CN111063627A - Bcb厚度的在片监测与控制方法及装置 - Google Patents
Bcb厚度的在片监测与控制方法及装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111063627A CN111063627A CN201911405649.0A CN201911405649A CN111063627A CN 111063627 A CN111063627 A CN 111063627A CN 201911405649 A CN201911405649 A CN 201911405649A CN 111063627 A CN111063627 A CN 111063627A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- bcb
- monitoring
- thickness
- layer
- chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 title claims abstract description 95
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 57
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 30
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 17
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 16
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 10
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 8
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 claims description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000000276 deep-ultraviolet lithography Methods 0.000 claims description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 4
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000010009 beating Methods 0.000 claims description 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 claims description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 claims description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 238000004886 process control Methods 0.000 abstract 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 61
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 40
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000000861 blow drying Methods 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 239000002609 medium Substances 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
- G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
- G01B11/0616—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating
- G01B11/0675—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating using interferometry
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/21—Polarisation-affecting properties
- G01N21/211—Ellipsometry
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/41—Refractivity; Phase-affecting properties, e.g. optical path length
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Pathology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
本发明公开了一种BCB厚度的在片监测与控制方法及装置,方法包括:在外延片上制备监控图形;将BCB胶旋涂在基片表面并加热固化;采用微区反射干涉法测试BCB层厚度;采用干法刻蚀工艺对BCB层进行刻蚀,重复测试监控区域的BCB厚度;所述监测方法能够快速获得晶圆上不同区域的BCB厚度,而且不会损伤晶圆表面。本发明能够用于InP HBT器件的BCB平坦化工艺,可实现BCB厚度的在片实时监测,有效提高生产效率;通过设置特定的监测图形来进行工艺控制监控,实现对不同区域BCB厚度的实时监控,有效提升工艺控制能力。
Description
技术领域
本发明属于半导体集成电路器件和工艺领域,具体涉及一种BCB厚度的在片监测与控制方法及装置。
背景技术
以半导体器件为基础的电子工业是世界上最大的工业。当前,半导体器件的尺寸已进入到纳米级,为缩小电子系统的体积、重量和提高可靠性,电路的集成度越来越高,布局越来越复杂,互联布线的层数也越来越多。
单片微波集成电路(MMIC)是一种把有源和无源器件制作在一片半导体基片上的微波电路。尽管MMIC从外观上看,复杂程度比其他集成电路低,但能产生最高的工作频率,广泛应用于军事和航天领域。HBT器件具有跨导高、阈值特性好、可多层布线的优点,可制备THz波段(0.3-3THz)紧凑型模拟电路。InP HBT的量子阱和P型区具有高电子迁移率,异质结带隙差有利于载流子限制,能够高掺杂实现低接触电阻。同时,InP HBT集电极材料的带隙较宽,在ft有更高的击穿电压和更大的驱动电流,适于THz波段的功率放大。小型化后的InPHBT功率密度高、集成度高,可实现多功能的THz集成电路(TMICs)。
在MMIC电路主流的平坦化工艺中,苯并环丁烯(BCB)材料具有良好的平坦化性能、电绝缘性能、热稳定性和低介电常数,能够隔绝潮气、阻挡扩散,被广泛应用于芯片组件的多层互联间隔、应力缓冲、钝化和封装工艺等。常规的台阶测试监控BCB层厚度的方法,需要构造特定的BCB台阶,具有结构复杂、对样品有破坏性、测量速度慢、测量精度受残余层和台阶仪误差影响等缺点。
发明内容
本发明的目的在于提供一种BCB厚度的在片监测与控制方法及装置。
实现本发明目的的技术解决方案为:一种BCB厚度的在片监测与控制方法,包括:
在外延片上制备监控图形;
将BCB胶旋涂在基片表面并加热固化;
采用微区反射干涉法测试BCB层厚度;
采用干法刻蚀工艺对BCB层进行刻蚀,重复测试监控区域的BCB厚度。
一种BCB厚度的在片监测与控制装置,包括:
带监控图形的晶圆片;
旋涂固化在晶圆上的BCB层;
测量材料折射率和消光系数的椭偏仪;
监测厚度的微区反射式干涉膜厚仪;
控制厚度的感应耦合等离子体刻蚀机。
与现有技术相比,本发明的显著优点为:(1)本发明利用特定的BCB监控图形,在片监控不同区域不同工艺阶段的BCB层厚度,提升平坦化的监控精度和效率;(2)所设计的监控图形为圆形或方形,方便加工,芯片的损失面积最小;(3)通过椭圆偏振测试,获得BCB材料的精确值,来建立反射干涉模型,可避免探针台阶测试的破坏性和复杂性,测量速度快、准确率高,工艺简单;(4)本发明方法获得的BCB膜层厚度能与台阶测试和扫描电子显微镜的剖面测试数据相吻合,又具备监控区域广、成本低、简单快速的特点,适用于生产制造过程中多步骤、多区域BCB厚度的监控。
附图说明
图1为实施例2中步骤1)得到的BCB厚度监控结构示意图。
图2为实施例2中步骤2)得到的BCB厚度监控结构示意图。
图3为实施例2中步骤3)得到的BCB厚度监控结构示意图。
图4为实施例2中步骤4)得到的BCB厚度监控结构示意图。
图5为实施例2中步骤5)得到的BCB厚度监控结构示意图。
图6为实施例2中步骤7)得到的BCB厚度监控结构示意图。
图7为实施例2中步骤6)和步骤8)得到的BCB厚度监控结构的俯视示意图。
图8为实施例2中步骤6)和步骤8)得到的BCB厚度监控测试示意图。
其中:1代表外延片基底,2代表光刻胶层,3代表金属Ti层,4代表BCB层,5代表测试反射谱的物镜,6代表计算机。
具体实施方式
本发明提出了一种采用光学反射干涉在片监控BCB厚度的优化方法,可对BCB厚度进行快速无损的原位高精度监控,进而实现了BCB孔链成品率的提升。主要是依据固化的BCB材料的折射率N和消光系数K的精确值,建立BCB材料在不同材料衬底上的光学干涉模型,通过干涉条纹的峰-峰拟合,能快速精确的解算出测量位置的BCB厚度。通过在晶圆上加入特定的监控图形,实现多步工艺、多区域厚度的精确监控,有效提高了对关键工艺的控制能力。
一种BCB厚度的在片监测与控制方法,采用监控图形与光学反射干涉测试相结合的方式,方便快速,测量精度高,控制能力好,该方法包括:
(1)在外延片上制备监控图形;
(2)将BCB胶旋涂在基片表面并加热固化;
(3)采用微区反射干涉法测试BCB层厚度;
(4)采用干法刻蚀工艺对BCB层进行刻蚀,重复测试监控区域的BCB厚度。
其中,监控图形的制备方法为:
对基片进行清洗甩干,在表面旋涂光刻胶;
用深紫外光刻工艺在胶层上曝光显影,将版图上的监控图形转移至胶层;
监控图形的材料为介质、金属或半导体薄膜,用蒸发剥离工艺制备监控图形的金属薄膜,用干法刻蚀工艺制备监控图形的半导体薄膜,用气相沉积工艺制备监控图形的介质薄膜;
用湿法溶液去除残余的光刻胶层,用干法打胶清洁基片表面。
进一步的,采用椭偏仪测量材料折射率和消光系数,采用膜厚仪获得监控图形区域的反射谱,进行峰值拟合,解算出BCB厚度,材料包括外延片、监控图形、BCB胶。
进一步的,所述外延片为InP HBT外延片,监控图形为方形或圆形,BCB层采用旋涂固化制备,厚度采用干法刻蚀控制。
进一步的,所述监控图形的材料为介质、金属或半导体薄膜,边长或直径为10um-100um,厚度为10nm-800nm。
进一步的,金属薄膜选用Ti或Au层,外延薄膜选用InGaAs或InP层,介质薄膜选用SiO2或Si3N4。
进一步的,BCB胶旋涂在基片表面,在充氮烘箱中进行加热固化。
本发明还提供一种BCB厚度的在片监测与控制装置,包括:
(1)带监控图形的晶圆片;
(2)旋涂固化在晶圆上的BCB层;
(3)测量材料折射率和消光系数的椭偏仪;
(4)监测厚度的微区反射式干涉膜厚仪;
(5)控制厚度的感应耦合等离子体刻蚀机。
下面结合实施例和附图对本发明进行详细说明。
实施例1
一种InP-HBT工艺中BCB厚度的在片监测与控制方法,其步骤包括:
(1)对基片进行清洗甩干,在表面旋涂光刻胶,胶层具有高分辨率且易剥离;光刻胶层选用AZ1500或AZ5214,胶层厚度为1um-8um;
(2)用深紫外光刻工艺在胶层上曝光显影,将版图上的监控图形转移至胶层;所设计的监控图形为圆形或方形,直径或边长为10um-100um。
(3)用蒸发剥离工艺制备监控图形的金属薄膜,用干法刻蚀工艺制备监控图形的外延薄膜,用气相沉积工艺制备监控图形的介质薄膜;
所述金属膜层选用Ti或Au,厚度为10nm-800nm,外延膜层选用InGaAs或InP,厚度为10nm-500nm,介质膜层为Si3N4或SiO2,厚度为50nm-500nm,湿法去胶选用DMF溶液;
(4)用湿法溶液去除残余的光刻胶层,用干法打胶清洁基片表面;
(5)将BCB胶旋涂在基片表面,在充氮烘箱中进行加热固化;BCB胶层选用3022-35非光敏型,初始厚度范围在1um-5um;
(6)用膜厚仪获得监控图形区域的反射谱,进行峰值拟合,解算出BCB厚度;
(7)用干法刻蚀工艺对BCB层进行刻蚀,重复测试监控区域的BCB厚度;所述BCB层厚度的控制通过刻蚀时间来调节,最终厚度范围在100nm-3um。
本发明的检测与控制方法空间分辨率高、响应快速、厚度精准、样品无损。
实施例2
如图1-8所示,一种InP-HBT工艺中BCB厚度的在片监测与控制方法,其步骤包括:
1)选择InP HBT外延基片1,用丙酮、异丙醇和去离子水清洗后,在洁净室用高纯氮气吹干,在基片表面旋涂4um厚的光刻胶2,如图1所示,
2)利用深紫外光刻技术曝光显影,将光刻版上的监控图形转移到光刻胶层,如图2所示;
3)利用电子束蒸发工艺,在光刻胶表面蒸发厚约10nm的金属Ti层3,如图3所示;
4)利用丙酮浸泡基片,剥离金属层,将监控图形转移到金属Ti层3,如图4所示;
5)将2um厚的BCB胶旋4涂在基片表面,在充氮烘箱中加热至250℃,持续2小时后,冷却至室温取出,如图5所示;
6)在膜厚仪物镜5视野下寻找晶圆上的监控图形,对准图形中央,测量并记录反射谱,利用计算机6对反射谱进行峰值拟合,解算出对应图形表面的BCB厚度;
7)利用等离子体刻蚀技术,通入SF6和O2的混合气体,对BCB层进行刻蚀,如图6所示,O2流量为10±2sccm,SF6流量为10±2sccm,功率为30W,压强为10mtor,刻蚀时间为5min;
8)重复步骤6),测量并记录监控图形上BCB的厚度,如图7、图8所示。
实施例3
该实施例步骤与实施例2相比,其区别在于选择的薄膜材料为Si3N4介质,具体方法为:
1)选择InP HBT外延基片,用丙酮、异丙醇和去离子水中清洗后,在洁净室用高纯氮气吹干,在基片表面生长100nm的Si3N4介质;
2)旋涂光刻胶层,利用曝光显影,将监控图形转移到光刻胶层;
3)利用干法刻蚀工艺,将监控图形从光刻胶层转移至Si3N4介质层;
4)将2um厚的BCB胶旋涂在基片表面,在充氮烘箱中加热至250℃,持续2小时后,冷却至室温取出;
5)在膜厚仪物镜视野下寻找晶圆上的监控图形,对准图形中央,测量并记录反射谱,对反射谱进行峰值拟合,解算出对应图形表面的BCB厚度;
6)利用等离子体刻蚀技术,通入SF6和O2的混合气体,对BCB层进行刻蚀,O2流量为10±2sccm,SF6流量为10±2sccm,功率为30W,压强为10mtor,刻蚀时间为5min;
7)重复步骤5),测量并记录监控图形上BCB的厚度。
Claims (10)
1.一种BCB厚度的在片监测与控制方法,其特征在于,包括:
在外延片上制备监控图形;
将BCB胶旋涂在基片表面并加热固化;
采用微区反射干涉法测试BCB层厚度;
采用干法刻蚀工艺对BCB层进行刻蚀,重复测试监控区域的BCB厚度。
2.根据权利要求1所述的BCB厚度的在片监测与控制方法,其特征在于,监控图形的制备方法为:
对基片进行清洗甩干,在表面旋涂光刻胶;
用深紫外光刻工艺在胶层上曝光显影,将版图上的监控图形转移至胶层;
监控图形的材料为介质、金属或半导体薄膜,用蒸发剥离工艺制备监控图形的金属薄膜,用干法刻蚀工艺制备监控图形的半导体薄膜,用气相沉积工艺制备监控图形的介质薄膜;
用湿法溶液去除残余的光刻胶层,用干法打胶清洁基片表面。
3.根据权利要求1或2所述的BCB厚度的在片监测与控制方法,其特征在于,所述监控图形为方形或圆形。
4.根据权利要求3所述的BCB厚度的在片监测与控制方法,其特征在于,所述监控图形的材料为介质、金属或半导体薄膜,边长或直径为10um-100um,厚度为10nm-800nm。
5.根据权利要求4所述的BCB厚度的在片监测与控制方法,其特征在于,金属薄膜选用Ti或Au层,外延薄膜选用InGaAs或InP层,介质薄膜选用SiO2或Si3N4。
6.根据权利要求2所述的BCB厚度的在片监测与控制方法,其特征在于,光刻胶层厚度为1um-8um。
7.根据权利要求1所述的BCB厚度的在片监测与控制方法,其特征在于,采用椭偏仪测量材料折射率和消光系数,采用膜厚仪获得监控图形区域的反射谱,进行峰值拟合,解算出BCB厚度,材料包括外延片、监控图形和BCB胶。
8.根据权利要求1所述的BCB厚度的在片监测与控制方法,其特征在于,所述外延片为InP HBT外延片。
9.根据权利要求1所述的BCB厚度的在片监测与控制方法,其特征在于,BCB胶旋涂在基片表面,在充氮烘箱中进行加热固化。
10.一种BCB厚度的在片监测与控制装置,其特征在于,包括:
带监控图形的晶圆片;
旋涂固化在晶圆上的BCB层;
测量材料折射率和消光系数的椭偏仪;
监测厚度的微区反射式干涉膜厚仪;
控制厚度的感应耦合等离子体刻蚀机。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201911405649.0A CN111063627A (zh) | 2019-12-30 | 2019-12-30 | Bcb厚度的在片监测与控制方法及装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201911405649.0A CN111063627A (zh) | 2019-12-30 | 2019-12-30 | Bcb厚度的在片监测与控制方法及装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111063627A true CN111063627A (zh) | 2020-04-24 |
Family
ID=70305288
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201911405649.0A Pending CN111063627A (zh) | 2019-12-30 | 2019-12-30 | Bcb厚度的在片监测与控制方法及装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN111063627A (zh) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113707539A (zh) * | 2021-07-13 | 2021-11-26 | 武汉敏芯半导体股份有限公司 | 高速探测器钝化层结构及其制作方法 |
CN113862641A (zh) * | 2021-08-16 | 2021-12-31 | 江汉大学 | 一种原子层沉积前驱体用量的监测系统及其方法与应用 |
CN114091291A (zh) * | 2022-01-24 | 2022-02-25 | 晶芯成(北京)科技有限公司 | 一种半导体版图的监控方法及系统 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5465154A (en) * | 1989-05-05 | 1995-11-07 | Levy; Karl B. | Optical monitoring of growth and etch rate of materials |
CN1619788A (zh) * | 2003-06-18 | 2005-05-25 | 应用材料有限公司 | 用于监测—蚀刻工艺的方法与系统 |
JP2009031235A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-02-12 | National Central Univ | 屈折率と厚さの修正効果を有する精密光学コーティングモニタリング法 |
CN101562135A (zh) * | 2008-04-16 | 2009-10-21 | 中国科学院微电子研究所 | 一种用于监控介质平坦化过程的方法 |
-
2019
- 2019-12-30 CN CN201911405649.0A patent/CN111063627A/zh active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5465154A (en) * | 1989-05-05 | 1995-11-07 | Levy; Karl B. | Optical monitoring of growth and etch rate of materials |
CN1619788A (zh) * | 2003-06-18 | 2005-05-25 | 应用材料有限公司 | 用于监测—蚀刻工艺的方法与系统 |
JP2009031235A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-02-12 | National Central Univ | 屈折率と厚さの修正効果を有する精密光学コーティングモニタリング法 |
CN101562135A (zh) * | 2008-04-16 | 2009-10-21 | 中国科学院微电子研究所 | 一种用于监控介质平坦化过程的方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113707539A (zh) * | 2021-07-13 | 2021-11-26 | 武汉敏芯半导体股份有限公司 | 高速探测器钝化层结构及其制作方法 |
CN113862641A (zh) * | 2021-08-16 | 2021-12-31 | 江汉大学 | 一种原子层沉积前驱体用量的监测系统及其方法与应用 |
CN113862641B (zh) * | 2021-08-16 | 2023-09-12 | 江汉大学 | 一种原子层沉积前驱体用量的监测系统及其方法与应用 |
CN114091291A (zh) * | 2022-01-24 | 2022-02-25 | 晶芯成(北京)科技有限公司 | 一种半导体版图的监控方法及系统 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN111063627A (zh) | Bcb厚度的在片监测与控制方法及装置 | |
CN111200057B (zh) | 约瑟夫森结阵列制备方法、约瑟夫森结阵列以及电子器件 | |
US8143974B2 (en) | Coplanar waveguide having trenches covered by a passivation film and fabrication method thereof | |
CN111399350B (zh) | 一种图案化光敏bcb半导体结构的制备方法 | |
Hassan et al. | Assembly and embedding of ultra-thin chips in polymers | |
CN102867907A (zh) | 一种制备柔性超导薄膜的方法 | |
CN112649713B (zh) | 一种太赫兹频段在片trl校准件及其制备方法 | |
CN112885952A (zh) | 约瑟夫森参量放大器及其制备方法 | |
Sharifi et al. | Characterization of Parylene-N as flexible substrate and passivation layer for microwave and millimeter-wave integrated circuits | |
CN114628571B (zh) | 一种超导约瑟夫森结及其制备方法 | |
US6833606B2 (en) | Fabrication of a heterojunction bipolar transistor with integrated MIM capacitor | |
Jung et al. | Releasable high‐performance GaAs Schottky diodes for gigahertz operation of flexible bridge rectifier | |
Chen et al. | Fabrication and performance of microbolometer arrays based on nanostructured vanadium oxide thin films | |
CA2531659A1 (en) | Contact pressure sensor and method for manufacturing the same | |
CN116825763A (zh) | 量子比特的制造方法及量子芯片 | |
JP2004128437A (ja) | 超伝導集積回路及びその作製方法 | |
CN114112085B (zh) | 一种高效率mems高温薄膜热电偶传感器的制造方法 | |
CN106841285B (zh) | 一种简易新颖的薄膜热学性能测试结构 | |
US20030077898A1 (en) | Self-aligned fabrication method for a semiconductor device | |
CN114242800A (zh) | 日盲AlGaN紫外光电探测器及其制备方法 | |
CN109216331B (zh) | 一种基于pin二极管的毫米波预失真集成电路及制作方法 | |
Niedzielski et al. | Silicon hard-stop spacers for 3D integration of superconducting qubits | |
CN113325293A (zh) | 一种量子芯片测试结构、其制备方法和测试方法 | |
Pantano et al. | Broadband Characterization of Polymers under Reliability Stresses and Impact of Capping Layer | |
Zeng et al. | Flip chip assembled MEMS inductors |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20200424 |