CN113840493A - 壳体、其制备方法及电子设备 - Google Patents
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 159
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 146
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 76
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 54
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 50
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 32
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 24
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 23
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 22
- 238000002679 ablation Methods 0.000 claims description 19
- 238000013003 hot bending Methods 0.000 claims description 18
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 claims description 14
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 11
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 9
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 4
- NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N silver oxide Chemical compound [O-2].[Ag+].[Ag+] NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 claims description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 2
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 2
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 2
- 229910001923 silver oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 56
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 39
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 29
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 29
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 22
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 19
- 230000008569 process Effects 0.000 description 14
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 13
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 11
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 9
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 8
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 7
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 238000013461 design Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 6
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 5
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 5
- 235000019353 potassium silicate Nutrition 0.000 description 5
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 4
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 4
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 4
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 4
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- 241000533950 Leucojum Species 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000006018 Li-aluminosilicate Substances 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 239000002932 luster Substances 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Chemical compound O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 2
- FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N potassium nitrate Chemical compound [K+].[O-][N+]([O-])=O FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- VWDWKYIASSYTQR-UHFFFAOYSA-N sodium nitrate Chemical compound [Na+].[O-][N+]([O-])=O VWDWKYIASSYTQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- MIMUSZHMZBJBPO-UHFFFAOYSA-N 6-methoxy-8-nitroquinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC(OC)=CC([N+]([O-])=O)=C21 MIMUSZHMZBJBPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001268993 Heterochrosis Species 0.000 description 1
- 229910019714 Nb2O3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000006040 Prunus persica var persica Nutrition 0.000 description 1
- 240000006413 Prunus persica var. persica Species 0.000 description 1
- 229910009815 Ti3O5 Inorganic materials 0.000 description 1
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N ZrO2 Inorganic materials O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 1
- CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N alumanylidynesilicon Chemical compound [Al].[Si] CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229940114081 cinnamate Drugs 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- HFLAMWCKUFHSAZ-UHFFFAOYSA-N niobium dioxide Inorganic materials O=[Nb]=O HFLAMWCKUFHSAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 235000010333 potassium nitrate Nutrition 0.000 description 1
- 239000004323 potassium nitrate Substances 0.000 description 1
- CHWRSCGUEQEHOH-UHFFFAOYSA-N potassium oxide Chemical compound [O-2].[K+].[K+] CHWRSCGUEQEHOH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001950 potassium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000000135 prohibitive effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004317 sodium nitrate Substances 0.000 description 1
- 235000010344 sodium nitrate Nutrition 0.000 description 1
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N sodium oxide Chemical compound [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001948 sodium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- WBYWAXJHAXSJNI-VOTSOKGWSA-M trans-cinnamate Chemical compound [O-]C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1 WBYWAXJHAXSJNI-VOTSOKGWSA-M 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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Abstract
本申请提供一种壳体、其制备方法及电子设备。本申请实施例的壳体包括：壳体本体，所述壳体本体具有第一表面，所述壳体本体具有一个或多个凸起单元，所述一个或多个凸起单元位于所述第一表面，每个所述凸起单元包括按预设规律排布的一个或多个凸起结构，每个所述凸起单元包括多个反射面。由此，本申请实施例的壳体具有闪耀的图案，且图案具有可设计性。
Description
技术领域
本申请涉及电子领域，具体涉及一种壳体、其制备方法及电子设备。
背景技术
随着技术的发展及生活水平的提高，人们对于电子设备的外观视觉效果提出了更高的要求，然而，现有的电子设备的外观表现力不够，不能很好的满足消费者的需求。
发明内容
针对上述问题，本申请实施例提供一种壳体，其具有闪耀的图案，且图案具有可设计性，从而更好的外观表现力。
本申请实施例提供了一种壳体，其包括：
壳体本体，所述壳体本体具有第一表面，所述壳体本体具有一个或多个凸起单元，所述一个或多个凸起单元位于所述第一表面，每个所述凸起单元包括按预设规律排布的一个或多个凸起结构，每个所述凸起单元包括多个反射面。
此外，本申请实施例还提供了一种壳体，其包括：
壳体本体，所述壳体本体具有第一表面，所述壳体本体具有一个或多个凸起结构，所述一个或多个凸起结构位于所述第一表面，所述凸起结构包括棱锥、棱台或线状凸起结构中的一种或多种，每个所述凸起结构包括多个反射面。
此外，本申请实施例还提供了一种壳体的制备方法，所述壳体包括壳体本体，所述方法包括：
提供壳体基材；
在所述壳体基材的表面形成保护层；
在所述保护层远离所述壳体基材的表面形成光刻胶层，对所述光刻胶层进行软烤、曝光、显影及硬烤，以使所述光刻胶层形成光刻胶掩膜层；
对所述保护层进行刻蚀，以裸露部分所述壳体基材；以及
对所述壳体基材进行刻蚀，以使所述壳体基材的表面形成一个或多个凸起结构而得到壳体本体，其中，每个所述凸起结构包括多个反射面。
此外，本申请还实施例提供一种电子设备，其包括：
显示组件；
本申请实施例所述的壳体，所述壳体具有容置空间，所述壳体用于承载所述显示组件；以及
电路板组件，所述电路板组件设置于所述容置空间，且与所述显示组件电连接，用于控制所述显示组件进行显示。
本申请实施例的壳体包括壳体本体，壳体本体包括一个或多个凸起单元，每个所述凸起单元包括一个或多个凸起结构，每个所述凸起单元的一个或多个凸起结构按预设规律排布，每个所述凸起单元包括多个反射面。由此，当光线照射至壳体的第一表面时，所述反射面可以对所述光线进行反射，且同一反射面及同一个方向的反射面对入射角度相同的所述光线的反射方向相同，从而使得壳体的第一表面可以呈现片状的珠光、雪花状闪光等闪光砂效果，且可以通过设计每个凸起单元中一个或多个凸起结构的排布规律，以使得每个凸起单元呈预设形状的闪光砂，使得壳体表面的闪光砂具有可设计性，可以根据需要进行图形、尺寸、排布方式的设计，得到各种需要的图案和效果，可以更好的满足用户的需求。再者，由于可以设计每个凸起结构的方向，让多个凸起单元上的某一反射面的朝向同一方向，从而形成更大面积的镜面反射效果，使得珠光或闪光效果更强、更闪耀。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请一实施例的壳体的立体结构示意图。
图2是本申请又一实施例的壳体的俯视结构示意图。
图3是本申请图2实施例的凸起结构的放大结构示意图。
图4是本申请又一实施例的壳体的俯视结构示意图。
图5是本申请又一实施例的壳体的俯视结构示意图。
图6是本申请又一实施例的壳体的俯视结构示意图。
图7是本申请又一实施例的壳体沿图1中A-A方向的剖视结构示意图。
图8是本申请又一实施例的壳体的俯视结构示意图。
图9是本申请又一实施例的壳体的俯视结构示意图。
图10是本申请图7虚线框I的放大结构示意图。
图11是本申请又一实施例的壳体沿图1中A-A方向的剖视结构示意图。
图12是本申请又一实施例的壳体的俯视结构示意图。
图13是本申请又一实施例的壳体的局部放大图。
图14是本申请一实施例的壳体的制备方法的流程示意图。
图15是本申请一实施例的壳体的制备方法的流程图。
图16是本申请一实施例的光刻胶掩膜层的制备方法的流程示意图。
图17是本申请又一实施例的壳体的制备方法的流程示意图。
图18是本申请又一实施例的壳体的制备方法的流程示意图。
图19是本申请一实施例的热弯成型的流程示意图。
图20是本申请一实施例的弯折模具的剖视结构示意图。
图21是本申请一实施例的第二子模的底面的结构示意图。
图22是本申请实施例的电子设备的结构示意图。
图23是本申请实施例的电子设备的部分爆炸结构示意图。
图24是本申请实施例的电子设备的电路框图。
附图标记说明：
100-壳体 13-底部
101-容置空间 15-侧部
10-壳体本体 30-纹理层
11-凸起单元 50-光学镀膜层
11’-第一凸起单元 70-盖底层
111’-第一凸起结构 10’-壳体基材
11”-第二凸起单元 30’-保护层
111”-第二凸起结构 50’-光刻胶掩膜层
111-凸起结构 400-电子设备
1110-反射面 410-显示组件
1101-第一反射面 430-电路板组件
1102-第二反射面 431-处理器
1103-第三反射面 433-存储器
12-第一表面 500-弯折模具
14-第二表面 510-第一子模
512-第一模面 534-底面
530-第二子模 535-凹槽
532-第二模面
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其他步骤或单元。
下面将结合附图，对本申请实施例中的技术方案进行描述。
需要说明的是，为便于说明，在本申请的实施例中，相同的附图标记表示相同的部件，并且为了简洁，在不同实施例中，省略对相同部件的详细说明。
为了使壳体100具有更好的外观视觉效果，可以在壳体100的表面采用黄光刻蚀，进行图案化，形成纹理部。黄光刻蚀具体包括：1)在壳体基材的表面涂布光刻胶；2)在光刻胶上设置掩膜板，对光刻胶层进行曝光；3)进行显影；4)进行硬烤；5)进行化抛刻蚀(通常小于1min，以防止光刻胶被腐蚀)形成预设图案；6)去除光刻胶层。这种方法形成的刻蚀区域为平面图案(2D图案)，刻蚀区域的光反射面1110少，无法呈现立体反射效果，因此，制得的壳体100表面没有珠光或者闪光等闪光砂效果。此外，相关技术中，为了获得预设的平面图案，保证制得图案的精准度，要求进行化抛刻蚀过程中，光刻胶不能溶解于化抛刻蚀液中。
此外，还可以将壳体基材(玻璃基材)放置于闪光砂药水(或称蒙砂液，AG药水)中进行蒙砂处理，以得到具有珠光或闪光等效果的闪光砂结构。但是通过闪光砂药水玻璃基材表面形成闪光砂的效果，对闪光砂药水的依赖性较大，来源单一，再者，闪光砂药水虽然适用于钠钙玻璃，但应用于高铝玻璃时，由于高铝玻璃的氧化钾和氧化钠含量少，氧化铝和氧化硅的含量较多，氧化铝和氧化硅不易与氟硅酸盐(闪光砂药水与玻璃反应形成的产物)形成晶体，使得部分壳体100表面未覆盖到晶体，容易形成异色，漏砂现象，对成本和良率的影响较大。而且，采用闪光砂药水在玻璃的表面形成的闪光砂结构严重依赖于闪光砂药水及玻璃，形成的闪光砂结构通常是不规则的，难以形成规则形状例如棱锥、棱台、线状凸起结构等等形状的闪光砂结构，且闪光砂的形状及排布的可设计性非常小，难以通过主观设计，获得具有规律性的闪光砂效果。
请参见图1至图4，本申请实施例提供了一种壳体100，其包括：壳体本体10，壳体本体10具有第一表面12，壳体本体10具有一个或多个凸起单元11，第一表面12具有一个或多个凸起单元11位于第一表面12，每个凸起单元11包括一个或多个凸起结构111，每个凸起单元11的一个或多个凸起结构111按预设规律排布，每个凸起单元11包括多个反射面1110。
本申请术语“多个”指两个以上或至少两个的正整数，例如2个、3个、4个、5个、6个、7个、8个等。
可选地，每个凸起单元11包括一个或多个凸起结构111，具体地，可以为但不限于为1个凸起结构111、2个凸起结构111、3个凸起结构111、4个凸起结构111、5个凸起结构111、6个凸起结构111、7个凸起结构111、8个凸起结构111等。
可选地，每个凸起单元11的一个或多个凸起结构111按预设规律排布，可以为：当每个凸起单元11包括一个凸起结构111时，每个凸起单元11的凸起结构111朝向同一方向排列(如图5所示)；或者，当每个凸起单元11包括多个凸起结构111时，多个凸起结构111按预先设计的需要呈现的效果排列，例如，雪花状、六角锥状等；具体如图2和图4所示，在图2的实施例中，每个凸起单元11包括四个凸起结构111，在图4的实施例中，每个凸起单元11包括六个凸起结构111。当凸起单元11包括一个凸起结构，凸起单元11包括一个凸起结构111，凸起结构111为线状凸起结构时，每个凸起单元11的一个或多个凸起结构111按预设规律排布可以理解为线状凸起结构按预设规律延伸排布，组成预设图案。此外，每个凸起单元11的一个或多个凸起结构111按预设规律排布，可以为：当每个凸起单元11包括多个凸起结构111时，多个凸起结构111的尺寸或密度等呈渐变式变化，如从一侧到另一侧凸起结构111的尺寸或密度等逐渐变化，或者沿径向凸起结构111的尺寸或密度等逐渐变化。
请参见图6，在一些实施例中，所述凸起单元11包括第一凸起单元11’及第二凸起单元11”，所述第一凸起单元11’包括一个或多个第一凸起结构111’，所述一个或多个第一凸起结构111’按第一预设规律排布，所述第二凸起单元11”包括一个或多个第二凸起结构111”，所述一个或多个第二凸起结构111”按第二预设规律排布，其中，所述预设规律包括第一预设规律及第二预设规律。如图6所示，在一具体实施例中，第一凸起单元11’由六个第一凸起结构111’组成，每个第一凸起结构111’的底面为五边形，其中五个第一凸起结构111’的底面分别连接另一个第一凸起结构111’的五个边，形成类似桃花的排列；换言之，六个第一凸起结构111’按第一预设规律设置。第二凸起单元11”由六个第二凸起结构111”组成，第二凸起结构111”为三棱锥，六个第二凸起结构111”环绕预设中心间隔设置；换言之，六个第二凸起结构111”按第二预设规律设置。在一些实施例中，当第一凸起结构111’与第二凸起结构111”相同时，第一预设规律与第二预设规律不同。在另一些实施例中，当第一凸起结构111’与第二凸起结构111”不时，第一预设规律与第二预设规律可以相同也可以不同。
本申请实施例的壳体100包括壳体本体10，壳体本体10包括一个或多个凸起单元11，每个凸起单元11包括一个或多个凸起结构111，每个凸起单元11的一个或多个凸起结构111按预设规律排布，每个凸起单元11包括多个反射面1110。由此，当光线照射至壳体100的第一表面12时，反射面1110可以对光线进行反射，且同一反射面1110及同一个方向的反射面1110对入射角度相同的光线的反射方向相同，从而使得壳体100的第一表面12可以呈现片状的珠光、雪花状闪光等闪光砂效果，且可以通过设计每个凸起单元11中一个或多个凸起结构111的排布规律，以使得每个凸起单元11呈预设形状的闪光砂，使得壳体100表面的闪光砂具有可设计性，可以根据需要进行图形、尺寸、排布方式的设计，得到各种需要的图案和效果，可以更好的满足用户的需求。再者，由于可以设计每个凸起结构111的方向，让多个凸起单元11上的某一反射面1110的朝向同一方向，从而形成更大面积的镜面反射效果，使得珠光或闪光效果更强、更闪耀。
本申请的壳体100可以应用于手机、平板电脑、笔记本电脑、台式电脑、智能手环、智能手表、电子阅读器、游戏机等便携式电子设备。可选地，本申请的壳体100可以为电子设备的前盖(显示屏保护盖)、后盖(电池盖)、中框、装饰件等。本申请实施例的壳体100可以为2D结构、2.5D结构、3D结构等。
如图7所示，壳体本体10还具有第二表面14，第二表面14与第一表面12相背设置。如图7所示，可选地，壳体本体10包括底部13及侧部15，底部13与侧部15弯折相连，且为一体结构；底部13与侧部15围合成容置空间101。在一具体实施例中，底部13为电子设备的后盖，侧部15为电子设备的中框。
在一些实施例中，壳体本体10的材质可以为但不限于为无机玻璃、蓝宝石或陶瓷中的一种或多种。可选地，无机玻璃可以为但不限于为钠钙玻璃、高铝玻璃、高锂铝硅玻璃等。可选地，壳体本体10是透光的或半透光的(例如彩色的)，壳体本体10的透光率可以为但不限于为25％、28％、30％、32％、35％等。可选地，壳体本体10的雾度范围为5％至95％，具体地，可以为但不限于为5％、10％、30％、50％、70％、80％、83％、85％、90％、92％、95％等。本申请术语“多种”指两个以上或至少两个的正整数，例如2种、3种、4种、5种、6种、7种、8种等。
可选地，壳体本体10的厚度为0.3mm至1mm；具体地，壳体本体10的厚度可以为但不限于为0.3mm、0.4mm、0.5mm、0.6mm、0.7mm、0.8mm、0.9mm、1mm等。当壳体本体10太薄时，不能很好的起到支撑和保护作用，且机械强度不能很好的满足电子设备壳体100的要求，当壳体本体10的太厚时，则增加电子设备的重量，影响电子设备的手感，用户体验不好。
可选地，第一表面12的粗糙度Ra为0.1μm至4.0μm。具体地，第一表面12的粗糙度Ra可以为但不限于为0.1μm、0.5μm、0.8μm、1μm、1.5μm、2.0μm、2.5μm、3.0μm、3.5μm、4.0μm等。第一表面12的粗糙度越大，珠光或闪光效果越好。当第一表面12的粗糙度小于0.1μm时，将会降低壳体本体10的第一表面12的珠光或闪光效果；当第一表面12的粗糙度大于4.0μm时，则会影响第一表面12的触感，此外，第一表面12的凸起结构111肉眼可见，影响壳体本体10的外观效果。
请参见图2、图4、图5、图8及图9，在一些实施例中，当所述凸起单元11为多个时，多个凸起单元11呈周期性排布(如图2、图4及图5所示)、随机排布(如图8所示)、或渐变式排布(如图9所示)。如图2、图4及图5所示，当多个凸起单元11呈周期性排布时，可以使得壳体100的第一表面12呈周期性的图案的珠光或闪光效果；如图8所示，当多个凸起单元11随机排布时，可以使得壳体100的第一表面12呈随机排布的一个个凸起单元11的珠光或闪光效果。如图9所示，当多个凸起单元11呈渐变式排布时，可以使得壳体本体10的第一表面12形成渐变式的图案，且表面亮度会随着凸起单元11(或凸起结构111)尺寸的渐变，形成渐变式的亮度。渐变方式可以为从一边到另一边尺寸或密度等逐渐渐变，也可以沿径向方向尺寸或密度等渐变等，具体可以根据需要进行设计。
本申请术语“周期性排布”多个部件在空间上按一定规律循环排布。
可选地，凸起结构111为黄光刻蚀工艺形成的凸起结构111。换言之，凸起结构111通过在壳体基材表面进行黄光刻蚀工艺形成。
请参见图10，在一些实施例中，所述反射面1110为平面，反射面1110与所述第一表面12之间的角度α的范围为15°至60°；具体地，可以为但不限于为15°、20°、25°、30°、35°、40°、45°、50°、55°、60°等。反射面1110与所述第一表面12之间的角度α太大或太小均会降低壳体本体10表面的闪光砂的可视角度，当反射面1110与所述第一表面12之间的角度太大，还会使得闪光砂的亮度降低。反射面1110与所述第一表面12之间的角度α指同时垂直于反射面1110及第一表面12的平面，与反射面1110与所述第一表面12的相交线之间的角度。
请再次参见图2及图3，在一些实施例中，每个凸起单元11包括第一反射面1101，一个或多个凸起单元11的第一反射面1101相互平行，其中，多个反射面1110包括第一反射面1101。每个凸起单元11的第一反射面1101相互平行，换言之，每个凸起单元11的第一反射面1101的朝向是相同的，从而使得同一个方向的镜面反射的面积更大，形成更大面积的片状反射效果，从而使得片状的珠光或闪光效果更强，更加闪耀。
请再次参见图2及图3，在一些实施例中，每个凸起单元11还包括第二反射面1102，第二反射面1102与第一反射面1101倾斜或垂直设置，一个或多个凸起单元11的第二反射面1102相互平行，其中，多个反射面1110还包括第二反射面1102；换言之，多个反射面1110包括第一反射面1101及第二反射面1102。每个凸起单元11的第二反射面1102相互平行，换言之，每个凸起单元11的第二反射面1102的朝向是相同的，从而使得同一个方向的镜面反射的面积更大，形成更大面积的片状反射效果，从而使得片状的珠光或闪光效果更强，更加闪耀。
可选地，第二反射面1102与第一反射面1101可以为同一个凸起结构111上的反射面1110，也可以为同一个凸起单元11的两个不同凸起结构111上的反射面1110。当第二反射面1102与第一反射面1101为同一个凸起结构111上的反射面1110，第二反射面1102与第一反射面1101可以弯折相连，也可以间隔倾斜或垂直设置，对此本申请不作具体限定。
请再次参见图2及图3，在一些实施例中，每个凸起单元11还包括第三反射面1103，第三反射面1103与第一反射面1101及第二反射面1102中的一个或多个倾斜或垂直设置，一个或多个凸起单元11的第三反射面1103相互平行，其中，多个反射面1110还包括第三反射面1103；换言之，多个反射面1110包括第一反射面1101、第二反射面1102及第三反射面1103。每个凸起单元11的第三反射面1103相互平行，换言之，每个凸起单元11的第三反射面1103的朝向是相同的，从而使得同一个方向的镜面反射的面积更大，形成更大面积的片状反射效果，从而使得片状的珠光或闪光效果更强，更加闪耀。
可选地，第一反射面1101、第二反射面1102及第三反射面1103可以为同一个凸起结构111上的反射面1110，也可以为同一个凸起单元11的两个或是三个不同的凸起结构111上的反射面1110。当第一反射面1101、第二反射面1102及第三反射面1103为同一个凸起结构111上的反射面1110，第一反射面1101、第二反射面1102及第三反射面1103两两之间可以相互弯折相连(如三棱锥、三棱台)；也可以部分弯折相连，部分间隔倾斜或垂直设置；还可以两两相互间隔倾斜或垂直设置(如凸起结构111为六棱台、七棱台、八棱台、星型棱锥等底面至少六条边以上时)，对此本申请不作具体限定。
在其他实施例中，凸起单元11还可以包括第四反射面1111(图未示)、第五反射面1111(图未示)、第六反射面1111(图未示)、第七反射面1111(图未示)及第八反射面1111(图未示)等。
在一些实施例中，凸起结构111包括棱锥、棱台、线状凸起结构中的一种或多种。可选地，棱锥包括金字塔、三棱锥、四棱锥、五棱锥、六棱锥、七棱锥、八棱锥、星型棱锥中的一种或多种；棱台包括三棱台、四棱台、五棱台、六棱台、七棱台、八棱台、星型棱台中的一种或多种；凸起结构111包括三棱锥或三棱台时，三棱锥或三棱台的底面为正三角形或直角三角形中的一种或多种。当凸起结构111包括棱锥或棱台时，通过多个凸起结构111的排布可以使得具有朝向各个方向的反射面1110，且每个方向具有多个朝向相同的反射面1110，从而在各个方向都能形成较大面积的镜面反射效果，使得各个方向的珠光或闪光效果更强、更闪耀。
请参见图9，在一具体实施例中，凸起结构111包括五棱台与星型棱锥，星型棱锥叠设于五棱台远离第一表面12的表面上。制备该凸起结构时，可以先形成五棱台，然后，再对五棱台进行刻蚀，使部分保持五棱台的结构，部分被刻蚀为星型棱锥结构。
请再次参见图3，在一些实施例中，凸起结构111在第一表面12的正投影所围区域的最短距离d的范围为1μm至200μm。换言之，凸起结构111沿着第一表面12的延伸方向的最大宽度d为1μm至200μm；具体地，可以为但不限于为1μm、10μm、20μm、30μm、40μm、50μm、60μm、70μm、80μm、90μm、100μm、110μm、120μm、150μm、160μm、180μm、200μm等。当凸起结构111在第一表面12的正投影所围区域的最短距离小于1μm时，则凸起结构111上的反射面1110的面积较小，使得第一表面12的闪光或珠光效果变弱，从而影响壳体本体10的闪光或珠光效果，当尺寸足够小时，有机会在屏盖板的玻璃上蚀刻晶体形成减反射效果(增加透光率)。凸起结构111在第一表面12的正投影所围区域的最短距离越大珠光效果越好，但是，当凸起结构111在第一表面12的正投影所围区域的最短距离大于200μm时，影响壳体本体10的手感，且凸起结构111人体肉眼可见，会影响壳体本体10的外观效果。
请再次参见图10，在一些实施例中，沿垂直于第一表面12的方向上，凸起结构111的最大高度h范围为1μm至15μm。换言之，沿垂直于第一表面12的方向上，凸起结构111的高度为1μm至15μm；具体地，可以为但不限于为1μm、3μm、5μm、6μm、6.5μm、7μm、7.5μm、8μm、10μm、12μm、14μm、15μm等。高度太低则反射面(切面)的角度较小，会影响闪光砂效果，高度太高则段差较大，会影响手感。
在一具体实施例中，凸起结构111为正三棱锥，所述正三棱锥的底面的边长为38μm，所述正三棱锥的高度(即沿垂直于第一表面12的方向上，凸起结构111的最大高度h)为7μm至8μm，每六个正三棱锥依次间隔设置，组成一个具有六角锥纹理的凸起单元11(如图4所示)，相邻的两个正三棱锥之间的间距为9μm。
在又一具体实施例中，凸起结构111为直角三棱锥，所述直角三棱锥在第一表面12的正投影所围区域的最短距离d为31μm(即底面直角三角形的两条直角边长)，底面直角三角形的斜边为43μm，所述直角三棱锥的高度(即沿垂直于第一表面12的方向上，凸起结构111的最大高度h)为7μm至8μm，每四个直角三棱锥依次间隔设置，组成一个凸起单元11(如图2所示)，相邻的两个凸起单元11之间的间距为9μm。
请参见图11，在一些实施例中，本申请实施例的壳体100还包括纹理层30、光学镀膜层50及盖底层70。纹理层30设置于第二表面14上；光学镀膜层50设置于纹理层30远离壳体本体10的表面；盖底层70设置于光学镀膜层50远离壳体本体10的表面。
可选地，纹理层30远离第二表面14的表面具有纹理结构(图未示)。纹理层30为光固化纹理层，例如紫外光固化纹理层(UV纹理层)。可选地，纹理层30由光固化胶水(例如UV胶水)转印后，经光固化形成，例如在壳体本体10的表面转印UV胶水后，经光固化形成的光固化纹理层。
可选地，纹理层30的厚度为10μm至20μm，具体地，可以为但不限于为10μm、11μm、12μm、13μm、14μm、15μm、17μm、9μm、18μm、19μm、20μm等。当纹理层30的厚度太薄时，不利于纹理层30上纹理结构的形成，当纹理层30的厚度太厚时，则增加了壳体100的厚度，应用于电子设备的壳体100时，增加了电子设备的厚度和重量，影响手感，用户体验不好。
可选地，光学镀膜层50包括In、Sn、TiO2、Ti3O5、NbO2、Nb2O3、Nb2O2、Nb2O5、SiO2、ZrO2或者其他不导电氧化物等中的一种或多种。可选地，光学镀膜层50的总厚度可以为但不限于为10nm至1000nm；具体地，可以为但不限于为10nm、50nm、100nm、200nm、300nm、400nm、600nm、800nm、1000nm等。可选地，光学镀膜层50的数量可以为一层或多层，当光学镀膜层50的数量为多层时，多层光学镀膜依次层叠设置。在一实施例中，光学镀膜层50的层数可以为3层至15层，具体地，可以为但不限于为3层、4层、5层、6层、7层、8层、9层、10层、11层、12层、13层、14层、15层等。可选地，每层光学镀膜层50的厚度为3nm至140nm，具体地，可以为但不限于为3nm、5nm、8nm、10nm、15nm、20nm、25nm、30nm、35nm、40nm、50nm、60nm、70nm、80nm、90nm、100nm、110nm、120nm、130nm、140nm等。可选地，光学镀膜层50可以采用蒸发镀膜工艺、溅射镀膜工艺、原子层沉积(ALD)技术等中的一种或多种形成。
可选地，盖底层70可以为但不限于为对光具有吸收或反射作用的遮光油墨。可选地，盖底层70可以为黑色、白色或灰色。盖底层70用于防止壳体100应用于电子设备时，壳体100的第一表面12侧显露电子设备内部的零部件。可选地，盖底层70的厚度为5μm至50μm，具体地，盖底层70的厚度可以为但不限于为5μm、8μm、10μm、12μm、15μm、18μm、20μm、22μm、25μm、30μm、35μm、40μm、45μm、50μm等。可选地，盖底层70可以为一层，也可以为多层，例如为2层、3层、4层、或5层层叠设置。当盖底层70为多层时、相较于一层具有更好的遮挡效果。可选地，每层盖底层70的厚度为8μm至12μm，具体地，可以为但不限于为8μm、9μm、10μm、11μm、12μm等。每层盖底层70可以通过以下步骤形成：将遮光油墨涂布至光学镀膜层50远离壳体本体10的表面，于70℃至80℃下烘烤30min至60min，形成盖底层70。
请参见图12及图13，本申请实施例还提供一种壳体100，其包括：壳体本体10，壳体本体10具有第一表面12，壳体本体10第一表面12具有一个或多个凸起结构111，一个或多个凸起结构111位于第一表面12，多个凸起结构111包括棱锥、棱台或线状凸起结构中的一种或多种，每个凸起结构111包括多个反射面1110。可选地，一个或多个凸起结构111随机分布。在图13的实施例中，凸起结构111为底面为直角三角形的三棱台，多个三棱台在第一表面12随机排布。
请一并参见图7，可选地，壳体本体10还具有第二表面14，第二表面14与第一表面12相背设置。
本申请术语“多个”指两个以上或至少两个的正整数，例如2个、3个、4个、5个、6个、7个、8个等。
本实施例的壳体100包括壳体本体10，壳体本体10包括一个或多个凸起结构111，多个凸起结构111包括棱锥、棱台、线状凸起结构中的一种或多种，每个凸起结构111包括多个反射面1110。由此，当光线照射至壳体100的第一表面12时，反射面1110可以对光线进行反射，且同一反射面1110及同一个方向的反射面1110对入射角度相同的光线的反射方向相同，从而使得壳体100的第一表面12可以呈现星光闪闪的珠光或闪光效果。且当凸起结构111为棱锥、棱台或线状凸起结构时，通过多个凸起结构111具有朝向各个方向的反射面1110，从而使得壳体100的第一表面12的各个视角都可以看到星光闪闪的珠光或闪光效果。
本申请的壳体100可以应用于手机、平板电脑、笔记本电脑、台式电脑、智能手环、智能手表、电子阅读器、游戏机等便携式电子设备。可选地，本申请的壳体100可以为电子设备的前盖(显示屏保护盖)、后盖(电池盖)、中框、装饰件等。本申请实施例的壳体100可以为2D结构、2.5D结构、3D结构等。如图7所示，可选地，壳体本体10包括底部13及侧部15，底部13与侧部15弯折相连，且为一体结构。在一具体实施例中，底部13为电子设备的后盖，侧部15为电子设备的中框。
在一些实施例中，壳体本体10的材质可以为但不限于为无机玻璃、蓝宝石或陶瓷中的一种或多种。可选地，壳体本体10是透光的，壳体本体10的透光率可以为但不限于为25％、28％、30％、32％、35％等。可选地，壳体本体10的雾度范围为5％至95％，具体地，可以为但不限于为5％、10％、30％、50％、70％、80％、83％、85％、90％、92％、95％等。
本申请术语“多种”指两个以上或至少两个的正整数，例如2种、3种、4种、5种、6种、7种、8种等。
可选地，壳体本体10的厚度为0.3mm至1mm；具体地，壳体本体10的厚度可以为但不限于为0.3mm、0.4mm、0.5mm、0.6mm、0.7mm、0.8mm、0.9mm、1mm等。当壳体本体10太薄时，不能很好的起到支撑和保护作用，且机械强度不能很好的满足电子设备壳体100的要求，当壳体本体10的太厚时，则增加电子设备的重量，影响电子设备的手感，用户体验不好。
可选地，第一表面12的粗糙度Ra为0.1μm至4.0μm。具体地，第一表面12的粗糙度Ra可以为但不限于为0.1μm、0.5μm、0.8μm、1μm、1.5μm、2.0μm、2.5μm、3.0μm、3.5μm、4.0μm等。第一表面12的粗糙度越大，珠光或闪光效果越好。当第一表面12的粗糙度小于0.1μm时，会将降低壳体本体10的第一表面12的珠光或闪光效果；当第一表面12的粗糙度大于4.0μm时，则会影响第一表面12的触感，此外，第一表面12的凸起结构111肉眼可见，影响壳体本体10的外观效果。
可选地，凸起结构111为黄光刻蚀工艺形成的凸起结构111。换言之，凸起结构111通过在壳体基材表面进行黄光刻蚀工艺形成。
请再次参见图10，在一些实施例中，反射面1110为平面，反射面1110与所述第一表面12之间的角度α的范围为15°至60°；具体地，可以为但不限于为15°、20°、25°、30°、35°、40°、45°、50°、55°、60°等。反射面1110与所述第一表面12之间的角度α太大或太小均会降低壳体本体10表面的闪光砂的可视角度，当反射面1110与所述第一表面12之间的角度太大，还会使得闪光砂的亮度降低。
请再次参见图12，可选地，每个凸起结构111至少包括第一反射面1101、第二反射面1102及第三反射面1103。第二反射面1102与第一反射面1101相连且倾斜或垂直设置，第三反射面1103与第一反射面1101及第二反射面1102中的一个或多个倾斜或垂直设置。换言之，第一反射面1101、第二反射面1102及第三反射面1103分别朝向不同的方向。凸起结构111包括多个不同方向的反射面1110，从而使得各个视角都可以看到星光闪闪的珠光或闪光效果。
在其他实施例中，凸起结构111还可以包括第四反射面1111(图未示)、第五反射面1111(图未示)、第六反射面1111(图未示)、第七反射面1111(图未示)及第八反射面1111(图未示)等。
在一些实施例中，棱锥包括三棱锥、四棱锥、五棱锥、六棱锥、七棱锥、八棱锥、星型棱锥中的一种或多种；棱台包括三棱台、四棱台、五棱台、六棱台、七棱台、八棱台、星型棱台中的一种或多种；凸起结构111为三棱锥或三棱台时，三棱锥或三棱台的底面为正三角形或直角三角形中的一种或多种。这些结构的凸起结构111具有朝向各个方向的反射面1110，从而使得壳体100的第一表面12的各个视角都可以看到星光闪闪的珠光或闪光效果。可选地，当凸起单元11包括一个凸起结构，凸起单元11包括一个凸起结构111，凸起结构111为线状凸起结构时，一个或多个凸起结构111随机分布可以理解为线状凸起结构随机延伸组成图案。
请再次参见图12，在一些实施例中，凸起结构111在第一表面12的正投影所围区域的最短距离d的范围为1μm至200μm。换言之，凸起结构111沿着第一表面12的延伸方向的最大宽度d为1μm至200μm；具体地，可以为但不限于为1μm、10μm、20μm、30μm、40μm、50μm、60μm、70μm、80μm、90μm、100μm、110μm、120μm、150μm、160μm、180μm、200μm等。当凸起结构111在第一表面12的正投影所围区域的最短距离小于1μm时，则凸起结构111上的反射面1110的面积较小，使得第一表面12的闪光或珠光效果变弱，从而影响壳体本体10的闪光或珠光效果，当尺寸足够小时，有机会在屏盖板的玻璃上蚀刻晶体形成减反射效果(增加透光率)。凸起结构111在第一表面12的正投影所围区域的最短距离越大珠光效果越好，但是，当凸起结构111在第一表面12的正投影所围区域的最短距离大于200μm时，影响壳体本体10的手感，且凸起结构111人体肉眼可见，会影响壳体本体10的外观效果。
请再次参见图10，在一些实施例中，沿垂直于第一表面12的方向上，凸起结构111的距离的最大高度h范围为1μm至15μm。换言之，沿垂直于第一表面12的方向上，凸起结构111的高度为1μm至15μm；具体地，可以为但不限于为1μm、3μm、5μm、6μm、6.5μm、7μm、7.5μm、8μm、10μm、12μm、14μm、15μm等。高度太低则反射面(切面)的角度较小，会影响闪光砂效果，高度太高则段差较大，会影响手感。
请再次参见图11，在一些实施例中，本申请实施例的壳体100还包括纹理层30、光学镀膜层50及盖底层70。纹理层30设置于第二表面14上；光学镀膜层50设置于纹理层30远离壳体本体10的表面；盖底层70设置于光学镀膜层50远离壳体本体10的表面。
关于纹理层30、光学镀膜层50及盖底层70的详细描述，请参见上述实施例对应部分的描述，在此不再赘述。
本申请上述各实施例的壳体100可以通过本申请以下实施例的壳体100的制备方法进行制备。
请参见图14及图15，本申请实施例还提供一种壳体100的制备方法，壳体100包括壳体本体10，方法包括：
S201，提供壳体基材10’；
可选地，壳体基材10’可以为但不限于为无机玻璃或树脂中的一种或多种。可选地，无机玻璃可以为但不限于为钠钙玻璃、高铝玻璃、高锂铝硅玻璃等，例如可以采用康宁的玻璃原材木片。在本实施例中后面的描述中，以壳体基材10’为无机玻璃为例进行详细说明。可选地，壳体基材10’可以是大片基材、中片基材(例如400mm×500mm)，小片基材等。大片基材、中片基材指基材尺寸比正常应用于一个电子设备的壳体100的尺寸大的，例如最终可以分割成多个壳体本体10的基材。可选地，壳体基材10’为2D结构的壳体基材10’。
S202，在壳体基材10’的表面形成保护层30’；
可选地，采用蒸发或磁控溅射等工艺，在壳体基材10’的表面镀一层保护层30’。黄光刻蚀工艺中，光刻胶掩膜层50’在形成时，由于光刻胶进行喷涂时各个位置的厚度难以做到均匀，厚度上存在公差，且喷涂时可能部分位置有灰尘，部分位置没有，由此，使得形成的光刻胶掩膜层50’存在小孔，进行壳体基材刻蚀时，刻蚀液容易进入小孔，过早腐蚀光刻胶掩膜层50’下的壳体基材10’，使得形成的凸起结构111存在外观不良，难以获得预设的结构，增加保护层30’后，可以使得进行壳体基材刻蚀时，光刻胶掩膜层50’先逐渐腐蚀，再腐蚀逐渐保护层30’，从而使得壳体基材10’不同位置刻蚀速度逐步变化，没有光刻胶掩膜层50’的位置刻蚀速度快，设置光刻胶掩膜层50’和保护层30’的位置随着光刻胶掩膜层50’和保护层30’的逐步腐蚀，逐渐被刻蚀，进而可以在壳体基材10’的表面形成立挺棱线和切面的棱锥、棱台、线状凸起结构等凸起结构111。
可选地，保护层30’包括金属或金属氧化物中的一种或多种；金属包括铬、铜、银中的一种或多种；金属氧化物包括氧化铬、氧化铜、氧化银、氧化钛、氧化锆中的一种或多种。
可选地，保护层30’的厚度为50nm至500nm；具体地，可以为但不限于为50nm、100nm、150nm、200nm、250nm、300nm、350nm、400nm、450nm、500nm等。当保护层30’太薄(小于50nm)时，进行下述壳体基材刻蚀时，保护层30’消融速度过快，保护层30’下的壳体基材10’(玻璃)被过早刻蚀，容易使制得的壳体100产生外观不良；保护层30’太厚(大于500nm)则成本过高。
S203，在保护层30’远离壳体基材10’的表面形成光刻胶层，对光刻胶层进行软烤、曝光、显影及硬烤，以使光刻胶层形成光刻胶掩膜层50’；
请一并参见图16，可选地，步骤S203包括：
S2031，在保护层30’远离壳体基材10’的表面上形成光刻胶胶液层；
可选地，采用光刻胶胶液在保护层30’远离壳体基材10’的表面上喷涂一层光刻胶胶液层。可选地，光刻胶胶液可以为正性光刻胶胶液或负性光刻胶胶液，正性光刻胶胶液可以为但不限于为邻-叠氮醌类光刻胶；负性光刻胶胶液可以为但不限于为肉桂酸酯类光刻胶。
S2032，对光刻胶胶液层进行软烤(soft bake)，形成光刻胶层；
可选地，于60℃至120℃温度下对光刻胶胶液层进行软烤1min至5min中，以去除光刻胶胶液层中的溶剂，形成光刻胶层。
可选地，软烤的温度可以为但不限于为60℃、80℃、90℃、100℃、110℃、120℃等。软烤的温度不易过高，软烤温度过高容易使光刻胶胶液在未进行曝光显影之前就发生固化反应，从而影响制得的光刻胶掩膜层50’的精确度及准确度，进而影响制得的壳体100上凸起结构111的精确度及准确度。软烤的温度过低，则光刻胶胶液层中的溶剂未挥发干净，使得形成光刻胶层与壳体基材10’的粘附力不足，显影时容易脱落。
可选地，软烤的时间可以为但不限于为1min、2min、3min、4min、5min、等。软烤的时间太长光刻胶胶液未进行曝光显影之前就发生固化反应，影响制得的光刻胶掩膜层50’的精确度及准确度，从而影响制得的壳体100上凸起结构111的精确度及准确度。软烤是时间太短，则光刻胶胶液中的溶剂挥发干净，使得形成光刻胶层与壳体基材10’的粘附力不足，显影时容易脱落。
可选地，光刻胶层的厚度为1μm至15μm；具体地，可以为但不限于为1μm、3μm、5μm、7μm、10μm、12μm、14μm、15μm等。光刻胶层太薄，进行壳体基材刻蚀时，光刻胶掩膜层容易被蚀刻穿，光刻胶层太厚需要多图几层，增加了工序的复杂程度，提高了壳体100的制备成本。
S2033，根据预设图案对部分光刻胶层进行曝光；
可选地，在光刻胶层上方设置光罩(又称掩膜板)，光照上设有镂空图案，根对光刻胶层进行紫外光曝光，以使得经过曝光的光刻胶(当为正性光刻胶时)或未经过曝光的光刻胶(当为负性光刻胶时)能够溶解于显影液，以获得具有预设图案的光刻胶掩膜层50’。
可选地，曝光的能量为50mj/cm2至200mj/cm2；具体地，可以为但不限于为50mj/cm2、80mj/cm2、100mj/cm2、130mj/cm2、150mj/cm2、180mj/cm2、200mj/cm2等。当光刻胶为负性光刻胶时，曝光的能量太低(低于50mj/cm2)，则形成的光刻胶掩膜层50’在进行壳体基材刻蚀时，整层光刻胶掩膜层50’过快被腐蚀掉，无法实现逐渐腐蚀，形成具有立挺棱线和切面的凸起结构111(棱锥、棱台、线状凸起结构等)；曝光的能量太高(高于200mj/cm2)，形成的光刻胶掩膜层50’消融速度慢，也无法使形成的光刻胶掩膜层50’在进行壳体基材刻蚀时，难以有逐渐腐蚀的效果。可选地，当光刻胶为负性光刻胶时，曝光的能量为100mj/cm2，此时，可以使制得的光刻胶掩膜层50’可以在进行壳体基材刻蚀时，具有合适的消融速度，可以逐渐进行溶解，可以更好的在壳体基材10’表面形成具有预设规律排列的凸起结构111。当光刻胶为正性光刻胶时，形成的光刻胶掩膜层50’的消融速度与曝光的能量关联度较小，主要与硬烤的温度和时间有关。
S2034，对经曝光后的光刻胶层进行显影，以形成具有预设图案的图案化光刻胶层；以及
可选地，于温度为20℃至40℃的显影液中进行显影，以使光刻胶层上需去除的区域(当为正性光刻胶时，曝光区域溶解，当为负性光刻胶时，非曝光区域溶解)的光刻胶溶解于显影液，需保留的区域(当为正性光刻胶时，非曝光区域保留，当为负性光刻胶时，曝光区域保留)的光刻胶保留，形成具有预设图案的图案化光刻胶层。其中，预设图案的区域是镂空的。
可选地，显影液的温度可以为但不限于为20℃、25℃、30℃、35℃、40℃。显影温度太低，溶解光刻胶的速度太慢，显影时间过长，影响生产效率；显影温度太高，显影速度太快，显影过程较难控制，且容易显影过度。
可选地，显影液可以为但不限于为质量浓度为0.1％至0.5％的碳酸钠、质量浓度为0.01％至0.1％氢氧化钾水溶液、或者质量浓度为0.01％至0.1％氢氧化钠水溶液中的一种或多种。当显影液的浓度太低，溶解光刻胶的速度太慢，显影时间过长，影响生产效率，此外，还可能使需显影的区域的光刻胶难以全部溶解，甚至没法溶解；显影液的浓度太高，显影速度太快，显影过程较难控制，且容易显影过度，需保留区域的光刻胶，也会分被溶解，不利于制备精细的图案。当显影液的浓度处于上述浓度范围时，既可以将需溶解区域的光刻胶全部溶解，又不会溶解需保留区域的光刻胶，从而提高了显影的精度及分辨率。
可选地，显影时间为20s至60s；具体地，可以为但不限于为20s、30s、40s、50s、60s等。显影时间太短，需溶解区域的光刻胶还未完全溶解，降低光刻胶的精度及分辨率，显影时间太长，需保留区域的光刻胶也会部分被溶解，也会降低光刻胶的精度及分辨率。
S2035，对图案化光刻胶层进行硬烤(Hard bake)，形成图案化的光刻胶掩膜层50’。
可选地，于温度为50℃至150℃，进行硬烤，以使得图案化光刻胶层中的组分发生固化、交联反应，以稳定图案化光刻胶层上的图形，形成图案化光刻胶掩膜。其中，图案化光刻胶掩膜具有预设图案，预设图案的区域是镂空的，或者说，图案化光刻胶层上具有与预设图案相同的镂空区域。
可选地，硬烤的温度可以为但不限于为50℃、60℃、80℃、100℃、120℃、140℃、150℃等。硬烤的温度太低(小于50℃)，则光刻胶发生交联反应不充分，交联度不足，耐酸性不好，消融速度过快达不到所需的刻蚀深度，甚至光刻胶层整体溶解脱落；硬烤的温度太高(大于150℃)，光刻胶固化程度过高，得到的光刻胶掩膜层50’无法在蚀刻液中逐渐消融。
可选地，硬烤的时间为5min至15min；具体地，可以为但不限于为5min、6min、8min、10min、12min、15min等。硬烤的时间过短(小于5min)，则光刻胶发生交联反应不充分，交联度不足，耐酸性不好，消融速度过快达不到所需的刻蚀深度，甚至光刻胶层整体溶解脱落；硬烤的时间过长(大于15min)，光刻胶固化程度过高，得到的光刻胶掩膜层50’无法在蚀刻液中逐渐消融。
在一具体实施例中，硬烤的温度为100℃，硬烤的时间为10min。此时，可以使得光刻胶掩膜层50’具有更为合适的耐酸性及消融速度，可以在壳体基材刻蚀的刻蚀液中逐渐消融。
S204，对保护层30’进行刻蚀，以裸露部分壳体基材10’；以及
可选地，采用盐酸水溶液、柠檬酸水溶液、硫酸水溶液中的一种或多种，对保护层30’进行刻蚀，以裸露部分壳体基材10’，具体地，显露壳体基材10’上对应光刻胶掩膜层50’镂空的部分，或者说将保护层30’与光刻胶掩膜层50’镂空部分交叠的部分进行刻蚀，以使与镂空部分交叠的壳体基材10’裸露出来。
可选地，保护层30’刻蚀的温度为30℃至50℃，具体地，可以为但不限于为30℃、35℃、40℃、45℃、50℃等。刻蚀温度过低，保护层30’腐蚀速度过慢，需要更长的时间才能将保护层30’腐蚀；刻蚀的温度过高，保护层30’腐蚀速度过快，不易控制保护层30’的腐蚀程度，容易将保护层30’下方的壳体基材10’部分刻蚀，影响制得的壳体本体10的外观。
可选地，保护层30’刻蚀的时间为0.5min至3min；具体地，可以为但不限于为0.5min、1min、1.5min、2min、2.5min、3min等。刻蚀时间过短，保护层30’还未腐蚀穿，容易部分残留在壳体基材10’表面(指光刻胶掩膜层50’镂空部分对应的壳体基材10’)，影响后续壳体基材刻蚀时壳体基材10’的刻蚀速度，从而影响最终形成的壳体本体10的外观效果；刻蚀的时间过程，光刻胶掩膜层50’镂空部分对应的保护层30’已完全腐蚀，再继续进行刻蚀，容易将壳体基材10’表面也部分刻蚀，影响制得的壳体本体10的外观。
在一具体实施例中，保护层30’刻蚀的温度为40℃，刻蚀的时间为1.5min，这样可以使得光刻胶掩膜层50’镂空部分对应的保护层30’可以被完全刻蚀掉，使该部分的壳体基材10’裸露出来，同时，又不会刻蚀壳体基材10’，使得得到的壳体本体10具有更好的外观效果。
S205，对壳体基材10’进行刻蚀(Etching)，以使壳体基材10’的表面形成一个或多个凸起结构111而得到壳体本体10，其中，每个所述凸起结构111包括多个反射面1110。
可选地，于常温下，采用强酸水溶液对壳体基材10’覆盖有图案化光刻胶掩膜层50’的表面进行壳体基材10’刻蚀，以使壳体基材10’的表面形成多个凸起结构111，以得到壳体本体10。
可选地，强酸水溶液包括氢氟酸及氟化氢铵中的一种或多种。可选地，强酸水溶液还包括盐酸、硫酸、硝酸等中的一种或多种。在一具体实施例中，强酸水溶液包括：重量分数为2％至4％的氢氟酸，重量分数为3％至5％的硝酸及重量分数为3％至5％的硫酸。
可选地，壳体基材10’刻蚀的时间为2min至5min，具体地，可以为但不限于为2min、2.5min、3min、3.5min、4min、4.5min、5min等。壳体基材10’刻蚀的时间太短，壳体基材10’刻蚀的深度较浅，形成的凸起结构111清晰度不够，壳体基材10’刻蚀时间太长，光刻胶掩膜层50’及保护层30’已基本消融，再进行刻蚀，会使形成的凸起结构111如棱锥、棱台、线状凸起结构等的顶部也被刻蚀，无法形成规整的棱锥、棱台结构，从而影响制得的壳体本体10的外观效果。
可选地，对壳体基材10’进行刻蚀时，光刻胶掩膜层50’的消融速度大于保护层30’的消融速度。这样可以使得光刻胶掩膜层50’从外到内的消融速度大于保护层30’从外到内的消融速度，从而可以更好的形成具有立挺棱线和切面的棱锥、棱台、或线状凸起结构等凸起结构111，使得形成的壳体本体10表面的凸起结构111的可设计性更强，可以根据所需要的效果进行设计。
可选地，进行壳体基材10’刻蚀时，保护层30’的消融速度为50nm/min至100nm/min；具体地，可以为但不限于为50nm/min、60nm/min、70nm/min、80nm/min、90nm/min、100nm/min等。保护层30’的消融速度过快(大于100nm/min)，容易导致保护层30’与光刻胶掩膜层50’一起脱落，不会进行逐渐消融，难以在壳体本体10的形成具有多棱线和切面的凸起结构111，从而影响制得的壳体本体10的凸起结构111的外观效果。保护层30’的消融速度过慢(小于50nm/min)，光刻胶掩膜层50’可能已经完全消融掉，光刻胶掩膜层50’未能对保护层30’进行有效保护，保护层30’容易从保护层30’远离壳体基材10’的表面上被刻穿，导致壳体基材10’被刻蚀，而使形成的凸起结构111产生缺陷。当保护层30’的消融速度为50nm/min至100nm/min，既可以防止光刻胶掩膜层50’及保护层30’脱落，使光刻胶掩膜层50’对保护层30’进行有效保护，又可以使得保护层30’从侧面向内部逐渐消融，从而制得具有立挺棱线和切面的凸起结构111。
可选地，光刻胶掩膜层50’的消融速度为2μm/min至5μm/min；具体地，可以为但不限于为2μm/min、3μm/min、4μm/min、5μm/min等。光刻胶掩膜层50’的消融速度过快(大于5μm/min)，壳体基材10’的蚀刻深度还未达到预设深度数值时，光刻胶掩膜层50’就全部消融了，形成不了需要的图案；光刻胶掩膜层50’的消融速度过慢(小于2μm/min)，壳体基材10’的蚀刻深度已经达到预设深度数值了，但光刻胶掩膜层50’还未完全消融，当需要制备棱锥状凸起结构时，无法形成锥形结构(会有一个平台，即得到棱台结构)。
请再次参见图15及图17，在一些实施例中，本申请实施例的壳体100的制备方法还包括：
S206，采用剥离液进行退镀，以去除壳体本体10表面的光刻胶掩膜层50’及保护层30’。
可选地，采用光刻胶剥离液，例如：质量浓度为0.5％至1.5％的氢氧化钾水溶液，于温度为40℃至70℃下，进行退镀，以去除壳体本体10表面的光刻胶掩膜层50’及保护层30’。
可选地，氢氧化钾水溶液的浓度可以为但不限于为0.5％、0.8％、1.0％、1.2％、1.5％等。氢氧化钾水溶液浓度太低，则图案化光刻胶掩膜脱模速度较慢，氢氧化钾水溶液浓度太高，对人体的危险性增加。
可选地，退镀的温度可以为但不限于为40℃、45℃、50℃、55℃、60℃、65℃、70℃等。温度太低，脱模时间慢；温度太高，能耗太高，生产成本增加。
本实施例中与上述实施例相同且未展开描述特征部分请参见上述实施例，在此不再赘述。
在一些实施例中，当需要制备两个结构叠加形成的凸起结构111时，例如图9所示的凸起结构111时，可以先进行步骤S201至步骤S205，使壳体基材10’的表面形成凸起结构中间体，再在具有凸起结构中间体的壳体基材10’上重复步骤S201至步骤S205，以形成两个结构叠加的凸起结构111。如图9所示，当需要形成图9中五棱台与星型棱锥(星型棱锥叠设于五棱台远离第一表面的表面)叠设的结构时，先在壳体基材10’上进行步骤S201至步骤S205，以在壳体基材10’表面形成五棱台，然后，再重复进行步骤S201至步骤S205，以对五棱台进行刻蚀，使部分保持五棱台的结构，部分被刻蚀为星型棱锥结构。
本申请实施例的壳体100的制备方法，先在壳体基材10’的表面镀一层保护层30’，再形成光刻胶掩膜层50’，从而使得在对壳体本体10进行壳体基材刻蚀时，光刻胶掩膜层50’与保护层30’可以逐渐消融，从而使得在壳体基材10’的表面形成具有立挺棱线和切面的凸起结构111，例如棱锥、棱台、线状凸起结构等形状的闪光砂结构。该凸起结构111可以根据需要进行图形、尺寸、排布方式的设计，使得凸起结构111按照预设规律排布，或者随机排布，得到各种不同效果的闪光砂和图案，可以更好的满足用户的需求，从而使得壳体100具有更强的可设计性。相较于采用闪光砂药水制得的闪光砂结构，本申请实施例的壳体100的制备方法不仅可以适用于钠钙玻璃，还可以适用于高铝玻璃、高锂铝硅玻璃，对于玻璃材料的适应性强，且不依赖于闪光砂药水。此外，由于本申请的壳体100可以设计每个凸起结构111的方向，让多个凸起单元11上某一方向的反射面1110的朝向同一方向，从而形成更大面积的镜面反射效果，使得珠光或闪光效果更强、更闪耀。再者，本申请实施例的壳体100的制备方法可以采用大片基材或中片基材，一次可以同时制备多个壳体100，制备完成后，再切割成一个个单独的壳体100，可以提高壳体100的制备效率，降低生产成本。
请参见图18，本申请实施例还提供一种壳体100的制备方法，壳体100包括壳体本体10，壳体本体10为3D结构，方法包括：
S301，提供壳体基材10’；
S302，在壳体基材10’的表面形成保护层30’；
S303，在保护层30’远离壳体基材10’的表面形成光刻胶层，对光刻胶层进行软烤、曝光、显影及硬烤，以使光刻胶层形成光刻胶掩膜层50’；
S304，对保护层30’进行刻蚀，以裸露部分壳体基材10’；
S305，对壳体基材进行刻蚀(Etching)，以使壳体基材10’的表面形成一个或多个凸起结构111，其中，每个所述凸起结构111包括多个反射面1110；
S306，采用剥离液进行退镀，以去除壳体本体10表面的光刻胶掩膜层50’及保护层30’；
步骤S301至步骤S306的详细描述请参见上述实施例对应部分的详细描述，在此不再赘述。
可选地，进行退镀之后，进行热弯成型之前，将壳体本体10切割成所需的尺寸大小的壳体本体10，并进行数控机床加工(CNC加工)，得到所需尺寸和外形的壳体本体10。可选地，可以采用钻石刀具机械切割或激光切割。
S307，进行热弯成型，得到3D壳体本体10。
可选地，采用热压及热吸，对壳体本体10进行热弯，以得到3D壳体本体10。
相关技术采用纯热压模式(壳体本体10两侧都采用热压模式)制备3D结构的壳体本体10，由于热压模具加工时通常表面不均匀，加压的压板存在水平度不一致，导致壳体本体10的受力不均匀，制得的3D结构的壳体本体10的模具印比较重，需要再进行抛光才可以，因此，如果先进行黄光工艺刻蚀，再进行热弯成型，形成的壳体本体10的表面凸起结构111容易由于模具印的残留，造成外观不良。然而，采用热压+热吸的方式，进行热弯，可以使壳体本体10各个位置的受力更加均匀，可以更好的避免壳体本体10局部受力不均匀产生的模具印，热弯时，壳体本体10具有凸起结构111的表面进行热吸，与凸起结构111相背的表面进行热压，这样可以使得得到的3D结构的壳体本体10的具有凸起结构111的表面残留的模具印非常轻，无需再进行抛光，从而可以先进行黄光刻蚀，再进行热压+热吸弯折成型。再者，在壳体100的制备过程中，热弯及壳体本体10的抛光过程所需的成本远远高于黄光刻蚀形成凸起结构111(即凸起结构111形成)所需的成本，如果先进行热弯成型及抛光，再进行黄光刻蚀，那么当黄光刻蚀出现不良时，就会大大增加壳体100的制备成本，然而，如果先进行黄光刻蚀，再进行热弯及抛光过程，在每个步骤的良率不变的情况下，可以大大降低可以的制备成本。
以下以壳体本体10为玻璃壳体100基本体为例对壳体本体10的热弯成型进行详细说明。
请参见图19至图21，可选地，进行热弯成型，以得到3D结构的壳体本体10包括：
S3071，提供弯折模具500，弯折模具500包括第一子模510及第二子模530，第二子模具有透气性；
请参见图20及图21，可选地，第一子模510为凸模，第二子模530为凹模。第一子模510具有第一模面512，第二子模530具有相背设置的第二模面532及底面534，进行热弯时，第一模面512与第二模面532相向设置，壳体本体10位于第一模面512及第二模面532之间。可选地，所述第二子模为石墨材质的模具，所述第二子模具有微孔，具有透气性。第二子模530具有凹槽535，凹槽535位于底面534上，热弯成型时，壳体本体10对应凹槽535的位置设置。这样可以在进行热吸，吸真空时，第二子模530的边缘用于密封该凹槽535，凹槽部分形成间隙(腔体)，进行热吸抽真空时，该腔体形成真空，玻璃更容易贴附于第二模面531，且凹槽535可以缩短底面534与第二模面531的距离，在底面534侧进行热吸抽真空时，可以减小吸真空的阻力小，且将热吸的吸力集中在凹槽535的位置。
沿垂直于底面534的方向上，凹槽535的深度h’为3mm至10mm；具体地，可以为但不限于为3mm、5mm、8mm、10mm等。凹槽深度太深，会降低第二子模的强度，热压时模具容易变形和开裂；凹槽深度太浅则吸附力不足，不利于玻璃成型到位。
S3072，将壳体本体10设置于第一子模510及第二子模530之间，其中，壳体本体10具有多个凸起结构111的表面面向第二子模530；以及
可选地，将第一子模510的第一模面512及第二子模530的第二模面532相向设置，将壳体本体10设置于第一模面512及第二模面532之间，并使壳体本体10具有多个凸起结构111的表面面向第二子模530。
S3073，对第一子模510进行热压，并对第二子模530进行热吸，以形成3D壳体本体10。
可选地，于温度为680℃至780℃，对第一子模510施加45kg至55kg的压力，同时采用真空泵在第二子模530的底面534对第二子模530进行抽真空，抽真空的进行热吸的吸力范围为45kg至55kg。
可选地，热弯的温度可以为但不限于为680℃、700℃、720℃、740℃、760℃、780℃等。温度太高玻璃壳体本体10软化过度，易导致玻璃壳体100基本体表面产生模具模印，温度太低玻璃壳体本体10软化程度不足，无法弯折到位，易产生弧度、尺寸等偏差，甚至在热弯的过程中使得壳体本体10碎裂。当热弯的温度处于680℃至780℃时，可以使壳体本体10的表面尽可能少留下模具印，又可以使热弯后形成的3D壳体本体10的弧度、尺寸等偏差尽可能小。在一具体实施例中，热弯的温度为730℃。
可选地，热压的压力为45kg、47kg、48kg、50kg、52kg、55kg等。可选地，热吸的吸力为45kg、47kg、48kg、50kg、52kg、55kg等。可选地，热压的压力与热吸的吸力方向相同，以使得壳体本体10受到的总压力为热压的压力与热吸的吸力之和。压力和吸力太小，易导致壳体本体10成型不到位，易产生弧度、尺寸等偏差。热压与热吸产生的总压力大小与两边都采用热压的方案所需的压力大小相差不大，但是，采用热吸的方式进行热弯，可以使壳体本体10各个位置的受力更加均匀，可以更好的避免壳体本体10局部受力不均匀产生的模具印。
在一些实施例中，进行热弯成型后，本申请实施例的壳体100的制备方法还包括：将3D结构的壳体本体10的远离凸起结构111的表面(即热弯时，面向第一子模510的表面，或者第二表面14)进行抛光，以去除壳体本体10远离凸起结构111的表面的模具印。
在一些实施例中，当壳体基材10’为玻璃基材时，本申请实施例的壳体100的制备方法还包括：对壳体本体10进行化学强化。
可选地，将壳体本体10于硝酸钠(NaNO3)及硝酸钾(KNO3)中的一种或多种熔融液中进行化学强化，以提高壳体本体10的强度。
在一些实施例中，本申请实施例的壳体100的制备方法还包括：
1)在壳体本体10远离凸起结构111的表面(即第二表面14)采用UV胶水转印纹理层30；
2)采用蒸发镀膜工艺、溅射镀膜工艺、原子层沉积技术等工艺，在纹理层30的表面镀光学镀膜层50；以及
3)在光学镀膜层50的表面喷涂盖底层70。
关于纹理层30、光学镀膜层50以及盖底层70的详细描述请参见上述实施例对应部分的描述，在此不再赘述。
在另一些实施例中，本申请实施例的壳体100的制备方法还包括：在壳体本体10远离凸起结构111的表面(即第二表面14)采用光学胶(OCA胶)贴装饰膜，装饰膜包括依次层叠设置的纹理层30、光学镀膜层50及盖底层70，纹理层30相较于盖底层70靠近壳体本体10设置。
本实施例与上述实施例相同特征部分的详细描述请参见上述实施例，在此不再赘述。
请参见图22至图24，本申请实施例还提供一种电子设备400，其包括：显示组件410、本申请实施例的壳体100以及电路板组件430。显示组件410用于显示；壳体100用于承载显示组件410；电路板组件430设置于显示组件410与壳体100之间，且与显示组件410电连接，用于控制显示组件410进行显示。在一些实施例中，壳体100具有容置空间101，电路板组件430位于容置空间101内，显示组件410还用于闭合容置空间101；换言之，壳体100与显示组件410围合成闭合的容置空间101。
本申请实施例的电子设备400可以为但不限于为手机、平板电脑、笔记本电脑、台式电脑、智能手环、智能手表、电子阅读器、游戏机等便携式电子设备。
关于壳体100的详细描述，请参见上述实施例对应部分的描述，在此不再赘述。
可选地，显示组件410可以为但不限于为液晶显示组件、发光二极管显示组件(LED显示组件)、微发光二极管显示组件(MicroLED显示组件)、次毫米发光二极管显示组件(MiniLED显示组件)、有机发光二极管显示组件(OLED显示组件)等中的一种或多种。
请一并参见图24，可选地，电路板组件430可以包括处理器431及存储器433。处理器431分别与显示组件410及存储器433电连接。处理器431用于控制显示组件410进行显示，存储器433用于存储处理器431运行所需的程序代码，控制显示组件410所需的程序代码、显示组件410的显示内容等。
可选地，处理器431包括一个或者多个通用处理器431，其中，通用处理器431可以是能够处理电子指令的任何类型的设备，包括中央处理器(Central Processing Unit,CPU)、微处理器、微控制器、主处理器、控制器以及ASIC等等。处理器431用于执行各种类型的数字存储指令，例如存储在存储器433中的软件或者固件程序，它能使计算设备提供较宽的多种服务。
可选地，存储器433可以包括易失性存储器(Volatile Memory)，例如随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)；存储器433也可以包括非易失性存储器(Non-VolatileMemory，NVM)，例如只读存储器(Read-Only Memory，ROM)、快闪存储器(FlashMemory，FM)、硬盘(Hard Disk Drive，HDD)或固态硬盘(Solid-State Drive，SSD)。存储器433还可以包括上述种类的存储器的组合。
在本申请中提及“实施例”“实施方式”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现所述短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本申请所描述的实施例可以与其它实施例相结合。此外，还应该理解的是，本申请各实施例所描述的特征、结构或特性，在相互之间不存在矛盾的情况下，可以任意组合，形成又一未脱离本申请技术方案的精神和范围的实施例。
最后应说明的是，以上实施方式仅用以说明本申请的技术方案而非限制，尽管参照以上较佳实施方式对本申请进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本申请的技术方案进行修改或等同替换都不应脱离本申请技术方案的精神和范围。
Claims (20)
1.一种壳体，其特征在于，包括：
壳体本体，所述壳体本体具有第一表面，所述壳体本体具有一个或多个凸起单元，所述一个或多个凸起单元位于所述第一表面，每个所述凸起单元包括按预设规律排布的一个或多个凸起结构，每个所述凸起单元包括多个反射面。
2.根据权利要求1所述的壳体，其特征在于，当所述凸起单元为多个时，所述多个凸起单元呈周期性排布、随机排布或渐变式排布。
3.根据权利要求1所述的壳体，其特征在于，所述反射面为平面，所述反射面与所述第一表面之间的角度的范围为15°至60°。
4.根据权利要求1所述的壳体，其特征在于，所述多个反射面包括第一反射面，每个所述凸起单元包括所述第一反射面，所述一个或多个凸起单元的所述第一反射面相互平行。
5.根据权利要求4所述的壳体，其特征在于，所述多个反射面还包括第二反射面，每个所述凸起单元还包括所述第二反射面，所述第二反射面与所述第一反射面倾斜或垂直设置，所述一个或多个凸起单元的所述第二反射面相互平行。
6.根据权利要求5所述的壳体，其特征在于，所述多个反射面还包括第三反射面，每个所述凸起单元还包括所述第三反射面，所述第三反射面与所述第一反射面及第二反射面中的一个或多个倾斜或垂直设置，所述一个或多个凸起单元的所述第三反射面相互平行。
7.根据权利要求6所述的壳体，其特征在于，所述凸起结构包括棱锥、棱台或线状凸起结构中的一种或多种；所述棱锥包括三棱锥、四棱锥、五棱锥、六棱锥、七棱锥、八棱锥、星型棱锥中的一种或多种；所述棱台包括三棱台、四棱台、五棱台、六棱台、七棱台、八棱台、星型棱台中的一种或多种；所述凸起结构包括三棱锥或三棱台时，所述三棱锥或三棱台的底面为正三角形或直角三角形中的一种或多种。
8.根据权利要求1所述的壳体，其特征在于，所述第一表面的粗糙度Ra为0.1μm至4μm；所述凸起结构在所述第一表面的正投影所围区域的最短距离的范围为1μm至200μm；沿垂直于所述第一表面的方向上，所述凸起结构的最大高度的范围为1μm至15μm。
9.根据权利要求1-8任一项所述的壳体，其特征在于，所述壳体本体还具有第二表面，所述第二表面与所述第一表面相背设置，所述壳体还包括：
纹理层，所述纹理层设置于所述第二表面上；
光学镀膜层，所述光学镀膜层设置于所述纹理层远离所述壳体本体的表面；以及
盖底层，所述盖底层设置于所述光学镀膜层远离所述壳体本体的表面。
10.一种壳体，其特征在于，包括：
壳体本体，所述壳体本体具有第一表面，所述壳体本体具有一个或多个凸起结构，所述一个或多个凸起结构位于所述第一表面，所述凸起结构包括棱锥、棱台或线状凸起结构中的一种或多种，每个所述凸起结构包括多个反射面。
11.根据权利要求10所述的壳体，其特征在于，所述反射面为平面，所述反射面与所述第一表面之间的角度的范围为15°至60°。
12.根据权利要求10所述的壳体，其特征在于，所述棱锥包括三棱锥、四棱锥、五棱锥、六棱锥、七棱锥、八棱锥、星型棱锥中的一种或多种；所述棱台包括三棱台、四棱台、五棱台、六棱台、七棱台、八棱台、星型棱台中的一种或多种；所述凸起结构包括三棱锥或三棱台时，所述三棱锥或三棱台的底面为正三角形或直角三角形中的一种或多种。
13.根据权利要求10-12任一项所述的壳体，其特征在于，所述第一表面的粗糙度Ra为0.1μm至4μm；所述凸起结构在所述第一表面的正投影所围区域的最短距离的范围为1μm至200μm；沿垂直于所述第一表面的方向上，所述凸起结构的最大高度的范围为1μm至15μm。
14.一种壳体的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
提供壳体基材；
在所述壳体基材的表面形成保护层；
在所述保护层远离所述壳体基材的表面形成光刻胶层，对所述光刻胶层进行软烤、曝光、显影及硬烤，以使所述光刻胶层形成光刻胶掩膜层；
对所述保护层进行刻蚀，以裸露部分所述壳体基材；以及
对所述壳体基材进行刻蚀，以使所述壳体基材的表面形成一个或多个凸起结构而得到壳体本体，其中，每个所述凸起结构包括多个反射面。
15.根据权利要求14所述的壳体的制备方法，其特征在于，所述对所述壳体基材进行刻蚀时，所述光刻胶掩膜层的消融速度大于所述保护层的消融速度。
16.根据权利要求15所述的壳体的制备方法，其特征在于，所述进行壳体基材刻蚀时，所述光刻胶掩膜层的消融速度为2μm/min至5μm/min；所述保护层的消融速度为50nm/min至100nm/min。
17.根据权利要求14所述的壳体的制备方法，其特征在于，所述保护层包括金属或金属氧化物中的一种或多种；所述金属包括铬、铜、银中的一种或多种；所述金属氧化物包括氧化铬、氧化铜、氧化银、氧化钛、氧化锆中的一种或多种；所述保护层的厚度为50nm至500nm。
18.根据权利要求14-17任一项所述的壳体的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：进行热弯成型，以得到3D壳体本体；
所述进行热弯成型，以得到3D壳体本体包括：
提供弯折模具，所述弯折模具包括第一子模及第二子模，所述第二子模具有透气性；
将所述壳体本体设置于所述第一子模及所述第二子模之间，其中，所述壳体本体具有所述凸起结构的表面面向所述第二子模；以及
对所述第一子模进行热压，并对所述第二子模进行热吸，以形成3D壳体本体；其中，所述热压及热吸的温度为680℃至780℃，热压的压力为45kg至55kg，热吸的吸力为45kg至55kg。
19.根据权利要求14所述的壳体的制备方法，其特征在于，所述曝光的能量为50mj/cm2至200mj/cm2；所述硬烤的温度为50℃至150℃；所述硬烤的时间为5min至15min。
20.一种电子设备，其特征在于，包括：
显示组件；
权利要求1至9任一项所述的壳体或者权利要求10至13任一项所述的壳体，所述壳体用于承载所述显示组件；以及
电路板组件，所述电路板组件设置于所述显示组件与所述壳体之间，且与所述显示组件电连接，用于控制所述显示组件进行显示。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111165903.1A CN113840493B (zh) | 2021-09-30 | 2021-09-30 | 壳体、其制备方法及电子设备 |
| CN202310949901.4A CN116867205A (zh) | 2021-09-30 | 2021-09-30 | 壳体及电子设备 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111165903.1A CN113840493B (zh) | 2021-09-30 | 2021-09-30 | 壳体、其制备方法及电子设备 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202310949901.4A Division CN116867205A (zh) | 2021-09-30 | 2021-09-30 | 壳体及电子设备 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113840493A true CN113840493A (zh) | 2021-12-24 |
| CN113840493B CN113840493B (zh) | 2023-07-14 |
Family
ID=78967943
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202111165903.1A Active CN113840493B (zh) | 2021-09-30 | 2021-09-30 | 壳体、其制备方法及电子设备 |
| CN202310949901.4A Pending CN116867205A (zh) | 2021-09-30 | 2021-09-30 | 壳体及电子设备 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202310949901.4A Pending CN116867205A (zh) | 2021-09-30 | 2021-09-30 | 壳体及电子设备 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (2) | CN113840493B (zh) |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN116867205A (zh) | 2023-10-10 |
| CN113840493B (zh) | 2023-07-14 |
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|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |