CN113862641A - 一种原子层沉积前驱体用量的监测系统及其方法与应用 - Google Patents

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Abstract

本发明属于材料表面包覆技术领域，尤其涉及一种原子层沉积前驱体用量的监测系统及其方法与应用，包括：椭偏仪或X射线反射仪，用于质控体和基体以监控包覆层厚度；气体流量计，用于实时控制气体流量；微分电化学质谱，用于监控尾气成分；所述椭偏仪与原子层沉积反应腔相邻设置；所述质控体与所述基体设于所述原子层沉积反应腔内，进行包覆处理；所述气体流量计设于所述原子层沉积反应腔内壁，所述微分电化学质谱与所述原子层沉积反应腔的尾气系统相连。对反应程度进行实时检测和反应结束状态进行预判，保证了基体和前驱体充分接触反应，实现对反应进程的准确把控，对前驱体用量的精确控制，解决了ALD包覆生产中前驱体用量大和利用率低的问题。

Description

一种原子层沉积前驱体用量的监测系统及其方法与应用
技术领域
本发明属于材料表面包覆技术领域，尤其涉及一种原子层沉积前驱体用量的监测系统及其方法与应用。
背景技术
原子层沉积技术(Atomic Layer Deposition，ALD)是由化学气相沉积(ChemicalVapor Deposition，CVD)技术发展而来。该技术被广泛用于半导体行业，例如在硅片等载体上沉积介电陶瓷材料。ALD作为一种新型的化学气相包覆手段，能够实现对被包覆材料不规则表面的完全赋型包覆，且包覆层厚度的控制精度可以达到0.1nm，相比传统的固相和液相包覆工艺，ALD在包覆均匀性和包覆修饰层厚度精准调控方面具备数量级上的优势。而且，与其他沉积手段相比，ALD具有精确的膜厚、形状和成分控制；无需控制反应物通量；极佳的薄膜同质性，均匀性，致密性，完整性；极佳的大面积沉积；高的可重复性及简单的扩产工艺；低的薄膜生长温度；对尘埃不敏感等优点，ALD适合在高精准度粉末表面改性中得到应用。
粉末ALD包覆成本过高是限制其大规模应用的主要原因。其中，ALD包覆技术中必不可少的前驱体源由于必须同时满足在室温下为液态或者气态和沸点非常低这两种要求，所以相比于其他包覆技术，ALD前驱体源的价格非常高，占到ALD包覆成本的30％。而目前粉体ALD包覆生产中仅靠气动阀门对前驱体源进行控制，为保证包覆中粉末和前驱体可以充分接触，因而造成前驱体用量大大超出理论值。所以，目前粉体ALD包覆生产中前驱体的利用率仅为50％，导致ALD的生产成本提升30％。因此，解决现有技术的ALD包覆成本过高的难题是现在研究的重点方向。
发明内容
本申请提供了一种原子层沉积前驱体用量的监测方法，以解决前驱体ALD包覆成本过高的技术问题。
第一方面，本申请提供了一种原子层沉积前驱体用量的监测系统，包括：
椭偏仪或X射线反射仪，用于质控体和基体以监控包覆层厚度；
气体流量计，用于实时控制气体流量；
微分电化学质谱，用于监控尾气成分；
所述椭偏仪或X射线反射仪，与原子层沉积反应腔相邻设置；所述质控体与所述基体设于所述原子层沉积反应腔内，进行包覆处理；所述气体流量计设于所述原于层沉积反应腔内壁，所述微分电化学质谱与所述原子层沉积反应腔的尾气系统相连。
可选的，所述质控体为单晶硅片。
可选的，所述控制气体流量的反应时间≥10ms。
一种用系统监测前驱体用量的方法，所述方法包括：
设置预定厚度的质控体；
检测所述质控体的厚度变化，得到质控体包覆层厚度；
根据所述质控体包覆层厚度计算基体包覆层厚度；
检测反应腔中气压；
根据所述气压和所述基体包覆层厚度，实时调节前驱体的添加量。
可选的，所述方法还包括监控尾气成分，对反应腔内反应进程进行判断，实现对前驱体用量的控制。
可选的，所述前驱体包括三甲基铝、三氯化铝、钛酸四异丙、四氯化钛、铪酸四异丙酯、氧气、臭氧、双氧水、等离子氧原子、硫化氢、氟气和氢氟酸中至少一种。
可选的，所述方法的使用步骤包括：
将基体和质控体置于原子层沉积反应腔中，抽真空和/或加热所述反应腔至预定状态；用清扫气体清扫反应腔后，加入前驱体；
计算基体的包覆层厚度和检测反应腔气压，调节前驱体的用量至所述基体进行原子层沉积反应结束。
可选的，所述清扫气体包括惰性气体。
第二方面，本申请提供了一种原子层沉积前驱体用量的监测方法的应用，所述应用包括控制包覆层厚度、控制包覆层厚度的精度和控制前驱体利用率中至少一种。
本申请实施例提供的上述技术方案与现有技术相比具有如下优点：
本申请实施例提供的监测系统，椭偏仪或X射线反射仪(XRR)，用于质控体和基体以监控包覆层厚度，得到所述基体的包覆层厚度，气体流量计对反应腔内气压进行实时检测，微分电化学质谱对尾气成分的监控，对原子沉积反应程度进行实时检测和反应结束状态进行预判，保证了需包覆的基体和前驱体可以充分接触反应，实现了对反应进程的准确了解与掌握，实现了对前驱体用量的精确控制，解决了前驱体ALD包覆生产中前驱体用量大和利用率低的问题，解决了ALD包覆成本过高的技术问题。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本发明的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的一种原子层沉积前驱体用量的监测方法的流程示意图；
图2为本申请实施例提供的一种原子层沉积前驱体用量的实时监测方法的结构示意图。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
本申请中提供了一种原子层沉积前驱体用量的监测系统，包括：
椭偏仪或X射线反射仪(XRR)，用于质控体和基体以监控包覆层厚度；
气体流量计，用于实时控制气体流量；
微分电化学质谱，用于监控尾气成分；
椭偏仪或X射线反射仪(XRR)，与原子层沉积反应腔相邻设置；所述质控体与所述基体设于所述原子层沉积反应腔内，进行包覆处理；所述气体流量计设于所述原子层沉积反应腔内壁，所述微分电化学质谱与所述原子层沉积反应腔的尾气系统相连。
本申请实施例中，基体可能表面不平坦，为弧形或凹槽状等不便于直接测量厚度的形状，通过计算质控体的厚度，推算出基体包覆层厚度，是比较直观简单的方法。
本申请实施例中，还可以包括真空计，用于检测原子层沉积反应腔内真空度，如图2所示。
本身实施例中，采用X射线反射技术，X射线反射仪(XRR)可以用于检测包覆层厚度。
本申请实施例中，步骤检测反应腔中气压可以在不是根据所述质控体包覆层厚度计算基体包覆层厚度之前或之后，均不影响该方法目的的实现。
本申请实施例中，测试精度达0.1ppm。
作为一种可选的实施方式，所述质控体为单晶硅片。单晶硅片价格便宜，使用范围广泛，表面平坦，适合作为质控体。
本申请实施例中，质控体为表面平坦的物体，便于计算厚度。
作为一种可选的实施方式，所述控制气体流量的反应时间≥10ms。
一种用系统监测前驱体用量的方法，如图1所示，所述方法包括：
S1.设置预定厚度的质控体；
S2.检测所述质控体的厚度变化，得到质控体包覆层厚度；
S3.根据所述质控体包覆层厚度计算基体包覆层厚度；
S4.检测反应腔中气压；
S5.根据所述气压和所述基体包覆层厚度，实时调节前驱体的添加量。
本申请实施例中，原子沉积技术具有如下特点：(1)通过控制循环次数精确控制包覆厚度，可以得到0.1nm级超薄的包覆层。(2)包覆层非常均匀致密，孔隙率非常低。
(3)生长温度较CVD低，部分包覆层材料可以室温下进行生长。(4)具有丰富的包覆材料选择性。
本申请实施例中，通过设置预定厚度的质控体；检测所述质控体的厚度变化，得到所述基体的包覆层厚度，对反应腔内包覆层厚度的计算和反应腔内气压进行实时检测，对原子沉积反应程度进行实时检测和反应结束状态进行预判，保证了需包覆的基体和前驱体可以充分接触反应，实现了对反应进程的准确了解与掌握，实现了对前驱体用量的精确控制，解决了粉体ALD包覆生产中前驱体用量大和利用率低的问题，解决了粉末ALD包覆成本过高的技术问题。
作为一种可选的实施方式，所述方法还包括监控尾气成分，对反应腔内反应进程进行判断，实现对前驱体用量的控制。
本申请实施例中，监控尾气成分可以辅助判断反应进程。还具有判断前驱体是否过量的作用。
作为一种可选的实施方式，所述前驱体包括三甲基铝、三氯化铝、钛酸四异丙、四氯化钛、铪酸四异丙酯、氧气、臭氧、双氧水、等离子氧原子、硫化氢、氟气和氢氟酸中至少一种。
本申请实施例中，所述前驱体可以根据原子沉积的目的进行变换，包括但不限于以上几种。
作为一种可选的实施方式，所述方法的使用步骤包括：
将基体和质控体置于原子层沉积反应腔中，抽真空和/或加热所述反应腔至预定状态；用清扫气体清扫反应腔后，加入前驱体；
计算基体的包覆层厚度和检测反应腔气压，调节前驱体的用量至所述基体进行原子层沉积反应结束。
作为一种可选的实施方式，所述清扫气体包括惰性气体。
本实施例中，所述清扫气体为惰性气体，氩气等。
实施例1
本实施例提供了一种利用原子层沉积(ALD)制备氧化铝所用前驱体三甲基铝和水用量的监测方法，其具体步骤如下：
将微分电化学质谱(DEMS)与ALD的尾气系统相连接，通过测试甲烷的含量变化曲线，判断反应腔内三甲基铝与水的反应情况，精准控制水的用量。将单晶硅片，平的，置于ALD反应腔内，通过椭偏仪对硅片厚度变化进行实时监控。由于硅片厚度的增加量与基体包覆层厚度相同。因此，可以通过对硅片厚度的变化监控判断包覆层厚度情况，以此为依据精准监控三甲基铝的用量。在反应腔上安装流量计，连接计算机读取数据，对腔体气压进行实时精准监控，根据微分电化学质谱和椭偏仪的结果，通过对气动阀门瞬时开启/关闭，实现对三甲基铝和水前驱体用量的精准控制。
对比例1
采用现有技术的粉体ALD包覆(Forge Nano ALD)，生产中仅靠气动阀门对前驱体源进行控制，包覆中粉末和前驱体可以充分接触，前驱体用量大大超出理论值。目前粉体ALD包覆生产中前驱体的利用率仅为50％，包覆层为氧化铝。
Figure BDA0003213331920000041
需要说明的是，在本文中，诸如“第一”和“第二”等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上所述仅是本发明的具体实施方式，使本领域技术人员能够理解或实现本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所申请的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (9)

1.一种原子层沉积前驱体用量的监测系统，其特征在于，包括：
椭偏仪或X射线反射仪，用于质控体和基体以监控包覆层厚度；
气体流量计，用于实时控制气体流量；
微分电化学质谱，用于监控尾气成分；
所述椭偏仪或X射线反射仪，与原子层沉积反应腔相邻设置；所述质控体与所述基体设于所述原子层沉积反应腔内，进行包覆处理；所述气体流量计设于所述原子层沉积反应腔内壁，所述微分电化学质谱与所述原子层沉积反应腔的尾气系统相连。
2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述质控体为单晶硅片。
3.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述控制气体流量的反应时间≥10ms。
4.一种用如权利要求1-3任意一项所述的系统监测前驱体用量的方法，其特征在于，所述方法包括：
设置预定厚度的质控体；
检测所述质控体的厚度变化，得到质控体包覆层厚度；
根据所述质控体包覆层厚度计算基体包覆层厚度；
检测反应腔中气压；
根据所述气压和所述基体包覆层厚度，实时调节前驱体的添加量。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法还包括监控尾气成分，对反应腔内反应进程进行判断，实现对前驱体用量的控制。
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述前驱体包括三甲基铝、三氯化铝、钛酸四异丙、四氯化钛、铪酸四异丙酯、氧气、臭氧、双氧水、等离子氧原子、硫化氢、氟气和氢氟酸中至少一种。
7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法的使用步骤包括：
将基体和质控体置于原子层沉积反应腔中，抽真空和/或加热所述反应腔至预定状态；用清扫气体清扫反应腔后，加入前驱体；
计算基体的包覆层厚度和检测反应腔气压，调节前驱体的用量至所述基体进行原子层沉积反应结束。
8.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述清扫气体包括惰性气体。
9.一种如权利要求1-8中任意一项的原子层沉积前驱体用量的监测方法的应用，其特征在于，所述应用包括控制包覆层厚度、控制包覆层厚度的精度和控制前驱体利用率中至少一种。
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Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5871805A (en) * 1996-04-08 1999-02-16 Lemelson; Jerome Computer controlled vapor deposition processes
CN101253283A (zh) * 2005-07-08 2008-08-27 Mks仪器公司 用于脉冲沉积监测和控制的传感器
CN102507040A (zh) * 2011-11-10 2012-06-20 复旦大学 一种基于椭偏仪的薄膜温度测量方法
CN102884412A (zh) * 2010-05-12 2013-01-16 Cv控股有限责任公司 容器放气检测方法
CN103031546A (zh) * 2011-09-29 2013-04-10 中国科学院微电子研究所 一种原子层沉积设备及其使用方法
TW201503217A (zh) * 2013-07-10 2015-01-16 Zeiss Carl Smt Gmbh 質譜儀、其使用方法、及氣體混合物的質譜分析方法
CN104876182A (zh) * 2015-05-29 2015-09-02 昆明理工大学 一种基于氧载体利用太阳能等温分解水制氢的方法
CN105609637A (zh) * 2016-03-04 2016-05-25 北京大学深圳研究生院 沉积氧化物薄膜的方法、有机场效应晶体管及其制备方法
CN107210188A (zh) * 2014-12-19 2017-09-26 应用材料公司 用于沉积的监控系统与操作该系统的方法
CN107478175A (zh) * 2017-08-18 2017-12-15 东南大学 一种原子层沉积薄膜原位监测控制系统
CN108425105A (zh) * 2018-05-24 2018-08-21 江苏微导纳米装备科技有限公司 一种原子层沉积在线监控系统
CN108982645A (zh) * 2018-07-24 2018-12-11 江南大学 一种纳米镀膜工艺的集成式在线检测方法
CN111063627A (zh) * 2019-12-30 2020-04-24 中电国基南方集团有限公司 Bcb厚度的在片监测与控制方法及装置
CN111188028A (zh) * 2020-02-28 2020-05-22 西安近代化学研究所 一种腐蚀性、危险性气态前驱体的原子层沉积过程控制方法
CN112964647A (zh) * 2021-01-22 2021-06-15 国家纳米科学中心 一种利用光谱椭偏仪检测超薄金属膜的方法及装置
CN113029070A (zh) * 2019-12-25 2021-06-25 中国科学院微电子研究所 一种监测原子层沉积薄膜生长厚度的方法

Patent Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5871805A (en) * 1996-04-08 1999-02-16 Lemelson; Jerome Computer controlled vapor deposition processes
CN101253283A (zh) * 2005-07-08 2008-08-27 Mks仪器公司 用于脉冲沉积监测和控制的传感器
CN102884412A (zh) * 2010-05-12 2013-01-16 Cv控股有限责任公司 容器放气检测方法
CN103031546A (zh) * 2011-09-29 2013-04-10 中国科学院微电子研究所 一种原子层沉积设备及其使用方法
CN102507040A (zh) * 2011-11-10 2012-06-20 复旦大学 一种基于椭偏仪的薄膜温度测量方法
TW201503217A (zh) * 2013-07-10 2015-01-16 Zeiss Carl Smt Gmbh 質譜儀、其使用方法、及氣體混合物的質譜分析方法
CN107210188A (zh) * 2014-12-19 2017-09-26 应用材料公司 用于沉积的监控系统与操作该系统的方法
CN104876182A (zh) * 2015-05-29 2015-09-02 昆明理工大学 一种基于氧载体利用太阳能等温分解水制氢的方法
CN105609637A (zh) * 2016-03-04 2016-05-25 北京大学深圳研究生院 沉积氧化物薄膜的方法、有机场效应晶体管及其制备方法
CN107478175A (zh) * 2017-08-18 2017-12-15 东南大学 一种原子层沉积薄膜原位监测控制系统
CN108425105A (zh) * 2018-05-24 2018-08-21 江苏微导纳米装备科技有限公司 一种原子层沉积在线监控系统
CN108982645A (zh) * 2018-07-24 2018-12-11 江南大学 一种纳米镀膜工艺的集成式在线检测方法
CN113029070A (zh) * 2019-12-25 2021-06-25 中国科学院微电子研究所 一种监测原子层沉积薄膜生长厚度的方法
CN111063627A (zh) * 2019-12-30 2020-04-24 中电国基南方集团有限公司 Bcb厚度的在片监测与控制方法及装置
CN111188028A (zh) * 2020-02-28 2020-05-22 西安近代化学研究所 一种腐蚀性、危险性气态前驱体的原子层沉积过程控制方法
CN112964647A (zh) * 2021-01-22 2021-06-15 国家纳米科学中心 一种利用光谱椭偏仪检测超薄金属膜的方法及装置

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