CN114096782A - 钎焊用波长转换构件、波长转换装置和光源装置 - Google Patents

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Abstract

钎焊用波长转换构件具备：陶瓷荧光体，其对从入射面入射的光的波长进行转换；反射层，其配置于陶瓷荧光体的与入射面相反的一侧的背面，覆盖背面的局部或整个背面；以及接合层，其由1个以上的膜构成，覆盖陶瓷荧光体的背面和反射层中的至少反射层，接合层在与覆盖背面和反射层中的至少反射层的那侧的面相反的一侧的面的中心部，具有相对于外周部突出的突出部。

Description

钎焊用波长转换构件、波长转换装置和光源装置
技术领域
本发明涉及钎焊用波长转换构件、波长转换装置和光源装置。
背景技术
以往，已知一种对光源发出的光的波长进行转换的波长转换装置。波长转换装置通常由转换入射的光的波长的荧光体、散热构件、以及将荧光体和散热构件接合起来的焊料层构成，利用散热构件对荧光体的热进行散热。此时，焊料中所含的空隙会导致荧光体与散热构件之间的导热性降低。例如，在专利文献1中，公开了一种使焊料层中所含的空隙的大小为预定值以下的技术。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特许6020631号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而，即使在利用专利文献1所记载的技术来进行荧光体与散热构件的接合的情况下，也会在荧光体与散热构件之间残留空隙，因此难以进一步提高焊料层的导热性。
本发明是为了解决上述课题而做出的，其目的在于，提供一种在钎焊用波长转换构件中提高陶瓷荧光体与散热构件之间的导热性的技术。
用于解决问题的方案
本发明是为了解决上述课题的至少一部分而做出的，能够通过以下的方案来实现。
(1)根据本发明的一技术方案，提供一种钎焊用波长转换构件。该钎焊用波长转换构件具备：陶瓷荧光体，其对从入射面入射的光的波长进行转换；反射层，其配置于所述陶瓷荧光体的与所述入射面相反的一侧的背面，覆盖所述背面的局部或整个所述背面；以及接合层，其由1个以上的膜构成，覆盖所述陶瓷荧光体的所述背面和所述反射层中的至少所述反射层，所述接合层在与覆盖所述背面和所述反射层中的至少所述反射层的那侧的面相反的一侧的面的中心部，具有相对于外周部突出的突出部。
采用该结构，接合层在与覆盖反射层的那侧的面相反的一侧的面的中心部具有相对于外周部突出的突出部。在借助接合层对陶瓷荧光体和散热构件进行钎焊时，配置于接合层与散热构件之间的焊料中的、位于突出部与散热构件之间的焊料被从中央朝向外侧挤出。此时，突出部与散热构件之间的焊料中所含的空隙与焊料一起从突出部与散热构件之间向外周部与散热构件之间移动。由此，突出部与散热构件之间的空隙的数量变少，因此，陶瓷荧光体与散热构件之间的传热不易被空隙阻碍。因而，能够提高陶瓷荧光体与散热构件之间的导热性。
(2)在上述技术方案的钎焊用波长转换构件中，也可以是，所述接合层直接覆盖所述陶瓷荧光体的所述背面中的暴露的面和所述反射层这两者，所述接合层中的所述突出部覆盖所述反射层。采用该结构，反射层形成为覆盖陶瓷荧光体的背面的局部，因此，当在陶瓷荧光体的暴露的背面之上和反射层之上形成接合层时，在反射层之上形成的接合层比在陶瓷荧光体的背面之上形成的接合层突出。即，在反射层之上形成接合层的突出部，在陶瓷荧光体的暴露的背面之上形成接合层的外周部。由此，能够利用反射层的形状来形成具有突出部和外周部的接合层，因此能够容易地提高陶瓷荧光体与散热构件之间的导热性。
(3)在上述技术方案的钎焊用波长转换构件中，也可以是，所述接合层具有：接合膜；以及密合膜，其由铬或钛构成，该密合膜配置于所述陶瓷荧光体和所述接合膜之间，使所述陶瓷荧光体和所述接合膜密合。采用该结构，覆盖陶瓷荧光体的背面和反射层这两者的接合层具有用于将陶瓷荧光体钎焊于散热构件等的接合膜和配置在陶瓷荧光体与接合膜之间的密合膜。密合膜提高陶瓷荧光体与接合膜的密合性，因此能够提高基于钎焊的、陶瓷荧光体与散热构件的接合强度。由此，能够抑制陶瓷荧光体与散热构件的接合不良。
(4)在上述技术方案的钎焊用波长转换构件中，也可以是，所述接合层中的构成与覆盖所述背面和所述反射层中的至少所述反射层的那侧的面相反的一侧的面的膜以镍、钯、铂、钼、钨中的至少一者为主要成分。采用该结构，接合层中的构成与覆盖反射层的那侧的面相反的一侧的面的膜以熔点比较高、不易氧化且不易氮化的镍、钯、铂、钼、钨中的至少一者为主要成分。由此，接合层中的构成与覆盖反射层的那侧的面相反的一侧的面的膜不易发生相对于金的扩散，因此，接合层的成分固溶于焊料的量被抑制，能够抑制陶瓷荧光体与散热构件的接合不良。
(5)根据本发明的另一技术方案，提供一种波长转换装置。该波长转换装置具有：上述钎焊用波长转换构件；散热构件，其将所述陶瓷荧光体的热向外部释放；以及焊料层，其设置在所述接合层与所述散热构件之间，将所述钎焊用波长转换构件和所述散热构件接合起来，所述焊料层具有包围所述接合层的所述突出部的凹部。采用该结构，在对陶瓷荧光体和散热构件进行钎焊时，被从中央朝向外侧挤出的、位于突出部与散热构件之间的焊料向接合层的外周部与散热构件之间移动，在突出部的周围形成凹部。此时，突出部与散热构件之间的焊料中所含的空隙也从突出部与散热构件之间向凹部移动，因此，突出部与散热构件之间的空隙的数量变少。由此，陶瓷荧光体与散热构件之间的传热不易被空隙阻碍，因此能够提高陶瓷荧光体与散热构件之间的导热性。
(6)根据本发明的又一技术方案，提供一种光源装置。该光源装置具备：上述波长转换装置；以及光源，其向所述陶瓷荧光体照射光。采用该结构，光源装置将波长与由光源向陶瓷荧光体照射的光的波长不同的光向外部释放。在具备将光的波长转换的陶瓷荧光体的波长转换装置中，在利用陶瓷荧光体将光的波长转换时产生的热通过焊料从散热构件向外部释放。在波长转换装置中，通过接合层所具有的突出部，使突出部与散热构件之间的空隙的数量变少，因此容易将陶瓷荧光体的热向散热构件传递。由此，能够抑制温度猝灭导致的光源装置的发光强度的降低。
此外，本发明能够以各种方案来实现，例如，能够以使用有钎焊用波长转换构件或波长转换装置的发光系统、钎焊用波长转换构件、波长转换装置或光源装置的制造方法、使计算机执行这些制造的计算机程序、用于分发计算机程序的服务器装置、存储计算机程序的非临时性的存储介质等形态来实现。
附图说明
图1是具备第1实施方式的波长转换装置的光源装置的剖视图。
图2是第1实施方式的钎焊用波长转换构件的剖视图。
图3是对第1实施方式的波长转换装置的制造方法进行说明的图。
图4是具备第2实施方式的波长转换装置的光源装置的剖视图。
图5是第2实施方式的钎焊用波长转换构件的剖视图。
图6是具备第3实施方式的波长转换装置的光源装置的剖视图。
图7是第3实施方式的钎焊用波长转换构件的剖视图。
图8是具备第4实施方式的波长转换装置的光源装置的剖视图。
图9是第4实施方式的钎焊用波长转换构件的剖视图。
具体实施方式
＜第1实施方式＞
图1是具备第1实施方式的波长转换装置6a的光源装置5a的剖视图。本实施方式的光源装置5a具备光源7和波长转换装置6a。波长转换装置6a在被由外部的发光二极管(LED：Light Emitting Diode)、半导体激光(LD：Laser Diode)等光源7发出的光L1照射时，产生波长与光L1不同的光L2。该波长转换装置6a例如使用于前照灯、照明、投影仪等各种光学设备。波长转换装置6a具备钎焊用波长转换构件1a、散热构件40和焊料层50。此外，在图1中，为了方便说明，以使钎焊用波长转换构件1a、散热构件40和焊料层50各自的厚度关系不同于实际的厚度关系的方式进行了图示。
图2是第1实施方式的钎焊用波长转换构件1a的剖视图。钎焊用波长转换构件1a具备陶瓷荧光体10、反射层20和接合层30。陶瓷荧光体10由陶瓷烧结体构成，对从入射面11入射的光的波长进行转换。陶瓷烧结体具有：荧光相，其将具有荧光性的晶体颗粒作为主体；以及透光相，其将具有透光性的晶体颗粒作为主体。优选的是，透光相的晶体颗粒具有由化学式Al2O3表示的组成，荧光相的晶体颗粒具有由化学式A3B5O12：Ce表示的组成(所谓的石榴石构造)。“A3B5O12：Ce”表示在A3B5O12中固溶有Ce，元素A的一部分被置换为Ce。
化学式A3B5O12：Ce中的元素A和元素B分别由选自下述元素组中的至少一种元素构成。
元素A：除Sc、Y、Ce之外的镧系元素(其中，元素A也可以还包含Gd)
元素B：Al(其中，元素B也可以还包含Ga)
通过使用陶瓷烧结体作为陶瓷荧光体10，从而使光在荧光相与透光相的界面发生散射，能够减少光的颜色的角度依赖性。由此，能够提高颜色的均质性。此外，陶瓷荧光体10的材料不限定于上述材料。
反射层20配置于陶瓷荧光体10的与入射面11相反的那一侧的背面12，反射层20形成为覆盖整个背面12。反射层20具有高反射膜21和反射膜22。在反射层20中，自陶瓷荧光体10侧起依次配置有高反射膜21和反射膜22。
高反射膜21具有由氧化钛(TiO2)形成的第1层21a和由氧化硅(SiO2)形成的第2层21b。高反射膜21通过第1层21a与第2层21b的折射率的差异而将陶瓷荧光体10的内部的光反射。反射膜22由银(Ag)或铝(Al)形成，将透过高反射膜21后的陶瓷荧光体10的内部的光反射。此外，上述反射层20的结构是一个例子，例如，可以是由铝、氧化铌、氧化钛、氧化镧、氧化钽、氧化钇、氧化钆、氧化钨、氧化铪、氧化铝、氧化硅形成的单层膜，也可以是由与上述材料不同的材料形成的多层膜。
接合层30配置于反射层20的与陶瓷荧光体10侧相反的那一侧的下表面23，接合层30由覆盖反射层20的1个以上的膜构成。在本实施方式中，接合层30具有保护膜31、密合膜32和接合膜33。在接合层30中，自陶瓷荧光体10侧起依次配置有保护膜31、密合膜32和接合膜33。
保护膜31由氧化铝(Al2O3)形成，抑制反射膜22的氧化。密合膜32由铬(Cr)或钛(Ti)形成，提高保护膜31与接合膜33的密合性。此外，形成保护膜31和密合膜32的材料并不限定于此。
接合膜33是接合层30中的构成与覆盖反射层20的那侧的面34相反的一侧的面35的膜。接合膜33由以镍(Ni)、钯(Pd)、铂(Pt)、钼(Mo)、钨(W)中的至少一者为主要成分的材料形成。在本实施方式中，接合膜33以镍(Ni)为主要成分。在此，“主要成分”是指，通过EDS分析被检测出含有50at％以上的成分。如图2所示，接合膜33在接合层30的与覆盖反射层20的那侧的面34相反的一侧的面35的中心部具有相对于外周部36突出的突出部37。由此，如图2所示，接合膜33成为凸形状。在此，凸形状是指，具有膜厚不同的部分，且形成为阶梯状。接合膜33与焊料反应而将陶瓷荧光体10和焊料接合起来。
散热构件40例如由铜、铜钼合金、铜钨合金、铝、氮化铝等具有比陶瓷荧光体10高的导热性的材料形成。在散热构件40的靠陶瓷荧光体10侧的主表面41配置有未图示的金属膜。该金属膜提高散热构件40的相对于焊料的润湿性。散热构件40将经由焊料层50等传递来的陶瓷荧光体10的热向外部释放。此外，散热构件40可以是由上述材料形成的单层构造的构件，也可以是由同种材料或不同材料形成的多层构造的构件。
焊料层50设置在接合层30与散热构件40之间，由金和锡形成。如图1所示，焊料层50具有位于接合膜33的突出部37与散热构件40之间的中央部51、和配置于中央部51的外侧且包围接合膜33的突出部37的凹部52。如图1所示，凹部52的自散热构件40的主表面41算起的高度H2高于中央部51的自主表面41算起的高度H1。焊料层50将钎焊用波长转换构件1a和散热构件40接合起来。
接下来，说明波长转换装置6a的制造方法。首先，通过真空蒸镀或溅射在陶瓷荧光体10上依次进行反射层20和接合层30的成膜。在接合膜33的成膜过程中，在形成与突出部37的厚度对应的量的膜之后，利用光刻进行图案化，从而使外周部36和突出部37成膜。另外，在散热构件40上镀覆金属膜。接下来，在陶瓷荧光体10的接合膜33与散热构件40的金属膜之间夹有金锡焊料的箔的状态下，在氮气气氛中或氢气气氛中的回流炉中进行加热，将陶瓷荧光体10和散热构件40接合起来。此外，在散热构件40的表面形成金属膜的情况下，也可以利用镀覆来进行成膜。另外，也可以是，不使用金锡焊料的箔，而使用金锡合金膏。
图3是对波长转换装置6a的制造方法进行说明的图。在通过回流炉的加热将陶瓷荧光体10和散热构件40接合时，在成为焊料层50的金锡膏中，如图3的(a)所示，产生由构件之间的间隙引起的空隙V1。在按压陶瓷荧光体10和散热构件40而将它们接合时(参照图3的(a)所示的空心箭头F10、F20)，焊料层50中的位于突出部37与散热构件40之间的焊料被从突出部37与散热构件40之间挤出，并向突出部37的外侧溢出。此时，处于突出部37与散热构件40之间的空隙V1与焊料一起被自突出部37与散热构件40之间朝向外侧挤出(图3的(a)的虚线箭头D1)。向突出部37的外侧溢出的焊料在外周部36与散热构件40之间隆起，形成包围突出部37的凹部52。此时，空隙V1与在外周部36与散热构件40之间隆起的焊料一起移动(图3的(a)的虚线箭头D2)。如此，处于突出部37与散热构件40之间的空隙V1向凹部52移动。由此，在本实施方式的制造方法中，如图3的(b)所示，焊料层50的空隙V1集中于凹部52，中央部51的空隙V1的数量变少。当中央部51的空隙V1的数量变少时，中央部51处的陶瓷荧光体10和散热构件40之间的热传导不易被空隙V1阻碍。
根据以上所说明的本实施方式的钎焊用波长转换构件1a，接合层30在与覆盖反射层20的那侧的面34相反的一侧的面35的中心部具有相对于外周部36突出的突出部37。在借助接合层30对陶瓷荧光体10和散热构件40进行钎焊时，配置于接合层30与散热构件40之间的焊料中的、位于突出部37与散热构件40之间的焊料被从中央朝向外侧挤出。此时，突出部37与散热构件40之间的焊料中所含的空隙V1与焊料一起从突出部37与散热构件40之间向外周部36与散热构件40之间移动。由此，突出部37与散热构件40之间的空隙V1的数量变少，因此，陶瓷荧光体10和散热构件40之间的传热不易被空隙V1阻碍。因而，能够提高陶瓷荧光体10和散热构件40之间的导热性。
另外，根据本实施方式的钎焊用波长转换构件1a，接合层30中的构成与覆盖反射层20的那侧的面34相反的一侧的面35的接合膜33由以镍(Ni)为主要成分的材料形成。由此，能够抑制在利用焊料将钎焊用波长转换构件1a和散热构件40接合时接合层30的成分从接合层30向焊料扩散。因而，接合层30的成分固溶于焊料的量被抑制，因此能够抑制陶瓷荧光体10与散热构件40的接合不良。
另外，根据本实施方式的波长转换装置6a，焊料层50具有包围接合层30的突出部37的凹部52。在对陶瓷荧光体10和散热构件40进行钎焊时，被从中央朝向外侧挤出的、位于突出部37与散热构件40之间的焊料向接合层30的外周部36与散热构件40之间移动，在突出部37的周围形成凹部52。此时，突出部37与散热构件40之间的焊料中所含的空隙V1也从突出部37与散热构件40之间向凹部52移动，因此，突出部37与散热构件40之间的空隙V1的数量变少。由此，陶瓷荧光体10和散热构件40之间的传热不易被空隙V1阻碍，因此能够提高陶瓷荧光体10和散热构件40之间的导热性。
另外，根据本实施方式的光源装置5a，光源装置5a将波长与由光源7向陶瓷荧光体10照射的光L1的波长不同的光L2向外部释放。在具备转换光L1的波长的陶瓷荧光体10的波长转换装置6a中，在利用陶瓷荧光体10转换光L1的波长时产生的热通过焊料从散热构件40向外部释放。在波长转换装置6a中，通过接合层30所具有的突出部37，使突出部37与散热构件40之间的空隙V1的数量变少，因此容易将陶瓷荧光体10的热向散热构件40传递。由此，能够抑制温度猝灭导致的光源装置5a的发光强度的降低。
＜第2实施方式＞
图4是具备第2实施方式中的波长转换装置6b的光源装置5b的剖视图。图5是本实施方式的钎焊用波长转换构件1b的剖视图。本实施方式的波长转换装置6b所具备的钎焊用波长转换构件1b与第1实施方式的钎焊用波长转换构件1a(图2)相比，不同之处在于接合层60具有焊料润湿膜38。
本实施方式的钎焊用波长转换构件1b具有陶瓷荧光体10、反射层20和接合层60。接合层60配置于反射层20的与陶瓷荧光体10侧相反的那一侧的下表面23，由覆盖反射层20的1个以上的膜构成。在本实施方式中，接合层60具有保护膜31、密合膜32、接合膜33和焊料润湿膜38。
焊料润湿膜38以覆盖接合膜33的面35的方式配置，由金形成。焊料润湿膜38具有外周部38a和突出部38b。外周部38a覆盖接合膜33的面35中的、由外周部36形成的面35a。突出部38b覆盖接合膜33的面35中的、由突出部37形成的面35b。外周部38a的膜厚和突出部38b的膜厚大致相同。外周部38a和突出部38b提高陶瓷荧光体10的焊料润湿性。
接下来，说明波长转换装置6b的制造方法。在波长转换装置6b中，首先，通过真空蒸镀或溅射在陶瓷荧光体10上依次进行反射层20和接合层60的成膜。此时，使用光刻以与第1实施方式相同的方法形成具有外周部36和突出部37的接合膜33之后，在接合膜33上使焊料润湿膜38成膜。之后，在陶瓷荧光体10的焊料润湿膜38与散热构件40的金属膜之间夹有金锡焊料的箔的状态下，在回流炉中对陶瓷荧光体10和散热构件40进行加热，将陶瓷荧光体10和散热构件40接合起来。
根据以上说明的本实施方式的钎焊用波长转换构件1b，在借助接合层60对陶瓷荧光体10和散热构件40进行钎焊时，突出部38b与散热构件40之间的焊料中所含的空隙与焊料一起从突出部38b与散热构件40之间向外周部38a与散热构件40之间移动。由此，突出部38b与散热构件40之间的空隙的数量变少，因此能够提高陶瓷荧光体10和散热构件40之间的导热性。
另外，根据本实施方式的钎焊用波长转换构件1b，接合层60具有焊料润湿性良好的外周部38a和突出部38b。由此，突出部38b与散热构件40之间的焊料中所含的空隙V1易于进一步向外周部38a与散热构件40之间移动，因此，突出部38b与散热构件40之间的空隙V1的数量进一步变少。因而，能够进一步提高陶瓷荧光体10和散热构件40之间的导热性。
＜第3实施方式＞
图6是具备第3实施方式中的波长转换装置6c的光源装置5c的剖视图。图7是本实施方式的钎焊用波长转换构件1c的剖视图。本实施方式的波长转换装置6c所具备的钎焊用波长转换构件1c与第2实施方式的钎焊用波长转换构件1b(图5)相比，反射层25的宽度不同。
本实施方式的钎焊用波长转换构件1c具有陶瓷荧光体10、反射层25和接合层70。如图7所示，具有高反射膜21和反射膜22的反射层25的宽度小于陶瓷荧光体10的背面12的宽度。接合层70由直接覆盖陶瓷荧光体10的背面12中的暴露的背面12a和反射层25这两者的1个以上的膜构成。在本实施方式中，接合层70具有密合膜71、接合膜72和焊料润湿膜73。
密合膜71由铬(Cr)或钛(Ti)形成。密合膜71具有：外周部71a，其配置于陶瓷荧光体10的暴露的背面12a上；以及突出部71b，其配置于反射层25的与陶瓷荧光体10相反的那一侧的下表面23。在本实施方式中，外周部71a和突出部71b被截断。外周部71a的膜厚和突出部71b的膜厚大致相同，其膜厚均为10nm以上且500nm以下。密合膜71提高反射层25与接合膜72的密合性以及陶瓷荧光体10与接合膜72的密合性。在本实施方式中，通过使密合膜71的膜厚为10nm以上且500nm以下，能够进一步提高陶瓷荧光体10与接合膜72的密合性。此外，在本实施方式中，外周部71a的膜厚和突出部71b的膜厚大致相同，但也可以不同。
接合膜72由以镍(Ni)为主要成分的材料形成。接合膜72具有：外周部72a，其覆盖密合膜71的外周部71a；以及突出部72b，其覆盖密合膜71的突出部71b。外周部72a和突出部72b被截断，外周部72a的膜厚和突出部72b的膜厚大致相同。接合膜72与焊料润湿膜73反应而将陶瓷荧光体10和焊料润湿膜73接合起来。
焊料润湿膜73由金(Au)形成，具有：外周部73a，其覆盖接合膜72的外周部72a；以及突出部73b，其覆盖接合膜72的突出部72b。外周部73a和突出部73b被截断，外周部73a的膜厚和突出部73b的膜厚大致相同。焊料润湿膜73提高陶瓷荧光体10的焊料润湿性。
如此，在本实施方式中，接合层70在与直接覆盖陶瓷荧光体10的背面12a和反射层25这两者的那侧的面74相反的一侧的面75的中心部具有相对于外周部71a、72a、73a突出的突出部71b、72b、73b。突出部71b、72b、73b形成为覆盖反射层25。
接下来，说明波长转换装置6c的制造方法。在波长转换装置6c中，首先，通过真空蒸镀或溅射在陶瓷荧光体10上依次进行反射层25和接合层70的成膜。此时，使用光刻，以使反射层25成为比陶瓷荧光体10的背面12的宽度小的宽度的方式进行反射层25的成膜。在反射层25成膜之后，在反射层25的与陶瓷荧光体10侧相反的那一侧的下表面23和陶瓷荧光体10的从反射层25的周围暴露的背面12a上进行接合层70的成膜。之后，在陶瓷荧光体10的焊料润湿膜73与散热构件40的金属膜之间夹有金锡焊料的箔的状态下，在回流炉中对陶瓷荧光体10和散热构件40进行加热，将陶瓷荧光体10和散热构件40接合起来。
根据以上说明的本实施方式的钎焊用波长转换构件1c，在借助接合层70对陶瓷荧光体10和散热构件40进行钎焊时，突出部73b与散热构件40之间的焊料中所含的空隙与焊料一起从突出部73b与散热构件40之间向外周部73a与散热构件40之间移动。由此，突出部73b与散热构件40之间的空隙的数量变少，因此能够提高陶瓷荧光体10和散热构件40之间的导热性。
另外，根据本实施方式的钎焊用波长转换构件1c，反射层25形成为覆盖陶瓷荧光体10的背面12的局部，因此，当在陶瓷荧光体10的暴露的背面12a上和反射层25上形成接合层70时，在反射层25上形成的接合层70比在陶瓷荧光体10的背面12a上形成的接合层70突出。即，在反射层25上形成接合层70的突出部71b、72b、73b，在陶瓷荧光体10的暴露的背面12a上形成接合层70的外周部71a、72a、73a。由此，能够利用反射层25的形状来形成具有突出部71b、72b、73b和外周部71a、72a、73a的接合层70，因此能够容易地提高陶瓷荧光体10和散热构件40之间的导热性。
另外，根据本实施方式的钎焊用波长转换构件1c，覆盖陶瓷荧光体10的背面12和反射层20这两者的接合层70具有用于将陶瓷荧光体10钎焊于散热构件40的接合膜72、和配置在陶瓷荧光体10与接合膜72之间的密合膜71。密合膜71提高陶瓷荧光体10与接合膜72的密合性，因此能够提高基于钎焊的、陶瓷荧光体10和散热构件40的接合强度。由此，能够抑制陶瓷荧光体10与散热构件40的接合不良。
＜第4实施方式＞
图8是具备第4实施方式中的波长转换装置6d的光源装置5d的剖视图。图9是本实施方式的钎焊用波长转换构件1d的剖视图。本实施方式的波长转换装置6d所具备的钎焊用波长转换构件1d与第3实施方式的钎焊用波长转换构件1c(图7)相比，不同之处在于，在密合膜81、接合膜82和焊料润湿膜83的各膜中突出部和外周部相连接。
本实施方式的钎焊用波长转换构件1d具有陶瓷荧光体10、反射层25和接合层80。接合层80由直接覆盖陶瓷荧光体10的背面12中的暴露的背面12a和反射层25这两者的1个以上的膜构成。在本实施方式中，接合层80具有密合膜81、接合膜82和焊料润湿膜83。
密合膜81由铬(Cr)或钛(Ti)形成。在本实施方式中，密合膜81的膜厚为10nm以上且500nm以下，密合膜81具有外周部71a、突出部71b和在反射层25的侧面将外周部71a和突出部71b连接起来的连接部81c。密合膜81提高反射层25与接合膜82的密合性以及陶瓷荧光体10与接合膜82的密合性。
接合膜82由以镍(Ni)为主要成分的材料形成。接合膜82具有外周部72a、突出部72b、和以沿着密合膜81的连接部82c的方式形成且将外周部72a和突出部72b连接起来的连接部82c。接合膜82与焊料润湿膜83反应而将陶瓷荧光体10和焊料润湿膜83接合起来。
焊料润湿膜83由金(Au)形成，焊料润湿膜83具有外周部73a、突出部73b、和以沿着接合膜82的连接部82c的方式形成且将外周部73a和突出部73b连接起来的连接部83c。焊料润湿膜83提高陶瓷荧光体10的焊料润湿性。
如此，在本实施方式中，接合层80在与直接覆盖陶瓷荧光体10的背面12a和反射层25这两者的那侧的面84相反的一侧的面85的中心部具有相对于外周部71a、72a、73a突出的突出部71b、72b、73b。突出部71b、72b、73b形成为覆盖反射层25。
根据以上所说明的本实施方式的钎焊用波长转换构件1d，在借助接合层80对陶瓷荧光体10和散热构件40进行钎焊时，突出部73b与散热构件40之间的焊料中所含的空隙与焊料一起从突出部73b与散热构件40之间向外周部73a与散热构件40之间移动。由此，突出部73b与散热构件40之间的空隙的数量变少，因此能够提高陶瓷荧光体10和散热构件40之间的导热性。
＜本实施方式的变形例＞
本发明并不限于上述实施方式，能够在不脱离其主旨的范围内以各种方式来实施，例如还能够如下那样变形。
[变形例1]
在第1实施方式、第3实施方式和第4实施方式中，接合层具有3个膜。在第2实施方式中，接合层具有4个膜。然而，形成接合层的膜的数量并不限定于此，既可以具有1个膜或两个膜，也可以具有5个以上的膜。在这些情况下，接合层只要在与覆盖陶瓷荧光体10的背面12和反射层中的至少反射层的那侧的面相反的一侧的面的中心部具有相对于外周部突出的突出部即可。由此，在对陶瓷荧光体10和散热构件40进行钎焊时，突出部与散热构件40之间的空隙的数量变少，因此能够提高陶瓷荧光体10和散热构件40之间的导热性。
[变形例2]
在第3实施方式和第4实施方式中，接合层中的突出部覆盖反射层。然而，突出部的形状并不限定于此。既可以是，以利用突出部和外周部覆盖反射层的方式形成突出部和外周部，也可以是，在以覆盖反射层和陶瓷荧光体的暴露的背面的方式形成的突出部的外侧形成外周部。在该情况下，在对陶瓷荧光体10和散热构件40进行钎焊时，突出部与散热构件40之间的空隙的数量变少，因此也能够提高陶瓷荧光体10和散热构件40之间的导热性。
[变形例3]
在第1实施方式中，接合膜33由以镍(Ni)为主要成分的材料形成。然而，第1实施方式中的接合膜33的组成并不限定于此。也可以以钯、铂、钼、钨中的至少一者为主要成分，在该情况下，也能够抑制接合层30的成分固溶于焊料的量，因此能够抑制陶瓷荧光体10与散热构件40的接合不良。
[变形例4]
在上述实施方式中，反射层具有3个膜。然而，反射层既可以仅是1个膜，也可以具有两个或4个以上的膜。
[变形例5]
对于接合层，既可以是，如第1实施方式和第2实施方式那样，突出部和外周部相连接，也可以是，如第3实施方式那样，突出部和外周部被截断，还可以是，如第4实施方式那样，突出部和外周部通过连接部相连接。
[变形例6]
在第2实施方式、第3实施方式和第4实施方式中，接合层具有焊料润湿膜。然而，也可以不具有焊料润湿膜。
以上，基于实施方式、变形例说明了本方案，但上述方案的实施方式是为了容易理解本方案，而非对本方案进行限定。本方案能够在不脱离其主旨和权利要求书的情况下进行变更、改良，并且本方案包含其等价物。另外，如果其技术特征在本说明书中没有作为必要特征来说明的话，则能够适当删除。
附图标记说明
1a、1b、1c、1d、钎焊用波长转换构件；6a、6b、6c、6d、波长转换装置；5a、5b、5c、5d、光源装置；7、光源；10、陶瓷荧光体；11、入射面；12、12a、背面；20、25、反射层；21、高反射膜；22、反射膜；23、下表面；30、60、70、80、接合层；31、保护膜；32、71、81、密合膜；33、72、82、接合膜；34、74、84、接合层的覆盖反射层的那侧的面；35、35a、35b、75、85、接合层的与覆盖反射层的那侧的面相反的一侧的面；36、38a、71a、72a、73a、外周部；37、38b、71b、72b、73b、突出部；38、73、83、焊料润湿膜；40、散热构件；41、主表面；50、焊料层；51、中央部；52、凹部；81c、82c、83c、连接部；L1、L2、光；V1、空隙。

Claims (6)

1.一种钎焊用波长转换构件，其中，
该钎焊用波长转换构件具备：
陶瓷荧光体，其对从入射面入射的光的波长进行转换；
反射层，其配置于所述陶瓷荧光体的与所述入射面相反的一侧的背面，覆盖所述背面的局部或整个所述背面；以及
接合层，其由1个以上的膜构成，覆盖所述陶瓷荧光体的所述背面和所述反射层中的至少所述反射层，
所述接合层在与覆盖所述背面和所述反射层中的至少所述反射层的那侧的面相反的一侧的面的中心部，具有相对于外周部突出的突出部。
2.根据权利要求1所述的钎焊用波长转换构件，其中，
所述接合层直接覆盖所述陶瓷荧光体的所述背面中的暴露的面和所述反射层这两者，
所述接合层中的所述突出部覆盖所述反射层。
3.根据权利要求2所述的钎焊用波长转换构件，其中，
所述接合层具有：
接合膜；以及
密合膜，其由铬或钛构成，该密合膜配置于所述陶瓷荧光体和所述接合膜，使所述陶瓷荧光体和所述接合膜密合。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的钎焊用波长转换构件，其中，
所述接合层中的构成与覆盖所述背面和所述反射层中的至少所述反射层的那侧的面相反的一侧的面的膜以镍、钯、铂、钼、钨中的至少一者为主要成分。
5.一种波长转换装置，其中，
该波长转换装置具有：
权利要求1至4中任一项所述的钎焊用波长转换构件；
散热构件，其将所述陶瓷荧光体的热向外部释放；以及
焊料层，其设置在所述接合层与所述散热构件之间，将所述钎焊用波长转换构件和所述散热构件接合起来，
所述焊料层具有包围所述接合层的所述突出部的凹部。
6.一种光源装置，其中，
该光源装置具备：
权利要求5所述的波长转换装置；以及
光源，其向所述陶瓷荧光体照射光。
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