CN114040590A - 双面电路基板、显示面板及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种双面电路基板、显示面板及其制备方法。双面电路基板的制备方法包括：提供基底；于基底上形成背面电路；形成第一正面有机材料层，第一正面有机材料层覆盖背面电路；形成侧边电路，侧边电路位于第一正面有机材料层的边缘部分，侧边电路贯穿第一正面有机材料层且与背面电路相连接；于第一正面有机材料层的表面形成正面电路，正面电路通过侧边电路与背面电路相连接；于正面电路表面形成第二正面有机材料层，第二正面有机材料层暴露出部分正面电路。上述双面电路基板的制备方法，实现了正面电路和背面电路之间的稳定连接，且无需在基板中打孔，有效解决了玻璃基板打孔易破碎的问题。

Description

双面电路基板、显示面板及其制备方法

技术领域

本发明涉及电路基板制造领域，尤其涉及一种双面电路基板、显示面板及其制备方法。

背景技术

目前，为了导通双面电路基板两侧的电路，传统的方案是在基板外侧制作侧边电路或者在基板内部打孔连接。但是，在基板外制作侧边电路的工艺难度大，且易发生电路损伤和断路。而在基板内部打孔连接正面电路与背面电路的方案中，随着pixel pitch(像素间距)的减小，打孔会越来越多，孔径会越来越小，导致基板极易破碎。

因此，如何实现双面电路基板中正面电路和背面电路之间的有效且稳定的电连接，是亟需解决的问题。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种双面电路基板及其制备方法，旨在解决双面电路基板中正面电路和背面电路之间的如何稳定连接的问题。

一种双面电路基板的制备方法，该方法包括：提供基底；于所述基底上形成背面电路；形成第一正面有机材料层，所述第一正面有机材料层覆盖所述背面电路；形成侧边电路，所述侧边电路位于所述第一正面有机材料层的边缘部分，所述侧边电路贯穿所述第一正面有机材料层且与所述背面电路相连接；于所述第一正面有机材料层的表面形成正面电路，所述正面电路通过所述侧边电路与所述背面电路相连接；于所述正面电路表面形成第二正面有机材料层，所述第二正面有机材料层暴露出部分所述正面电路。

上述双面电路基板的制备方法，通过在正面电路和背面电路之间的有机材料层内制备侧边电路，解决了正面电路和背面电路的连接问题，并且，有机材料层可以实现对侧边电路的有效保护，防止其断裂，实现了正面电路和背面电路之间的稳定连接。上述双面电路基板的制备方法，无需在基板中打孔，有效解决了玻璃基板打孔易破碎的问题。

可选地，于所述基底上形成背面电路的步骤包括：于所述基底上形成背面金属线路层；于所述背面金属线路层表面形成第一图形化光阻层；基于所述第一图形化光阻层刻蚀所述背面金属线路层，以形成所述背面电路。

可选地，形成侧边电路的步骤包括：于所述第一正面有机材料层的表面形成第二图形化光阻层；基于所述第二图形化光阻对所述第一正面有机材料层进行刻蚀，以于所述第一正面有机材料层的边缘部分形成若干通孔，所述通孔暴露出部分所述背面电路；去除所述第二图形化光阻层，于所述通孔中填充金属材料，形成所述侧边电路。

通过采用光刻工艺在有机材料层中制作侧边电路，不但可以避免在基板中打孔，解决基板打孔后易破碎的问题，还可以使得侧边电路的线路宽度更加微小化，解决了基板无法小间距打孔的问题，可以实现侧边电路的大量制作。

可选地，于所述第一正面有机材料层的表面形成正面电路的步骤包括：于所述第一正面有机材料层的表面形成正面金属线路层；于所述正面金属线路层表面形成第三图形化光阻层；基于所述第三图形化光阻层刻蚀所述正面金属线路层，以形成所述正面电路。

基于同样的发明构思，本申请还公开了一种显示面板的制备方法，包括：采用上述任一实施例中所述的双面电路基板的制备方法制备双面电路基板；提供芯片载板，所述芯片载板表面设置有若干个间隔排布的芯片；所述芯片包括芯片电极；于所述芯片电极的表面形成键合层；以所述第二正面有机材料层暴露出的部分所述正面电路作为第一键合焊盘，通过所述键合层将所述芯片电极与所述第一键合焊盘进行键合。

上述显示面板的制备方法，在对芯片进行封装和转移的过程中，黑胶层仅覆盖芯片侧面，而不覆盖芯片的发光面和芯片电极的表面，有效解决了黑胶封装影响穿透率的问题；同时，由于黑胶层可以对多个芯片进行封装，因此可以一次性地转移更多的芯片，提高了芯片转移效率。

可选地，于所述芯片电极的表面形成键合层，包括：于芯片载板上形成黑胶层，所述黑胶层将所述芯片封装，且所述黑胶层的表面与所述芯片电极的表面相齐平；于所述黑胶层表面设置钢网，所述钢网包括若干孔道，所述孔道暴露出所述芯片电极的表面；于所述孔道中形成所述键合层，所述键合层的顶部与所述钢网的顶部相齐平。

可选地，所述基底与所述背面电路之间还包括背面有机材料层；所述通过所述键合层将所述芯片电极与所述第一键合焊盘进行键合之后，还包括：去除所述基底；去除部分所述背面有机材料层，以暴露出部分所述背面电路，得到第二键合焊盘，所述第二键合焊盘用于连接外部控制系统。

上述显示面板的制备方法，通过去除基底，实现了无柔性基底的双面电路柔性封装制作。

可选地，显示面板的制备方法还包括：去除所述芯片载板，暴露出所述黑胶层的表面和所述芯片远离所述芯片电极的表面；于所述黑胶层的表面和所述芯片远离所述芯片电极的表面形成透明封装层。

通过在黑胶层和芯片的表面形成透明封装层，可以提高穿透率，同时提高双面电路基板的强度。

基于同样的发明构思，本申请还公开了一种双面电路基板，包括：依次叠置的正面电路、第一正面有机材料层和背面电路，其中，所述第一正面有机材料层的边缘设置有若干侧边电路，所述侧边电路与所述正面电路和所述背面电路相连接；第二正面有机材料层，位于所述正面电路远离所述背面电路的一侧，所述第二正面有机材料层暴露出部分所述正面电路；背面有机材料层，位于所述背面电路远离所述正面电路的一侧，所述背面有机材料层暴露出部分所述背面电路。

基于同样的发明构思，本申请还公开了一种显示面板，包括：上述实施例中的双面电路基板，其中，所述第二正面有机材料层暴露出的部分所述正面电路为第一键合焊盘；若干芯片，所述芯片包括芯片电极，所述芯片电极与所述第一键合焊盘的位置相对应；所述芯片电极的表面设置有键合层，所述芯片电极通过所述键合层键合至所述第一键合焊盘；黑胶层，位于所述第二正面有机材料层表面，所述黑胶层的表面与所述芯片的表面相齐平；透明封装层，覆盖所述黑胶层和所述芯片。

附图说明

图1为本申请一实施例中双面电路基板的制备方法流程框图。

图2为本申请一实施例中提供的基底以及于基底上形成背面光阻层和背面有机材料层后得到的半导体结构的截面示意图。

图3为本申请一实施例中形成背面金属线路层后得到的半导体结构的截面示意图。

图4至图6为本申请一实施例中形成背面电路的工艺流程示意图。

图7为本申请一实施例中形成第一正面有机材料层后得到的半导体结构的截面示意图。

图8至图10为本申请一实施例中形成侧边电路的工艺流程示意图。

图11为本申请一实施例中形成正面金属线路层后得到的半导体结构的截面示意图。

图12为本申请一实施例中形成正面电路后得到的半导体结构的截面示意图。

图13为本申请一实施例中形成第二正面有机材料层后得到的半导体结构的截面示意图。

图14为本申请一实施例中暴露出第一键合焊盘后得到的半导体结构的截面示意图。

图15为本申请一实施例中提供的芯片和芯片载板的截面示意图。

图16为本申请一实施例中于芯片载板上形成黑胶层后得到的半导体结构的截面示意图。

图17至图19为本申请一实施例中形成键合层的工艺流程示意图。

图20为本申请一实施例中将芯片与正面电路键合后得到的半导体结构的截面示意图。

图21为本申请一实施例中去除基板后得到的半导体结构的截面示意图。

图22为本申请一实施例中去除部分背面有机材料层、暴露出第二键合焊盘后得到的半导体结构的截面示意图。

图23为本申请一实施例中去除芯片载板后得到的半导体结构的截面示意图。

图24为本申请一实施例中显示面板的截面示意图。

图25为本申请一实施例中双面电路基板的截面示意图。

附图标记说明：

101-基底；102-背面光阻层；103-背面有机材料层；104-背面金属线路层；105-第一图形化光阻层；106-第一掩模板；107-背面电路；108-第一正面有机材料层；109-第二图形化光阻层；110-第二掩模板；111-通孔；112-侧边电路；113-正面金属线路层；114-正面电路；115-第二正面有机材料层；116-第一键合焊盘；117-芯片；118-芯片载板；119-芯片电极；120-黑胶层；121-钢网；122-键合层；123-透明封装层。

具体实施方式

为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳实施方式。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本申请的公开内容理解的更加透彻全面。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本申请。

为了导通双面电路基板两侧的电路，传统的方案是在基板外侧制作侧边电路或者在基板内部打孔连接。但是，在基板外制作侧边电路的工艺难度大，且易发生电路损伤和断路。而在基板内部打孔连接正面电路与背面电路的方案中，随着pixel pitch(像素间距)的减小，打孔会越来越多，孔径会越来越小，导致基板极易破碎。

基于此，本申请希望提供一种能够解决上述技术问题的方案，其详细内容将在后续实施例中得以阐述。

如图1所示，本申请的一个实施例提供了一种双面电路基板的制备方法，该方法包括：

S10：提供基底；

S20：于基底上形成背面电路；

S30：形成第一正面有机材料层，第一正面有机材料层覆盖背面电路；

S40：形成侧边电路，侧边电路位于第一正面有机材料层的边缘部分，侧边电路贯穿第一正面有机材料层且与背面电路相连接；

S50：于第一正面有机材料层的表面形成正面电路，正面电路通过侧边电路与背面电路相连接；

S60：于正面电路表面形成第二正面有机材料层，第二正面有机材料层暴露出部分正面电路。

在步骤S10中，示例地，基底101可以包括但不限于玻璃基底、硅基底或者其他基底。可选地，提供基底101后，可以在基底101上形成依次叠置的背面光阻层102和背面有机材料层103，如图2所示。其中，背面光阻层102用于在后续步骤中对背面有机材料层103进行刻蚀，背面有机材料层103用于对背面电路进行保护。

在步骤S20中，于基底101上形成背面电路的步骤包括：

S21：于基底101上形成背面金属线路层104，如图3所示。

示例地，可以在背面有机材料层103的表面涂覆背面金属线路层104。形成背面金属线路层104的材料例如可以是铜或其他导电金属。

S22：于背面金属线路层104表面形成第一图形化光阻层105，如图4所示。

示例地，提供第一掩模板106，将第一掩模板106与基底101对准，采用光刻工艺于背面金属线路层104表面形成第一图形化光阻层105，如图4所示。作为示例，可以采用紫外光通过第一掩模板106的开口位置进行曝光，并保留曝光位置。

S23：基于第一图形化光阻层105刻蚀背面金属线路层104，以形成背面电路107，如图5所示。

进一步地，得到背面电路107后去除第一图形化光阻层105，得到如图6所示的半导体结构。

在步骤S30中，于背面电路107上涂覆第一正面有机材料层108，如图7所示。第一正面有机材料层108用于隔绝正面电路和背面电路107，防止短路。在本发明中，第一正面有机材料层108还用于为侧边电路提供通道。

在步骤S40中，形成侧边电路的步骤包括：

S41：于第一正面有机材料层108的表面形成第二图形化光阻层109，如图8所示。

示例地，提供第二掩模板110并使用紫外光进行曝光，保留未曝光位置，形成第二图形化光阻层109。其中，第二掩模板110的边缘位置包括若干个开口，开口用于定义侧边电路112的位置和尺寸。

S42：基于第二图形化光阻层109对第一正面有机材料层108进行刻蚀，以于第一正面有机材料层108的边缘部分形成若干通孔111，通孔111暴露出部分背面电路107，如图9所示。

S43：去除第二图形化光阻层109，于通孔111中填充金属材料，形成侧边电路112，如图10所示。

示例地，形成侧边电路112的金属材料包括铜或其他导电金属。侧边电路112与背面电路107相连接。

通过采用光刻工艺在有机材料层中制作侧边电路112，不但可以避免在基板中打孔，解决基板打孔后易破碎的问题，还可以使得侧边电路112的线路宽度更加微小化，解决了基板无法小间距打孔的问题，可以实现侧边电路112的大量制作。

在步骤50中，形成正面电路的步骤包括：

S51：于第一正面有机材料层108的表面形成正面金属线路层113，如图11所示。

示例地，可以在第一正面有机材料层108的表面涂覆正面金属线路层113。形成正面金属线路层113的材料例如可以是铜或其他导电金属。

S52：于正面金属线路层113表面形成第三图形化光阻层。

S53：基于第三图形化光阻层刻蚀所述正面金属线路层，以形成正面电路114，如图12所示。

形成正面电路114的工艺步骤与形成背面电路107的工艺步骤类似，在此不再展开叙述。

在步骤S60中，形成第二正面有机材料层115的具体步骤包括：

S61：于正面电路114表面涂覆第二正面有机材料层115，如图13所示。

S62：对第二正面有机材料层115进行刻蚀，暴露出部分正面电路114如图14所示。

对第二正面有机材料层115进行刻蚀的工艺步骤与形成背面电路107的工艺步骤类似，在此不再展开叙述。

示例地，可以将暴露出的部分正面电路114作为第一键合焊盘116，如图14所示。第一键合焊盘116可用于和芯片进行键合，例如Micro LED芯片、Mini LED芯片或其他类型的芯片。

上述双面电路基板的制备方法，通过在正面电路114和背面电路107之间的有机材料层内制备侧边电路112，解决了正面电路114和背面电路107的连接问题，并且，有机材料层可以实现对侧边电路112的有效保护，防止其断裂。上述双面电路基板的制备方法，无需在基板中打孔，有效解决了玻璃基板打孔易破碎的问题。

基于同样的发明构思，本申请在一个实施例中还公开了一种显示面板的制备方法，具体步骤包括：

S100：采用前述任一实施例中所述的双面电路基板的制备方法制备双面电路基板。

S200：提供芯片载板118，芯片载板118表面设置有若干个间隔排布的芯片117；芯片117包括芯片电极119，如图15所示。

S300：于芯片电极119的表面形成键合层；

S400：以第二正面有机材料层115暴露出的部分所述正面电路114作为第一键合焊盘116，通过键合层将芯片电极119与第一键合焊盘116进行键合。

示例地，芯片117可以包括但不限于LED芯片，例如Micro LED芯片或Mini LED芯片。具体地，在步骤200中，为了确保芯片电极119可以准确地键合至第一键合焊盘116，需要根据第一键合焊盘116的排列位置来排列芯片117的位置。

在步骤S300中，于芯片电极119的表面形成键合层的步骤包括：

S301：于芯片载板上形成黑胶层120，黑胶层120将芯片117封装，且黑胶层120的表面与芯片电极119的表面相齐平，如图16所示。

S302：于黑胶层120表面设置钢网121，钢网121包括若干孔道，孔道暴露出芯片电极119的表面，如图17所示。

示例地，钢网121与芯片载板118准确对位之后，各孔道与各芯片电极119精准对齐。

S303：于孔道中形成键合层122，键合层122的顶部与钢网121的顶部相齐平，如图18所示。

示例地，在钢网121与芯片载板118对准之后，于钢网121的孔道中涂刷键合层122，使得键合层122与芯片电极119固定连接。于各个芯片电极119表面均形成键合层122后，将钢网121去除，得到如图19所示的结构。

在步骤S400中，通过键合层122将芯片电极119与第一键合焊盘116进行键合，如图20所示。

示例地，将芯片载板118与基底101准确对位，使得芯片电极119与第一键合焊盘116一一对应，芯片电极119和第一键合焊盘116通过键合层122键合固晶，以将芯片117转移至正面电路114。通过这种方式转移芯片117，可以大大提高芯片117的转移效率。

采用上述双面电路基板的制备方法，在对LED芯片进行封装和转移的过程中，黑胶层仅覆盖芯片侧面，而不覆盖芯片的发光面和芯片电极的表面，有效解决了黑胶封装影响穿透率的问题；同时，由于黑胶层可以对多个芯片进行封装，因此可以一次性地转移更多的芯片，提高了芯片转移效率。

在一个实施例中，基底101与背面电路107之间还包括背面光阻层102和背面有机材料层103，通过键合层122将芯片电极119键合至第一键合焊盘116之后，还包括：

S500：去除基底101，如图21所示。

S600：去除部分背面有机材料层103，以暴露出部分背面电路107，得到第二键合焊盘，第二键合焊盘用于连接外部控制系统，如图22所示。

示例地，如图21所示，可以使用激光剥离基底101，以暴露出背面光阻层102。进一步地，刻蚀去除部分背面有机材料层103，暴露出背面电路107中的第二键合焊盘，如图22所示。其中，第二键合焊盘用于连接外部控制系统，以实现外部控制系统地双面电路基板的控制。通过去除基底101，实现了无柔性基底的双面电路柔性封装制作。

在一个实施例中，显示面板的制备方法还包括：去除芯片载板118，暴露出黑胶层120的表面和芯片117远离芯片电极119的表面；于黑胶层120的表面和芯片117远离芯片电极119的表面形成透明封装层123，如图23和图24所示。

示例地，可以使用激光剥离芯片载板118，然后在暴露出来的黑胶层120的表面和芯片117的表面形成透明封装层123，例如透明胶。通过移除芯片载板118，使用透明胶作为封装层，可以在提升穿透率的同时，提高显示面板的强度。

基于同样的发明构思，本申请的一个实施例还公开了一种双面电路基板，该双面电路基板可由前述任一实施例中公开的双面电路基板的制备方法制备得到。如图25所示，该双面电路基板包括：依次叠置的正面电路114、第一正面有机材料层108和背面电路107，其中，第一正面有机材料层108的边缘设置有若干侧边电路112，侧边电路112与正面电路114和背面电路107相连接；第二正面有机材料层115，位于正面电路114远离背面电路107的一侧，第二正面有机材料层115暴露出部分正面电路114；背面有机材料层103，位于背面电路107远离正面电路114的一侧，背面有机材料层103暴露出部分背面电路107。

上述双面电路基板，通过在正面电路114和背面电路107之间的有机材料层内制备侧边电路112，解决了正面电路114和背面电路107的连接问题，并且，有机材料层可以实现对侧边电路112的有效保护，防止其断裂，实现正面电路114和背面电路107之间的稳定连接。

基于同样的发明构思，本申请的一个实施例还公开了一种显示面板，该显示面板可由前述任一实施例中公开的显示面板的制备方法制备得到。如图24所示，该显示面板包括：上述双面电路基板，其中，第二正面有机材料层115暴露出的部分正面电路114为第一键合焊盘116；若干芯片117，芯片117包括芯片电极119，芯片电极119与第一键合焊盘116的位置相对应；芯片电极119的表面设置有键合层122，芯片电极119通过键合层122键合至第一键合焊盘116；黑胶层120，位于第二正面有机材料层115表面，黑胶层120的表面与芯片117的表面相齐平；透明封装层123，覆盖黑胶层120和芯片117。

示例地，芯片117可以包括LED芯片，例如Micro LED芯片或Mini LED芯片。上述显示面板中，用于封装芯片117的黑胶层120没有遮挡芯片的发光面，解决了黑胶封装影响穿透率的问题。并且，透明封装层123可以提高穿透率、增强显示面板的强度。

应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种双面电路基板的制备方法，其特征在于，包括：

提供基底；

于所述基底上形成背面电路；

形成第一正面有机材料层，所述第一正面有机材料层覆盖所述背面电路；

形成侧边电路，所述侧边电路位于所述第一正面有机材料层的边缘部分，所述侧边电路贯穿所述第一正面有机材料层且与所述背面电路相连接；

于所述第一正面有机材料层的表面形成正面电路，所述正面电路通过所述侧边电路与所述背面电路相连接；

于所述正面电路的表面形成第二正面有机材料层，所述第二正面有机材料层暴露出部分所述正面电路。

2.如权利要求1所述的双面电路基板的制备方法，其特征在于，所述于所述基底上形成背面电路，包括：

于所述基底上形成背面金属线路层；

于所述背面金属线路层的表面形成第一图形化光阻层；

基于所述第一图形化光阻层刻蚀所述背面金属线路层，以形成所述背面电路。

3.如权利要求1所述的双面电路基板的制备方法，其特征在于，所述形成侧边电路，包括：

于所述第一正面有机材料层的表面形成第二图形化光阻层；

基于所述第二图形化光阻对所述第一正面有机材料层进行刻蚀，以于所述第一正面有机材料层的边缘部分形成若干通孔，所述通孔暴露出部分所述背面电路；

去除所述第二图形化光阻层，于所述通孔中填充金属材料，形成所述侧边电路。

4.如权利要求1所述的双面电路基板的制备方法，其特征在于，所述于所述第一正面有机材料层的表面形成正面电路，包括：

于所述第一正面有机材料层的表面形成正面金属线路层；

于所述正面金属线路层的表面形成第三图形化光阻层；

基于所述第三图形化光阻层刻蚀所述正面金属线路层，以形成所述正面电路。

5.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：

采用权利要求1-4任一项所述的双面电路基板的制备方法制备双面电路基板；

提供芯片载板，所述芯片载板表面设置有若干个间隔排布的芯片；所述芯片包括芯片电极；

于所述芯片电极的表面形成键合层；

以所述第二正面有机材料层暴露出的部分所述正面电路作为第一键合焊盘，通过所述键合层将所述芯片电极与所述第一键合焊盘进行键合。

6.如权利要求5所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述于所述芯片电极的表面形成键合层，包括：

于芯片载板上形成黑胶层，所述黑胶层将所述芯片封装，且所述黑胶层的表面与所述芯片电极的表面相齐平；

于所述黑胶层的表面设置钢网，所述钢网包括若干孔道，所述孔道暴露出所述芯片电极的表面；

于所述孔道中形成所述键合层，所述键合层的顶部与所述钢网的顶部相齐平。

7.如权利要求6所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述基底与所述背面电路之间还包括背面有机材料层；所述通过所述键合层将所述芯片电极与所述第一键合焊盘进行键合之后，还包括：

去除所述基底；

去除部分所述背面有机材料层，以暴露出部分所述背面电路，得到第二键合焊盘，所述第二键合焊盘用于连接外部控制系统。

8.如权利要求7所述的显示面板的制备方法，其特征在于，还包括：

去除所述芯片载板，暴露出所述黑胶层的表面和所述芯片远离所述芯片电极的表面；

于所述黑胶层的表面和所述芯片远离所述芯片电极的表面形成透明封装层。

9.一种双面电路基板，其特征在于，包括：

依次叠置的正面电路、第一正面有机材料层和背面电路，其中，所述第一正面有机材料层的边缘设置有若干侧边电路，所述侧边电路与所述正面电路和所述背面电路相连接；

第二正面有机材料层，位于所述正面电路远离所述背面电路的一侧，所述第二正面有机材料层暴露出部分所述正面电路；

背面有机材料层，位于所述背面电路远离所述正面电路的一侧，所述背面有机材料层暴露出部分所述背面电路。

10.一种显示面板，其特征在于，包括：

权利要求9所述的双面电路基板，其中，所述第二正面有机材料层暴露出的部分所述正面电路为第一键合焊盘；

若干芯片，所述芯片包括芯片电极，所述芯片电极与所述第一键合焊盘的位置相对应；所述芯片电极的表面设置有键合层，所述芯片电极通过所述键合层键合至所述第一键合焊盘；

黑胶层，位于所述第二正面有机材料层的表面，所述黑胶层的表面与所述芯片的表面相齐平；

透明封装层，覆盖所述黑胶层和所述芯片。

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