CN114050117B - 一种集成电路引线框架半蚀刻设备 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及引线框架半蚀刻技术领域,尤其是一种集成电路引线框架半蚀刻设备,包括壳体,壳体两侧固定连通有蓄水箱,蓄水箱内部固定有水泵,水泵的出水端通过导管固定连通有喷洒管,喷洒管固定在壳体内壁之间喷洒管的外壁上固定连通有多个喷头,壳体的内壁两侧对称固定有导轨,导轨内部滑动连接有滑动条,其中一个滑动条的一侧设置有用于驱动滑动条在导轨内部滑动的驱动机构,两个滑动条之间设置有支撑板;本方案通过在蚀刻完成后,通过翻转机构带动引线框架转动,使凹槽内部的蚀刻液被翻转下坠,有利于在蚀刻完成后,及时对引线框架表面的蚀刻液进行清理,防止蚀刻液停留在引线框架表面继续蚀刻,造成蚀刻深度较深的情况发生。
Description
技术领域
本发明涉及引线框架半蚀刻领域,尤其涉及一种集成电路引线框架半蚀刻设备。
背景技术
蚀刻也称光化学蚀刻,指通过曝光制版、显影后,将要蚀刻区域的保护膜去除,在蚀刻时接触化学溶液,达到溶解腐蚀的作用,形成凹凸或者镂空成型的效果。引线框架在蚀刻或者电镀的时候需要对部分地方进行遮掩,部分地方开窗露出,以便进入下道工序。
现有技术中公开了部分有关引线框架半蚀刻的发明专利,申请号为201920941748.X的中国专利,公开了一种引线框架流水线用蚀刻设备,包括蚀刻池和支架,支架位于蚀刻池一侧,支架上端设置有导轨,导轨沿蚀刻池长度方向设置并使其长度大于蚀刻池长度,导轨中部呈内凹设置,两端呈水平设置,所述导轨上端滑动设置有多个滑动件,滑动件上向下设置有连杆一,连杆一下端延伸出导轨并设置有蚀刻箱,所述滑动件上向上设置有连杆二,连杆二上设置有弹性回复件,弹性回复件上端设置有可用于带动弹性回复件沿蚀刻池长度方向移动的水平传动机构。
现有技术中的引线框架半蚀刻设备多是通过干膜显影或手动贴胶带的方式对不需要蚀刻的部位进行覆盖,但干膜显影容易出现曝光偏位或显影过度或显影不净的问题,贴胶带的方式精度差且效率慢,起不到保护作用,并且在蚀刻完成后,现有设备难以及时对引线框架上的蚀刻液进行清理,造成蚀刻深度较深的情况发生,鉴于此,我们提出一种集成电路引线框架半蚀刻设备。
发明内容
本发明的目的是为了解决现有技术中存在的缺点,而提出的一种集成电路引线框架半蚀刻设备。
为达到以上目的,本发明采用的技术方案为:一种集成电路引线框架半蚀刻设备,包括壳体,所述壳体两侧固定连通有蓄水箱,所述蓄水箱内部固定有水泵,所述水泵的出水端通过导管固定连通有喷洒管,所述喷洒管固定在壳体内壁之间所述喷洒管的外壁上固定连通有多个喷头,所述壳体的内壁两侧对称固定有导轨,所述导轨内部滑动连接有滑动条,其中一个所述滑动条的一侧设置有用于驱动滑动条在导轨内部滑动的驱动机构,两个所述滑动条之间设置有支撑板,所述支撑板的两端均固定有转动轴,所述转动轴转动连接在对应的滑动条侧壁上,所述支撑板两侧设置有用于对支撑板进行定位的固定机构,所述导轨杆的末端设置有用于取消支撑板定位状态并驱动支撑板转动的翻转机构,所述支撑板顶面上开设有凹槽,所述凹槽两侧均设置有用于对引线框架进行固定并对引线框架表面进行部分覆盖的覆盖机构;工作时,现有技术中的引线框架半蚀刻设备多是通过干膜显影或手动贴胶带的方式对不需要蚀刻的部位进行覆盖,但干膜显影容易出现曝光偏位或显影过度或显影不净的问题,贴胶带的方式精度差且效率慢,起不到保护作用,并且在蚀刻完成后,现有设备难以及时对引线框架上的蚀刻液进行清理,造成蚀刻深度较深的情况发生,本技术方案可以解决以上问题,具体的工作方式如下,首先,通过覆盖机构对引线框架进行固定并对引线框架表面需要蚀刻的部位进行覆盖,通过驱动机构驱动滑动条在导轨内部滑动,从而带动支撑板和引线框架沿导轨滑动,通过水泵吸取蓄水箱内部的蚀刻液,将蚀刻液输送到喷洒管内部并从喷头喷出,使蚀刻液进入凹槽内部,对引线框架表面未被遮挡的部分进行蚀刻处理,在引线框架移动的过程中,通过固定机构对支撑板进行定位,防止支撑板转动,有利于使支撑板和引线框架平稳的沿导轨滑动,当移动到导轨杆末端时,通过翻转机构取消支撑板定位状态,并带动支撑板和引线框架转动,使凹槽内部的蚀刻液被翻转下坠,有利于在蚀刻完成后,及时对引线框架表面的蚀刻液进行清理,防止蚀刻液停留在引线框架表面继续蚀刻,造成蚀刻深度较深的情况发生。
优选的,所述驱动机构包括螺杆,所述螺杆转动连接在导轨内壁上,其中一个所述滑动条与螺杆螺纹配合,所述螺杆的一端贯穿导轨内壁并延伸出去固定有慢速电机,所述慢速电机固定在壳体外壁上;工作时,接通慢速电机的电源,通过慢速电机带动螺杆转动,从而使得螺滑动条在螺杆上移动,通过滑动条带动引线框架沿导轨滑动,使引线框架在喷头下方移动,增加引线框架与蚀刻液的接触机会。
优选的,所述固定机构包括齿轮、通孔,所述齿轮套设固定在转动轴的外壁上,所述通孔开设在滑动条的外壁上,所述通孔中部的内壁上固定有限位环,所述限位环两侧的通孔内部均插设有圆盘,两个所述圆盘之间共同固定有连接柱,所述连接柱插设在限位环的内部,其中一个所述圆盘与齿轮的齿牙相接触,另一个所述圆盘与限位环之间共同固定有第一弹簧;工作时,在第一弹簧的作用下,拉动与其固定的圆盘,使得另一个圆盘与齿轮的齿牙相接触,从而卡在齿轮的两个齿牙之间,防止齿轮转动,有利于维持引线框架在移动过程中的稳定性。
优选的,所述翻转机构包括第一齿条、让位槽,所述第一齿条固定在导轨末端的内底面上,所述让位槽开设在导轨的内壁上,并且所述让位槽的两端与导轨连接处开设有倾斜面,所述让位槽与圆盘相适配,当其中一个所述圆盘移动至让位槽内部后,所述齿轮与第一齿条相啮合;工作时,当引线框架移动至让位槽位置时,其中一个圆盘在第一弹簧的弹力作用下,插入让位槽内部,并通过连接柱拉动另一个圆盘,使另一个圆盘脱离齿轮,从而取消对齿轮的限位,当齿轮继续移动至与第一齿条接触时,在啮合作用下,使得齿轮带动转动轴在第一齿条上缓慢转动,通过转动轴带动支撑板和引线框架转动,使凹槽内部的蚀刻液被翻转下坠,有利于在蚀刻完成后,及时对引线框架表面的蚀刻液进行清理,在回程时,在支撑板在齿轮和第一齿条的作用下反向转动,在脱离第一齿条时,支撑板恢复初始位置,并且由于导轨的两端开设有倾斜面,在倾斜面的作用下,对让位槽内部的圆盘进行引导,从而使得圆盘逐渐向通孔内部滑动,并带动另一个圆盘重新插入齿轮的齿牙之间,对齿轮进行定位,有利于维持引线框架在下次移动过程中的稳定性。
优选的,所述覆盖机构包括设备槽、四个滑动槽,四个所述滑动槽开设在凹槽的侧壁上,所述设备槽对称开设在支撑板的内部,所述设备槽通过滑动槽与凹槽内部相连通,所述设备槽内部固定有卷收器,所述卷收器上缠绕固定有覆盖膜,所述覆盖膜的一端贯穿滑动槽并延伸进入凹槽内部,所述覆盖膜的两端对称设置有用于对覆盖膜进行定位的限位机构,所述覆盖膜的末端设置有用于将引线框架定位在凹槽内部的定位机构;工作时,将引线框架插入凹槽内部,通过定位机构对引线框架进行定位,防止在蚀刻时,引线框架发生晃动,导致蚀刻液侵蚀引线框架表面不需要进行蚀刻的部分,然后,拉动覆盖膜,对引线框架上不需要进行蚀刻的部分进行覆盖,并通过限位机构对覆盖膜进行定位,操作方便快捷,并且在蚀刻完成后,通过取消限位机构对覆盖膜动定位,通过转收器使覆盖膜进行卷收复位,取出引线框架后,可以在凹槽中放入新的引线框架,有利于对支撑板进行重复利用。
优选的,所述定位机构包括顶动板、翻转板、限位板,所述顶动板放置在凹槽内部,所述顶动板与凹槽内壁之间共同固定有第二弹簧,所述翻转板的两端转动连接有转动柱,所述转动柱转动连接在覆盖膜连接端的两侧,所述转动柱上套设有第一扭簧,所述第一扭簧的一端与翻转板固定,所述第一扭簧的另一端与覆盖膜固定,所述限位板固定在位于翻转板上方的凹槽侧壁上;工作时,将引线框架放入凹槽内部,并向下按压,使得顶动板向下挤压第二弹簧,并且引线框架的两侧向下挤压翻转板,使得翻转板转动,当引线框架移动至翻转板的下方时,在第一扭簧的弹力作用下,使得翻转板转动到引线框架上方,在第二弹簧的弹力作用下,推动顶动板和引线框架向上移动,使得覆盖膜、顶动板与引线框架紧密接触,有利于维持引线框架在蚀刻过程中的稳定性,防止在蚀刻时,引线框架发生晃动,导致蚀刻液侵蚀引线框架表面不需要进行蚀刻的部分。
优选的,所述限位机构包括条形槽、限位孔,所述条形槽对称开设在支撑板两侧的顶面上,所述限位孔等距开设在条形槽的两侧内壁上,所述条形槽内部插设有滑动块,所述滑动块固定在覆盖膜的表面,所述滑动块的顶面上开设有竖槽,所述竖槽内部滑动连接有定位块,所述定位块与竖槽内壁之间共同固定有第三弹簧,所述定位块的两侧开设有滑槽,所述滑槽内部均插设有卡块,所述卡块与滑槽内壁之间共同固定有第四弹簧,所述卡块的端部插设在对应的限位孔内部,所述卡块的底面上开设倾斜面,所述定位块的顶面上固定有竖杆,所述竖杆的顶端贯穿竖槽并延伸出去后固定有按压块;工作时,通过向下按压按压块,使得竖杆向下推动定位块,在倾斜面的引导作用下,卡块脱离限位孔,从而取消覆盖膜的限位状态,通过移动滑动块,使得滑动块在条形槽内部滑动,调节覆盖膜的覆盖位置,当调节完成覆盖膜的位置后,通过取消对按压块的按压,在第三弹簧的弹力作用下,带动定位块向上移动,在第四弹簧的作用下使卡块重新卡入限位孔内部,从而实现对覆盖膜调整好的位置进行定位,操作方便,快捷。
优选的,所述条形槽两侧设置有用于对覆盖膜两侧进行压紧密封的压紧机构,所述压紧机构包括插设槽、推动块、出水槽,所述插设槽等距开设在位于条形槽两侧的支撑板内部,所述插设槽与滑动槽内部连通,所述插设槽内部插设有压紧块,所述压紧块与插设槽的内壁之间共同固定有第五弹簧,所述压紧块的两侧均开设有倾斜面,所述推动块的固定在滑动块的底部,所述推动块的底面与滑动槽滑动密封,并且所述推动块的两端靠近压紧块的位置均开设有倾斜面,所述出水槽开设在凹槽的两侧外壁上,所述压紧块上开设有与出水槽适配的连通槽;工作时,通过移动滑动块,带动覆盖膜对引线框架表面进行覆盖,在移动过程中,在推动块的倾斜面的引导下,预先将覆盖膜移动路径前方的压紧块抬起,当覆盖膜移动至压紧块下方时,在第五弹簧的弹力作用下,向下推动压紧块,通过压紧块向下压动覆盖膜,使得覆盖膜与引线框架紧密接触,有利于在蚀刻过程中,维持引线框架与覆盖膜之间的密封性,引线框架与覆盖膜中产生间隙,导致蚀刻液侵蚀引线框架表面不需要进行蚀刻的部分,并且通过设置初始槽和连通槽,对凹槽内部的反应过的蚀刻液进行及时排出,有利于使得新的蚀刻液能及时进入凹槽内部,并保持了凹槽内部蚀刻液的流动性,防止蚀刻液堆积在引线框架表面,有利于使蚀刻液能与引线框架均匀反应。
优选的,所述支撑板的两侧设置有用于对出水槽内部进行疏通的疏通机构,所述疏通机构包括挡水板、凸起块,所述挡水板的两端分别转动连接在两个滑动条的侧壁上,所述凸起块固定在两个导轨相对侧的外壁上,所述凸起块与挡水板相接触,所述挡水板上固定有多个疏通条,所述疏通条插设在对应的出水槽内部;工作时,在支撑板转动时,通过设置挡水板,有利于对从支撑板上下坠的蚀刻液进行阻挡并引流,防止蚀刻液被甩到其他引线框架的表面,并且在支撑板移动的过程中,挡水板随支撑板移动,通过使挡水板不断的撞击凸起块,有利于使挡水板带动疏通条不断的在出水槽内部抖动,防止出水槽被杂质堵塞,导致蚀刻液难以从出水槽内部流出的情况发生。
与现有技术相比,本发明具有以下有益效果:
一、通过覆盖机构对引线框架进行固定并对引线框架表面需要蚀刻的部位进行覆盖,通过驱动机构驱动滑动条在导轨内部滑动,从而带动支撑板和引线框架沿导轨滑动,通过水泵吸取蓄水箱内部的蚀刻液,将蚀刻液输送到喷洒管内部并从喷头喷出,使蚀刻液进入凹槽内部,对引线框架表面未被遮挡的部分进行蚀刻处理,在引线框架移动的过程中,通过固定机构对支撑板进行定位,防止支撑板转动,有利于使支撑板和引线框架平稳的沿导轨滑动,当移动到导轨杆末端时,通过翻转机构取消支撑板定位状态,并带动支撑板和引线框架转动,使凹槽内部的蚀刻液被翻转下坠,有利于在蚀刻完成后,及时对引线框架表面的蚀刻液进行清理,防止蚀刻液停留在引线框架表面继续蚀刻,造成蚀刻深度较深的情况发生。
二、当引线框架移动至让位槽位置时,其中一个圆盘在第一弹簧的弹力作用下,插入让位槽内部,并通过连接柱拉动另一个圆盘,使另一个圆盘脱离齿轮,从而取消对齿轮的限位,当齿轮与第一齿条接触时,在啮合作用下,使得齿轮带动转动轴在第一齿条上转动,通过转动轴带动支撑板和引线框架转动,使凹槽内部的蚀刻液被翻转下坠,有利于在蚀刻完成后,及时对引线框架表面的蚀刻液进行清理。
三、将引线框架插入凹槽内部,通过定位机构对引线框架进行定位,防止在蚀刻时,引线框架发生晃动,导致蚀刻液侵蚀引线框架表面不需要进行蚀刻的部分,然后,拉动覆盖膜,对引线框架上不需要进行蚀刻的部分进行覆盖,并通过限位机构对覆盖膜进行定位,操作方便快捷,并且在蚀刻完成后,通过取消限位机构对覆盖膜动定位,通过转收器使覆盖膜进行卷收复位,取出引线框架后,可以在凹槽中放入新的引线框架,有利于对支撑板进行重复利用。
四、通过移动滑动块,带动覆盖膜对引线框架表面进行覆盖,在移动过程中,在推动块的倾斜面的引导下,预先将覆盖膜移动路径前方的压紧块抬起,当覆盖膜移动至压紧块下方时,在第五弹簧的弹力作用下,向下推动压紧块,通过压紧块向下压动覆盖膜,使得覆盖膜与引线框架紧密接触,有利于在蚀刻过程中,维持引线框架与覆盖膜之间的密封性。
五、引线框架与覆盖膜中产生间隙,导致蚀刻液侵蚀引线框架表面不需要进行蚀刻的部分,并且通过设置初始槽和连通槽,对凹槽内部的反应过的蚀刻液进行及时排出,有利于使得新的蚀刻液能及时进入凹槽内部,并保持了凹槽内部蚀刻液的流动性,防止蚀刻液堆积在引线框架表面,有利于使蚀刻液能与引线框架均匀反应。
附图说明
图1为本发明的整体结构示意图;
图2为本发明的第一整体剖面后结构示意图;
图3为本发明的图2中的A处结构示意图;
图4为本发明的图3中的B处结构示意图;
图5为本发明的第二整体剖面后结构示意图;
图6为本发明的图5中的C处结构示意图;
图7为本发明的第三整体剖面后结构示意图;
图8为本发明的图7中的D处结构示意图;
图9为本发明的图8中的K处结构示意图;
图10为本发明的顶动板处剖面后结构示意图;
图11为本发明的图10中的E处结构示意图;
图12为本发明的图11中的F处结构示意图;
图13为本发明的滑动块处剖面后结构示意图;
图14为本发明的13中的G处结构示意图;
图15为本发明的第四整体剖面后结构示意图;
图16为本发明的图15中的H处结构示意图;
图17为本发明的图15中的I处结构示意图;
图18为本发明的图15中的J处结构示意图。
图中:1、壳体;2、蓄水箱;3、水泵;4、喷洒管;5、喷头;6、导轨;7、滑动条;8、支撑板;9、转动轴;10、凹槽;11、螺杆;12、慢速电机;13、齿轮;14、通孔;15、限位环;16、圆盘;17、连接柱; 18、第一弹簧;19、第一齿条;20、让位槽;21、设备槽;22、滑动槽; 23、卷收器;24、覆盖膜;25、顶动板;26、翻转板;27、第二弹簧; 28、转动柱;29、第一扭簧;30、限位板;31、条形槽;32、限位孔; 33、滑动块;34、竖槽;35、定位块;36、第三弹簧;37、滑槽;38、卡块;39、第四弹簧;40、竖杆;41、按压块;42、插设槽;43、推动块; 44、出水槽;45、压紧块;46、第五弹簧;47、连通槽;48、挡水板; 49、凸起块;50、疏通条。
具体实施方式
以下描述用于揭露本发明以使本领域技术人员能够实现本发明。以下描述中的优选实施例只作为举例,本领域技术人员可以想到其他显而易见的变型。
如图1至图18所示的为达到以上目的,本发明采用的技术方案为:一种集成电路引线框架半蚀刻设备,包括壳体1,壳体1两侧固定连通有蓄水箱2,蓄水箱2内部固定有水泵3,水泵3的出水端通过导管固定连通有喷洒管4,喷洒管4固定在壳体1内壁之间喷洒管4的外壁上固定连通有多个喷头5,壳体1的内壁两侧对称固定有导轨6,导轨6内部滑动连接有滑动条7,其中一个滑动条7的一侧设置有用于驱动滑动条7在导轨6内部滑动的驱动机构,两个滑动条7之间设置有支撑板8,支撑板8 的两端均固定有转动轴9,转动轴9转动连接在对应的滑动条7侧壁上,支撑板8两侧设置有用于对支撑板8进行定位的固定机构,导轨6杆的末端设置有用于取消支撑板8定位状态并驱动支撑板8转动的翻转机构,支撑板8顶面上开设有凹槽10,凹槽10两侧均设置有用于对引线框架进行固定并对引线框架表面进行部分覆盖的覆盖机构;工作时,现有技术中的引线框架半蚀刻设备多是通过干膜显影或手动贴胶带的方式对不需要蚀刻的部位进行覆盖,但干膜显影容易出现曝光偏位或显影过度或显影不净的问题,贴胶带的方式精度差且效率慢,起不到保护作用,并且在蚀刻完成后,现有设备难以及时对引线框架上的蚀刻液进行清理,造成蚀刻深度较深的情况发生,本技术方案可以解决以上问题,具体的工作方式如下,首先,通过覆盖机构对引线框架进行固定并对引线框架表面需要蚀刻的部位进行覆盖,通过驱动机构驱动滑动条7在导轨6内部滑动,从而带动支撑板8和引线框架沿导轨6滑动,通过水泵3吸取蓄水箱2内部的蚀刻液,将蚀刻液输送到喷洒管4内部并从喷头5喷出,使蚀刻液进入凹槽10内部,对引线框架表面未被遮挡的部分进行蚀刻处理,在引线框架移动的过程中,通过固定机构对支撑板8进行定位,防止支撑板8转动,有利于使支撑板8和引线框架平稳的沿导轨6滑动,当移动到导轨6杆末端时,通过翻转机构取消支撑板8定位状态,并带动支撑板8和引线框架转动,使凹槽10内部的蚀刻液被翻转下坠,有利于在蚀刻完成后,及时对引线框架表面的蚀刻液进行清理,防止蚀刻液停留在引线框架表面继续蚀刻,造成蚀刻深度较深的情况发生。
作为本发明的进一步实施方案,驱动机构包括螺杆11,螺杆11转动连接在导轨6内壁上,其中一个滑动条7与螺杆11螺纹配合,螺杆11的一端贯穿导轨6内壁并延伸出去固定有慢速电机12,慢速电机12固定在壳体1外壁上;工作时,接通慢速电机12的电源,通过慢速电机12带动螺杆11转动,从而使得螺滑动条7在螺杆11上移动,通过滑动条7带动引线框架沿导轨6滑动,使引线框架在喷头5下方移动,增加引线框架与蚀刻液的接触机会。
作为本发明的进一步实施方案,固定机构包括齿轮13、通孔14,齿轮13套设固定在转动轴9的外壁上,通孔14开设在滑动条7的外壁上,通孔14中部的内壁上固定有限位环15,限位环15两侧的通孔14内部均插设有圆盘16,两个圆盘16之间共同固定有连接柱17,连接柱17插设在限位环15的内部,其中一个圆盘16与齿轮13的齿牙相接触,另一个圆盘16与限位环15之间共同固定有第一弹簧18;工作时,在第一弹簧 18的作用下,拉动与其固定的圆盘16,使得另一个圆盘16与齿轮13的齿牙相接触,从而卡在齿轮13的两个齿牙之间,防止齿轮13转动,有利于维持引线框架在移动过程中的稳定性。
作为本发明的进一步实施方案,翻转机构包括第一齿条19、让位槽 20,第一齿条19固定在导轨6末端的内底面上,让位槽20开设在导轨6 的内壁上,并且让位槽20的两端与导轨6连接处开设有倾斜面,让位槽 20与圆盘16相适配,当其中一个圆盘16移动至让位槽20内部后,齿轮 13与第一齿条19相啮合;工作时,当引线框架移动至让位槽20位置时,其中一个圆盘16在第一弹簧18的弹力作用下,插入让位槽20内部,并通过连接柱17拉动另一个圆盘16,使另一个圆盘16脱离齿轮 13,从而取消对齿轮13的限位,当齿轮13继续移动至与第一齿条19接触时,在啮合作用下,使得齿轮13带动转动轴9在第一齿条19上缓慢转动,通过转动轴9带动支撑板8和引线框架转动,使凹槽10内部的蚀刻液被翻转下坠,有利于在蚀刻完成后,及时对引线框架表面的蚀刻液进行清理,在回程时,在支撑板8在齿轮13和第一齿条19的作用下反向转动,在脱离第一齿条19时,支撑板8恢复初始位置,并且由于导轨6的两端开设有倾斜面,在倾斜面的作用下,对让位槽20内部的圆盘16进行引导,从而使得圆盘16逐渐向通孔14内部滑动,并带动另一个圆盘16 重新插入齿轮13的齿牙之间,对齿轮13进行定位,有利于维持引线框架在下次移动过程中的稳定性。
作为本发明的进一步实施方案,覆盖机构包括设备槽21、四个滑动槽22,四个滑动槽22开设在凹槽10的侧壁上,设备槽21对称开设在支撑板8的内部,设备槽21通过滑动槽22与凹槽10内部相连通,设备槽 21内部固定有卷收器23,卷收器23上缠绕固定有覆盖膜24,覆盖膜24 的一端贯穿滑动槽22并延伸进入凹槽10内部,覆盖膜24的两端对称设置有用于对覆盖膜24进行定位的限位机构,覆盖膜24的末端设置有用于将引线框架定位在凹槽10内部的定位机构;工作时,将引线框架插入凹槽10内部,通过定位机构对引线框架进行定位,防止在蚀刻时,引线框架发生晃动,导致蚀刻液侵蚀引线框架表面不需要进行蚀刻的部分,然后,拉动覆盖膜24,对引线框架上不需要进行蚀刻的部分进行覆盖,并通过限位机构对覆盖膜24进行定位,操作方便快捷,并且在蚀刻完成后,通过取消限位机构对覆盖膜24动定位,通过转收器使覆盖膜24进行卷收复位,取出引线框架后,可以在凹槽10中放入新的引线框架,有利于对支撑板8进行重复利用。
作为本发明的进一步实施方案,定位机构包括顶动板25、翻转板 26、限位板30,顶动板25放置在凹槽10内部,顶动板25与凹槽10内壁之间共同固定有第二弹簧27,翻转板26的两端转动连接有转动柱28,转动柱28转动连接在覆盖膜24连接端的两侧,转动柱28上套设有第一扭簧29,第一扭簧29的一端与翻转板26固定,第一扭簧29的另一端与覆盖膜24固定,限位板30固定在位于翻转板26上方的凹槽10侧壁上;工作时,将引线框架放入凹槽10内部,并向下按压,使得顶动板25向下挤压第二弹簧27,并且引线框架的两侧向下挤压翻转板26,使得翻转板 26转动,当引线框架移动至翻转板26的下方时,在第一扭簧29的弹力作用下,使得翻转板26转动到引线框架上方,在第二弹簧27的弹力作用下,推动顶动板25和引线框架向上移动,使得覆盖膜24、顶动板25与引线框架紧密接触,有利于维持引线框架在蚀刻过程中的稳定性,防止在蚀刻时,引线框架发生晃动,导致蚀刻液侵蚀引线框架表面不需要进行蚀刻的部分。
作为本发明的进一步实施方案,限位机构包括条形槽31、限位孔 32,条形槽31对称开设在支撑板8两侧的顶面上,限位孔32等距开设在条形槽31的两侧内壁上,条形槽31内部插设有滑动块33,滑动块33固定在覆盖膜24的表面,滑动块33的顶面上开设有竖槽34,竖槽34内部滑动连接有定位块35,定位块35与竖槽34内壁之间共同固定有第三弹簧36,定位块35的两侧开设有滑槽37,滑槽37内部均插设有卡块38,卡块38与滑槽37内壁之间共同固定有第四弹簧39,卡块38的端部插设在对应的限位孔32内部,卡块38的底面上开设倾斜面,定位块35的顶面上固定有竖杆40,竖杆40的顶端贯穿竖槽34并延伸出去后固定有按压块41;工作时,通过向下按压按压块41,使得竖杆40向下推动定位块 35,在倾斜面的引导作用下,卡块38脱离限位孔32,从而取消覆盖膜24 的限位状态,通过移动滑动块33,使得滑动块33在条形槽31内部滑动,调节覆盖膜24的覆盖位置,当调节完成覆盖膜24的位置后,通过取消对按压块41的按压,在第三弹簧36的弹力作用下,带动定位块35向上移动,在第四弹簧39的作用下使卡块38重新卡入限位孔32内部,从而实现对覆盖膜24调整好的位置进行定位,操作方便,快捷。
作为本发明的进一步实施方案,条形槽31两侧设置有用于对覆盖膜 24两侧进行压紧密封的压紧机构,压紧机构包括插设槽42、推动块43、出水槽44,插设槽42等距开设在位于条形槽31两侧的支撑板8内部,插设槽42与滑动槽22内部连通,插设槽42内部插设有压紧块45,压紧块45与插设槽42的内壁之间共同固定有第五弹簧46,压紧块45的两侧均开设有倾斜面,推动块43的固定在滑动块33的底部,推动块43的底面与滑动槽22滑动密封,并且推动块43的两端靠近压紧块45的位置均开设有倾斜面,出水槽44开设在凹槽10的两侧外壁上,压紧块45上开设有与出水槽44适配的连通槽47;工作时,通过移动滑动块33,带动覆盖膜24对引线框架表面进行覆盖,在移动过程中,在推动块43的倾斜面的引导下,预先将覆盖膜24移动路径前方的压紧块45抬起,当覆盖膜 24移动至压紧块45下方时,在第五弹簧46的弹力作用下,向下推动压紧块45,通过压紧块45向下压动覆盖膜24,使得覆盖膜24与引线框架紧密接触,有利于在蚀刻过程中,维持引线框架与覆盖膜24之间的密封性,引线框架与覆盖膜24中产生间隙,导致蚀刻液侵蚀引线框架表面不需要进行蚀刻的部分,并且通过设置初始槽和连通槽47,对凹槽10内部的反应过的蚀刻液进行及时排出,有利于使得新的蚀刻液能及时进入凹槽 10内部,并保持了凹槽10内部蚀刻液的流动性,防止蚀刻液堆积在引线框架表面,有利于使蚀刻液能与引线框架均匀反应。
作为本发明的进一步实施方案,支撑板8的两侧设置有用于对出水槽44内部进行疏通的疏通机构,疏通机构包括挡水板48、凸起块49,挡水板48的两端分别转动连接在两个滑动条7的侧壁上,凸起块49固定在两个导轨6相对侧的外壁上,凸起块49与挡水板48相接触,挡水板48上固定有多个疏通条50,疏通条50插设在对应的出水槽44内部;工作时,在蚀刻过程中,会产生部分杂质,在支撑板8转动时,通过设置挡水板48,有利于对从支撑板8上下坠的蚀刻液进行阻挡并引流,防止蚀刻液被甩到其他引线框架的表面,并且在支撑板8移动的过程中,挡水板 48随支撑板8移动,通过使挡水板48不断的撞击凸起块49,有利于使挡水板48带动疏通条50不断的在出水槽44内部抖动,防止出水槽44被杂质堵塞,导致蚀刻液难以从出水槽44内部流出的情况发生。
本发明工作原理:
首先,通过覆盖机构对引线框架进行固定并对引线框架表面需要蚀刻的部位进行覆盖,通过驱动机构驱动滑动条7在导轨6内部滑动,从而带动支撑板8和引线框架沿导轨6滑动,通过水泵3吸取蓄水箱2内部的蚀刻液,将蚀刻液输送到喷洒管4内部并从喷头5喷出,使蚀刻液进入凹槽 10内部,对引线框架表面未被遮挡的部分进行蚀刻处理,在引线框架移动的过程中,通过固定机构对支撑板8进行定位,防止支撑板8转动,有利于使支撑板8和引线框架平稳的沿导轨6滑动,当移动到导轨6杆末端时,通过翻转机构取消支撑板8定位状态,并带动支撑板8和引线框架转动,使凹槽10内部的蚀刻液被翻转下坠,有利于在蚀刻完成后,及时对引线框架表面的蚀刻液进行清理。
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解,本发明不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是本发明的原理,在不脱离本发明精神和范围的前提下本发明还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本发明的范围内,本发明要求的保护范围由所附的权利要求书及其等同物界定。
Claims (9)
1.一种集成电路引线框架半蚀刻设备,包括壳体(1),其特征在于:所述壳体(1)两侧固定连通有蓄水箱(2),所述蓄水箱(2)内部固定有水泵(3),所述水泵(3)的出水端通过导管固定连通有喷洒管(4),所述喷洒管(4)固定在壳体(1)内壁之间, 所述喷洒管(4)的外壁上固定连通有多个喷头(5),所述壳体(1)的内壁两侧对称固定有导轨(6),所述导轨(6)内部滑动连接有滑动条(7),其中一个所述滑动条(7)的一侧设置有用于驱动滑动条(7)在导轨(6)内部滑动的驱动机构,两个所述滑动条(7)之间设置有支撑板(8),所述支撑板(8)的两端均固定有转动轴(9),所述转动轴(9)转动连接在对应的滑动条(7)侧壁上,所述支撑板(8)两侧设置有用于对支撑板(8)进行定位的固定机构,所述导轨(6)杆的末端设置有用于取消支撑板(8)定位状态并驱动支撑板(8)转动的翻转机构,所述支撑板(8)顶面上开设有凹槽(10),所述凹槽(10)两侧均设置有用于对引线框架进行固定并对引线框架表面进行部分覆盖的覆盖机构。
2.根据权利要求1所述的一种集成电路引线框架半蚀刻设备,其特征在于:所述驱动机构包括螺杆(11),所述螺杆(11)转动连接在导轨(6)内壁上,其中一个所述滑动条(7)与螺杆(11)螺纹配合,所述螺杆(11)的一端贯穿导轨(6)内壁并延伸出去固定有慢速电机(12),所述慢速电机(12)固定在壳体(1)外壁上。
3.根据权利要求1所述的一种集成电路引线框架半蚀刻设备,其特征在于:所述固定机构包括齿轮(13)、通孔(14),所述齿轮(13)套设固定在转动轴(9)的外壁上,所述通孔(14)开设在滑动条(7)的外壁上,所述通孔(14)中部的内壁上固定有限位环(15),所述限位环(15)两侧的通孔(14)内部均插设有圆盘(16),两个所述圆盘(16)之间共同固定有连接柱(17),所述连接柱(17)插设在限位环(15)的内部,其中一个所述圆盘(16)与齿轮(13)的齿牙相接触,另一个所述圆盘(16)与限位环(15)之间共同固定有第一弹簧(18)。
4.根据权利要求3所述的一种集成电路引线框架半蚀刻设备,其特征在于:所述翻转机构包括第一齿条(19)、让位槽(20),所述第一齿条(19)固定在导轨(6)末端的内底面上,所述让位槽(20)开设在导轨(6)的内壁上,并且所述让位槽(20)的两端与导轨(6)连接处开设有倾斜面,所述让位槽(20)与圆盘(16)相适配,当其中一个所述圆盘(16)移动至让位槽(20)内部后,所述齿轮(13)与第一齿条(19)相啮合。
5.根据权利要求1所述的一种集成电路引线框架半蚀刻设备,其特征在于:所述覆盖机构包括设备槽(21)、四个滑动槽(22),四个所述滑动槽(22)开设在凹槽(10)的侧壁上,所述设备槽(21)对称开设在支撑板(8)的内部,所述设备槽(21)通过滑动槽(22)与凹槽(10)内部相连通,所述设备槽(21)内部固定有卷收器(23),所述卷收器(23)上缠绕固定有覆盖膜(24),所述覆盖膜(24)的一端贯穿滑动槽(22)并延伸进入凹槽(10)内部,所述覆盖膜(24)的两端对称设置有用于对覆盖膜(24)进行定位的限位机构,所述覆盖膜(24)的末端设置有用于将引线框架定位在凹槽(10)内部的定位机构。
6.根据权利要求5所述的一种集成电路引线框架半蚀刻设备,其特征在于:所述定位机构包括顶动板(25)、翻转板(26)、限位板(30),所述顶动板(25)放置在凹槽(10)内部,所述顶动板(25)与凹槽(10)内壁之间共同固定有第二弹簧(27),所述翻转板(26)的两端转动连接有转动柱(28),所述转动柱(28)转动连接在覆盖膜(24)连接端的两侧,所述转动柱(28)上套设有第一扭簧(29),所述第一扭簧(29)的一端与翻转板(26)固定,所述第一扭簧(29)的另一端与覆盖膜(24)固定,所述限位板(30)固定在位于翻转板(26)上方的凹槽(10)侧壁上。
7.根据权利要求5所述的一种集成电路引线框架半蚀刻设备,其特征在于:所述限位机构包括条形槽(31)、限位孔(32),所述条形槽(31)对称开设在支撑板(8)两侧的顶面上,所述限位孔(32)等距开设在条形槽(31)的两侧内壁上,所述条形槽(31)内部插设有滑动块(33),所述滑动块(33)固定在覆盖膜(24)的表面,所述滑动块(33)的顶面上开设有竖槽(34),所述竖槽(34)内部滑动连接有定位块(35),所述定位块(35)与竖槽(34)内壁之间共同固定有第三弹簧(36),所述定位块(35)的两侧开设有滑槽(37),所述滑槽(37)内部均插设有卡块(38),所述卡块(38)与滑槽(37)内壁之间共同固定有第四弹簧(39),所述卡块(38)的端部插设在对应的限位孔(32)内部,所述卡块(38)的底面上开设倾斜面,所述定位块(35)的顶面上固定有竖杆(40),所述竖杆(40)的顶端贯穿竖槽(34)并延伸出去后固定有按压块(41)。
8.根据权利要求7所述的一种集成电路引线框架半蚀刻设备,其特征在于:所述条形槽(31)两侧设置有用于对覆盖膜(24)两侧进行压紧密封的压紧机构,所述压紧机构包括插设槽(42)、推动块(43)、出水槽(44),所述插设槽(42)等距开设在位于条形槽(31)两侧的支撑板(8)内部,所述插设槽(42)与滑动槽(22)内部连通,所述插设槽(42)内部插设有压紧块(45),所述压紧块(45)与插设槽(42)的内壁之间共同固定有第五弹簧(46),所述压紧块(45)的两侧均开设有倾斜面,所述推动块(43)的固定在滑动块(33)的底部,所述推动块(43)的底面与滑动槽(22)滑动密封,并且所述推动块(43)的两端靠近压紧块(45)的位置均开设有倾斜面,所述出水槽(44)开设在凹槽(10)的两侧外壁上,所述压紧块(45)上开设有与出水槽(44)适配的连通槽(47)。
9.根据权利要求8所述的一种集成电路引线框架半蚀刻设备,其特征在于:所述支撑板(8)的两侧设置有用于对出水槽(44)内部进行疏通的疏通机构,所述疏通机构包括挡水板(48)、凸起块(49),所述挡水板(48)的两端分别转动连接在两个滑动条(7)的侧壁上,所述凸起块(49)固定在两个导轨(6)相对侧的外壁上,所述凸起块(49)与挡水板(48)相接触,所述挡水板(48)上固定有多个疏通条(50),所述疏通条(50)插设在对应的出水槽(44)内部。
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Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN114566449B (zh) * | 2022-02-25 | 2022-12-20 | 江苏韦达半导体有限公司 | 一种防污染便于注液的肖特基二极管制造蚀刻装置 |
CN114535824B (zh) * | 2022-03-29 | 2024-01-26 | 江西服装学院 | 一种服装加工用激光水洗装置及其水洗方法 |
CN116313881B (zh) * | 2022-09-08 | 2023-12-12 | 崇辉半导体(江门)有限公司 | 用于集成电路引线框架的蚀刻设备 |
CN116705618B (zh) * | 2023-04-28 | 2024-04-05 | 天水华洋电子科技股份有限公司 | 一种蚀刻引线框架后粗化工艺 |
CN116364611B (zh) * | 2023-04-28 | 2023-09-01 | 天水华洋电子科技股份有限公司 | 一种蚀刻引线框架后粗化设备 |
CN116646278B (zh) * | 2023-05-29 | 2023-10-20 | 天水华洋电子科技股份有限公司 | 一种引线框架卷式蚀刻设备 |
CN117448826B (zh) * | 2023-10-30 | 2024-05-17 | 天水华洋电子科技股份有限公司 | 一种集成电路引线框架蚀刻液回收再利用工艺 |
Citations (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100745213B1 (ko) * | 2006-11-08 | 2007-08-02 | 홍원기 | 인쇄회로기판 제조용 기포 제거장치 |
WO2015018145A1 (zh) * | 2013-08-06 | 2015-02-12 | 江苏长电科技股份有限公司 | 先封后蚀芯片倒装三维系统级金属线路板结构及工艺方法 |
JP2018166182A (ja) * | 2017-03-28 | 2018-10-25 | 大口マテリアル株式会社 | 半導体装置用リードフレームとその製造方法 |
CN109302805A (zh) * | 2018-11-19 | 2019-02-01 | 天台县万进电子科技有限公司 | 一种利用电路蚀刻装置对电路进行蚀刻的方法 |
CN208873706U (zh) * | 2018-12-05 | 2019-05-17 | 四川金湾电子有限责任公司 | 一种半导体引线框架蚀刻设备 |
CN209843664U (zh) * | 2019-06-24 | 2019-12-24 | 天水迈格智能设备有限公司 | 一种引线框架的蚀刻设备 |
CN209859922U (zh) * | 2019-06-20 | 2019-12-27 | 天水迈格智能设备有限公司 | 一种引线框架流水线用蚀刻设备 |
CN210073767U (zh) * | 2019-06-27 | 2020-02-14 | 天水迈格智能设备有限公司 | 一种新型引线框架蚀刻设备 |
CN210151219U (zh) * | 2019-06-17 | 2020-03-17 | 天水迈格智能设备有限公司 | 一种用于生产引线框架的蚀刻设备 |
CN210694507U (zh) * | 2019-05-08 | 2020-06-05 | 大连亚太电子有限公司 | 电路板布线蚀刻开槽系统 |
CN111415871A (zh) * | 2020-05-19 | 2020-07-14 | 天水华洋电子科技股份有限公司 | 一种引线框架的蚀刻方法 |
CN211907390U (zh) * | 2020-04-07 | 2020-11-10 | 常州弘盛达电子设备有限公司 | 一种半导体引线框架蚀刻喷淋改进提升蚀刻精度装置 |
CN212182273U (zh) * | 2020-05-19 | 2020-12-18 | 天水华洋电子科技股份有限公司 | 一种改进的蚀刻引线框架干膜压膜机传送支架 |
CN112437546A (zh) * | 2020-11-19 | 2021-03-02 | 佛山市普能达电子有限公司 | 一种加工电路板用蚀刻装置 |
CN213718340U (zh) * | 2020-10-15 | 2021-07-16 | 红板(江西)有限公司 | 一种pcb裸板铜箔部分蚀刻设备 |
CN113347801A (zh) * | 2021-08-09 | 2021-09-03 | 深圳市宏亿时代电子有限公司 | 一种印刷电路板生产用刻蚀装置 |
CN214205998U (zh) * | 2021-02-21 | 2021-09-14 | 杭州鹏润电子有限公司 | 一种电路板蚀刻装置 |
CN214205982U (zh) * | 2020-12-29 | 2021-09-14 | 成都国利达电子科技有限公司 | 一种电路板蚀刻装置 |
CN214203631U (zh) * | 2021-02-05 | 2021-09-14 | 巢湖学院 | 一种集成电路器件加工用蚀刻装置 |
CN113473730A (zh) * | 2021-07-30 | 2021-10-01 | 山西汇诚晋海科技有限公司 | 一种印刷电路板刻蚀装置及方法 |
CN113543502A (zh) * | 2021-09-15 | 2021-10-22 | 四川英创力电子科技股份有限公司 | 一种电路板的蚀刻装置 |
CN214612769U (zh) * | 2021-04-26 | 2021-11-05 | 安徽耀捷晶微电子有限公司 | 一种集成电路板生产用腐蚀装置 |
-
2021
- 2021-11-17 CN CN202111360835.4A patent/CN114050117B/zh active Active
Patent Citations (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100745213B1 (ko) * | 2006-11-08 | 2007-08-02 | 홍원기 | 인쇄회로기판 제조용 기포 제거장치 |
WO2015018145A1 (zh) * | 2013-08-06 | 2015-02-12 | 江苏长电科技股份有限公司 | 先封后蚀芯片倒装三维系统级金属线路板结构及工艺方法 |
JP2018166182A (ja) * | 2017-03-28 | 2018-10-25 | 大口マテリアル株式会社 | 半導体装置用リードフレームとその製造方法 |
CN109302805A (zh) * | 2018-11-19 | 2019-02-01 | 天台县万进电子科技有限公司 | 一种利用电路蚀刻装置对电路进行蚀刻的方法 |
CN208873706U (zh) * | 2018-12-05 | 2019-05-17 | 四川金湾电子有限责任公司 | 一种半导体引线框架蚀刻设备 |
CN210694507U (zh) * | 2019-05-08 | 2020-06-05 | 大连亚太电子有限公司 | 电路板布线蚀刻开槽系统 |
CN210151219U (zh) * | 2019-06-17 | 2020-03-17 | 天水迈格智能设备有限公司 | 一种用于生产引线框架的蚀刻设备 |
CN209859922U (zh) * | 2019-06-20 | 2019-12-27 | 天水迈格智能设备有限公司 | 一种引线框架流水线用蚀刻设备 |
CN209843664U (zh) * | 2019-06-24 | 2019-12-24 | 天水迈格智能设备有限公司 | 一种引线框架的蚀刻设备 |
CN210073767U (zh) * | 2019-06-27 | 2020-02-14 | 天水迈格智能设备有限公司 | 一种新型引线框架蚀刻设备 |
CN211907390U (zh) * | 2020-04-07 | 2020-11-10 | 常州弘盛达电子设备有限公司 | 一种半导体引线框架蚀刻喷淋改进提升蚀刻精度装置 |
CN111415871A (zh) * | 2020-05-19 | 2020-07-14 | 天水华洋电子科技股份有限公司 | 一种引线框架的蚀刻方法 |
CN212182273U (zh) * | 2020-05-19 | 2020-12-18 | 天水华洋电子科技股份有限公司 | 一种改进的蚀刻引线框架干膜压膜机传送支架 |
CN213718340U (zh) * | 2020-10-15 | 2021-07-16 | 红板(江西)有限公司 | 一种pcb裸板铜箔部分蚀刻设备 |
CN112437546A (zh) * | 2020-11-19 | 2021-03-02 | 佛山市普能达电子有限公司 | 一种加工电路板用蚀刻装置 |
CN214205982U (zh) * | 2020-12-29 | 2021-09-14 | 成都国利达电子科技有限公司 | 一种电路板蚀刻装置 |
CN214203631U (zh) * | 2021-02-05 | 2021-09-14 | 巢湖学院 | 一种集成电路器件加工用蚀刻装置 |
CN214205998U (zh) * | 2021-02-21 | 2021-09-14 | 杭州鹏润电子有限公司 | 一种电路板蚀刻装置 |
CN214612769U (zh) * | 2021-04-26 | 2021-11-05 | 安徽耀捷晶微电子有限公司 | 一种集成电路板生产用腐蚀装置 |
CN113473730A (zh) * | 2021-07-30 | 2021-10-01 | 山西汇诚晋海科技有限公司 | 一种印刷电路板刻蚀装置及方法 |
CN113347801A (zh) * | 2021-08-09 | 2021-09-03 | 深圳市宏亿时代电子有限公司 | 一种印刷电路板生产用刻蚀装置 |
CN113543502A (zh) * | 2021-09-15 | 2021-10-22 | 四川英创力电子科技股份有限公司 | 一种电路板的蚀刻装置 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
蚀刻机喷淋系统结构设计;周志近;《机电工程技术》;20141120(第11期);正文全文 * |
金属标牌腐蚀中的常见问题;张坤亮;《网印工业》;20090515(第05期);正文全文 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN114050117A (zh) | 2022-02-15 |
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