20.权利要求19所述的方法,其中通过沉积导电材料并蚀刻所述导电材料以产生图案,将所述导电图案施加到第一基膜的面向第二基膜的表面上。
21.权利要求19-20中任一项所述的方法,其中在第一基膜和第二基膜之间添加粘合剂之前,在第二基膜上执行施加导电图案和印刷间隔物的操作。
22.权利要求19-21中任一项所述的方法,其中对所得分层结构的压力处理包括在130-200℃的温度下热成型。
23.权利要求19-21中任一项所述的方法,其中对所得分层结构的压力处理包括在真空中在50-300℃或150-300℃或170-190℃的温度下进行层压。
24.权利要求19-23中任一项所述的方法,其还包括通过冲切或激光切割与印刷有间隔物的导电图案的部分相对应的导电图案的一部分来产生导电图案的至少一个松脱端。
25.权利要求19-24中任一项所述的方法,其还包括在压力处理之后冷却所述器件。
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