CN114391221A - 弹性波装置、滤波器装置以及多工器 - Google Patents
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Abstract
提供一种能抑制IMD且能抑制接收灵敏度劣化的弹性波装置。弹性波装置(1)具备压电性基板(2)、第1IDT电极(3)、设置在第1IDT电极(3)的弹性波传播方向两侧的反射器(4A、4B)和设置为夹着反射器(4A)而与第1IDT电极(3)对置且构成了第2IDT(5A)的第2IDT电极(5)。第1、第2IDT电极(3、5)具有多个电极指在弹性波传播方向上相互重叠的第1、第2交叉区域(A、B)。第1、第2交叉区域(A、B)在弹性波传播方向上相互重叠。第2IDT电极(5)的第3汇流条(16)与第1IDT电极(3)的第1汇流条(12)连接,第2IDT电极(5)的第4汇流条(17)与接地电位连接。包括第2IDT电极(5)的部分的谐振频率包含于干扰波信号的频带。
Description
技术领域
本发明涉及弹性波装置、滤波器装置以及多工器。
背景技术
以往,弹性波装置被广泛用于便携式电话机的滤波器等。在下述的专利文献1中记载了具有包含弹性波谐振器的滤波器的多工器的一例。在弹性波谐振器中,在具有压电性的基板上设置有IDT(Interdigital Transducer,叉指换能器)电极。在上述基板上,在IDT电极的弹性波传播方向两侧设置有一对反射器。多个滤波器装置公共连接于公共端子。公共端子与天线连接。
在先技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2019-106622号公报
发明内容
发明要解决的课题
若将上述那样的弹性波谐振器用于多工器中的滤波器,则根据多工器所具有的多个滤波器装置的通带,多工器的接收灵敏度有可能劣化。更具体地,在多工器包含发送滤波器以及接收滤波器并从发送滤波器向天线输出发送信号时,还存在从天线输入其他信号的情况。此时,在发送滤波器以及接收滤波器的通信频段例如为Band25的情况下,所输入的上述信号有可能作为干扰波信号起作用。由此,有时在Band25的接收频带内产生IMD(InterModulation Distortion,互调失真),接收灵敏度劣化。
本发明的目的在于,提供一种能够抑制IMD且能够抑制接收灵敏度劣化的弹性波装置、滤波器装置以及多工器。
用于解决课题的手段
本发明涉及的弹性波装置具备:压电性基板,具有压电体层;第1IDT电极,设置在所述压电性基板上;一对反射器,设置在所述压电性基板上的所述第1IDT电极的弹性波传播方向两侧;和第2IDT电极,在所述压电性基板上设置为夹着所述一对反射器之中的一个反射器而与所述第1IDT电极对置,所述第1IDT电极以及所述第2IDT电极分别具有一对汇流条和多个电极指,在所述第1IDT电极以及所述第2IDT电极中,分别在所述一对汇流条之中的一个汇流条连接有所述多个电极指之中的一部分的电极指,并在另一个汇流条连接有所述多个电极指之中的其余的电极指,所述第1IDT电极以及所述第2IDT电极分别具有所述多个电极指在弹性波传播方向上相互重叠的交叉区域,所述第1IDT电极的所述交叉区域的至少一部分和所述第2IDT电极的所述交叉区域的至少一部分在弹性波传播方向上相互重叠,所述第2IDT电极的所述一对汇流条之中的一个汇流条与所述第1IDT电极的所述一对汇流条之中的一个汇流条连接,所述第2IDT电极的所述一对汇流条之中的另一个汇流条与接地电位连接,包括所述第2IDT电极的部分的谐振频率包含于干扰波信号的频带。
本发明涉及的滤波器装置与天线连接,所述滤波器装置具备串联臂谐振器和并联臂谐振器,所述串联臂谐振器以及所述并联臂谐振器之中的至少一个谐振器是按照本发明而构成的弹性波装置。
本发明涉及的多工器具备与天线连接的天线端子和公共连接于所述天线端子的多个滤波器装置,至少一个所述滤波器装置是按照本发明而构成的滤波器装置。
发明效果
根据本发明涉及的弹性波装置、滤波器装置以及多工器,能够抑制IMD,且能够抑制接收灵敏度的劣化。
附图说明
图1是本发明的第1实施方式涉及的弹性波装置的主视剖视图。
图2是示出本发明的第1实施方式涉及的弹性波装置中的电极构造的示意性俯视图。
图3是示出第1比较例的弹性波装置中的电极构造的示意性俯视图。
图4是示出本发明的第1实施方式以及第1比较例的弹性波装置中的IMD3等级的图。
图5是示出第2比较例的弹性波装置中的电极构造的示意性俯视图。
图6是示出本发明的第1实施方式、第1比较例以及第2比较例的弹性波装置中的IMD3等级的图。
图7是示出本发明的第1实施方式以及第1比较例中的第2IDT电极的电极指的对数和IMD3等级的关系的图。
图8是本发明的第1实施方式的第1变形例涉及的弹性波装置的主视剖视图。
图9是本发明的第1实施方式的第2变形例涉及的弹性波装置的主视剖视图。
图10是本发明的第1实施方式的第3变形例涉及的弹性波装置的主视剖视图。
图11是本发明的第1实施方式的第4变形例涉及的弹性波装置的主视剖视图。
图12是示出本发明的第2实施方式涉及的弹性波装置中的电极构造的示意性俯视图。
图13是示出本发明的第2实施方式、第1比较例以及第3比较例的弹性波装置中的IMD3等级的图。
图14是示出本发明的第3实施方式涉及的弹性波装置中的电极构造的示意性俯视图。
图15是示出本发明的第1实施方式、第3实施方式以及第1比较例中的第2IDT电极的电极指的对数和IMD3等级的关系的图。
图16是本发明的第4实施方式涉及的滤波器装置的示意性电路图。
图17是本发明的第4实施方式的变形例涉及的滤波器装置的示意性电路图。
图18是本发明的第5实施方式涉及的双工器的示意图。
图19是本发明的第6实施方式涉及的多工器的示意图。
具体实施方式
以下,参照附图对本发明的具体的实施方式进行说明,从而明确本发明。
另外,需要指出的是,在本说明书中记载的各实施方式是例示性的,能够在不同的实施方式间进行结构的部分置换或组合。
图1是本发明的第1实施方式涉及的弹性波装置的主视剖视图。
弹性波装置1具有压电性基板2。在压电性基板2上设置有第1IDT电极3。压电性基板2以及第1IDT电极3构成了第1IDT3A。若对IDT电极施加交流电压,则激励弹性波。在压电性基板2上的第1IDT电极3的弹性波传播方向两侧设置有一对反射器4A以及反射器4B。进而,在压电性基板2上设置有第2IDT电极5,使得夹着反射器4A而与第1IDT电极3对置。压电性基板2以及第2IDT电极5构成了第2IDT5A。像这样,弹性波装置1具有第1IDT3A和第2IDT5A,该第1IDT3A是包含第1IDT电极3的部分,该第2IDT5A是包含第2IDT电极5的部分。进而,弹性波装置1具有反射器4A以及反射器4B。本实施方式的弹性波装置1是弹性波谐振器。
图2是示出第1实施方式涉及的弹性波装置中的电极构造的示意性俯视图。
第1IDT电极3具有一对第1汇流条12以及第2汇流条13。第1汇流条12和第2汇流条13相互对置。第1IDT电极3具有多个第1电极指14以及多个第2电极指15。在此,多个第1电极指14是第1IDT电极3所具备的多个电极指之中的一部分的电极指,多个第2电极指15是第1IDT电极3所具备的多个电极指之中的其余的电极指。多个第1电极指14的一端分别与第1汇流条12连接。多个第2电极指15的一端分别与第2汇流条13连接。多个第1电极指14和多个第2电极指15相互交错对插。第1IDT电极3具有第1交叉区域A。第1交叉区域A是第1电极指14和第2电极指15在弹性波传播方向上相互重叠的区域。
第1汇流条12以及第2汇流条13之中的至少一者与信号电位连接。更具体地,弹性波装置1例如作为梯型滤波器等串联臂谐振器使用的情况下,第1汇流条12以及第2汇流条13分别与信号电位连接。弹性波装置1例如作为梯型滤波器等并联臂谐振器使用的情况下,第1汇流条12以及第2汇流条13之中的一者与信号电位连接,另一者与接地电位连接。
在本实施方式中,弹性波装置1与天线连接。第1汇流条12位于比第2汇流条13更靠天线侧。在本说明书中,所谓位于比其他汇流条或者其他元件更靠天线侧,是指在电连接中比其他汇流条或者其他元件更靠近天线。
第1IDT电极3经由天线端子11A而与天线连接。更具体地,第1汇流条12与天线端子11A连接。第1汇流条12可以直接地与天线端子11A连接,或者,也可以经由其他元件等间接地与天线端子11A连接。另一方面,第2汇流条13位于比第1汇流条12更靠天线端子11A以外的信号端子11B侧。另外,信号端子11B与信号电位连接。第2汇流条13可以直接地与信号端子11B连接,或者,也可以经由其他元件等间接地与信号端子11B连接。
另一方面,第2IDT电极5具有一对第3汇流条16以及第4汇流条17。第3汇流条16和第4汇流条17相互对置。第2IDT电极5具有多个第3电极指18以及多个第4电极指19。在此,多个第3电极指18是第2IDT电极5所具备的多个电极指之中的一部分的电极指,多个第4电极指19是第2IDT电极5所具备的多个电极指之中的其余的电极指。多个第3电极指18的一端分别与第3汇流条16连接。多个第4电极指19的一端分别与第4汇流条17连接。多个第3电极指18和多个第4电极指19相互交错对插。第2IDT电极5具有第2交叉区域B。第2交叉区域B是第3电极指18和第4电极指19在弹性波传播方向上相互重叠的区域。
如图2所示,第1IDT电极3的第1交叉区域A和第2IDT电极5的第2交叉区域B在弹性波传播方向上相互重叠。更具体地,在将与弹性波传播方向正交的方向设为交叉宽度方向时,第1交叉区域A的交叉宽度方向上的中央部和第2交叉区域B的交叉宽度方向上的中央部在弹性波传播方向上相互重叠。另外,只要第1交叉区域A的至少一部分和第2交叉区域B的至少一部分在弹性波传播方向上相互重叠即可。
第3汇流条16与信号电位连接。第3汇流条16与第1IDT电极3的第1汇流条12连接。更具体地,第3汇流条16通过信号布线(hot wire)6A而与第1汇流条12连接。第1汇流条12以及第3汇流条16经由信号布线6A而与信号电位连接。
第2IDT电极5的第4汇流条17与接地电位连接。更具体地,第4汇流条17经由接地布线6B而与接地电位连接。另外,只要布线被设置为第3汇流条16以及第4汇流条17之中的一者与信号电位连接且另一者与接地电位连接即可。
在本实施方式中,弹性波装置1中的第1IDT3A的谐振频率位于Band25的发送频带即1850~1915MHz的范围内。弹性波装置1中的第2IDT5A的谐振频率包含于干扰波信号的频带。更具体地,位于Band25的干扰波频带即1770~1835MHz的范围内。在本说明书中,所谓干扰波信号,是指在将发送频带的频率设为Tx并将接收频带的频率设为Rx时具有由2Tx-Rx表示的频率的信号。
另外,弹性波装置1中的第1IDT3A以及第2IDT5A的各谐振频率不限定于上述。
返回到图1,压电性基板2是依次层叠了作为高声速材料层的高声速支承基板7、低声速膜8和压电体层9的层叠基板。不过,压电性基板2也可以是仪包含压电体层9的压电基板。
压电体层9是钽酸锂层。另外,压电体层9的材料不限定于上述,例如,还能够使用铌酸锂、氧化锌、氮化铝、石英或PZT(锆钛酸铅)等。
低声速膜8是相对低声速的膜。更具体地,在低声速膜8传播的体波(bulk wave)的声速比在压电体层9传播的体波的声速低。低声速膜8是氧化硅膜。氧化硅能够由SiOx表示。在本实施方式中,低声速膜8是SiO2膜。另外,低声速膜8的材料不限定于上述,例如,还能够使用玻璃、氮氧化硅、氧化钽、或者氧化硅中添加了氟、碳、硼的化合物作为主要成分的材料。
高声速材料层是相对高声速的层。更具体地,在高声速材料层传播的体波的声速比在压电体层9传播的弹性波的声速高。作为高声速材料层的高声速支承基板7是硅基板。另外,高声速支承基板7的材料不限定于上述,例如,能够使用氧化铝、碳化硅、氮化硅、氮氧化硅、蓝宝石、钽酸锂、铌酸锂、石英、矾土、氧化锆、堇青石、莫来石、块滑石、镁橄榄石、氧化镁、DLC(类金刚石碳)膜或金刚石等、以上述材料为主要成分的介质。
通过压电性基板2具有层叠了高声速支承基板7、低声速膜8以及压电体层9的层叠构造,从而能够将弹性波有效地封闭在压电体层9侧。
如图2所示,本实施方式的特征在于,弹性波装置1具有以下的结构。1)弹性波装置1具有第2IDT电极5,第2IDT电极5夹着反射器4A而与第1IDT电极3对置。2)第1交叉区域A的至少一部分和第2交叉区域B的至少一部分在弹性波传播方向上相互重叠。3)第2IDT电极5的第3汇流条16和第1IDT电极3的第1汇流条12连接,第2IDT电极5的第4汇流条17与接地电位连接。由此,在第2IDT电极5中激励干扰波频率附近的波,能够抑制干扰波信号的输入所引起的IMD的产生。由此,在弹性波装置1用于多工器等中的滤波器装置的情况下,能够抑制与该滤波器装置公共连接于信号电位的其他滤波器装置的接收灵敏度的劣化。以下,通过对本实施方式和第1比较例以及第2比较例进行比较来对其详情进行说明。
准备了具有第1实施方式的结构的弹性波装置1以及图3所示的第1比较例的弹性波装置101。第1比较例与第1实施方式的不同点在于,不具有第2IDT电极5。所准备的弹性波装置1的设计参数如下。另外,所准备的弹性波装置101的设计参数除了不具有第2IDT电极5这一点以外,与弹性波装置1的设计参数相同。
第1IDT电极3:电极指的对数…99对,波长…2.104μm,占空比…0.5;
第2IDT电极5:电极指的对数…10对,波长…2.104μm,占空比…0.5;
反射器4A以及反射器4B:电极指的根数…21根,波长…2.104μm。
在弹性波装置1中的第1IDT3A以及弹性波装置101中,谐振频率位于Band25的发送频带内。若对诸如这些弹性波谐振器同时输入Band25的发送频带的信号以及干扰波信号,则在Band25的接收频带即1930~1995MHz的范围内产生3阶IMD。对弹性波装置1以及弹性波装置101同时输入上述发送频带的信号以及干扰波信号,并测定了IMD3等级。
图4是示出第1实施方式以及第1比较例的弹性波装置中的IMD3等级的图。
如图4所示,可知在具有第1实施方式的结构的弹性波装置1中,IMD3等级比第1比较例的弹性波装置101低。进而,在第1实施方式中,在1936MHz附近,IMD3等级变得尤其低。在1936MHz附近,在第1实施方式中,与第1比较例相比能够将IMD3等级改善约24dB。
若干扰波信号与发送频带的信号同时输入到第1比较例的弹性波装置101,则在第1IDT电极3中,除了基于发送频带的信号的波以外,还会激励干扰波频率附近的波。起因于此,产生IMD。
相对于此,第1实施方式的弹性波装置1除了第1IDT电极3以外还具有第2IDT电极5。此外,第2IDT电极5的第4汇流条17与接地电位连接。因此,若干扰波信号与发送频带的信号同时输入到弹性波装置1,则不仅在第1IDT电极3中,还在第2IDT电极5中激励干扰波频率附近的波。而且,第2IDT电极5配置为夹着反射器4A而与第1IDT电极3对置,并且第1交叉区域A和第2交叉区域B在弹性波传播方向上重叠。因此,在第1IDT电极3和第2IDT电极5中分别产生的IMD信号相互干扰,被抵消。由此,能够抑制IMD。因此,在弹性波装置1用于多工器等中的滤波器装置的情况下,能够抑制与该滤波器装置公共连接于信号电位的其他滤波器装置的接收灵敏度的劣化。
准备了图5所示的第2比较例的弹性波装置111。另外,在图5中,省略了各端子。第2比较例与第1实施方式的不同点在于,第1IDT电极3和第2IDT电极5在交叉宽度方向上分离,第1交叉区域A和第2交叉区域B在弹性波传播方向上完全不重叠。所准备的弹性波装置111的设计参数与上述的弹性波装置1的设计参数相同。
图6是示出第1实施方式、第1比较例以及第2比较例的弹性波装置中的IMD3等级的图。
如图6所示,可知在具有第1实施方式的结构的弹性波装置1中,IMD3等级比第2比较例的弹性波装置111低。因此,可知在第1实施方式中,通过第1交叉区域A和第2交叉区域B在弹性波传播方向上重叠,从而如上述那样能够抑制IMD。
不过,在滤波器装置中,在使用用于抑制干扰波的输入的另外的元件的情况下,由于该元件对阻抗的影响,滤波器装置的设计的自由度有可能受损。或者,插入损耗也有可能变大。相对于此,在滤波器装置中使用了弹性波装置1的情况下,通过作为弹性波谐振器的弹性波装置1的结构能够抑制IMD。因此,不需要用于抑制干扰波的输入的另外的元件。因此,不会损害设计的自由度,不会招致插入损耗的增大,能够抑制IMD。
在第1实施方式的弹性波装置1中,使第2IDT电极5的电极指的对数不同并测定了IMD3等级。电极指的对数设为5对、10对、20对。另外,还一并示出不具有第2IDT电极5而电极指的对数相当于0对的第1比较例的IMD3等级。
图7是示出第1实施方式以及第1比较例中的第2IDT电极的电极指的对数和IMD3等级的关系的图。
如图7所示,可知在第1实施方式中,即便使第2IDT电极5的电极指的对数变化,与第1比较例相比也抑制了IMD。可知在第1实施方式中,在第2IDT电极5的电极指的对数为10对以下的情况下,电极指的对数越多则越能够更进一步抑制IMD。第2IDT电极5的对数优选为5对以上且20对以下。由此,能够更进一步抑制IMD。
如上所述,在第1实施方式的压电性基板2中,在高声速支承基板7上隔着低声速膜8间接地设置有压电体层9。不过,压电性基板2的结构不限定于上述。以下,示出仅压电性基板的结构与第1实施方式不同的第1实施方式的第1~3变形例。在第1~3变形例中,也与第1实施方式同样地,能够抑制IMD。而且,能够将弹性波的能量有效地封闭在压电体层9侧。
在图8所示的第1变形例中,高声速材料层是高声速膜27。压电性基板22A具有支承基板26、高声速膜27、低声速膜8和压电体层9。在支承基板26上设置有高声速膜27。在高声速膜27上设置有低声速膜8。在低声速膜8上设置有压电体层9。在压电性基板22A具有高声速膜27的情况下,对于支承基板26不需要使用相对高声速的材料。
作为支承基板26的材料,例如,能够使用氧化铝、钽酸锂、铌酸锂、石英等压电体、矾土、氧化镁、氮化硅、氮化铝、碳化硅、氧化锆、堇青石、莫来石、块滑石、镁橄榄石等各种陶瓷、蓝宝石、金刚石、玻璃等电介质、硅、氮化镓等半导体或树脂等。
作为高声速膜27的材料,例如,能够使用氧化铝、碳化硅、氮化硅、氮氧化硅、硅、蓝宝石、钽酸锂、铌酸锂、石英、矾土、氧化锆、堇青石、莫来石、块滑石、镁橄榄石、氧化镁、DLC膜或金刚石等、以上述材料为主要成分的介质。
在图9所示的第2变形例中,压电性基板22B具有支承基板26、高声速膜27和压电体层9。在本变形例中,在作为高声速材料层的高声速膜27上直接地设置有压电体层9。
在图10所示的第3变形例中,压电性基板22C具有高声速支承基板7和压电体层9。在本变形例中,在作为高声速材料层的高声速支承基板7上直接地设置有压电体层9。
另一方面,在图11所示的第1实施方式的第4变形例中,压电性基板22D是仅包含压电体层的压电基板。在该情况下,也与第1实施方式同样地,能够抑制IMD。
图12是示出第2实施方式涉及的弹性波装置中的电极构造的示意性俯视图。
本实施方式与第1实施方式的不同点在于:第2IDT电极5的第4汇流条17与第1IDT电极3的第2汇流条13连接;以及,第2IDT电极5的第3汇流条16与接地电位连接。更具体地,第2IDT电极5的第4汇流条17通过信号布线6A而与第1IDT电极3的第2汇流条13连接。第3汇流条16经由接地布线6B而与接地电位连接。除了上述的点以外,本实施方式的弹性波装置31具有与第1实施方式的弹性波装置1同样的结构。
第1IDT电极3的第2汇流条13位于比第1汇流条12更靠天线端子11A以外的信号端子11B侧。在本实施方式中,也与第1实施方式同样地,能够抑制IMD。以下,通过对本实施方式和第1比较例以及第3比较例进行比较来对其详情进行说明。
第1比较例和与上述第1实施方式进行比较的比较例同样地,不具有第2IDT电极。第3比较例与第2实施方式的不同点在于,第1IDT电极和第2IDT电极在交叉宽度方向上分离,第1交叉区域和第2交叉区域在弹性波传播方向上不重叠。
准备了具有第2实施方式的结构的弹性波装置31以及第1比较例及第3比较例的弹性波装置。所准备的具有第2实施方式的结构的弹性波装置31以及第3比较例的弹性波装置的设计参数如下。另外,所准备的第1比较例的弹性波装置101的设计参数除了不具有第2IDT电极5这一点以外,与弹性波装置31的设计参数相同。
第1IDT电极3:电极指的对数…99对,波长…2.104μm,占空比…0.5;
第2IDT电极5:电极指的对数…10对,波长…2.104μm,占空比…0.5;
反射器4A以及反射器4B:电极指的根数…21根,波长…2.104μm。
对上述各弹性波装置同时输入Band25的发送频带的信号以及干扰波信号,并测定了IMD3等级。
图13是示出第2实施方式、第1比较例以及第3比较例的弹性波装置中的IMD3等级的图。
如图13所示,可知在具有第2实施方式的结构的弹性波装置31中,IMD3等级比第1比较例的弹性波装置101以及第3比较例的弹性波装置低。进而,在第2实施方式中,在1942MHz附近,IMD3等级变得尤其低。在1942MHz附近,在第2实施方式中,与第1比较例相比能够将IMD3等级改善约22dB。像这样,可知在第2实施方式中,能够抑制IMD。
图14是示出第3实施方式涉及的弹性波装置中的电极构造的示意性俯视图。
本实施方式与第1实施方式的不同点在于,除了第2IDT电极5之外,还具有除第2IDT电极5以外的第2IDT电极45。弹性波装置41具有一对第2IDT电极5以及第2IDT电极45。除了上述的点以外,本实施方式的弹性波装置41具有与第1实施方式的弹性波装置1同样的结构。
第2IDT电极45设置在压电性基板2上,夹着反射器4B而与第1IDT电极3对置。压电性基板2以及第2IDT电极45构成了第2IDT45A。
第2IDT电极45与第2IDT电极5同样地构成。更具体地,第2IDT电极45具有一对第3汇流条46及第4汇流条47以及多个第3电极指48及多个第4电极指49。第2IDT电极45具有第2交叉区域C。第2交叉区域C是第3电极指48和第4电极指49在弹性波传播方向上相互重叠的区域。第2IDT45A的谐振频率与第2IDT5A同样地位于干扰波频带内。另外,第2IDT电极45的设计参数也可以不必与第2IDT电极5的设计参数相同。
第2IDT电极5的第3汇流条16以及第2IDT电极45的第3汇流条46这两者通过信号布线6A而与第1IDT电极3的第1汇流条12连接。另一方面,第2IDT电极5的第4汇流条17以及第2IDT电极45的第4汇流条47分别经由接地布线6B而与接地电位连接。第1IDT电极3的第1交叉区域A、第2IDT电极5的第2交叉区域B以及第2IDT电极45的第2交叉区域C在弹性波传播方向上相互重叠。
在本实施方式中,若干扰波信号与发送频带的信号同时输入到弹性波装置41,则不仅在第1IDT电极3中,还在一对第2IDT电极5以及第2IDT电极45中激励干扰波频率附近的波。而且,一对第2IDT电极5以及第2IDT电极45设置为夹着一对反射器4A以及反射器4B这两者而分别与第1IDT电极3对置。进而,第1交叉区域A和第2交叉区域B以及第2交叉区域C在弹性波传播方向上重叠。因此,在第1IDT电极3和一对第2IDT电极5以及第2IDT电极45中分别产生的IMD信号相互干扰,被抵消。由此,与第1实施方式同样地,能够抑制IMD。因此,在弹性波装置41用于多工器等中的滤波器装置的情况下,能够抑制与该滤波器装置公共连接于信号电位的其他滤波器装置的接收灵敏度的劣化。
在第3实施方式的弹性波装置41中,使一对第2IDT电极5以及第2IDT电极45的电极指的对数不同并测定了IMD3等级。电极指的对数设为2对、5对、10对。还一并示出上述第1实施方式以及第1比较例的结果。
图15是示出第1实施方式、第3实施方式以及第1比较例中的第2IDT电极的电极指的对数和IMD3等级的关系的图。
如图15所示,可知在第3实施方式中,即便使一对第2IDT电极5以及第2IDT电极45的电极指的对数变化,与第1比较例相比也抑制了IMD。可知在第3实施方式中,在一对第2IDT电极5以及第2IDT电极45的电极指的对数为10对以下的情况下,电极指的对数越多则越能够更进一步抑制IMD。
图16是本发明的第4实施方式涉及的滤波器装置的示意性电路图。在图16中,第2IDT电极5通过对矩形添加了2根对角线的简图来示出。第1IDT电极3、反射器4A以及反射器4B通过谐振器的记号来示出。另外,在本实施方式中,作为弹性波谐振器的弹性波装置1包含第1IDT电极3、第2IDT电极5、反射器4A以及反射器4B。
滤波器装置52是具有多个串联臂谐振器以及多个并联臂谐振器的梯型滤波器,是带通型滤波器。滤波器装置52具有第1信号端51A以及第2信号端51B。在本实施方式中,第1信号端51A是与天线连接的天线端。第1信号端51A以及第2信号端51B既可以构成为电极焊盘,也可以构成为布线。在本实施方式中,第1信号端51A以及第2信号端51B构成为电极焊盘。
在第1信号端51A与第2信号端51B之间,串联臂谐振器S51、串联臂谐振器S52、串联臂谐振器S53、串联臂谐振器S54以及弹性波装置1相互串联连接。在本实施方式中,弹性波装置1是串联臂谐振器。
在串联臂谐振器S51与串联臂谐振器S52之间的连接点和接地电位之间,连接有并联臂谐振器P51。在串联臂谐振器S52与串联臂谐振器S53之间的连接点和接地电位之间,连接有并联臂谐振器P52。在串联臂谐振器S53与串联臂谐振器S54之间的连接点和接地电位之间,连接有并联臂谐振器P53。在串联臂谐振器S54与弹性波装置1之间的连接点和接地电位之间,连接有并联臂谐振器P54。
在本实施方式中,各串联臂谐振器以及各并联臂谐振器是弹性波谐振器。在滤波器装置52中,多个串联臂谐振器以及多个并联臂谐振器之中的配置在最靠第1信号端51A侧的弹性波谐振器是弹性波装置1。图2所示的第1IDT电极3以及第2IDT电极5通过信号布线6A而与构成为电极焊盘的第1信号端51A连接。不过,信号布线6A也可以与第1信号端51A构成为一体。另外,滤波器装置52的电路结构不限定于上述,只要具有本发明涉及的弹性波装置即可。例如,弹性波装置1也可以作为梯型滤波器中的并联臂谐振器使用。
滤波器装置52具有第1实施方式的弹性波装置1,因此能够抑制IMD。由此,在滤波器装置52用于多工器等的情况下,能够抑制与滤波器装置52公共连接于第1信号端51A侧的信号电位的其他滤波器装置的接收灵敏度的劣化。
弹性波装置1优选是最靠第1信号端51A侧的谐振器。由此,能够有效地抑制公共连接于信号电位的其他滤波器装置的接收灵敏度的劣化。另外,弹性波装置1也可以不必是最靠第1信号端51A侧的谐振器。
图17是第4实施方式的变形例涉及的滤波器装置的示意性电路图。
本变形例与第4实施方式的不同点在于,作为最靠第1信号端51A侧的谐振器使用了第2实施方式的弹性波装置31。在本变形例中,图12所示的第1IDT电极3以及第2IDT电极5通过信号布线6A而与串联臂谐振器S54连接。另外,第2IDT电极5还与构成了并联臂谐振器P54的IDT电极连接。更具体地,在构成了并联臂谐振器P54的IDT电极的一对汇流条之中的一个汇流条通过信号布线连接有第2IDT电极5的第4汇流条17。第1IDT电极3以及第2IDT电极5经由串联臂谐振器S54、串联臂谐振器S53、串联臂谐振器S52以及串联臂谐振器S51而与第2信号端51B侧的信号电位间接地连接。在本变形例中,也与第4实施方式同样地,能够抑制IMD。
在第4实施方式及其变形例中,示出了使用了第1实施方式以及第2实施方式的弹性波装置的例子。不过,在使用了第3实施方式等本发明涉及的另一方式的弹性波装置的情况下,也与第4实施方式同样地,能够抑制IMD。在上述中,示出了本发明涉及的弹性波装置作为串联臂谐振器使用的例子,但本发明涉及的弹性波装置也可以作为并联臂谐振器使用。
图18是第5实施方式涉及的双工器的示意图。
双工器60具有第1滤波器装置62A以及第2滤波器装置62B。第1滤波器装置62A是发送滤波器,并且是第4实施方式的滤波器装置。第2滤波器装置62B是接收滤波器。不过,在双工器60中,至少发送滤波器为本发明涉及的滤波器装置即可。
双工器60具有信号端子61A。信号端子61A是与天线连接的天线端子。信号端子61A既可以构成为电极焊盘,也可以构成为布线。
第1滤波器装置62A以及第2滤波器装置62B公共连接于信号端子61A。双工器60的通信频段是Band25。第1滤波器装置62A的通带是1850~1915MHz。第2滤波器装置62B的通带是1930~1995MHz。不过,双工器60的通信频段不限定于上述。
在双工器60中,在第1滤波器装置62A之中,能够抑制IMD。由此,能够抑制与第1滤波器装置62A公共连接于信号端子61A的第2滤波器装置62B的接收灵敏度的劣化。
图19是第6实施方式涉及的多工器的示意图。
多工器70具有第1滤波器装置72A、第2滤波器装置72B、第3滤波器装置72C以及第4滤波器装置72D。第1滤波器装置72A以及第3滤波器装置72C是第4实施方式的滤波器装置。不过,多工器70只要具有至少一个本发明涉及的滤波器装置即可。例如,第1滤波器装置72A、第2滤波器装置72B、第3滤波器装置72C以及第4滤波器装置72D也可以是本发明涉及的滤波器装置。
多工器70还具有第1滤波器装置72A、第2滤波器装置72B、第3滤波器装置72C以及第4滤波器装置72D以外的多个滤波器装置。多工器70所具有的滤波器装置的个数没有特别限定。
多工器70具有信号端子61A。信号端子61A是与天线连接的天线端子。第1滤波器装置72A、第2滤波器装置72B、第3滤波器装置72C、第4滤波器装置72D以及其他的多个滤波器装置公共连接于信号端子61A。
在本实施方式中,多工器70的通信频段包含Band25以及Band66。第1滤波器装置72A是Band25的发送滤波器。第2滤波器装置72B是Band25的接收滤波器。第3滤波器装置72C是Band66的发送滤波器。第4滤波器装置72D是Band66的接收滤波器。第1滤波器装置72A的通带是1850~1915MHz。第2滤波器装置72B的通带是1930~1995MHz。第3滤波器装置72C的通带是1710~1780MHz。第4滤波器装置72D的通带是2110~2200MHz。不过,多工器70的通信频段不限定于上述。
如上述那样,多工器70中的作为发送滤波器的第1滤波器装置72A以及第3滤波器装置72C是第4实施方式的滤波器装置。另外,本发明涉及的滤波器装置既可以是发送滤波器,也可以是接收滤波器。多工器70只要具有至少一个接收滤波器即可。
以往,在发送Band25以及Band66的发送频带内的信号时,若从天线接收到干扰波信号,则有时产生3阶IMD,在Band25以及Band66的接收频带中接收灵敏度劣化。
相对于此,在多工器70中,在第1滤波器装置72A以及第3滤波器装置72C之中,与第4实施方式同样地,能够抑制IMD。由此,能够抑制第2滤波器装置72B以及第4滤波器装置72D的接收灵敏度的劣化。
附图标记说明
1…弹性波装置;
2…压电性基板;
3…第1IDT电极;
3A…第1IDT;
4A、4B…反射器;
5…第2IDT电极;
5A…第2IDT;
6A…信号布线;
6B…接地布线;
7…高声速支承基板;
8…低声速膜;
9…压电体层;
11A…天线端子;
11B…信号端子;
12、13…第1、第2汇流条;
14、15…第1、第2电极指;
16、17…第3、第4汇流条;
18、19…第3、第4电极指;
22A~22D…压电性基板;
26…支承基板;
27…高声速膜;
31、41…弹性波装置;
45…第2IDT电极;
45A…第2IDT;
46、47…第3、第4汇流条;
48、49…第3、第4电极指;
51A、51B…第1、第2信号端;
52…滤波器装置;
60…双工器;
61A…信号端子;
62A、62B…第1、第2滤波器装置;
70…多工器;
72A~72D…第1~第4滤波器装置;
101、111…弹性波装置;
A…第1交叉区域;
B、C…第2交叉区域;
P51~P54…并联臂谐振器;
S51~S54…串联臂谐振器。
Claims (13)
1.一种弹性波装置,具备:
压电性基板,具有压电体层;
第1IDT电极,设置在所述压电性基板上;
一对反射器,设置在所述压电性基板上的所述第1IDT电极的弹性波传播方向两侧;和
第2IDT电极,在所述压电性基板上设置为夹着所述一对反射器之中的一个反射器而与所述第1IDT电极对置,
所述第1IDT电极以及所述第2IDT电极分别具有一对汇流条和多个电极指,在所述第1IDT电极以及所述第2IDT电极中,分别在所述一对汇流条之中的一个汇流条连接有所述多个电极指之中的一部分的电极指,并在另一个汇流条连接有所述多个电极指之中的其余的电极指,
所述第1IDT电极以及所述第2IDT电极分别具有所述多个电极指在弹性波传播方向上相互重叠的交叉区域,所述第1IDT电极的所述交叉区域的至少一部分和所述第2IDT电极的所述交叉区域的至少一部分在弹性波传播方向上相互重叠,
所述第2IDT电极的所述一对汇流条之中的一个汇流条与所述第1IDT电极的所述一对汇流条之中的一个汇流条连接,所述第2IDT电极的所述一对汇流条之中的另一个汇流条与接地电位连接,
包括所述第2IDT电极的部分的谐振频率包含于干扰波信号的频带。
2.根据权利要求1所述的弹性波装置,其中,
所述弹性波装置用于具有发送频带以及接收频带的双工器或多工器中包含的滤波器装置,
在将所述发送频带的频率设为Tx,将所述接收频带的频率设为Rx时,所述干扰波信号是具有由2Tx-Rx表示的频率的信号。
3.根据权利要求1或2所述的弹性波装置,其中,
所述第2IDT电极的所述多个电极指为20对以下。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的弹性波装置,其中,
在所述压电性基板上设置有除所述第2IDT电极以外的第2IDT电极,使得夹着所述一对反射器之中的另一个反射器而与所述第1IDT电极对置。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的弹性波装置,其中,
所述压电性基板具有高声速材料层,
在所述高声速材料层上直接或间接地设置有所述压电体层,
在所述高声速材料层传播的体波的声速比在所述压电体层传播的弹性波的声速高。
6.根据权利要求5所述的弹性波装置,其中,
所述压电性基板具有设置在所述高声速材料层与所述压电体层之间的低声速膜,
在所述低声速膜传播的体波的声速比在所述压电体层传播的体波的声速低。
7.根据权利要求5或6所述的弹性波装置,其中,
所述高声速材料层为高声速支承基板。
8.根据权利要求5或6所述的弹性波装置,其中,
所述压电性基板具有支承基板,
所述高声速材料层是设置在所述支承基板上的高声速膜。
9.根据权利要求1~8中任一项所述的弹性波装置,其中,
所述弹性波装置与天线连接,
所述第1IDT电极的所述一对汇流条为第1汇流条以及第2汇流条,所述第1汇流条位于比所述第2汇流条更靠所述天线侧,
所述第2IDT电极的所述一对汇流条之中的连接于信号电位的汇流条与所述第1汇流条连接。
10.根据权利要求1~8中任一项所述的弹性波装置,其中,
所述弹性波装置与天线连接,
所述第1IDT电极的所述一对汇流条为第1汇流条以及第2汇流条,所述第1汇流条位于比所述第2汇流条更靠所述天线侧,
所述第2IDT电极的所述一对汇流条之中的连接于信号电位的汇流条与所述第2汇流条连接。
11.一种滤波器装置,与天线连接,其中,
所述滤波器装置具备:
串联臂谐振器;和
并联臂谐振器,
所述串联臂谐振器以及所述并联臂谐振器之中的至少一个谐振器是权利要求1~10中任一项所述的弹性波装置。
12.根据权利要求11所述的滤波器装置,其中,
所述串联臂谐振器以及所述并联臂谐振器之中的最靠天线侧的谐振器是所述弹性波装置。
13.一种多工器,具备:
天线端子,与天线连接;和
多个滤波器装置,公共连接于所述天线端子,
至少一个所述滤波器装置是权利要求11或12所述的滤波器装置。
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