CN114346894A - 抛光垫和使用该抛光垫的半导体器件的制造方法 - Google Patents

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    • H01L21/31053—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step

Abstract

提供一种抛光垫，其包括：抛光层；将1g的所述抛光层加入0.3M氢氧化钾(KOH)水溶液中，并在密封容器中以150℃温度反应48h的加工组合物的核磁共振(NMR)13C光谱包括：第一峰值，在15ppm至18ppm中出现，第二峰值，在9ppm至11ppm中出现，以及第三峰值，在138ppm至143ppm中出现；并且所述第三峰值与所述第二峰值的面积比为约5：1至约10：1。所述抛光垫呈现符合所述峰值特性的物理特性，因此可以在抛光对象的抛光工艺上实现目的范围内的抛光率与缺陷防止性能。

Description

抛光垫和使用该抛光垫的半导体器件的制造方法
技术领域
本发明涉及一种用于抛光工艺的抛光垫，以及将这种抛光垫应用于半导体器件的制造方法的技术。
背景技术
化学机械平坦化(Chemical Mechanical Planarization，CMP)或者化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing，CMP)工艺可以在各种技术领域中用于各种目的。CMP工艺在抛光对象的规定的被抛光面上进行，可以用于平坦化被抛光面、除去凝集的物质、解决晶格损伤、去除划痕与污染源等。
半导体工艺的CMP工艺技术可根据抛光对象膜质或者抛光后的表面的形状来进行分类。例如，可以按抛光对象膜质分为单晶硅(single silicon)或者多晶硅(polysilicon)，也可以按杂质的种类分为各种氧化膜或者钨(W)、铜(Cu)、铝(Al)、钌(Ru)、钽(Ta)等金属膜CMP工艺。并且，还可以按抛光后的表面的形状来分为改善基板表面的粗糙度的工艺，平坦化多层电路布线导致的段差的工艺，以及用于抛光后选择性形成电路布线的器件分离工艺。
可以在半导体器件的制造过程中多次应用CMP工艺。半导体器件包括多个层，并且每个层都包括复杂而又微小的电路图。另外，在最近的半导体器件中，单个芯片大小减小，且各层的电路图都向着复杂而又微细的方向进化。因此，在半导体器件的制造过程中，CMP工艺的目的已经扩展到不仅包括电路布线的平坦化，还包括电路布线的分离及布线表面的改善等，其结果正在要求更加精密可靠的CMP性能。
这种用于CMP工艺的抛光垫作为通过摩擦来将被抛光面加工至目的水平的工艺用部件，在抛光后的被抛光对象的厚度均匀度、被抛光面的平坦度、抛光质量等方面可视为最重要的因素之一。
发明内容
发明要解决的问题
本发明的一实施例在于提供一种抛光垫，该抛光垫在抛光工艺中，即使经过一段时间也能够保持与初始抛光面同等水平的表面状态，因此抛光性能在长时间内不会下降，并且基于适当的硬度、抗拉强度以及延伸率等的物理特性，可以将所述抛光垫用于抛光工艺，以实现期望水平的抛光率与缺陷防止效果。
本发明的另一实施例在于提供一种半导体器件的制造方法，该方法在半导体基板的抛光工艺中呈现高的工艺效率，并且在最终的抛光结果中，所述半导体基板的被抛光面呈现出适当的抛光率与最低水平的缺陷。
用于解决问题的手段
在本发明的一实施例中，提供一种抛光垫，包括抛光层；将1g的所述抛光层加入0.3M氢氧化钾(KOH)水溶液中，并在密封容器中以150℃温度反应48小时的加工组合物的核磁共振(NMR)13C光谱包括：第一峰值，在15ppm至18ppm中出现，第二峰值，在9ppm至11ppm中出现，以及第三峰值，在138ppm至143ppm中出现；并且所述第三峰值与所述第二峰值的面积比为约5：1至约10：1。
在本发明的一实施例中，提供一种抛光垫，其中，所述第一峰值与所述第二峰值的面积比为约10：1至10：5，所述第一峰值与所述第三峰值的面积比为约10：5至10：10。
在本发明的一实施例中，提供一种抛光垫，其中，所述抛光层包含含有氨基甲酸乙酯基预聚物的预备组合物的固化物，所述预备组合物的核磁共振(NMR)13C光谱在16ppm至20ppm中按峰值位置(ppm)值从大到小的顺序示出第四峰值与第五峰值，并且所述第四峰值与所述第五峰值的面积比为1：1至10：1。
在本发明的一实施例中，提供一种抛光垫，其中，所述预备组合物包含异氰酸酯化合物以及多元醇化合物的反应物，所述异氰酸酯化合物包含芳香族二异氰酸酯化合物，并且所述多元醇化合物包含重均分子量(Mw)为约100g/mol以上且小于约300g/mol的低分子量多元醇，以及重均分子量(Mw)为约300g/mol以上且约1800g/mol以下的高分子量多元醇。
在本发明的一实施例中，提供一种抛光垫，其中，所述芳香族异氰酸酯化合物包含2,4-甲苯二异氰酸酯(2,4-TDI)，并且所述预备组合物包含氨基甲酸乙酯基预聚物，所述氨基甲酸乙酯基预聚物包含源自一末端聚氨酯化反应的甲苯-2,4-二异氰酸酯(2,4-TDI)的第一单元结构与源自两末端聚氨酯化反应的甲苯-2,4-二异氰酸酯(2,4-TDI)的第二单元结构中的至少一种。
在本发明的一实施例中，提供一种抛光垫，其中，所述预备组合物的异氰酸酯基的含量为5重量％至11重量％。
在本发明的一实施例中，提供一种抛光垫，其中，所述抛光层的根据下式1的值为0.1至0.6：
[式1]
Figure BDA0003281510400000031
其中，
使用凝胶渗透色谱法(GPC)测定所述加工组合物的分子量，
所述Mw是所述解聚组合物的重均分子量，
所述Mn是所述解聚组合物的数均分子量，
所述Mp是所述解聚组合物的峰值(peak)分子量。
在本发明的一实施例中，提供一种抛光垫，其中，所述加工组合物的数均分子量(Mn)为1800g/mol至2800g/mol，重均分子量(Mw)为2000g/mol至3000g/mol，峰值分子量为2000g/mol至3000g/mol。
在本发明的一实施例中，提供一种抛光垫，其中，所述加工组合物的分散度(PDI，Mw/Mn)为1至1.2。
在本发明的一实施例中，提供一种抛光垫，其中，所述抛光层的抗拉强度为18N/mm2至22N/mm2，并且硬度(Shore D)为35至55。
在本发明的另一实施例中，提供一种抛光垫的制备方法，其中，包括：第一步骤，制备包含异氰酸酯化合物以及多元醇化合物的反应物的预备组合物的步骤，第二步骤，制备包含所述预备组合物、发泡剂以及固化剂的抛光层制备用组合物的步骤，以及第三步骤，通过固化所述抛光层制备用组合物来制备抛光层的步骤；将1g的所述抛光层加入0.3M氢氧化钾(KOH)水溶液中，并在密封容器中以150℃温度反应48小时的加工组合物的核磁共振(NMR)13C光谱包括：第一峰值，在15ppm至18ppm中出现；第二峰值，在9ppm至11ppm中出现；以及第三峰值，在138ppm至143ppm中出现。
在本发明的一实施例中，提供一种抛光垫的制备方法，其中，所述第一峰值与所述第二峰值的面积比为10：1至10：5，所述第一峰值与所述第三峰值的面积比为10：5至10：10。
在本发明的一实施例中，提供一种抛光垫的制备方法，其中，所述预备组合物的核磁共振(NMR)13C光谱在16ppm至20ppm中按峰值位置(ppm)值从大到小的顺序示出第四峰值与第五峰值，并且所述第四峰值与所述第五峰值的面积比为1：1至10：1。
在本发明的一实施例中，提供一种抛光垫的制备方法，其中，所述抛光层的根据下式1的值为0.1至0.6：
[式1]
Figure BDA0003281510400000041
其中，
使用凝胶渗透色谱法(GPC)测定所述加工组合物的分子量，
所述Mw是所述解聚组合物的重均分子量，
所述Mn是所述解聚组合物的数均分子量，
所述Mp是所述解聚组合物的峰值分子量。
在本发明的一实施例中，提供一种抛光垫的制备方法，其中，所述预聚物组合物为氨基甲酸乙酯基预聚物，并且所述氨基甲酸乙酯及预聚物中的异氰酸酯(NCO)基的含量为5至11重量％，在所述步骤ⅱ)中的抛光层制备用组合物包含NH2基团，其中，氨基甲酸乙酯基预聚物的异氰酸酯(NCO)基与固化剂的NH2基团的摩尔比为0.6至0.99。
在本发明的另一实施例中，提供一种半导体器件的制造方法，其中，包括：提供包括抛光层的抛光垫的步骤，在所述抛光层的抛光面设置抛光对象的被抛光面以使所述被抛光面接触所述抛光面，然后通过使其相对旋转来抛光所述抛光对象的步骤；所述抛光对象包括半导体基板，在所述抛光层中，将1g的所述抛光层加入0.3M氢氧化钾(KOH)水溶液中，并在密封容器中以150℃温度反应48小时的加工组合物的核磁共振(NMR)13C光谱包括：第一峰值，在15ppm至18ppm中出现；第二峰值，在9ppm至11ppm中出现；以及第三峰值，在138ppm至143ppm中出现，并且所述第三峰值与所述第二峰值的面积比为5：1至10：1。
在本发明的一实施例中，提供一种半导体器件的制造方法，其中，所述抛光层的根据下式1的值为0.1至0.6：
[式1]
Figure BDA0003281510400000051
其中，
使用凝胶渗透色谱法(GPC)测定所述加工组合物的分子量，
所述Mw是所述解聚组合物的重均分子量，
所述Mn是所述解聚组合物的数均分子量，
所述Mp是所述解聚组合物的峰值分子量。
在本发明的一实施例中，提供一种半导体器件的制造方法，其中，所述半导体基板包括二氧化硅(SiO2)膜，所述被抛光面为所述二氧化硅(SiO2)膜的表面，所述二氧化硅膜的平均抛光率为
Figure BDA0003281510400000054
至
Figure BDA0003281510400000055
并且所述被抛光面的抛光结束后，表面缺陷(defect)为5个以下。
在本发明的一实施例中，提供一种半导体器件的制造方法，其中，所述抛光对象与所述抛光垫的旋转速度分别为10rpm至500rpm。
在本发明的一实施例中，提供一种半导体器件的制造方法，其中，还包括在所述抛光层的抛光面上供给抛光浆料的步骤，所述抛光浆料的供给流量为10ml/min至1000mL/min。
发明效果
所述抛光垫包括化学键合结构和交联结构的抛光层，对应于在规定条件下用所述抛光垫处理的加工组合物呈现的峰值特性，使得所述抛光层的抛光面可以呈现适当的硬度，从而在抛光对象的抛光过程中能够呈现目的范围的抛光率与抛光平坦度。另外，在抛光过程中，随着时间的推移，抛光面仍然保持初始的表面状态，因此具有抛光性能在长时间内不会下降的优点。
使用所述抛光垫的半导体器件的制造方法在作为抛光对象的半导体基板的抛光过程中呈现高的工艺效率，并且在最终的抛光结果中，所述半导体基板的被抛光面呈现出高的抛光平坦度与最低水平的缺陷。
附图说明
图1A、1B是示意性地示出一实施例的所述抛光垫的截面的图。
图2是一实施例的半导体器件的制造方法的工艺图。
图3是用于说明示例性的预备组合物、固化结构以及加工组合物的示意图。
附图标记说明
100、110、200：抛光垫
10：抛光层
11：第一表面
12：第二表面
13：凹槽
20：缓冲层
30：第一粘合层
40：第二粘合层
50：预备组合物
60：固化结构
70：加工组合物
120：平板
130：半导体基板
140：供给喷嘴
150：抛光浆料
160：抛光头
170：修整器
具体实施方式
根据下面的实施例，将更清楚地理解本发明的优点、特征以及其实现方法。然而，本发明不限于以下示例性实施方式，而是可按照各种不同的形式来实现，提供这些示例性实施方式仅为了使本发明更完整，并向本发明所属领域的普通技术人员充分地提供本发明的范畴，并且本发明将由所附权利要求来限定。
为了清楚地表达图中的各个层和区域，将厚度进行放大并示出。并且在附图中，为了方便说明，将部分层和区域的厚度夸大示出。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的构成要素。
另外，在本说明书中，当层、膜、区域、板等的一部分被称为在另一部分的“上面”或者“上方”时，这不仅包括“就在上方”的情况，还包括中间还有其他部分的情况。相反，当某个部分被称为在另一个部分“正上方”时，意味着中间没有其他部分。同时，当层、膜、区域、板等的一部分被称为在另一部分的“下面”或者“下方”时，这不仅包括“就在下方”的情况，还包括中间还有其他部分的情况。相反，当某个部分被称为在另一个部分“正下方”时，意味着中间没有其他部分。
另外，在本说明书中，在核磁共振(NMR)谱的峰值的面积比中，如果对同一个抛光层以相同的方法至少算出5次面积比后其平均数值在相应的范围内，则应视为核磁共振(NMR)光谱的峰值的面积比属于权利要求范围内。另外，所述峰值的面积比可以通过核磁共振(NMR)光谱中相应峰值的整合(integration)值来求得。
在本发明的一实施例中，提供一种抛光垫，该抛光垫包括：抛光层；将1g的所述抛光层加入浓度为0.3摩尔的氢氧化钾(KOH)水溶液中，并在密封容器中以150℃的温度反应48h小时的加工组合物的核磁共振(NMR)13C光谱包括：第一峰值，在15ppm至18ppm中出现，第二峰值，在9ppm至11ppm中出现，第三峰值，在138ppm至143ppm中出现；并且所述第三峰值与所述第二峰值的面积比为约5：1至约10：1。
所述抛光层是由具有规定化学结构的化合物组成的固化物，因此抛光率以及缺陷(defect)程度等最终抛光性能可以取决于所述化合物的化学结构和构成所述化学结构的重复单元之间的各键合结构以及结合力。包含在所述抛光层的化合物具备各种形状的化学键合结构，然而在规定的处理条件下处理所述抛光层时，化学键根据各个键合结构的结合力而分离或者保持不变。从而所述抛光层的加工组合物的核磁共振(NMR)13C光谱的形状会变化。
具体地，根据一实施例的所述抛光层的特征在于，将1g的所述抛光层加入浓度为0.3摩尔的氢氧化钾(KOH)水溶液中，并在密封容器中以150℃的温度反应48h小时的加工组合物的核磁共振(NMR)13C光谱包括：第一峰值，在15ppm至18ppm中出现，第二峰值，在9ppm至11ppm中出现，第三峰值，在138ppm至143ppm中出现；并且所述第三峰值与所述第二峰值的面积比为约5：1至约10：1。即，所述抛光层由具有与所述光谱特性相应的化学键合结构的化合物组成，从而可以得到所述抛光垫的抛光性能大幅提高的效果。更具体地，所述抛光层具有所述加工组合物的核磁共振(NMR)13C光谱中的所述第二峰值与所述第三峰值的面积比满足所述条件时的高分子结合程度，从而表现出相应的硬度与延伸率等物理特性，其结果，能够实现目标水平的抛光率(RR)等抛光性能。
例如，所述第三峰值与所述第二峰值的面积比可以为约5：1至约10：1，例如，可以为约5：1至8：1。通过所述第三峰值与所述第二峰值的面积比满足所述范围的结果，可知所述抛光层在规定条件下部分分解，从而具有表现出所述峰值的化学结合力的重复单元，同时包含整体上具有与所述面积比相应的化学结构的化合物。从而，所述抛光层可以具有适当的硬度与延伸率，其结果，能够实现目的抛光率与缺陷降低效果。
在一实施例中，在所述加工组合物中，所述第一峰值与所述第二峰值的面积比为10：1至10：5，所述第一峰值与所述第三峰值的面积比为10：5至10：10。
例如，所述第一峰值与所述第二峰值的面积比可以为约10：1至约10：5，例如，可以为约10：1.00至约10：1.60，例如，可以为约10：1.00以上且约10：1.60以下。
例如，所述第一峰值与所述第三峰值的面积比可以为10：5至10：10，例如，可以大于10：5.00，且为约10：10.00以下，例如，可以为约10：5.60至约10：9.00。
在所述加工组合物的所述第三峰值与所述第二峰值的面积比满足所述范围的同时所述第一峰值与所述第二峰值的面积比和所述第一峰值与所述第三峰值的面积比也满足所述范围的情况下，可知所述抛光层在制备所述抛光层的固化工序中以适当的固化度被固化，从而所述抛光层表现出适当的硬度以及延伸率，其结果，能够实现目的抛光率与缺陷降低效果。
另外，在所述加工组合物中，就将1g的所述抛光层加入浓度为0.3摩尔的氢氧化钾(KOH)水溶液中并在密封容器中以150℃的温度反应48小时的条件下处理而得的加工组合物而言，与在其他的条件下处理而得的加工组合物相比，其核磁共振(NMR)13C光谱与最终抛光垫的抛光性能的关系高。
可以在制备所述抛光层的过程中综合调节原料单体的种类与含量、工序温度与压力条件、固化剂与发泡剂等添加剂的种类以及含量等因素来决定所述加工组合物的核磁共振(NMR)13C光谱。
在本发明的一实施例的抛光垫中，抛光层的根据式1的值可以为0.1至0.6：
[式1]
Figure BDA0003281510400000091
其中，
将所述1g的抛光层加入15ml的0.3M浓度的KOH水溶液中，并在密封容器中以150℃的温度解聚48小时后，使用所述凝胶渗透色谱法(GPC)来测定了解聚后的组合物的分子量，
所述Mw是所述解聚组合物的重均分子量，
所述Mn是所述解聚组合物的数均分子量，
所述Mp是所述解聚组合物的峰值(peak)分子量。
根据可在制备所述抛光层时包含的固化剂的种类与含量等，决定固化剂的如氨基(-NH2)、醇羟基(-OH)的固化反应基团以及预聚物的异氰酸酯基(-NCO)的当量，并且决定抛光层中化合物的结构。
抛光垫最终的氨基甲酸乙酯类固化结构通过如上所述的因素决定。通过所述最终的氨基甲酸乙酯类固化结构，可以使抛光层表现出作为物理/机械性质的硬度、抗拉强度以及延伸率等特性。
所述抛光垫作为可以用于各种抛光工艺的工艺制品，利用所述抛光垫制造的工艺产品的不良率与生产质量很大程度地受所述抛光垫的物理特性的影响。在各种抛光工艺中，需要细微调节所述抛光层表面的物理特性，才能够不仅用于体(bulk)级的抛光工艺，还能够适用于微米(micro)以及纳米(nano)级的超精密抛光工艺，即使各物理特性的绝对数值没有显著差异，但是由此最终表现出的抛光物理特性上可能会出现非常大的差异。
所述抛光层作为由具有规定化学结构的化合物组成的固化物，根据所述化合物的化学结构和构成所述化学结构的重复单元的各个键合结构以及结合力而有所差异。
包含在所述抛光层的化合物具有各种类型的化学键合结构，当在规定的处理条件下处理所述抛光层时，根据各个键合结构的结合力，键合可能分离或者保持不变。利用这种特性，对本发明的抛光层进行解聚后，测量解聚后的组合物的重均分子量(Mw)、数均分子量(Mn)以及峰值(peak)分子量(Mp)，并将这些值代入了本发明的式1，在所求值包括在本发明的范围内的情况下，所述抛光层因组成该抛光层的化合物的化学结构而呈现出物理特性。
所述抛光层的物理机械性能与抛光过程中半导体基板的缺陷的发生密切相关。尽管可以基于抛光层的物理机械性能来提高平均抛光率与垫切削率，但是相对而言，也会导致半导体基板上缺陷的出现增多。
具体地，在CMP工艺中使用的抛光垫(pad)能够支撑施加在半导体基板上的加工压力，并且将浆料(Slurry)传递到晶片表面。并且相对于晶片表面垂直加压浆料中含有的抛光粒子并且沿水平方向做滚动运动，从而使抛光工艺顺利进行。
发挥这种功能的抛光垫因施加的荷重而发生弹性形变与粘弹性形变，所述弹性形变与粘弹性形变为高分子材料的形变特性，并且所述抛光垫在抛光过程中直接与半导体基板接触，从而影响抛光结果。
在本发明的抛光垫的情况下，硬度、抗拉强度以及延伸性能尤其优异，从而能够减少半导体基板上的缺陷的产生。
通过所述式1，可以在特定的解聚条件下对抛光层进行解聚时，组成抛光层的化合物的结构在解聚条件下分解，并通过确认所述分解的化合物的值来确认抛光层的物理和/或化学特性。
即，是组成抛光层的化合物由于其化学结构等而向所述抛光层赋予的物理和/或化学指标，在所述式1的值过低或者过高的情况下，所述抛光层不具有适当的硬度与延伸率，从而在使用所述抛光垫的抛光工艺中，所述抛光层对被抛光对象产生不适当的物理和/或化学影响，从而可能导致最终的抛光性能降低。
所述式1的值可以为0.1至0.6，优选地，可以为0.2至0.5。当所述式1的值过低时，所述抛光层的硬度过高或延伸率过低，从而在抛光过程中被抛光对象膜的表面上发生划痕等缺陷的概率可能会变高。另外，当所述式1的值过高时，可能会发生抛光率达不到所期望的水平的问题。即，在所述式1的值满足所述范围的情况下，抛光层可以表现出适当的硬度与延伸率，基于此，所述抛光层可以在抛光工艺中对于被抛光对象膜表现出适当的弹性与物理特性，从而可以在抛光率、垫切削率、防止缺陷等方面表现出有利的效果。
所述本发明的抛光层的抗拉强度为18至22N/mm2，硬度(Shore D)为35至55。基于所述抛光层的物理/机械性能，可以在抛光工艺中减少半导体基板的缺陷。
具体地，所述抛光层通过以下条件解聚，对解聚后的组合物进行GPC测定时，数均分子量(Mn)为1800g/mol至2800g/mol，优选为2000g/mol至2500g/mol，更优选为2100g/mol至2350g/mol。另外，重均分子量(Mw)为2000g/mol至3000g/mol，优选为2300g/mol至2700g/mol，更优选为2400g/mol至2600g/mol。峰值(peak)分子量为2000g/mol至3000g/mol，优选为2300g/mol至2700g/mol，更优选为2400g/mol至2600g/mol。
当解聚后的组合物的数均分子量与重均分子量满足所述范围时，则满足所述式1的值，由于满足所述式1的范围，因此可以具有适当的硬度与延伸率，其结果，可以实现目的抛光率与缺陷降低效果。
具体地，所述解聚后的抛光层的组合物以分散度(PDI，Mw/Mn)的特征在于，为1.2以下。通常，在测定高分子的分散度时，测得的值越接近1，则意味着高分子的分子量分布广。通常，通过解聚来分解被固化的高分子时，在解聚条件下被固化的高分子的键断裂的位置会有所不同，从而使种高分子以分布的形式存在。
与此相反，本发明的抛光层作为包含通过固化聚氨酯预聚物获得的固化物的抛光层，通过所述固化物的解聚，化合物的键被断裂后得到的高分子的分散值为1.2以下，表现出单分散(monodisperse)分布。即，本发明的抛光层以被解聚后降解成具有窄的分子量分布为特征。
具体地，所述解聚后的抛光层的组合物的峰值(peak)分子量为2000g/mol至3000g/mol，优选为2300g/mol至2700g/mol，更优选为2400g/mol至2600g/mol。重均分子量(Mw)为2000g/mol至3000g/mol，优选为2300g/mol至2700g/mol，更优选为2400g/mol至2600g/mol。
为了将抛光垫用于CMP抛光工艺，需要一种通过直接对抛光垫进行抛光性能测试来确认平均抛光率与垫切削率并判断是否使用所述抛光垫的步骤。
这表示在选择用于抛光工艺的抛光垫时，需要通过进行抛光性能测试来确认抛光性能，是需要消耗时间和成本的的步骤。
与此相反，在本发明中，进行解聚后，利用其的GPC测定结果值来测定数均分子量(Mn)、重均分子量(Mw)以及峰值(peak)分子量(Mp)，从而可以选择抛光垫，并且可以通过利用所述式1的值来选择能够减少在抛光工艺中发生在半导体基板表面的缺陷的抛光垫。
这将使得在不进行直接对抛光性能测试也能够预测抛光垫的性能，因此大大简化了抛光垫的工艺应用上的步骤。
图1A、1B是示意性地示出一实施例的所述抛光垫的截面的图。参照图1A，所述抛光垫100包括所述抛光层10，并且可在所述抛光层10的一表面上包括缓冲层20。所述抛光层10作为具有规定厚度的薄片形状，包括：第一表面(下面也称为“抛光面”)11，发挥与抛光对象的被抛光面直接或者间接接触的抛光面的功能；第二表面12，所述第一表面11的背面。
在一实施例中，所述第一表面11可以包括加工成深度小于所述抛光层10的厚度的凹槽13。所述凹槽13可以具有以所述第一表面11的平面结构为基准从所述抛光层10的中心向末端以规定的间隔隔开形成的同心圆形结构。在另一实施例中，所述凹槽13可以具有以所述第一表面11的平面结构为基准从所述抛光层10的中心向末端连续形成的放射形结构。在又一实施例中，所述凹槽13可以同时具有所述同心圆形结构与所述放射形结构。所述凹槽13可以发挥如下的作用：在使用所述抛光垫100的抛光工艺中调节供给至所述第一表面11上的抛光液或者抛光浆料的流动性，或者调节所述抛光面与所述被抛光面的接触面积的物理特性来调节抛光结果。
在一实施例中，所述抛光层10的厚度可以为约0.8mm至约5.0mm，例如，约1.0mm至约4.0mm，例如，约1.0mm至3.0mm，例如，约1.5mm至约3.0mm，例如，约1.7mm至约2.7mm，例如，约2.0mm至约3.5mm。
所述抛光层10可以为包括多个气孔的多孔结构。所述多个气孔的平均粒径可以为约5μm至约50μm，例如，约5μm至约40μm，例如，约10μm至约40μm，例如，约10μm至约35μm，但不限于此。所述多个气孔的一部分从所述抛光层的抛光面露向外部，以与所述凹槽13有区别的微细凹部(未图示)的形式表现，所述微细凹部可以在所述抛光垫的使用过程中同所述凹槽13一起决定抛光液或者抛光浆料的流动性与积留空间，从而能够作为抛光特性的调节因素发挥功能。
所述抛光面11可以因与所述凹槽13有区别的所述微细凹部而具有规定的表面粗糙度。在一实施例中，所述抛光面11的表面粗糙度(Ra)可以为约3μm至约1mm。例如，所述抛光面11的表面粗糙度(Ra)可以为约3μm至约20μm，例如，可以为约3μm至约10μm。
所述缓冲层20设置在所述抛光层10的所述第二表面12上，发挥支撑所述抛光层10的同时缓解所述抛光工艺中传递至被抛光面的外部压力或者冲击的作用。由此，在使用所述抛光垫100的抛光工艺中，有助于防止抛光对象受损以及发生缺陷。
在一实施例中，所述缓冲层20的厚度可以为约0.5mm至约2.5mm，例如，约0.8mm至约2.5mm，例如，约1.0mm至约2.5mm，例如，约1.0mm至约2.0mm，例如，约1.2mm至约1.8mm。
参照图1B，在一实施例中，所述抛光垫200可以包括所述抛光层10与所述缓冲层20，并且还可以包括设置在所述抛光层10与所述缓冲层20之间的界面的第一粘合层30。例如，所述第一粘合层30可以源自热封(heat-sealing)粘合剂，但不限于此。
所述抛光垫200还可以包括设置在所述抛光层10的第二表面12上的第二粘合层40。所述第二粘合层40为用于将所述抛光垫粘附在抛光装置的平板上的结构，可以设置在所述抛光层10的所述第二表面12正上方，也可以如图1B所示，设置在所述抛光层10上的缓冲层20等的其它层上。例如，所述第二粘合层40可以源自压敏(Pressure sensitive)粘合剂，但不限于此。
在一实施例中，所述抛光垫可以包括贯通其最上层与最下层的贯通区域。所述贯通区域作为用于在所述抛光垫的使用过程中检测抛光终点的结构，具有规定波长条件的光可以透过该贯通区域。在一实施例中，在所述贯通区域中可以设置有窗口。所述光透射窗口对约500nm至约700nm的波长中的任意一个波长的光的透过率可以超过约30％，例如，可以为约40％至约80％。
所述抛光层可以包含含氨基甲酸乙酯基预聚物的预备组合物的固化物。在一实施例中，所述预备组合物还可以包含固化剂与发泡剂。所述“预聚物(prepolymer)”是指具有比较低的分子量的高分子，其在制备固化物时，为了便于成型，在中间阶段中断聚合度。所述预聚物自身可以经过加热和/或加压等附加的固化工艺最终成型为固化物，或者与其他聚合性化合物，例如，不同种类的单体或者不同种类的预聚物等附加化合物混合并且反应来最终成型为固化物。
在一实施例中，可以通过使异氰酸酯化合物与多元醇化合物反应来制备所述氨基甲酸乙酯基预聚物。
制备所述氨基甲酸乙酯基预聚物时使用的异氰酸酯化合物可以为选自由芳香族二异氰酸酯、脂肪族二异氰酸酯、脂环族二异氰酸酯以及它们的组合组成的组中的一种。在一实施例中，所述异氰酸酯化合物可以包含芳香族二异氰酸酯。
所述异氰酸酯化合物，例如，可以包含选自由2,4-甲苯二异氰酸酯(2,4-toluenediisocyanate，2,4-TDI)、2,6-甲苯二异氰酸酯(2,6-toluenediisocyanate，2,6-TDI)、萘-1,5-二异氰酸酯(naphthalene-1,5-diisocyanate)、对苯二异氰酸酯(p-phenylenediisocyanate)、二甲基联苯二异氰酸酯(tolidinediisocyanate)、4,4’-二苯甲烷二异氰酸酯(4,4’-diphenylmethanediisocyanate)、六亚甲基二异氰酸酯(hexamethylenediisocyanate)、二环己基甲烷二异氰酸酯(dicyclohexylmethanediisocyanate)、4,4’-二环己基甲烷二异氰酸酯(4,4’-dicyclohexylmethanediisocyanate，H12MDI)、异佛尔酮二异氰酸酯(isoporonediisocyanate)以及它们的组合组成的组中的一种。
所述“多元醇(polyol)”是指每个分子至少含有2个以上羟基(-OH)的化合物。在一实施例中，所述多元醇化合物可以包含含有2个羟基的二元醇化合物，即，二醇(diol)或者乙二醇(glycol)。
所述多元醇化合物，例如，可以包含选自由聚醚类多元醇(polyether polyol)、聚酯类多元醇(polyester polyol)、聚碳酸酯多元醇(polycarbonate polyol)、丙烯酸类多元醇(acryl polyol)以及它们的组合组成的组中的一种。
所述多元醇化合物，例如，可以包含选自由聚四亚甲基醚二醇(PTMG)、聚丙烯醚二醇、乙二醇、1,2-丙二醇、1,3-丙二醇、1,2-丁二醇、1,3-丁二醇、2-甲基-1,3-丙二醇、1,4-丁二醇、新戊二醇、1,5-戊二醇、3-甲基-1,5-戊二醇、1,6-己二醇、二乙二醇(DEG)、二丙二醇(DPG)、三丙二醇、聚丙烯乙二醇以及它们的组合组成的组中的一种。
所述多元醇化合物可以具有约100g/mol至约3000g/mol的重均分子量(Mw)。例如，所述多元醇可以具有约100g/mol至约3000g/mol，例如，约100g/mol至约2000g/mol，例如，约100g/mol至约1800g/mol的重均分子量(Mw)。
在一实施例中，所述多元醇化合物可以包含重均分子量(Mw)为约100g/mol以上且小于约300g/mol的低分子量多元醇以及重均分子量(Mw)为约300g/mol以上且为约1800g/mol以下的高分子量多元醇。在一实施例中，所述高分子量多元醇可以包含：重均分子量(Mw)为约500g/mol且为约800g/mol以下的第一高分子量多元醇；以及重均分子量(Mw)大于约800g/mol且为约1800g/mol以下的第二高分子量多元醇。在这种情况下，所述多元醇化合物可以在所述氨基甲酸乙酯基预聚物中形成适当的交联结构，包含所述氨基甲酸乙酯基预聚物的预备组合物在规定的工艺条件下固化而形成的抛光层可能更有利于实现所述效果。即，由于所述多元醇化合物具有适当的交联结构，在规定的条件下处理所述抛光层而得的加工组合物的核磁共振(NMR)13C光谱可能呈现所述峰值面积比特性，并且可以实现与所述特性相应的优异的抛光特性。
所述氨基甲酸乙酯基预聚物可以具有约500g/mol至约3000g/mol的重均分子量(Mw)。所述氨基甲酸乙酯基预聚物，例如，可以具有约600g/mol至约2000g/mol，例如，约800g/mol至约1000g/mol的重均分子量(Mw)。在所述氨基甲酸乙酯基预聚物具有与所述重均分子量(Mw)相应的聚合度的情况下，所述预备组合物在规定的工艺条件下固化而形成的抛光层可能更有利于具有实现所述优异的抛光特性的化学键合结构。
在一实施例中，用于制备所述氨基甲酸乙酯基预聚物的异氰酸酯化合物可以包含芳香族二异氰酸酯化合物，所述芳香族二异氰酸酯化合物，例如，可以包含2,4-甲苯二异氰酸酯(2,4-TDI)与2,6-甲苯二异氰酸酯(2,6-TDI)。另外，用于制备所述氨基甲酸乙酯基预聚物的多元醇化合物，例如，可以包含聚四亚甲基醚二醇(PTMG)与二乙二醇(DEG)。
在另一实施例中，用于制备所述氨基甲酸乙酯基预聚物的异氰酸酯化合物可以包含芳香族二异氰酸酯化合物与脂环族二异氰酸酯化合物，例如，所述芳香族二异氰酸酯化合物可以包含2,4-甲苯二异氰酸酯(2,4-TDI)与2,6-甲苯二异氰酸酯(2,6-TDI)，所述脂环族二异氰酸酯化合物可以包含双环己基甲烷二异氰酸酯(H12MDI)。另外，用于制备所述氨基甲酸乙酯基预聚物的多元醇化合物，例如，可以包含聚四亚甲基醚二醇(PTMG)与二乙二醇(DEG)。
在所述预备组合物中，相对于用于制备所述氨基甲酸乙酯基预聚物的所有成分中的所述异氰酸酯化合物总量100重量份，所述多元醇化合物的总量可以为约100重量份至约250重量份，例如，约120重量份至约250重量份，例如，约120重量份至约240重量份，例如，约150重量份至约240重量份，例如，约190重量份至约240重量份。
在所述预备组合物中，当用于制备所述氨基甲酸乙酯基预聚物的所述异氰酸酯化合物包含所述芳香族异氰酸酯化合物，并且所述芳香族异氰酸酯化合物包含2,4-甲苯二异氰酸酯(2,4-TDI)与2,6-甲苯二异氰酸酯(2,6-TDI)时，所述2,6-甲苯二异氰酸酯(2,6-TDI)的含量相对于所述2,4-甲苯二异氰酸酯(2,4-TDI)100重量份，可以为约1重量份至约40重量份，例如，约1重量份至约30重量份，例如，约3重量份至约28重量份，例如，约1重量份至约10重量份.
在所述预备组合物中，当用于制备所述氨基甲酸乙酯基预聚物的所述异氰酸酯化合物包含所述芳香族异氰酸酯化合物与所述脂环族异氰酸酯化合物时，所述脂环族异氰酸酯化合物的含量相对于整个所述芳香族异氰酸酯化合物100重量份，可以为约5重量份至约30重量份，例如，可以为约10重量份至约25重量份。
所述预备组合物的异氰酸酯基含量(NCO％)可以为约5重量％至约11重量％，例如，约5重量％至约10重量％，例如，约5重量％至约8.5重量％。所述异氰酸酯基含量是指，在所述预备组合物的总重量中，未进行聚氨酯化反应，而是作为自由基存在的异氰酸酯基(-NCO)的重量百分比。所述预备组合物的异氰酸酯基含量(NCO％)，可以通过综合调节用于制备所述氨基甲酸乙酯基预聚物的异氰酸酯化合物与多元醇化合物的种类与含量，所述氨基甲酸乙酯基预聚物的制备工艺的温度、压力、时间等工艺条件，以及制备所述氨基甲酸乙酯基预聚物时使用的添加剂的种类与含量来等设计。
在一实施例中，所述预备组合物的核磁共振(NMR)13C光谱在16ppm至20ppm中，按峰值位置(ppm)值的从大到小的顺序示出第四峰值与第五峰值，所述第四峰值与所述第五峰值的面积比可以为约1：1至约10：1。
具体地，所述预备组合物的核磁共振(NMR)13C光谱在17.5ppm至20.0ppm的范围内可以具有第四峰值，在16ppm至17.5ppm的范围内可以具有第五峰值。例如，所述第四峰值与所述第五峰值的面积比可以为约1：1至约10：1，例如，约3：1至10：1，例如，约3.5：1至约9：1，例如，约3.5：1至8：1。具有这种峰值特性的所述预备组合物在规定的工艺条件下固化而形成的抛光层可能更有利于呈现在实现目的水平的抛光率、抛光平坦度以及缺陷降低效果方面合适的物理特性。
在一实施例中，在进行所述预备组合物的GPC测定时，重均分子量(Mw)可以为3800至4700、数均分子量(Mn)可以为2800至3500、峰值(peak)分子量(Mp)可以为3500至4500。
具体地，所述预备组合物作为氨基甲酸乙酯基预聚物，满足所述GPC测定值范围特性的预备组合物在规定的工艺条件下固化而形成的抛光层可能更有利于呈现在实现目的水平的抛光率、抛光平坦度以及缺陷降低效果方面合适的物理特性。
所述预备组合物作为包含所述氨基甲酸乙酯基预聚物的组合物，所述抛光层的固化结构中的化学键合结构可以根据所述氨基甲酸乙酯基预聚物的化学结构本身；和/或所述氨基甲酸乙酯基预聚物含有的自由反应基(free functional group)与残留的未反应单体中含有的自由反应基的浓度而变化。另一方面，即便组成所述氨基甲酸乙酯基预聚物的单体与残留的未反应单体的种类或者含量相同，所述抛光层的固化结构中的化学键合结构与基于此的核磁共振(NMR)13C光谱的峰值特性会根据以下条件而变化：用于制备所述氨基甲酸乙酯基预聚物的工艺条件；用于制备所述抛光层的固化工艺条件；或者用于制备所述加工组合物的处理条件等。
图3是用于说明所述预备组合物50、构成所述抛光层的固化结构体60以及所述加工组合物70的一实施例的示意图，以说明以上内容。参照图3，所述预备组合物50是通过使单体A、单体B、单体C以及单体D反应来制备的，例如，可以包含第一预聚物(A-B-C-B-A)、第二预聚物(A-B-C-B-D)以及未反应单体D。在用于制备所述预备组合物50的单体的种类发生变化的情况下，预聚物的化学结构也会变化。另外，即便是在根据用于制备所述预备组合物50的温度、压力、时间等反应条件来使用同样的单体作为原料的情况下，预聚物的结构与未反应单体的种类也会有所变化。接着，在所述预备组合物50中加入添加剂E等后通过在规定的温度、压力、时间等固化工艺条件下进行固化，形成了相对于所述预聚物而言具有更长的链结构与交联结构的固化结构体60。所述固化结构体60的化学结构也可以根据所述添加剂的种类和/或用于所述制备抛光层的工艺条件而变化。接着，通过以第一条件处理所述固化结构体60来获得了加工组合物70。所述固化结构体60的键合结构中的至少一部分由于所述第一条件而断裂并分解，从而获得了包含结构体1(A-B-C)、结构体2(B-A-E-D-A-B)以及结构体3(C-B-A)的最终加工组合物70。这时，以除第一条件之外的其他条件处理的加工组合物会包含具有与所述结构体1、2以及3不同的化学结构的结构体。
即，在将1g的所述抛光层加入0.3M的氢氧化钾(KOH)水溶液中并在密封容器中以150℃的温度反应48形式的条件下处理的加工组合物的核磁共振(NMR)13C光谱的峰值特性是以下条件有机地关联而综合呈现出的特性：用于制备所述抛光层的所述预备组合物；用于制备所述预备组合物的氨基甲酸乙酯基预聚物的单体种类以及含量；所述预备组合物的制备以及所述抛光层的制备过程中的各种工艺条件；用于获得所述加工组合物的处理条件等。然而，一实施例的所述抛光垫的技术目的在于，提出了所述加工组合物的核磁共振(NMR)13C光谱呈现出的峰值特性与所述抛光垫的最终的抛光性能之间的相关关系，也就是当所述峰值特性满足所述条件时，所述抛光性能达到目的水平，在满足所述目的的范围内，即使是采用略有不同的单体种类、含量以及工艺条件等，也不能视为偏离本发明的权利要求范围。
在一实施例中，用于制备所述氨基甲酸乙酯基预聚物的异氰酸酯化合物可以包含芳香族二异氰酸酯化合物，所述芳香族二异氰酸酯化合物可以包含2,4-甲苯二异氰酸酯(2,4-TDI)与2,6-甲苯二异氰酸酯(2,6-TDI)。这时，所述氨基甲酸乙酯基预聚物可以包含源自一末端聚氨酯化反应的2,4-TDI的第一单元结构、源自一末端聚氨酯化反应的2,6-TDI的第二单元结构以及源自两末端聚氨酯化反应的2,4-TDI的第三单元结构中的至少一个。这里，“一末端聚氨酯化反应的”是指二异氰酸酯的2个异氰酸酯基中的1个异氰酸酯基发生聚氨酯化反应，“两末端聚氨酯化反应的”是指二异氰酸酯的2个异氰酸酯基都发生聚氨酯化反应。另外，所述“单元结构”是指所述预聚物主链的化学结构中含有的至少一种以上单元结构。
在一实施例中，所述氨基甲酸乙酯基预聚物可以包含重复结构不同的多个预聚物，每个预聚物可以独立包含所述第一单元结构、所述第二单元结构以及第三单元结构中的至少一种。由此，包含所述预备组合物的固化物的所述抛光层可能更有利于实现目的水平的抛光性能。
所述预备组合物的核磁共振(NMR)13C光谱峰值特性，如上所述，由组成所述氨基甲酸乙酯基预聚物的单体的种类与含量、所述氨基甲酸乙酯基预聚物外剩余的未反应单体的种类与含量、所述氨基甲酸乙酯基预聚物的化学键合结构、用于制备所述氨基甲酸乙酯基预聚物的反应工艺条件等而综合决定。
所述固化剂为用于与所述氨基甲酸乙酯基预聚物产生化学反应以形成所述抛光层的最终固化结构的化合物，例如，可以包含胺化合物或者醇化合物。具体地，所述固化剂可以包含选自由芳香族胺、脂肪族胺、芳香族醇、脂肪族醇以及它们的组合组成的组中的一种。
例如，所述固化剂可以包含选自由4,4’-亚甲基双(2-氯苯胺)(4-4’-methylenebis(2-chloroaniline)，MOCA)、二乙基甲苯二胺(diethyltoluenediamine，DETDA)、二氨基二苯基甲烷(diaminodiphenylmethane)、二甲硫基甲苯二胺(dimethylthio-toluene diamine，DMTDA)、丙二醇双p-氨基苯甲酸酯(propanediol bis p-aminobenzoate)、亚甲基双-邻氨基苯甲酸甲酯(Methylene bis-methylanthranilate)、二氨基二苯砜(diaminodiphenylsulfone)、m-间苯二甲胺(m-xylylenediamine)、异佛尔酮二胺(isophoronediamine)、乙二胺(ethylenediamine)、二亚乙基三胺(diethylenetriamine)、三亚乙基四胺(triethylenetetramine)、聚丙二胺(polypropylenediamine)、聚丙三胺(polypropylenetriamine)、双(4-氨基-3-氯苯基)甲烷(bis(4-amino-3-chlorophenyl)methane)以及它们的组合组成的组中的一种。
所述固化剂的含量相对于所述预备组合物100重量份可以为约18重量份至约27重量份，例如，约19重量份至约26重量份，例如，约20重量份至约26重量份。在所述固化剂的含量满足所述范围的情况下，更有利于实现所期望的抛光垫的性能。
在所述固化剂包含胺化合物的情况下，所述预备组合物中的异氰酸酯(NCO)基与所述固化剂中的氨(NH2)基的摩尔比可以为约1：0.60至约1：0.99，例如，约1：0.60至约1：0.90，例如，约1：0.60以上且小于约1：0.90。
所述发泡剂为用于形成所述抛光层中的气孔结构的成分，可以包含选自由固体发泡剂、气体发泡剂、液体发泡剂以及它们的组合组成的组中的一种。在一实施例中，所述发泡剂可以包含固体发泡剂、气体发泡剂或者可以包含它们的组合。
所述固体发泡剂的平均粒径可以为约5μm至约200μm，例如，约20μm至约50μm，例如，约21μm至约50μm，例如，约21μm至约40μm。所述固体发泡剂的平均粒径，在所述固体发泡剂为下述的热膨胀的(expanded)粒子时，指热膨胀的粒子本身的平均粒径，在所述固体发泡剂为后面将要说明的未膨胀的(unexpanded)粒子时，指受到热或者压力而膨胀后的粒子的平均粒径。
所述固体发泡剂可以包含膨胀性粒子。所述膨胀性粒子作为具有通过热或者压力而膨胀的特性的粒子，其最终在抛光层中的大小取决于在制备所述抛光层的过程中施加的热或者压力等。所述膨胀性粒子可以包含热膨胀的(expanded)粒子、未膨胀的(unexpanded)粒子或它们的组合。所述热膨胀的粒子作为通过热量而预先膨胀的粒子，指在通过制备所述抛光层的过程中施加的热或者压力所造成的大小变化小或者几乎没有变化的粒子。所述未膨胀的粒子作为没有预先膨胀的粒子，指在通过制备所述抛光层的过程中被施加热或者压力而膨胀且最终大小被确定的粒子。
所述膨胀性粒子可以包含：树脂材质的外皮；以及存在于被所述外皮包围的内部的膨胀诱发成分。
例如，所述外皮可以包含热塑性树脂，所述热塑性树脂可以为选自由氯乙烯系共聚物、丙烯腈系共聚物、甲基丙烯腈系共聚物以及丙烯酸系共聚物组成的组中的一种以上。
所述诱发膨胀的成分可以包含选自由碳化氢化合物、氟氯化合物、三烷基硅烷化合物以及它们的组合组成的组中的一种。
具体地，所述碳化氢化合物可以包含选自由乙烷(ethane)、乙烯(ethylene)、丙烷(propane)、丙烯(propene)、正丁烷(n-butane)、异丁烷(isobutene)、正丁烯(butene)、异丁烯(isobutene)、正戊烷(n-pentane)、异戊烷(isopentane)、新戊烷(neopentane)、正己烷(n-hexane)、正庚烷(heptane)、石油醚(petroleumether)以及它们的组合组成的组中的一种。
所述氟氯化合物可以包含选自由三氯氟甲烷(trichlorofluoromethane，CCl3F)、二氯二氟甲烷(dichlorodifluoromethane，CCl2F2)、氟里昂-13(chlorotrifluoromethane，CClF3)、四氟二氯乙烷(tetrafluoroethylene，CClF2-CClF2)以及它们的组合组成的组中的一种。
所述三烷基硅烷化合物可以包含选自由四甲硅烷(tetramethylsilane)、三甲基乙基硅烷(trimethylethylsilane)、三甲基异丙基硅烷(trimethylisopropylsilane)、三甲基正丙基硅烷(trimethyl-n-propylsilane)以及它们的组合组成的组中的一种。
所述固体发泡剂可以选择性地包含无机成分处理粒子。例如，所述固体发泡剂可以包含经无机成分处理的膨胀性粒子。在一实施例中，所述固体发泡剂可以包含经二氧化硅(SiO2)粒子处理的膨胀性粒子。所述固体发泡剂的无机成分处理可以防止多个粒子间的聚集。所述经无机成分处理的固体发泡剂的发泡剂表面的化学、电学和/或物理特性可能不同于未经无机成分处理的固体发泡剂。
以所述氨基甲酸乙酯基预聚物100重量份为基准，所述固体发泡剂的含量可以为约0.5重量份至约10重量份，例如，约1重量份至约3重量份，例如，约1.3重量份至约2.7重量份，例如，约1.3重量份至约2.6重量份。
可以根据所期望的所述抛光层的气孔结构与物理特性来设计所述固体发泡剂的种类与含量。
所述气体发泡剂可以包含惰性气体。可以在所述氨基甲酸乙酯基预聚物与所述固化剂反应的过程中加入所述气体发泡剂以用作气孔形成要素。
所述惰性气体的种类没有特别的限制，只要是不参与所述氨基甲酸乙酯基预聚物与所述固化剂之间的反应的气体即可。例如，所述惰性气体可以包含选自由氮气(N2)、氩气(Ar)、氦气(He)以及它们的组合组成的组中的一种。具体地，所述惰性气体可以包含氮气(N2)或者氩气(Ar)。
可以根据所述抛光层的所期望气孔结构与物理特性来设计所述气体发泡剂的种类与含量。
在一实施例中，所述发泡剂可以包含固体发泡剂。例如，所述发泡剂可以仅由固体发泡剂形成。
所述固体发泡剂可以包含膨胀性粒子，所述膨胀性粒子可以包含热膨胀的粒子。例如，所述固体发泡剂可以仅由热膨胀的粒子组成。在不包含所述未膨胀的粒子而是仅由热膨胀的粒子组成的情况下，虽然气孔结构的可变性会下降，但是可预测性会上升，因此有利于在所述抛光层的所有区域实现均匀的气孔特性。
在一实施例中，所述热膨胀的粒子可以为具有约5μm至约200μm的平均粒径的粒子。所述热膨胀的粒子的平均粒径可以为约5μm至约100μm，例如，约10μm至约80μm，例如，约20μm至约70μm，例如，约20μm至约50μm，例如，约30μm至约70μm，例如，约25μm至45μm，例如，约40μm至约70μm，例如，约40μm至约60μm。将所述平均粒径定义为所述热膨胀的粒子的D50。
在一实施例中，所述热膨胀的粒子的密度可以为约30kg/m3至约80kg/m3，例如，约35kg/m3至约80kg/m3，例如，约35kg/m3至约75kg/m3，例如，约38kg/m3至约72kg/m3，例如，约40kg/m3至约75kg/m3，例如，约40kg/m3至约72kg/m3。
在一实施例中，所述发泡剂可以包含气体发泡剂。例如，所述发泡剂可以包含固体发泡剂与气体发泡剂。与所述固体发泡剂有关的事项如上所述。
所述气体发泡剂可以包含氮气。
可以在所述氨基甲酸乙酯基预聚物、所述固体发泡剂以及所述固化剂混合的过程中使用规定的注入线来注入所述气体发泡剂。所述气体发泡剂的注入速度可以为约0.8L/min至约2.0L/min，例如，约0.8L/min至约1.8L/min，例如，约0.8L/min至约1.7L/min，例如，约1.0L/min至约2.0L/min，例如，约1.0L/min至约1.8L/min，例如，约1.0L/min至约1.7L/min。
用于制备所述抛光层以及窗口的组合物还可以包含如表面活性剂、反应速度调节剂等的其他添加剂。所述“表面活性剂”、“反应速度调节剂”等名称是基于相应物质的主要作用来任意命名的，并且每个相应的物质发挥的功能不限于所述物质的名称。
所述表面活性剂没有特别的限制，只要是发挥防止气孔聚集或者重叠等现象的作用的物质即可。例如，所述表面活性剂可以包含硅类表面活性剂。
以所述氨基甲酸乙酯基预聚物100重量份为基准，可以以约0.2重量份至约2重量份的含量使用所述表面活性剂。具体地，所述表面活性剂的含量相对于所述氨基甲酸乙酯基预聚物100重量份，可以为约0.2重量份至约1.9重量份，例如，约0.2重量份至约1.8重量份，例如，约0.2重量份至约1.7重量份，例如，约0.2重量份至约1.6重量份，例如，约0.2重量份至约1.5重量份，例如，约0.5重量份至1.5重量份。在表面活性剂的含量在所述范围内的情况下，源自气体发泡剂导致的气孔可以稳定地形成并维持在模具内。
所述反应速度调节剂作为发挥促进或者延迟反应的作用的调节剂，可以根据使用目的来使用反应促进剂、反应延迟剂或者两者都使用。所述反应速度调节剂可以包含反应促进剂。例如，所述反应促进剂可以为选自由叔胺化合物和有机金属类化合物组成的组中的一种以上的反应促进剂。
具体地，所述反应速度调节剂可以包含选自由三亚乙基二胺、二甲基乙醇胺、四甲基丁二胺、2-甲基-三亚乙基二胺、二甲基环己胺、三乙基胺、三异丙醇胺，1,4-二氮杂双环(2,2,2)辛烷、双(2-甲基氨基乙基)醚、三甲基氨基乙基乙醇胺、N,N,N,N,N”-五甲基二亚乙基三胺、二甲氨基乙胺、二甲氨基丙胺、苄基二甲胺、N-乙基吗啉、N,N-二甲氨基乙基吗啉、N,N-二甲基环己胺、2-甲基-2-氮杂降莰烷、二月桂酸二丁基锡、辛酸亚锡、二乙酸二丁基锡、二乙酸二辛基锡、马来酸二丁基锡、双(2-乙基己酸)二丁基锡以及二硫醇二丁基锡组成的组中的一种以上。具体地，所述反应速度调节剂可以包含选自由苄基二甲胺、N,N-二甲基环己胺以及三乙基胺组成的组中的一种以上。
基于所述氨基甲酸乙酯基预聚物100重量份，所述反应速率调节剂的用量可以为约0.05重量份至约2重量份。具体地，基于所述氨基甲酸乙酯基预聚物100重量份，所述反应速率调节剂的用量可以为约0.05重量份至约1.8重量份，例如，约0.05重量份至约1.7重量份，例如，约0.05重量份至约1.6重量份，例如，约0.1重量份至约1.5重量份，例如，约0.1重量份至约0.3重量份，例如，约0.2重量份至约1.8重量份，例如，约0.2重量份至约1.7重量份，例如，约0.2重量份至约1.6重量份，例如，约0.2重量份至约1.5重量份，例如，约0.5重量份至约1重量份。在上述的含量范围内使用所述反应速率调节剂时，可以适当地调节预聚物组合物的固化反应速度，从而可以形成具有期望的大小的气孔以及硬度的抛光层。
在所述抛光垫包括缓冲层的情况下，所述缓冲层发挥支撑所述抛光层并吸收并分散施加在所述抛光层上的外部冲击的作用，从而可以最消化抛光对象在使用所述抛光垫的抛光工艺中受损以及发生缺陷。
所述缓冲层可以包含无纺布或者绒面革，但不限于此。
在一实施例中，所述缓冲层可以是含浸有树脂的无纺布。所述无纺布可以包含选自由聚酯纤维、聚酰胺纤维、聚丙烯纤维、聚乙烯纤维以及它们的组合组成的组中的一种。
含浸在所述无纺布中的树脂可以包含选自由聚氨酯树脂、聚丁二烯树脂、苯乙烯-丁二烯共聚物树脂、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯共聚物树脂、丙烯腈-丁二烯共聚物树脂、苯乙烯-乙烯-丁二烯-苯乙烯共聚物树脂、硅橡胶树脂、聚酯类弹性体树脂、聚酰胺类弹性体树脂以及它们的组合组成的组中的一种。
在一实施例的所述抛光垫中，所述抛光层的抛光面的硬度(Shore D)可以小于约55，例如，可以为约35以上且小于约50，例如，约40至49。所述抛光层的抗拉强度可以小于约22N/mm2，例如，可以为约10N/mm2以上且小于约22N/mm2，例如，约18N/mm2至约20N/mm2。所述抛光层的延伸率可以为约200％以上，例如，约200％至约300％。所述抛光层的切削率可以大于约80μm/hr，例如，约80μm/hr至约100μm/hr，例如，约80μm/hr至约95μm/hr。例如，在所述抛光面的硬度、所述抛光层的抗拉强度与延伸率以及所述抛光层的切削率同时呈现所述范围的情况下，可以评价为所述加工组合物呈现与峰值特性相应的物理、机械性能。在这种情况下，包括所述抛光层的抛光垫用于半导体器件工艺能够实现优异的抛光性能。
下面，说明所述抛光垫的制造方法。
在本发明的另一实施例中，可以提供一种抛光垫的制备方法，该方法包括：制备包含预聚物的预备组合物的步骤；制备包含所述预备组合物、发泡剂以及固化剂的抛光层制备用组合物的步骤；以及通过固化所述抛光层制备用组合物来制备抛光层的工序。
制备所述预备组合物的步骤可以是通过使二异氰酸酯化合物与多元醇化合物反应来制备氨基甲酸乙酯基预聚物的工序。关于所述二异氰酸酯化合物和所述多元醇化合物的事项与上述的关于所述抛光垫的说明中相同。
所述预备组合物的异氰酸酯基含量(NCO％)可以为约5重量％至约11重量％，例如，约5重量％至约10重量％，例如，约5重量％至约8.5重量％。在这种情况下，可能更有利于制得具有所述化学键合结构的抛光层。所述预备组合物的异氰酸酯基含量可能源自所述氨基甲酸乙酯基预聚物的末端异氰酸酯基、所述二异氰酸酯化合物中未反应的未反应异氰酸酯基等。
所述预备组合物在约80℃下的粘度，可以为约100cps至约1000cps，例如，约200cps至约800cps，例如，约200cps至约600cps，例如，约200cps至约550cps，例如，约300cps至约500cps。
所述发泡剂可以包含固体发泡剂或者气体发泡剂。关于所述发泡剂的种类等有关的事项与上文中关于所述抛光垫的说明相同。
在所述发泡剂包含固体发泡剂的情况下，制备所述抛光层制备用组合物的步骤可以包括：通过混合所述预备组合物与所述固体发泡剂来制备第一预备组合物的步骤；以及通过混合所述第一预备组合物与固化剂来制备第二预备组合物的步骤。
所述第一预备组合物在约80℃下的粘度可以为约1000cps至约2000cps，例如，约1000cps至约1800cps，例如，约1000cps至约1600cps，例如，约1000cps至约1500cps。
在所述发泡剂包含气体发泡剂的情况下，制备所述抛光层制备用组合物的步骤可以包括：制备包含所述预备组合物与所述固化剂的第三预备组合物的步骤；以及通过在所述第三预备组合物中注入所述气体发泡剂来制备第四预备组合物的步骤。
在一实施例中，所述第三预备组合物还可以包含固体发泡剂。
在一实施例中，制备所述抛光层的工艺可以包括：准备被预热至第一温度的模具的步骤；通过在所述被预热的模具中注入所述抛光层制备用组合物来固化所述抛光层制备用组合物的步骤；以及在比所述预热温度高的第二温度条件下，后固化已被固化的所述抛光层制备用组合物的步骤。
在一实施例中，所述第一温度与所述第二温度的温度差可以为约10℃至约40℃，例如，约10℃至约35℃，例如，约15℃至约35℃。
在一实施例中，所述第一温度可以为约60℃至约100℃，例如，约65℃至约95℃，例如，约70℃至约90℃。
在一实施例中，所述第二温度可以为约100℃至约130℃，例如，约100℃至125℃，例如，约100℃至约120℃。
在所述第一温度下，固化所述抛光层制备用组合物的步骤可以进行约5分钟至约60分钟，例如，约5分钟至约40分钟，例如，约5分钟至约30分钟，例如，约5分钟至约25分钟。
在所述第二温度下，后固化在所述第一温度下固化的抛光层制备用组合物的步骤可以进行约5个小时至约30个小时，例如，约5个小时至约25个小时，例如，约10个小时至约30个小时，例如，约10个小时至约25个小时，例如，约12个小时至约24个小时，例如，约15个小时至约24个小时。
通过所述抛光层的制备工艺来最终制备的抛光层可以具有如下特征：将1g的所述抛光层加入0.3M氢氧化钾(KOH)水溶液后，在密封容器中以150℃温度反应48h而得的加工组合物的核磁共振(NMR)13C光谱包括：第一峰值，在15ppm至18ppm中出现，第二峰值，在9ppm至11ppm中出现，以及第三峰值，在138ppm至143ppm中出现；并且所述第三峰值与所述第二峰值的面积比为约5：1至10：1。
例如，所述第三峰值与所述第二峰值的面积比可以为约5：1至约10：1，例如，约5：1至约8：1。
在一实施例中，所述加工组合物的所述第一峰值与所述第二峰值的面积比可以为10：1至10：5，并且所述第一峰值与所述第三峰值的面积比可以为10：5至10：10。例如，所述第一峰值与所述第二峰值的面积比可以为约10：1至约10：5，例如，约10：1.00至约10：1.60，例如，约10：1.00以上且约10：1.60以下，例如，约10：1.80至10：2.50，例如，大于约10：1.80且约10：2.50以下。例如，所述第一峰值与所述第三峰值的面积比可以为10：5至10：10，例如，大于约10：5.00且约10：10.00以下。
所述抛光垫的制备方法可以包括加工所述抛光层的至少一个表面的步骤。
加工所述抛光层的至少一个表面的步骤可以包括以下中的至少一个步骤：在所述抛光层的至少一个表面上形成沟(groove)的第一步骤；对所述抛光层的至少一个表面进行车削(line turning)加工的第二步骤；以及对所述抛光层的至少一个表面进行粗糙化处理的第三步骤。
在所述第一步骤中，所述沟(groove)可以包括下述沟中的至少一种：从所述抛光层的中心以规定的间隔隔开形成的同心圆状的沟；以及从所述抛光层的中心连续连接到所述抛光层的边缘(edge)的放射状的沟。
在所述第二步骤中，所述车削(line turning)加工可以以使用切削工具将所述抛光层切削的规定厚度的方式进行。
在所述第三步骤中所述粗糙化处理可以以使用打磨刷辊(Sanding roller)来加工所述抛光层的表面的方式进行。
所述抛光垫的制备方法还可以包括在所述抛光层的抛光面的背面上层叠缓冲层的步骤。关于所述缓冲层的事项与上述的关于所述抛光垫的说明中相同。
可以以热熔粘合剂为媒介层叠所述抛光层与所述缓冲层。
在所述抛光层的抛光面的背面上涂布所述热熔粘合剂，并在所述缓冲层的与所述抛光层接触的表面上涂布所述热熔粘合剂，并且层叠所述抛光层与所述缓冲层以使各个涂布有热熔粘合剂的表面接触后，可以利用加压辊来熔接两个层。
在本发明的又一实施例中，提供一种半导体器件的制造方法，该方法包括：提供包括抛光层的抛光垫的步骤，在所述抛光层的抛光面上设置抛光对象的被抛光面以使所述被抛光面接触所述抛光面后，通过使所述两个表面相对旋转来抛光所述抛光对象的步骤；所述抛光对象包括半导体基板，所述抛光层具有如下特征：将1g的所述抛光层加入0.3M氢氧化钾(KOH)水溶液后，在密封容器中以150℃温度反应48小时而得的加工组合物的核磁共振(NMR)13C光谱包括：第一峰值，在15ppm至18ppm中出现；第二峰值，在9ppm至11ppm中出现；以及第三峰值，在138ppm至143ppm中出现；并且所述第三峰值与所述第二峰值的面积比为约5：1至10：1。
关于所述抛光层和其加工组合物的事项与上述的关于所述抛光垫的说明中相同。通过在所述半导体器件的制造方法中应用包括具有所述特性的抛光层的抛光垫，由此制造的所述半导体器件能够呈现优异的功能，所述优异的功能源自半导体基板的优异的抛光结果。
在本发明的又一实施例中，提供一种所述抛光层的根据式1的值可以为0.1至0.6的半导体器件的制造方法：
[式1]
Figure BDA0003281510400000291
其中，
将所述1g的抛光层加入0.3摩尔浓度的15ml的KOH水溶液中，并在密封容器中以150℃进行48小时的解聚后使用凝胶渗透色谱法(GPC)来测定了所述解聚后的组合物的分子量，
所述Mw是所述解聚组合物的重均分子量，
所述Mn是所述解聚组合物的数均分子量，
所述Mp是所述解聚组合物的峰值分子量。
关于所述抛光层和其加工组合物的事项与上述的关于所述抛光垫的说明中相同。通过在所述半导体器件的制造方法中应用包括具有所述特性的抛光层的抛光垫，由此制造的所述半导体器件能够呈现优异的功能，所述优异的功能源自半导体基板的优异的抛光结果。
图2是示意性地示出一实施例的半导体器件的制造方法的示意图。参照图2，在提供包括所述抛光层的抛光垫的步骤中，所述抛光垫110可以设置在平板120上。
所述抛光对象可以包括半导体基板，所述半导体基板130可以被设置成其被抛光面与所述抛光垫110的抛光层的抛光面相接触。这时，所述半导体基板130的被抛光面与所述抛光层的抛光面可以直接接触，也可以隔着具有流动性的浆料等间接接触。
在一实施例中，所述半导体器件的制造方法还可以包括在所述抛光垫110的抛光层的抛光面上供给抛光浆料150的步骤。例如，可以通过供给喷嘴140来将所述抛光浆料150供给至所述抛光面上。
通过所述供给喷嘴140喷射的抛光浆料150的流量可以为约10ml/分钟至约1000ml/分钟，例如，约10ml/分钟至约800ml/分钟，例如，约50ml/分钟至约500ml/分钟，但不限于此。
所述抛光浆料150可以包含二氧化硅浆料或者二氧化铈浆料。
可以通过以规定的荷重加压安装在抛光头160上的所述半导体基板130来使所述半导体基板与所述抛光面接触。通过所述抛光头160来将所述半导体基板130的被抛光面加压至所述抛光面上的荷重，例如，可以根据目的来在约0.01psi至约20psi的范围内选择，例如，所述范围可以为约0.1psi至约15psi，但不限于此。当所述抛光层的抛光面与所述半导体基板的被抛光面在所述荷重的作用下相互接触时，所述抛光层呈现出所述峰值特性所代表的硬度与延伸率，并且与此相应的弹性与接触面积能够提供至所述半导体基板的被抛光面，由此，有利于使所述半导体基板的抛光率与缺陷防止效果达到目的水平。
所述半导体基板130与所述抛光垫100可以在各自的被抛光面与抛光面相互接触的状态下相对旋转。这时，所述半导体基板130的旋转方向与所述抛光垫100的旋转方向可以是相同的，也可以是相反的。可以根据目的来在约10rpm至约500rpm的范围内分别选择所述半导体基板130与所述抛光垫110的旋转速度，例如，所述范围可以为约30rpm至约200rpm，但不限于此。在所述半导体基板与所述抛光垫的旋转速度分别都满足所述范围的情况下，所述抛光层呈现出所述峰值特性所代表的硬度与延伸率，并且与此相应的弹性与接触面积能够提供至所述半导体基板的被抛光面，由此，有利于使所述半导体基板的抛光率与缺陷防止效果达到目的水平。
在一实施例中，为使所述所述抛光垫110的抛光面保持适合进行抛光的状态，所述半导体器件的制造方法还可以包括，在抛光所述半导体基板130的同时通过修整器170来加工抛光垫110的抛光面的步骤。
在一实施例中，在所述半导体器件的制造方法中，所述半导体基板包含二氧化硅(SiO2)膜，所述被抛光面为所述二氧化硅(SiO2)膜的表面，抛光后的所述被抛光面上的表面缺陷(defect)少于5个，并且所述二氧化硅(SiO2)膜的平均抛光率可以为
Figure BDA0003281510400000311
至
Figure BDA0003281510400000312
例如，可以为约
Figure BDA0003281510400000313
以上且小于约
Figure BDA0003281510400000314
由于在所述半导体器件的制造方法中，使用包括具有所述特征的抛光层的抛光垫，并且将具有二氧化硅(SiO2)膜的半导体基板作为抛光对象，因此能够实现所述的抛光率与缺陷防止性能。
下面给出本发明的具体实施例。然而，下面所记载的实施例仅用于具体地例示或者说明本发明，而不用于限制本发明。
实施例1
相对于二异氰酸酯成分的总重量100重量份，分别以如下表1所示的相对重量比混合了2,4-TDI与2,6-TDI。相对于多元醇成分的总重量100重量份，分别以如下表1所示的相对重量比混合了PTMG与DEG。通过相互混合总量为100重量份的二异氰酸酯与总量为220重量份的多元醇来准备了混合原料。通过将所述混合原料加入四口烧瓶中，并在80℃下使其反应来制备了包含氨基甲酸乙酯基预聚物的预备组合物。所述预备组合物中的异氰酸酯基(NCO基团)含量被调节至6重量％。将4,4’-亚甲基双(2-氯苯胺)(MOCA)用作固化剂混合于所述预备组合物中，并且使所述预备组合物中的NCO基团与所述MOCA的NH2基的摩尔比成为0.75。另外，将膨胀性粒子、固体发泡剂(阿克苏诺贝尔公司)1.0重量份混合于所述预备组合物中。以10kg/min的吐出速度将所述预备组合物注入宽1000mm、长1000mm、高3mm的被预热至90℃的模具中。接着，通过在110℃的温度条件下后固化所述预备组合物来制备了抛光层。
实施例2
相对于二异氰酸酯成分的总重量100重量份，分别以如下表1所示的相对重量比混合了2,4-TDI、2,6-TDI以及H12MDI。相对于多元醇成分的总重量100重量份，分别以如下表1所示的相对重量比混合了PTMG与DEG。通过相互混合总量100重量份的二异氰酸酯与总量为220重量份的多元醇来准备了混合原料。通过将所述混合原料加入四口烧瓶中，并在80℃下使其反应来制备了包含氨基甲酸乙酯基预聚物的预备组合物。所述预备组合物中的异氰酸酯基(NCO基团)含量被调节至8.0重量％。将4,4’-亚甲基双(2-氯苯胺)(MOCA)用作固化剂混合于所述预备组合物中，以使所述预备组合物中的NCO基团与所述MOCA的NH2基的摩尔比成为0.70。另外，将膨胀性粒子、固体发泡剂(阿克苏诺贝尔公司)1.0重量份混合于所述预备组合物中。以10kg/min的吐出速度将所述预备组合物注入宽1000mm、长1000mm、高3mm的被预热至100℃的模具中。接着，通过在110℃的温度条件下后固化所述预备组合物来制备了抛光层。
比较例1
相对于二异氰酸酯成分的总重量100重量份，分别以如下表1所示的相对重量比混合了2,4-TDI、2,6-TDI以及H12MDI。相对于多元醇成分的总重量100重量份，分别以如下表1所示的相对重量比混合了PTMG与DEG。通过相互混合总量100重量份的二异氰酸酯与总量为150重量份的多元醇来准备了混合原料。通过将所述混合原料加入四口烧瓶中，并在80℃下使其反应来制备了包含氨基甲酸乙酯基预聚物的预备组合物。所述预备组合物中的异氰酸酯基(NCO基团)含量被调节至9重量％。将4,4’-亚甲基双(2-氯苯胺)(MOCA)用作固化剂混合于所述预备组合物中，以使所述预备组合物中的NCO基团与所述MOCA的NH2基的摩尔比成为0.96。另外，将膨胀性粒子、固体发泡剂(阿克苏诺贝尔公司)1.0重量份混合于所述预备组合物中。以10kg/min的吐出速度将所述预备组合物注入于宽1000mm、长1000mm、高3mm的被预热至90℃的模具中，并同时将氮气(N2)用作气体发泡剂以1.0L/min的注入速度注入于所述模具中，注入时长与所述预备组合物相同。接着，通过在110℃的温度条件下后固化所述预备组合物来制备了抛光层。
比较例2
相对于二异氰酸酯成分的总重量100重量份，分别以如下表1所示的相对重量比混合了2,4-TDI、2,6-TDI以及H12MDI。相对于多元醇成分的总重量100重量份，分别以如下表1所示的相对重量比混合了PTMG与DEG。通过相互混合总量100重量份的二异氰酸酯与总量为150重量份的多元醇来准备了混合原料。通过将所述混合原料加入四口烧瓶中，并在80℃下使其反应来制备了包含氨基甲酸乙酯基预聚物的预备组合物。所述预备组合物中的异氰酸酯基(NCO基团)含量被调节至9.2重量％。将4,4’-亚甲基双(2-氯苯胺)(MOCA)用作固化剂混合于所述预备组合物中，以使所述预备组合物中的NCO基团与所述MOCA的NH2基的摩尔比成为0.94。另外，将膨胀性粒子、固体发泡剂(阿克苏诺贝尔公司)1.0重量份混合于所述预备组合物中。以10kg/min的吐出速度将所述预备组合物注入宽1000mm、长1000mm、高3mm的被预热至95℃的模具中。接着，通过在110℃的温度条件下后固化所述预备组合物来制备了抛光层。
将所述实施例1至2与所述比较例1至2的抛光层分别加工至2mm的厚度后，通过在抛光面上实施槽加工工序来在所述抛光面上形成了同心圆状的槽。接着，准备了具有在聚酯树脂无纺布中含浸有氨基甲酸乙酯类树脂的结构且厚度为1.1mm的缓冲层，然后在所述抛光面的背面与所述缓冲层的附着面上涂布热熔粘合剂后使用加压辊使其层合。由此，制备了最终抛光垫。
实验例1：实验例1：预备组合物的核磁共振(NMR)13C光谱
对于所述实施例1至2与所述比较例1至2的各个预备组合物，将所述预备组合物5mg溶于氘代氯仿(CDCl3)后在室温下使用核磁共振(NMR)装置(JEOL500MHz，90°pulse)进行了13C-NMR分析。
在以下条件下进行了脉冲NMR测定：脉宽90°pulse；2.0μs；反复时间为2s；扫描计数为5100；测定温度为室温(RT)(25℃)。
实验例2：加工组合物的核磁共振(NMR)13C光谱
对于所述实施例1至2与所述比较例1至2的各个抛光层，将1g的所述抛光层加入15ml的0.3M的氢氧化钾(KOH)水溶液后，在具有48ml体积的密封容器中，在150℃温度条件下反应48小时来制备了加工组合物。将5mg所述加工组合物溶于CDCl3后在室温下使用核磁共振(NMR)装置(JEOL 500MHz，90°pulse)来进行了13C-NMR分析。
实验例3：抛光层或抛光垫的物理性质评价
(1)硬度
将所述实施例1至2与所述比较例1至2的每个抛光层加工成2mm的厚度后，通过将长度和宽度分别切割成5cmХ5cm的大小来准备了样品。将所述样品在25℃温度下保存12小时后使用硬度计来测量了Shore D硬度。
(2)抗拉强度
将所述实施例1至2与所述比较例1至2的每个抛光层加工成2mm的厚度后，通过将长度和宽度分别切割成4cmХ1cm的大小来准备了样品。使用所述万能试验机(UTM)来以50mm/min的速度测量了样品断裂前的最高强度值。
(3)延伸率
将所述实施例1至2与所述比较例1至2的每个抛光层加工成2mm的厚度后，通过将长度和宽度分别切割成4cmХ1cm的大小来准备了样品。使用万能试验机(UTM)来以50mm/min的速度测量了所述样品断裂前的最大形变长度，然后以百分比(％)的形式示出了最初的长度与最大变形长度的比值。
(4)切削率
对于根据上面的方法使用所述实施例1至2与所述比较例1至2的抛光层来制备的各个抛光垫，使用去离子水(deionized water)来对抛光垫进行10min的预修整(pre-conditioning)后，通过喷射1个小时的去离子水来对所述抛光垫进行了修整。测量在所述修整过程中变化的厚度，将厚度变化量(μm/hr)算作了抛光垫的切削率。进行修整时使用的装备为CTS公司的AP-300HM，修整压力为6lbf，旋转速度为100～110rpm，并且进行修整时使用的盘为Saesol公司的CI-45。
实验例4：抛光性能评价
制备采用所述实施例1至2与比较例1至2的1抛光层的抛光垫后，如下所述地评价了抛光性能。
通过化学气体沉积(CVD)工艺来将氧化硅(SiO2)沉积到直径为300mm的硅晶片。将所述抛光垫安装在CMP机器上，并设置硅晶片，使硅晶片的氧化硅层面向抛光垫的抛光面。以250ml/min的速度将煅烧的二氧化铈浆料供应到所述抛光垫上，同时以4.0psi的荷重将所述硅晶片加压到所述抛光面上，并且通过将所述抛光垫与所述硅晶片的旋转速度分别设定为150rpm来对所述二氧化硅膜进行了60s的抛光。抛光结束后从载体取下硅晶片，并安装在旋转干燥器(spin dryer)上，然后用蒸馏水洗涤后用氮气干燥了15s。
(1)平均抛光率
使用分光干涉式晶片厚度计(SI-F80R，Kyence公司)来测量了被干燥的硅晶片的抛光前后的膜厚度变化。然后使用下面的公式来测定了抛光率。像这样，一共测定5次抛光率后求出平均值，并将该平均值作为了平均抛光率。
Figure BDA0003281510400000351
(2)缺陷
以与所述抛光率测定方法相同的方法进行了抛光，通过使用肉眼观察抛光对象的被抛光面来算出了划痕(scratch)等的缺陷(defect)的个数。具体地，抛光结束后将硅晶片移动到清洁器(Cleaner)后，分别使用1％氟化氢(HF)与纯净水(DIW)，1％硝酸(H2NO3)与纯净水(DIW)来进行了10s的洗涤。然后，将所述硅晶片移动到脱水机(spin dryer)，使用纯净水(DIW)洗涤，并用氮气(N2)干燥了15s。然后使用缺陷(Defect)检测设备(Tenkor公司，XP+)来用肉眼观察了被干燥的硅晶片的抛光前后缺陷的变化。
所述实验例1至4的结果如下表1所示。
表1
Figure BDA0003281510400000361
Figure BDA0003281510400000371
参照所述表1，在所述实施例1至2的抛光层中，在规定的条件下处理的加工组合物的核磁共振(NMR)13C光谱包括：第一峰值，15ppm至18ppm中出现，第二峰值，在9ppm至11ppm中出现，以及第三峰值，在138ppm至143ppm中出现；并且作为适用了所述第三峰值与所述第二峰值的面积比为5：1至10：1的抛光层的垫，从硬度、抗拉强度、延伸率以及切削率等相应的特性可以看出，半导体基板的抛光结果非常优异。
与此相反，在所述比较例1与2的抛光层的情况下，所述第三峰值与所述第二峰值的面积比超出5：1至10：1的范围，因此可以确认，呈现出与所述实施例1至2的抛光层相比硬度与抗拉强度较高且延伸率与切削率低的物理特性。由此，可以确认所述比较例1与2的抛光垫无法向被抛光面提供如所述实施例1与2的抛光垫具有的目的水平的抛光性能，因此在平均抛光率与缺陷方面较差。
比较例3
以下表2的组成比混合二异氰酸酯成分与多元醇成分后加入四口烧瓶中，并在80℃下使其反应，从而制备了包含氨基甲酸乙酯基预聚物的预备组合物。所述预备组合物中的异氰酸酯基(NCO基团)含量被调节至9.2重量％。将4,4’-亚甲基双(2-氯苯胺)(MOCA)用作固化剂混合于所述预备组合物中，并使所述预备组合物中的NCO基团与所述MOCA的NH2基的摩尔比成为0.94。另外，将膨胀性粒子、固体发泡剂(阿克苏诺贝尔公司)1.0重量份混合于所述预备组合物中。以10kg/min的吐出速度将所述预备组合物注入宽1000mm、长1000mm、高3mm的被预热至95℃的模具中。接着，通过在110℃的温度条件下后固化所述预备组合物来制备了抛光层。
比较例4
以下表2的组成比混合二异氰酸酯成分与多元醇成分后加入四口烧瓶中，并在80℃下使其反应，从而制备了包含氨基甲酸乙酯基预聚物的预备组合物。所述预备组合物中的异氰酸酯基(NCO基团)含量被调节至9.5重量％。将4,4’-亚甲基双(2-氯苯胺)(MOCA)用作固化剂混合于所述预备组合物中，并使所述预备组合物中的NCO基团与所述MOCA的NH2基的摩尔比成为0.92。另外，将膨胀性粒子、固体发泡剂(阿克苏诺贝尔公司)1.0重量份混合于所述预备组合物中。以10kg/min的吐出速度将所述预备组合物注入宽1000mm、长1000mm、高3mm的被预热至100℃的模具中。接着，通过在110℃的温度条件下后固化所述预备组合物来制备了抛光层。
表2
Figure BDA0003281510400000381
实验例5：加工组合物的GPC测定
将约1g的所述实施例与比较例的抛光层加入15ml的约0.3M的KOH水溶液中。然后，将混合有抛光层的KOH溶液设置在具有约48ml的体积的密封的压力容器中，并在150℃的温度，约3个大气压的压力下进行了约48小时的解聚。然后，用二氧甲烷来萃取了所述解聚后的组合物。
通过凝胶渗透色谱(GPC)仪器来测定了所述萃取出来的组合物的Mw(重均分子量)、Mn(数均分子量)以及Mp(峰值分子量)。并且作为对照，测定了包含在实施例1的预备组合物中的氨基甲酸乙酯基预聚物的Mw、Mn以及Mp值。
GPC仪器与测定条件如下：
测定仪器：Agilent 1260Infinity GPC
注入速度(Flow rate)：在THF中1ml/min
注入量：100ul
柱温度(Column Temp)：40℃
探测器(Detector)：RI
柱(Column)：TSKgel G1000HxL分子量大小5060
使用所述GPC测定值来计算了下面式1的值：
[式1]
Figure BDA0003281510400000391
其中，
Mw为解聚后的组合物的重均分子量，
Mn为解聚后的组合物的数均分子量，
Mp为解聚后的组合物的峰值分子量。
表3
Mp Mn Mw PDI 式1值
实施例1 2418 2320 2559 1.1 0.41
实施例2 2359 2163 2560 1.18 0.49
比较例1 3229 2725 3331 1.22 0.83
比较例3 3158 2732 3347 1.23 0.69
比较例4 3216 2730 3247 1.19 0.94
氨基甲酸乙酯基预聚物 4032 3040 4281 1.41 0.80
根据所述测定结果，比较氨基甲酸乙酯基预聚物的GPC测定结果和实施例与比较例的GPC测定结果，可以确认通过解聚而降解的位置与预聚物不同。
具体地，氨基甲酸乙酯基预聚物通过固化而制备成抛光层，之后通过解聚而降解的部分与预聚物在聚合时结合的部分不同。确认了本发明的实施例1与2的Mp、Mn以及Mw与比较例相比存在差异，并且PDI数值方面也存在差异。另外，确认了实施例1与2的根据式1的值也满足本发明的范围，且就比较例以及预聚物而言，脱离本发明的范围。
实验例6：抛光层或抛光垫的物理性质评价以及抛光性能评价
(1)平均气孔大小
测量了所述抛光层的气孔的直径大小，使用粒度分析仪来测量了气孔的直径大小，并且平均气孔是指D50。
(2)比重
测定了根据所述实施例与比较例来制备的窗口比重，将抛光垫切割成2cmХ2cm(厚度：2mm)的大小后在25℃温度与50±5％湿度环境下静置了16小时。然后使用电子密度计(Electronic densimeter)来测量初始重量与被水浸泡时的重量后求出了密度。
(3)振纹(Chatter mark)检测
使用抛光垫进行实施例与比较例中记载的抛光工艺后，使用缺陷检测设备(AITXP+，KLATencor公司)来在threshold150，die filter threshold280条件下测量了抛光后在晶片(监控晶片)表面上出现的残留物(residue)、划痕(scratch)以及振纹(chattermark)。
所述根据实验例3、4以及6的实施例与比较例的评价结果如下表3所示。
表4
Figure BDA0003281510400000401
根据所述实验结果，确认了实施例1的抛光垫的平均抛光率低于其他抛光垫，然而在硅晶片的缺陷方面呈现出了非常优异的效果。
另外，在实施例2的情况下，确认了与比较例相比，在平均抛光率上保持同等水平，且在晶片的缺陷上呈现出优异的效果。这是因为抛光层的平均气孔大小小、抗拉强度与延伸率特性优异。

Claims (10)

1.一种抛光垫，其中，
包括：
抛光层；
将1g的所述抛光层加入0.3M浓度的氢氧化钾水溶液中，并在密封容器中在150℃温度下反应48小时的加工组合物的核磁共振13C光碳谱包括：
第一峰值，在15ppm至18ppm中出现，
第二峰值，在9ppm至11ppm中出现，以及
第三峰值，在138ppm至143ppm中出现；
所述第三峰值与所述第二峰值的面积比为5：1至10：1。
2.根据权利要求1所述的抛光垫，其中，
所述第一峰值与所述第二峰值的面积比为10：1至10：5，
所述第一峰值与所述第三峰值的面积比为10：5至10：10。
3.根据权利要求1所述的抛光垫，其中，
所述抛光层包含含有氨基甲酸乙酯基预聚物的预备组合物的固化物，
所述预备组合物的核磁共振13C光谱在16ppm至20ppm中按峰值位置值从大到小的顺序示出第四峰值与第五峰值，
所述第四峰值与所述第五峰值的面积比为1：1至10：1，
所述预备组合物包含异氰酸酯化合物以及多元醇化合物的反应物，
所述异氰酸酯化合物包含芳香族二异氰酸酯化合物，
所述多元醇化合物包含：
重均分子量为约100g/mol以上且小于约300g/mol的低分子量多元醇，以及
重均分子量为约300g/mol以上且为约1800g/mol以下的高分子量多元醇；
所述芳香族异氰酸酯化合物包含2,4-甲苯二异氰酸酯，
所述预备组合物包含氨基甲酸乙酯基预聚物，所述氨基甲酸乙酯基预聚物包含源自一末端聚氨酯化反应的2,4-甲苯二异氰酸酯的第一单元结构与源自两末端聚氨酯化反应的2,4-甲苯二异氰酸酯的第二单元结构中的至少一种，
所述预备组合物的异氰酸酯基含量为5重量％至11重量％。
4.根据权利要求1所述的抛光垫，其中，
所述抛光层的根据下述第一式的值为0.1至0.6：
第一式：
Figure FDA0003281510390000021
其中，
使用凝胶渗透色谱法测定所述加工组合物的分子量，
所述Mw是所述解聚组合物的重均分子量，
所述Mn是所述解聚组合物的数均分子量，
所述Mp是所述解聚组合物的峰值分子量。
5.根据权利要求1所述的抛光垫，其中，
所述加工组合物的数均分子量为1800g/mol至2800g/mol，
重均分子量为2000g/mol至3000g/mol，
峰值分子量为2000g/mol至3000g/mol，
分散度为1至1.2。
6.一种抛光垫的制备方法，其中，
包括：
第一步骤，制备包含异氰酸酯化合物以及多元醇化合物的反应物的预备组合物，
第二步骤，制备包含所述预备组合物、发泡剂以及固化剂的抛光层制备用组合物，以及
第三步骤，通过固化所述抛光层制备用组合物来制备抛光层；
在所述抛光层中，将1g的所述抛光层加入0.3M氢氧化钾水溶液中，并在密封容器中以150℃温度反应48h的加工组合物的核磁共振13C光谱包括：
第一峰值，在15ppm至18ppm中出现，
第二峰值，在9ppm至11ppm中出现，以及
第三峰值，在138ppm至143ppm中出现；
所述第三峰值与所述第二峰值的面积比为5：1至10：1。
7.根据权利要求6所述的抛光垫的制备方法，其中，
所述第一峰值与所述第二峰值的面积比为10：1至10：5，
所述第一峰值与所述第三峰值的面积比为10：5至10：10，
所述预备组合物的核磁共振13C光谱在16ppm至20ppm中按峰值位置值从大到小的顺序示出第四峰值与第五峰值，
所述第四峰值与所述第五峰值的面积比为1：1至10：1。
8.根据权利要求6所述的抛光垫的制备方法，其中，
所述抛光层的根据下述第一式的值为0.1至0.6，
第一式：
Figure FDA0003281510390000031
其中，
使用凝胶渗透色谱法测定所述加工组合物的分子量，
所述Mw是所述解聚组合物的重均分子量，
所述Mn是所述解聚组合物的数均分子量，
所述Mp是所述解聚组合物的峰值分子量。
9.一种半导体器件的制造方法，其中，
包括：
提供包括抛光层的抛光垫的步骤，
在所述抛光层的抛光面上设置抛光对象的被抛光面以使所述被抛光面接触所述抛光面，然后通过使所述两个表面相对旋转来抛光所述抛光对象的步骤；
所述抛光对象包括半导体基板；
在所述抛光层中，将1g所述抛光层加入0.3M氢氧化钾水溶液中，并在密封容器中以150℃温度反应48h的加工组合物的核磁共振13C光谱包括：
第一峰值，在15ppm至18ppm中出现，
第二峰值，在9ppm至11ppm中出现，以及
第三峰值，在138ppm至143ppm中出现；
所述第三峰值与所述第二峰值的面积比为5：1至10：1。
10.根据权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其中，
所述抛光层的根据下述第一式的值为0.1至0.6，
第一式：
Figure FDA0003281510390000041
其中，
使用凝胶渗透色谱法测定所述加工组合物的分子量，
所述Mw是所述解聚组合物的重均分子量，
所述Mn是所述解聚组合物的数均分子量，
所述Mp是所述解聚组合物的峰值分子量。
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Family

ID=

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115157111A (zh) * 2022-07-13 2022-10-11 安徽禾臣新材料有限公司 一种玻璃加工用抛光垫及其制备方法
WO2024036983A1 (zh) * 2022-08-16 2024-02-22 湖北鼎汇微电子材料有限公司 一种抛光垫

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005333121A (ja) * 2004-04-21 2005-12-02 Jsr Corp 化学機械研磨パッド及びその製造方法並びに化学機械研磨方法
JP2006233199A (ja) * 2005-01-31 2006-09-07 Toray Ind Inc 改善された研磨パッドの製造方法
JP2006237391A (ja) * 2005-02-25 2006-09-07 Tokyo Seimitsu Co Ltd 研磨パッドの表面状態の評価方法
CN102909649A (zh) * 2011-08-05 2013-02-06 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 化学机械抛光设备、化学机械抛光终点检测装置和方法
JP2014011294A (ja) * 2012-06-29 2014-01-20 Ebara Corp 分光式研磨モニタ装置の波長較正方法、およびウェハの研磨方法
CN103563056A (zh) * 2011-04-15 2014-02-05 富士纺控股株式会社 研磨垫及其制造方法
CN104029115A (zh) * 2013-03-07 2014-09-10 罗门哈斯电子材料Cmp控股股份有限公司 具有广谱终点检测窗口的多层化学机械抛光垫
TW201506141A (zh) * 2013-06-27 2015-02-16 Konica Minolta Inc 氧化鈰研磨材料、氧化鈰研磨材料的製造方法及研磨加工方法
CN107107307A (zh) * 2015-03-30 2017-08-29 霓达哈斯股份有限公司 研磨垫
CN109867764A (zh) * 2017-12-01 2019-06-11 罗门哈斯电子材料Cmp控股股份有限公司 得自含胺引发的多元醇的固化剂的高去除速率化学机械抛光垫
CN109957088A (zh) * 2017-12-26 2019-07-02 Dic株式会社 研磨垫及研磨垫用氨基甲酸酯树脂组合物
CN111378085A (zh) * 2018-12-26 2020-07-07 Skc株式会社 研磨垫用组合物、研磨垫及其制备方法

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005333121A (ja) * 2004-04-21 2005-12-02 Jsr Corp 化学機械研磨パッド及びその製造方法並びに化学機械研磨方法
JP2006233199A (ja) * 2005-01-31 2006-09-07 Toray Ind Inc 改善された研磨パッドの製造方法
JP2006237391A (ja) * 2005-02-25 2006-09-07 Tokyo Seimitsu Co Ltd 研磨パッドの表面状態の評価方法
CN103563056A (zh) * 2011-04-15 2014-02-05 富士纺控股株式会社 研磨垫及其制造方法
CN102909649A (zh) * 2011-08-05 2013-02-06 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 化学机械抛光设备、化学机械抛光终点检测装置和方法
JP2014011294A (ja) * 2012-06-29 2014-01-20 Ebara Corp 分光式研磨モニタ装置の波長較正方法、およびウェハの研磨方法
CN104029115A (zh) * 2013-03-07 2014-09-10 罗门哈斯电子材料Cmp控股股份有限公司 具有广谱终点检测窗口的多层化学机械抛光垫
TW201506141A (zh) * 2013-06-27 2015-02-16 Konica Minolta Inc 氧化鈰研磨材料、氧化鈰研磨材料的製造方法及研磨加工方法
CN107107307A (zh) * 2015-03-30 2017-08-29 霓达哈斯股份有限公司 研磨垫
CN109867764A (zh) * 2017-12-01 2019-06-11 罗门哈斯电子材料Cmp控股股份有限公司 得自含胺引发的多元醇的固化剂的高去除速率化学机械抛光垫
CN109957088A (zh) * 2017-12-26 2019-07-02 Dic株式会社 研磨垫及研磨垫用氨基甲酸酯树脂组合物
CN111378085A (zh) * 2018-12-26 2020-07-07 Skc株式会社 研磨垫用组合物、研磨垫及其制备方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115157111A (zh) * 2022-07-13 2022-10-11 安徽禾臣新材料有限公司 一种玻璃加工用抛光垫及其制备方法
CN115157111B (zh) * 2022-07-13 2024-03-15 安徽禾臣新材料有限公司 一种玻璃加工用抛光垫及其制备方法
WO2024036983A1 (zh) * 2022-08-16 2024-02-22 湖北鼎汇微电子材料有限公司 一种抛光垫

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