CN109523908A

CN109523908A - 显示装置

Info

Publication number: CN109523908A
Application number: CN201710847709.9A
Authority: CN
Inventors: 黄馨毅; 林俊旭; 谢明峰
Original assignee: Innolux Display Corp
Current assignee: Innolux Corp
Priority date: 2017-09-19
Filing date: 2017-09-19
Publication date: 2019-03-26
Also published as: US20190088186A1

Abstract

一种显示装置。显示装置包括一显示面板以及一背光模块，背光模块对应显示面板设置。背光模块发出一背光，背光具有一背光频谱，背光频谱包括一第一波段及一第二波段。第一波段的波长范围是介于380纳米至480纳米，且第一波段具有一第一积分光强度I(B)(integrated light intensity)。第二波段的波长范围是介于481纳米至600纳米，且第二波段的一子波段的波长范围是介于550纳米至600纳米。子波段具有一局部积分光强度I(G’)，且局部积分光强度相对于第一积分光强度的一比例I(G’)/I(B)是介于5％至35％。

Description

显示装置

技术领域

本发明是有关于一种显示装置，且特别是有关于一种具有广色域背光模块的显示装置。

背景技术

追求人眼视觉的广色域(wide color gamut)显示器为近年来显示科技发展的重要一环。要达到广色域显示效果可能需符合高颜色饱和度、高对比度或高颜色解析度等条件。其中对于高色饱和度通常可以透过光阻或背光模块的改良设计着手来获得。相较于改良背光模块，光阻的开发成本相对高，且光阻材料搭配性及于制程设计上的限制较多，而背光模块的研发可塑性高，其材料选用也较为多样化，是目前各家显示器公司竞争的重点之一。

目前市面上常见的广色域背光模块的发光材料虽然在NTSC面积比规范已能到达100％以上的效果，但相对于国际电信联盟(International Telecommunication Union(ITU))订定的规范Rec.2020，却还有很大的进步空间；采用含镉(Cd)的量子点光转换材料膜虽能达到较高的Rec.2020，但含镉材料另有环保的疑虑，价格也较为昂贵，故对于兼顾环保又须达到广色域背光模块已成为近年来探讨的课题。

发明内容

本发明是有关于具广色域背光模块的一种显示装置。根据本发明的实施例，显示装置的背光模块所发出的背光具有一背光频谱，背光频谱中，波长范围介于550纳米至600纳米的波段的积分光强度相对于波长范围介于380纳米至480纳米的波段的积分光强度的比例是介于5至35％间，透过将背光频谱如上述波段的积分光强度比例设计，可以将背光频谱的光源半高宽变窄、提高色域覆盖率，或达到广色域的效果。

根据本发明的一实施例，是提出一种显示装置。显示装置包括一显示面板以及一背光模块，背光模块对应显示面板设置。背光模块发出一背光，背光具有一背光频谱，背光频谱包括一第一波段及一第二波段。第一波段的波长范围是介于380纳米至480纳米，且第一波段具有一第一积分光强度I(B)(integrated light intensity)。第二波段的波长范围是介于481纳米至600纳米，且第二波段的一子波段的波长范围是介于550纳米至600纳米。子波段具有一局部积分光强度I(G’)，且局部积分光强度相对于第一积分光强度的一比例I(G’)/I(B)是介于5至35％间。

根据本发明的另一实施例，是提出一种显示装置。显示装置包括一显示面板以及一背光模块，背光模块对应显示面板设置。背光模块包括一背光源及一光转换元件，光转换元件邻近于背光源设置。光转换元件包括至少一有机荧光材料，有机荧光材料的吸收波长范围介于550纳米至600纳米，且有机荧光材料的发光波长为介于640纳米至650纳米。背光源发出一光线，光线于进入光转换元件前具有一第一频谱，光线通过光转换元件后具有一第二频谱，第二频谱于550纳米至600纳米波段范围的积分光强度小于第一频谱于550纳米至600纳米波段范围的积分光强度，且第二频谱于640纳米至650纳米波段范围的积分光强度大于第一频谱于640纳米至650纳米波段范围的积分光强度。

附图说明

为让本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本发明的具体实施方式作详细说明，其中：

图1绘示根据本发明一实施例的显示装置的背光模块发出的背光的背光频谱。

图2绘示根据本发明一实施例的显示装置的示意图。

图3绘示根据本发明一实施例的发光频谱的示意图。

图4～5绘示根据本发明一些实施例的显示装置的示意图。

图6～11绘示根据本发明一些实施例的背光源和光转换元件的配置示意图。

图12～14绘示根据本发明另一些实施例的显示装置的示意图。

图15绘示根据本发明一实施例的背光模块的示意图。

符号说明：

1、2、3、4、5、6：显示装置

10：背光频谱

11：显示面板

12、12A：背光模块

13：背光源

14：光转换元件

15：有机荧光材料

16：树脂层

17：蓝色发光二极管芯片

18：绿色发光材料

19：棱镜片

21：增亮片

22：基板

23：绿色发光二极管芯片

24：黄色发光材料

25：紫外光发光二极管芯片

26：蓝色发光材料

27：透镜

28：反射结构

29：导光板

100：第一波段

100P、200P、300P、L1-GP、L2-GP：波峰

200：第二波段

200-1P、200-2P、300-1P、300-2P：点

200C：第二波段中心点

210：子波段

300：第三波段

400：第四波段

500：第五波段

D1：差值

I1：第一波峰强度

I2：第二波峰强度

I3：第三波峰强度

I(B)：第一积分光强度

I(G’)：局部积分光强度

I(L1)、I(L2)、I(L3)、I(L4)：积分光强度

L：光线

L1：第一频谱

L2：第二频谱

W1、W2、W3、W4、W5：半高宽

W2-1、W3-1：短波长侧半高宽

W2-2、W3-2：长波长侧半高宽

Y：光强度轴

λ1：第一波长

λ2：第二波长

λ3：第三波长

λ4：第四波长

λ5：第五波长

具体实施方式

根据本发明的实施例，显示装置的背光模块发出的背光的背光频谱中，波长范围介于550纳米至600纳米的波段的积分光强度相对于波长范围介于380纳米至480纳米的波段的积分光强度的比例是介于5％至35％，透过将背光频谱如上述比例设计，可以将背光频谱的光源半高宽变窄，或提高色域覆盖率，达到广色域效果。

以下是参照附图详细叙述本发明的实施例。图中相同的标号是用以标示相同或类似的部分。需注意的是，图是已简化以利清楚说明实施例之内容，实施例所提出的细部结构仅为举例说明之用，并非对本发明欲保护的范围做限缩。本领域技术人员当可依据实际实施态样的需要对该些结构加以修饰或变化。此外，当某层在其它层或基板「上」时，有可能是指某层「直接」在其它层或基板上，或指某层「间接」在其它层或基板上，也就是某层和其它层或基板之间夹设其它层。当某层与其它层或基板「接触」时，有可能是指某层「直接接触」其它层或基板，或指某层「间接接触」其它层或基板，即某层与其它层或基板之间夹设其它层。再者，说明书与权利要求中所使用的序数例如“第一”、“第二”、“第三”等的用词，以修饰权利要求的元件，其本身并不意含及代表该请求元件有任何之前的序数，也不代表某一请求元件与另一请求元件的顺序、或是制造方法上的顺序，该些序数的使用仅用来使具有某命名的一请求元件得以和另一具有相同命名的请求元件能作出清楚区分。

图1绘示根据本发明一实施例的显示装置的背光模块发出的背光的背光频谱。显示装置包括一显示面板以及一背光模块，背光模块对应显示面板设置。背光模块发出一背光，背光具有一背光频谱10，背光频谱10包括一第一波段100及一第二波段200。第一波段100的波长范围是介于380纳米至480纳米，且第一波段100具有一第一积分光强度I(B)(integrated light intensity)。第二波段200的波长范围是介于481纳米至600纳米，且第二波段200的一子波段210的波长范围是介于550纳米至600纳米。第二波段200的子波段210具有一局部积分光强度I(G’)，且局部积分光强度I(G’)相对于第一积分光强度I(B)的一比例I(G’)/I(B)是介于5％至35％。

根据本发明的实施例，第一波段100例如是蓝光波段，第二波段200例如是绿光波段，而第二波段200的子波段210例如是黄绿光波段。根据本发明的实施例的背光频谱10的设计，黄绿光波段的积分光强度相对于蓝光波段的积分光强度的比例是介于5％至35％，可以提高色域覆盖率，或达到较佳的广色域效果。举例而言，根据本发明的实施例的背光频谱10，可以达到Rec.2020规范的覆盖率85％以上，甚至可以达到Rec.2020规范的覆盖率90％以上。

另外，由于人眼对于波长范围为550纳米至600纳米(也就是前述子波段210)的黄绿色光线较为敏感，当此波段的光线强度非常小或几乎无强度时，可能会导致人眼感觉到色偏的目视结果，例如会使得原本应须呈现红色的区域产生偏紫色的目视感觉，比如说当黄色消失时，其黄色的对比色蓝色相对会显得更为明显，可能导致偏紫色的目视感觉；根据本发明的实施例，局部积分光强度I(G’)(黄绿光)相对于第一积分光强度I(B)(蓝光)的比例I(G’)/I(B)，I(G’)/I(B)至少等于或大于5％(5％≦I(G’)/I(B))，可以避免前述的视觉色偏效果，改善目视颜色品味不佳的问题。

一些实施例中，局部积分光强度I(G’)相对于第一积分光强度I(B)的比例I(G’)/I(B)例如是介于5％至17％(5％≦I(G’)/I(B)≦17％)，此范围可以提高Rec.2020规范的覆盖率，或提高色饱和度。

一些实施例中，局部积分光强度I(G’)相对于第一积分光强度I(B)的比例I(G’)/I(B)例如是介于18％至35％(18％≦I(G’)/I(B)≦35％)，可以提高背光的亮度，或达到符合所需的色饱和度。

如图1所示，第一波段100的一波峰100P相对应一第一波长λ1，第一波长λ1可以约介于445纳米至455纳米。一实施例中，第一波长λ1例如是450纳米。

实施例中，第一波段100的半高宽W1例如是介于16纳米至22纳米(16纳米≦半高宽W1≦22纳米)。

如图1所示，第二波段200的一波峰200P相对应一第二波长λ2，第二波长λ2是介于515纳米至545纳米(515纳米≦第二波长λ2≦545纳米)。一些实施例中，第二波长λ2例如是介于520纳米至540纳米(520纳米≦第二波长λ2≦540纳米)。

实施例中，波峰100P的第一波长λ1和波峰200P的第二波长λ2的差值大约介于66纳米至97纳米(66纳米≦第二波长λ2-第一波长λ1≦97纳米)。

一些实施例中，如图1所示，第二波段200的波形可以具有不对称形状，第二波段200的波峰200P相对应一第二波长λ2，第二波长λ2可是介于515纳米至545纳米(515纳米≦第二波长λ2≦545纳米)，第二波段200具有一第二波段中心点200C，第二波段中心点200C与第二波长λ2间有一差值D1，差值D1可约是介于3纳米至8纳米(3纳米≦差值D1≦8纳米)，其中第二波长λ2相对小于第二波段中心点200C，且第二波长λ2相对第二波段中心点200C更向短波长方向偏移。实施例中，第二波段中心点200C例如是第二波段200的波长范围的中间值，由于第二波段200的波长范围是介于481纳米至600纳米，第二波段中心点200C可例如是位于波长540纳米处。

实施例中，第二波段200具有一半高宽W2，半高宽W2定义为以波峰200P具有一光强度(第二波峰强度I2)，于背光频谱的光强度轴Y的I2/2光强度下，可与第二波段200对应、相交到两个点，一个点200-1P接近短波处，一个点200-2P接近长波处，点200-1P与点200-2P的波长距离定义为半高宽W2。第二波段200的半高宽W2可例如是介于36纳米至49纳米(36纳米≦半高宽W2≦49纳米)。根据本发明的实施例，第二波段200例如是绿光波段，透过将绿光波段的半高宽W2设计介于36纳米至49纳米，可以降低绿色波段与红色波段重叠的区域的光强度、提升绿色和红色的颜色饱和度，或提高色域覆盖率。

由于波峰200P向短波长方向偏移而使第二波段200的波形具有不对称形状，举例以波峰200P作为分段点，第二波段200的半高宽W2，半高宽W2可以分为短波长侧半高宽W2-1和长波长侧半高宽W2-2两部分，短波长侧半高宽W2-1可例如小于长波长侧半高宽W2-2。一些实施例中，短波长侧半高宽W2-1与长波长侧半高宽W2-2的差值绝对值可例如介于3纳米至4纳米(3纳米≦|W2-2-W2-1|≦4纳米)；一些实施例中，短波长侧半高宽W2-1和长波长侧半高宽W2-2的差值的绝对值可例如介于7纳米至8纳米(7纳米≦|W2-2-W2-1|≦8纳米)。

实施例中，第一波段100的波峰100P具有一第一波峰强度I1，第二波段200的波峰200P具有一第二波峰强度I2，第二波峰强度I2相对于第一波峰强度I1的比例例如介于25％至70％(25％≦I2/I1≦70％)。

如图1所示，显示装置1的背光频谱10更可包括一第三波段300，第三波段300的波长范围是介于601纳米至780纳米。第三波段300的一波峰300P相对应一第三波长λ3，第三波长λ3是介于630纳米至660纳米(630纳米≦第三波长λ3≦660纳米)。一些实施例中，第三波长λ3例如是介于635纳米至650纳米(635纳米≦第三波长λ3≦650纳米)。一些实施例中，第三波长λ3例如是介于642纳米至645纳米(642纳米≦第三波长λ3≦645纳米)。

实施例中，波峰300P的第三波长λ3和波峰100P的第一波长λ1的差值介于194纳米至204纳米(194纳米≦第三波长λ3-第一波长λ1≦204纳米)。实施例中，波峰300P的第三波长λ3和波峰200P的第二波长λ2的差值可介于102纳米至123纳米(102纳米≦第三波长λ3-第二波长λ2≦123纳米)。

实施例中，第三波段300具有一半高宽W3，半高宽W3定义为以波峰300P具有一光强度(第三波峰强度I3)，于背光频谱的光强度轴Y的I3/2光强度下，可与第三波段300对应、相交到两个点，一个点300-1P接近短波处，一个点300-2P接近长波处，点300-1P与点300-2P的波长距离定义为半高宽W3。第三波段300的半高宽W3例如是介于30纳米至60纳米(30纳米≦半高宽W3≦60纳米)。

由于波峰300P向短波长方向偏移而使第三波段300的波形具有不对称形状，因此以波峰300P为分段点，第三波段300的半高宽W3可以分为短波长侧半高宽W3-1和长波长侧半高宽W3-2，短波长侧半高宽W3-1比如小于长波长侧半高宽W3-2。一些实施例中，长波长侧半高宽W3-2与短波长侧半高宽W3-1的绝对值差值可介于3纳米至4纳米间(3纳米≦|W3-2-W3-1|≦4纳米)。

实施例中，第三波段300的波峰300P具有一第三波峰强度I3，第三波峰强度I3相对于第一波峰强度I1的比例I3/I1例如是介于30％至70％(30％≦I3/I1≦70％)。

实施例中，第三波峰强度I3相对于第二波峰强度I2的比例I3/I2例如是介于89％至140％(89％≦I3/I2≦140％)。

本发明的实施例的背光频谱10可以经由多种方式设计、实施而完成，例如可以选用具有上述两种或三种预定蓝、绿、红色等发光波长范围的发光二极管相互搭配而完成。于其他实施例，例如选用具有上述两种或三种的预定发光波长范围的发光材料(或者是光转换材料)搭配发光二极管(比如蓝色发光二极管、黄色发光二极管或是UV光二极管)而完成。于其他实施例，例如选用多个具有吸收特定波长范围光线并发出特定波长范围光线的光转换材料，搭配发光二极管(比如蓝色发光二极管、黄色发光二极管或是UV光二极管)组合而完成。借由上述可能的实施方式做适当的搭配组合，使背光模块可发出具有如上述所提到的背光频谱的背光，但本发明不只限于使用上述的方法。背光频谱10可以例如使用CS-2000Spectroradiometer或其它适合常规用于量测频谱的仪器进行量测。举例来说，将背光模块点亮，约预热10～15分钟后待背光源稳定，将整面背光模块依九宫格方式区分成九等份，每一等份各量测3次后其取平均值，再将九个等份的量测频谱数据取平均值即可得到背光频谱。此背光模块可以如所述多种方式设计，另外再搭上导光板、BEF(BrightnessEnhancement Film)、DBEF(Dual Brightness Enhancement Film)、XBEF、DDF、或其它不影响频谱的光学膜片做量测，或其任意组合。举例来说，DDF为一低雾度Diffuser，使BLU亮度均匀分布，BEF(Brightness Enhancement Film)为一棱镜片或增亮膜，可利用Snell's Law改变光路方向，使偏折光线至正面视角方向，具集光增亮效果，而所述的量测方法为举例几种可以搭配的方式，但并不以此为限。

以下是列举一些实施例。需注意的是，以下实施例所提出的细部结构仅为举例说明之用，并非对本发明欲保护的范围做限缩。

图2绘示根据本发明一实施例的显示装置的示意图，图3绘示根据本发明一实施例的发光频谱的示意图。本实施例中与前述实施例相同或相似的元件是沿用同样或相似的元件标号，且相同或相似元件的相关说明请参考前述，在此不再赘述。

显示装置1包括一显示面板11以及一背光模块12，背光模块12对应显示面板11设置。背光模块12包括至少一背光源13及一光转换元件14，光转换元件14可邻近于背光源13设置。光转换元件14包括至少一有机荧光材料15，有机荧光材料15的吸收波长范围为介于550纳米至600纳米，且有机荧光材料15的发光波长为约介于640纳米至650纳米。其中背光源13发出一光线L，光线L进入光转换元件14前具有一第一频谱L1，光线L通过光转换元件14后具有一第二频谱L2，如图3所示，第二频谱L2于550纳米至600纳米波段范围的积分光强度I(L2)小于第一频谱L1于550纳米至600纳米波段范围的积分光强度I(L1)，或第二频谱L2于640纳米至650纳米波段范围的积分光强度I(L4)大于第一频谱L1于640纳米至650纳米波段范围的积分光强度I(L3)。

所述光转换元件14可邻近于背光源13设置，比如可以设置于背光源13的上侧、侧面、底面、或是覆盖背光源13上、或是以上位置的任意组合，甚至可以封装置于至少部分背光源13的上表面，在此不做限制。光转换元件14也可例如为将有机荧光材料15混入任意光学膜片(反射片、导光板、BEF、DEBF、扩散片、棱镜片)或其他合适薄膜片中，或以上任意组合，在此不做限制。

如图2所示，背光模块12包括至少一背光源13及一光转换元件14，光转换元件14邻近设置于背光源13，图二举例为波长转换元件14设置于背光源13上，而光转换元件可例如为一薄膜结构，光转换元件14包括一有机荧光材料15，有机荧光材料15的吸收波长范围是介于550纳米至600纳米，或有机荧光材料15的发光波长为约介于640纳米至650纳米。

实施例中，如图3所示，光线L通过光转换元件14之前，第一频谱L1于波长范围介于481纳米至600纳米之间具有一第四波段400，第四波段400的波峰L1-GP具有一第四波长λ4可介于539至543纳米(539纳米≦第四波长λ4≦543纳米)，例如可为541纳米，第四波段400的半高宽W4约介于50纳米至54纳米(50纳米≦半高宽W4≦54纳米)，例如可为52纳米；当光线L通过转换元件14之后，第二频谱L2于波长范围介于481纳米至600纳米之间具有一第五波段500，第五波段500的波峰L2-GP的第五波长λ5约介于528纳米至532纳米(528纳米≦第五波长λ5≦532纳米)，例如可为530纳米，第五波段500的半高宽W5约介于43纳米至47纳米(43纳米≦半高宽W5≦47纳米)，例如可为45纳米。换言之，光线L通过光转换元件14后，其于波长范围介于481纳米至600纳米之间的波段的波峰位置可例如向短波长方向偏移了大约11纳米，或半高宽可以减小约7纳米，比如半高宽W5与半高宽W4差值约介于7纳米至11纳米(7纳米≦W4-W5≦11纳米)。

一些实施例中，第一频谱L1可例如使用一蓝色发光二极管芯片搭配绿色发光二极管芯片所发出的光源频谱。于其他实施例，第一频谱L1可例如使用一蓝色发光二极管芯片搭配绿色发光材料而产生，比如说可以透过蓝色发光二极管芯片激发绿色荧光体(比如为DENKA G200)，或者是蓝色发光二极管芯片搭配绿色量子点材料等等而产生。而第二频谱L2可为所述的发出第一频谱L1的光源经过光转换元件14后所具有的光源频谱。第一频谱L1或第二频谱L2皆可例如前述使用CS-2000Spectroradiometer或其它适合常规用于量测频谱的仪器进行测量得到。

一些实施例中，如图2所示，光转换元件14可包括一树脂层16，有机荧光材料15例如位树脂层16中。

举例而言，如图2所示，背光源13例如是发光二极管，背光源13包括蓝色发光二极管芯片17以及绿色发光材料18，绿色发光材料18可例如是绿色荧光体或是绿色量子点或其组合，在此不做限制。绿色发光材料18可例如为位于背光源13的封装层中。

实施例中，显示装置1的背光模块12更可包括至少一光学膜，设置在光转换元件14上，光学膜例如是扩散片、棱镜片或增亮片。举例而言，如图2所示，显示装置1的背光模块12更可包括棱镜片19或增亮片21，此些光学膜在图二举例为设置在光转换元件14上，但于其他实施例，转换元件14可例如置放于光学膜下，此些光学膜可以适当与转换元件14的上下位置替换，在此并不做限制。

实施例中，如图2所示，显示装置1的背光模块12更可包括一基板22，基板22可例如是硬性电路板或是软性电路板，至少一背光源13设置在基板22上，比如为将背光源13电性焊接于基板22上，在此并不做限制。

图4～5绘示根据本发明一些实施例的显示装置的示意图。本实施例中与前述实施例相同或相似的元件是沿用同样或相似的元件标号，且相同或相似元件的相关说明请参考前述，在此不再赘述。

如图4所示，实施例中，显示装置2的背光模块12中，背光源13可例如是发光二极管，背光源13可包括蓝色发光二极管芯片17以及绿色发光二极管芯片23，光转换元件14邻近于背光源13设置，光转换元件14可包含有机荧光材料15，有机荧光材料15位于树脂层16中。

如图5所示，其他实施例中，显示装置3的背光模块12中，背光源13包括蓝色发光二极管芯片17以及绿色发光二极管芯片23，及光转换元件14，光转换元件14在图5例如为封装于一个发光二极管的上表层，光转换元件14包括树脂层16和位于树脂层16中的有机荧光材料15，也就是说，如上所述的背光源13可以发出白光光源，而光学膜(例如棱镜片19和增亮片21)在图三例如为设置于发光二极管上，在此不做限制。

图6～11绘示根据本发明一些实施例的背光源和光转换元件的配置示意图。本实施例中与前述实施例相同或相似的元件是沿用同样或相似的元件标号，且相同或相似元件的相关说明请参考前述，在此不再赘述。

如图6所示，于一些实施例中，背光源13可包括蓝色发光二极管芯片17、绿色发光材料18，绿色发光材料18例如是绿色荧光体或绿色量子点或其他合适材料，或其任意组合。有机荧光材料15或绿色发光材料18于图6举例为位于发光二极管的封装层中。光转换元件14包括树脂层16和位于树脂层16中的有机荧光材料15，绿色发光材料18也位于树脂层16中。如图6的实施例中，绿色发光材料18的材料层和光转换元件14的堆叠顺序可以依实际材料特性、或是背光源13频谱需求互换，在此不做限制。

如图7所示，于一些实施例中，背光源13可包括蓝色发光二极管芯片17、黄色发光材料24，黄色发光材料24例如是黄色荧光体或其他合适材料，或其任意组合。黄色荧光体于图7举例为位于发光二极管的封装层中。光转换元件14包括树脂层16和位于树脂层16中的有机荧光材料15，黄色发光材料24也位于树脂层16中。如图7的实施例中，黄色发光材料24的材料层和光转换元件14的堆叠顺序可以依实际材料特性、或是背光源13频谱需求互换，在此不做限制。

如图8所示，于一些实施例中，背光源13可包括蓝色发光二极管芯片17、绿色发光二极管芯片23，光转换元件14可例如对应设置于任意的发光二极管芯片23上，光转换元件14包括树脂层16和位于树脂层16中的有机荧光材料15。如图8所示，光转换元件14举例可只设置于绿色发光二极管芯片23上，可以减少蓝光的损失，或使波长转换元件14可以更有效吸收部分绿光，激发出红光，使背光源13可发出白光。

如图9所示，于一些实施例中，背光源13可包括紫外光发光二极管芯片25、蓝色发光材料26、或绿色发光材料18。绿色发光材料18例如是绿色荧光体或绿色量子点或其他合适材料，或其任意组合。蓝色发光材料26例如是蓝色荧光体或蓝色量子点或其他合适材料，或其任意组合。绿色发光材料18或蓝色发光材料26于图9例如可位于发光二极管的封装层中。光转换元件14包括树脂层16和位于树脂层16中的有机荧光材料15，蓝色发光材料26、或绿色发光材料18比如也位于树脂层16中。绿色发光材料18的材料层、蓝色发光材料26的材料层和光转换元件14的堆叠顺序可以依实际材料特性、或是背光源13频谱需求互换，在此不做限制。

如图10所示，于一些实施例中，背光源13可包括一个蓝色发光二极管芯片17或两个绿色发光二极管芯片23。如图10所示，有机荧光材料15比如对应设置于其中一个绿色发光二极管芯片23上方，三个发光二极管芯片具有各自独立的接线可各自单一开关进行点亮，可以减少不同颜色之间的相互混色，可以搭配显示面板的彩色滤光片而提高色饱和度。

本发明的一些实施例中，显示装置的背光模块更可包括一透镜27，透镜27设置于背光源13上，透镜27中可包括有机荧光材料15。

如图11所示，实施例中，背光源13例如包括蓝色发光二极管芯片17或绿色发光二极管芯片23。透镜27中包括有机荧光材料15，有机荧光材料15可例如涂布于透镜27的上表面层上或是分散于整个透镜27中，在此不做限制，透过此方式，可以改变背光源13的发光的频谱，同时也可以让发光更均匀分散。如图11所示的实施例中，类似于前述的实施例，背光源13亦可以包括蓝色发光二极管芯片17以及绿色发光材料(未绘示于本图中)。

一些其他实施例中，如图11所示的背光源13亦可以由上述例如图5～图10所示的包含有机荧光材料15的背光源13作取代，也就是说，图11中的背光源13发出的光线当经过含有机荧光材料15的透镜27时，会再经过一次的有机荧光材料15的转换，可以使背光源13所产生频谱中的绿色波段的半高宽可以再进一步减小。

图12～14绘示根据本发明另一些实施例的显示装置的示意图。本实施例中与前述实施例相同或相似的元件是沿用同样或相似的元件标号，且相同或相似元件的相关说明请参考前述，在此不再赘述。

如图12所示，显示装置4的背光模块12中，光转换元件14可包括树脂层16及位树脂层16中的有机荧光材料15，或绿色发光材料，也就是说，有机荧光材料15及绿色发光材料18可以相互混入于同一层树脂层16中，形成一光转换元件14，此光转换元件14可例如为一膜层结构。于其他实施例中，有机荧光材料15及绿色发光材料18也可以各自混入至不同的树脂层16中，形成各自独立的元件材料(图未示出)，此些独立的元件可例如为薄膜或是混入其他光学膜片中。图12举例为至少一个包括蓝色发光二极管芯片17的背光源13，并将如上述光转换元件14(含有机荧光材料15及绿色发光材料18混入至树脂层16)邻近于背光源13置放。实施例中，绿色发光材料18可例如是绿色量子点或绿色荧光体或其他合适材料，或任意组合。于其他一些实施例，显示装置4更可包括光学膜(例如棱镜片19和增亮片21)设置于背光源13和光转换元件14上，于其他一些实施例，此些光学膜可以适当与转换元件14的上下位置替换，在此不做限制。。

如图13所示，显示装置5的背光模块12中，光转换元件14包括树脂层16及位树脂层16中的有机荧光材料15、蓝色发光材料26或绿色发光材料18，也就是说，有机荧光材料15、蓝色发光材料26或绿色发光材料18可以相互混入树脂层16中，形成一光转换元件14，此光转换元件14可例如为一膜层结构。于其他实施例中，有机荧光材料15、蓝色发光材料26或绿色发光材料18也可以各自混入至不同的树脂层16中，形成各自独立的元件材料(图未示出)，此些独立的元件可例如为薄膜或是混入其他光学膜片中。图13举例为包括紫外光发光二极管芯片25的背光源13，并举例于背光源13上设置如上所述含有机荧光材料15、蓝色发光材料26或绿色发光材料18混入至树脂层16的光转换元件14。实施例中，蓝色发光材料26和绿色发光材料18例如分别是蓝色量子点和绿色量子点或绿色荧光体。如图13所示，显示装置5更可包括光学膜(例如棱镜片19和增亮片21)设置于背光源13和光转换元件14上，于其他一些实施例，此些光学膜可以适当与转换元件14的上下位置替换，在此不做限制。

如图14所示，显示装置6的背光模块12更可包括一反射结构28，有机荧光材料15可混入于反射结构28中。

举例而言，如图14所示，实施例中，背光源13例如包括蓝色发光二极管芯片17及绿色发光二极管芯片23，及光转换元件14，此背光模块12包括如上述背光源13、反射结构28(含有机荧光材料15)。

其他实施例，此含有有机荧光材料15的反射结构28也可涂在背光源13的一底面上(图未示出)，在其他实施例，背光源13亦可以由例如图5～图10所示的已经设置有机荧光材料15的发光二极管所取代，如此一来，背光源13放出的光线可以先经过一次有机荧光材料15、后续再经过反射结构28中的有机荧光材料15，则被反射的光线可经过两次有机荧光材料15的转换，提高光源再吸收的效果，可以使背光模块12所产生频谱中的绿色波段的半高宽可以进一步再减小，增加色饱和度。

图15绘示根据本发明一实施例的背光模块的示意图。本实施例中与前述实施例相同或相似的元件是沿用同样或相似的元件标号，且相同或相似元件的相关说明请参考前述，在此不再赘述。

如图15所示的上视图中，于一些实施例中，背光模块12A可具有导光板29、背光源13和光转换元件14，光转换元件14可设置于导光板29和背光源13之间。实施例中，背光模块12A可例如是侧入式发光二极管的背光模块。

如图15所示，于一些实施例中，背光源13可例如包括蓝色发光二极管芯片17或绿色发光二极管芯片23，光转换元件14可以改变背光源13的发光的频谱。如图15所示的实施例中，类似于前述的实施例，背光源13亦可以包括蓝色发光二极管芯片17以及绿色发光材料(未绘示于本图中)。

一些其他实施例中，如图15所示的背光模块12A中，背光源13亦可以依需求由例如图5～图10所示的已经设置有机荧光材料15的背光源13(发光二极管所取代，在此不做限制，则背光源13发出的光线会可以经过两次有机荧光材料15的转换，提高光源吸收的效果，或最后产生的频谱中的绿色波段的半高宽可以再减小。

虽然本发明已以较佳实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的修改和完善，因此本发明的保护范围当以权利要求书所界定的为准。

Claims

1.一种显示装置，其特征在于，该显示装置包括：

一显示面板；以及

一背光模块，对应该显示面板设置，其中该背光模块发出一背光，该背光具有一背光频谱，该背光频谱包括：

一第一波段，该第一波段的波长范围是介于380纳米至480纳米，该第一波段具有一第一积分光强度I(B)(integrated light intensity)；及

一第二波段，该第二波段的波长范围是介于481纳米至600纳米，其中该第二波段的一子波段的波长范围是介于550纳米至600纳米，该子波段具有一局部积分光强度I(G’)，该局部积分光强度相对于该第一积分光强度的一比例I(G’)/I(B)是介于5％至35％。

2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，该背光频谱更包括一第三波段，该第三波段的波长范围是介于601纳米至780纳米，其中该第一波段的一波峰相对应一第一波长，该第一波长是介于445纳米至455纳米，其中该第二波段的一波峰相对应一第二波长，该第二波长是介于515纳米至545纳米，其中该第三波段的一波峰相对应一第三波长，该第三波长是介于630纳米至660纳米。

3.如权利要求2所述的显示装置，其特征在于，该第二波长更介于520纳米至540纳米。

4.如权利要求2所述的显示装置，其特征在于，该第三波长是介于635纳米至650纳米。

5.如权利要求2所述的显示装置，其特征在于，该第一波段的半高宽是介于16纳米至22纳米，该第二波段的半高宽是介于36纳米至49纳米，该第三波段的半高宽是介于30纳米至60纳米。

6.如权利要求2所述的显示装置，其特征在于，该第一波段的一波峰具有一第一波峰强度I1，该第二波段的一波峰具有一第二波峰强度I2，该第三波段的该波峰具有一第三波峰强度I3，该第二波峰强度相对于该第一波峰强度的一比例I2/I1是介于25％至70％，该第三波峰强度相对于该第一波峰强度的一比例I3/I1是介于30％至70％，该第三波峰强度相对于该第二波峰强度的一比例I3/I2是介于89％至140％。

7.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，第二波段的一波峰相对应一第二波长，该第二波段有一第二波段中心点，该第二波段中心点与该第二波长间有一差值，其中该第二波长小于该第二波段中心点，且该差值是介于3纳米至8纳米。

8.一种显示装置，其特征在于，该显示装置包括：

一显示面板；以及

一背光模块，对应该显示面板设置，其中该背光模块包括：

一背光源；以及

一光转换元件，该光转换元件邻近于背光源设置，其中该光转换元件包括至少一有机荧光材料，该有机荧光材料的吸收波长范围介于550纳米至600纳米，且该有机荧光材料的发光波长介于640纳米至650纳米；

其中该背光源发出一光线，该光线于进入该光转换元件前具有一第一频谱，该光线通过该光转换元件后具有一第二频谱，该第二频谱于550纳米至600纳米波段范围的积分光强度小于该第一频谱于550纳米至600纳米波段范围的积分光强度，且该第二频谱于640至650纳米纳米波段范围的积分光强度大于该第一频谱于640纳米至650纳米波段范围的积分光强度。

9.如权利要求8所述的显示装置，该第一频谱于波长范围介于481纳米至600纳米之间具有一第四波段，该第四波段的半高宽介于50纳米至54纳米，该第二频谱于波长范围介于481纳米至600纳米之间具有一第五波段，该第五波段的半高宽介于43纳米至47纳米。

10.如权利要求8所述的显示装置，其特征在于，该光转换元件包括一树脂层，该至少一有机荧光材料位于该树脂层中。