CN114315879A - 一种双硼稠环化合物及包含其的有机电致发光器件 - Google Patents

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CN114315879A CN202111098682.0A CN202111098682A CN114315879A CN 114315879 A CN114315879 A CN 114315879A CN 202111098682 A CN202111098682 A CN 202111098682A CN 114315879 A CN114315879 A CN 114315879A
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谢丹丹
曹旭东
张兆超
李崇
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Jiangsu Sunera Technology Co Ltd
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Abstract

本发明公开了一种双硼稠环化合物及包含其的有机电致发光器件,属于半导体技术领域。所述双硼稠环化合物的结构以特定碳原子数的芳环或杂芳环为核心并稠合有两个骨架相同的含硼基团,从而具有窄半峰宽、高荧光量子产率,具有高的玻璃化转变温度和分子热稳定性,以及具有合适的HOMO和LUMO能级,可用作有机电致发光器件的发光层掺杂材料,从而提升器件的发光色纯度和寿命。

Description

一种双硼稠环化合物及包含其的有机电致发光器件
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及作为OLED发光层材料的双硼稠环化合物及包含其的有机电致发光器件。
背景技术
传统荧光掺杂材料受限于早期的技术,只能利用电激发形成的25%单线态激子发光,器件的内量子效率较低(最高为25%),外量子效率普遍低于5%,与磷光器件的效率还有很大差距。磷光材料由于重原子中心强的自旋-轨道耦合增强了系间窜越,可以有效利用电激发形成的单线态激子和三线态激子发光,使器件的内量子效率达100%。但多数磷光材料价格昂贵,材料稳定性较差,色纯度较差,器件效率滚落严重等问题限制了其在OLED的应用。
随着5G时代的到来,对显色标准提出了更高的要求,发光材料除了高效、稳定,也需要更窄的半峰宽以提升器件发光色纯度。荧光掺杂材料可通过分子工程,实现高荧光量子、窄半峰宽,蓝色荧光掺杂材料已获得阶段性突破,硼类材料半峰宽可降低至30nm以下;而人眼更为敏感的绿光区域,研究主要集中在磷光掺杂材料,但其发光峰形难以通过简单方法缩窄,因此为满足更高的显色标准,研究窄半峰宽的高效绿色荧光掺杂材料具有重要意义。
另外,TADF敏化荧光技术(TSF)将TADF材料与荧光掺杂材料相结合,利用TADF材料作为激子敏化媒介,将电激发形成的三线态激子转变为单线态激子,通过单线态激子长程能量传递将能量传递给荧光掺杂材料,同样可以达到100%的器件内量子效率,该技术能弥补荧光掺杂材料激子利用率不足的缺点,有效发挥荧光掺杂材料高荧光量子产率、高器件稳定性、高色纯度及价廉的特点,在OLEDs应用上具有广阔前景。
具有共振结构的硼类化合物更容易实现窄半峰宽发光,该类材料应用于TADF敏化荧光技术中,可以实现高效率、窄半峰宽发射的器件制备。如CN 107507921 A和CN110492006 A中,公开了以最低单线态和最低三线态能级差小于等于0.2eV的TADF材料为主体,含硼类材料为掺杂的发光层组合技术;CN 110492005 A和CN 110492009 A中公开以激基复合物为主体,含硼类材料为掺杂的发光层组合方案;均能实现与磷光媲美的效率、相对较窄的半峰宽。因此,开发基于窄半峰宽硼类发光材料的TADF敏化荧光技术,在面向BT.2020显示指标上,具有独特的优势及强劲的潜力。
发明内容
针对现有技术存在的上述问题,本发明申请人提供了一种双硼稠环化合物。本发明的双硼稠环化合物以特定碳原子数的芳环或杂芳环为核心并稠合有两个相同骨架的含硼基团,从而具有窄半峰宽、高荧光量子产率,具有高的玻璃化转变温度和分子热稳定性,以及具有合适的HOMO和LUMO能级,可用作有机电致发光器件的发光层掺杂材料,从而提升器件的发光色纯度和寿命。
本发明的技术方案如下:一种双硼稠环化合物,所述双硼稠环化合物的结构如通式(1)所示:
Figure BDA0003269926240000021
通式(1)中,X1、X2分别独立地表示为O原子、S原子或N(R1);
A表示为取代或未取代的C10-C30的芳环、取代或未取代的C12-C30的杂芳环;
Z每次出现分别独立地表示为N原子或C(R),R每次出现相同或不同,相邻的两个R可相互键结成环;
R1和相邻的R之间还可通过单键连接;
R1表示为取代或未取代的C1~C10烷基、取代或未取代的C3-C10环烷基、取代或未取代的C6~C30芳基、取代或未取代的C2~C30杂芳基中的任意一种;
R表示为氢、氘、氚、氰基、卤素、金刚烷、取代或未取代的C1~C10烷基、取代或未取代的C3~C10环烷基、取代或未取代的C1~C10烷氧基、取代或未取代的C6~C30芳氧基、取代或未取代的C6~C30芳基、取代或未取代的C2~C30杂芳基、芳胺基中的任意一种;
取代基团的取代基任选自氘、氚、氰基、卤素、金刚烷、C1~C10烷基、C3~C10环烷基、氘、氚或氟取代的C1~C10烷基、C6~C30芳基、C2~C30杂芳基中的任意一种;
所述杂芳基中的杂原子任选自氧、硫、硼或氮原子中的一种或多种。
进一步,所述A表示为取代或未取代的C14-C30的芳环、取代或未取代的C12-C30的杂芳环。
进一步,所述X1、X2表示为相同的基团。
进一步,A表示为取代或未取代的C14芳环、取代或未取代的C16芳环、取代或未取代的C18芳环、取代或未取代的C20芳环、取代或未取代的C10的杂芳环、取代或未取代的C14的杂芳环、取代或未取代的C16的杂芳环、取代或未取代的C18的杂芳环、取代或未取代的C22的杂芳环。
进一步,所述A表示为蒽环、菲环、芘环、苝环、荧蒽环、并四苯环、吲哚并咔唑环。
进一步,所述A表示为如下环结构:
Figure BDA0003269926240000022
Figure BDA0003269926240000031
以上环结构中的星号表示可连接的位点。
进一步,所述双硼稠环化合物结构如通式(I-1)~通式(I-15)中任一种所示:
Figure BDA0003269926240000032
其中Z、X1、X2的限定与上述通式(1)中定义相同。
进一步,所述双硼稠环化合物结构如通式(II-1)~通式(II-9)中任一种所示:
Figure BDA0003269926240000041
其中Z的限定与上述通式(1)中定义相同,虚线表示为连接或者不连接。
进一步,所述R表示为氢、氘、氚、氟原子、氰基、甲基、氘代甲基、氚代甲基、乙基、氘代乙基、氚代乙基、异丙基、氘代异丙基、氚代异丙基、叔丁基、氘代叔丁基、氚代叔丁基、氘代环戊基、氚代环戊基、环己烷基、环戊基、金刚烷基、苯基、氘代苯基、氚代苯基、二联苯基、氘代二联苯基、氚代二联苯基、氘代三联苯基、氚代三联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、吡啶基、喹啉基、呋喃基、噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、N-苯基咔唑基、9,9-二甲基芴基、9,9-二苯基芴基、螺芴基、甲基取代的苯基、乙基取代的苯基、异丙基取代的苯基、叔丁基取代的苯基、甲基取代的二联苯基、乙基取代的二联苯基、异丙基取代的二联苯基、叔丁基取代的二联苯基、氘代甲基取代的苯基、氘代乙基取代的苯基、氘代异丙基取代的苯基、氘代叔丁基取代的苯基、氘代甲基取代的二联苯基、氘代乙基取代的二联苯基、氘代异丙基取代的二联苯基、氘代叔丁基取代的二联苯基、氚代甲基取代的苯基、氚代乙基取代的苯基、氚代异丙基取代的苯基、氚代叔丁基取代的苯基、氚代甲基取代的二联苯基、氚代乙基取代的二联苯基、氚代异丙基取代的二联苯基、氚代叔丁基取代的二联苯基、二苯基胺基、二二联苯基胺基、三苯基氨基中的一种;
所述R1表示为甲基、氘代甲基、氚代甲基、乙基、氘代乙基、氚代乙基、异丙基、氘代异丙基、氚代异丙基、叔丁基、氘代叔丁基、氚代叔丁基、氘代环戊基、氚代环戊基、环戊基、金刚烷基、苯基、氘代苯基、氚代苯基、二联苯基、氘代二联苯基、氚代二联苯基、氘代三联苯基、氚代三联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、吡啶基、喹啉基、呋喃基、噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、N-苯基咔唑基、9,9-二甲基芴基、9,9-二苯基芴基、螺芴基、甲基取代的苯基、乙基取代的苯基、异丙基取代的苯基、叔丁基取代的苯基、甲基取代的二联苯基、乙基取代的二联苯基、异丙基取代的二联苯基、叔丁基取代的二联苯基、氘代甲基取代的苯基、氘代乙基取代的苯基、氘代异丙基取代的苯基、氘代叔丁基取代的苯基、氘代甲基取代的二联苯基、氘代乙基取代的二联苯基、氘代异丙基取代的二联苯基、氘代叔丁基取代的二联苯基、氚代甲基取代的苯基、氚代乙基取代的苯基、氚代异丙基取代的苯基、氚代叔丁基取代的苯基、氚代甲基取代的二联苯基、氚代乙基取代的二联苯基、氚代异丙基取代的二联苯基、氚代叔丁基取代的二联苯基中的一种;
取代基团的取代基任选自氘、氚、氰基、氟原子、金刚烷、甲基、乙基、丙基、叔丁基、苯基、萘基、咔唑基、二苯并呋喃基中的任意一种。
进一步,所述双硼稠环化合物的具体结构式为以下结构中的任一种:
Figure BDA0003269926240000051
Figure BDA0003269926240000061
Figure BDA0003269926240000071
Figure BDA0003269926240000081
Figure BDA0003269926240000091
Figure BDA0003269926240000101
Figure BDA0003269926240000111
Figure BDA0003269926240000121
Figure BDA0003269926240000131
Figure BDA0003269926240000141
Figure BDA0003269926240000151
一种有机发光器件,包含阴极、阳极和功能层,所述功能层位于阴极和阳极之间,所述有机发光器件的功能层中包含所述的双硼稠环化合物。
优选方案,所述的有机发光器件的功能层包含发光层,所述发光层的掺杂材料为所述的双硼稠环化合物。
进一步优选,所述发光层包含第一主体材料、第二主体材料和掺杂材料,所述第一主体材料和第二主体材料中至少有一个为TADF材料,所述掺杂材料为所述的双硼稠环化合物。
本发明有益的技术效果在于:
(1)本发明化合物应用于OLED器件,可以作为发光层材料的掺杂材料,在电场作用下可以发荧光,可以应用于OLED照明或者OLED显示领域;本发明化合物作为掺杂材料具有较高的荧光量子效率,材料的荧光量子效率接近100%;
(2)本发明化合物作为掺杂材料,引入TADF敏化剂作为第二主体,能够有效提升器件效率;本发明化合物的光谱FWHM较窄,能够有效提升器件色域,提升器件的发光效率;本发明化合物的蒸镀分解温度较高,能够抑制材料的蒸镀分解,有效提高器件寿命。
附图说明
图1为本发明所列举的材料应用于OLED器件的结构示意图;
其中,1为透明基板层,2为阳极层,3为空穴注入层,4为空穴传输层,5为电子阻挡层,6为发光层,7为空穴阻挡,8为电子传输层,9为电子注入层,10为阴极层。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的原理和特征进行描述,所举实例只用于解释本发明,并非用于限定本发明的范围。
在本发明中,除非另有说明,HOMO意指分子的最高占据轨道,LUMO意指分子的最低空轨道。
在本说明书中,取代或未取代的C6-C30芳基和/或取代或未取代的C2-C30杂芳基是指取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的稠四苯基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的对联三苯基、取代或未取代的间联三苯基、取代或未取代的
Figure BDA0003269926240000152
基、取代或未取代的联亚三苯基、取代或未取代的苝基、取代或未取代的茚基、取代或未取代的呋喃基、取代或未取代的噻吩基、取代或未取代的吡咯基、取代或未取代的吡唑基、取代或未取代的咪唑基、取代或未取代的三唑基、取代或未取代的恶唑基、取代或未取代的噻唑基、取代或未取代的恶二唑基、取代或未取代的噻二唑基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的吡嗪基、取代或未取代的三嗪基、取代或未取代的苯并呋喃基、取代或未取代的苯并噻吩基、取代或未取代的苯并咪唑基、取代或未取代的吲哚基、取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的异喹啉基、取代或未取代的喹唑啉基、取代或未取代的喹喏啉基、取代或未取代的萘啶基、取代或未取代的苯并恶嗪基、取代或未取代的苯并噻嗪基、取代或未取代的吖啶基、取代或未取代的啡嗪基、取代或未取代的啡噻嗪基、取代或未取代的啡恶嗪基、取代或未取代的茀基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的咔唑基、其组合或前述基团组合的稠环,但不限于此。
本发明所述的C1-C10烷基(包含直链烷基和支链烷基)是指甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、叔丁基、异丁基、仲丁基、新戊基、正戊基、异戊基、辛基、庚基、正癸基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、3-甲基戊基、1-丁基戊基等,但不限于此。
本发明所述的卤素原子是指氯原子、氟原子或溴原子等,但不限于此。
本发明所述的C1-C10烷氧基是指甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基或异丙氧基等,但不限于此。
本发明所述的C3-C10环烷基是指包括3至10个作为成环原子的碳原子的单价单环饱和烃基。在本文中,优选使用C4-C9环烷基,更优选C5-C8环烷基,特别优选C5-C7环烷基。其非限制性实例可以包括环丙基、环丁基、环戊基、环己基、、4-甲基环己基、4,4-二甲基环己基、金刚烷基和环庚基。本文使用的C3-C10亚环烷基指与C3-C10环烷基具有相同结构的二价基团。
本发明提供一种有机电致发光器件,其由下至上依次包括基板、阳极、有机功能材料层和阴极,所述有机功能材料层包括:
空穴传输区域,其位于阳极之上;
发光层,其位于空穴传输区域之上,所述发光层包括主体材料和掺杂材料;
电子传输区域,其位于发光层之上;
阴极位于电子传输区域之上。
作为本发明的有机电致发光器件的基板,可使用任何常用于有机电致发光器件的基板。实例为透明基板,如玻璃或透明塑料基板;不透明基板,如硅基板;柔性PI膜基板。不同基板具有不同的机械强度、热稳定性、透明性、表面光滑度、防水性。根据基板的性质不同,其使用方向不同。在本发明中,优选使用透明基板。基板的厚度没有特别限制。
在基板上形成阳极。阳极可以是透射电极、半透射电极或者反射电极。当阳极是透射电极时,其可使用透明金属氧化物来形成,例如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、氧化锌(ZnO)或铟锡锌氧化物(ITZO)等。当阳极是半透射电极或反射电极时,其可包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或金属混合物。阳极层的厚度取决于所使用的材料,通常为50-500nm,优选为70-300nm且更优选为100-200nm。
设置于阳极和阴极之间的有机功能材料层由下至上依次包括空穴传输区域、发光层和电子传输区域。
在本文中,构成有机电致发光器件的空穴传输区域可列举为空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层等。
作为在空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层的材料,可以从已知的用于OLED装置的相关材料中选择任意的材料进行使用。
上述材料的实例可为单芳胺类、双三芳胺类、三胺类、四胺类、联苯胺类等。
进一步的,根据器件搭配需要,构成有机电致发光器件的空穴传输辅助层和空穴注入层之间的空穴传输膜层可以是单一的膜层,也可以是复数的多种空穴传输材料的叠加结构。在本文中,对于上述各种不同功能的空穴载流子传导膜层而言,其膜厚不做特别限定。
空穴注入层包含一个可以传导空穴的主体有机材料,同时还可以包含有一个深HOMO能级(相应的LUMO能级也会很深)的P型掺杂材料,如醌衍生物,四氰基醌二甲烷(TCNQ)和2,3,5,6-四氟-四氰基-1,4-苯醌二甲烷(F4-TCNQ);或六氮杂三亚苯衍生物,如2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂三亚苯(HAT-CN);或环丙烷衍生物,如4,4',4”-((1E,1'E,1”E)-环丙烷-1,2,3-三亚甲基三(氰基甲酰亚基))三(2,3,5,6-四氟苄基),但不限于此。
在本发明的空穴注入层中,所使用的空穴传输材料与P型掺杂材料的比例为99:1-95:5,优选为99:1-97:3,基于质量计。
本发明的空穴注入层的厚度可以是5-100nm、优选是5-50nm且更优选是5-20nm,但厚度不限于这一范围。
本发明的空穴传输层的厚度可以是5-200nm、优选是10-150nm且更优选是20-100nm,但厚度不限于这一范围。
本发明电子阻挡层的厚度可为1-20nm、优选为5-10nm,但厚度不限于这一范围。
在形成空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层之后,在电子阻挡层之上形成相应的发光层。
在本发明中,电子传输区域可由下至上依次包括设置在发光层之上的空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层,但不限于此。
空穴阻挡层为阻挡从阳极注入的空穴穿过发光层而进入阴极,由此延长器件的寿命并提高器件的效能的层。本发明的空穴阻挡层可设置在发光层之上。作为本发明的有机电致发光器件的空穴阻挡层材料,可以使用现有技术中公知的具有空穴阻挡作用的化合物,例如,噁唑衍生物、三唑衍生物、三嗪衍生物等。本发明的空穴阻挡层的厚度可为2-200nm、优选为5-150nm且更优选为10-100nm,但厚度不限于这一范围。
电子传输层可设置在发光层或(若存在的话)空穴阻挡层之上。电子传输层材料是一种容易接收阴极的电子并将接收的电子转移至发光层的材料。优选具有高的电子迁移率的材料。作为本发明的有机电致发光器件的电子传输层,可以使用现有技术中公知的用于有机电致发光器件的电子传输层材料,例如,以Alq3、BAlq和Liq为代表的羟基喹啉衍生物的金属络合物、各种稀土金属络合物、三唑衍生物、2,4-双(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)-6-(萘-2-基)-1,3,5-三嗪(CAS号:1459162-51-6)等三嗪衍生物、2-(4-(9,10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1H-苯并[d]咪唑(CAS号:561064-11-7,俗称LG201)等咪唑衍生物、噁二唑衍生物、噻二唑衍生物、碳化二亚胺衍生物、喹喔啉衍生物、菲咯啉衍生物、硅基化合物衍生物等。本发明的电子传输层的厚度可以为10-80nm、优选为20-60nm且更优选为25-45nm,但厚度不限于这一范围。
电子注入层可设置在电子传输层之上。电子注入层材料通常是优选具有低功函数的材料,使得电子容易地注入有机功能材料层中。作为本发明的有机电致发光器件的电子注入层材料,可以使用现有技术中公知的用于有机电致发光器件的电子注入层材料,例如,锂;锂盐,如8-羟基喹啉锂、氟化锂、碳酸锂或叠氮化锂;或铯盐,氟化铯、碳酸铯或叠氮化铯。本发明的电子注入层的厚度可以是0.1-5nm、优选为0.5-3nm且更优选为0.8-1.5nm,但厚度不限于这一范围。
阴极可以是透射电极、半透射电极或者反射电极。当阴极是透射电极时,阴极可以包括例如Li、Yb、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg、BaF、Ba、Ag或者其化合物或混合物;当阴极是半透射电极或者反射电极时,阴极可包括Ag、Mg、Yb、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Mo、Ti或者其化合物或混合物,但不限于此。阴极的厚度取决于所使用的材料,通常为10-50nm,优选为15-20nm。
本发明的有机电致发光器件还可包括封装结构。封装结构可为防止外界物质例如湿气和氧气进入有机电致发光器件的有机层的保护结构。封装结构可为例如罐,如玻璃罐或金属罐;或覆盖有机层整个表面的薄膜。
本发明制备有机电致发光器件的方法,可使用真空沉积、真空蒸镀、旋涂、浇铸、LB法、喷墨印刷、激光印刷或LITI等方法,但不限于此。在本发明中,优选使用真空蒸镀法来形成所述各个层。本领域技术人员可根据实际需要常规选择真空蒸镀法中的各个工艺条件。
另外,需要说明的是,本发明所述的用于形成各个层的材料均可以单独成膜而作为单层使用,也可以与其他材料混合后成膜而作为单层使用,还可以为单独成膜的层之间的层叠结构、混合后成膜的层之间的层叠结构或者单独成膜的层与混合后成膜的层的层叠结构。
发光层可以包含主体材料和客体材料。
在本发明的一个实施方案中,发光膜层中包含一种或两种主体材料化合物。
在本发明的发光层中,所使用的主体材料与客体材料的比例为99:1-70:30,优选为99:1-85:15且更优选为97:3-87:13,基于质量计。
可以调节发光层的厚度以优化发光效率和驱动电压。优选的厚度范围是5nm至50nm,进一步优选10-50nm、更优选是15-30nm,但厚度不限于这一范围。
本发明合成实施例中涉及到的原料均采购于中节能万润有限公司。
实施例1 化合物6的合成:
Figure BDA0003269926240000191
(1)三口瓶中,通氮气保护下,加入0.01mol的A-1,0.025mol的B-1,150ml甲苯搅拌混合,然后加入5×10-5mol Pd2(dba)3,5×10-5mol P(t-Bu)3,0.03mol叔丁醇钠,加热至105℃,回流反应16小时,取样点板,显示无溴代物剩余,反应完全;自然冷却至室温,过滤,滤液旋蒸至无馏分,过中性硅胶柱(展开剂:甲苯和庚烷),得到C-1(MS:660.29)。
(2)氮气气氛下,向三口烧瓶中加入0.01mol的C-1,然后加入150ml叔丁基苯将其溶解,降温至0℃并保持,缓慢加入0.03mol叔丁基锂的戊烷溶液20ml,而后依次升温至80℃、100℃、120℃各反应1小时。反应结束后降温至-30℃,缓慢加入0.03mol三溴化硼,室温继续搅拌0.5小时。室温下加入0.04mol N,N-二异丙基乙胺,并在125℃下继续反应5小时后停止。真空旋干溶剂,过硅胶柱(展开剂:甲醇和乙腈),得化合物6。
实施例2 化合物1的合成:
Figure BDA0003269926240000192
氮气气氛下,向三口烧瓶中加入0.01mol C-2,然后加入150ml叔丁基苯将其溶解,降温至0℃并保持,缓慢加入0.03mol叔丁基锂的戊烷溶液20ml,而后依次升温至80℃、100℃、120℃各反应1小时。反应结束后降温至-30℃,缓慢加入0.03mol三溴化硼,室温继续搅拌0.5小时。室温下加入0.04mol N,N-二异丙基乙胺,并在125℃下继续反应5小时后停止。真空旋干溶剂,过硅胶柱(展开剂:甲醇和乙腈),得化合物1。
实施例3 化合物41的合成:
Figure BDA0003269926240000193
(1)向三口烧瓶中加入0.01mol的A-3、0.024mol的B-3、0.015mol NaH,然后加入90ml二甲基亚砜将其溶解,加热至140℃,搅拌回流5小时,利用TLC观察反应,直至反应完全,溶液分层。自然冷却至室温,分液,过滤后干燥,得到C-3(MS:518.32)。
(2)氮气气氛下,向三口烧瓶中加入0.01mol C-3,然后加入150ml叔丁基苯将其溶解,降温至0℃并保持,缓慢加入0.03mol叔丁基锂的戊烷溶液20ml,而后依次升温至80℃、100℃、120℃各反应1小时。反应结束后降温至-30℃,缓慢加入0.03mol三溴化硼,室温继续搅拌0.5小时。室温下加入0.04mol N,N-二异丙基乙胺,并在125℃下继续反应5小时后停止。真空旋干溶剂,过硅胶柱(展开剂:甲醇和乙腈),得化合物41。
实施例4 化合物26的合成:
Figure BDA0003269926240000201
化合物26的制备方法同制备实施例3,不同之处在于用A-4替换A-3,A-4和B-3作为反应原料制得中间体C-4(MS:518.32)。
实施例5 化合物29的合成:
Figure BDA0003269926240000202
化合物29的制备方法同制备实施例1,不同之处在于用A-4替换A-1,用B-5替换B-1,A-4和B-5作为反应原料制得中间体C-5(MS:668.24)。
实施例6 化合物56的合成:
Figure BDA0003269926240000203
化合物56的制备方法同制备实施例2,不同之处在于用C-6替换C-2。
实施例7 化合物60的合成:
Figure BDA0003269926240000204
化合物60的制备方法同制备实施例7,不同之处在于用A-7替换A-1,用B-5替换B-1,A-7和B-5作为反应原料制得中间体C-7(MS:742.27)。
实施例8 化合物81的合成:
Figure BDA0003269926240000205
化合物81的制备方法同制备实施例3,不同之处在于用A-8替换A-3,A-8和B-3作为反应原料制得中间体C-8(MS:538.24)。
实施例9 化合物86的合成:
Figure BDA0003269926240000211
化合物86的制备方法同制备实施例3,不同之处在于用A-9替换A-3,A-9和B-3作为反应原料制得中间体C-9(MS:538.24)。
实施例10 化合物170的合成:
Figure BDA0003269926240000212
化合物170的制备方法同制备实施例2,不同之处在于用C-10替换C-2。
实施例11 化合物141的合成:
Figure BDA0003269926240000213
化合物141的制备方法同制备实施例1,不同之处在于用A-11替换A-1,用B-5替换B-1,A-11和B-5作为反应原料制得中间体C-11(MS:664.33)。
实施例12 化合物232的合成:
Figure BDA0003269926240000214
化合物232的制备方法同制备实施例2,不同之处在于用C-12替换C-2。
实施例13 化合物234的合成:
Figure BDA0003269926240000221
化合物234的制备方法同制备实施例1,不同之处在于用A-13替换A-1,用B-5替换B-1,A-13和B-5作为反应原料制得中间体C-13(MS:744.39)。
实施例14 化合物238的合成:
Figure BDA0003269926240000222
化合物238的制备方法同制备实施例1,不同之处在于用A-14替换A-1,用B-5替换B-1,A-14和B-5作为反应原料制得中间体C-14(MS:688.34)。
实施例15 化合物254的合成:
Figure BDA0003269926240000223
化合物254的制备方法同制备实施例1,不同之处在于用用B-15替换B-1,A-1和B-15作为反应原料制得中间体C-16(MS:974.31)。
实施例16 化合物258的合成:
Figure BDA0003269926240000224
化合物258的制备方法同制备实施例1,不同之处在于用B-16替换B-1,A-1和B-16作为反应原料制得中间体C-19(MS:764.24)。
实施例17 化合物276的合成:
Figure BDA0003269926240000225
化合物276的制备方法同制备实施例1,不同之处在于用A-17替换A-1,用B-17替换B-1,A-17和B-17作为反应原料制得中间体C-17(MS:742.31)。
实施例18 化合物287的合成:
Figure BDA0003269926240000231
化合物287的制备方法同制备实施例1,不同之处在于用A-18替换A-1,用B-18替换B-1,A-18和B-18作为反应原料制得中间体C-18(MS:694.33)。
实施例19 化合物265的合成:
Figure BDA0003269926240000232
(1)向三口烧瓶中加入0.01mol的A-19、0.024mol的B-3、0.015mol NaH,然后加入90ml二甲基亚砜将其溶解,加热至140℃,搅拌回流5小时,利用TLC观察反应,直至反应完全,溶液分层。自然冷却至室温,分液,过滤后干燥,得到M-19(MS:366.23)。
(2)三口瓶中,通氮气保护下,加入0.01mol的M-19,0.025mol的N-19,150ml甲苯搅拌混合,然后加入5×10-5mol Pd2(dba)3,5×10-5mol P(t-Bu)3,0.03mol叔丁醇钠,加热至110℃,回流反应18小时,取样点板,显示无溴代物剩余,反应完全;自然冷却至室温,过滤,滤液旋蒸至无馏分,过中性硅胶柱(展开剂:甲苯和庚烷),得到C-19(MS:980.33)。
(3)氮气气氛下,向三口烧瓶中加入0.01mol C-19,然后加入150ml叔丁基苯将其溶解,降温至0℃并保持,缓慢加入0.03mol叔丁基锂的戊烷溶液20ml,而后依次升温至80℃、100℃、120℃各反应1小时。反应结束后降温至-30℃,缓慢加入0.03mol三溴化硼,室温继续搅拌0.5小时。室温下加入0.04mol N,N-二异丙基乙胺,并在125℃下继续反应5小时后停止。真空旋干溶剂,过硅胶柱(展开剂:甲醇和乙腈),得化合物265。
实施例20 化合物30的合成:
Figure BDA0003269926240000233
化合物30的制备方法同制备实施例19,不同之处在于用B-20替换B-3,用N-20替换N-19,A-19和B-20作为反应原料制得中间体M-20(MS:398.06),N-20和M-20作为反应原料制得中间体C-20(MS:880.34)。
实施例21 化合物7的合成:
Figure BDA0003269926240000241
(1)在三口瓶中,通入氮气,加入0.02mol的A-21,150mlDMF,0.043mol的B-21,0.0002mol醋酸钯,搅拌,然后加入3mL0.01mol/mLK3PO4水溶液,150℃下加热回流反应20小时,取样点板,反应完全,自然冷却,加入120mL水,将混合物过滤并取滤饼在真空干燥箱中干燥,所得残余物过硅胶柱纯化,得到C-21(MS:998.38);
(2)氮气气氛下,向三口烧瓶中加入0.01mol C-21,然后加入150ml叔丁基苯将其溶解,降温至0℃并保持,缓慢加入0.03mol叔丁基锂的戊烷溶液20ml,而后依次升温至80℃、100℃、120℃各反应1小时。反应结束后降温至-30℃,缓慢加入0.03mol三溴化硼,室温继续搅拌0.5小时。室温下加入0.04mol N,N-二异丙基乙胺,并在125℃下继续反应5小时后停止。真空旋干溶剂,过硅胶柱(展开剂:甲醇和乙腈),得化合物7。
为了对实施例1至21制备的化合物进行结构分析,利用LC-MS进行结构确认。
表1
Figure BDA0003269926240000242
Figure BDA0003269926240000251
本发明化合物在发光器件中使用,可以作为发光层掺杂材料使用。对本发明上述实施例制备的化合物进行物化性质的测试,检测结果如表2所示:
表2
Figure BDA0003269926240000252
Figure BDA0003269926240000261
注:玻璃化转变温度Tg由示差扫描量热法(DSC,德国耐驰公司DSC204F1示差扫描量热仪)测定,升温速率10℃/min;热失重温度Td是在氮气气氛中失重1%的温度,在日本岛津公司的TGA-50H热重分析仪上进行测定,氮气流量为20mL/min;最高占据分子轨道HOMO能级是由电离能量测试系统(IPS-3)测试,测试为氮气环境;Eg通过双光束紫外可见分光光度计(型号:TU-1901)进行测试,LUMO=HOMO+Eg;PLQY和FWHM在单组分薄膜状态下由Horiba的Fluorolog-3系列荧光光谱仪测试,薄膜厚度80nm。
由上表数据可知,和现有的材料ref-1相比,本发明化合物具有较高的玻璃化转变温度和分解温度。作为发光层掺杂材料使用,能够抑制材料的结晶和膜相分离;同时也能抑制材料在高亮度下的分解,提升器件工作寿命。另外,本申请化合物具有较浅的HOMO能级,作为掺杂材料掺杂于主体材料中,有利于抑制载流子陷阱的产生,提高主客体能量传递效率,从而提升器件发光效率。
本发明化合物作为掺杂材料具有较高的荧光量子效率,材料的荧光量子效率接近100%;同时,材料的光谱FWHM较窄,能够有效提升器件色域,提升器件的发光效率;最后,材料的蒸镀分解温度较高,能够抑制材料的蒸镀分解,有效提高器件寿命。
以下通过器件实施例1-42和器件比较例1-6详细说明本发明合成的OLED材料在器件中的应用效果。
器件实施例1
如图1所示,透明基板层1为透明PI膜,对ITO阳极层2(膜厚为150nm)进行洗涤,即依次进行清洗剂(Semiclean M-L20)洗涤、纯水洗涤、干燥,再进行紫外线-臭氧洗涤以清除透明ITO表面的有机残留物。在进行了上述洗涤之后的ITO阳极层2上,利用真空蒸镀装置,蒸镀膜厚为10nm的HT-1和HI-1作为空穴注入层3,HT-1和HI-1的质量比为97:3。接着蒸镀60nm厚度的HT-1作为空穴传输层4。随后蒸镀30nm厚度的EB-1作为电子阻挡层5。上述电子阻挡材料蒸镀结束后,制作OLED发光器件的发光层6,使用CBP作为主体材料,化合物6作为掺杂材料,CBP和化合物6质量比为97:3,发光层膜厚为30nm。在上述发光层6之后,继续真空蒸镀HB-1,膜厚为5nm,此层为空穴阻挡层7。在上述空穴阻挡层7之后,继续真空蒸镀ET-1和Liq,ET-1和Liq质量比为1:1,膜厚为30nm,此层为电子传输层8。在电子传输层8上,通过真空蒸镀装置,制作膜厚为1nm的LiF层,此层为电子注入层9。在电子注入层9上,通过真空蒸镀装置,制作膜厚为80nm的Mg:Ag电极层,Mg、Ag质量比为1:9,此层为阴极层10使用。
本发明器件实施例2-21以及器件比较例1、3-6与器件实施例1相比器件的制作工艺完全相同,并且所采用了相同的基板材料和电极材料,电极材料的膜厚也保持一致,所不同的是对器件中的发光层材料做了更换。各器件实施例的层结构和测试结果分别如表3-1和表4所示。
器件实施例22
透明基板层1为透明PI膜,对ITO阳极层2(膜厚为150nm)进行洗涤,即依次进行清洗剂(Semiclean M-L20)洗涤、纯水洗涤、干燥,再进行紫外线-臭氧洗涤以清除透明ITO表面的有机残留物。在进行了上述洗涤之后的ITO阳极层2上,利用真空蒸镀装置,蒸镀膜厚为10nm的HT-1和HI-1作为空穴注入层3,HT-1和HI-1的质量比为97:3。接着蒸镀60nm厚度的HT-1作为空穴传输层4。随后蒸镀30nm厚度的EB-1作为电子阻挡层5。上述电子阻挡材料蒸镀结束后,制作OLED发光器件的发光层6,其结构包括OLED发光层6所使用CBP和DMAC-BP作为双主体材料,化合物6作为掺杂材料,CBP、DMAC-BP和化合物6质量比为67:30:3,发光层膜厚为30nm。在上述发光层6之后,继续真空蒸镀HB-1,膜厚为5nm,此层为空穴阻挡层7。在上述空穴阻挡层7之后,继续真空蒸镀ET-1和Liq,ET-1和Liq质量比为1:1,膜厚为30nm,此层为电子传输层8。在电子传输层8上,通过真空蒸镀装置,制作膜厚为1nm的LiF层,此层为电子注入层9。在电子注入层9上,通过真空蒸镀装置,制作膜厚为80nm的Mg:Ag电极层,Mg、Ag质量比为1:9,此层为阴极层10使用。
本发明器件实施例23-42以及器件比较例2与器件实施例22相比器件的制作工艺完全相同,并且所采用了相同的基板材料和电极材料,电极材料的膜厚也保持一致,所不同的是对器件中的发光层材料做了更换。各器件实施例的层结构和测试结果分别如表3-2和表4所示。
相关材料的分子结构式如下所示:
Figure BDA0003269926240000271
Figure BDA0003269926240000281
如上所述地完成OLED发光器件后,用公知的驱动电路将阳极和阴极连接起来,测量器件的电流效率、外量子效率和器件的寿命。用同样的方法制备的器件实施例和比较例如表3-1和表3-2所示;所得器件的电流效率、外量子效率和寿命的测试结果如表4所示。
表3-1
Figure BDA0003269926240000282
Figure BDA0003269926240000291
表3-2
Figure BDA0003269926240000292
Figure BDA0003269926240000301
Figure BDA0003269926240000311
表4
Figure BDA0003269926240000312
注:电压、电流效率、发光峰使用IVL(电流-电压-亮度)测试系统(苏州弗士达科学仪器有限公司);寿命测试系统为日本系统技研公司EAS-62C型OLED器件寿命测试仪;LT95指的是器件亮度衰减到95%所用时间;所有数据均在10mA/cm2下测试。
由表4的器件数据结果可以看出,与器件比较例1-6相比,本发明的有机发光器件的电流效率、外量子效率还是器件寿命均相对于已知材料的OLED器件获得较大的提升。
综上,以上仅为本发明的较佳实施例,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种双硼稠环化合物,其特征在于,所述双硼稠环化合物的结构如通式(1)所示:
Figure FDA0003269926230000011
通式(1)中,X1、X2分别独立地表示为O原子、S原子或N(R1);
A表示为取代或未取代的C10-C30的芳环、取代或未取代的C12-C30的杂芳环;
Z每次出现分别独立地表示为N原子或C(R),R每次出现相同或不同,相邻的两个R可相互键结成环;
R1和相邻的R之间还可通过单键连接;
R1表示为取代或未取代的C1~C10烷基、取代或未取代的C3-C10环烷基、取代或未取代的C6~C30芳基、取代或未取代的C2~C30杂芳基中的任意一种;
R表示为氢、氘、氚、氰基、卤素、取代或未取代的C1~C10烷基、取代或未取代的C3~C10环烷基、取代或未取代的C1~C10烷氧基、取代或未取代的C6~C30芳氧基、取代或未取代的C6~C30芳基、取代或未取代的C2~C30杂芳基、芳胺基中的任意一种;
取代基团的取代基任选自氘、氚、氰基、卤素、C1~C10烷基、C3~C10环烷基、氘、氚或氟取代的C1~C10烷基、C6~C30芳基、C2~C30杂芳基中的任意一种;
所述杂芳基中的杂原子任选自氧、硫、硼或氮原子中的一种或多种。
2.根据权利要求1所述的双硼稠环化合物,其特征在于,所述A表示为取代或未取代的C14芳环、取代或未取代的C16芳环、取代或未取代的C18芳环、取代或未取代的C20芳环、取代或未取代的C10的杂芳环、取代或未取代的C14的杂芳环、取代或未取代的C16的杂芳环、取代或未取代的C18的杂芳环、取代或未取代的C22的杂芳环。
3.根据权利要求1所述的双硼稠环化合物,其特征在于,所述A表示为如下环结构:
Figure FDA0003269926230000012
Figure FDA0003269926230000021
以上环结构中的星号表示可连接的位点。
4.根据权利要求1所述的双硼稠环化合物,其特征在于,所述双硼稠环化合物结构如通式(I-1)~通式(I-15)中任一种所示:
Figure FDA0003269926230000022
Figure FDA0003269926230000031
其中Z、X1、X2的限定与权1中相同。
5.根据权利要求1所述的双硼稠环化合物,其特征在于,所述双硼稠环化合物结构如通式(II-1)~通式(II-9)中任一种所示:
Figure FDA0003269926230000032
其中Z的限定与权1中相同,虚线表示为连接或者不连接。
6.根据权利要求1所述的双硼稠环化合物,其特征在于,所述R表示为氢、氘、氚、氟原子、氰基、甲基、氘代甲基、氚代甲基、乙基、氘代乙基、氚代乙基、异丙基、氘代异丙基、氚代异丙基、叔丁基、氘代叔丁基、氚代叔丁基、氘代环戊基、氚代环戊基、环己烷基、环戊基、金刚烷基、苯基、氘代苯基、氚代苯基、二联苯基、氘代二联苯基、氚代二联苯基、氘代三联苯基、氚代三联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、吡啶基、喹啉基、呋喃基、噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、N-苯基咔唑基、9,9-二甲基芴基、9,9-二苯基芴基、螺芴基、甲基取代的苯基、乙基取代的苯基、异丙基取代的苯基、叔丁基取代的苯基、甲基取代的二联苯基、乙基取代的二联苯基、异丙基取代的二联苯基、叔丁基取代的二联苯基、氘代甲基取代的苯基、氘代乙基取代的苯基、氘代异丙基取代的苯基、氘代叔丁基取代的苯基、氘代甲基取代的二联苯基、氘代乙基取代的二联苯基、氘代异丙基取代的二联苯基、氘代叔丁基取代的二联苯基、氚代甲基取代的苯基、氚代乙基取代的苯基、氚代异丙基取代的苯基、氚代叔丁基取代的苯基、氚代甲基取代的二联苯基、氚代乙基取代的二联苯基、氚代异丙基取代的二联苯基、氚代叔丁基取代的二联苯基、二苯基胺基、二二联苯基胺基、三苯基氨基中的一种;
所述R1表示为甲基、氘代甲基、氚代甲基、乙基、氘代乙基、氚代乙基、异丙基、氘代异丙基、氚代异丙基、叔丁基、氘代叔丁基、氚代叔丁基、氘代环戊基、氚代环戊基、环戊基、金刚烷基、苯基、氘代苯基、氚代苯基、二联苯基、氘代二联苯基、氚代二联苯基、氘代三联苯基、氚代三联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、吡啶基、喹啉基、呋喃基、噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、N-苯基咔唑基、9,9-二甲基芴基、9,9-二苯基芴基、螺芴基、甲基取代的苯基、乙基取代的苯基、异丙基取代的苯基、叔丁基取代的苯基、甲基取代的二联苯基、乙基取代的二联苯基、异丙基取代的二联苯基、叔丁基取代的二联苯基、氘代甲基取代的苯基、氘代乙基取代的苯基、氘代异丙基取代的苯基、氘代叔丁基取代的苯基、氘代甲基取代的二联苯基、氘代乙基取代的二联苯基、氘代异丙基取代的二联苯基、氘代叔丁基取代的二联苯基、氚代甲基取代的苯基、氚代乙基取代的苯基、氚代异丙基取代的苯基、氚代叔丁基取代的苯基、氚代甲基取代的二联苯基、氚代乙基取代的二联苯基、氚代异丙基取代的二联苯基、氚代叔丁基取代的二联苯基中的一种;
取代基团的取代基任选自氘、氚、氰基、氟原子、金刚烷、甲基、乙基、丙基、叔丁基、苯基、萘基、咔唑基、二苯并呋喃基中的任意一种。
7.根据权利要求1所述的双硼稠环化合物,其特征在于,所述双硼稠环化合物的具体结构式为以下结构中的任一种:
Figure FDA0003269926230000041
Figure FDA0003269926230000051
Figure FDA0003269926230000061
Figure FDA0003269926230000071
Figure FDA0003269926230000081
Figure FDA0003269926230000091
Figure FDA0003269926230000101
Figure FDA0003269926230000111
Figure FDA0003269926230000121
Figure FDA0003269926230000131
Figure FDA0003269926230000141
Figure FDA0003269926230000151
8.一种有机发光器件,包含阴极、阳极和功能层,所述功能层位于阴极和阳极之间,其特征在于,所述有机发光器件的功能层中包含权利要求1-7任一项所述的双硼稠环化合物。
9.根据权利要求8所述的有机发光器件,所述功能层包含发光层,其特征在于,所述发光层的掺杂材料为权利要求1-7任一项所述的双硼稠环化合物。
10.根据权利要求8所述的有机发光器件,所述发光层包含第一主体材料、第二主体材料和掺杂材料,其特征在于,所述第一主体材料和第二主体材料中至少有一个为TADF材料,所述掺杂材料为权利要求1-7任一项所述的双硼稠环化合物。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024012365A1 (zh) * 2022-07-14 2024-01-18 清华大学 一种有机化合物及其应用

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108774258A (zh) * 2018-09-10 2018-11-09 西安瑞联新材料股份有限公司 一种含硼杂环化合物及其在有机光电器件中的应用
CN110642877A (zh) * 2018-06-27 2020-01-03 三星显示有限公司 稠合环状化合物及包含所述稠合环状化合物的有机发光装置
WO2020135790A1 (zh) * 2018-12-29 2020-07-02 江苏三月光电科技有限公司 一种含硼的化合物及其在有机电致发光器件上的应用
CN111377957A (zh) * 2018-12-29 2020-07-07 江苏三月光电科技有限公司 一种含硼的化合物及其在有机电致发光器件上的应用
US20200259096A1 (en) * 2019-02-12 2020-08-13 Kwansei Gakuin Educational Foundation Organic electroluminescent device
CN111574544A (zh) * 2019-02-18 2020-08-25 江苏三月科技股份有限公司 一种含硼的有机化合物及其在有机电致发光器件上的应用
CN114276372A (zh) * 2020-09-28 2022-04-05 江苏三月科技股份有限公司 一种用于oled发光层的含硼稠环化合物及其应用

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110642877A (zh) * 2018-06-27 2020-01-03 三星显示有限公司 稠合环状化合物及包含所述稠合环状化合物的有机发光装置
CN108774258A (zh) * 2018-09-10 2018-11-09 西安瑞联新材料股份有限公司 一种含硼杂环化合物及其在有机光电器件中的应用
WO2020135790A1 (zh) * 2018-12-29 2020-07-02 江苏三月光电科技有限公司 一种含硼的化合物及其在有机电致发光器件上的应用
CN111377957A (zh) * 2018-12-29 2020-07-07 江苏三月光电科技有限公司 一种含硼的化合物及其在有机电致发光器件上的应用
US20200259096A1 (en) * 2019-02-12 2020-08-13 Kwansei Gakuin Educational Foundation Organic electroluminescent device
CN111574544A (zh) * 2019-02-18 2020-08-25 江苏三月科技股份有限公司 一种含硼的有机化合物及其在有机电致发光器件上的应用
CN114276372A (zh) * 2020-09-28 2022-04-05 江苏三月科技股份有限公司 一种用于oled发光层的含硼稠环化合物及其应用

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024012365A1 (zh) * 2022-07-14 2024-01-18 清华大学 一种有机化合物及其应用

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