CN208873706U - 一种半导体引线框架蚀刻设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种半导体引线框架蚀刻设备，包括：底座、安装在底座上的蚀刻箱、固定在地面上的双侧支架、设在双侧支架上的取放机构、控制所述蚀刻箱及取放机构运转的控制系统；所述蚀刻箱内盛满蚀刻液；所述取放机构包括：设置在所述双侧支架上的滑轨、滑动设置在滑轨上的滑块、固定在双侧支架上且与滑块连接的电动液压杆、轴承连接在滑块上的移动杆、设在移动杆上且可翻转的载片盒；所述载片盒外壁上开有通孔，通过采用该蚀刻设备，为引线框架蚀刻中的取放提供了方便，提高了引线框架的蚀刻效率，减小了引线框架蚀刻的损坏率，提高生产效益。

Description

一种半导体引线框架蚀刻设备

技术领域

本实用新型涉及半导体引线框架工技术领域，特别是涉及一种半导体引线框架蚀刻设备。

背景技术

半导体引线框架作为集成电路芯片载体，是一种借助于键合材料实现芯片内部的电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件，随着电子元气件向高密度化、小型化和大功率化方向的发展，对引线框架材料的导电导热架强度等要求越来越高，综合性优异的铜合金成为集成电路引线框架的主导材料，并且向着细间距产品发展，因此，对引线框架的制作工艺和设备要求就越来越多样化。

引线框架的制作工艺有冲压法和蚀刻法两种工艺，冲压法一般采用高精度带材经自动化程度很高的告诉冲床冲制而成，适宜批量生产，但由于采用物理冲压成型，制成的引线精细程度不高，对于小批量、多品种、多引线、小间距的引线框架制作则不适宜采用冲压法，需要采用蚀刻法制作，蚀刻法加工时无应力加工手段，是通过一种感光抗蚀剂将工件部分保护气，再用一种强氧化剂将其它部分蚀刻掉，最后得到需要的元件，蚀刻法加工中，包括丝网印刷、双面曝光显影、蚀刻等诸多工序，采用蚀刻法制作引线框架具有制作周期短、投资省、精细度高、一致性好的特点。

目前常采用的蚀刻设备有喷淋式蚀刻机，采用喷淋技术加大了被蚀刻金属板的有效面积和蚀刻均匀程度，但喷淋蚀刻存在喷淋位置控制不精，产品蚀刻中出现不均匀或表面不平整，生产中损耗较大，而采用现有中的浸润式蚀刻设备由于取放引线框架不方便，蚀刻效率低，蚀刻时间不能精确控制的问题。

实用新型内容

本发明要解决的技术问题是现有技术中的半导体引线框架蚀刻设备蚀刻质量不高，损耗较大，取放引线框架不方便，蚀刻效率低，蚀刻时间不能精确控制的问题，通过采用本实用新提供的半导体引线框架蚀刻设备，提高蚀刻质量的同时，方便了引线框架的取放，提高了蚀刻效率。

为实现上述目的，本实用新型提供一种半导体引线框架蚀刻设备，包括：底座、安装在底座上的蚀刻箱、固定在地面上的双侧支架、设在双侧支架上的取放机构、控制所述蚀刻箱及取放机构运转的控制系统；所述蚀刻箱内盛满蚀刻液；所述取放机构包括：设置在所述双侧支架上的滑轨、滑动设置在滑轨上的滑块、固定在双侧支架上且与滑块连接的电动液压杆、轴承连接在滑块上的移动杆、设在移动杆上且可翻转的载片盒；所述载片盒外壁上开有通孔。

进一步地，所述移动杆上固接有连接臂；所述载片盒的侧壁上轴承连接有转轴；所述连接臂转动连接在所述转轴的两端。

进一步地，所述载片盒至少有两个。

进一步地，所述蚀刻箱的侧壁上设有蚀刻液注入口和蚀刻液排出口。

进一步地，所述蚀刻液排出口上设有向外抽取蚀刻液的液泵和截流阀。

进一步地，所述蚀刻液注入口设有控制阀；所述控制阀电连接于所述控制系统。

进一步地，所述载片盒为透明有机玻璃盒。

进一步地，所述控制系统包括控制主机和显示操作屏

进一步地，所述蚀刻箱的侧壁上设有加热管和温度计；所述加热管和温度计均电连接于控制系统。

进一步地，所述电动液压杆包括：固定在所述支架上的电动机、驱动连接于所述电动机的液压缸、与所述液压缸活塞连接的拉杆；所述拉杆末端与所述滑块固接；所述电动机电连接于所述控制系统。

本实用新型的有益效果是：通过在所述半导体引线框架蚀刻设备上设双侧支架和双侧支架上的取放机构，通过取放机构的升降和载片盒的翻转，为引线框架蚀刻中的取放提供了方便，提高了引线框架的蚀刻效率；通过在蚀刻箱上设蚀刻液注入口和蚀刻液排出口，方便蚀刻液的注入与排出，且通过控制系统控制蚀刻箱内温度以及控制载片盒的放入取出时间，实现精准控制蚀刻时间和蚀刻温度的目的，减小了引线框架蚀刻的损坏率，提高生产效益。

附图说明

图1是本实用新型提供的半导体引线框架蚀刻设备内部结构图；

图2是本实用新型提供的半导体引线框架蚀刻设备取出引线框架时的示意图；

附图标记：1-底座、2-蚀刻箱、21-蚀刻液注入口、22-蚀刻液排出口、23-液泵、24-截流阀、25-控制阀、26-加热管、27-温度计、3-双侧支架、31-滑轨、4-取放机构、41-滑块、42-电动液压杆、43-移动杆、44-载片盒、441-半导体引线框架、45-通孔、46-连接臂、47-转轴、421-电动机、422-液压缸、423-拉杆、5-控制系统、51-控制主机、52-显示操作屏、6-蚀刻液。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型提供的本实用新型提供一种半导体引线框架蚀刻设备进行详细描述。

在本实用新型的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“左”、“右”、“侧”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位或者以特定的方位构造和操作，因此其不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；当然的，还可以是机械连接，也可以是电连接；另外的，还可以是直接相连，也可以是通过中间媒介间接相连，或者可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

本实用性新型提供的半导体引线框架蚀刻设备，如图1-图2所示，包括：底座1、安装在底座1上的蚀刻箱2、固定在地面上的双侧支架3、设在双侧支架3上的取放机构4、控制所述蚀刻箱2及取放机构4运转的控制系统5；所述蚀刻箱2内盛满蚀刻液6；所述取放机构4包括：设置在所述双侧支架3上的滑轨31、滑动设置在滑轨31上的滑块41、固定在双侧支架3上且与滑块41连接的电动液压杆42、轴承连接在滑块41上的移动杆43、设在移动杆43上且可翻转的载片盒44；所述载片盒44外壁上开有通孔45。

所述底座1位于蚀刻箱的底部，蚀刻箱2通过底座1放置在地面上，底座上可以设置为橡胶软性材料，通过缓冲作用以减小蚀刻设备在运转中的振动噪音，通过在蚀刻设备的两侧设置双侧支架3，起到支撑作用的同时，不影响蚀刻箱内的工作。

所述双侧支架3上设取放机构4，取放机构包括滑轨31、滑动设置在滑轨31上的滑块41、固定在双侧支架3上且与滑块41连接的电动液压杆42、轴承连接在滑块41上的移动杆43、设在移动杆43上且可翻转的载片盒44，通过电动液压杆42与所述滑块41连接，当电动液压杆42运转时能够伸缩并推动滑块41在滑轨31上移动，从而带动移动杆43上下移动，移动杆43上的载片盒就随着移动杆的移动而上升或下降。

本实用新型提供的蚀刻设备中，如图2所示，载片盒44内放置所要蚀刻的半导体引线框架441，通过取放机构的升降使放置在所述载片盒44内的半导体引线框架441很便捷的从蚀刻液6中放入或取出，实现了在不影响蚀刻质量的情况下快速蚀刻的效果，此处需要说明的是，所述半导体引线框架441从载片盒44中放入或取出的过程可通过夹具或采用机械手等方式，本实施例中不限制，所述载片盒44开有通孔45，当载片盒44放入蚀刻液6中时，蚀刻液会从通孔45内流入载片盒44内，完全浸泡待蚀刻的半导体引线框架，并在蚀刻液6中发生化学反应，完成蚀刻。

通过在蚀刻箱内装入蚀刻液6，此处需要说的是，所指蚀刻液是根据所要制造的半导体引线框架基材选定的，例如，制作铜带引线框架，大多采用碱性氯化铜蚀刻溶液，蚀刻原理如化学方程式：CuCl₂+4NH₃=Cu(NH₃)₄Cl₂，发生络合反应，基板表面的铜被[Cu(NH₃)4]²⁺络离子氧化而实现蚀刻。此处需要说明的是，半导体引线框架的制作工艺包括进料→材料清洗→贴膜→曝光→显影→蚀刻→去膜→清洗→防变色→自动检验→收料，本实用新型中所述的仅仅展示了蚀刻过程，其他工序采用本领域普遍使用的工艺。

在使用本蚀刻设备中，通常蚀刻过程需要保持蚀刻液6的温度为50-60℃，因此，通过在蚀刻箱2的侧壁上设有加热管26和温度计27；所述加热管26和温度计27均电连接于控制系统5，以实现控制蚀刻箱内蚀刻液6的温度，并通过控制系统调节最佳蚀刻时间和蚀刻温度，此处需要说明的是，本实施例中采用的控制系统5包括控制主机51和显示操作屏52，控制主机采用的型号为SIEMENS-S7-300（西门子S7系列），显示操作屏采用的型号为MT8104iH显示器，但不限于采用此一种型号的控制系统。

实施例2

在实施例1的基础之上，所述移动杆43上固接有连接臂46；所述载片盒44的侧壁上轴承连接有转轴47；所述连接臂46转动连接在所述转轴47的两端，通过连接臂46和转轴47的作用，使载片盒44在被移动杆43提升后，手动或机械手推动载片盒44的底部，使载片盒44以转轴47转动，从而很便捷的把载片盒44内的半导体引线框架取出，或者很便捷的放入待蚀刻的半导体引线框架。

实施例3

在实施例1的基础上，所述载片盒44至少有两个，本实施例中给出的设备可通过加长移动杆长度和增加蚀刻箱的长度来达到设置多个载片盒44，以提高蚀刻效率，采用增加长度或体积的方式为通用手段，本实施例中没有特殊限制。

实施例4

在实施例1的基础上，所述蚀刻箱2的侧壁上设有蚀刻液6注入口21和蚀刻液6排出口22，通过蚀刻液6注入口21和蚀刻液6排出口22可实现蚀刻液6的实时注入和排出，达到循环蚀刻箱内蚀刻液6的目的，此处需要说明的是，可以通过将排出的蚀刻液6回收，然后采用化学还原方法制造新的蚀刻液6，从而达到循环利用且不污染环境的目的。

实施例5

在实例1的基础之上，所述蚀刻液6排出口22上设有向外抽取蚀刻液6的液泵23和截流阀24，采用液泵23为塑料材质的耐腐蚀性液泵，从而可以将蚀刻液6循环注入和排出。

实施例6

在实施例1的基础之上，所述蚀刻液6注入口21设有控制阀25；所述控制阀25电连接于所述控制系统5，控制阀25通过电连接于控制系统5，实现由控制系统控制蚀刻液6的注入或排出，防止蚀刻液6不标准造成产品质量降低。

实施例7

在实施例1的基础之上，所述载片盒44为透明有机玻璃盒，采用该种材料的载片盒，一方面具有避免蚀刻液6的化学反应而腐蚀，另一方面使整个蚀刻过程可视化，方便了作业人员的观察和调试蚀刻时间。

实施例8

在实施例1的基础之上，所述电动液压杆42包括：固定在所述支架上的电动机421、驱动连接于所述电动机421的液压缸422、与所述液压422缸活塞连接的拉杆423；所述拉杆423末端与所述滑块41固接；所述电动机421电连接于所述控制系统5。

以上所述仅为本实用新型的实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种半导体引线框架蚀刻设备，其特征在于，包括：底座、安装在底座上的蚀刻箱、固定在地面上的双侧支架、设在双侧支架上的取放机构、控制所述蚀刻箱及取放机构运转的控制系统；所述蚀刻箱内盛满蚀刻液；所述取放机构包括：设置在所述双侧支架上的滑轨、滑动设置在滑轨上的滑块、固定在双侧支架上且与滑块连接的电动液压杆、轴承连接在滑块上的移动杆、设在移动杆上且可翻转的载片盒；所述载片盒外壁上开有通孔。

2.根据权利要求1所述半导体引线框架蚀刻设备，其特征在于：所述移动杆上固接有连接臂；所述载片盒的侧壁上轴承连接有转轴；所述连接臂转动连接在所述转轴的两端。

3.根据权利要求1所述半导体引线框架蚀刻设备，其特征在于：所述载片盒至少有两个。

4.根据权利要求1所述半导体引线框架蚀刻设备，其特征在于：所述蚀刻箱的侧壁上设有蚀刻液注入口和蚀刻液排出口。

5.根据权利要求4所述半导体引线框架蚀刻设备，其特征在于：所述蚀刻液排出口上设有向外抽取蚀刻液的液泵和截流阀。

6.根据权利要求4所述半导体引线框架蚀刻设备，其特征在于：所述蚀刻液注入口设有控制阀；所述控制阀电连接于所述控制系统。

7.根据权利要求1所述半导体引线框架蚀刻设备，其特征在于：所述载片盒为透明有机玻璃盒。

8.根据权利要求1所述半导体引线框架蚀刻设备，其特征在于：所述控制系统包括控制主机和显示操作屏。

9.根据权利要求1所述半导体引线框架蚀刻设备，其特征在于：所述蚀刻箱的侧壁上设有加热管和温度计；所述加热管和温度计均电连接于控制系统。

10.根据权利要求1所述半导体引线框架蚀刻设备，其特征在于：所述电动液压杆包括：固定在所述支架上的电动机、驱动连接于所述电动机的液压缸、与所述液压缸活塞连接的拉杆；所述拉杆末端与所述滑块固接；所述电动机电连接于所述控制系统。