CN111063627A - Bcb厚度的在片监测与控制方法及装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种BCB厚度的在片监测与控制方法及装置，方法包括：在外延片上制备监控图形；将BCB胶旋涂在基片表面并加热固化；采用微区反射干涉法测试BCB层厚度；采用干法刻蚀工艺对BCB层进行刻蚀，重复测试监控区域的BCB厚度；所述监测方法能够快速获得晶圆上不同区域的BCB厚度，而且不会损伤晶圆表面。本发明能够用于InP HBT器件的BCB平坦化工艺，可实现BCB厚度的在片实时监测，有效提高生产效率；通过设置特定的监测图形来进行工艺控制监控，实现对不同区域BCB厚度的实时监控，有效提升工艺控制能力。
Description
技术领域
本发明属于半导体集成电路器件和工艺领域，具体涉及一种BCB厚度的在片监测与控制方法及装置。
背景技术
以半导体器件为基础的电子工业是世界上最大的工业。当前，半导体器件的尺寸已进入到纳米级，为缩小电子系统的体积、重量和提高可靠性，电路的集成度越来越高，布局越来越复杂，互联布线的层数也越来越多。
单片微波集成电路(MMIC)是一种把有源和无源器件制作在一片半导体基片上的微波电路。尽管MMIC从外观上看，复杂程度比其他集成电路低，但能产生最高的工作频率，广泛应用于军事和航天领域。HBT器件具有跨导高、阈值特性好、可多层布线的优点，可制备THz波段(0.3-3THz)紧凑型模拟电路。InP HBT的量子阱和P型区具有高电子迁移率，异质结带隙差有利于载流子限制，能够高掺杂实现低接触电阻。同时，InP HBT集电极材料的带隙较宽，在ft有更高的击穿电压和更大的驱动电流，适于THz波段的功率放大。小型化后的InPHBT功率密度高、集成度高，可实现多功能的THz集成电路(TMICs)。
在MMIC电路主流的平坦化工艺中，苯并环丁烯(BCB)材料具有良好的平坦化性能、电绝缘性能、热稳定性和低介电常数，能够隔绝潮气、阻挡扩散，被广泛应用于芯片组件的多层互联间隔、应力缓冲、钝化和封装工艺等。常规的台阶测试监控BCB层厚度的方法，需要构造特定的BCB台阶，具有结构复杂、对样品有破坏性、测量速度慢、测量精度受残余层和台阶仪误差影响等缺点。
发明内容
本发明的目的在于提供一种BCB厚度的在片监测与控制方法及装置。
实现本发明目的的技术解决方案为：一种BCB厚度的在片监测与控制方法，包括：
在外延片上制备监控图形；
将BCB胶旋涂在基片表面并加热固化；
采用微区反射干涉法测试BCB层厚度；
采用干法刻蚀工艺对BCB层进行刻蚀，重复测试监控区域的BCB厚度。
一种BCB厚度的在片监测与控制装置，包括：
带监控图形的晶圆片；
旋涂固化在晶圆上的BCB层；
测量材料折射率和消光系数的椭偏仪；
监测厚度的微区反射式干涉膜厚仪；
控制厚度的感应耦合等离子体刻蚀机。
与现有技术相比，本发明的显著优点为：(1)本发明利用特定的BCB监控图形，在片监控不同区域不同工艺阶段的BCB层厚度，提升平坦化的监控精度和效率；(2)所设计的监控图形为圆形或方形，方便加工，芯片的损失面积最小；(3)通过椭圆偏振测试，获得BCB材料的精确值，来建立反射干涉模型，可避免探针台阶测试的破坏性和复杂性，测量速度快、准确率高，工艺简单；(4)本发明方法获得的BCB膜层厚度能与台阶测试和扫描电子显微镜的剖面测试数据相吻合，又具备监控区域广、成本低、简单快速的特点，适用于生产制造过程中多步骤、多区域BCB厚度的监控。
附图说明
图1为实施例2中步骤1)得到的BCB厚度监控结构示意图。
图2为实施例2中步骤2)得到的BCB厚度监控结构示意图。
图3为实施例2中步骤3)得到的BCB厚度监控结构示意图。
图4为实施例2中步骤4)得到的BCB厚度监控结构示意图。
图5为实施例2中步骤5)得到的BCB厚度监控结构示意图。
图6为实施例2中步骤7)得到的BCB厚度监控结构示意图。
图7为实施例2中步骤6)和步骤8)得到的BCB厚度监控结构的俯视示意图。
图8为实施例2中步骤6)和步骤8)得到的BCB厚度监控测试示意图。
其中：1代表外延片基底，2代表光刻胶层，3代表金属Ti层，4代表BCB层，5代表测试反射谱的物镜，6代表计算机。
具体实施方式
本发明提出了一种采用光学反射干涉在片监控BCB厚度的优化方法，可对BCB厚度进行快速无损的原位高精度监控，进而实现了BCB孔链成品率的提升。主要是依据固化的BCB材料的折射率N和消光系数K的精确值，建立BCB材料在不同材料衬底上的光学干涉模型，通过干涉条纹的峰-峰拟合，能快速精确的解算出测量位置的BCB厚度。通过在晶圆上加入特定的监控图形，实现多步工艺、多区域厚度的精确监控，有效提高了对关键工艺的控制能力。
一种BCB厚度的在片监测与控制方法，采用监控图形与光学反射干涉测试相结合的方式，方便快速，测量精度高，控制能力好，该方法包括：
(1)在外延片上制备监控图形；
(2)将BCB胶旋涂在基片表面并加热固化；
(3)采用微区反射干涉法测试BCB层厚度；
(4)采用干法刻蚀工艺对BCB层进行刻蚀，重复测试监控区域的BCB厚度。
其中，监控图形的制备方法为：
对基片进行清洗甩干，在表面旋涂光刻胶；
用深紫外光刻工艺在胶层上曝光显影，将版图上的监控图形转移至胶层；
监控图形的材料为介质、金属或半导体薄膜，用蒸发剥离工艺制备监控图形的金属薄膜，用干法刻蚀工艺制备监控图形的半导体薄膜，用气相沉积工艺制备监控图形的介质薄膜；
用湿法溶液去除残余的光刻胶层，用干法打胶清洁基片表面。
进一步的，采用椭偏仪测量材料折射率和消光系数，采用膜厚仪获得监控图形区域的反射谱，进行峰值拟合，解算出BCB厚度，材料包括外延片、监控图形、BCB胶。
进一步的，所述外延片为InP HBT外延片，监控图形为方形或圆形，BCB层采用旋涂固化制备，厚度采用干法刻蚀控制。
进一步的，所述监控图形的材料为介质、金属或半导体薄膜，边长或直径为10um-100um，厚度为10nm-800nm。
进一步的，金属薄膜选用Ti或Au层，外延薄膜选用InGaAs或InP层，介质薄膜选用SiO2或Si3N4。
进一步的，BCB胶旋涂在基片表面，在充氮烘箱中进行加热固化。
本发明还提供一种BCB厚度的在片监测与控制装置，包括：
(1)带监控图形的晶圆片；
(2)旋涂固化在晶圆上的BCB层；
(3)测量材料折射率和消光系数的椭偏仪；
(4)监测厚度的微区反射式干涉膜厚仪；
(5)控制厚度的感应耦合等离子体刻蚀机。
下面结合实施例和附图对本发明进行详细说明。
实施例1
一种InP-HBT工艺中BCB厚度的在片监测与控制方法，其步骤包括：
(1)对基片进行清洗甩干，在表面旋涂光刻胶，胶层具有高分辨率且易剥离；光刻胶层选用AZ1500或AZ5214，胶层厚度为1um-8um；
(2)用深紫外光刻工艺在胶层上曝光显影，将版图上的监控图形转移至胶层；所设计的监控图形为圆形或方形，直径或边长为10um-100um。
(3)用蒸发剥离工艺制备监控图形的金属薄膜，用干法刻蚀工艺制备监控图形的外延薄膜，用气相沉积工艺制备监控图形的介质薄膜；
所述金属膜层选用Ti或Au，厚度为10nm-800nm，外延膜层选用InGaAs或InP，厚度为10nm-500nm，介质膜层为Si3N4或SiO2，厚度为50nm-500nm，湿法去胶选用DMF溶液；
(4)用湿法溶液去除残余的光刻胶层，用干法打胶清洁基片表面；
(5)将BCB胶旋涂在基片表面，在充氮烘箱中进行加热固化；BCB胶层选用3022-35非光敏型，初始厚度范围在1um-5um；
(6)用膜厚仪获得监控图形区域的反射谱，进行峰值拟合，解算出BCB厚度；
(7)用干法刻蚀工艺对BCB层进行刻蚀，重复测试监控区域的BCB厚度；所述BCB层厚度的控制通过刻蚀时间来调节，最终厚度范围在100nm-3um。
本发明的检测与控制方法空间分辨率高、响应快速、厚度精准、样品无损。
实施例2
如图1-8所示，一种InP-HBT工艺中BCB厚度的在片监测与控制方法，其步骤包括：
1)选择InP HBT外延基片1，用丙酮、异丙醇和去离子水清洗后，在洁净室用高纯氮气吹干，在基片表面旋涂4um厚的光刻胶2，如图1所示，
2)利用深紫外光刻技术曝光显影，将光刻版上的监控图形转移到光刻胶层，如图2所示；
3)利用电子束蒸发工艺，在光刻胶表面蒸发厚约10nm的金属Ti层3，如图3所示；
4)利用丙酮浸泡基片，剥离金属层，将监控图形转移到金属Ti层3，如图4所示；
5)将2um厚的BCB胶旋4涂在基片表面，在充氮烘箱中加热至250℃，持续2小时后，冷却至室温取出，如图5所示；
6)在膜厚仪物镜5视野下寻找晶圆上的监控图形，对准图形中央，测量并记录反射谱，利用计算机6对反射谱进行峰值拟合，解算出对应图形表面的BCB厚度；
7)利用等离子体刻蚀技术，通入SF6和O2的混合气体，对BCB层进行刻蚀，如图6所示，O2流量为10±2sccm，SF6流量为10±2sccm，功率为30W，压强为10mtor，刻蚀时间为5min；
8)重复步骤6)，测量并记录监控图形上BCB的厚度，如图7、图8所示。
实施例3
该实施例步骤与实施例2相比，其区别在于选择的薄膜材料为Si3N4介质，具体方法为：
1)选择InP HBT外延基片，用丙酮、异丙醇和去离子水中清洗后，在洁净室用高纯氮气吹干，在基片表面生长100nm的Si3N4介质；
2)旋涂光刻胶层，利用曝光显影，将监控图形转移到光刻胶层；
3)利用干法刻蚀工艺，将监控图形从光刻胶层转移至Si3N4介质层；
4)将2um厚的BCB胶旋涂在基片表面，在充氮烘箱中加热至250℃，持续2小时后，冷却至室温取出；
5)在膜厚仪物镜视野下寻找晶圆上的监控图形，对准图形中央，测量并记录反射谱，对反射谱进行峰值拟合，解算出对应图形表面的BCB厚度；
6)利用等离子体刻蚀技术，通入SF6和O2的混合气体，对BCB层进行刻蚀，O2流量为10±2sccm，SF6流量为10±2sccm，功率为30W，压强为10mtor，刻蚀时间为5min；
7)重复步骤5)，测量并记录监控图形上BCB的厚度。
Claims (10)
1.一种BCB厚度的在片监测与控制方法，其特征在于，包括：
在外延片上制备监控图形；
将BCB胶旋涂在基片表面并加热固化；
采用微区反射干涉法测试BCB层厚度；
采用干法刻蚀工艺对BCB层进行刻蚀，重复测试监控区域的BCB厚度。
2.根据权利要求1所述的BCB厚度的在片监测与控制方法，其特征在于，监控图形的制备方法为：
对基片进行清洗甩干，在表面旋涂光刻胶；
用深紫外光刻工艺在胶层上曝光显影，将版图上的监控图形转移至胶层；
监控图形的材料为介质、金属或半导体薄膜，用蒸发剥离工艺制备监控图形的金属薄膜，用干法刻蚀工艺制备监控图形的半导体薄膜，用气相沉积工艺制备监控图形的介质薄膜；
用湿法溶液去除残余的光刻胶层，用干法打胶清洁基片表面。
3.根据权利要求1或2所述的BCB厚度的在片监测与控制方法，其特征在于，所述监控图形为方形或圆形。
4.根据权利要求3所述的BCB厚度的在片监测与控制方法，其特征在于，所述监控图形的材料为介质、金属或半导体薄膜，边长或直径为10um-100um，厚度为10nm-800nm。
5.根据权利要求4所述的BCB厚度的在片监测与控制方法，其特征在于，金属薄膜选用Ti或Au层，外延薄膜选用InGaAs或InP层，介质薄膜选用SiO2或Si3N4。
6.根据权利要求2所述的BCB厚度的在片监测与控制方法，其特征在于，光刻胶层厚度为1um-8um。
7.根据权利要求1所述的BCB厚度的在片监测与控制方法，其特征在于，采用椭偏仪测量材料折射率和消光系数，采用膜厚仪获得监控图形区域的反射谱，进行峰值拟合，解算出BCB厚度，材料包括外延片、监控图形和BCB胶。
8.根据权利要求1所述的BCB厚度的在片监测与控制方法，其特征在于，所述外延片为InP HBT外延片。
9.根据权利要求1所述的BCB厚度的在片监测与控制方法，其特征在于，BCB胶旋涂在基片表面，在充氮烘箱中进行加热固化。
10.一种BCB厚度的在片监测与控制装置，其特征在于，包括：
带监控图形的晶圆片；
旋涂固化在晶圆上的BCB层；
测量材料折射率和消光系数的椭偏仪；
监测厚度的微区反射式干涉膜厚仪；
控制厚度的感应耦合等离子体刻蚀机。
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113707539A (zh) * | 2021-07-13 | 2021-11-26 | 武汉敏芯半导体股份有限公司 | 高速探测器钝化层结构及其制作方法 |
| CN113862641A (zh) * | 2021-08-16 | 2021-12-31 | 江汉大学 | 一种原子层沉积前驱体用量的监测系统及其方法与应用 |
| CN114091291A (zh) * | 2022-01-24 | 2022-02-25 | 晶芯成(北京)科技有限公司 | 一种半导体版图的监控方法及系统 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5465154A (en) * | 1989-05-05 | 1995-11-07 | Levy; Karl B. | Optical monitoring of growth and etch rate of materials |
| CN1619788A (zh) * | 2003-06-18 | 2005-05-25 | 应用材料有限公司 | 用于监测—蚀刻工艺的方法与系统 |
| JP2009031235A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-02-12 | National Central Univ | 屈折率と厚さの修正効果を有する精密光学コーティングモニタリング法 |
| CN101562135A (zh) * | 2008-04-16 | 2009-10-21 | 中国科学院微电子研究所 | 一种用于监控介质平坦化过程的方法 |
-
2019
- 2019-12-30 CN CN201911405649.0A patent/CN111063627A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5465154A (en) * | 1989-05-05 | 1995-11-07 | Levy; Karl B. | Optical monitoring of growth and etch rate of materials |
| CN1619788A (zh) * | 2003-06-18 | 2005-05-25 | 应用材料有限公司 | 用于监测—蚀刻工艺的方法与系统 |
| JP2009031235A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-02-12 | National Central Univ | 屈折率と厚さの修正効果を有する精密光学コーティングモニタリング法 |
| CN101562135A (zh) * | 2008-04-16 | 2009-10-21 | 中国科学院微电子研究所 | 一种用于监控介质平坦化过程的方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113707539A (zh) * | 2021-07-13 | 2021-11-26 | 武汉敏芯半导体股份有限公司 | 高速探测器钝化层结构及其制作方法 |
| CN113862641A (zh) * | 2021-08-16 | 2021-12-31 | 江汉大学 | 一种原子层沉积前驱体用量的监测系统及其方法与应用 |
| CN113862641B (zh) * | 2021-08-16 | 2023-09-12 | 江汉大学 | 一种原子层沉积前驱体用量的监测系统及其方法与应用 |
| CN114091291A (zh) * | 2022-01-24 | 2022-02-25 | 晶芯成(北京)科技有限公司 | 一种半导体版图的监控方法及系统 |
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