TWI596725B - 封裝基板、封裝結構及其製作方法 - Google Patents

Description

封裝基板、封裝結構及其製作方法

本發明涉及電路板製作技術領域，尤其涉及一種封裝基板、包括該封裝基板的封裝結構、封裝基板的製作方法及包括該封裝基板的封裝結構的製作方法。

隨著電子產品的日益輕薄化，晶片的封裝基板也逐漸朝著輕薄的方向發展。然而，由於封裝基板的輕薄化，使得封裝基板在製作過程中容易出現折傷、彎曲等異常現象，在後續封裝制程中也有相應的問題產生，造成最終封裝產品的良率嚴重不足。

有鑑於此，有必要提供一種克服上述問題的封裝基板、封裝結構、封裝基板製作方法及封裝結構製作方法。

一種封裝基板，包括介電層、第一導電線路層、第一電性連接墊、第二導電線路層、承載板及防焊層。該介電層內形成有同軸設置且相互連通的第一及第二導電孔。該第一及第二導電線路層分別位於該介電層的相背兩側，並藉由該第一及第二導電孔電性連接。該第一電性連接墊凸設在該第一導電線路層上，並與該第一導電孔對應。該承載板覆蓋該第一電性連接墊、該第一導電線路層及從該第一導電線路層露出的部分介電層。該防焊層形成在該第二導電線路層上。該防焊層開設有複數開口。部分該第二導電線路層從該開口露出，形成第二電性連接墊。

一種封裝結構包括封裝基板、晶片及底膠。該封裝基板包括介電層、第一導電線路層、第一電性連接墊、第二導電線路層、承載板及防焊層。該介電層內形成有同軸設置且相互連通的第一及第二導電孔。該第一及第二導電線路層分別位於該介電層的相背兩側，並藉由該第一及第二導電孔電性連接。該第一電性連接墊凸設在該第一導電線路層上，並與該第一導電孔對應。該承載板覆蓋該第一電性連接墊、該第一導電線路層及從該第一導電線路層露出的部分介電層。該防焊層形成在該第二導電線路層上。該防焊層開設有複數開口。部分該第二導電線路層從該開口露出，形成第二電性連接墊。該晶片安裝在該封裝基板上。該晶片包括複數電極墊。該電極墊與該第二電性連接墊一一對應電性連接。該底膠填充在該晶片與該封裝基板之間。

一種封裝基板製作方法，包括步驟：提供基板，該基板包括介電層及可移除的支撐板，該介電層包括相背的第一及第二表面，該支撐板與該第二表面接觸；自該第一表面向該介電層內開設第一盲孔；將該第一盲孔製作形成第一導電孔，並在該第一表面形成第一導電線路層；在該第一導電線路層對應該第一導電孔的位置形成第一電性連接墊；在該第一導電線路層及該第一電性連接墊上壓合承載板；移除支撐板，以露出該第二表面；自該第二表面向該介電層內開設第二盲孔，該第二盲孔與該第一盲孔共軸且相互連通；將該第二盲孔製作形成第二導電孔及在該第二表面形成第二導電線路層，該第二導電線路層藉由該第二導電孔及第一導電孔與該第一導電線路層電性連接；及在該第二導電線路層上形成開設有開口的防焊層，部分該第二導電線路層從該開口露出形成第二電性連接墊。

一種封裝結構製作方法包括：包括步驟：提供基板，該基板包括介電層及可移除的支撐板，該介電層包括相背的第一及第二表面，該支撐板與該第二表面接觸；自該第一表面向該介電層內開設第一盲孔；將該第一盲孔製作形成第一導電孔，並在該第一表面形成第一導電線路層；在該第一導電線路層對應該第一導電孔的位置形成第一電性連接墊；在該第一導電線路層及該第一電性連接墊上壓合承載板；移除支撐板，以露出該第二表面；自該第二表面向該介電層內開設第二盲孔，該第二盲孔與該第一盲孔共軸且相互連通；將該第二盲孔製作形成第二導電孔及在該第二表面形成第二導電線路層，該第二導電線路層藉由該第二導電孔及第一導電孔與該第一導電線路層電性連接；在該第二導電線路層上形成開設有開口的防焊層，部分該第二導電線路層從該開口露出形成第二電性連接墊，得到封裝基板；及在該封裝基板上安裝晶片，該晶片包括複數電極墊，該電極墊與該第二電性連接墊一一對應電性連接。

與先前技術相比，本發明提供的封裝基板及封裝結構，由於包括承載板，該承載板可為該封裝基板及封狀結構提供支撐，因此，不會出現折傷或彎曲等異常現象；本發明提供的封裝基板製作方法及封裝結構製作方法，在製作過程中，藉由該支撐板及承載板分別在制程的不同階段提供支撐，因此，也不會出現折傷或彎曲等異常現象。

圖1係本發明實施例提供的支撐板的剖面示意圖。

圖2係在圖1的支撐板的第一剝離層上壓合一層介電層後的剖面示意圖。

圖3係在圖2的介電層中開設第一盲孔後的剖面示意圖。

圖4係在圖3的支撐板的第二剝離層上形成第一電鍍阻擋層後的剖面示意圖。

圖5係在圖4的介電層的第一表面、第一盲孔的孔壁及自第一盲孔露出的第一剝離層表面形成第一電鍍種子層後的剖面示意圖。

圖6係在圖5的第一電鍍種子層上形成第二電鍍阻擋層後的剖面示意圖。

圖7係在從圖6的第二電鍍阻擋層露出的第一電鍍種子層上形成第一電鍍層後的剖面示意圖。

圖8係在圖7的第二電鍍阻擋層上形成第三電鍍阻擋層後的剖面示意圖。

圖9係在從圖8的第三電鍍阻擋層的開口露出的第一電鍍層上形成第一電性連接墊後的剖面示意圖。

圖10係移除圖9中的第二及第三電鍍阻擋層，露出被該第二電鍍阻擋層遮蔽的第一電鍍種子層後的剖面示意圖。

圖11係移除圖10中露出的第一電鍍種子層，形成第一導電線路層後的剖面示意圖。

圖12係在圖11的第一導電線路層上壓合承載板後的剖面示意圖。

圖13係移除圖12中的第一電鍍阻擋層，並將該支撐板自該第二剝離層剝離後的剖面示意圖。

圖14係快速蝕刻移除圖13的第二剝離層，露出第二表面及形成第二盲孔後的剖面示意圖。

圖15係在圖14的介電層的第二表面、第二盲孔的孔壁及從第二盲孔露出的第一電鍍層上形成第二電鍍種子層後的剖面示意圖。

圖16係在圖15的第二電鍍種子層上形成圖案化的第四電鍍阻擋層後的剖面示意圖。

圖17係在從圖16的第四電鍍阻擋層露出的第二電鍍種子層上形成第二電鍍層後的剖面示意圖。

圖18係移除圖17的第四電鍍阻擋層露出被第四電鍍阻擋層遮蔽的第二電鍍種子層並移除，形成第二導電線路層後的剖面示意圖。

圖19係在圖18的第二導電線路層上形成防焊層後的剖面示意圖。

圖20係在圖19的第二電性連接墊上形成焊球後的剖面示意圖。

圖21係在圖20的封裝基板上安裝晶片後的剖面示意圖。

圖22係在圖21的晶片與封裝基板之間填充底膠後的剖面示意圖。

圖23係對圖22的承載板進行研磨，露出第一電性連接墊後的剖面示意圖。

下面結合具體實施方式對本發明提供的封裝基板、封裝結構、封裝基板的製作方法及封裝結構的製作方法進行詳細說明。

本發明提供的封裝結構100的製作方法包括如下步驟：

第一步，請參閱圖1，提供一個支撐板11。

該支撐板11包括第一絕緣層111、第一銅箔層112、第二銅箔層113、第一剝離層114及第二剝離層115。該第一銅箔層112及第二銅箔層113分別位於該第一絕緣層111的相背兩側。該第一剝離層114位於該第一銅箔層112背離該第一絕緣層111的一側。該第一剝離層114可從該第一銅箔層112剝離。該第二剝離層115位於該第二銅箔層113背離該第一絕緣層111的一側。該第二剝離層115可從該第二銅箔層113剝離。該第一剝離層114及第二剝離層115可為銅層、鋁層等導電金屬層。本實施方式中，該第一剝離層114及該第二剝離層115均為銅層。該支撐板11主要用於為後續制程提供支撐作用。該第一銅箔層112及第二銅箔層113各自的厚度範圍均為18微米。該第一剝離層114及該第二剝離層115各自的厚度範圍均為3微米。該第一絕緣層111的厚度範圍為100~200微米。

第二步，請參閱圖2，在該支撐板11上壓接一層介電層12，得到一個基板。

該介電層12包括相背的第一表面121及第二表面122。本實施方式中，該介電層12壓接在該第一剝離層114遠離該第一絕緣層111的表面上。該第二表面122與該第一剝離層114接觸。本實施方式中，該介電層12為ABF（Ajinomoto Bond Film）材料，以利於在其上形成細線路。該介電層12的厚度範圍為15~30微米。

其他實施方式中，可直接提供一個包括所述介電層12及可移除的所述支撐板11的基板。

第三步，請參閱圖3，在該介電層12開設第一盲孔123。

本實施方式中，該第一盲孔123自該第一表面121向該介電層12內開設。該第一盲孔123貫穿該介電層12。部分該第一剝離層114自該第一盲孔123露出。該第一盲孔123的孔徑範圍為50~70微米。該第一盲孔123可藉由雷射燒蝕或機械鑽孔等方式開設。本實施方式中，該第一盲孔123藉由雷射燒蝕形成。

第四步，請參閱圖4，在該第二剝離層115表面形成第一電鍍阻擋層131。

該第一電鍍阻擋層131完全覆蓋該第二剝離層115。該第一電鍍阻擋層131可由乾膜藉由曝光工藝形成。

可以理解的是，其他實施方式中，也可不在該第二剝離層115表面形成第一電鍍阻擋層131。

第五步，請參閱圖5，在該第一表面121、該第一盲孔123的孔壁及自該第一盲孔123露出的第一剝離層114表面形成第一電鍍種子層141。

該第一電鍍種子層141的厚度約為0.5微米。該第一電鍍種子層141可藉由電鍍或化學沉積的方式形成。

第六步，請參閱圖6，在該第一電鍍種子層141上形成圖案化的第二電鍍阻擋層132。

部分該第一電鍍種子層141從該第二電鍍阻擋層132露出。部分從該第二電鍍阻擋層132露出的第一電鍍種子層141包括與該第一盲孔123對應的部分。該第二電鍍阻擋層132的厚度約為25微米。該第二電鍍阻擋層132可由乾膜藉由曝光、顯影的方式形成。

第七步，請參閱圖7，在從該第二電鍍阻擋層132露出的第一電鍍種子層141上形成第一電鍍層151。

該第一電鍍層151填滿該第一盲孔123從而形成第一導電孔124。該第一電鍍層151還凸出該介電層12。該第一電鍍層151凸出該介電層12的厚度約為15微米。

第八步，請參閱圖8，在該第二電鍍阻擋層132上形成第三電鍍阻擋層133。

該第三電鍍阻擋層133覆蓋該第一電鍍層151及該第二電鍍阻擋層132。該第三電鍍阻擋層133開設有複數開口1331。部分該第一電鍍層151從該開口1331露出。本實施方式中，該開口1331與該第一導電孔124對應。該開口1331的直徑大於該第一導電孔124的孔徑。該第三電鍍阻擋層133的形成方式與該第二電鍍阻擋層132的形成方式相同。

第九步，請參閱圖9，在從該開口1331露出的第一電鍍層151形成第一電性連接墊1611。

本實施方式中，該第一電性連接墊1611的厚度約為30微米。該第一電性連接墊1611可藉由電鍍方式形成。

第十步，請參閱圖10，移除該第二電鍍阻擋層132及第三電鍍阻擋層133，露出被該第二電鍍阻擋層132遮蔽的第一電鍍種子層141。

本實施方式中，該第二電鍍阻擋層132及第三電鍍阻擋層133藉由化學處理的方式移除。

第十一步，請參閱圖11，移除露出的該第一電鍍種子層141，以形成第一導電線路層161。

部分該介電層12從該第一導電線路層161露出。露出的該第一電鍍種子層141可藉由快速蝕刻移除。

第十二步，請參閱圖12，在該第一導電線路層161上壓合承載板17。

該承載板17覆蓋該第一導電線路層161及從該第一導電線路層161露出的介電層12。該承載板17包括承載層171及第三銅箔層172。該承載層171較該第三銅箔層172靠近該第一導電線路層161。本實施方式中，該承載層171的厚度範圍為100~150微米。該第三銅箔層172的厚度約為18微米。

可以理解的是，其他實施方式中，在該第一導電線路層161上壓合承載板17之前，可對該第一導電線路層161及從該第一導電線路層161露出的介電層12進行表面粗化處理，以增加該承載板17與該第一導電線路層161及從該第一導電線路層161露出的介電層12之間的結合強度。

第十三步，請參閱圖13，移除該第一電鍍阻擋層131，並將該支撐板11的第二銅箔層113與該第二剝離層115剝離，以露出該第二剝離層115。

第十四步，請參閱圖14，快速蝕刻移除該第二剝離層115，以露出該第二表面122及形成第二盲孔125。

該第二盲孔125與該第一盲孔123同軸設置。該第二盲孔125的孔徑小於該第一盲孔123的孔徑。本實施方式中，該第二盲孔125的孔徑約為50微米。該第一盲孔123中的第一電鍍層151自該第二盲孔125露出。

第十五步，請參閱圖15，在該第二表面122、該第二盲孔125的孔壁及從該第二盲孔125露出的第一電鍍層151上形成第二電鍍種子層142。

該第二電鍍種子層142的形成方式與該第一電鍍種子層141的形成方式相同。

第十六步，請參閱圖16，在該第二電鍍種子層142上形成圖案化的第四電鍍阻擋層134。

部分該第二電鍍種子層142從該第四電鍍阻擋層134露出。部分從該第四電鍍阻擋層134露出的第二電鍍種子層142包括與該第二盲孔125對應的部分。該第四電鍍阻擋層134的形成方式與該第二電鍍阻擋層132的形成方式相同。

第十七步，請參閱圖17，在從該第四電鍍阻擋層134露出的第二電鍍種子層142上形成第二電鍍層152。

該第二電鍍層152填滿該第二盲孔125從而形成第二導電孔126。該第二電鍍層152還凸出於該第二表面122。

第十八步，請參閱圖18，移除該第四電鍍阻擋層134，露出被該第四電鍍阻擋層134遮蔽的第二電鍍種子層142並移除該暴露的第二電鍍種子層142，以形成第二導電線路層162。

本實施方式中，該第四電鍍阻擋層134藉由化學處理的方式移除。該第二電鍍種子層142被該第四電鍍阻擋層134遮蔽部分可藉由快速蝕刻移除。該第二導電線路層162的導線的線寬及導線之間的間距均小於15微米。

第十九步，請參閱圖19，在該第二導電線路層162上形成防焊層18，以得到封裝基板10。

本實施方式中，該防焊層18的厚度範圍為15~20微米。該防焊層18開設有開口181。部分該第二導電線路層162從該開口181露出，形成第二電性連接墊1621。

可以理解的是，請參閱圖20，該封裝基板10的製作方法還包括在該第二電性連接墊1621上形成焊球19。當然，在該第二電性連接墊1621上形成焊球19前，該封裝基板10的製作方法還可包括在該第二電性連接墊1621表面形成鎳金層或鍍錫層等金屬保護層。

第二十步，請參閱圖21，在該封裝基板10上安裝晶片20。

該晶片20可為邏輯晶片或功能晶片。該晶片20包括複數電極墊21。該電極墊21與該第二電性連接墊1621一一對應，並藉由焊球19電性連接。

第二十一步，請參閱圖22，在該晶片20與與該封裝基板10之間填充底膠30，得到封裝結構100。

該底膠30填充在該焊球19之間，並填滿該晶片20底面與該封裝基板10之間的空隙。

可以理解的是，請參閱圖23，該封裝結構的製作方法還包括研磨移除部分厚度該承載板17，以露出該第一電性連接墊1611。剩餘的該承載板17可作為防焊層對該第二導電線路層162進行保護。當然，該封裝結構的製作方法還包括在該第一電性連接墊1611上形成焊球40。

請再次參閱圖22，本發明還提供一種可藉由上述方法獲得的封裝結構100，包括封裝基板10、晶片20及底膠30。

該封裝基板10包括介電層12、第一導電線路層161、第一電性連接墊1611、第二導電線路層162、承載板17、防焊層18及焊球19。

該介電層12包括相背的第一表面121及第二表面122。本實施方式中，該介電層12為ABF（Ajinomoto Bond Film）材料。該介電層12的厚度範圍為15~30微米。該介電層12形成有同軸設置且相互電連接的第一導電孔124及第二導電孔126。該第一導電孔124自該第一表面121向該介電層12內部延伸。該第一導電孔124的孔徑範圍為50~70微米。該第二導電孔126自該第二表面122向該介電層12內部延伸。該第二導電孔126的孔徑小於該第一導電孔124的孔徑。

該第一導電線路層161位於該第一表面121上。該第一導電線路層161與該第一導電孔124電性連接。

該第一電性連接墊1611凸設在該第一導電線路層161上。該第一電性連接墊1611與該第一導電孔124一一對應。

該承載板17形成在該第一導電線路層161及該第一電性連接墊1611上。該承載板17的厚度範圍為170~220微米。本實施方式中，該承載板17包覆該第一電性連接墊1611、該第一導電線路層161及從該第一導電線路層161露出的介電層12。該承載板17包括承載層171及銅箔層172。該承載層171較該銅箔層172靠近該第一導電線路層161。該承載層171的厚度範圍為100~150微米。

該第二導電線路層162形成在該第二表面122上。該第二導電線路層162的導線的線寬及導線之間的間距均小於15微米。該第二導電線路層162與該第二導電孔126電性連接，並藉由該第二導電孔126、第一導電孔124與該第一導電線路層161電性連接。

該防焊層18形成在該第二導電線路層162上。

本實施方式中，該防焊層18的厚度範圍為15~20微米。該防焊層18開設有開口181。部分該第二導電線路層162從該開口181露出，形成第二電性連接墊1621。

該焊球19形成在該第二電性連接墊1621上。

可以理解的是，其他實施方式中，該封裝基板10還包括金屬保護層。該金屬保護層形成在該第二電性連接墊1621與該焊球19之間。該金屬保護層可為鎳金層或鍍錫層等。

該晶片20安裝在該封裝基板10上。

該晶片20可為邏輯晶片或功能晶片。該晶片20包括複數電極墊21。該電極墊21與該第二電性連接墊1621一一對應，並藉由焊球19電性連接。

該底膠30填充在該焊球19之間，並填滿該晶片20底面與該封裝基板10之間的空隙。

本發明提供的封裝基板及封裝結構，由於包括承載板，該承載板可為該封裝基板及封狀結構提供支撐，因此，不會出現折傷或彎曲等異常現象；本發明提供的封裝基板製作方法及封裝結構製作方法，在製作過程中，藉由該支撐板及承載板分別在制程的不同階段提供支撐，因此，也不會出現折傷或彎曲等異常現象。

綜上所述，本發明確已符合發明專利之要件，遂依法提出專利申請。惟，以上所述者僅為本發明之較佳實施方式及所列之數據為作試驗及參考之所用，自不能以此限制本案之申請專利範圍。舉凡熟悉本案技藝之人士援依本發明之精神所作之等效修飾或變化，皆應涵蓋於以下申請專利範圍內。

100‧‧‧封裝結構

11‧‧‧支撐板

112‧‧‧第一銅箔層

111‧‧‧第一絕緣層

113‧‧‧第二銅箔層

114‧‧‧第一剝離層

115‧‧‧第二剝離層

12‧‧‧介電層

121‧‧‧第一表面

122‧‧‧第二表面

123‧‧‧第一盲孔

131‧‧‧第一電鍍阻擋層

141‧‧‧第一電鍍種子層

132‧‧‧第二電鍍阻擋層

151‧‧‧第一電鍍層

133‧‧‧第三電鍍阻擋層

1331、181‧‧‧開口

124‧‧‧第一導電孔

1611‧‧‧第一電性連接墊

161‧‧‧第一導電線路層

17‧‧‧承載板

171‧‧‧承載層

172‧‧‧第三銅箔層

125‧‧‧第二盲孔

142‧‧‧第二電鍍種子層

134‧‧‧第四電鍍阻擋層

152‧‧‧第二電鍍層

126‧‧‧第二導電孔

162‧‧‧第二導電線路層

18‧‧‧防焊層

1621‧‧‧第二電性連接墊

19、40‧‧‧焊球

20‧‧‧晶片

21‧‧‧電極墊

30‧‧‧底膠

無

100‧‧‧封裝結構

10‧‧‧封裝基板

12‧‧‧介電層

121‧‧‧第一表面

122‧‧‧第二表面

123‧‧‧第一盲孔

141‧‧‧第一電鍍種子層

151‧‧‧第一電鍍層

181‧‧‧開口

124‧‧‧第一導電孔

1611‧‧‧第一電性連接墊

161‧‧‧第一導電線路層

17‧‧‧承載板

171‧‧‧承載層

172‧‧‧第三銅箔層

125‧‧‧第二盲孔

142‧‧‧第二電鍍種子層

152‧‧‧第二電鍍層

126‧‧‧第二導電孔

162‧‧‧第二導電線路層

18‧‧‧防焊層

1621‧‧‧第二電性連接墊

19‧‧‧焊球

20‧‧‧晶片

21‧‧‧電極墊

30‧‧‧底膠

Claims (10)

1. 一種封裝基板製作方法，包括步驟：
   提供基板，該基板包括介電層及可移除的支撐板，該介電層包括相背的第一及第二表面，該支撐板與該第二表面接觸；
   自該第一表面向該介電層內開設第一盲孔；
   將該第一盲孔製作形成第一導電孔，並在該第一表面形成第一導電線路層；
   在該第一導電線路層對應該第一導電孔的位置形成第一電性連接墊；
   在該第一導電線路層及該第一電性連接墊上壓合承載板；
   移除支撐板，以露出該第二表面；
   自該第二表面向該介電層內開設第二盲孔，該第二盲孔與該第一盲孔共軸且相互連通；
   將該第二盲孔製作形成第二導電孔及在該第二表面形成第二導電線路層，該第二導電線路層藉由該第二導電孔及第一導電孔與該第一導電線路層電性連接；及
   在該第二導電線路層上形成開設有開口的防焊層，部分該第二導電線路層從該開口露出形成第二電性連接墊。
2. 如請求項1所述的封裝基板製作方法，其中，將該第一盲孔製作形成第一導電孔，並在該第一表面形成第一導電線路層，及在該第一導電線路層對應該第一導電孔的位置形成第一電性連接墊，包括步驟：
   在該第一表面及該第一盲孔表面形成第一電鍍種子層；
   在該第一電鍍種子層上形成圖案化的第二電鍍阻擋層，部分第一電鍍種子層從該電鍍阻擋層露出；
   在露出的該第一電鍍種子層上形成第一電鍍層，該第一電鍍層填滿該第一盲孔形成第一導電孔，該第一電鍍層還凸出於該介電層；
   在該第二電鍍阻擋層形成開設有開口的第三電鍍阻擋層，該第一導電孔從該開口露出；
   在該第一導電孔上形成第一電性連接墊；
   移除第二及第三電鍍阻擋層，露出被該第二電鍍阻擋層遮蔽的第一電鍍種子層並移除曝露的第一電鍍種子層，以形成第一導電線路層。
3. 如請求項1所述的封裝基板製作方法，其中，該支撐板還包括可剝離且為導電金屬的剝離層，該剝離層與該介電層接觸，移除支撐板，以露出該第二表面，包括步驟：
   將該支撐板自該剝離層剝離，露出該剝離層；
   快速蝕刻移除該剝離層，以露出該第二表面。
4. 如請求項1所述的封裝基板製作方法，其中，該封裝基板製作方法還包括在該第二電性連接墊上形成焊球。
5. 一種封裝結構製作方法，包括如請求項1-4中任一項所述的封裝基板製作方法，其中，該封狀結構製作方法還包括在該封裝基板上安裝晶片，該晶片包括複數電極墊，該電極墊與該第二電性連接墊一一對應電性連接。
6. 如請求項5所述的封裝結構製作方法，其中，還包括在該晶片及該封裝基板之間填入底膠。
7. 如請求項5所述的封狀結構製作方法，其中，還包括對該承載板進行研磨，以露出該第一電性連接墊，從而使研磨後的承載板與該第一電性連接墊共平面。
8. 一種封裝基板，包括介電層、第一導電線路層、第一電性連接墊、第二導電線路層、承載板及防焊層，該介電層內形成有同軸設置且相互連通的第一及第二導電孔，該第一及第二導電線路層分別位於該介電層的相背兩側，並藉由該第一及第二導電孔電性連接，該第一電性連接墊凸設在該第一導電線路層上，並與該第一導電孔對應，該承載板覆蓋該第一電性連接墊、該第一導電線路層及從該第一導電線路層露出的部分介電層，該防焊層形成在該第二導電線路層上，該防焊層開設有複數開口，部分該第二導電線路層從該開口露出，形成第二電性連接墊。
9. 如請求項8所述的封裝基板，其中，該封裝基板還包括金屬保護層，該金屬保護層形成在該第二電性連接墊上。
10. 一種封裝結構，包括如請求項8-9所述的封裝基板，其中，還包括晶片及底膠，該晶片安裝在該封裝基板上，該晶片包括複數電極墊，該電極墊與該第二電性連接墊一一對應電性連接，該底膠填充在該晶片與該封裝基板之間。