CN103080633A - 波长变换元件、光源和液晶用背光单元 - Google Patents
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Abstract
本发明提供能够抑制光源使用中的波长变换元件破损、从具备波长变换元件的光源射出的光的强度降低的波长变换元件。波长变换元件（20）具备波长变换基板（21）和反射层（24）。波长变换基板（21）在射入激发光（L0）时，吸收激发光（L0）的一部分，发出与激发光（L0）波长不同的光。反射层（24）配置在波长变换基板（21）的一个表面（21b）上。反射层（24）由金属或者合金构成。
Description
技术领域
本发明涉及波长变换元件、具备该波长变换元件的光源和液晶用背光单元。
背景技术
近年来，例如，在液晶显示器的背光等的用途中使用的白色光源的开发比较盛行。作为这样的白色光源的一例，例如下述的专利文献1中公开了在射出蓝色光的LED（Light Emitting Diode）的光射出侧配置有吸收来自LED的光的一部分，并射出黄色的光的波长变换装置的光源。从该光源，射出作为从LED射出并透过波长变换部件的蓝色光和从波长变换元件射出的黄色光的合成光的白色光。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2005-209852号公报
发明内容
发明要解决的问题
但是，本发明者进行了潜心研究的结果，在配置多个LED的光源等的情况下，光源使用中，存在波长变换元件破损，或随着时间射出的光的强度降低的问题。
本发明鉴于上述问题而提出的，其目的在于提供一种能够抑制光源使用中波长变换元件破损、或从具备波长变换元件的光源射出的光的强度降低的波长变换元件。
用于解决问题的方法
本发明的波长变换部件具备波长变换基板和反射层。波长变换基板在射入激发光时，吸收激发光的一部分，发出与激发光波长不同的 光。反射层配置在波长变换基板的一个表面上。反射层包括金属或合金。
本发明中，“基板”是指包括片状或膜状的部件。
本发明的波长变换元件，还优选具备：形成在波长变换基板的另一个表面上，抑制要从波长变换基板的另一个表面射入的光的反射的反射抑制层。
本发明的波长变换元件，反射抑制层优选通过交替叠层折射率相对低的低折射率层和折射率相对高的高折射率层的叠层体形成。
本发明的波长变换元件，反射层优选含有选自包括Ag、Al、Au、Pd和Ti的组中的金属、或者包含选自包括Ag、Al、Au、Pd和Ti的组中的至少一种金属的合金。
本发明的波长变换元件，优选还具备在反射层和波长变换基板之间形成的提高反射层和波长变换基板之间的粘合强度的粘合层。
本发明的波长变换元件，优选粘合层含有氧化铝、氧化铬、氧化铜、钛、铬或者包括铬的合金。
本发明的波长变换元件，优选还具备形成于反射层上的焊接固定层。
焊接固定层，优选含有Au或包含Au的合金、Sn或包含Sn的合金、In或包含In的合金、Pb或包含Pb的合金、Al或包含Al的合金、或者Ag或包含Ag的合金。
本发明的波长变换元件优选还具备形成于焊接固定层和反射层之间的包括Ni、NiCr合金、Pt或Pd的阻挡层。
本发明的波长变换元件，优选波长变换基板包括分散无机荧光体粉末的玻璃或陶瓷。
本发明的光源具备上述本发明的波长变换元件和相对于波长变换基板的另一个表面发出激发光的发光元件。
本发明的光源，优选发光元件包括半导体发光元件。
本发明的光源，优选波长变换元件还具有形成于反射层上的含有Au或包括Au的合金、或者Sn或包括Sn的合金的焊接固定层。这种情况下，本发明的光源还优选具备筐体、接合筐体和波长变换基板的 焊接固定层的焊接层。
本发明的液晶用背光单元，具有上述本发明的光源和导光体。导光体具有主面和侧面。导光体在侧面接受来自波长变换元件的光，从主面作为面状光射出。
发明效果
根据本发明，能够提供在光源使用中，能够对波长变换元件的破损或从具备波长变换元件的光源射出的光的强度降低进行抑制的波长变换元件。
附图说明
图1为实施本发明的一实施方式的光源的模式图。
图2为实施本发明的一实施方式中的波长变换元件的概略截面图。
图3为反射抑制层的概略截面图。
图4为变形例的光源的模式图。
图5为第二实施方式的液晶用背光单元的模式图。
图6为第三实施方式的液晶用背光单元的模式图。
图7为第四实施方式的液晶用背光单元的模式图。
具体实施方式
以下，对实施本发明的最佳方式，以图1所示的光源1为例进行说明。但是，光源1和光源1所包括的波长变换元件20只是示例。本发明的光源和波长变换元件，不限于光源1和波长变换元件20。
图1为本实施方式的光源的模式图。图2为本实施方式的波长变换元件的概略截面图。图3为本实施方式的反射抑制层的概略截面图。
如图1所示，光源1具备发光元件10、波长变换元件20、分色镜11、筐体12。发光元件10、分色镜11和波长变换元件20被收纳固定在筐体12的内部。筐体12只要是能够保持发光元件10、分色镜11和波长变换元件20就没有特别限定。筐体12例如能够由树脂、金属或合金形成。其中，筐体12优选由金属或合金等的热传导率高的材料构成。具体而言，筐体12例如优选由铁、铝、铜等的金属、或不锈钢等 的合金形成。
发光元件10朝向波长变换元件20，射出波长变换元件20的激发光。发光元件10只要是能够发出激发光就没有特别限定。发光元件10例如能够由LED（Light Emitting Diode）、激光发光元件、EL（ElectroLuminescent）发光元件、等离子体发光元件等构成。
如图2所示，波长变换元件20具备波长变换基板21。波长变换基板21具有第一和第二主面21a、21b。波长变换基板21配置为，第一主面21a向着发光元件10（参照图1）侧，从发光元件10射出的激发光L0射入到第一主面21a。
波长变换基板21包括吸收激发光L0，射出与吸收的激发光不同波长的光的荧光体。具体而言，本实施方式中，波长变换基板21由分散有无机荧光体粉末的玻璃构成。因此，波长变换基板21吸收激发光L0的一部分，发出与吸收的激发光波长不同的光。因为无机荧光体粉末和玻璃具有高的耐热性，所以由分散有无机荧光体粉末的玻璃形成波长变换基板21，由此，能够实现波长变换基板21的高的耐热性。
波长变换基板21的厚度没有特别限定，例如能够为0.5mm～3.0mm左右。如果波长变换基板21过厚，则存在使激发光L0中的由波长变换基板21吸收的光的比例多，反射光L2的强度过低的情况。另一方面，如果波长变换基板21过薄，则存在荧光L1的强度过低的情况。
另外，无机荧光体粉末能够根据从光源1射出的光L3的波长或从发光元件10射出的激发光L0的波长等适当进行选择。无机荧光体粉末例如能够由选自氧化物无机荧光体、氮化物无机荧光体、氧氮化物无机荧光体、硫化物无机荧光体、氧硫化物无机荧光体、稀土类硫化物无机荧光体、氯化铝（アルミン酸塩化物）无机荧光体和氯盐磷酸盐（ハロリン酸塩化物）无机荧光体的一种以上构成。
作为照射波长300～440nm的紫外～近紫外的激发光时发出蓝色可见光（波长440nm～480nm的荧光）的无机荧光体粉末，可以举出Sr5(PO4)3Cl:Eu2+、(Sr、Ba)MgAl10O17:Eu2+、(Sr、Ba)3MgSi2O8:Eu2+等。
作为照射波长300～440nm的紫外～近紫外的激发光时发出绿色 的可见光（波长500nm～540nm的荧光）的无机荧光体粉末，可以举出SrAl2O4:Eu2+、SrGa2S4:Eu2+、SrBaSiO4:Eu2+、CdS:In、CaS:Ce3+、Y3(Al、Gd)5O12:Ce2+、Ca3Sc2Si3O12:Ce3+、SrSiOn:Eu2+、ZnS:Al3+,Cu+、CaS:Sn2+、CaS:Sn2+,F、CaSO4:Ce3+,Mn2+、LiAlO2:Mn2+、BaMgAl10O17:Eu2+,Mn2+、ZnS:Cu+,Cl-、Ca3WO6:U、Ca3SiO4Cl2:Eu2+、Sr0.2Ba0.7Cl1.1Al2O3.45:Ce3+,Mn2+、Ba2MgSi2O7:Eu2+、Ba2SiO4:Eu2+、Ba2Li2Si2O7:Eu2+、ZnO:S、ZnO:Zn、Ca2Ba3(PO4)3Cl:Eu2+、BaAl2O4:Eu2+等。
作为照射波长440～480nm的蓝色的激发光时发出绿色的可见光（波长500nm～540nm的荧光）的无机荧光体粉末，可以举出SrAl2O4:Eu2+、SrGa2S4:Eu2+、SrBaSiO4:Eu2+、CdS:In、CaS:Ce3+、Y3(Al,Gd)5O12:Ce2+、Ca3Sc2Si3O12:Ce3+、SrSiOn:Eu2+等。
作为照射波长300～440nm的紫外～近紫外的激发光时发出黄色的可见光（波长540nm～595nm的荧光）的无机荧光体粉末，可以举出ZnS:Eu2+、Ba5(PO4)3Cl:U、Sr3WO6:U、CaGa2S4:Eu2+、SrSO4:Eu2+,Mn2+、ZnS:P、ZnS:P3-、Cl-、ZnS:Mn2+等。
作为照射波长440～480nm的蓝色的激发光时发出黄色的可见光（波长540nm～595nm的荧光）的无机荧光体粉末，可以举出Y3(Al,Gd)5O12:Ce2+、Ba5(PO4)3Cl:U、CaGa2S4:Eu2+、Sr2SiO4:Eu2+等。
作为照射波长300～440nm的紫外～近紫外的激发光时发出红色的可见光（波长600nm～700nm的荧光）的无机荧光体粉末，可以举出CaS:Yb2+、Cl、Gd3Ga4O12:Cr3+、CaGa2S4:Mn2+、Na(Mg,Mn)2LiSi4O10F2:Mn、ZnS:Sn2+、Y3Al5O12:Cr3+、SrB8O13:Sm2+、MgSr3Si2O8:Eu2+，Mn2+、α-SrO·3B2O3:Sm2+、ZnS-CdS、ZnSe:Cu+，Cl、ZnGa2S4:Mn2+、ZnO:Bi3+、BaS:Au,K、ZnS:Pb2+、ZnS:Sn2+、Li+、ZnS:Pb,Cu、CaTiO3:Pr3+、CaTiO3:Eu3+、Y2O3:Eu3+、(Y,Gd)2O3:Eu3+、CaS:Pb2+,Mn2+、YPO4:Eu3+、Ca2MgSi2O7:Eu2+,Mn2+、Y(P,V)O4:Eu3+、Y2O2S:Eu3+、SrAl4O7:Eu3+、CaYAlO4:Eu3+、LaO2S:Eu3+、LiW2O8:Eu3+，Sm3+、(Sr,Ca,Ba,Mg)10(PO4)6Cl2:Eu2+,Mn2+、Ba3MgSi2O8:Eu2+,Mn2+等。
作为照射波长440nm～480nm的蓝色的激发光时发出红色的可见 光（波长600nm～700nm的荧光）的无机荧光体粉末，可以举出ZnS:Mn2+，Te2+、Mg2TiO4:Mn4+、K2SiF6:Mn4+、SrS:Eu2+、CaS:Eu2+、Na1.23K0.42Eu0.12TiSi4O11、Na1.23K0.42Eu0.12TiSi5O13:Eu3+、CdS:In,Te、CaAlSiN3:Eu2+、CaSiN3:Eu2+、(Ca,Sr)2Si5N8:Eu2+、Eu2W2O7等。
也可以配合激发光或发光的波长域，将多种无机荧光体粉末混合加以使用。例如，照射紫外域的激发光得到白色光的情况下，可以将发出蓝色、绿色、红色的荧光的无机荧光体粉末混合加以使用。
无机荧光体粉末的分散介质没有特别限定。作为分散介质，例如能够举出玻璃、陶瓷、树脂等。
作为分散介质的玻璃，只要是能够稳定保持无机荧光体粉末的物质就没有特别限定。能够作为分散介质使用的玻璃的具体例子，例如，能够举出硅酸盐类玻璃、硼酸盐类玻璃、SiO2-B2O3-RO类玻璃（R为Mg、Ca、Sr和Ba的至少一种）等的硼硅酸盐类玻璃、SnO-P2O5类玻璃等的磷酸盐类玻璃、硼磷酸盐类玻璃等。其中，优选使用SiO2-B2O3-RO类玻璃或SnO-P2O5类玻璃。
作为分散介质的陶瓷的具体例子，例如能够举出氧化铝、氧化锆、钛酸钡、氮化硅、氮化钛等的金属氮化物等。
波长变换基板21中的无机荧光体粉末的含量没有特别限定，例如优选为0.01质量%～95质量%、更优选为10质量%～90质量%、特别优选为50质量%～90质量%。如图2所示，波长变换基板的与发光元件10的相反侧的第二主面21b上形成有金属或者合金构成的反射层24。因此，本实施方式中，激发光L0中的没有被波长变换基板21吸收的光、和波长变换基板21中产生的荧光中的射出到反射层24侧的光，通过反射层24，反射到发光元件10侧。由此，激发光L0射入到波长变换基板21时，吸收激发光L0的无机荧光体粉末发出的荧光L1和激发光L0的反射光L2从波长变换基板21的第一主面21a向着发光元件10侧射出。由此，如图1所示的从波长变换基板21向发光元件10侧射出的光L3为荧光L1和反射光L2的合成光。因此，作为发光元件10使用射出蓝色光的LED，使用吸收蓝色光并发出黄色光的波长变换元件20，由此，例如作为液晶显示器的光源能够实现白色光光源 1。其中，合成光L3通过分色镜11反射，由此在与发光元件10不同的方向取出。
反射层24的材质只要是能够反射激发光L0的金属或者合金就没有特别限定。对反射层24的形成优选使用的金属或者合金，例如能够举出选自由Ag、Al、Au、Pd和Ti构成的组中的金属、Ag-Pd合金等的包括这些金属中的至少一种金属的合金。其中，反射层24优选由Ag、Al等的金属或者包括Ag和Al中的至少一种的合金形成。这种情况下，能够使反射层24的光反射率高，能够提高从光源1射出的合成光L3的强度。以下，本实施方式中，对通过Ag形成反射层24的例子进行说明。
另外，反射层24的厚度，只要是能够适宜反射激发光L0的厚度就没有特别限定。反射层24的厚度，例如能够为100nm～300nm左右。反射层24的厚度过薄时，存在激发光L0的反射率过低的情况。另一方面，反射层24的厚度过厚时，存在发生膜应力增加或表面散射的影响的情况。
另一方面，波长变换基板21的第一主面21a上，形成有反射抑制层22。通过调整该反射抑制层22的膜厚，能够抑制从第一主面21a射入的激发光L0的第一主面21a中的反射。此外，也能够抑制荧光L1和反射光L2的第一主面21a中的反射。其结果，能够提高激发光L0的利用效率，能够提高合成光L3的强度。
反射抑制层22只要能够抑制第一主面21a中的激发光L0的反射就没有特别限定。反射抑制层22例如如图3所示能够通过降低折射率层22L和高折射率层22H交替叠层而成的叠层体构成。在此，低折射率层22L为相对的折射率较低的层。低折射率层22L例如能够由氧化硅、氟化镁等形成。高折射率层22H为相对的折射率较高的层，高折射率层22H例如能够由氧化钽、氧化铟、氧化锆、氧化铝、氧化铌、氧化钛、氧化铪等形成。另外，高折射率层22H的折射率和低折射率层22L的折射率优选为相差0.1以上。低折射率层22L和高折射率层22H的总数没有特别限定，例如，优选为2～50左右，更优选为4～20左右，更优选为4～10左右。低折射率层22L和高折射率层22H的总 数过少时，存在不能充分得到反射抑制效果的情况。另一方面，低折射率层22L和高折射率层22H的总数过多时，存在膜应力增大、容易剥离的情况。并且，存在低折射率层22L和高折射率层22H的形成所需要的时间过长的情况。
低折射率层22L和高折射率层22H的各自的厚度可以根据要抑制反射的波长适当设定。低折射率层22L和高折射率层22H的各自的厚度，例如能够为10nm～200nm左右。
在反射层24和波长变换基板21之间形成有粘合层23。粘合层23与反射层24的粘合强度比反射层24与波长变换基板21的粘合强度高，并且粘合层23与波长变换基板21的粘合强度比反射层24和波长变换基板21的粘合强度高。因此，通过该粘合层23，能够提高反射层24和波长变换基板21的粘合强度。粘合层23只要是能够提高反射层24和波长变换基板21的粘合强度就没有特别限定。粘合层23例如能够通过氧化铝、氧化铬、氧化铜、钛、铬、包括铬的合金等形成。作为包括铬的合金的具体例子，可以举出NiCr合金等。
另外，在粘合层23为氧化铝、氧化铬、氧化铜等的氧化物构成的情况下，粘合层23的厚度例如能够为5nm～500nm左右。粘合层23过薄时，存在不能充分得到粘合强度的提高效果的情况。另一方面，粘合层23过厚时，存在由于膜应力增加而产生剥离的情况。特别是，在氧化铬、氧化铜的情况下，粘合层23过厚时，存在粘合层23的光吸收过大，反射光的强度降低的情况。
粘合层23为钛、铬、包括铬的合金等的金属或合金构成的情况下，粘合层23的厚度例如优选为10nm以下。粘合层23过厚时，存在粘合层23的光吸收过大，反射光的强度降低的情况。另一方面，粘合层23过薄时，存在不能充分得到粘合强度提高效果的情况。因此，粘合层23由钛、铬、包括铬的合金等的金属或合金构成的情况下，粘合层23的厚度优选为例如0.1nm以上。
此外，使用粘合强度高的Al作为反射层24使用的情况下，也可以不在反射层（Al）和波长变换基板21之间形成粘合层23。
在反射层24上隔着阻挡层25叠层有Au或包括Au的合金或者Sn 或包括Sn的合金构成的、焊料润湿性高的焊接固定层26。并且，焊接固定层26通过Sn合金等的各种焊料形成的焊接层13接合在筐体12上。在此，焊接固定层26为用于提高焊接层13的接合强度的层。焊接固定层26的厚度例如能够为100nm～500nm左右。焊接固定层26的厚度过薄时，存在润湿性降低的情况。另一方面，焊接固定层26的厚度过厚时，存在生产性降低的情况。
阻挡层25由Ni、NiCr合金构成的NiCr合金层、Pt构成的Pt层、Pd构成的Pd层构成。该阻挡层25在通过焊料接合时，能够有效抑制因焊料损伤反射层24。阻挡层25的厚度例如能够为100nm～2000nm左右。阻挡层25的厚度过薄时，存在无法得到充分的阻挡效果，反射层24受损的情况。另一方面，阻挡层25的厚度过厚时，存在由于膜应力在焊接固定层26上产生割裂的情况。
此外，阻挡层25由NiCr合金形成的情况下，Ni和Cr的摩尔比（Ni/Cr）能够为50以上且100以下。
如上说明，本实施方式中，设置由金属或合金构成的反射层24。因此，即使根据以下的实施例和比较例也被证实，能够有效抑制光源1的使用中的合成光L3的强度降低。得到该结果的理由被认为是：由于在第二主面上形成由金属或者合金构成的热传导率高的反射层24，由此能够抑制伴随着波长变换基板21的温度上升的热淬火。特别是，在本实施方式中，在反射层24上形成有由金属或者合金构成的热传导率高的阻挡层25、焊接固定层26和焊接层13。因此，散热性更高，能够进一步有效抑制波长变换基板21的温度上升带来的热淬火。
此外，从进一步抑制热淬火的观点出发，筐体12优选由金属或者合金等的热传导率高的材料构成。也可以代替焊接层13，设置例如由无机粘合剂的固化物构成的无机粘合层。这种情况下，不是必须设置阻挡层25和焊接固定层26。
本实施方式的发明效果，认为不论发光元件10的种类都能够得到，但是，使用高输出的LED或激光元件等的容易发热的半导体发光元件10，波长变换基板21的温度容易上升的情况下更能够得到显著效果。
该波长变换基板21的第二主面21b上形成有金属或者合金构成的 光透过率较低的反射层24可以通过波长变换元件20不是透过型而为反射型来首次实现。
上述实施方式中，对波长变换基板21由玻璃和无机荧光体粉末这种无机材料构成的情况进行了说明。但是，本发明不限于此。例如，可以使用有机材料构成的荧光体粉末，也可以使荧光体粉末的分散介质为陶瓷或有机树脂。
上述实施方式中，以使用分色镜11取出合成光L3为例进行了说明。但是，本发明不限于此。例如，也可以配置为使发光元件10相对于波长变换基板21斜着射入激发光L0，以不使用分色镜11的方式构成光源。
以下，对实施本发明的优选实施方式的其他例子和变形例进行说明。以下说明中，具有与上述实施方式实质上相同功能的部件使用共同的符号，并省略说明。
（变形例）
图4为本变形例的光源的模式图。如图4所示，本变形例中，筐体12的表面12a上形成有凹部12b。波长变换元件20配置在该凹部12b内。波长变换元件20的表面20a与筐体12的表面12a为同一面。由此，本变形例中，波长变换元件20的侧面通过筐体12覆盖。因此，能够抑制来自波长变换元件20的侧面的光的射出。由此，能够提高从波长变换元件20的表面20a射出的光的强度。因此，能够提高射出光L3的强度。
（第二实施方式）
图5为第二实施方式的液晶用背光单元的模式图。本实施方式的液晶用背光单元2，用作液晶显示装置的背光单元。
液晶用背光单元2具备光源1a和导光体30。光源1a具有发光元件10、分色镜11、通过焊接层13安装在筐体12上的波长变换元件20。从光源10射出的激发光L0，通过分色镜11导入波长变换元件20。另一方面，作为荧光和反射光的合成光的光L3，透过分色镜11。透过分色镜11的光L3从导光体30的侧面30a射入。射入导光体30的光，在导光体30内被导光，从主面30b作为面状光L4射出。
本实施方式中，设置有金属或合金构成的反射层。因此，能够有效抑制液晶用背光单元2的使用中的合成光L3的强度降低。
（第三和第四实施方式）
图6为第三实施方式的液晶用背光单元的模式图。图7为第四实施方式的液晶用背光单元的模式图。
第三和第四实施方式的液晶用背光单元2a、2b与上述第二实施方式的液晶用背光单元2仅在光源的构成上不同。如图6和图7所示，第三和第四实施方式中使用的光源1b、1c没有分色镜11。第三和第四实施方式中，配置有发光元件10和波长变换元件20，使得来自发光元件10的射出光L0直接射入波长变换元件20，从波长变换元件20射出的光L3直接射入导光体30的侧面30a。
以下，对于本发明，基于具体的实施例，进一步详细说明，但是本发明不受以下的实施例的任何限定，在不改变其主旨的范围内能够适当进行变更。
（实施例）
首先，对于85质量%的硼硅酸类玻璃构成的玻璃粉末，添加15质量%的CaS:Ce3+的荧光体粉末，混合后进行烧制，制作厚度0.2mm的波长变换基板。
接着，在制作的波长变换基板的一个表面上形成低折射率层由氧化硅构成、高折射率层由氧化钽构成的厚度为250nm的反射抑制层。
进而，在形成反射抑制层的相反侧的表面以厚度为134nm的方式形成氧化铝的粘合层，之后，在粘合层上以厚度为200nm的方式形成Ag构成的反射层。接着，反射层上，以厚度500nm的方式形成NiCr合金构成的阻挡层，之后，在阻挡层上以厚度300nm的方式形成Au构成的焊接固定层，制作波长变换元件（反射型）。
使用焊料将已制作的波长变换元件和金属构成的筐体接合之后，以对形成了反射抑制层一侧的表面照射光的方式对配置有波长变换元件的部件连续30分钟照射在电流30mA下操作的激光（波长440nm～450nm），对利用照射刚开始和从照射开始30分钟后的波长变换基板变换出的光的强度进行测定，评价伴随时间经过的发光强度的降低量。 此外，通过目测，确认是否破损。其结果，本实施方式中的波长变换元件的发光强度的降低量为15%，较小。此外，确认波长变换元件和其周边没有破损。
（比较例）
对于通过与实施例相同的方法制作的波长变换元件，以在形成有反射抑制层一侧的表面照射光的方式在使用环氧树脂与筐体粘合之后，进行与实施例相同的评价。其结果，从照射开始大约20分钟后波长变换元件产生破损。
符号说明
1、1a～1c 光源
2、2a、2b 液晶用背光单元
10 发光元件
11 分色镜
12 筐体
12a 筐体的表面
12b 凹部
13 焊接层
20波长变换元件
20a 波长变换元件的表面
21 波长变换基板
21a 第一主面
21b 第二主面
22 反射抑制层
22H 高折射率层
22L 低折射率层
23 粘合层
24 反射层
25 阻挡层
26 焊接固定层
30 导光体
30a 导光体的侧面
30b 导光体的主面 。
Claims (14)
1.一种波长变换部件，其特征在于，包括：
波长变换基板，其在激发光射入时，吸收所述激发光的一部分，发出与所述激发光波长不同的光；和
反射层，其配置在所述波长变换基板的一个表面上，包括金属或合金。
2.如权利要求1所述的波长变换元件，其特征在于：
还包括反射抑制层，其形成在所述波长变换基板的另一个表面上，抑制要从所述波长变换基板的另一个表面射入的光的反射。
3.如权利要求2所述的波长变换元件，其特征在于：
所述反射抑制层通过将折射率相对低的低折射率层和折射率相对高的高折射率层交替叠层而成的叠层体形成。
4.如权利要求1～3中任一项所述的波长变换元件，其特征在于：
所述反射层含有：选自包括Ag、Al、Au、Pd和Ti的组中的金属、或者包含选自包括Ag、Al、Au、Pd和Ti的组中的至少一种金属的合金。
5.如权利要求1～4中任一项所述的波长变换元件，其特征在于：
还包括粘合层，其形成于所述反射层和所述波长变换基板之间，提高所述反射层和所述波长变换基板之间的粘合强度。
6.如权利要求5所述的波长变换元件，其特征在于：
所述粘合层含有氧化铝、氧化铬、氧化铜、钛、铬或包含铬的合金。
7.如权利要求1～6中任一项所述的波长变换元件，其特征在于：
还包括形成于所述反射层上的焊接固定层。
8.如权利要求7所述的波长变换元件，其特征在于：
所述焊接固定层含有Au或包含Au的合金、Sn或包含Sn的合金、In或包含In的合金、Pb或包含Pb的合金、Al或包含Al的合金、或者Ag或包含Ag的合金。
9.如权利要求7或8所述的波长变换元件，其特征在于：
还包括阻挡层，其形成于焊接固定层和反射层之间，含有Ni、NiCr合金、Pt或Pd。
10.如权利要求1～9中任一项所述的波长变换元件，其特征在于：
所述波长变换基板包括分散有无机荧光体粉末的玻璃或陶瓷。
11.一种光源，其特征在于，包括：
权利要求1～10中任一项所述的波长变换元件；和
对所述波长变换基板的另一个表面射出所述激发光的发光元件。
12.如权利要求11所述的光源，其特征在于：
所述发光元件包括半导体发光元件。
13.如权利要求11或12所述的光源，其特征在于：
所述波长变换元件还具有焊接固定层，该焊接固定层形成于所述反射层上，含有Au或包含Au的合金、或者Sn或包含Sn的合金，
所述光源还包括：
筐体；和
将所述筐体和所述波长变换基板的焊接固定层接合的焊接层。
14.一种液晶用背光单元，其特征在于，包括：
权利要求11～13中任一项所述的光源；和
导光体，其具有主面和侧面，并由所述侧面接受来自所述波长变换元件的光，从所述主面射出面状光。
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107678238A (zh) * | 2017-10-27 | 2018-02-09 | 扬州吉新光电有限公司 | 一种波长转换装置及其制造方法 |
| CN109388006A (zh) * | 2017-08-03 | 2019-02-26 | 精工爱普生株式会社 | 波长转换元件、光源装置及投影仪 |
| CN109523908A (zh) * | 2017-09-19 | 2019-03-26 | 群创光电股份有限公司 | 显示装置 |
| CN109891309A (zh) * | 2016-11-07 | 2019-06-14 | 东丽株式会社 | 光源单元 |
| CN113130722A (zh) * | 2015-09-25 | 2021-07-16 | 美题隆公司 | 利用通过焊接附着的磷光体元件的高光功率的光转换装置 |
| CN114096782A (zh) * | 2019-07-16 | 2022-02-25 | 日本特殊陶业株式会社 | 钎焊用波长转换构件、波长转换装置和光源装置 |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9355986B2 (en) * | 2012-02-14 | 2016-05-31 | Mitsubishi Materials Corporation | Solder joint structure, power module, power module substrate with heat sink and method of manufacturing the same, and paste for forming solder base layer |
| KR101964418B1 (ko) * | 2012-07-02 | 2019-04-01 | 엘지이노텍 주식회사 | 형광체 조성물 및 이를 포함하는 조명 장치 |
| ES2660252T3 (es) * | 2012-08-02 | 2018-03-21 | Nichia Corporation | Dispositivo de conversión de longitud de onda |
| DE102013013296B4 (de) * | 2013-08-12 | 2020-08-06 | Schott Ag | Konverter-Kühlkörperverbund mit metallischer Lotverbindung und Verfahren zu dessen Herstellung |
| KR102126277B1 (ko) * | 2013-12-27 | 2020-06-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 백라이트 어셈블리 및 이를 포함하는 표시 장치 |
| JP6540050B2 (ja) * | 2014-04-09 | 2019-07-10 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| CN105322433B (zh) * | 2014-05-28 | 2020-02-04 | 深圳光峰科技股份有限公司 | 波长转换装置及其相关发光装置 |
| US9696013B2 (en) | 2014-09-05 | 2017-07-04 | Delta Electronics, Inc. | Illumination system multi-layered wavelength-converting device |
| JP6365184B2 (ja) | 2014-09-26 | 2018-08-01 | 日亜化学工業株式会社 | 液晶表示装置用バックライトユニット及びこれを用いた液晶表示装置 |
| EP3009875B1 (en) * | 2014-10-13 | 2020-04-01 | Delta Electronics, Inc. | Optical wavelength-converting device and illumination system using same |
| JP6371201B2 (ja) * | 2014-11-18 | 2018-08-08 | スタンレー電気株式会社 | 発光モジュール及びそれを用いた発光装置 |
| DE102015101330A1 (de) * | 2015-01-29 | 2016-08-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Vorrichtung zur Konversion der Wellenlänge einer elektromagnetischen Strahlung |
| CN104752453B (zh) * | 2015-03-30 | 2017-09-19 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种发光装置及液晶显示装置 |
| JP6536212B2 (ja) * | 2015-06-23 | 2019-07-03 | セイコーエプソン株式会社 | 波長変換素子、光源装置およびプロジェクター |
| WO2017029255A2 (de) * | 2015-08-17 | 2017-02-23 | Schott Ag | Verfahren zur justierung eines auf einem optischen konverter erzeugten leuchtflecks, vorrichtung mit leuchtfleck und deren verwendung sowie konverter-kühlkörperverbund mit metallischer lotverbindung |
| US20200271282A1 (en) * | 2015-12-24 | 2020-08-27 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Light-emitting element and illumination device |
| JP2016194697A (ja) * | 2016-05-10 | 2016-11-17 | ウシオ電機株式会社 | 蛍光光源装置 |
| EP3508892B1 (en) * | 2016-08-30 | 2022-08-03 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Color conversion element and lighting device |
| JP6754946B2 (ja) * | 2016-09-09 | 2020-09-16 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 波長変換部材、プロジェクタおよび照明装置 |
| EP3614045B1 (en) * | 2018-08-20 | 2021-11-03 | Nichia Corporation | Fluorescent module and illumination device |
| EP4001752A4 (en) * | 2019-07-16 | 2023-12-06 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | WAVELENGTH CONVERSION ELEMENT, LIGHT SOURCE DEVICE AND METHOD OF MAKING WAVELENGTH CONVERSION ELEMENT |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005347263A (ja) * | 2004-06-04 | 2005-12-15 | Lumileds Lighting Us Llc | 照明装置における離間した波長変換 |
| CN1997852A (zh) * | 2004-07-16 | 2007-07-11 | 弗兰霍菲尔运输应用研究公司 | 后表面反射镜 |
| JP2007207615A (ja) * | 2006-02-02 | 2007-08-16 | Mitsubishi Electric Corp | 面状光源装置およびこの面状光源装置を用いた表示装置 |
| JP2009128543A (ja) * | 2007-11-21 | 2009-06-11 | Panasonic Corp | 反射防止構造体の製造方法 |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55163527A (en) * | 1979-06-05 | 1980-12-19 | Canon Inc | Optical system |
| JPH0470740A (ja) * | 1990-07-12 | 1992-03-05 | Fujitsu Ltd | Ｘ線画像変換シート |
| AU6273098A (en) * | 1997-02-11 | 1998-08-26 | Mcdonnell Douglas Corporation | Reflector and associated light assembly |
| JPH10177896A (ja) * | 1998-01-05 | 1998-06-30 | Hitachi Ltd | 有機発光素子 |
| FR2835065B1 (fr) * | 2002-01-22 | 2004-04-02 | Centre Nat Rech Scient | Composant a absorbant saturable et procede de fabrication de composant a absorbant saturable |
| JP2004252384A (ja) * | 2003-02-21 | 2004-09-09 | Mitsui Chemicals Inc | 反射シート |
| JP4362696B2 (ja) * | 2003-03-26 | 2009-11-11 | ソニー株式会社 | 発光素子およびその製造方法、ならびに表示装置 |
| JP4622253B2 (ja) | 2004-01-22 | 2011-02-02 | 日亜化学工業株式会社 | 発光デバイス及びその製造方法 |
| US20080252862A1 (en) * | 2004-11-02 | 2008-10-16 | Kyocera Chemical Corporation | Light Reflector, Method for Manufacturing the Same and Projector |
| JP4770199B2 (ja) * | 2005-03-01 | 2011-09-14 | パナソニック電工株式会社 | 照明光源、照明装置、及び表示装置 |
| US7703945B2 (en) * | 2006-06-27 | 2010-04-27 | Cree, Inc. | Efficient emitting LED package and method for efficiently emitting light |
| DE102007046519A1 (de) * | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Dünnfilm-LED mit einer Spiegelschicht und Verfahren zu deren Herstellung |
| GB0801509D0 (en) * | 2008-01-28 | 2008-03-05 | Photonstar Led Ltd | Light emitting system with optically transparent thermally conductive element |
| JP2010004035A (ja) * | 2008-05-22 | 2010-01-07 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体発光装置、照明装置、および画像表示装置 |
| KR100974776B1 (ko) * | 2009-02-10 | 2010-08-06 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
| JP2010278355A (ja) * | 2009-05-29 | 2010-12-09 | Fujifilm Corp | 発光デバイス |
| US8556437B2 (en) * | 2009-12-17 | 2013-10-15 | Stanley Electric Co., Ltd. | Semiconductor light source apparatus and lighting unit |
-
2011
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- 2011-07-11 TW TW100124415A patent/TWI616710B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005347263A (ja) * | 2004-06-04 | 2005-12-15 | Lumileds Lighting Us Llc | 照明装置における離間した波長変換 |
| CN1997852A (zh) * | 2004-07-16 | 2007-07-11 | 弗兰霍菲尔运输应用研究公司 | 后表面反射镜 |
| JP2007207615A (ja) * | 2006-02-02 | 2007-08-16 | Mitsubishi Electric Corp | 面状光源装置およびこの面状光源装置を用いた表示装置 |
| JP2009128543A (ja) * | 2007-11-21 | 2009-06-11 | Panasonic Corp | 反射防止構造体の製造方法 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113130722A (zh) * | 2015-09-25 | 2021-07-16 | 美题隆公司 | 利用通过焊接附着的磷光体元件的高光功率的光转换装置 |
| CN109891309A (zh) * | 2016-11-07 | 2019-06-14 | 东丽株式会社 | 光源单元 |
| CN109388006A (zh) * | 2017-08-03 | 2019-02-26 | 精工爱普生株式会社 | 波长转换元件、光源装置及投影仪 |
| CN109388006B (zh) * | 2017-08-03 | 2021-07-20 | 精工爱普生株式会社 | 波长转换元件、光源装置及投影仪 |
| CN109523908A (zh) * | 2017-09-19 | 2019-03-26 | 群创光电股份有限公司 | 显示装置 |
| CN107678238A (zh) * | 2017-10-27 | 2018-02-09 | 扬州吉新光电有限公司 | 一种波长转换装置及其制造方法 |
| CN114096782A (zh) * | 2019-07-16 | 2022-02-25 | 日本特殊陶业株式会社 | 钎焊用波长转换构件、波长转换装置和光源装置 |
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