CN114293164B - 一种半导体产品的电磁屏蔽层制备方法及半导体产品 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 267
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 127
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 104
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 93
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 54
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 claims abstract description 43
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 27
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 27
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 27
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 14
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 claims description 12
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 11
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 claims description 11
- 239000006260 foam Substances 0.000 claims description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 9
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 229920000297 Rayon Polymers 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 3
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010420 art technique Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008707 rearrangement Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
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- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Abstract
本发明实施例公开了一种半导体产品的电磁屏蔽层制备方法及半导体产品。其中,方法的步骤包括:在半导体产品的第一表面形成黏胶层,该半导体产品的第一表面设置有焊球阵列,黏胶层至少环绕焊球阵列,且黏胶层的厚度大于或等于焊球阵列中焊球的高度;在半导体产品治具的产品承载区贴附双面胶;半导体产品治具包括阵列排布的多个产品承载区;将半导体产品贴装于产品承载区,以使黏胶层与双面胶贴合;至少在半导体产品的第二表面形成电磁屏蔽层;第二表面与第一表面相对;分离半导体产品与黏胶层;其中,在分离半导体产品与黏胶层时,黏胶层与半导体产品的结合力小于黏胶层与双面胶的结合力。本发明实施例能够提高效率和良率,降低成本。
Description
技术领域
本发明实施例涉及半导体封装技术领域,尤其涉及一种半导体产品的电磁屏蔽层制备方法及半导体产品。
背景技术
在对噪声敏感的半导体产品进行封装时,会在产品的表面设置电磁屏蔽层。对于焊球阵列封装产品,通常会采用溅镀工艺制备电磁屏蔽层。
图1为现有技术中制备电磁屏蔽层方法的示意图,现有技术中,在焊球阵列封装产品形成电磁屏蔽层时,采用钢网治具14’,该钢网治具14’上开设有焊球容纳槽141’和避让孔142’,并在钢网治具14’表面贴附有具有开孔的粘合胶15’,粘合胶15’的开孔分别露出避让孔142’和焊球容纳槽141’;焊球阵列封装产品10’通过粘合胶15’固定于钢网治具14’上,并对固定于钢网治具14’上的焊球阵列封装产品10’溅镀电磁屏蔽层。其中,在将焊球阵列封装产品10’固定于钢网治具14’上时,焊球阵列封装产品10’中的焊球13’容置于焊球容纳槽141’中,且每个焊球13’对应一个焊球容纳槽141’,这需要钢网治具14’与焊球阵列封装产品10’之间具有较高的贴装精度,一旦贴装出现误差就会损伤到焊球阵列封装产品10’中的焊球13’,产生不良;同时,在钢网治具14’上开设的焊球容纳槽141’以及对应在粘合胶15’开设的小孔(用以露出焊球容纳槽141’)均具有较小的尺寸,其通常采用激光切割的方式,对工艺精度要求较高,且在每个焊球阵列封装产品10’的焊球阵列包括多个焊球13’时,需要开设多个焊球容纳槽141’和多个小孔,需要多个位置的多次切割才能够完成,工艺复杂性较高,不利于生产效率的提高,且会增加生产成本;除此之外,上述方法对焊球阵列封装产品10’中的焊球13’与焊球13’之间的距离、焊球13’与基板边缘之间的距离都具有较高的要求,难以达到一些高精度半导体产品的应用要求。
随着焊球阵列封装半导体产品的广泛应用,急需寻求一种更好的半导体产品电磁屏蔽层的制备方法。
发明内容
针对上述现有技术的缺陷,本发明提供了一种半导体产品的电磁屏蔽层制备方法及半导体产品,以提供一种更优的电磁屏蔽层的制备方法。
第一方面,本发明实施例提供了一种半导体产品的电磁屏蔽层制备方法,包括如下步骤:
在半导体产品的第一表面形成黏胶层;所述半导体产品的第一表面设置有焊球阵列;所述黏胶层至少环绕所述焊球阵列,且所述黏胶层的厚度大于或等于所述焊球阵列中焊球的高度;
在半导体产品治具的产品承载区贴附双面胶;所述半导体产品治具包括阵列排布的多个所述产品承载区;所述产品承载区贴附有双面胶;
将所述半导体产品贴装于所述产品承载区,以使所述黏胶层与所述双面胶贴合;
至少在所述半导体产品的第二表面形成电磁屏蔽层;所述第二表面与所述第一表面相对;
分离所述半导体产品与所述黏胶层;其中,在分离所述半导体产品与所述黏胶层时,所述黏胶层与所述半导体产品的结合力小于所述黏胶层与所述双面胶的结合力。
第二方面,本发明实施例还提供了一种半导体产品,包括:相对的第一表面和第二表面;第一表面上设置有焊球阵列;第二表面上设置有电磁屏蔽层;
电磁屏蔽层采用本发明任意实施例的半导体产品的电磁屏蔽层制备方法形成。
本发明实施例中的技术方案,通过在半导体产品的第一表面形成至少环绕焊球阵列的黏胶层,且黏胶层的厚度大于或等于焊球阵列中焊球的高度,以在贴装过程中,使得黏胶层与半导体产品治具中产品承载区上表面的双面胶直接接触,而焊球阵列不会与半导体产品治具发生触碰,从而无需考虑半导体产品中的焊球设置位置,以及焊球与基板边缘的距离,降低了贴装过程的精度要求,以及降低半导体治具的精度要求,提高生产效率和生产良率,降低生产成本;同时,黏胶层还能够对焊球阵列起到较好的保护作用,保证后续沉积电磁屏蔽层时,屏蔽层材料不会溅到焊球阵列上,从而进一步提高半导体产品的生产良率。此外,在半导体产品上形成电磁屏蔽层后,分离半导体产品与电磁屏蔽层时,通过使黏胶层与半导体产品的结合力小于黏胶层与双面胶的结合力,能够使黏胶层顺利、安全地从半导体产品上剥离,确保半导体产品第一表面具有较高的清洁度。
附图说明
图1为现有技术中制备电磁屏蔽层方法的示意图;
图2为本发明实施例提供的一种半导体产品的电磁屏蔽层制备方法的流程图;
图3为本发明实施例提供的一种半导体产品的电磁屏蔽层制备方法的示意图;
图4为本发明实施例提供的一种半导体产品的结构示意图;
图5为本发明实施例提供的一种半导体产品治具的俯视图;
图6为本发明实施例提供的另一种半导体产品的电磁屏蔽层制备方法的流程图;
图7为本发明实施例提供的一种半导体产品的制备方法的示意图;
图8为本发明实施例提供的一种热解胶粘性与温度的关系曲线图;
图9为本发明实施例提供的一种泡棉双面胶粘性与温度的关系曲线图;
图10为本发明实施例提供的一种剥离黏胶层的方法的示意图;
图11为本发明实施例提供的另一种剥离黏胶层的方法的示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明,而非对本发明的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
本发明实施例提供一种半导体产品的电磁屏蔽层制备方法,可用于在对电磁波敏感的半导体产品上形成电磁屏蔽层,图2为本发明实施例提供的一种半导体产品的电磁屏蔽层制备方法的流程图,图3为本发明实施例提供的一种半导体产品的电磁屏蔽层制备方法的示意图,如图2所示,该方法包括如下步骤:
S110、在半导体产品的第一表面形成黏胶层。
其中,如图3所示,半导体产品10的第一表面11设置有焊球阵列13;黏胶层12至少环绕焊球阵列13,且黏胶层12的厚度H1大于或等于焊球阵列13中焊球131的高度H2。
具体地,图4为本发明实施例提供的一种半导体产品的结构示意图,结合参考图3和图4,半导体产品10的第一表面11设置有焊球阵列13,该焊球阵列13中的焊球131例如可以为锡球,其在半导体产品10封装后露出半导体产品10的表面,在本发明实施例中定义具有焊球阵列13的表面为第一表面11。通过在半导体产品10的第一表面11形成黏胶层12,该黏胶层12至少环绕焊球阵列13,且黏胶层12的厚度H1大于或等于焊球阵列13中焊球131的高度H2,使得黏胶层12能够在焊球阵列13周围形成一定的保护层。其中,黏胶层12的形成方式及黏胶层12的具体材质,均可根据实际情况进行选择,本发明实施例对此不做限制。
另外,继续结合参考图3和图4,本发明实施例中,在半导体产品10的第一表面11形成黏胶层12时,让黏胶层12至少环绕焊球阵列13,也即,至少在焊球阵列13四周包覆黏胶层12,并且黏胶层12的厚度大于或等于焊球阵列13中焊球131的高度;当然,黏胶层12可以覆盖全部或部分焊球阵列13,且当黏胶层12覆盖焊球阵列13,能够对焊球阵列13起到更好的固定及保护作用,保证后续沉积电磁屏蔽层17时,屏蔽层材料不会溅到焊球阵列13上,从而提高半导体产品10的生产良率。本发明实施例中优选将黏胶层12形成于焊球阵列13的周围,以便于后续的剥离。
S120、在半导体产品治具的产品承载区贴附双面胶。
其中,图5为本发明实施例提供的一种半导体产品治具的俯视图,结合参考图3和图5所示,半导体产品治具14包括阵列排布的多个产品承载区141;产品承载区141贴附有双面胶15。
具体地,继续参考图3和图5,半导体产品治具14包括阵列排布的多个产品承载区141,产品承载区141用于承载和固定半导体产品10。其中,多个产品承载区141的阵列排布方式可根据所要承载的半导体产品10的结构进行设置,每个产品承载区141的剖面结构也可根据实际需求进行设置。在半导体产品治具14上设置多个产品承载区141,且每个产品承载区141可以承载和固定一个半导体产品10,使得半导体产品治具14能够同时为多个半导体产品10制备电磁屏蔽层17,提高生产效率。其中,产品承载区141贴附的双面胶15的厚度可以为1mm,以便于后续的贴装要求。
可选的,本发明实施例中的半导体产品治具14也可选择带有一定厚度的金属治具,与现有技术中的钢网治具相比,带有厚度的金属治具不易发生形变,具有更好的机械性能。
S130、将半导体产品贴装于产品承载区,以使黏胶层与双面胶贴合。
具体地,结合参考图3、图4和图5,将半导体产品10固定于半导体产品治具14的产品承载区141,半导体产品10的第一表面11的黏胶层12与产品承载区141的贴附的双面胶15接触,通过使黏胶层12与双面胶15贴合,实现对半导体产品10的固定,使得半导体产品牢固地贴装于半导体产品治具14的产品承载区141。其中,黏胶层12与双面胶15贴合方式可以为,在将半导体产品10放置于产品承载区141后,采用压板压合半导体产品10和/或半导体产品治具14,使得半导体产品10上的黏胶层12与半导体产品治具14的双面胶15充分接触并牢固贴合。此时,双面胶15和黏胶层12均具有一定的厚度,能够满足压板压合的收缩要求。
与图1所示现有技术相比,结合参考图3、图4和图5,由于焊球阵列13被黏胶层12环绕,并且黏胶层12厚度较大,使得在半导体产品10与产品承载区141贴装过程中,焊球阵列13不会直接和半导体产品治具14的产品承载区141接触,焊球阵列13不会与半导体产品治具14发生触碰,此时可允许半导体产品10与产品承载区141在贴装过程中存在一定误差,降低了贴装过程的精度要求;同时,也无需对半导体产品治具14的形状做出要求,且在采用该半导体产品治具14时,无需考虑半导体产品10中的焊球131设置位置,也无需考虑焊球131与半导体产品10的第一表面11的边缘之间的距离,从而能够适用更多种类的半导体产品10,即对于一些高精度、高集成度的半导体产品10,本发明实施例中的半导体产品治具14同样适用。
另外,参考图1,现有技术中,需要在铜网治具14’上设置多个焊球容纳槽141’,用来容纳焊球13’,由于焊球13’尺寸很小,铜网治具14’上的焊球容纳槽141’以及粘合胶15’上的小孔均需要采用高精度的激光切割方式,这使得治具的生产工艺复杂、生产效率低、生产成本高。而本发明实施例中,无需考虑在产品承载区以及双面胶是否开孔,这极大地提高了治具的生产效率,简化治具工艺步骤,降低治具生产成本。
S140、至少在半导体产品的第二表面形成电磁屏蔽层。
其中,如图3所示,半导体产品10的第二表面16是与第一表面11相对的表面。
具体地,继续参考图3,在半导体产品10的第二表面16形成电磁屏蔽层17,第二表面16为与焊球阵列13所在的第一表面11平行且相对的表面,由于第一表面11的黏胶层12与产品承载区141的双面胶15接触,且黏胶层12包覆焊球阵列13,且焊球阵列13位于产品承载区141内,在形成电磁屏蔽层17的过程中,屏蔽层材料不会附着在焊球阵列13所在的第一表面11。除了第二表面16,还可在与第二表面16相接的其它表面形成电磁屏蔽层17,也即,在除焊球阵列13所在的第一表面11外的所有表面都可形成电磁屏蔽层17,将半导体产品10除第一表面11外的所有表面均设置电磁屏蔽层17,能够提升最终半导体产品10的电磁屏蔽效果。
S150、分离半导体产品与黏胶层。
具体的,继续参考图3,黏胶层12只在制备电磁屏蔽层17时,起到固定和保护半导体产品10的作用,其并非半导体产品10的一部分,因此在形成电磁屏蔽层17后还需要将半导体产品10与黏胶层12分离。本发明实施例对分离半导体产品10与黏胶层12的具体方式不做限定。其中,在分离半导体产品10与黏胶层12时,黏胶层12与半导体产品10的结合力可小于黏胶层12与双面胶15的结合力,以在向半导体产品10提供相应的分离力时,该分离力达到黏胶层12与半导体产品10的结合力时,即可实现半导体产品10与黏胶层12的分离,而此时该分离力可小于黏胶层12与双面胶15的结合力,以使得黏胶层12附着在双面胶15上,保证半导体产品10与黏胶层12安全、顺利地分离,使得半导体产品10保持清洁。
本发明实施例中的技术方案,通过将设置于在半导体产品的第一表面形成至少环绕焊球阵列的黏胶层,且黏胶层的厚度大于或等于焊球阵列中焊球的高度,以在贴装过程中,使得黏胶层与半导体产品治具中产品承载区上表面的双面胶直接接触,而焊球阵列不会与半导体产品治具发生触碰,从而无需考虑半导体产品中的焊球设置位置,以及焊球与基板边缘的距离,降低了贴装过程的精度要求,以及降低半导体治具的精度要求,提高生产效率和生产良率,降低生产成本;同时,黏胶层还能够对焊球阵列起到较好的保护作用,保证后续沉积电磁屏蔽层时,屏蔽层材料不会溅到焊球阵列上,从而进一步提高半导体产品的生产良率。此外,在半导体产品上形成电磁屏蔽层后,分离半导体产品与电磁屏蔽层时,通过使黏胶层与半导体产品的结合力小于黏胶层与双面胶的结合力,能够使黏胶层顺利地从半导体产品上剥离,确保半导体产品的第一表面具有较高的清洁度。
在上述实施例的基础上,本发明实施例还提供了另一种半导体产品的电磁屏蔽层制备方法,图6为本发明实施例提供的另一种半导体产品的电磁屏蔽层制备方法的流程图,图7为本发明实施例提供的一种半导体产品的制备方法的示意图,参考图6和图7,该方法包括如下步骤:
S210、提供半导体产品母版。
其中,如图7所示,半导体产品母版101包括多个半导体产品区和围绕各半导体产品的切割区。可以理解的是,在制备半导体产品时,通常在较大的基板上依次制备各个膜层及器件结构,以形成半导体产品母版101,通过对半导体产品母版101切割后可以获得多个半导体产品10。
具体地,继续参考图7,半导体产品母版101包括多个半导体产品区,每个半导体产品区即为一个半导体产品结构,即导体产品母版101包括多个半导体产品10,焊球阵列13位于半导体产品区内,半导体产品区外不存在布线、焊球或电子元件等。本发明实施例中,对半导体产品母版101中多个半导体产品10进行区域划分,在各半导体产品区周围的区域即为切割区102,图7中以半导体产品区周围的虚线框代表切割区102。
S220、至少在切割区中形成黏胶层。
具体地,继续参考图7,在各半导体产品区周围的切割区102制备黏胶层12,该黏胶层12包覆各半导体产品区中的焊球阵列13,也可以有部分黏胶层12覆盖焊球阵列13的表面。需要注意的是,在制备黏胶层12时,黏胶层12应至少环绕各个半导体产品区中的焊球阵列13,并且黏胶层12的厚度大于或等于焊球阵列13中焊球的高度。
需要说明的是,本发明实施例中,可以只在切割区102制备黏胶层12,减少所使用的黏胶层材料,节约成本,同时尽量减少形成于半导体产品10上的黏胶层12,去除时相对容易;也可以在整个半导体产品母版101上制备黏胶层12,在整个半导体产品母版101上形成黏胶层12,能够使黏胶层12完全覆盖焊球阵列13,提升对焊球阵列13的保护效果。
可选的,对于黏胶层12的制备方法,本发明实施例不做限制,在一示例性的实施例中,至少在切割区102中形成黏胶层12,可以包括:对切割区102进行点胶并固化,以使黏胶层12至少形成于切割区102。点胶为本领域常用的技术手段,通过点胶形成黏胶层12,能够准确控制黏胶层12的覆盖范围。
S230、沿切割区的切割道切割半导体产品母版,以形成包括黏胶层的半导体产品。
具体地,继续参考图7,沿着切割区102的切割道切割半导体产品母版101,以分离各个半导体产品区,形成多个包括黏胶层12的半导体产品10。可采用任意一种现有技术切割半导体产品母版101,例如激光切割、刀具切割等,本实施例不限定具体方式。
S240、在半导体产品治具的产品承载区贴附双面胶。
S250、将半导体产品贴装于产品承载区,以使黏胶层与双面胶贴合。
S260、至少在半导体产品的第二表面形成电磁屏蔽层。
S270、分离半导体产品与黏胶层。
上述步骤的具体实施方式均与上述实施例中相同,此处不再赘述。
本发明实施例中的技术方案,直接在半导体产品母版上形成黏胶层,能够一次性在多个半导体产品的第一表面形成黏胶层,从而简化电磁波屏蔽层的工艺制程,提升制备效率。
可选的,在一实施例中,黏胶层可包括热解胶;分离半导体产品与黏胶层,包括:将固定于产品承载区的半导体产品加热至第一预设温度;该第一预设温度大于等于所述热解胶的热解温度;将热解胶从半导体产品的第一表面剥离。
具体地,热解胶的热解温度为热解胶的粘性大幅下降或丧失的温度,即在将热解胶加热至其热解温度及以上时,热解胶的粘性将不足以粘附半导体产品;而在热解胶的温度未达到其热解温度时,热解胶会保持为稳定的粘性,以牢固附着在半导体产品上,以使半导体产品通过热解胶与双面胶贴装,同时保护半导体产品中的焊球阵列。本发明实施例中,制备电磁屏蔽层后,可直接通过加热的方式,使半导体产品上的热解胶的粘性丧失,并在热解胶的粘性丧失后,使用较小的外力即可将半导体产品与热解胶分离,即剥离半导体产品的第一表面上的热解胶。此时,由于双面胶具有一定的粘性,在分离半导体产品和热解胶后,该丧失粘性的热解胶能够粘附在双面胶上,而不会残留在半导体产品上,使得剥离半导体产品的第一表面上的热解胶后,半导体产品的第一表面能够保持较高的清洁度。
可选的,双面胶的热稳定温度范围的上限温度大于第一预设温度。其中,双面胶的热稳定温度范围为使双面胶保持较高粘性的温度范围,在该温度范围内,双面胶具有较高的粘性,使得双面胶能够牢固地贴合于其它物品上。
如此,在将半导体产品加热至第一预设温度时,热解胶的粘性丧失,但此时双面胶仍能够具有较强的粘性,使得双面胶的一面与半导体治具贴合另一面与热解胶贴合,以在半导体产品与热解胶分离后,热解胶可附着于双面胶上。本发明实施例对双面胶的种类不做具体限定,在一优选实施例中,双面胶可以包括泡棉双面胶。
示例性的,图8为本发明实施例提供的一种热解胶粘性与温度的关系曲线图,如图8所示,在140℃以下,热解胶均能保持较强的粘性,当温度继续升高至160℃,热解胶粘性呈线性迅速下降,温度高于160℃时,热解胶粘性丧失。因此,可结合热解胶的粘性与温度的关系设置加热温度,以将电磁屏蔽层制备完成的半导体产品从产品承载区取下,此加热温度定义为第一预设温度,根据上述内容,第一预设温度大于或等于160℃,在能够使热解胶粘性丧失,以及不会对半导体产品造成影响的前提下,本发明实施例第一预设温度不做具体限定。
示例性的,图9为本发明实施例提供的一种泡棉双面胶粘性与温度的关系曲线图,从图9中可以看出,温度对泡棉双面胶的粘性影响很小,当半导体产品的电磁屏蔽层制备完成后,对固定于产品承载区的半导体产品进行加热以去除热解胶时,当温度升高至热解胶会丧失粘性的温度,例如160℃时,泡棉双面胶的粘性几乎不变,仍然维持较高的粘性,此时半导体产品能够轻易取出,并且热解胶仍粘附在泡棉双面胶上。
可选的,在一实施例中,产品承载区可以包括通孔;此时,在半导体产品治具的产品承载区贴附双面胶,包括:在半导体产品治具的承载面上贴附双面胶,双面胶形成有与通孔对应的避空口,避空口的尺寸不大于通孔的尺寸;承载面包括阵列排布的多个产品承载区。
如此,通过在半导体产品治具的承载面上贴附具有避空口的双面胶,使得该避空口能够露出部分半导体产品治具的通孔,以便于制备过程中取放、以及分离等过程的进行。同时,由于避空口的尺寸不大于通孔的尺寸,且半导体产品上的黏胶层直接贴装于双面胶上,而不会与半导体产品治具接触,使得半导体产品上的黏胶层与双面胶之间具有较大的接触面积,有利于贴装后的稳定性。此外,在半导体产品治具的承载面上贴附双面胶时,直接形成相应的避空口,以在双面胶贴附完成后无需再次通过激光切割等步骤对双面胶进行切割,从而能够简化工艺过程,提高生产效率,降低加工成本。其中,双面胶的避空口可以在其与半导体产品治具的承载面贴附前形成,此时可以同时对多层双面胶进行模切开口以形成避空口,使得形成避空口的方式简单,具有较高的制备效率。
在一可选的实施例中,由于双面胶包括避空口,该避空口会露出至少部分通孔;此时,分离半导体产品与黏胶层,可以包括:抓取半导体产品的第二表面,以使半导体产品的第一表面与热解后的黏胶层热解胶剥离;和/或,穿过通孔从半导体产品的第一表面顶出半导体产品,以使半导体产品的第一表面与热解后的黏胶层剥离。
具体地,通过在产品承载区设置通孔以及双面胶贴附时形成避空口,使得半导体产品治具上的产品承载区相应的位置上下贯通,此时,产品承载区上表面贴附的双面胶的避空口露出至少部分通孔,也即双面胶的避空口与通孔至少存在连通的部分。设置通孔的好处在于,在黏胶层热解后,能够灵活的实现半导体产品的第一表面与黏胶层的分离。在一示例性实施例中,避空口的尺寸可以为9mm*9mm,双面胶的厚度可以为1mm,而通孔的尺寸可以为9.5mm*9.5mm,通孔的深度可以为20mm,使得双面胶的避空口的尺寸不大于通孔的尺寸。
示例性的,图10为本发明实施例提供的一种剥离黏胶层的方法的示意图,参考图10,可抓取半导体产品10的第二表面16的一侧,以使半导体产品10的第一表面11与热解后黏胶层12剥离;图11为本发明实施例提供的另一种剥离黏胶层的方法的示意图,参考图11,也可穿过半导体产品治具上产品承载区141的通孔142从半导体产品10的第一表面11侧顶出半导体产品10,以使半导体产品10的第一表面11与热解后黏胶层12剥离。
需要说明的是,在分离半导体产品与黏胶层时,可根据剥离过程中的半导体产品与黏胶层的连接情况选用上述剥离方法中的一种或两种。同时,图10和图11均为本发明实施例示例性的附图,在本发明实施例中,半导体产品与黏胶层的剥离方式不限于此,在不破坏半导体产品的第一表面的情况下,可灵活的去除其第一表面上的黏胶层。
可选的,在一实施例中,至少在半导体产品的第二表面形成电磁屏蔽层,包括:通过磁控溅射法,至少在半导体产品的第二表面形成电磁屏蔽附着层;以及,通过磁控溅射法,在电磁屏蔽附着层上形成电磁屏蔽层。
具体地,本实施例中,可通过磁控溅射的方法制备电磁屏蔽层,采用磁控溅射法制备电磁屏蔽层,可以精确控制电磁屏蔽层的厚度,从而制备较薄的电磁屏蔽层,对半导体产品的后续加工和使用不会造成影响。
另外,需要注意的是,通过磁控溅射法制备电磁屏蔽层时,磁控溅射时的温度应该低于热解胶粘性为零时对应的温度,根据上述实施例中的内容,应控制磁控溅射的温度小于第一预设温度,例如磁控溅射的温度可以为120℃。
另外,本发明实施例中,可采用磁控溅射法先在样品的第二表面上制备电磁屏蔽附着层,然后在电磁屏蔽附着层上形成电磁屏蔽层。电磁屏蔽附着层可选用易于附着在半导体产品表面的材料,使电磁屏蔽层通过电磁屏蔽附着层牢固附着在半导体产品的表面。上述电磁屏蔽附着层和电磁屏蔽层的具体厚度均可根据实际需求进行选择,本发明实施例对此不做限定。
基于同一构思,本发明实施例还提供了一种半导体产品,该产品包括:相对的第一表面和第二表面;第一表面上设置有焊球阵列;第二表面上设置有电磁屏蔽层;电磁屏蔽层采用本发明任意实施例提供的半导体产品的电磁屏蔽层制备方法形成。
本发明实施例提供的半导体产品,具备本发明任意实施例中的半导体产品的电磁屏蔽层制备方法的全部技术特征及相应有益效果,此处不再赘述。
注意,上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解,本发明不限于这里的特定实施例,对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整、相互结合和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此,虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明,但是本发明不仅仅限于以上实施例,在不脱离本发明构思的情况下,还可以包括更多其他等效实施例,而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
Claims (10)
1.一种半导体产品的电磁屏蔽层制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
在半导体产品的第一表面形成黏胶层;所述半导体产品的第一表面设置有焊球阵列;所述黏胶层环绕所述焊球阵列并包覆所述焊球阵列四周,贴装过程中无需考虑所述半导体产品中的焊球设置位置,且所述黏胶层的厚度大于或等于所述焊球阵列中焊球的高度;
在半导体产品治具的产品承载区贴附双面胶;所述半导体产品治具包括阵列排布的多个所述产品承载区;所述产品承载区贴附有双面胶;
将所述半导体产品贴装于所述产品承载区,以使所述黏胶层与所述双面胶贴合;
至少在所述半导体产品的第二表面形成电磁屏蔽层;所述第二表面与所述第一表面相对;
分离所述半导体产品与所述黏胶层;其中,在分离所述半导体产品与所述黏胶层时,所述黏胶层与所述半导体产品的结合力小于所述黏胶层与所述双面胶的结合力。
2.根据权利要求1所述的半导体产品的电磁屏蔽层制备方法,其特征在于,在半导体产品的第一表面形成黏胶层,包括:
提供半导体产品母版;所述半导体产品母版包括多个半导体产品区和围绕各所述半导体产品的切割区;
至少在所述切割区中形成黏胶层;
沿所述切割区的切割道切割所述半导体产品母版,以形成包括所述黏胶层的所述半导体产品。
3.根据权利要求2所述的半导体产品的电磁屏蔽层制备方法,其特征在于,至少在所述切割区中形成黏胶层,包括:
对所述切割区进行点胶并固化,以使所述黏胶层至少形成于所述切割区。
4.根据权利要求1所述的半导体产品的电磁屏蔽层制备方法,其特征在于,所述黏胶层包括热解胶;
分离所述半导体产品与所述黏胶层,包括:
将固定于所述产品承载区的所述半导体产品加热至第一预设温度;所述第一预设温度大于等于所述热解胶的热解温度;
将所述热解胶从所述半导体产品的第一表面剥离。
5.根据权利要求4所述的半导体产品的电磁屏蔽层制备方法,其特征在于,所述双面胶的热稳定温度范围的上限温度大于所述第一预设温度。
6.根据权利要求1所述的半导体产品的电磁屏蔽层制备方法,其特征在于,所述产品承载区包括通孔;
在半导体产品治具的产品承载区贴附双面胶,包括
在所述半导体产品治具的承载面上贴附双面胶,所述双面胶形成有与所述通孔对应的避空口,所述避空口的尺寸不大于所述通孔的尺寸;所述承载面包括阵列排布的多个所述产品承载区。
7.根据权利要求6所述的半导体产品的电磁屏蔽层制备方法,其特征在于, 分离所述半导体产品与所述黏胶层,包括:
抓取所述半导体产品的第二表面,以使所述半导体产品的第一表面与热解后的所述黏胶层剥离;和/或,
穿过所述通孔从半导体产品的第一表面顶出所述半导体产品,以使所述半导体产品的第一表面与热解后的所述黏胶层剥离。
8.根据权利要求1所述的半导体产品的电磁屏蔽层制备方法,其特征在于,所述双面胶包括泡棉双面胶。
9.根据权利要求1所述的半导体产品的电磁屏蔽层制备方法,其特征在于,至少在所述半导体产品的第二表面形成电磁屏蔽层,包括:
通过磁控溅射法,至少在所述半导体产品的第二表面形成电磁屏蔽附着层;
以及,通过磁控溅射法,在所述电磁屏蔽附着层上形成电磁屏蔽层。
10.一种半导体产品,其特征在于,包括:相对的第一表面和第二表面;所述第一表面上设置有焊球阵列;所述第二表面上设置有电磁屏蔽层;
所述电磁屏蔽层采用权利要求1-9任一项所述的半导体产品的电磁屏蔽层制备方法形成。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202111640076.7A CN114293164B (zh) | 2021-12-29 | 2021-12-29 | 一种半导体产品的电磁屏蔽层制备方法及半导体产品 |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114293164A CN114293164A (zh) | 2022-04-08 |
CN114293164B true CN114293164B (zh) | 2024-04-12 |
Family
ID=80972542
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN114293164B (zh) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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