WO2021060153A1 - 弾性波装置、フィルタ装置及びマルチプレクサ - Google Patents

弾性波装置、フィルタ装置及びマルチプレクサ Download PDF

Info

Publication number
WO2021060153A1
WO2021060153A1 PCT/JP2020/035314 JP2020035314W WO2021060153A1 WO 2021060153 A1 WO2021060153 A1 WO 2021060153A1 JP 2020035314 W JP2020035314 W JP 2020035314W WO 2021060153 A1 WO2021060153 A1 WO 2021060153A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
idt electrode
elastic wave
electrode
wave device
pair
Prior art date
Application number
PCT/JP2020/035314
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
康政 谷口
克也 大門
努 ▲高▼井
Original Assignee
株式会社村田製作所
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社村田製作所 filed Critical 株式会社村田製作所
Priority to JP2021548865A priority Critical patent/JP7416080B2/ja
Priority to KR1020227005687A priority patent/KR20220035948A/ko
Priority to CN202080064721.2A priority patent/CN114391221A/zh
Publication of WO2021060153A1 publication Critical patent/WO2021060153A1/ja
Priority to US17/701,971 priority patent/US20220216850A1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H03H9/14517—Means for weighting
    • H03H9/1452—Means for weighting by finger overlap length, apodisation
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02992—Details of bus bars, contact pads or other electrical connections for finger electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H03H9/14538—Formation
    • H03H9/14541—Multilayer finger or busbar electrode
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
    • H03H9/02574—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of combined substrates, multilayered substrates, piezoelectrical layers on not-piezoelectrical substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02637—Details concerning reflective or coupling arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
    • H03H9/02866—Means for compensation or elimination of undesirable effects of bulk wave excitation and reflections
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H03H9/14544—Transducers of particular shape or position
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
    • H03H9/6426—Combinations of the characteristics of different transducers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
    • H03H9/643—Means for obtaining a particular transfer characteristic the transfer characteristic being determined by reflective or coupling array characteristics
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
    • H03H9/6433—Coupled resonator filters
    • H03H9/6483—Ladder SAW filters
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H9/72—Networks using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H9/72—Networks using surface acoustic waves
    • H03H9/725—Duplexers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02637—Details concerning reflective or coupling arrays
    • H03H9/02685—Grating lines having particular arrangements
    • H03H9/0274—Intra-transducers grating lines

Definitions

  • the present invention relates to an elastic wave device, a filter device, and a multiplexer.
  • Patent Document 1 describes an example of a multiplexer having a filter including an elastic wave resonator.
  • an IDT (Interdigital Transducer) electrode is provided on a substrate having piezoelectricity.
  • a pair of reflectors are provided on both sides of the IDT electrode in the elastic wave propagation direction.
  • a plurality of filter devices are commonly connected to a common terminal. The common terminal is connected to the antenna.
  • the reception sensitivity of the multiplexer may deteriorate depending on the pass band of the plurality of filter devices of the multiplexer. More specifically, when the multiplexer includes a transmission filter and a reception filter and outputs a transmission signal from the transmission filter to the antenna, another signal may be input from the antenna. At this time, when the communication band of the transmission filter and the reception filter is, for example, Band 25, the input signal may act as an interfering wave signal. As a result, IMD (Intermodulation Distortion) may occur in the reception band of Band 25, and the reception sensitivity may deteriorate.
  • IMD Intermodulation Distortion
  • An object of the present invention is to provide an elastic wave device, a filter device, and a multiplexer that can suppress IMD and suppress deterioration of reception sensitivity.
  • the elastic wave device comprises a piezoelectric substrate having a piezoelectric layer, a first IDT electrode provided on the piezoelectric substrate, and the first IDT electrode on the piezoelectric substrate.
  • a pair of reflectors provided on both sides in the elastic wave propagation direction and one of the pair of reflectors are sandwiched on the piezoelectric substrate so as to face the first IDT electrode.
  • the first IDT electrode and the second IDT electrode have a pair of bus bars and a plurality of electrode fingers, respectively, and the first IDT electrode and the second IDT electrode are provided.
  • the second IDT electrode a part of the electrode fingers of the plurality of electrode fingers is connected to one of the pair of bus bars, and the other bus bar is connected to the plurality of electrode fingers.
  • the remaining electrode fingers are connected, and the first IDT electrode and the second IDT electrode each have a crossing region in which the plurality of electrode fingers overlap in the elastic wave propagation direction, and the first IDT electrode is connected. At least a part of the crossing region of the IDT electrode and at least a part of the crossing region of the second IDT electrode overlap in the elastic wave propagation direction, and among the pair of bus bars of the second IDT electrode.
  • One bus bar is connected to one of the pair of bus bars of the first IDT electrode, and the other bus bar of the pair of bus bars of the second IDT electrode is at the ground potential.
  • the resonance frequency of the portion connected and composed of the second IDT electrode is included in the frequency band of the interfering wave signal.
  • the filter device is a filter device connected to an antenna, comprising a series arm resonator and a parallel arm resonator, and at least one of the series arm resonator and the parallel arm resonator.
  • the resonator is an elastic wave device configured according to the present invention.
  • the multiplexer according to the present invention includes an antenna terminal connected to an antenna and a plurality of filter devices commonly connected to the antenna terminal, and at least one of the filter devices is configured according to the present invention. Is.
  • IMD can be suppressed and deterioration of reception sensitivity can be suppressed.
  • FIG. 1 is a front sectional view of an elastic wave device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic plan view showing an electrode structure in the elastic wave device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a schematic plan view showing an electrode structure in the elastic wave device of the first comparative example.
  • FIG. 4 is a diagram showing IMD3 levels in the elastic wave apparatus of the first embodiment of the present invention and the first comparative example.
  • FIG. 5 is a schematic plan view showing an electrode structure in the elastic wave device of the second comparative example.
  • FIG. 6 is a diagram showing IMD3 levels in the elastic wave apparatus of the first embodiment, the first comparative example and the second comparative example of the present invention.
  • FIG. 1 is a front sectional view of an elastic wave device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic plan view showing an electrode structure in the elastic wave device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a schematic plan view showing
  • FIG. 7 is a diagram showing the relationship between the logarithm of the electrode fingers of the second IDT electrode and the IMD3 level in the first embodiment and the first comparative example of the present invention.
  • FIG. 8 is a front sectional view of an elastic wave device according to a first modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a front sectional view of an elastic wave device according to a second modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 10 is a front sectional view of an elastic wave device according to a third modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 11 is a front sectional view of an elastic wave device according to a fourth modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a front sectional view of an elastic wave device according to a first modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a front sectional view of an elastic wave device according to a second modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 10 is a front sectional view of an elastic
  • FIG. 12 is a schematic plan view showing an electrode structure in the elastic wave device according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 13 is a diagram showing IMD3 levels in the elastic wave apparatus of the second embodiment of the present invention, the first comparative example and the third comparative example.
  • FIG. 14 is a schematic plan view showing an electrode structure in an elastic wave device according to a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 15 is a diagram showing the relationship between the logarithm of the electrode fingers of the second IDT electrode and the IMD3 level in the first embodiment, the third embodiment, and the first comparative example of the present invention.
  • FIG. 16 is a schematic circuit diagram of a filter device according to a fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 16 is a schematic circuit diagram of a filter device according to a fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 17 is a schematic circuit diagram of a filter device according to a modified example of the fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 18 is a schematic view of a duplexer according to a fifth embodiment of the present invention.
  • FIG. 19 is a schematic diagram of a multiplexer according to a sixth embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a front sectional view of an elastic wave device according to a first embodiment of the present invention.
  • the elastic wave device 1 has a piezoelectric substrate 2.
  • a first IDT electrode 3 is provided on the piezoelectric substrate 2.
  • the piezoelectric substrate 2 and the first IDT electrode 3 constitute the first IDT3A.
  • a pair of reflectors 4A and 4Bs are provided on both sides of the first IDT electrode 3 in the elastic wave propagation direction on the piezoelectric substrate 2.
  • a second IDT electrode 5 is provided on the piezoelectric substrate 2 so as to face the first IDT electrode 3 with the reflector 4A interposed therebetween.
  • the piezoelectric substrate 2 and the second IDT electrode 5 constitute the second IDT5A.
  • the elastic wave device 1 has a first IDT3A which is a part composed of the first IDT electrode 3 and a second IDT5A which is a part composed of the second IDT electrode 5.
  • the elastic wave device 1 has a reflector 4A and a reflector 4B.
  • the elastic wave device 1 of the present embodiment is an elastic wave resonator.
  • FIG. 2 is a schematic plan view showing an electrode structure in the elastic wave device according to the first embodiment.
  • the first IDT electrode 3 has a pair of the first bus bar 12 and the second bus bar 13.
  • the first bus bar 12 and the second bus bar 13 face each other.
  • the first IDT electrode 3 has a plurality of first electrode fingers 14 and a plurality of second electrode fingers 15.
  • the plurality of first electrode fingers 14 are some of the plurality of electrode fingers included in the first IDT electrode 3, and the plurality of second electrode fingers 15 are the first IDT. It is the remaining electrode finger among the plurality of electrode fingers included in the electrode 3.
  • One end of each of the plurality of first electrode fingers 14 is connected to the first bus bar 12.
  • One end of each of the plurality of second electrode fingers 15 is connected to the second bus bar 13.
  • the plurality of first electrode fingers 14 and the plurality of second electrode fingers 15 are interleaved with each other.
  • the first IDT electrode 3 has a first crossing region A.
  • the first crossing region A is a region in which the first electrode finger 14 and the second electrode finger 15 overlap each other in the elastic wave propagation direction.
  • At least one of the first bus bar 12 and the second bus bar 13 is connected to the signal potential. More specifically, when the elastic wave device 1 is used as a series arm resonator such as a ladder type filter, the first bus bar 12 and the second bus bar 13 are connected to signal potentials, respectively. When the elastic wave device 1 is used as a parallel arm resonator such as a ladder type filter, one of the first bus bar 12 and the second bus bar 13 is connected to the signal potential, and the other is the ground potential. Connected to.
  • the elastic wave device 1 is connected to the antenna.
  • the first bus bar 12 is located closer to the antenna than the second bus bar 13.
  • being located closer to the antenna than the other busbar or other element means that the antenna is closer to the antenna than the other busbar or other element in the electrical connection.
  • the first IDT electrode 3 is connected to the antenna via the antenna terminal 11A. More specifically, the first bus bar 12 is connected to the antenna terminal 11A. The first bus bar 12 may be directly connected to the antenna terminal 11A, or may be indirectly connected via another element or the like. On the other hand, the second bus bar 13 is located closer to the signal terminal 11B other than the antenna terminal 11A than the first bus bar 12. The signal terminal 11B is connected to the signal potential. The second bus bar 13 may be directly connected to the signal terminal 11B, or may be indirectly connected via another element or the like.
  • the second IDT electrode 5 has a pair of a third bus bar 16 and a fourth bus bar 17.
  • the third bus bar 16 and the fourth bus bar 17 face each other.
  • the second IDT electrode 5 has a plurality of third electrode fingers 18 and a plurality of fourth electrode fingers 19.
  • the plurality of third electrode fingers 18 are some of the plurality of electrode fingers included in the second IDT electrode 5
  • the plurality of fourth electrode fingers 19 are the second IDT. It is the remaining electrode finger among the plurality of electrode fingers included in the electrode 5.
  • One end of each of the plurality of third electrode fingers 18 is connected to the third bus bar 16.
  • One end of each of the plurality of fourth electrode fingers 19 is connected to the fourth bus bar 17.
  • the plurality of third electrode fingers 18 and the plurality of fourth electrode fingers 19 are interleaved with each other.
  • the second IDT electrode 5 has a second crossing region B.
  • the second crossing region B is a region in which the third electrode finger 18 and the fourth electrode finger 19 overlap each other in the elastic wave propagation direction.
  • the first crossing region A of the first IDT electrode 3 and the second crossing region B of the second IDT electrode 5 overlap each other in the elastic wave propagation direction. More specifically, when the direction orthogonal to the elastic wave propagation direction is the crossing width direction, the central portion of the first crossing region A in the crossing width direction and the center of the second crossing region B in the crossing width direction. The portions overlap in the elastic wave propagation direction. It is sufficient that at least a part of the first crossing region A and at least a part of the second crossing region B overlap in the elastic wave propagation direction.
  • the third bus bar 16 is connected to the signal potential.
  • the third bus bar 16 is connected to the first bus bar 12 of the first IDT electrode 3. More specifically, the third bus bar 16 is connected to the first bus bar 12 by the hot wiring 6A.
  • the first bus bar 12 and the third bus bar 16 are connected to the signal potential via the hot wiring 6A.
  • the fourth bus bar 17 of the second IDT electrode 5 is connected to the ground potential. More specifically, the fourth bus bar 17 is connected to the ground potential via the ground wiring 6B.
  • the wiring may be provided so that one of the third bus bar 16 and the fourth bus bar 17 is connected to the signal potential and the other is connected to the ground potential.
  • the resonance frequency of the first IDT3A in the elastic wave device 1 is located in the range of 1850 to 1915 MHz, which is the transmission band of the Band 25.
  • the resonance frequency of the second IDT5A in the elastic wave device 1 is included in the frequency band of the interference wave signal. More specifically, it is located in the range of 1770 to 1835 MHz, which is the interfering wave frequency band of Band 25.
  • the interfering wave signal refers to a signal having a frequency represented by 2Tx-Rx, where Tx is the frequency of the transmission band and Rx is the frequency of the reception band.
  • the resonance frequencies of the first IDT3A and the second IDT5A in the elastic wave device 1 are not limited to the above.
  • the piezoelectric substrate 2 is a laminated substrate in which a hypersonic support substrate 7 as a hypersonic material layer, a hypersonic film 8 and a piezoelectric layer 9 are laminated in this order.
  • the piezoelectric substrate 2 may be a piezoelectric substrate composed of only the piezoelectric layer 9.
  • the piezoelectric layer 9 is a lithium tantalate layer.
  • the material of the piezoelectric layer 9 is not limited to the above, and for example, lithium niobate, zinc oxide, aluminum nitride, quartz, PZT (lead zirconate titanate), or the like can be used.
  • the low sound velocity film 8 is a relatively low sound velocity film. More specifically, the sound velocity of the bulk wave propagating in the bass velocity film 8 is lower than the sound velocity of the bulk wave propagating in the piezoelectric layer 9.
  • the bass velocity film 8 is a silicon oxide film. Silicon oxide can be represented by SiO x. In the present embodiment, the bass velocity film 8 is a SiO 2 film.
  • the material of the bass velocity film 8 is not limited to the above, and for example, a material containing glass, silicon nitride, tantalum oxide, or a compound obtained by adding fluorine, carbon, or boron to silicon oxide may be used. it can.
  • the hypersonic material layer is a relatively hypersonic layer. More specifically, the sound velocity of the bulk wave propagating in the hypersonic material layer is higher than the sound velocity of the elastic wave propagating in the piezoelectric layer 9.
  • the hypersonic support substrate 7 as the hypersonic material layer is a silicon substrate.
  • the material of the high-frequency support substrate 7 is not limited to the above, and for example, aluminum oxide, silicon carbide, silicon nitride, silicon nitride, sapphire, lithium tantalate, lithium niobate, crystal, alumina, zirconia, cordierite, etc.
  • a medium containing the above materials as a main component such as mulite, steatite, forsterite, magnesia, DLC (diamond-like carbon) film or diamond, can be used.
  • the piezoelectric substrate 2 has a laminated structure in which the hypersonic support substrate 7, the low sound velocity film 8 and the piezoelectric layer 9 are laminated, elastic waves can be effectively confined on the piezoelectric layer 9 side.
  • the feature of this embodiment is that the elastic wave device 1 has the following configuration. 1)
  • the elastic wave device 1 has a second IDT electrode 5, and the second IDT electrode 5 faces the first IDT electrode 3 with the reflector 4A interposed therebetween. 2) At least a part of the first crossing region A and at least a part of the second crossing region B overlap in the elastic wave propagation direction. 3)
  • the third bus bar 16 of the second IDT electrode 5 and the first bus bar 12 of the first IDT electrode 3 are connected, and the fourth bus bar 17 of the second IDT electrode 5 becomes the ground potential. To be connected.
  • the wave near the interfering wave frequency is excited at the second IDT electrode 5, and the generation of IMD due to the input of the interfering wave signal can be suppressed.
  • the elastic wave device 1 is used as a filter device in a multiplexer or the like, deterioration of the reception sensitivity of another filter device that is commonly connected to the filter device and the signal potential can be suppressed. This detail will be described below by comparing the present embodiment with the first comparative example and the second comparative example.
  • the elastic wave device 1 having the configuration of the first embodiment and the elastic wave device 101 of the first comparative example shown in FIG. 3 were prepared.
  • the first comparative example differs from the first embodiment in that it does not have the second IDT electrode 5.
  • the design parameters of the prepared elastic wave device 1 are as follows.
  • the design parameters of the prepared elastic wave device 101 are the same as the design parameters of the elastic wave device 1 except that the second IDT electrode 5 is not provided.
  • First IDT electrode 3 logarithm of electrode fingers: 99 pairs, wavelength: 2.104 ⁇ m, duty ratio: 0.5
  • Second IDT electrode 5 logarithm of electrode fingers: 10 pairs, wavelength: 2.104 ⁇ m, duty ratio: 0.5
  • Reflector 4A and reflector 4B number of electrode fingers ... 21, wavelength ... 2.104 ⁇ m
  • the resonance frequency is located within the transmission band of the Band 25.
  • a signal in the transmission band of Band 25 and an interfering wave signal are simultaneously input to the elastic wave resonator such as these, a third-order IMD is generated in the range of 1930 to 1995 MHz, which is the reception band of Band 25.
  • the signal of the transmission band and the interference wave signal were simultaneously input to the elastic wave device 1 and the elastic wave device 101, and the IMD3 level was measured.
  • FIG. 4 is a diagram showing IMD3 levels in the elastic wave device of the first embodiment and the first comparative example.
  • the elastic wave device 1 having the configuration of the first embodiment has a lower IMD3 level than the elastic wave device 101 of the first comparative example.
  • the IMD3 level is particularly low in the vicinity of 1936 MHz. In the vicinity of 1936 MHz, the IMD3 level can be improved by about 24 dB in the first embodiment as compared with the first comparative example.
  • the wave near the interfering wave frequency is input to the first IDT electrode 3 in addition to the wave based on the signal of the transmitting band. Will also be encouraged. This causes IMD.
  • the elastic wave device 1 of the first embodiment has a second IDT electrode 5 in addition to the first IDT electrode 3. Further, the fourth bus bar 17 of the second IDT electrode 5 is connected to the ground potential. Therefore, when an interfering wave signal is input to the elastic wave device 1 at the same time as the signal in the transmission band, a wave near the interfering wave frequency is excited not only in the first IDT electrode 3 but also in the second IDT electrode 5. ..
  • the second IDT electrode 5 is arranged so as to face the first IDT electrode 3 with the reflector 4A interposed therebetween, and the first crossing region A and the second crossing region B are elastic waves. They overlap in the propagation direction.
  • the IMD signals generated at each of the first IDT electrode 3 and the second IDT electrode 5 interfere with each other and cancel each other out. Thereby, IMD can be suppressed. Therefore, when the elastic wave device 1 is used as a filter device in a multiplexer or the like, it is possible to suppress deterioration of the reception sensitivity of another filter device that is commonly connected to the filter device and the signal potential.
  • the elastic wave device 111 of the second comparative example shown in FIG. 5 was prepared. In FIG. 5, each terminal is omitted. In the second comparative example, the first IDT electrode 3 and the second IDT electrode 5 are separated in the crossing width direction, and the first crossing region A and the second crossing region B are separated in the elastic wave propagation direction. It differs from the first embodiment in that it does not overlap at all.
  • the design parameters of the prepared elastic wave device 111 are the same as the design parameters of the elastic wave device 1 described above.
  • FIG. 6 is a diagram showing IMD3 levels in the elastic wave apparatus of the first embodiment, the first comparative example, and the second comparative example.
  • the elastic wave device 1 having the configuration of the first embodiment has a lower IMD3 level than the elastic wave device 111 of the second comparative example. Therefore, in the first embodiment, it can be seen that IMD can be suppressed as described above by overlapping the first crossing region A and the second crossing region B in the elastic wave propagation direction.
  • the degree of freedom in designing the filter device may be impaired due to the influence of the element on the impedance. Alternatively, the insertion loss may increase.
  • the elastic wave device 1 is used as the filter device, IMD can be suppressed by the configuration of the elastic wave device 1 as the elastic wave resonator. Therefore, a separate element for suppressing the input of the interfering wave is not required. Therefore, IMD can be suppressed without impairing the degree of freedom in design and without increasing the insertion loss.
  • the IMD3 level was measured with different logarithms of the electrode fingers of the second IDT electrode 5.
  • the logarithms of the electrode fingers were 5, 10, and 20 pairs.
  • FIG. 7 is a diagram showing the relationship between the logarithm of the electrode fingers of the second IDT electrode and the IMD3 level in the first embodiment and the first comparative example.
  • the logarithm of the electrode fingers of the second IDT electrode 5 is changed in the first embodiment, IMD is suppressed as compared with the first comparative example.
  • the logarithm of the electrode fingers of the second IDT electrode 5 is 10 pairs or less, it can be seen that the IMD can be further suppressed as the logarithm of the electrode fingers increases.
  • the logarithm of the second IDT electrode 5 is preferably 5 pairs or more and 20 pairs or less. Thereby, IMD can be further suppressed.
  • the piezoelectric layer 9 is indirectly provided on the hypersonic support substrate 7 via the hypersonic film 8.
  • the configuration of the piezoelectric substrate 2 is not limited to the above.
  • modifications of the first to third embodiments of the first embodiment, in which only the configuration of the piezoelectric substrate is different from that of the first embodiment, will be shown.
  • IMD can be suppressed as in the first embodiment.
  • the energy of elastic waves can be effectively confined to the piezoelectric layer 9 side.
  • the hypersonic material layer is the hypersonic film 27.
  • the piezoelectric substrate 22A includes a support substrate 26, a hypersonic film 27, a low sound velocity film 8, and a piezoelectric layer 9.
  • a hypersonic film 27 is provided on the support substrate 26.
  • a hypersonic film 8 is provided on the hypersonic film 27.
  • a piezoelectric layer 9 is provided on the bass velocity film 8.
  • Examples of the material of the support substrate 26 include piezoelectric materials such as aluminum oxide, lithium tantalate, lithium niobate, and crystal, alumina, magnesia, silicon nitride, aluminum nitride, silicon carbide, zirconia, cordierite, mulite, and steatite.
  • piezoelectric materials such as aluminum oxide, lithium tantalate, lithium niobate, and crystal, alumina, magnesia, silicon nitride, aluminum nitride, silicon carbide, zirconia, cordierite, mulite, and steatite.
  • Various ceramics such as forsterite, dielectrics such as sapphire, diamond and glass, semiconductors or resins such as silicon and gallium nitride can be used.
  • Examples of the material of the treble speed film 27 include aluminum oxide, silicon carbide, silicon nitride, silicon nitride, silicon, sapphire, lithium tantalate, lithium niobate, crystal, alumina, zirconia, cordierite, mulite, steatite, and the like.
  • the piezoelectric substrate 22B has a support substrate 26, a hypersonic film 27, and a piezoelectric layer 9.
  • the piezoelectric layer 9 is provided directly on the hypersonic film 27 as the hypersonic material layer.
  • the piezoelectric substrate 22C has a hypersonic support substrate 7 and a piezoelectric layer 9.
  • the piezoelectric layer 9 is directly provided on the hypersonic support substrate 7 as the hypersonic material layer.
  • the piezoelectric substrate 22D is a piezoelectric substrate composed of only a piezoelectric layer.
  • IMD can be suppressed as in the first embodiment.
  • FIG. 12 is a schematic plan view showing an electrode structure in the elastic wave device according to the second embodiment.
  • the point where the fourth bus bar 17 of the second IDT electrode 5 is connected to the second bus bar 13 of the first IDT electrode 3 and the third bus bar 16 of the second IDT electrode 5 are It differs from the first embodiment in that it is connected to the ground potential. More specifically, the fourth bus bar 17 of the second IDT electrode 5 is connected to the second bus bar 13 of the first IDT electrode 3 by the hot wiring 6A. The third bus bar 16 is connected to the ground potential via the ground wiring 6B. Except for the above points, the elastic wave device 31 of the present embodiment has the same configuration as the elastic wave device 1 of the first embodiment.
  • the second bus bar 13 of the first IDT electrode 3 is located closer to the signal terminal 11B other than the antenna terminal 11A than the first bus bar 12.
  • IMD can be suppressed as in the first embodiment. This detail will be described below by comparing the present embodiment with the first comparative example and the third comparative example.
  • the first comparative example does not have a second IDT electrode, like the comparative example compared with the first embodiment.
  • the first IDT electrode and the second IDT electrode are separated in the crossing width direction, and the first crossing region and the second crossing region do not overlap in the elastic wave propagation direction. Is different from the second embodiment.
  • the elastic wave device 31 having the configuration of the second embodiment and the elastic wave devices of the first comparative example and the third comparative example were prepared.
  • the design parameters of the prepared elastic wave device 31 having the configuration of the second embodiment and the elastic wave device of the third comparative example are as follows.
  • the design parameters of the prepared elastic wave device 101 of the first comparative example are the same as the design parameters of the elastic wave device 31 except that the second IDT electrode 5 is not provided.
  • First IDT electrode 3 logarithm of electrode fingers: 99 pairs, wavelength: 2.104 ⁇ m, duty ratio: 0.5
  • Second IDT electrode 5 logarithm of electrode fingers: 10 pairs, wavelength: 2.104 ⁇ m, duty ratio: 0.5
  • Reflector 4A and reflector 4B number of electrode fingers ... 21, wavelength ... 2.104 ⁇ m
  • the signal of the band 25 transmission band and the interference wave signal were simultaneously input to each of the above elastic wave devices, and the IMD3 level was measured.
  • FIG. 13 is a diagram showing IMD3 levels in the elastic wave device of the second embodiment, the first comparative example, and the third comparative example.
  • the elastic wave device 31 having the configuration of the second embodiment has a lower IMD3 level than the elastic wave devices of the first comparative example 101 and the third comparative example.
  • the IMD3 level is particularly low in the vicinity of 1942 MHz. In the vicinity of 1942 MHz, in the second embodiment, the IMD3 level can be improved by about 22 dB as compared with the first comparative example. Thus, it can be seen that IMD can be suppressed in the second embodiment.
  • FIG. 14 is a schematic plan view showing an electrode structure in the elastic wave device according to the third embodiment.
  • This embodiment differs from the first embodiment in that in addition to the second IDT electrode 5, the second IDT electrode 5 has another second IDT electrode 45.
  • the elastic wave device 41 has a pair of second IDT electrodes 5 and a second IDT electrode 45. Except for the above points, the elastic wave device 41 of the present embodiment has the same configuration as the elastic wave device 1 of the first embodiment.
  • the second IDT electrode 45 is provided on the piezoelectric substrate 2 and faces the first IDT electrode 3 with the reflector 4B interposed therebetween.
  • the piezoelectric substrate 2 and the second IDT electrode 45 constitute the second IDT 45A.
  • the second IDT electrode 45 is configured in the same manner as the second IDT electrode 5. More specifically, the second IDT electrode 45 has a pair of third busbars 46 and a fourth busbar 47, as well as a plurality of third electrode fingers 48 and a plurality of fourth electrode fingers 49.
  • the second IDT electrode 45 has a second crossing region C.
  • the second crossing region C is a region in which the third electrode finger 48 and the fourth electrode finger 49 overlap each other in the elastic wave propagation direction.
  • the resonance frequency of the second IDT45A is located in the interfering wave frequency band like the second IDT5A.
  • the design parameter of the second IDT electrode 45 does not necessarily have to be the same as the design parameter of the second IDT electrode 5.
  • Both the third bus bar 16 of the second IDT electrode 5 and the third bus bar 46 of the second IDT electrode 45 are connected to the first bus bar 12 of the first IDT electrode 3 by the hot wiring 6A.
  • the fourth bus bar 17 of the second IDT electrode 5 and the fourth bus bar 47 of the second IDT electrode 45 are each connected to the ground potential via the ground wiring 6B.
  • the first crossing region A of the first IDT electrode 3, the second crossing region B of the second IDT electrode 5, and the second crossing region C of the second IDT electrode 45 overlap each other in the elastic wave propagation direction. There is.
  • the interference wave signal when the interference wave signal is input to the elastic wave device 41 at the same time as the signal in the transmission band, not only the first IDT electrode 3 but also the pair of second IDT electrodes 5 and the second IDT electrode At 45 as well, a wave near the interfering wave frequency is excited.
  • a pair of second IDT electrodes 5 and a second IDT electrode 45 are provided so as to sandwich both the pair of reflectors 4A and the reflector 4B and face the first IDT electrode 3, respectively. .. Further, the first crossing region A, the second crossing region B, and the second crossing region C overlap in the elastic wave propagation direction.
  • the IMD signals generated by the first IDT electrode 3, the pair of the second IDT electrodes 5 and the second IDT electrodes 45 interfere with each other and cancel each other out.
  • IMD can be suppressed as in the first embodiment. Therefore, when the elastic wave device 41 is used as a filter device in a multiplexer or the like, it is possible to suppress deterioration of the reception sensitivity of another filter device that is commonly connected to the filter device and the signal potential.
  • the IMD3 level was measured by making the logarithms of the electrode fingers of the pair of second IDT electrodes 5 and the second IDT electrodes 45 different.
  • the logarithm of the electrode fingers was 2, 5, and 10 pairs. The results of the first embodiment and the first comparative example are also shown.
  • FIG. 15 is a diagram showing the relationship between the logarithm of the electrode fingers of the second IDT electrode and the IMD3 level in the first embodiment, the third embodiment, and the first comparative example.
  • FIG. 16 is a schematic circuit diagram of a filter device according to a fourth embodiment of the present invention.
  • the second IDT electrode 5 is shown by a schematic diagram in which two diagonal lines are added to a rectangle.
  • the first IDT electrode 3, the reflector 4A and the reflector 4B are indicated by a resonator symbol.
  • the elastic wave device 1 as an elastic wave resonator includes a first IDT electrode 3, a second IDT electrode 5, a reflector 4A, and a reflector 4B.
  • the filter device 52 is a ladder type filter having a plurality of series arm resonators and a plurality of parallel arm resonators, and is a bandpass type filter.
  • the filter device 52 has a first signal end 51A and a second signal end 51B.
  • the first signal end 51A is an antenna end connected to the antenna.
  • the first signal end 51A and the second signal end 51B may be configured as electrode pads or may be configured as wiring.
  • the first signal end 51A and the second signal end 51B are configured as electrode pads.
  • a series arm resonator S51, a series arm resonator S52, a series arm resonator S53, a series arm resonator S54, and an elastic wave device 1 are connected in series between the first signal end 51A and the second signal end 51B. It is connected.
  • the elastic wave device 1 is a series arm resonator.
  • a parallel arm resonator P51 is connected between the connection point between the series arm resonator S51 and the series arm resonator S52 and the ground potential.
  • a parallel arm resonator P52 is connected between the connection point between the series arm resonator S52 and the series arm resonator S53 and the ground potential.
  • a parallel arm resonator P53 is connected between the connection point between the series arm resonator S53 and the series arm resonator S54 and the ground potential.
  • a parallel arm resonator P54 is connected between the connection point between the series arm resonator S54 and the elastic wave device 1 and the ground potential.
  • each series arm resonator and each parallel arm resonator are elastic wave resonators.
  • the elastic wave resonator arranged on the first signal end 51A side of the plurality of series arm resonators and the plurality of parallel arm resonators is the elastic wave device 1.
  • the first IDT electrode 3 and the second IDT electrode 5 shown in FIG. 2 are connected to the first signal end 51A configured as an electrode pad by a hot wiring 6A.
  • the hot wiring 6A may be configured integrally with the first signal end 51A.
  • the circuit configuration of the filter device 52 is not limited to the above, and it is sufficient to have the elastic wave device according to the present invention.
  • the elastic wave device 1 may be used as a parallel arm resonator in a ladder type filter.
  • the filter device 52 has the elastic wave device 1 of the first embodiment, IMD can be suppressed. As a result, when the filter device 52 is used as a multiplexer or the like, deterioration of the reception sensitivity of the filter device 52 and another filter device commonly connected to the signal potential on the first signal end 51A side can be suppressed. ..
  • the elastic wave device 1 is preferably a resonator on the side of the first signal end 51A. Thereby, deterioration of the reception sensitivity of other filter devices commonly connected to the signal potential can be effectively suppressed.
  • the elastic wave device 1 does not necessarily have to be the resonator on the first signal end 51A side.
  • FIG. 17 is a schematic circuit diagram of the filter device according to the modified example of the fourth embodiment.
  • This modification is different from the fourth embodiment in that the elastic wave device 31 of the second embodiment is used as the resonator on the side of the first signal end 51A.
  • the first IDT electrode 3 and the second IDT electrode 5 shown in FIG. 12 are connected to the series arm resonator S54 by the hot wiring 6A.
  • the second IDT electrode 5 is also connected to the IDT electrode constituting the parallel arm resonator P54.
  • the fourth bus bar 17 of the second IDT electrode 5 is connected to one of the bus bars of the pair of IDT electrodes constituting the parallel arm resonator P54 by hot wiring. There is.
  • the first IDT electrode 3 and the second IDT electrode 5 pass the signal on the second signal end 51B side via the series arm resonator S54, the series arm resonator S53, the series arm resonator S52, and the series arm resonator S51. It is indirectly connected to the electric potential. In this modification as well, IMD can be suppressed as in the fourth embodiment.
  • FIG. 18 is a schematic diagram of the duplexer according to the fifth embodiment.
  • the duplexer 60 has a first filter device 62A and a second filter device 62B.
  • the first filter device 62A is a transmission filter and is a filter device of the fourth embodiment.
  • the second filter device 62B is a reception filter.
  • at least the transmission filter may be the filter device according to the present invention.
  • the Duplexer 60 has a signal terminal 61A.
  • the signal terminal 61A is an antenna terminal connected to the antenna.
  • the signal terminal 61A may be configured as an electrode pad or may be configured as wiring.
  • the first filter device 62A and the second filter device 62B are commonly connected to the signal terminal 61A.
  • the communication band of the duplexer 60 is Band 25.
  • the pass band of the first filter device 62A is 1850 to 1915 MHz.
  • the pass band of the second filter device 62B is 1930 to 1995 MHz.
  • the communication band of the duplexer 60 is not limited to the above.
  • IMD can be suppressed in the first filter device 62A.
  • deterioration of the reception sensitivity of the second filter device 62B which is commonly connected to the first filter device 62A and the signal terminal 61A, can be suppressed.
  • FIG. 19 is a schematic diagram of the multiplexer according to the sixth embodiment.
  • the multiplexer 70 has a first filter device 72A, a second filter device 72B, a third filter device 72C, and a fourth filter device 72D.
  • the first filter device 72A and the third filter device 72C are the filter devices of the fourth embodiment.
  • the multiplexer 70 may have at least one filter device according to the present invention.
  • the first filter device 72A, the second filter device 72B, the third filter device 72C, and the fourth filter device 72D may be the filter devices according to the present invention.
  • the multiplexer 70 also has a plurality of filter devices other than the first filter device 72A, the second filter device 72B, the third filter device 72C, and the fourth filter device 72D.
  • the number of filter devices included in the multiplexer 70 is not particularly limited.
  • the multiplexer 70 has a signal terminal 61A.
  • the signal terminal 61A is an antenna terminal connected to the antenna.
  • the first filter device 72A, the second filter device 72B, the third filter device 72C, the fourth filter device 72D, and a plurality of other filter devices are commonly connected to the signal terminal 61A.
  • the communication band of the multiplexer 70 includes Band 25 and Band 66.
  • the first filter device 72A is a Band 25 transmission filter.
  • the second filter device 72B is a Band 25 reception filter.
  • the third filter device 72C is a Band 66 transmission filter.
  • the fourth filter device 72D is a Band 66 reception filter.
  • the pass band of the first filter device 72A is 1850 to 1915 MHz.
  • the pass band of the second filter device 72B is 1930 to 1995 MHz.
  • the pass band of the third filter device 72C is 1710 to 1780 MHz.
  • the pass band of the fourth filter device 72D is 2110 to 2200 MHz.
  • the communication band of the multiplexer 70 is not limited to the above.
  • the first filter device 72A and the third filter device 72C which are transmission filters in the multiplexer 70, are the filter devices of the fourth embodiment.
  • the filter device according to the present invention may be a transmission filter or a reception filter.
  • the multiplexer 70 may have at least one receive filter.
  • the IMD can be suppressed in the first filter device 72A and the third filter device 72C as in the fourth embodiment. Thereby, deterioration of the reception sensitivity of the second filter device 72B and the fourth filter device 72D can be suppressed.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

ＩＭＤを抑制することができ、受信感度の劣化を抑制することができる、弾性波装置を提供する。　弾性波装置１は、圧電性基板２と、第１のＩＤＴ電極３と、第１のＩＤＴ電極３の弾性波伝搬方向両側に設けられた反射器４Ａ，４Ｂと、反射器４Ａを挟み第１のＩＤＴ電極３と対向するように設けられており、第２のＩＤＴ５Ａを構成している第２のＩＤＴ電極５とを備える。第１，第２のＩＤＴ電極３，５は、複数の電極指が弾性波伝搬方向において重なり合っている第１，第２の交叉領域Ａ，Ｂを有する。第１，第２の交叉領域Ａ，Ｂは弾性波伝搬方向において重なり合っている。第２のＩＤＴ電極５の第３のバスバー１６が第１のＩＤＴ電極３の第１のバスバー１２に接続されており、第２のＩＤＴ電極５の第４のバスバー１７がグラウンド電位に接続される。第２のＩＤＴ電極５が構成している部分の共振周波数は妨害波信号の周波数帯域に含まれる。

Description

弾性波装置、フィルタ装置及びマルチプレクサ
　本発明は、弾性波装置、フィルタ装置及びマルチプレクサに関する。
　従来、弾性波装置は携帯電話機のフィルタなどに広く用いられている。下記の特許文献１には、弾性波共振子を含むフィルタを有するマルチプレクサの一例が記載されている。弾性波共振子においては、圧電性を有する基板上にＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ　Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極が設けられている。上記基板上において、ＩＤＴ電極の弾性波伝搬方向両側に一対の反射器が設けられている。複数のフィルタ装置は共通端子に共通接続されている。共通端子はアンテナに接続される。
特開２０１９－１０６６２２号公報
　マルチプレクサにおけるフィルタに上記のような弾性波共振子を用いると、マルチプレクサが有する複数のフィルタ装置の通過帯域によっては、マルチプレクサの受信感度が劣化するおそれがあった。より具体的には、マルチプレクサが送信フィルタ及び受信フィルタを含み、送信フィルタから送信信号をアンテナに出力するときに、アンテナから他の信号が入力される場合もある。このとき、送信フィルタ及び受信フィルタの通信バンドが、例えばＢａｎｄ２５の場合には、入力された上記信号が妨害波信号として作用するおそれがある。これにより、Ｂａｎｄ２５の受信帯域内にＩＭＤ（Ｉｎｔｅｒ　Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ　Ｄｉｓｔｏｒｔｉｏｎ）が生じ、受信感度が劣化することがある。
　本発明の目的は、ＩＭＤを抑制することができ、受信感度の劣化を抑制することができる、弾性波装置、フィルタ装置及びマルチプレクサを提供することにある。
　本発明に係る弾性波装置は、圧電体層を有する圧電性基板と、前記圧電性基板上に設けられている第１のＩＤＴ電極と、前記圧電性基板上における、前記第１のＩＤＴ電極の弾性波伝搬方向両側に設けられている一対の反射器と、前記圧電性基板上に、前記一対の反射器のうちの一方の反射器を挟み前記第１のＩＤＴ電極と対向するように設けられている第２のＩＤＴ電極とを備え、前記第１のＩＤＴ電極及び前記第２のＩＤＴ電極が、一対のバスバーと、複数の電極指と、をそれぞれ有し、前記第１のＩＤＴ電極及び前記第２のＩＤＴ電極においてそれぞれ、前記一対のバスバーのうちの一方のバスバーに前記複数の電極指のうちの一部の電極指が接続されており、他方のバスバーに前記複数の電極指のうちの残りの電極指が接続されており、前記第１のＩＤＴ電極及び前記第２のＩＤＴ電極が、前記複数の電極指が弾性波伝搬方向において重なり合っている交叉領域をそれぞれ有し、前記第１のＩＤＴ電極の前記交叉領域の少なくとも一部と前記第２のＩＤＴ電極の前記交叉領域の少なくとも一部とが、弾性波伝搬方向において重なり合っており、前記第２のＩＤＴ電極の前記一対のバスバーのうちの一方のバスバーが、前記第１のＩＤＴ電極の前記一対のバスバーのうちの一方のバスバーに接続されており、前記第２のＩＤＴ電極の前記一対のバスバーのうちの他方のバスバーがグラウンド電位に接続され、前記第２のＩＤＴ電極により構成されている部分の共振周波数が、妨害波信号の周波数帯域に含まれる。
　本発明に係るフィルタ装置は、アンテナに接続されるフィルタ装置であって、直列腕共振子と、並列腕共振子とを備え、前記直列腕共振子及び前記並列腕共振子のうちの少なくとも１つの共振子が、本発明に従い構成されている弾性波装置である。
　本発明に係るマルチプレクサは、アンテナに接続されるアンテナ端子と、前記アンテナ端子に共通接続されている複数のフィルタ装置とを備え、少なくとも１つの前記フィルタ装置が、本発明に従い構成されているフィルタ装置である。
　本発明に係る弾性波装置、フィルタ装置及びマルチプレクサによれば、ＩＭＤを抑制することができ、受信感度の劣化を抑制することができる。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図である。 図２は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置における電極構造を示す模式的平面図である。 図３は、第１の比較例の弾性波装置における電極構造を示す模式的平面図である。 図４は、本発明の第１の実施形態及び第１の比較例の弾性波装置における、ＩＭＤ３レベルを示す図である。 図５は、第２の比較例の弾性波装置における電極構造を示す模式的平面図である。 図６は、本発明の第１の実施形態、第１の比較例及び第２の比較例の弾性波装置における、ＩＭＤ３レベルを示す図である。 図７は、本発明の第１の実施形態及び第１の比較例における、第２のＩＤＴ電極の電極指の対数とＩＭＤ３レベルとの関係を示す図である。 図８は、本発明の第１の実施形態の第１の変形例に係る弾性波装置の正面断面図である。 図９は、本発明の第１の実施形態の第２の変形例に係る弾性波装置の正面断面図である。 図１０は、本発明の第１の実施形態の第３の変形例に係る弾性波装置の正面断面図である。 図１１は、本発明の第１の実施形態の第４の変形例に係る弾性波装置の正面断面図である。 図１２は、本発明の第２の実施形態に係る弾性波装置における電極構造を示す模式的平面図である。 図１３は、本発明の第２の実施形態、第１の比較例及び第３の比較例の弾性波装置における、ＩＭＤ３レベルを示す図である。 図１４は、本発明の第３の実施形態に係る弾性波装置における電極構造を示す模式的平面図である。 図１５は、本発明の第１の実施形態、第３の実施形態及び第１の比較例における、第２のＩＤＴ電極の電極指の対数とＩＭＤ３レベルとの関係を示す図である。 図１６は、本発明の第４の実施形態に係るフィルタ装置の模式的回路図である。 図１７は、本発明の第４の実施形態の変形例に係るフィルタ装置の模式的回路図である。 図１８は、本発明の第５の実施形態に係るデュプレクサの模式図である。 図１９は、本発明の第６の実施形態に係るマルチプレクサの模式図である。
　以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
　なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
　図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図である。
　弾性波装置１は圧電性基板２を有する。圧電性基板２上には、第１のＩＤＴ電極３が設けられている。圧電性基板２及び第１のＩＤＴ電極３は第１のＩＤＴ３Ａを構成している。ＩＤＴ電極に交流電圧を印加すると、弾性波が励振される。圧電性基板２上における、第１のＩＤＴ電極３の弾性波伝搬方向両側には、一対の反射器４Ａ及び反射器４Ｂが設けられている。さらに、圧電性基板２上には、反射器４Ａを挟み第１のＩＤＴ電極３と対向するように、第２のＩＤＴ電極５が設けられている。圧電性基板２及び第２のＩＤＴ電極５は第２のＩＤＴ５Ａを構成している。このように、弾性波装置１は、第１のＩＤＴ電極３により構成されている部分である第１のＩＤＴ３Ａと、第２のＩＤＴ電極５により構成されている部分である第２のＩＤＴ５Ａとを有する。さらに、弾性波装置１は、反射器４Ａ及び反射器４Ｂを有する。本実施形態の弾性波装置１は弾性波共振子である。
　図２は、第１の実施形態に係る弾性波装置における電極構造を示す模式的平面図である。
　第１のＩＤＴ電極３は、一対の第１のバスバー１２及び第２のバスバー１３を有する。第１のバスバー１２と第２のバスバー１３とは対向し合っている。第１のＩＤＴ電極３は、複数の第１の電極指１４及び複数の第２の電極指１５を有する。ここで、複数の第１の電極指１４が、第１のＩＤＴ電極３が備える複数の電極指のうちの一部の電極指であり、複数の第２の電極指１５が、第１のＩＤＴ電極３が備える複数の電極指のうちの残りの電極指である。複数の第１の電極指１４の一方端は、それぞれ第１のバスバー１２に接続されている。複数の第２の電極指１５の一方端は、それぞれ第２のバスバー１３に接続されている。複数の第１の電極指１４と複数の第２の電極指１５とは互いに間挿し合っている。第１のＩＤＴ電極３は第１の交叉領域Ａを有する。第１の交叉領域Ａは、第１の電極指１４と第２の電極指１５とが弾性波伝搬方向おいて重なり合っている領域である。
　第１のバスバー１２及び第２のバスバー１３のうちの少なくとも一方は信号電位に接続される。より具体的には、弾性波装置１が、例えば、ラダー型フィルタなどの直列腕共振子として用いられる場合には、第１のバスバー１２及び第２のバスバー１３はそれぞれ信号電位に接続される。弾性波装置１が、例えば、ラダー型フィルタなどの並列腕共振子として用いられる場合には、第１のバスバー１２及び第２のバスバー１３のうちの一方が信号電位に接続され、他方がグラウンド電位に接続される。
　本実施形態においては、弾性波装置１はアンテナに接続される。第１のバスバー１２が第２のバスバー１３よりもアンテナ側に位置する。本明細書において、他のバスバーあるいは他の素子よりもアンテナ側に位置するとは、電気的な接続において、他のバスバーあるいは他の素子よりもアンテナに近いことをいう。
　第１のＩＤＴ電極３はアンテナに、アンテナ端子１１Ａを介して接続される。より具体的には、第１のバスバー１２がアンテナ端子１１Ａに接続されている。第１のバスバー１２は、アンテナ端子１１Ａに直接的に接続されていてもよく、あるいは、他の素子などを介して間接的に接続されていてもよい。一方で、第２のバスバー１３は、第１のバスバー１２よりも、アンテナ端子１１Ａ以外の信号端子１１Ｂ側に位置する。なお、信号端子１１Ｂは信号電位に接続される。第２のバスバー１３は、信号端子１１Ｂに直接的に接続されていてもよく、あるいは、他の素子などを介して間接的に接続されていてもよい。
　他方、第２のＩＤＴ電極５は、一対の第３のバスバー１６及び第４のバスバー１７を有する。第３のバスバー１６と第４のバスバー１７とは対向し合っている。第２のＩＤＴ電極５は、複数の第３の電極指１８及び複数の第４の電極指１９を有する。ここで、複数の第３の電極指１８が、第２のＩＤＴ電極５が備える複数の電極指のうちの一部の電極指であり、複数の第４の電極指１９が、第２のＩＤＴ電極５が備える複数の電極指のうちの残りの電極指である。複数の第３の電極指１８の一方端は、それぞれ第３のバスバー１６に接続されている。複数の第４の電極指１９の一方端は、それぞれ第４のバスバー１７に接続されている。複数の第３の電極指１８と複数の第４の電極指１９とは互いに間挿し合っている。第２のＩＤＴ電極５は第２の交叉領域Ｂを有する。第２の交叉領域Ｂは、第３の電極指１８と第４の電極指１９とが弾性波伝搬方向おいて重なり合っている領域である。
　図２に示すように、第１のＩＤＴ電極３の第１の交叉領域Ａと第２のＩＤＴ電極５の第２の交叉領域Ｂとは、弾性波伝搬方向において重なり合っている。より具体的には、弾性波伝搬方向に直交する方向を交叉幅方向としたときに、第１の交叉領域Ａの交叉幅方向における中央部と、第２の交叉領域Ｂの交叉幅方向における中央部とが、弾性波伝搬方向において重なり合っている。なお、第１の交叉領域Ａの少なくとも一部と第２の交叉領域Ｂの少なくとも一部とが、弾性波伝搬方向において重なり合っていればよい。
　第３のバスバー１６は信号電位に接続される。第３のバスバー１６は、第１のＩＤＴ電極３の第１のバスバー１２に接続されている。より具体的には、第３のバスバー１６は、ホット配線６Ａにより第１のバスバー１２に接続されている。第１のバスバー１２及び第３のバスバー１６は、ホット配線６Ａを介して信号電位に接続される。
　第２のＩＤＴ電極５の第４のバスバー１７はグラウンド電位に接続される。より具体的には、第４のバスバー１７はグラウンド配線６Ｂを介してグラウンド電位に接続される。なお、第３のバスバー１６及び第４のバスバー１７のうちの一方が信号電位に接続され、他方がグラウンド電位に接続されるように配線が設けられていればよい。
　本実施形態においては、弾性波装置１における第１のＩＤＴ３Ａの共振周波数は、Ｂａｎｄ２５の送信帯域である１８５０～１９１５ＭＨｚの範囲内に位置する。弾性波装置１における第２のＩＤＴ５Ａの共振周波数は、妨害波信号の周波数帯域に含まれる。より具体的には、Ｂａｎｄ２５の妨害波周波数帯である１７７０～１８３５ＭＨｚの範囲内に位置する。本明細書において妨害波信号とは、送信帯域の周波数をＴｘ、受信帯域の周波数をＲｘとしたときに、２Ｔｘ－Ｒｘで表される周波数を有する信号のことを指す。
　なお、弾性波装置１における、第１のＩＤＴ３Ａ及び第２のＩＤＴ５Ａの各共振周波数は上記に限定されない。
　図１に戻り、圧電性基板２は、高音速材料層としての高音速支持基板７と、低音速膜８と、圧電体層９とがこの順序で積層された積層基板である。もっとも、圧電性基板２は、圧電体層９のみからなる圧電基板であってもよい。
　圧電体層９は、タンタル酸リチウム層である。なお、圧電体層９の材料は上記に限定されず、例えば、ニオブ酸リチウム、酸化亜鉛、窒化アルミニウム、水晶、またはＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）などを用いることもできる。
　低音速膜８は相対的に低音速な膜である。より具体的には、低音速膜８を伝搬するバルク波の音速は、圧電体層９を伝搬するバルク波の音速よりも低い。低音速膜８は酸化ケイ素膜である。酸化ケイ素はＳｉＯｘにより表すことができる。本実施形態では、低音速膜８はＳｉＯ２膜である。なお、低音速膜８の材料は上記に限定されず、例えば、ガラス、酸窒化ケイ素、酸化タンタル、または、酸化ケイ素にフッ素、炭素やホウ素を加えた化合物を主成分とする材料を用いることもできる。
　高音速材料層は相対的に高音速な層である。より具体的には、高音速材料層を伝搬するバルク波の音速は、圧電体層９を伝搬する弾性波の音速よりも高い。高音速材料層としての高音速支持基板７はシリコン基板である。なお、高音速支持基板７の材料は上記に限定されず、例えば、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、サファイア、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、マグネシア、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）膜またはダイヤモンドなど、上記材料を主成分とする媒質を用いることができる。
　圧電性基板２が高音速支持基板７、低音速膜８及び圧電体層９が積層された積層構造を有することにより、弾性波を圧電体層９側に効果的に閉じ込めることができる。
　図２に示すように、本実施形態の特徴は、弾性波装置１が以下の構成を有することにある。１）弾性波装置１が第２のＩＤＴ電極５を有し、第２のＩＤＴ電極５が、第１のＩＤＴ電極３と反射器４Ａを挟み対向していること。２）第１の交叉領域Ａの少なくとも一部と第２の交叉領域Ｂの少なくとも一部とが弾性波伝搬方向において重なり合っていること。３）第２のＩＤＴ電極５の第３のバスバー１６と第１のＩＤＴ電極３の第１のバスバー１２とが接続されており、第２のＩＤＴ電極５の第４のバスバー１７がグラウンド電位に接続されること。それによって、第２のＩＤＴ電極５において妨害波周波数付近の波が励振され、妨害波信号の入力によるＩＭＤの発生を抑制することができる。これにより、弾性波装置１がマルチプレクサなどにおけるフィルタ装置に用いられた場合において、該フィルタ装置と信号電位に共通接続される他のフィルタ装置の受信感度の劣化を抑制することができる。この詳細を、本実施形態と第１の比較例及び第２の比較例とを比較することにより、以下において説明する。
　第１の実施形態の構成を有する弾性波装置１及び図３に示す第１の比較例の弾性波装置１０１を用意した。第１の比較例は、第２のＩＤＴ電極５を有しない点において第１の実施形態と異なる。用意した弾性波装置１の設計パラメータは以下の通りである。なお、用意した弾性波装置１０１の設計パラメータは、第２のＩＤＴ電極５を有しない点以外においては、弾性波装置１の設計パラメータと同様である。
　第１のＩＤＴ電極３；電極指の対数…９９対、波長…２．１０４μｍ、デューティ比…０．５
　第２のＩＤＴ電極５；電極指の対数…１０対、波長…２．１０４μｍ、デューティ比…０．５
　反射器４Ａ及び反射器４Ｂ；電極指の本数…２１本、波長…２．１０４μｍ
　弾性波装置１における第１のＩＤＴ３Ａ及び弾性波装置１０１においては、Ｂａｎｄ２５の送信帯域内に共振周波数が位置する。これらのような弾性波共振子に、Ｂａｎｄ２５の送信帯域の信号及び妨害波信号を同時に入力すると、Ｂａｎｄ２５の受信帯域である１９３０～１９９５ＭＨｚの範囲内に３次ＩＭＤが生じる。弾性波装置１及び弾性波装置１０１に上記送信帯域の信号及び妨害波信号を同時に入力し、ＩＭＤ３レベルを測定した。
　図４は、第１の実施形態及び第１の比較例の弾性波装置におけるＩＭＤ３レベルを示す図である。
　図４に示すように、第１の実施形態の構成を有する弾性波装置１においては、第１の比較例の弾性波装置１０１よりもＩＭＤ３レベルが低いことがわかる。さらに、第１の実施形態においては、１９３６ＭＨｚ付近において特にＩＭＤ３レベルが低くなっている。１９３６ＭＨｚ付近においては、第１の実施形態では第１の比較例よりもＩＭＤ３レベルを約２４ｄＢ改善することができている。
　第１の比較例の弾性波装置１０１に送信帯域の信号と同時に妨害波信号が入力されると、第１のＩＤＴ電極３において、送信帯域の信号に基づく波以外に、妨害波周波数付近の波も励振されることとなる。これに起因してＩＭＤが生じる。
　これに対して、第１の実施形態の弾性波装置１は、第１のＩＤＴ電極３に加えて第２のＩＤＴ電極５を有する。また、第２のＩＤＴ電極５の第４のバスバー１７がグラウンド電位に接続されている。そのため、弾性波装置１に送信帯域の信号と同時に妨害波信号が入力されると、第１のＩＤＴ電極３だけではなく、第２のＩＤＴ電極５においても妨害波周波数付近の波が励振される。加えて、第２のＩＤＴ電極５は、反射器４Ａを挟み第１のＩＤＴ電極３に対向するように配置されており、かつ第１の交叉領域Ａと第２の交叉領域Ｂとが弾性波伝搬方向において重なっている。そのため、第１のＩＤＴ電極３と第２のＩＤＴ電極５のそれぞれで発生するＩＭＤ信号が干渉し合い、相殺される。それによって、ＩＭＤを抑制することができる。従って、弾性波装置１がマルチプレクサなどにおけるフィルタ装置に用いられた場合において、該フィルタ装置と信号電位に共通接続される他のフィルタ装置の受信感度の劣化を抑制することができる。
　図５に示す第２の比較例の弾性波装置１１１を用意した。なお、図５においては、各端子を省略している。第２の比較例は、第１のＩＤＴ電極３と第２のＩＤＴ電極５とが交叉幅方向において離れており、第１の交叉領域Ａと第２の交叉領域Ｂとが弾性波伝搬方向において全く重なっていない点において、第１の実施形態と異なる。用意した弾性波装置１１１の設計パラメータは、上記の弾性波装置１の設計パラメータと同様である。
　図６は、第１の実施形態、第１の比較例及び第２の比較例の弾性波装置におけるＩＭＤ３レベルを示す図である。
　図６に示すように、第１の実施形態の構成を有する弾性波装置１においては、第２の比較例の弾性波装置１１１よりもＩＭＤ３レベルが低いことがわかる。よって、第１の実施形態においては、第１の交叉領域Ａと第２の交叉領域Ｂとが弾性波伝搬方向において重なっていることにより、上記のようにＩＭＤを抑制できることがわかる。
　ところで、フィルタ装置において、妨害波の入力を抑制するための別途の素子を用いる場合には、該素子によるインピーダンスに対する影響により、フィルタ装置の設計の自由度が損なわれるおそれがある。あるいは、挿入損失が大きくなるおそれもある。これに対して、フィルタ装置に弾性波装置１を用いた場合には、弾性波共振子としての弾性波装置１の構成によってＩＭＤを抑制することができる。よって、妨害波の入力を抑制するための別途の素子を要しない。従って、設計の自由度を損なうことなく、挿入損失の増大を招かずして、ＩＭＤを抑制することができる。
　第１の実施形態の弾性波装置１において、第２のＩＤＴ電極５の電極指の対数を異ならせてＩＭＤ３レベルを測定した。電極指の対数は、５対、１０対、２０対とした。なお、第２のＩＤＴ電極５を有さず、電極指の対数が０対に相当する第１の比較例のＩＭＤ３レベルも併せて示す。
　図７は、第１の実施形態及び第１の比較例における、第２のＩＤＴ電極の電極指の対数とＩＭＤ３レベルとの関係を示す図である。
　図７に示すように、第１の実施形態において第２のＩＤＴ電極５の電極指の対数を変化させても、第１の比較例よりもＩＭＤが抑制されていることがわかる。第１の実施形態においては、第２のＩＤＴ電極５の電極指の対数が１０対以下の場合には、電極指の対数が多くなるほどＩＭＤをより一層抑制できることがわかる。第２のＩＤＴ電極５の対数は５対以上、２０対以下であることが好ましい。それによって、ＩＭＤをより一層抑制することができる。
　上述したように、第１の実施形態の圧電性基板２においては、高音速支持基板７上に、低音速膜８を介して間接的に圧電体層９が設けられている。もっとも、圧電性基板２の構成は上記に限定されない。以下において、圧電性基板の構成のみが第１の実施形態と異なる、第１の実施形態の第１～３の変形例を示す。第１～３の変形例においても、第１の実施形態と同様に、ＩＭＤを抑制することができる。加えて、弾性波のエネルギーを圧電体層９側に効果的に閉じ込めることができる。
　図８に示す第１の変形例においては、高音速材料層は高音速膜２７である。圧電性基板２２Ａは、支持基板２６と、高音速膜２７と、低音速膜８と、圧電体層９とを有する。支持基板２６上に高音速膜２７が設けられている。高音速膜２７上に低音速膜８が設けられている。低音速膜８上に圧電体層９が設けられている。圧電性基板２２Ａが高音速膜２７を有する場合には、支持基板２６には相対的に高音速な材料を用いることを要しない。
　支持基板２６の材料としては、例えば、酸化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶などの圧電体、アルミナ、マグネシア、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライトなどの各種セラミック、サファイア、ダイヤモンド、ガラスなどの誘電体、シリコン、窒化ガリウムなどの半導体または樹脂などを用いることができる。
　高音速膜２７の材料としては、例えば、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、シリコン、サファイア、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、マグネシア、ＤＬＣ膜またはダイヤモンドなど、上記材料を主成分とする媒質を用いることができる。
　図９に示す第２の変形例においては、圧電性基板２２Ｂは、支持基板２６と、高音速膜２７と、圧電体層９とを有する。本変形例においては、高音速材料層としての高音速膜２７上に直接的に圧電体層９が設けられている。
　図１０に示す第３の変形例においては、圧電性基板２２Ｃは、高音速支持基板７と、圧電体層９とを有する。本変形例においては、高音速材料層としての高音速支持基板７上に直接的に圧電体層９が設けられている。
　一方で、図１１に示す第１の実施形態の第４の変形例においては、圧電性基板２２Ｄは、圧電体層のみからなる圧電基板である。この場合においても、第１の実施形態と同様に、ＩＭＤを抑制することができる。
　図１２は、第２の実施形態に係る弾性波装置における電極構造を示す模式的平面図である。
　本実施形態は、第２のＩＤＴ電極５の第４のバスバー１７が第１のＩＤＴ電極３の第２のバスバー１３に接続されている点及び第２のＩＤＴ電極５の第３のバスバー１６がグラウンド電位に接続される点において、第１の実施形態と異なる。より具体的には、第２のＩＤＴ電極５の第４のバスバー１７は、ホット配線６Ａにより第１のＩＤＴ電極３の第２のバスバー１３に接続されている。第３のバスバー１６は、グラウンド配線６Ｂを介してグラウンド電位に接続される。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置３１は第１の実施形態の弾性波装置１と同様の構成を有する。
　第１のＩＤＴ電極３の第２のバスバー１３は、第１のバスバー１２よりも、アンテナ端子１１Ａ以外の信号端子１１Ｂ側に位置する。本実施形態においても、第１の実施形態と同様に、ＩＭＤを抑制することができる。この詳細を、本実施形態と第１の比較例及び第３の比較例とを比較することにより、以下において説明する。
　第１の比較例は、上記第１の実施形態と比較した比較例と同様に、第２のＩＤＴ電極を有しない。第３の比較例は、第１のＩＤＴ電極と第２のＩＤＴ電極とが交叉幅方向において離れており、第１の交叉領域と第２の交叉領域とが弾性波伝搬方向において重なっていない点において、第２の実施形態と異なる。
　第２の実施形態の構成を有する弾性波装置３１並びに第１の比較例及び第３の比較例の弾性波装置を用意した。用意した第２の実施形態の構成を有する弾性波装置３１及び第３の比較例の弾性波装置の設計パラメータは、以下の通りである。なお、用意した第１の比較例の弾性波装置１０１の設計パラメータは、第２のＩＤＴ電極５を有しない点以外においては、弾性波装置３１の設計パラメータと同様である。
　第１のＩＤＴ電極３；電極指の対数…９９対、波長…２．１０４μｍ、デューティ比…０．５
　第２のＩＤＴ電極５；電極指の対数…１０対、波長…２．１０４μｍ、デューティ比…０．５
　反射器４Ａ及び反射器４Ｂ；電極指の本数…２１本、波長…２．１０４μｍ
　上記各弾性波装置にＢａｎｄ２５の送信帯域の信号及び妨害波信号を同時に入力し、ＩＭＤ３レベルを測定した。
　図１３は、第２の実施形態、第１の比較例及び第３の比較例の弾性波装置におけるＩＭＤ３レベルを示す図である。
　図１３に示すように、第２の実施形態の構成を有する弾性波装置３１においては、第１の比較例１０１及び第３の比較例の弾性波装置よりもＩＭＤ３レベルが低いことがわかる。さらに、第２の実施形態においては、１９４２ＭＨｚ付近において特にＩＭＤ３レベルが低くなっている。１９４２ＭＨｚ付近においては、第２の実施形態では、第１の比較例よりもＩＭＤ３レベルを約２２ｄＢ改善することができている。このように、第２の実施形態において、ＩＭＤを抑制できることがわかる。
　図１４は、第３の実施形態に係る弾性波装置における電極構造を示す模式的平面図である。
　本実施形態は、第２のＩＤＴ電極５に加えて、第２のＩＤＴ電極５とは他の第２のＩＤＴ電極４５を有する点において第１の実施形態と異なる。弾性波装置４１は一対の第２のＩＤＴ電極５及び第２のＩＤＴ電極４５を有する。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置４１は第１の実施形態の弾性波装置１と同様の構成を有する。
　第２のＩＤＴ電極４５は、圧電性基板２上に設けられており、反射器４Ｂを挟み第１のＩＤＴ電極３と対向している。圧電性基板２及び第２のＩＤＴ電極４５は第２のＩＤＴ４５Ａを構成している。
　第２のＩＤＴ電極４５は第２のＩＤＴ電極５と同様に構成されている。より具体的には、第２のＩＤＴ電極４５は、一対の第３のバスバー４６及び第４のバスバー４７並びに複数の第３の電極指４８及び複数の第４の電極指４９を有する。第２のＩＤＴ電極４５は第２の交叉領域Ｃを有する。第２の交叉領域Ｃは、第３の電極指４８と第４の電極指４９とが弾性波伝搬方向おいて重なり合っている領域である。第２のＩＤＴ４５Ａの共振周波数は、第２のＩＤＴ５Ａと同様に、妨害波周波数帯域内に位置する。なお、第２のＩＤＴ電極４５の設計パラメータは、第２のＩＤＴ電極５の設計パラメータと必ずしも同じではなくともよい。
　第２のＩＤＴ電極５の第３のバスバー１６及び第２のＩＤＴ電極４５の第３のバスバー４６の両方は、ホット配線６Ａにより、第１のＩＤＴ電極３の第１のバスバー１２に接続されている。他方、第２のＩＤＴ電極５の第４のバスバー１７及び第２のＩＤＴ電極４５の第４のバスバー４７は、それぞれ、グラウンド配線６Ｂを介してグラウンド電位に接続される。第１のＩＤＴ電極３の第１の交叉領域Ａ、第２のＩＤＴ電極５の第２の交叉領域Ｂ及び第２のＩＤＴ電極４５の第２の交叉領域Ｃは、弾性波伝搬方向において重なり合っている。
　本実施形態においては、送信帯域の信号と同時に妨害波信号が弾性波装置４１に入力されると、第１のＩＤＴ電極３だけではなく、一対の第２のＩＤＴ電極５及び第２のＩＤＴ電極４５においても妨害波周波数付近の波が励振される。加えて、一対の反射器４Ａ及び反射器４Ｂの両方を挟み、第１のＩＤＴ電極３とそれぞれ対向するように、一対の第２のＩＤＴ電極５及び第２のＩＤＴ電極４５が設けられている。さらに、第１の交叉領域Ａと、第２の交叉領域Ｂ及び第２の交叉領域Ｃとが弾性波伝搬方向において重なっている。そのため、第１のＩＤＴ電極３と、一対の第２のＩＤＴ電極５及び第２のＩＤＴ電極４５のそれぞれで発生するＩＭＤ信号が干渉し合い、相殺される。それによって、第１の実施形態と同様に、ＩＭＤを抑制することができる。従って、弾性波装置４１がマルチプレクサなどにおけるフィルタ装置に用いられた場合において、該フィルタ装置と信号電位に共通接続される他のフィルタ装置の受信感度の劣化を抑制することができる。
　第３の実施形態の弾性波装置４１において、一対の第２のＩＤＴ電極５及び第２のＩＤＴ電極４５の電極指の対数を異ならせてＩＭＤ３レベルを測定した。電極指の対数は、２対、５対、１０対とした。上記第１の実施形態及び第１の比較例の結果も併せて示す。
　図１５は、第１の実施形態、第３の実施形態及び第１の比較例における、第２のＩＤＴ電極の電極指の対数とＩＭＤ３レベルとの関係を示す図である。
　図１５に示すように、第３の実施形態において一対の第２のＩＤＴ電極５及び第２のＩＤＴ電極４５の電極指の対数を変化させても、第１の比較例よりもＩＭＤが抑制されていることがわかる。第３の実施形態においては、一対の第２のＩＤＴ電極５及び第２のＩＤＴ電極４５の電極指の対数が１０対以下の場合には、電極指の対数が多くなるほどＩＭＤをより一層抑制できることがわかる。
　図１６は、本発明の第４の実施形態に係るフィルタ装置の模式的回路図である。図１６においては、第２のＩＤＴ電極５は矩形に２本の対角線を加えた略図により示す。第１のＩＤＴ電極３、反射器４Ａ及び反射器４Ｂは共振子の記号により示す。なお、本実施形態においては、弾性波共振子としての弾性波装置１は、第１のＩＤＴ電極３、第２のＩＤＴ電極５、反射器４Ａ及び反射器４Ｂを含む。　
　フィルタ装置５２は、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子を有するラダー型フィルタであり、帯域通過型フィルタである。フィルタ装置５２は第１の信号端５１Ａ及び第２の信号端５１Ｂを有する。本実施形態においては、第１の信号端５１Ａは、アンテナに接続されるアンテナ端である。第１の信号端５１Ａ及び第２の信号端５１Ｂは、電極パッドとして構成されていてもよく、配線として構成されていてもよい。本実施形態においては、第１の信号端５１Ａ及び第２の信号端５１Ｂは電極パッドとして構成されている。
　第１の信号端５１Ａと第２の信号端５１Ｂとの間に、直列腕共振子Ｓ５１、直列腕共振子Ｓ５２、直列腕共振子Ｓ５３、直列腕共振子Ｓ５４及び弾性波装置１が互いに直列に接続されている。本実施形態では、弾性波装置１は直列腕共振子である。
　直列腕共振子Ｓ５１と直列腕共振子Ｓ５２との間の接続点とグラウンド電位との間には、並列腕共振子Ｐ５１が接続されている。直列腕共振子Ｓ５２と直列腕共振子Ｓ５３との間の接続点とグラウンド電位との間には、並列腕共振子Ｐ５２が接続されている。直列腕共振子Ｓ５３と直列腕共振子Ｓ５４との間の接続点とグラウンド電位との間には、並列腕共振子Ｐ５３が接続されている。直列腕共振子Ｓ５４と弾性波装置１との間の接続点とグラウンド電位との間には、並列腕共振子Ｐ５４が接続されている。
　本実施形態では、各直列腕共振子及び各並列腕共振子は弾性波共振子である。フィルタ装置５２において、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子のうちの最も第１の信号端５１Ａ側に配置された弾性波共振子は弾性波装置１である。図２に示す第１のＩＤＴ電極３及び第２のＩＤＴ電極５は、ホット配線６Ａにより、電極パッドとして構成された第１の信号端５１Ａに接続されている。もっとも、ホット配線６Ａは第１の信号端５１Ａと一体として構成されていてもよい。なお、フィルタ装置５２の回路構成は上記に限定されず、本発明に係る弾性波装置を有していればよい。例えば、弾性波装置１が、ラダー型フィルタにおける並列腕共振子として用いられていてもよい。
　フィルタ装置５２は、第１の実施形態の弾性波装置１を有するため、ＩＭＤを抑制することができる。それによって、フィルタ装置５２がマルチプレクサなどに用いられた場合において、フィルタ装置５２と第１の信号端５１Ａ側の信号電位に共通接続される他のフィルタ装置の受信感度の劣化を抑制することができる。
　弾性波装置１は、最も第１の信号端５１Ａ側の共振子であることが好ましい。それによって、信号電位に共通接続される他のフィルタ装置の受信感度の劣化を効果的に抑制することができる。なお、弾性波装置１は、必ずしも最も第１の信号端５１Ａ側の共振子ではなくともよい。
　図１７は、第４の実施形態の変形例に係るフィルタ装置の模式的回路図である。
　本変形例は、最も第１の信号端５１Ａ側の共振子として第２の実施形態の弾性波装置３１が用いられている点において、第４の実施形態と異なる。本変形例においては、図１２に示す第１のＩＤＴ電極３及び第２のＩＤＴ電極５は、ホット配線６Ａにより、直列腕共振子Ｓ５４に接続されている。なお、第２のＩＤＴ電極５は、並列腕共振子Ｐ５４を構成しているＩＤＴ電極にも接続されている。より具体的には、並列腕共振子Ｐ５４を構成しているＩＤＴ電極の一対のバスバーのうちの一方のバスバーに、ホット配線により、第２のＩＤＴ電極５の第４のバスバー１７が接続されている。第１のＩＤＴ電極３及び第２のＩＤＴ電極５は、直列腕共振子Ｓ５４、直列腕共振子Ｓ５３、直列腕共振子Ｓ５２及び直列腕共振子Ｓ５１を介して第２の信号端５１Ｂ側の信号電位に間接的に接続される。本変形例においても、第４の実施形態と同様に、ＩＭＤを抑制することができる。　
　第４の実施形態及びその変形例においては、第１の実施形態及び第２の実施形態の弾性波装置を用いた例を示した。もっとも、第３の実施形態などの本発明に係る別の形態の弾性波装置を用いた場合においても、第４の実施形態と同様に、ＩＭＤを抑制することができる。上記においては、本発明に係る弾性波装置が直列腕共振子として用られている例を示したが、本発明に係る弾性波装置は並列腕共振子として用いられてもよい。
　図１８は、第５の実施形態に係るデュプレクサの模式図である。
　デュプレクサ６０は、第１のフィルタ装置６２Ａ及び第２のフィルタ装置６２Ｂを有する。第１のフィルタ装置６２Ａは送信フィルタであり、かつ第４の実施形態のフィルタ装置である。第２のフィルタ装置６２Ｂは受信フィルタである。もっとも、デュプレクサ６０においては、少なくとも送信フィルタが本発明に係るフィルタ装置であればよい。
　デュプレクサ６０は信号端子６１Ａを有する。信号端子６１Ａはアンテナに接続されるアンテナ端子である。信号端子６１Ａは、電極パッドとして構成されていてもよく、配線として構成されていてもよい。
　第１のフィルタ装置６２Ａ及び第２のフィルタ装置６２Ｂは、信号端子６１Ａに共通接続されている。デュプレクサ６０の通信バンドはＢａｎｄ２５である。第１のフィルタ装置６２Ａの通過帯域は１８５０～１９１５ＭＨｚである。第２のフィルタ装置６２Ｂの通過帯域は１９３０～１９９５ＭＨｚである。もっとも、デュプレクサ６０の通信バンドは上記に限定されない。
　デュプレクサ６０では、第１のフィルタ装置６２Ａにおいて、ＩＭＤを抑制することができる。それによって、第１のフィルタ装置６２Ａと信号端子６１Ａに共通接続された第２のフィルタ装置６２Ｂの受信感度の劣化を抑制することができる。
　図１９は、第６の実施形態に係るマルチプレクサの模式図である。
　マルチプレクサ７０は、第１のフィルタ装置７２Ａ、第２のフィルタ装置７２Ｂ、第３のフィルタ装置７２Ｃ及び第４のフィルタ装置７２Ｄを有する。第１のフィルタ装置７２Ａ及び第３のフィルタ装置７２Ｃは第４の実施形態のフィルタ装置である。もっとも、マルチプレクサ７０は、本発明に係るフィルタ装置を少なくとも１つ有していればよい。例えば、第１のフィルタ装置７２Ａ、第２のフィルタ装置７２Ｂ、第３のフィルタ装置７２Ｃ及び第４のフィルタ装置７２Ｄが本発明に係るフィルタ装置であってもよい。
　マルチプレクサ７０は、第１のフィルタ装置７２Ａ、第２のフィルタ装置７２Ｂ、第３のフィルタ装置７２Ｃ及び第４のフィルタ装置７２Ｄ以外の複数のフィルタ装置も有する。マルチプレクサ７０が有するフィルタ装置の個数は特に限定されない。
　マルチプレクサ７０は信号端子６１Ａを有する。信号端子６１Ａはアンテナに接続されるアンテナ端子である。第１のフィルタ装置７２Ａ、第２のフィルタ装置７２Ｂ、第３のフィルタ装置７２Ｃ、第４のフィルタ装置７２Ｄ及び他の複数のフィルタ装置は、信号端子６１Ａに共通接続されている。
　本実施形態においては、マルチプレクサ７０の通信バンドは、Ｂａｎｄ２５及びＢａｎｄ６６を含む。第１のフィルタ装置７２ＡはＢａｎｄ２５の送信フィルタである。第２のフィルタ装置７２ＢはＢａｎｄ２５の受信フィルタである。第３のフィルタ装置７２ＣはＢａｎｄ６６の送信フィルタである。第４のフィルタ装置７２ＤはＢａｎｄ６６の受信フィルタである。第１のフィルタ装置７２Ａの通過帯域は１８５０～１９１５ＭＨｚである。第２のフィルタ装置７２Ｂの通過帯域は１９３０～１９９５ＭＨｚである。第３のフィルタ装置７２Ｃの通過帯域は１７１０～１７８０ＭＨｚである。第４のフィルタ装置７２Ｄの通過帯域は２１１０～２２００ＭＨｚである。もっとも、マルチプレクサ７０の通信バンドは上記に限定されない。
　上記のように、マルチプレクサ７０における送信フィルタである第１のフィルタ装置７２Ａ及び第３のフィルタ装置７２Ｃは、第４の実施形態のフィルタ装置である。なお、本発明に係るフィルタ装置は送信フィルタであってもよく、受信フィルタであってもよい。マルチプレクサ７０は、少なくとも１つの受信フィルタを有していればよい。
　従来においては、Ｂａｎｄ２５及びＢａｎｄ６６の送信帯域における信号を送信するときに、アンテナから妨害波信号を受信すると、３次ＩＭＤが生じ、Ｂａｎｄ２５及びＢａｎｄ６６の受信帯域において受信感度が劣化することがあった。
　これに対して、マルチプレクサ７０では、第１のフィルタ装置７２Ａ及び第３のフィルタ装置７２Ｃにおいて、第４の実施形態と同様に、ＩＭＤを抑制することができる。それによって、第２のフィルタ装置７２Ｂ及び第４のフィルタ装置７２Ｄの受信感度の劣化を抑制することができる。
１…弾性波装置
２…圧電性基板
３…第１のＩＤＴ電極
３Ａ…第１のＩＤＴ
４Ａ，４Ｂ…反射器
５…第２のＩＤＴ電極
５Ａ…第２のＩＤＴ
６Ａ…ホット配線
６Ｂ…グラウンド配線
７…高音速支持基板
８…低音速膜
９…圧電体層
１１Ａ…アンテナ端子
１１Ｂ…信号端子
１２，１３…第１，第２のバスバー
１４，１５…第１，第２の電極指
１６，１７…第３，第４のバスバー
１８，１９…第３，第４の電極指
２２Ａ～２２Ｄ…圧電性基板
２６…支持基板
２７…高音速膜
３１，４１…弾性波装置
４５…第２のＩＤＴ電極
４５Ａ…第２のＩＤＴ
４６，４７…第３，第４のバスバー
４８，４９…第３，第４の電極指
５１Ａ，５１Ｂ…第１，第２の信号端
５２…フィルタ装置
６０…デュプレクサ
６１Ａ…信号端子
６２Ａ，６２Ｂ…第１，第２のフィルタ装置
７０…マルチプレクサ
７２Ａ～７２Ｄ…第１～第４のフィルタ装置
１０１，１１１…弾性波装置
Ａ…第１の交叉領域
Ｂ，Ｃ…第２の交叉領域
Ｐ５１～Ｐ５４…並列腕共振子
Ｓ５１～Ｓ５４…直列腕共振子

Claims (13)

  1. 　圧電体層を有する圧電性基板と、
    　前記圧電性基板上に設けられている第１のＩＤＴ電極と、
    　前記圧電性基板上における、前記第１のＩＤＴ電極の弾性波伝搬方向両側に設けられている一対の反射器と、
    　前記圧電性基板上に、前記一対の反射器のうちの一方の反射器を挟み前記第１のＩＤＴ電極と対向するように設けられている第２のＩＤＴ電極と、
    を備え、
    　前記第１のＩＤＴ電極及び前記第２のＩＤＴ電極が、一対のバスバーと、複数の電極指と、をそれぞれ有し、前記第１のＩＤＴ電極及び前記第２のＩＤＴ電極においてそれぞれ、前記一対のバスバーのうちの一方のバスバーに前記複数の電極指のうちの一部の電極指が接続されており、他方のバスバーに前記複数の電極指のうちの残りの電極指が接続されており、
    　前記第１のＩＤＴ電極及び前記第２のＩＤＴ電極が、前記複数の電極指が弾性波伝搬方向において重なり合っている交叉領域をそれぞれ有し、前記第１のＩＤＴ電極の前記交叉領域の少なくとも一部と前記第２のＩＤＴ電極の前記交叉領域の少なくとも一部とが、弾性波伝搬方向において重なり合っており、
    　前記第２のＩＤＴ電極の前記一対のバスバーのうちの一方のバスバーが、前記第１のＩＤＴ電極の前記一対のバスバーのうちの一方のバスバーに接続されており、前記第２のＩＤＴ電極の前記一対のバスバーのうちの他方のバスバーがグラウンド電位に接続され、
    　前記第２のＩＤＴ電極により構成されている部分の共振周波数が、妨害波信号の周波数帯域に含まれる、弾性波装置。
  2. 　送信帯域及び受信帯域を有するデュプレクサまたはマルチプレクサに含まれる、フィルタ装置に用いられる弾性波装置であって、
    　前記送信帯域の周波数をＴｘ、前記受信帯域の周波数をＲｘとしたときに、前記妨害波信号が、２Ｔｘ－Ｒｘで表される周波数を有する信号である、請求項１に記載の弾性波装置。
  3. 　前記第２のＩＤＴ電極の前記複数の電極指が２０対以下である、請求項１または２に記載の弾性波装置。
  4. 　前記圧電性基板上に、前記一対の反射器のうちの他方の反射器を挟み前記第１のＩＤＴ電極と対向するように、前記第２のＩＤＴ電極とは他の第２のＩＤＴ電極が設けられている、請求項１～３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  5. 　前記圧電性基板が高音速材料層を有し、
    　前記高音速材料層上に直接的または間接的に前記圧電体層が設けられており、
    　前記高音速材料層を伝搬するバルク波の音速が、前記圧電体層を伝搬する弾性波の音速よりも高い、請求項１～４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  6. 　前記圧電性基板が、前記高音速材料層と前記圧電体層との間に設けられている低音速膜を有し、
    　前記低音速膜を伝搬するバルク波の音速が、前記圧電体層を伝搬するバルク波の音速よりも低い、請求項５に記載の弾性波装置。
  7. 　前記高音速材料層が高音速支持基板である、請求項５または６に記載の弾性波装置。
  8. 　前記圧電性基板が支持基板を有し、
    　前記高音速材料層が、前記支持基板上に設けられている高音速膜である、請求項５または６に記載の弾性波装置。
  9. 　アンテナに接続される弾性波装置であって、
    　前記第１のＩＤＴ電極の前記一対のバスバーが第１のバスバー及び第２のバスバーであり、前記第１のバスバーが前記第２のバスバーよりも前記アンテナ側に位置し、
    　前記第２のＩＤＴ電極の前記一対のバスバーのうちの信号電位に接続されるバスバーが、前記第１のバスバーに接続されている、請求項１～８のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  10. 　アンテナに接続される弾性波装置であって、
    　前記第１のＩＤＴ電極の前記一対のバスバーが第１のバスバー及び第２のバスバーであり、前記第１のバスバーが前記第２のバスバーよりも前記アンテナ側に位置し、
    　前記第２のＩＤＴ電極の前記一対のバスバーのうちの信号電位に接続されるバスバーが、前記第２のバスバーに接続されている、請求項１～８のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  11. 　アンテナに接続されるフィルタ装置であって、
    　直列腕共振子と、
    　並列腕共振子と、
    を備え、
    　前記直列腕共振子及び前記並列腕共振子のうちの少なくとも１つの共振子が、請求項１～１０のいずれか１項に記載の弾性波装置である、フィルタ装置。
  12. 　前記直列腕共振子及び前記並列腕共振子のうちの最もアンテナ側の共振子が、前記弾性波装置である、請求項１１に記載のフィルタ装置。
  13. 　アンテナに接続されるアンテナ端子と、
    　前記アンテナ端子に共通接続されている複数のフィルタ装置と、
    を備え、
    　少なくとも１つの前記フィルタ装置が、請求項１１または１２に記載のフィルタ装置である、マルチプレクサ。
PCT/JP2020/035314 2019-09-27 2020-09-17 弾性波装置、フィルタ装置及びマルチプレクサ WO2021060153A1 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021548865A JP7416080B2 (ja) 2019-09-27 2020-09-17 弾性波装置、フィルタ装置及びマルチプレクサ
KR1020227005687A KR20220035948A (ko) 2019-09-27 2020-09-17 탄성파 장치, 필터 장치 및 멀티플렉서
CN202080064721.2A CN114391221A (zh) 2019-09-27 2020-09-17 弹性波装置、滤波器装置以及多工器
US17/701,971 US20220216850A1 (en) 2019-09-27 2022-03-23 Acoustic wave device, filter device, and multiplexer

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019176873 2019-09-27
JP2019-176873 2019-09-27

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US17/701,971 Continuation US20220216850A1 (en) 2019-09-27 2022-03-23 Acoustic wave device, filter device, and multiplexer

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2021060153A1 true WO2021060153A1 (ja) 2021-04-01

Family

ID=75165773

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2020/035314 WO2021060153A1 (ja) 2019-09-27 2020-09-17 弾性波装置、フィルタ装置及びマルチプレクサ

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20220216850A1 (ja)
JP (1) JP7416080B2 (ja)
KR (1) KR20220035948A (ja)
CN (1) CN114391221A (ja)
WO (1) WO2021060153A1 (ja)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013061694A1 (ja) * 2011-10-24 2013-05-02 株式会社村田製作所 弾性波分波器
JP2014013959A (ja) * 2012-07-03 2014-01-23 Taiyo Yuden Co Ltd 分波器
WO2014196245A1 (ja) * 2013-06-04 2014-12-11 京セラ株式会社 分波器および通信モジュール
WO2019177028A1 (ja) * 2018-03-14 2019-09-19 株式会社村田製作所 弾性波装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4586897B2 (ja) 2008-06-24 2010-11-24 株式会社村田製作所 分波器
JP5723667B2 (ja) 2011-04-27 2015-05-27 太陽誘電株式会社 ラダーフィルタ、分波器及びモジュール
DE102012108030B4 (de) * 2012-08-30 2018-05-09 Snaptrack, Inc. Multiplexer mit verringerten Intermodulationsprodukten
JP6913619B2 (ja) 2017-12-12 2021-08-04 株式会社村田製作所 マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013061694A1 (ja) * 2011-10-24 2013-05-02 株式会社村田製作所 弾性波分波器
JP2014013959A (ja) * 2012-07-03 2014-01-23 Taiyo Yuden Co Ltd 分波器
WO2014196245A1 (ja) * 2013-06-04 2014-12-11 京セラ株式会社 分波器および通信モジュール
WO2019177028A1 (ja) * 2018-03-14 2019-09-19 株式会社村田製作所 弾性波装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20220216850A1 (en) 2022-07-07
KR20220035948A (ko) 2022-03-22
CN114391221A (zh) 2022-04-22
JPWO2021060153A1 (ja) 2021-04-01
JP7416080B2 (ja) 2024-01-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10193529B2 (en) Elastic wave device
JP5094074B2 (ja) 弾性表面波素子及び弾性表面波装置
JP6760480B2 (ja) エクストラクタ
WO2020179906A1 (ja) フィルタ、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置
WO2020080465A1 (ja) 弾性波装置
CN108696266B (zh) 声波谐振器、滤波器和复用器
JP6822613B2 (ja) フィルタ装置およびマルチプレクサ
WO2020261763A1 (ja) 弾性波装置
JP6940012B2 (ja) フィルタ装置
WO2018181111A1 (ja) マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置
US8525621B2 (en) Boundary acoustic wave filter
WO2020262388A1 (ja) フィルタ装置
JP2020182130A (ja) フィルタおよびマルチプレクサ
JP7103420B2 (ja) フィルタ装置およびマルチプレクサ
JP2019121873A (ja) 弾性波デバイス、フィルタおよびマルチプレクサ
WO2010125934A1 (ja) 弾性波装置
WO2021060153A1 (ja) 弾性波装置、フィルタ装置及びマルチプレクサ
WO2021024762A1 (ja) 弾性波フィルタ装置
JP2020191535A (ja) 弾性波デバイス、フィルタおよびマルチプレクサ
WO2023002909A1 (ja) 複合フィルタ装置
WO2024024778A1 (ja) 弾性波共振子、弾性波フィルタおよび通信装置
WO2022071062A1 (ja) 弾性波装置
WO2023132354A1 (ja) フィルタデバイス、分波器および通信装置
WO2023054301A1 (ja) 弾性波フィルタ装置およびマルチプレクサ
WO2024143137A1 (ja) ラダー型フィルタ

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 20868495

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2021548865

Country of ref document: JP

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20227005687

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 20868495

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1