CN117837085A - 弹性波滤波器装置及复合滤波器装置 - Google Patents
弹性波滤波器装置及复合滤波器装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN117837085A CN117837085A CN202280056241.0A CN202280056241A CN117837085A CN 117837085 A CN117837085 A CN 117837085A CN 202280056241 A CN202280056241 A CN 202280056241A CN 117837085 A CN117837085 A CN 117837085A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrode
- wave filter
- elastic wave
- filter device
- comb
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 45
- 244000126211 Hericium coralloides Species 0.000 claims description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 abstract description 6
- 230000037431 insertion Effects 0.000 abstract description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 description 17
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 12
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical class [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052878 cordierite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N dimagnesium dioxido-bis[(1-oxido-3-oxo-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3-disila-5,7-dialuminabicyclo[3.3.1]nonan-7-yl)oxy]silane Chemical compound [Mg++].[Mg++].[O-][Si]([O-])(O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2)O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2 JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052839 forsterite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 125000005372 silanol group Chemical group 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 steatite Chemical compound 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
- H03H9/72—Networks using surface acoustic waves
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
提供能够兼顾频带外衰减量等滤波器特性的改善和插入损耗的降低的弹性波滤波器装置。弹性波滤波器装置在压电基板(3)上构成带通型滤波器(1)，带通型滤波器(1)具有第一、第二纵耦合谐振器型弹性波滤波器(11、12)，在第一纵耦合谐振器型弹性波滤波器(11)级联连接有第二纵耦合谐振器型弹性波滤波器(12)，具有设置于压电基板(3)的第一接地电极(7)和第二接地电极(8)，第一接地电极(7)与第二接地电极(8)在压电基板(3)中没有电连接，在第一、第二纵耦合谐振器型弹性波滤波器(11、12)中的至少一方，多个IDT电极中的位于中央的IDT电极(12c)具有与信号电位连接的第一梳齿电极(12c1)以及与接地电位连接的第二、第三梳齿电极(12c2、12c3)，第二梳齿电极(12c2)与第一接地电极(7)连接，第三梳齿电极(12c3)与第二接地电极(8)连接。
Description
技术领域
本发明涉及具有级联连接的多个纵耦合谐振器型弹性波滤波器的弹性波滤波器装置及复合滤波器装置。
背景技术
在下述的专利文献1中，公开了具有纵耦合谐振器型弹性波滤波器的带通型滤波器。这里，在第一纵耦合谐振器型弹性波滤波器级联连接有第二纵耦合谐振器型弹性波滤波器。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平9-130203号公报
发明内容
发明要解决的问题
在级联连接有多个纵耦合谐振器型弹性波滤波器的结构中，能够增大通带外的衰减量。但是，在对多个纵耦合谐振器型弹性波滤波器进行多级级联连接时，存在通带中的损耗恶化这样的问题。因此，难以兼顾频带外衰减量的扩大和插入损耗的降低。
本发明的目的在于，提供一种能够兼顾频带外衰减量等滤波器特性的改善和插入损耗的降低的弹性波滤波器装置及具有该弹性波滤波器装置的复合滤波器装置。
用于解决问题的手段
本发明的弹性波滤波器装置具备：压电基板；以及在所述压电基板构成的带通型滤波器，所述带通型滤波器具有包括多个IDT电极的第一纵耦合谐振器型弹性波滤波器和第二纵耦合谐振器型弹性波滤波器，在所述第一纵耦合谐振器型弹性波滤波器级联连接有所述第二纵耦合谐振器型弹性波滤波器，所述弹性波滤波器装置具有第一接地电极和第二接地电极，该第一接地电极设置于所述压电基板，该第二接地电极设置于所述压电基板，在所述压电基板中没有与所述第一接地电极电连接，在所述第一纵耦合谐振器型弹性波滤波器及所述第二纵耦合谐振器型弹性波滤波器中的至少一方，所述多个IDT电极中的位于中央的IDT电极具有与信号电位连接的第一梳齿电极以及与接地电位连接的第二梳齿电极及第三梳齿电极，所述第二梳齿电极与所述第一接地电极连接，所述第三梳齿电极与所述第二接地电极连接。
本发明的复合滤波器装置具备：按照本发明构成的弹性波滤波器装置；以及一端与该弹性波滤波器装置共同连接的至少一个其他的带通型滤波器。
发明效果
根据本发明，能够提供能够兼顾频带外衰减量等滤波器特性的改善和插入损耗的降低的弹性波滤波器装置及具有该弹性波滤波器装置的复合滤波器装置。
附图说明
图1是示出本发明的第一实施方式的弹性波滤波器装置的电极构造的简图的电路图。
图2是具有本发明的第一实施方式的弹性波滤波器装置的复合滤波器装置的简图的俯视图。
图3是示出实施例及比较例的弹性波滤波器装置的衰减量-频率特性的图。
图4是示出实施例及比较例的弹性波滤波器装置的衰减量-频率特性的图，是示出将图3的衰减量的刻度放大示出的衰减量-频率特性的图。
图5是示出实施例及比较例的弹性波滤波器装置中的从发送滤波器侧到接收滤波器侧的隔离特性的图。
图6是示出实施例及比较例的弹性波滤波器装置中的从发送滤波器侧到接收滤波器侧的隔离特性的放大图。
图7是用于说明作为本发明的第二实施方式的复合滤波器装置的作为一例的多工器的简图的电路图。
图8是用于说明本发明的第三实施方式的弹性波滤波器装置的简图的主视剖视图。
图9是用于说明本发明的第四实施方式的弹性波滤波器装置的简图的主视剖视图。
图10是本发明的第五实施方式的弹性波滤波器装置的主视剖视图。
图11是用于说明第一实施方式的变形例的弹性波滤波器装置的主视剖视图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的具体的实施方式进行说明，由此使本发明变得清楚。
需要说明的是，预先指出本说明书所记载的各实施方式是例示性的内容，并且在不同的实施方式之间能够进行结构的部分置换或组合。
图1是示出本发明的第一实施方式的弹性波滤波器装置的电极构造的简图的电路图，图2是具有第一实施方式的弹性波滤波器装置的复合滤波器装置的简图的俯视图。
如图2所示，复合滤波器装置4具有压电基板3。压电基板3是包括压电单晶的基板。在复合滤波器装置4中，在压电基板3上设置有图示的电极构造。通过在压电基板3的第一主面3a上设置图示的电极构造，从而设置有作为第一实施方式的弹性波滤波器装置的第一带通型滤波器1和第二带通型滤波器2。第一带通型滤波器1是接收滤波器。第二带通型滤波器2是发送滤波器。
第一带通型滤波器1具有第一纵耦合谐振器型弹性波滤波器11、以及与第一纵耦合谐振器型弹性波滤波器11级联连接的第二纵耦合谐振器型弹性波滤波器12。需要说明的是，第一带通型滤波器1也可以还具有与第二纵耦合谐振器型弹性波滤波器12或第一纵耦合谐振器型弹性波滤波器11级联连接的至少一个纵耦合谐振器型弹性波滤波器。
第一纵耦合谐振器型弹性波滤波器11及第二纵耦合谐振器型弹性波滤波器12分别具有多个第一IDT电极11a、12a～第五IDT电极11e、12e。需要说明的是，在本实施方式中，使用5IDT型的第一纵耦合谐振器型弹性波滤波器11、第二纵耦合谐振器型弹性波滤波器12，但纵耦合谐振器型弹性波滤波器中的IDT的数量也可以是3或7等其他数量。
在第一纵耦合谐振器型弹性波滤波器11中，在设置有第一IDT电极11a～第五IDT电极11e的区域的弹性波传播方向两侧设置有反射器11f、11g。同样地，在第二纵耦合谐振器型弹性波滤波器12中，在设置有第一IDT电极12a～第五IDT电极12e的区域的弹性波传播方向两侧设置有反射器12f、12g。
在复合滤波器装置4中，在压电基板3的第一主面3a上设置有成为天线端子的电极9。在该电极9连接有输入电极5。在输入电极5连接有第一带通型滤波器1。另外，在电极9还连接有第二带通型滤波器2。
复合滤波器装置4是具有第一带通型滤波器1及第二带通型滤波器2的双工器。
在第一带通型滤波器1中，在输入电极5连接有第二IDT电极11b和第四IDT电极11d的第一端部。第二IDT电极11b和第四IDT电极11d的第二端部与第二接地电极8连接。第一接地电极7和第二接地电极8设置在第一主面3a上。同样地，在第一主面3a上设置有作为接收端子的信号电极6。第二带通型滤波器2与设置在第一主面3a上的发送电极10a和接地电极10b连接。
第一IDT电极11a、第三IDT电极11c及第五IDT电极11e的第一端部与第一接地电极7或第二接地电极8连接。第一IDT电极11a、第三IDT电极11c及第五IDT电极11e的第二端部分别与第二纵耦合谐振器型弹性波滤波器12的第一IDT电极12a、第三IDT电极12c及第五IDT电极12e的第一端部连接。
在第二纵耦合谐振器型弹性波滤波器12中，第一IDT电极12a的第二端部与第一接地电极7连接。在第五IDT电极12e中，第二端部与第二接地电极8连接。
第三IDT电极12c具有第一梳齿电极12c1、以及第二梳齿电极12c2和第三梳齿电极12c3。第一梳齿电极12c1是输入侧的梳齿电极，第二梳齿电极12c2和第三梳齿电极12c3是接地侧的梳齿电极。换言之，第二梳齿电极12c2和第三梳齿电极12c3相当于将接地侧的梳齿电极分割为两部分的结构。例如，优选第二梳齿电极12c2的电极指的对数与第三梳齿电极12c3的电极指的对数相等。需要说明的是，第三IDT电极12c的接地侧的梳齿电极也可以为分割为三部分以上的结构。即，第三IDT电极12c也可以除了第二梳齿电极12c2和第三梳齿电极12c3之外，还具有与接地电位连接的至少一个其他的梳齿电极。
第一梳齿电极12c1与第一带通型滤波器1的第三IDT电极11c连接。另一方面，第二梳齿电极12c2与第一接地电极7连接。第三梳齿电极12c3与第二接地电极8连接。
这里，第一接地电极7及第二接地电极8最终与接地电位连接。不过，在压电基板3中，第一接地电极7与第二接地电极8没有电连接。
在本实施方式中，在第一主面3a上设置有第一接地电极7及第二接地电极8。不过，在本发明中，如图11所示，第一接地电极7及第二接地电极8也可以设置在压电基板3的第二主面3b侧。在该情况下，第一接地电极7与第二梳齿电极12c2的电连接及第二接地电极8与第三梳齿电极12c3的电连接使用通孔电极61、62等进行即可。
第二IDT电极12b和第四IDT电极12d的第一端部被共同连接，与第一接地电极7电连接。第二IDT电极12b和第四IDT电极12d的第二端部被共同连接，与信号电极6连接。
第一带通型滤波器1的特征在于，如上所述，在第二纵耦合谐振器型弹性波滤波器12中，位于中央的第三IDT电极12c具有第一梳齿电极～第三梳齿电极12c1、12c2、12c3，第二梳齿电极12c2与第一接地电极7连接，第三梳齿电极12c3与第二接地电极8连接。由此，如以下所述，能够兼顾频带外衰减量等滤波器特性的改善和插入损耗的降低。
图3示出上述第一带通型滤波器1的实施例和比较例的弹性波滤波器装置的衰减量-频率特性。另外，图4是示出将图3的主要部分放大示出的衰减量-频率特性的图。在图3及图4中，实线表示实施例的结果，虚线表示比较例的结果。
需要说明的是，实施例及比较例的带通型滤波器是移动体通信的Band12的接收滤波器。Band12的接收滤波器的通带是729MHz～746MHz。在图3中，以M3示出作为该Band12的接收滤波器的通带的下限的729MHz的位置。同样地，以M4示出作为上限的746MHz的位置。另一方面，Band12的发送滤波器的通带是699MHz～716MHz。在图3中，以M1示出作为下限的699MHz的位置，以M2示出作为上限的716MHz的位置。
第一带通型滤波器1是Band12的接收滤波器。因此，在改善频带外衰减量时，要求作为发送滤波器的通带的699MHz～716MHz中的衰减量较大。这里，关于衰减量，要求Band12的发送滤波器的通带中的衰减量最小的部分更大。如图4的箭头A所示，可知与比较例的弹性波滤波器装置相比，根据实施例的弹性波滤波器装置，715MHz附近的衰减量最小的部分处的衰减量变大。即，在实施例的弹性波滤波器装置中，与比较例的弹性波滤波器装置相比，能够改善频带外衰减量。
另外，图5是示出实施例及比较例中的从发送滤波器侧向接收滤波器侧的隔离特性的图，图6是将图5的主要部分放大示出的隔离特性的图。
在隔离特性中，也如图6的箭头B所示，在715MHz附近，与比较例相比，根据实施例，能够改善隔离。
如上所述，在实施例中，能够实现频带外衰减量的改善被认为是基于以下的原因。即，在第三IDT电极12c中，与接地电位连接的一侧的梳齿电极被分割，分别与设置于压电基板3且没有相互电连接的第一接地电极7、第二接地电极8连接。因此，与比较例相比，认为通过基于第一接地电极7的接地与基于第二接地电极8的接地之差而实现了上述频带外衰减量的扩大。即，在从第二梳齿电极12c2到接地电位的电路与从第三梳齿电极12c3到接地电位的电路之间，电感L及电容C不同。因此，与第二梳齿电极12c2和第三梳齿电极12c3连接的接地产生强弱。由此，衰减极的频率位置变化，如上所述，认为实现了频带外衰减量的扩大。
因此，在本实施方式的第一带通型滤波器1中，不使插入损耗恶化而能够实现频带外衰减量即接收滤波器的发送频带中的衰减量的改善，并且能够改善复合滤波器装置4中的隔离特性。需要说明的是，在本实施方式中，在第一纵耦合谐振器型弹性波滤波器11和第二纵耦合谐振器型弹性波滤波器12中的第二纵耦合谐振器型弹性波滤波器12中，第三IDT电极12c具有第一梳齿电极12c1～第三梳齿电极12c3。不过，在第一纵耦合谐振器型弹性波滤波器11和第二纵耦合谐振器型弹性波滤波器12中的至少一方，多个IDT电极中的位于中央的IDT电极具有第一梳齿电极～第三梳齿电极即可。例如，也可以在第一纵耦合谐振器型弹性波滤波器11和第二纵耦合谐振器型弹性波滤波器12的双方，多个IDT电极中的位于中央的IDT电极具有第一梳齿电极～第三梳齿电极。而且，第一梳齿电极与信号电位连接，第二梳齿电极与第一接地电极7连接，第三梳齿电极与第二接地电极8连接即可。
图7是作为本发明的第二实施方式的复合滤波器装置21的简图的电路图。复合滤波器装置21是多工器。在复合滤波器装置21中，除了第一带通型滤波器1及第二带通型滤波器2之外，还连接有至少一个其他的带通型滤波器22。这样，也可以还具有一端被共同连接的至少一个带通型滤波器22。
图8是本发明的第三实施方式的弹性波滤波器装置31的简图的主视剖视图。在弹性波滤波器装置31中，压电基板具有压电体层36、支承基板32、以及层叠在压电体层36与支承基板32之间的中间层33。这样，在本发明中，压电基板也可以是在压电体层36层叠了其他层的复合基板。
在弹性波滤波器装置31中，在压电体层36上设置有IDT电极37。中间层33具有高声速膜34和低声速膜35。
高声速膜34包括高声速材料。高声速材料是指，所传播的体波的声速比在压电体层36传播的弹性波的声速高的材料。作为这样的高声速材料，能够使用氧化铝、碳化硅、氮化硅、氮氧化硅、硅、蓝宝石、钽酸锂、铌酸锂、石英、矾土、氧化锆、堇青石、莫来石、块滑石、镁橄榄石、氧化镁、DLC(类金刚石碳)膜或金刚石、以上述材料为主成分的介质、以上述材料的混合物为主成分的介质等各种材料。
低声速膜35包括低声速材料。低声速材料是指，所传播的体波的声速比在压电体层36传播的体波的声速低的材料。作为这样的低声速材料，能够使用氧化硅、玻璃、氮氧化硅、氧化钽、以及向氧化硅添加了氟、碳、硼、氢或硅烷醇基而得到的化合物、以上述材料为主成分的介质等各种材料。
支承基板32包括硅等半导体材料或矾土等绝缘体材料。
需要说明的是，也可以省略低声速膜35，或者也可以通过相同的高声速材料将高声速膜34与支承基板32一体化。即，也可以代替层叠了支承基板32及高声速膜34的构造而使用包括高声速材料的支承基板。
图9是第四实施方式的弹性波滤波器装置的简图的主视剖视图。在弹性波滤波器装置41中，在压电体层46上设置有IDT电极47。在支承基板42与压电体层46之间设置有中间层43。中间层43具有将声阻抗相对高的高声阻抗层43a、43c、43e与声阻抗相对低的低声阻抗层43b、43d、43f交替层叠的构造。也可以使用包括这样的声反射层的中间层43。
图10是本发明的第五实施方式的弹性波滤波器装置的主视剖视图。在弹性波滤波器装置51中，在支承基板52设置有凹部52a。由该凹部52a构成腔室52b。压电体层46隔着接合层53层叠于支承基板52，使得覆盖腔室52b。在具有这样的腔室52b的弹性波滤波器装置51中也能够应用本发明。
附图标记说明
1…第一带通型滤波器；
2…第二带通型滤波器；
3…压电基板；
3a…第一主面；
3b…第二主面；
4…复合滤波器装置；
5…输入电极；
6…信号电极；
7…第一接地电极；
8…第二接地电极；
9…电极；
10a…发送电极；
10b…接地电极；
11…第一纵耦合谐振器型弹性波滤波器；
11a…第一IDT电极；
11b…第二IDT电极；
11c…第三IDT电极；
11d…第四IDT电极；
11e…第五IDT电极；
11f、11g…反射器；
12…第二纵耦合谐振器型弹性波滤波器；
12a…第一IDT电极；
12b…第二IDT电极；
12c…第三IDT电极；
12c1…第一梳齿电极；
12c2…第二梳齿电极；
12c3…第三梳齿电极；
12d…第四IDT电极；
12e…第五IDT电极；
12f、12g…反射器；
21…复合滤波器装置；
22…带通型滤波器；
31…弹性波滤波器装置；
32…支承基板；
33…中间层；
34…高声速膜；
35…低声速膜；
36…压电体层；
37…IDT电极；
41…弹性波滤波器装置；
42…支承基板；
43…中间层；
43a、43c、43e…高声阻抗层；
43b、43d、43f…低声阻抗层；
46…压电体层；
47…IDT电极；
51…弹性波滤波器装置；
52…支承基板；
52a…凹部；
52b…腔室；
53…接合层；
61、62…通孔电极。
Claims (13)
1.一种弹性波滤波器装置，具备：
压电基板；以及
在所述压电基板构成的带通型滤波器，
所述带通型滤波器具有包括多个IDT电极的第一纵耦合谐振器型弹性波滤波器和第二纵耦合谐振器型弹性波滤波器，在所述第一纵耦合谐振器型弹性波滤波器级联连接有所述第二纵耦合谐振器型弹性波滤波器，
所述弹性波滤波器装置具有第一接地电极和第二接地电极，该第一接地电极设置于所述压电基板，该第二接地电极设置于所述压电基板，在所述压电基板中没有与所述第一接地电极电连接，
在所述第一纵耦合谐振器型弹性波滤波器及所述第二纵耦合谐振器型弹性波滤波器中的至少一方，所述多个IDT电极中的位于中央的IDT电极具有与信号电位连接的第一梳齿电极以及与接地电位连接的第二梳齿电极及第三梳齿电极，
所述第二梳齿电极与所述第一接地电极连接，所述第三梳齿电极与所述第二接地电极连接。
2.根据权利要求1所述的弹性波滤波器装置，其中，
在所述第一纵耦合谐振器型弹性波滤波器及所述第二纵耦合谐振器型弹性波滤波器的双方，位于所述中央的IDT电极具有所述第一梳齿电极和所述第二梳齿电极及第三梳齿电极。
3.根据权利要求1或2所述的弹性波滤波器装置，其中，
所述第二梳齿电极的电极指的对数与所述第三梳齿电极的电极指的对数相等。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的弹性波滤波器装置，其中，
位于所述中央的IDT电极除了具有所述第二梳齿电极及所述第三梳齿电极之外，还具有与接地电位连接的至少一个其他的梳齿电极。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的弹性波滤波器装置，其中，
所述弹性波滤波器装置还具有与所述第一纵耦合谐振器型弹性波滤波器或所述第二纵耦合谐振器型弹性波滤波器级联连接的至少一个纵耦合谐振器型弹性波滤波器。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的弹性波滤波器装置，其中，
所述第一接地电极及所述第二接地电极设置于所述压电基板的第一主面。
7.根据权利要求1至5中任一项所述的弹性波滤波器装置，其中，
所述第一接地电极及所述第二接地电极设置于所述压电基板的第二主面。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的弹性波滤波器装置，其中，
所述压电基板包括压电单晶。
9.根据权利要求1至7中任一项所述的弹性波滤波器装置，其中，
所述压电基板是复合基板，该复合基板具有压电体层和直接或间接地层叠于所述压电体层的支承基板。
10.根据权利要求9所述的弹性波滤波器装置，其中，
所述弹性波滤波器装置还具备中间层，该中间层层叠在所述压电体层与所述支承基板之间。
11.一种复合滤波器装置，具备：
权利要求1～10中任一项所述的弹性波滤波器装置；以及
一端与所述弹性波滤波器装置共同连接的至少一个其他的带通型滤波器。
12.根据权利要求11所述的复合滤波器装置，其中，
所述至少一个其他的带通型滤波器是一个带通型滤波器，构成双工器。
13.根据权利要求11所述的复合滤波器装置，其中，
所述至少一个其他的带通型滤波器设置有多个，构成多工器。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021-134227 | 2021-08-19 | ||
| JP2021134227 | 2021-08-19 | ||
| PCT/JP2022/028890 WO2023021949A1 (ja) | 2021-08-19 | 2022-07-27 | 弾性波フィルタ装置及び複合フィルタ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN117837085A true CN117837085A (zh) | 2024-04-05 |
Family
ID=85240567
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202280056241.0A Pending CN117837085A (zh) | 2021-08-19 | 2022-07-27 | 弹性波滤波器装置及复合滤波器装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN117837085A (zh) |
| WO (1) | WO2023021949A1 (zh) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4637718B2 (ja) * | 2005-10-25 | 2011-02-23 | 京セラ株式会社 | 弾性表面波素子及び通信装置 |
| JP4294632B2 (ja) * | 2005-10-26 | 2009-07-15 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 弾性表面波装置 |
| EP2017961A4 (en) * | 2006-05-08 | 2011-02-16 | Murata Manufacturing Co | ELASTIC WAVE FILTER DEVICE AND DUPLEX |
| JP5796604B2 (ja) * | 2013-06-13 | 2015-10-21 | 株式会社村田製作所 | 分波装置 |
-
2022
- 2022-07-27 WO PCT/JP2022/028890 patent/WO2023021949A1/ja active Application Filing
- 2022-07-27 CN CN202280056241.0A patent/CN117837085A/zh active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2023021949A1 (ja) | 2023-02-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN107710614B (zh) | 弹性波滤波器、多工器、双工器、高频前端电路以及通信装置 | |
| CN109286384B (zh) | 多工器、高频前端电路以及通信装置 | |
| CN109478880B (zh) | 多工器、高频前端电路及通信装置 | |
| CN111448759B (zh) | 多工器、高频前端电路及通信装置 | |
| CN109412552B (zh) | 多工器 | |
| CN110663175B (zh) | 弹性波装置、滤波器、高频前端电路以及通信装置 | |
| KR20180097451A (ko) | 멀티플렉서, 송신 장치 및 수신 장치 | |
| JP2018137655A5 (zh) | ||
| US20100188165A1 (en) | Antenna duplexer and communication apparatus employing the same | |
| CN111448758B (zh) | 多工器、高频前端电路以及通信装置 | |
| CN111512548B (zh) | 弹性波滤波器、多工器、高频前端电路以及通信装置 | |
| CN111527699B (zh) | 弹性波滤波器 | |
| CN113508495B (zh) | 滤波器、多工器、高频前端电路以及通信装置 | |
| WO2021002321A1 (ja) | 弾性波フィルタおよびマルチプレクサ | |
| WO2018181111A1 (ja) | マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置 | |
| CN110582939A (zh) | 多工器、高频前端电路以及通信装置 | |
| WO2017115870A1 (ja) | 弾性波フィルタ装置およびデュプレクサ | |
| CN110166017B (zh) | 弹性波装置、多工器、高频前端电路以及通信装置 | |
| CN113519121A (zh) | 弹性波滤波器装置以及多工器 | |
| JPWO2020044979A1 (ja) | フィルタ装置およびマルチプレクサ | |
| CN117837085A (zh) | 弹性波滤波器装置及复合滤波器装置 | |
| CN116868506A (zh) | 弹性波滤波器以及多工器 | |
| JP7231007B2 (ja) | フィルタ、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置 | |
| CN114208035A (zh) | 弹性波滤波器 | |
| CN110809858B (zh) | 多工器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |