CN113707539A - 高速探测器钝化层结构及其制作方法 - Google Patents

高速探测器钝化层结构及其制作方法 Download PDF

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徐之韬
赵雪妍
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Abstract

本发明公开了一种高速探测器钝化层结构及其制作方法，涉及半导体技术领域，可以解决目前在高速探测器钝化层结构生成过程中，无法判断是否发生蚀刻不净与过刻太多的情况，进而保证高速探测器芯片可靠性较低的技术问题。其中，高速探测器钝化层结构，包括：介质膜和第一光刻胶构成的第一钝化层结构，所述介质膜为氧化硅介质膜或氮化硅介质膜中的任意一种；或，所述第一光刻胶构成的第二钝化层结构；所述第一钝化层结构中的介质膜沉积在P台Zn扩散区之外的环形区域上，所述第一光刻胶涂覆于所述介质膜上；所述第二钝化层结构中的第一光刻胶经过第二光刻胶的蚀刻保护，涂覆于P台Zn扩散区之外的环形区域上。

Description

高速探测器钝化层结构及其制作方法
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及到一种高速探测器钝化层结构及其制作方法。
背景技术
半导体表面是具有特殊性质的表面，对外界环境气氛极为敏感，因而对探测器性能有决定性影响，为了保证器件性能，提高可靠性和稳定性，需要对表面采取有效的保护措施即所谓的表面钝化技术，钝化(降低)对外界环境的敏感性。
目前在生成高速探测器的钝化层时，采用普通光刻曝光，将所需的图案印在芯片上，显影高固后，直接进入钝化炉，通入N2升温钝化，后续利用等离子蚀刻直接蚀刻掉多余光刻胶浮渣。
然而，高速探测器光刻显影后，光刻胶本身无法完全显影干净，有多余浮渣在显影区域，导致后续钝化后蚀刻时，蚀刻工艺很难把控，也很难判断浮渣是否蚀刻干净。如果过蚀刻较多，台面光刻胶整体厚度不够，则钝化层作用直接受影响，这样会导致探测器芯片可靠性偏低，寿命降低，胶体分层现象严重等问题，后续器件长期寿命变短，失效率高，芯片器件与光刻胶粘附能力下降，影响一系列芯片的光电特性。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种高速探测器钝化层结构及其制作方法，可解决目前在高速探测器钝化层结构生成过程中，无法判断是否发生蚀刻不净与过刻太多的情况，进而保证高速探测器芯片可靠性较低的技术问题。
根据本发明的一个方面，提供了一种高速探测器钝化层结构，该钝化层结构包括：
介质膜和第一光刻胶构成的第一钝化层结构，所述介质膜为氧化硅介质膜或氮化硅介质膜中的任意一种；
或，所述第一光刻胶构成的第二钝化层结构；
所述第一钝化层结构中的介质膜沉积在P台Zn扩散区之外的环形区域上，所述第一光刻胶涂覆于所述介质膜上；
所述第二钝化层结构中的第一光刻胶经过第二光刻胶的蚀刻保护，涂覆于P台Zn扩散区之外的环形区域上。
进一步的，所述介质膜的厚度为80-100nm。
进一步的，所述介质膜是利用等离子增强化学气相沉积设备生成的。
根据本发明的另一个方面，提供了一种高速探测器钝化层结构的制作方法，该方法包括：
在高速探测器表面上沉积介质膜，所述介质膜为氧化硅介质膜或氮化硅介质膜中的任意一种；
在所述介质膜上匀涂第一光刻胶，所述第一光刻胶为BCB胶；
通过第一钝化处理，在P台Zn扩散区之外的环形区域上形成由所述介质膜和所述第一光刻胶构成的第一钝化层结构。
进一步的，所述第一钝化处理包括：
在所述介质膜和所述第一光刻胶上进行曝光显影处理，使得在所述第一光刻胶上形成光刻胶图案；
在进行高温固化处理后，通过对所述介质膜的蚀刻速率和/或参数变化的监测，对所述光刻胶图案之外的区域进行蚀刻处理，以形成所述第一钝化层结构。
进一步的，所述通过对所述介质膜的蚀刻速率和/或参数变化的监测，对所述光刻胶图案之外的区域进行蚀刻处理，以形成所述第一钝化层结构，具体包括：
利用椭偏仪确定所述介质膜的蚀刻速率；
根据所述蚀刻速率计算蚀刻完成时间，在所述蚀刻完成时间停止蚀刻处理。
进一步的，所述通过对所述介质膜的蚀刻速率和/或参数变化的监测，对所述光刻胶图案之外的区域进行蚀刻处理，以形成所述第一钝化层结构，具体包括：
检测所述光刻胶图案之外区域的介质膜厚度变化和/或介质膜颜色变化；
若所述厚度变化为小于预设厚度阈值和/或颜色变化为无色，则判定蚀刻完成，且蚀刻结果符合预设蚀刻标准。
进一步的，所述通过对所述介质膜的蚀刻速率和/或参数变化的监测，对所述光刻胶图案之外的区域进行蚀刻处理，以形成所述第一钝化层结构，具体包括：
利用椭偏仪确定所述介质膜的蚀刻速率，并根据所述蚀刻速率计算蚀刻完成时间；
在所述蚀刻完成时间，检测所述光刻胶图案之外区域的介质膜厚度变化和/或介质膜颜色变化；
若所述厚度变化为小于预设厚度阈值和/或颜色变化为无色，则判定蚀刻完成，且蚀刻结果符合预设蚀刻标准。
进一步的，所述方法还包括：
在高速探测器表面上匀涂第一光刻胶；
利用第二光刻胶并通过第二钝化处理，在P台Zn扩散区之外的环形区域上形成由所述第一光刻胶构成的第二钝化层结构。
进一步的，所述第二钝化处理包括：
对所述第一光刻胶进行曝光显影以及高温固化处理后，在所述高速探测器表面上匀涂第二光刻胶并进行显影以及高温固化处理，形成光刻胶图案；
在所述光刻胶图案之外的区域，执行对所述第一光刻胶和所述第二光刻胶的蚀刻处理，以便利用所述第二光刻胶形成对所述第一光刻胶的蚀刻保护；
在判定蚀刻完成后，去除所述光刻胶图案上的第二光刻胶。
与现有技术相比，本发明的有益效果在于：
本发明提供了两种可选的钝化层结构，包括由介质膜和第一光刻胶构成的第一钝化层结构，以及由第一光刻胶构成的第二钝化层结构。在第一钝化层结构中，可通过对介质膜蚀刻速率和/或参数变化的监测，确保蚀刻过程的可控性，避免发生蚀刻不净与过刻太多的情况；在第二钝化层结构中，可通过第二光刻胶对第一光刻胶蚀刻保护的钝化处理步骤，形成对第一光刻胶构成钝化区域的可靠性保护，能够保证蚀刻处理的准确性，进而提高高速探测器芯片的可靠性，稳固高速探测器芯片的光电特性。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在所写的说明书、权利要求书、以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本地发明的不当限定。在附图中：
图1示出了本发明实施例提供的一种高速探测器钝化层的结构示意图；
图2示出了本发明实施例提供的另一种高速探测器钝化层的结构示意图；
图3示出了本发明实施例提供的一种高速探测器钝化层结构的制作方法的流程示意图；
图4示出了本发明实施例提供的另一种高速探测器钝化层结构的制作方法的流程示意图。
图中：1-第一钝化层结构，11-介质膜，12-第一光刻胶；
2-第二钝化层结构。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明的优选实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行更加详细的描述。在附图中，自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。下面结合附图对本发明的实施例进行详细说明。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以及，除非另有明确具体的限定。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
以下结合附图对本发明的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明。
针对目前在生成高速探测器的钝化层时，存在的以下一系列问题：高速探测器光刻显影后，光刻胶本身无法完全显影干净，有多余浮渣在显影区域，导致后续钝化后蚀刻时，蚀刻工艺很难把控，也很难判断浮渣是否蚀刻干净。如果过蚀刻较多，台面光刻胶整体厚度不够，则钝化层作用直接受影响，这样会导致探测器芯片可靠性偏低，寿命降低，胶体分层现象严重等问题，后续器件长期寿命变短，失效率高，芯片器件与光刻胶粘附能力下降，影响一系列芯片的光电特性。在本发明中，结合高速探测器外延结构对高速探测器钝化层进行结构改进，以使改进后的高速探测器能够很好的克服上述问题。需要说明的是，本申请中的高速探测器具体可包括具有钝化层结构的探测器，如台面探测器等，在此对探测器类型不进行具体的限定。
相应的，参见图1和图2，高速探测器外延结构从下至上依次包括：InP(Fe)-Sub衬底、N台(N-InGaAs)、P台(InGaAs和InGaAsP两层构建得到)，以及嵌入设置于P台的Zn扩散区，在N台上设置有N型电极，在Zn扩散区上设置有P型电极。本发明提供的一种高速探测器钝化层结构，可设置于P台Zn扩散区之外的环形区域外表面上，高速探测器钝化层结构具体可分为两种结构：第一钝化层结构1和第二钝化层结构2。具体的，如图1所示，在本发明中，高速探测器钝化层结构可对应为介质膜11和第一光刻胶12构成的第一钝化层结构1；或，如图2所示，高速探测器钝化层结构还可包括经过第二光刻胶蚀刻保护后的第一光刻胶构成的第二钝化层结构2。当高速探测器钝化层结构对应为第一钝化层结构1时，第一钝化层结构1中的介质膜11沉积在P台Zn扩散区之外的环形区域上，第一光刻胶12均匀涂覆于介质膜11上。其中，介质膜11可为氧化硅介质膜或氮化硅介质膜中的任意一种，第一光刻胶12具体可为BCB胶；当高速探测器钝化层结构对应为第二钝化层结构2时，第一光刻胶沉积在P台Zn扩散区之外的环形区域上，第二光刻胶用于在蚀刻处理过程中形成对第一光刻胶的蚀刻保护，需要说明是，在蚀刻处理完成后，需要去除第二光刻胶，以使第二钝化层结构中的第一光刻胶经过第二光刻胶的蚀刻保护，完整涂覆于P台Zn扩散区之外的环形区域上。其中，第一光刻胶具体可为BCB胶，第二光刻胶具体可为BCB胶之外的任意一种光刻胶。
在具体的应用场景中，在高速探测器钝化层结构对应为介质膜和第一光刻胶构成的第一钝化层结构时，可利用等离子增强化学气相沉积设备在高速探测器表面上沉积生成一层介质膜，为保证钝化效果，应保证介质膜的厚度控制在预设厚度区间内，根据经验系数，预设厚度区间的数值具体可设定为80-100nm。
通过本发明上述高速探测器钝化层结构的说明，在本发明中，具体提供了两种可选的钝化层结构，包括由介质膜和第一光刻胶构成的第一钝化层结构，以及第一光刻胶和第二光刻胶构成的第二钝化层结构。在第一钝化层结构中，可通过对介质膜蚀刻速率和/或参数变化的监测，确保蚀刻过程的可控性，避免发生蚀刻不净与过刻太多的情况，且介质膜能更好的增加第一光刻胶的粘合性，减小分层的影响，也保证了钝化层的可靠性，更容易实现自动化生产；在第二钝化层结构中，可通过第一光刻胶和第二光刻胶叠加的钝化处理步骤，形成对第一光刻胶构成钝化区域的可靠性保护，且通过两次蚀刻处理，能够保证蚀刻处理的准确性，进而提高高速探测器芯片的可靠性，稳固高速探测器芯片的光电特性，延长使用寿命。
本发明提供的一种高速探测器钝化层结构的制作方法，参见图3，当探测器钝化层结构对应为第一钝化层结构时，可包括如下步骤：
101、在高速探测器表面上沉积介质膜，介质膜为氧化硅介质膜或氮化硅介质膜中的任意一种。
对于本实施例，在具体的应用场景中，可利用等离子增强化学气相沉积设备在高速探测器表面上沉积生成一层介质膜。其中，等离子增强化学气相沉积设备应用于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术实现介质膜的生长，等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术是借助于辉光放电等离子体使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应，从而实现薄膜材料生长的一种新的制备技术。
102、在介质膜上匀涂第一光刻胶，第一光刻胶为BCB胶。
103、通过第一钝化处理，在P台Zn扩散区之外的环形区域上形成由介质膜和第一光刻胶构成的第一钝化层结构。
对于本实施例，在高速探测器表面上沉积介质膜，且在介质膜上匀涂第一光刻胶后，可通过第一钝化处理，使介质膜和第一光刻胶高度固定在高速探测器上，钝化处理过程依次可包括光刻曝光处理、显影处理、将芯片直接进入钝化炉，通入N2升温固化处理、离子蚀刻处理。相应的，在进行第一钝化处理时，实施例步骤103具体可以包括：在介质膜和第一光刻胶上进行曝光显影处理，使得在第一光刻胶上形成光刻胶图案；在进行高温固化处理后，通过对介质膜的蚀刻速率和/或参数变化的监测，对光刻胶图案之外的区域进行蚀刻处理，以形成第一钝化层结构。
在具体的应用场景中，由于氧化硅或氮化硅构成的介质膜具有颜色，相对于半透明的BCB胶对比很明显，容易辨别。例如，若介质膜选用氧化硅介质膜时，由于氧化硅介质膜呈淡紫色，故通过颜色的识别可以很好的识别钝化工艺的显影情况以及判断是否被蚀刻干净。且固定厚度的氧化硅介质膜的蚀刻速率可以很简单的通过椭偏仪得到，这样很容易确定蚀刻的时间，后续利用颜色变化及台阶仪可以判断氧化硅介质膜是否被蚀刻干净，而在氧化硅介质膜上面的BCB浮渣显然可以随着氧化硅介质膜一起被蚀刻干净，不会发生蚀刻不净与过刻太多的现象，而且BCB胶下方的氧化硅介质膜能更好的增加其与BCB胶的粘合性，减小分层的影响，这样既降低了整体BCB工艺的难度，也保证了钝化层的可靠性，更容易实现自动化生产。
相应的，在通过对介质膜的蚀刻速率和/或参数变化的监测，对光刻胶图案之外的区域进行蚀刻处理，以形成第一钝化层结构时，具体可包括下述三种可选方案：
第一种方案、利用椭偏仪确定介质膜的蚀刻速率；根据蚀刻速率计算蚀刻完成时间，在蚀刻完成时间停止蚀刻处理。其中，椭偏仪是一种用于探测薄膜厚度、光学常数以及材料微结构的光学测量仪器。由于测量精度高，适用于超薄膜，与介质膜非接触，对介质膜没有破坏且不需要真空，使得椭偏仪成为一种极具吸引力的测量仪器，椭偏仪测量作为波长和入射角函数的ρ的值(经常以ψ和Δ或相关的量表示)，测量完成的数据可用来分析得到光学常数，膜层厚度，以及其他感兴趣的参数值，如本实施例中介质膜的蚀刻速率。在本实施例中，由于介质膜的厚度设定为80-100nm，故可利用椭偏仪检测测量区域内固定厚度下介质膜在蚀刻过程中的厚度变化情况，进而能够计算得到介质膜的蚀刻速率，根据蚀刻速率即可推导出蚀刻完成的时间，最后可基于蚀刻完成时间对蚀刻过程进行精准控制。其中，测量区域可为高速探测器上待生成钝化层的环形区域之外的其他区域。
第二种方案、检测光刻胶图案之外区域的介质膜厚度变化和/或介质膜颜色变化；若厚度变化为小于预设厚度阈值和/或颜色变化为无色，则判定蚀刻完成，且蚀刻结果符合预设蚀刻标准。对于本实施例，可利用台阶仪对介质膜进行厚度检测，其中，台阶仪属于接触式表面形貌测量仪器，是一种将曲率半径很小的探针和测量区域表面进行接触，移动探针，测量接触力量的变化，调整探针的高度，从而得到测量区域的表面形貌。通过该测试，可以得到探针移动路径上测量区域的表面起伏数据，从而分析出测量区域的表面粗糙度、厚度等信息。台阶仪的测量原理是：当触针沿测量区域表面轻轻滑过时，由于表面有微小的峰谷使触针在滑行的同时，还沿峰谷作上下运动。触针的运动情况就反映了表面轮廓的情况。传感器输出的电信号经测量电桥后，输出与触针偏离平衡位置的位移成正比的调幅信号。经放大与相敏整流后，可将位移信号从调幅信号中解调出来，得到放大了的与触针位移成正比的缓慢变化信号。再经噪音滤波器、波度滤波器进一步滤去调制频率与外界干扰信号以及波度等因素对粗糙度测量的影响。在本实施例中，台阶仪的测量区域可为高速探测器上待生成钝化层的环形区域之外的其他区域，由于介质膜在BCB胶的底部，故通过台阶仪检测环形区域之外测量区域的介质膜留存厚度，即可判定出蚀刻的进展情况，当监测出的介质膜留存厚度大小接近于0时，可判定蚀刻基本完成。在具体的应用场景中，可通过预先设定厚度阈值，利用预设厚度阈值与检测介质膜厚度的比较结果，确定蚀刻过程是否完成，其中，预设厚度阈值为不会对高速探测器产生性能影响的最大允许遗留介质膜厚度，具体数值可根据实际应用场景进行设定。此外，在本实施例中，由于介质膜具有较为突出的颜色，故还可通过检测测量区域内介质膜的颜色变化情况，来判定是否完成蚀刻，当判定测量区域内不存在介质膜对应颜色的残渣时，显然可判定附着于介质膜上面的BCB浮渣也已随着介质膜一起被蚀刻干净，不会发生蚀刻不净与过刻太多的现象。
第三种方案、作为上述两种方案的结合，也作为本发明中的优选实施方式，可首先利用椭偏仪确定介质膜的蚀刻速率，并根据蚀刻速率计算蚀刻完成时间；进而在蚀刻完成时间，检测光刻胶图案之外区域的介质膜厚度变化和/或介质膜颜色变化；若检测到厚度变化为小于预设厚度阈值和/或颜色变化为无色，则可判定蚀刻完成，且蚀刻结果符合预设蚀刻标准。
作为另一种可选方式，本发明提供的一种高速探测器钝化层结构的制作方法，参见图4，当探测器钝化层结构对应为第二钝化层结构时，可包括如下步骤：
201、在高速探测器表面上匀涂第一光刻胶。
其中，第一光刻胶可为BCB胶。
202、利用第二光刻胶并通过第二钝化处理，在P台Zn扩散区之外的环形区域上形成由第一光刻胶构成的第二钝化层结构。
其中，第二光刻胶具体可为BCB胶之外的任意一种光刻胶。在本实施例中，通过将第二光刻胶涂覆于钝化处理后的第一光刻胶上，可形成对钝化所需BCB图形的蚀刻保护。
对于本实施例，在进行第二钝化处理时，实施例步骤203具体可以包括：对第一光刻胶进行曝光显影以及高温固化处理后，在高速探测器表面上匀涂第二光刻胶并进行显影以及高温固化处理，形成光刻胶图案；在光刻胶图案之外的区域，执行对第一光刻胶和第二光刻胶的蚀刻处理，以便利用第二光刻胶形成对第一光刻胶的蚀刻保护；在判定蚀刻完成后，去除光刻胶图案上的第二光刻胶。在第二钝化层结构中，可在第二光刻胶形成对第一光刻胶的蚀刻保护后，能够进行过蚀刻处理，即在适量延长蚀刻时间的情况下，保证P台Zn扩散区之外的环形区域上第一光刻胶的厚度不会受到蚀刻进程的影响，进而在能够保证蚀刻处理的准确性的同时，还能保证高速探测器芯片的可靠性，稳固高速探测器芯片的光电特性。
通过本发明中高速探测器钝化层结构及其制作方法，可提供两种可选的钝化层结构，包括由介质膜和第一光刻胶构成的第一钝化层结构，以及由第一光刻胶构成的第二钝化层结构。在第一钝化层结构中，可通过对介质膜蚀刻速率和/或参数变化的监测，确保蚀刻过程的可控性，避免发生蚀刻不净与过刻太多的情况，且介质膜能更好的增加第一光刻胶的粘合性，减小分层的影响，也保证了钝化层的可靠性，更容易实现自动化生产；在第二钝化层结构中，可通过第二光刻胶对第一光刻胶蚀刻保护的钝化处理步骤，形成对第一光刻胶构成钝化区域的可靠性保护，能够保证蚀刻处理的准确性，进而提高高速探测器芯片的可靠性，稳固高速探测器芯片的光电特性，延长使用寿命。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种高速探测器钝化层结构，其特征在于，包括：
介质膜和第一光刻胶构成的第一钝化层结构，所述介质膜为氧化硅介质膜或氮化硅介质膜中的任意一种；
或，所述第一光刻胶构成的第二钝化层结构；
所述第一钝化层结构中的介质膜沉积在P台Zn扩散区之外的环形区域上，所述第一光刻胶涂覆于所述介质膜上；
所述第二钝化层结构中的第一光刻胶经过第二光刻胶的蚀刻保护，涂覆于P台Zn扩散区之外的环形区域上。
2.根据权利要求1所述的钝化层结构，其特征在于，所述介质膜的厚度为80-100nm。
3.根据权利要求1所述的钝化层结构，其特征在于，所述介质膜是利用等离子增强化学气相沉积设备生成的。
4.一种高速探测器钝化层结构的制作方法，其特征在于，包括：
在高速探测器表面上沉积介质膜，所述介质膜为氧化硅介质膜或氮化硅介质膜中的任意一种；
在所述介质膜上匀涂第一光刻胶，所述第一光刻胶为BCB胶；
通过第一钝化处理，在P台Zn扩散区之外的环形区域上形成由所述介质膜和所述第一光刻胶构成的第一钝化层结构。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一钝化处理包括：
在所述介质膜和所述第一光刻胶上进行曝光显影处理，使得在所述第一光刻胶上形成光刻胶图案；
在进行高温固化处理后，通过对所述介质膜的蚀刻速率和/或参数变化的监测，对所述光刻胶图案之外的区域进行蚀刻处理，以形成所述第一钝化层结构。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述通过对所述介质膜的蚀刻速率和/或参数变化的监测，对所述光刻胶图案之外的区域进行蚀刻处理，以形成所述第一钝化层结构，具体包括：
利用椭偏仪确定所述介质膜的蚀刻速率；
根据所述蚀刻速率计算蚀刻完成时间，在所述蚀刻完成时间停止蚀刻处理。
7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述通过对所述介质膜的蚀刻速率和/或参数变化的监测，对所述光刻胶图案之外的区域进行蚀刻处理，以形成所述第一钝化层结构，具体包括：
检测所述光刻胶图案之外区域的介质膜厚度变化和/或介质膜颜色变化；
若所述厚度变化为小于预设厚度阈值和/或颜色变化为无色，则判定蚀刻完成，且蚀刻结果符合预设蚀刻标准。
8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述通过对所述介质膜的蚀刻速率和/或参数变化的监测，对所述光刻胶图案之外的区域进行蚀刻处理，以形成所述第一钝化层结构，具体包括：
利用椭偏仪确定所述介质膜的蚀刻速率，并根据所述蚀刻速率计算蚀刻完成时间；
在所述蚀刻完成时间，检测所述光刻胶图案之外区域的介质膜厚度变化和/或介质膜颜色变化；
若所述厚度变化为小于预设厚度阈值和/或颜色变化为无色，则判定蚀刻完成，且蚀刻结果符合预设蚀刻标准。
9.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在高速探测器表面上匀涂第一光刻胶；
利用第二光刻胶并通过第二钝化处理，在P台Zn扩散区之外的环形区域上形成由所述第一光刻胶构成的第二钝化层结构。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述第二钝化处理包括：
对所述第一光刻胶进行曝光显影以及高温固化处理后，在所述高速探测器表面上匀涂第二光刻胶并进行显影以及高温固化处理，形成光刻胶图案；
在所述光刻胶图案之外的区域，执行对所述第一光刻胶和所述第二光刻胶的蚀刻处理，以便利用所述第二光刻胶形成对所述第一光刻胶的蚀刻保护；
在判定蚀刻完成后，去除所述光刻胶图案上的第二光刻胶。
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