CN114051344A - 壳体、其制备方法及电子设备 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种壳体、其制备方法及电子设备。所述壳体具有相背设置的第一表面及第二表面，所述第一表面具有多个凸起结构，每个所述凸起结构具有多个第一反光面；所述第二表面具有至少一个纹理部，所述至少一个纹理部按预设图案排布；其中，所述壳体的可见光透过率T的范围为10％≤T≤30％。本申请实施例提供一种壳体的第一表面具有闪光效果，且可以显露立体的双重纹理效果，具有更好的外观表现力。

Description

壳体、其制备方法及电子设备

技术领域

本申请涉及电子领域，具体涉及一种壳体、其制备方法及电子设备。

背景技术

随着技术的发展及生活水平的提高，人们对于电子设备的外观视觉效果提出了更高的要求，然而，现有的电子设备的外观表现力不够，不能很好的满足消费者的需求。

发明内容

针对上述问题，本申请实施例提供一种壳体，其第一表面具有闪光效果，且可以显露立体的双重纹理效果，具有更好的外观表现力。

本申请第一方面实施例提供了一种壳体，所述壳体具有相背设置的第一表面及第二表面，所述第一表面具有多个凸起结构，每个所述凸起结构具有多个第一反光面；所述第二表面具有至少一个纹理部，所述至少一个纹理部按预设图案排布；其中，所述壳体的可见光透过率T的范围为10％≤T≤30％。

本申请第二方面实施例提供了一种壳体的制备方法，其包括：

提供玻璃基材，所述玻璃基材具有相对设置的第一待处理表面及第二待处理表面；

对所述第一待处理表面进行蒙砂处理，以使第一待处理表面形成第一表面，所述第一表面具有多个凸起结构，每个所述凸起结构具有多个第一反光面；以及

对所述第二待处理表面进行光刻蚀，以使所述第二待处理表面形成第二表面，所述第二表面具有至少一个纹理部，所述至少一个纹理部按预设图案排布，以得到所述壳体；其中，所述壳体的可见光透过率T的范围为10％≤T≤30％。

此外，本申请第三方面实施例提供一种电子设备，其包括：

显示组件；

本申请实施例所述的壳体，

所述壳体设置于所述显示组件的一侧；以及

电路板组件，所述电路板组件设置于所述壳体与显示组件之间，且与所述显示组件电连接，用于控制所述显示组件进行显示。

本申请实施例的壳体的第一表面具有多个凸起结构，所述凸起结构具有多个第一反光面，由此使得，当光线照射至壳体的第一表面时，第一反光面可以对光线进行反射，从而使得壳体具有星星闪闪的闪光效果。此外，所述壳体的可见光透过率T的范围为10％≤T≤30％，壳体的第二表面具有至少一个纹理部，多个凸起结构与至少一个纹理部交叠，既可以使得第一表面具有较好的闪光砂效果，又可以使第一表面侧可以很好的显露第二表面侧的纹理效果，更好的形成双重纹理叠加的立体效果，且透过第一表面显露的第二表面的纹理效果更为立体。通过设计第一表面的多个凸起结构的形状、尺寸，第二表面的至少一个纹理部的形状、尺寸、排布方式等，可以使得壳体具有更丰富的外观效果，具有更好的外观表现力。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请一实施例的壳体的立体结构示意图。

图2是本申请一实施例的壳体沿图1中A-A方向的剖视结构示意图。

图3是本申请一实施例的壳体图2虚线框I处的放大图。

图4是本申请一实施例的壳体的第一表面在3d显微镜下的形貌图。

图5是本申请另一实施例的壳体图2虚线框I处的放大图。

图6是本申请一实施例的壳体的第二表面的形貌图。

图7是本申请又一实施例的壳体沿图1中A-A方向的局部结构示意图。

图8是本申请又一实施例的壳体沿图1中A-A方向的局部结构示意图。

图9是本申请一实施例的壳体的制备方法流程示意图。

图10是本申请一实施例的壳体进行光刻蚀的流程示意图。

图11是本申请又一实施例的壳体进行光刻蚀的流程示意图。

图12是本申请一实施例的壳体的制备方法流程示意图。

图13是本申请一实施例的壳体的制备方法流程示意图。

图14是本申请实施例的电子设备的结构示意图。

图15是本申请实施例的电子设备的部分爆炸结构示意图。

图16是本申请实施例的电子设备的电路框图。

附图标记说明：

100-壳体，10-第一表面，20-凸起结构，21-第一反光面，30-第二表面，40-纹理部，41-第二反光面，50-盖底层，400-电子设备，410-显示组件，420-中框，430-电路板组件，431-处理器，433-存储器，101-透光部。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其他步骤或单元。

下面将结合附图，对本申请实施例中的技术方案进行描述。

需要说明的是，为便于说明，在本申请的实施例中，相同的附图标记表示相同的部件，并且为了简洁，在不同实施例中，省略对相同部件的详细说明。

本申请实施例提供一种壳体100，本申请的壳体100可以应用于手机、平板电脑、笔记本电脑、台式电脑、智能手环、智能手表、电子阅读器、游戏机等便携式电子设备400(如图14和图15)。本申请实施例的壳体100可以为2D结构、2.5D结构、3D结构等。本申请的壳体100可以作为电子设备400的中框、后盖(电池盖)、装饰件等。在本申请的下列实施例中，壳体100以手机的后盖为例进行详细说明。

请参见图1至图3，本申请实施例提供了一种壳体100，所述壳体100具有相背设置的第一表面10及第二表面30，所述第一表面10具有多个凸起结构20，每个所述凸起结构20具有多个第一反光面21；所述第二表面30具有至少一个纹理部40，所述至少一个纹理部40按预设图案排布；其中，所述壳体100的可见光透过率T的范围为10％≤T≤30％。

需要说明的是，反光面(如第一反光面21及下述第二反光面41)指对光线例如可见光具有反射作用，能够形成镜面反射的表面。反光面可以对可见光进行反射，也可以对不可见光进行反射，由于不可见光人肉眼难以察觉，因此，本申请所指的反光，透过等均指可见光的反射及透过。

凸起结构20指以所有相邻的凸起结构20之间的间隙的最低点，进行平面拟合，拟合得到的平面为基准面，凸出于基准面的凸出部形成的结构称为凸起结构20。至少一个纹理部40指一个以上纹理部40，或者纹理部40的数量大于或等于1。

可选地，凸起结构20为闪光砂，第一反光面21为闪光砂的锥面或棱面。凸起结构20可以为经过蒙砂刻蚀得到的闪光砂结构。

当纹理部40为一个线状纹理时，所述至少一个纹理部40按预设图案排布可以为：线状纹理结构20按预设图案延伸排布，组成预设图案，例如菲涅尔纹理、CD纹理等。当纹理部40为多个时，所述至少一个纹理部40按预设图案排布可以为：多个纹理部40按预先设计的需要呈现的效果排列，例如，雪花状纹理、六角锥状纹理、闪光砂纹理等；此外，所述至少一个纹理部40按预设图案排布还可以为：多个纹理部40的尺寸或密度等中的至少一个呈渐变式排布，如从一侧到另一侧纹理部40的尺寸或密度等中的至少一个逐渐变化，或者沿径向纹理部40的尺寸或密度等中的至少一个等逐渐变化。

所述壳体100的可见光透过率T的范围为10％≤T≤30％；具体地，可以为但不限于为10％、12％、15％、18％、20％、22％、25％、28％、30％等。壳体100的可见光透过率低于10％时，壳体100的第一表面10侧难以清晰显露第二表面30侧的纹理效果，壳体100的可见光透过率越高，壳体100的第一表面10侧显露的第二表面30的纹理效果越明显，但是，壳体100的可见光透过率越高，则第一表面10凸起结构20的可见光反射率也会相应降低，这会降低第一表面10的凸起结构20的闪光砂效果，因此，当壳体100的透光率处于10％至30％之间时，既可以使得第一表面10具有较好的闪光砂效果，又可以使第一表面10侧可以很好的显露第二表面30侧的纹理效果，更好的形成双重纹理叠加的立体效果。可选地，当透光率T为15％至30％时，壳体具有更好的双重纹理叠加的立体效果。

所述壳体100的可见光透过率T的范围为10％≤T≤30％，可以为光线自第一表面10入射，透过所述第二表面30的透过率T的范围为10％≤T≤30％；也可以为光线自第二表面30入射，透过所述第一表面10的透过率T的范围为10％≤T≤30％。

需要说明的是，本申请实施例的壳体100应用于电子设备400时，可以第一表面10作为外表面，第二表面30作为内表面，此外，还可以第一表面10作为内表面，第二表面30作为外表面。在本申请的以下实施例以及图示中，大多以第一表面10作为外表面，第二表面作为内表面为例，不应理解为对本申请实施例提供的壳体100的限定。

本申请实施例的壳体100的第一表面10具有多个凸起结构20，所述凸起结构20具有多个第一反光面21，由此使得，当光线照射至壳体100的第一表面10时，第一反光面21可以对光线进行反射，从而使得壳体100具有星星闪闪的闪光效果。此外，所述壳体100的可见光透过率T的范围为10％≤T≤30％，壳体100的第二表面30具有至少一个纹理部40，多个凸起结构20与至少一个纹理部40交叠，从而使得壳体100的第一表面10侧可以显露双重纹理效果，且透过第一表面10显露的第二表面30的纹理效果更为立体。通过设计第一表面10的多个凸起结构20的形状、尺寸，第二表面30的至少一个纹理部40的形状、尺寸、排布方式等，可以使得壳体100具有更丰富的外观效果，具有更好的外观表现力。

可选地，所述壳体100可以为玻璃壳体100。所述玻璃壳体100可以为但不限于为钠钙硅酸盐玻璃、高铝硅酸盐玻璃等中的至少一种。

可选地，所述壳体100的雾度小于90％；具体地，可以为但不限于为89％、88％、87％、86％、85％、84％、83％、82％、80％等。壳体100的雾度太高，第一表面10侧难以显露第二表面30侧的纹理效果，壳体100的雾度太低，第一表面10的凸起结构20的反射率也相应降低，会降低凸起结构20的闪光砂效果，不利于实现壳体100的双重纹理效果。

所述壳体100的雾度小于90％，可以为光线自第一表面10入射的雾度小于90％；也可以为光线自第二表面30入射的雾度小于90％。

可选地，壳体100的厚度为0.4mm至1.2mm；具体地，壳体100的厚度可以为但不限于为0.4mm、0.5mm、0.6mm、0.7mm、0.8mm、0.9mm、1mm、1.1mm、1.2mm等。当壳体100太薄(如小于0.4mm)时，不能很好的起到支撑和保护作用，且机械强度不能很好的满足电子设备壳体100的要求，当壳体100的太厚(如大于1.2mm)时，则增加电子设备的重量，影响电子设备的手感，用户体验不好。

本申请实施例中，当涉及到数值范围a至b时，如未特别指明，均表示包括端点数值a，且包括端点数值b。例如，上述壳体100的厚度为0.4mm至1.2mm，表示壳体100的厚度可以为0.4mm至1.2mm之间的任意数值，包括端点0.4mm及端点1.2mm。

在一些实施例中，所述第一表面10的粗糙度Ra1的范围为0.6μm≤Ra1≤3μm。具体地，第一表面10的粗糙度Ra1可以为但不限于为0.6μm、0.8μm、1μm、1.2μm、1.5μm、1.8μm、2.0μm、2.3μm、2.5μm、2.8μm、3.0μm等。第一表面10的粗糙度越大，珠光或闪光效果越好。当第一表面10的粗糙度小于0.6μm时，将会降低壳体100的第一表面10的珠光或闪光效果；当第一表面10的粗糙度大于3.0μm时，则会影响第一表面10的触感，此外，第一表面10的凸起结构20肉眼可见，影响壳体100的外观效果。

请再次参见图3，在一些实施例中，每个所述第一反光面21与所述第一表面10之间的角度α1的范围为165°≤α1≤175°；具体地，可以为但不限于为165°、166°、167°、168°、169°、170°、171°、172°、173°、174°、175°等。第一反光面21与所述第一表面10之间的角度α1越大，第一表面10的凸起结构20的闪度越小，因此，当α1大于175°时，第一表面10几乎没有闪度，难以实现闪光效果，随着第一反光面21与所述第一表面10之间的角度α1的增加，第一表面10的凸起结构20的闪度逐渐增加，但是，当每个所述第一反光面21与所述第一表面10之间的角度α1小于165°，在工艺上难以实现，且第一反光面21与所述第一表面10之间的角度越小，凸起结构20的锥形尖端部分越尖，触摸时，刮手感越强，影响壳体100的手感。当所述第一反光面21与所述第一表面10之间的角度α1的范围为120°至150°可以使得凸起结构20具有较强的闪光和珠光效果，同时又具有较好的手感。需要说明的是，第一反光面21与所述第一表面10之间的角度α1指同时垂直于第一反光面21及第一表面10的平面，与第一反光面21与所述第一表面10的相交线之间的角度。

请一并参见图3及图4，在一些实施例中，所述凸起结构20在所述第一表面10的正投影所围区域的最长距离w1的范围为30μm≤w1≤120μm。具体地，w1可以为但不限于为30μm、40μm、50μm、60μm、70μm、80μm、90μm、100μm、110μm、120μm等。当凸起结构20在第一表面10的正投影所围区域的最长距离小于30μm时，则凸起结构20上的第一反光面21的面积较小，使得第一表面10的闪光或珠光效果变弱，从而影响壳体100的闪光或珠光效果。凸起结构20在第一表面10的正投影所围区域的最长距离越大珠光效果越好，但是，当凸起结构20在第一表面10的正投影所围区域的最长距离大于120μm时，影响壳体100的手感，且凸起结构20人体肉眼可见，会影响壳体100的外观效果。

在一些实施例中，沿垂直于所述第一表面10的方向上，所述凸起结构20的最大高度h1的范围为5μm≤h1≤8μm。具体地，h1可以为但不限于为5μm、5.5μm、6μm、6.5μm、7μm、7.5μm、8μm等。凸起结构20的最大高度h1太低则第一反光面21的角度较小，会影响闪光砂效果，凸起结构20的最大高度h1太高则段差较大，会影响手感。

在一些实施例中，相邻的两个凸起结构20之间的间距d的范围为15μm≤d≤25μm。具体地，d可以为但不限于为15μm、16μm、17μm、18μm、19μm、20μm、21μm、22μm、23μm、24μm、25μm等。当相邻的凸起结构20之间的间距d小于15um时，凸起结构20与凸起结构20间密集生长，将产生普遍小凸起结构20(或者称小晶粒)的情况，使得凸起结构20的第一反光面21积减小，颗粒闪光效果减弱；当相邻的凸起结构20之间的间距d大于25μm，多个凸起结构20在第一表面10上较为分散，容易形成局部巨大的凸起结构20，在第一表面10上容易形成局部闪，局部不闪的不均匀现象。当相邻的两个凸起结构20之间的间距d的范围为15μm至25μm时，既可以使壳体100的第一表面10具有更亮、更闪的颗粒状闪光砂或珠光效果，又可以使得第一表面10不同位置的闪光砂或珠光效果尽可能一致，更好的避免局部闪、局部不闪的现象。

在一些实施例中，所述第二表面30的粗糙度Ra2的范围为1.5μm≤Ra2≤3μm。具体地，第二表面30的粗糙度Ra1可以为但不限于为1.5μm、1.6μm、1.7μm、1.8μm、1.9μm、2.0μm、2.3μm、2.5μm、2.8μm、3.0μm等。粗糙度Ra2越小，壳体100的第一表面10侧显露的第二表面30的纹理效果越不明显，随着粗糙度Ra2的增大，壳体100的第一表面10侧显露的第二表面30的双重纹理效果越来越明显，但是，粗糙度Ra2太大，当需要在第二表面30(第二表面30此时作为电子设备400的内表面)进行贴膜时，容易造成光学胶(OCA胶)贴合不紧密。因此，当第二表面30的粗糙度Ra2的范围为1.5μm≤Ra2≤3μm时，既可以在壳体100的第一表面10侧显露的第二表面30较为明显的双重叠加的纹理效果，又可以使得第二表面30与光学胶(OCA胶)较好的贴合。

在一些实施例中，纹理部40可以为凸出部，也可以为凹陷部。凸出部指以第二表面30的外周缘所在的平面为基准面，凸出于所述基准面的部分称为凸出部。凹陷部指凹陷于所述基准面的部分。纹理部可以为闪光砂或者其它纹理。

可选地，所述纹理部40为闪光砂，第二反光面41为闪光砂的锥面或棱面等。纹理部40可以为通过黄光刻蚀工艺得到的闪光砂纹理。

可选地，所述纹理部40包括棱锥、棱台或线状纹理中的一种或多种。所述棱锥包括三棱锥、四棱锥、五棱锥、六棱锥、七棱锥、八棱锥、星型棱锥等中的一种或多种；所述棱台包括三棱台、四棱台、五棱台、六棱台、七棱台、八棱台、星型棱台等中的一种或多种。在一具体实施例中，所述纹理部40包括三棱锥或三棱台时，所述三棱锥或三棱台的底面为正三角形或直角三角形中的一种或多种。当纹理部40为线状纹理时，所述线状纹理包括第二反光面41，换言之，线状纹理为具有锥面的线状纹理。在其它实施例中，纹理部还可以为圆形凸起等。

请参见图5及图6，在一些实施例中，纹理部40具有多个第二反光面41。当光线自壳体100的第一表面10侧入射，穿过第一表面10入射至第二表面30，第二表面30可以对穿过第一表面10的光线进行反射，使得纹理部40也具有闪光效果，从而使得壳体100的第一表面10侧显露远的和近的叠加的闪光效果，从而实现了双重闪光的纹理效果。

需要说明的是，本申请的实施例中，在进行相关描述时，以光线自壳体100的第一表面10侧入射为例(使用时第一表面10为外表面)，该举例仅仅是一个示例，在其它实施例中，光线也可以从壳体100的第二表面30入射(使用时第二表面30面为外表面)。

请参见图5可选地，每个所述第二反光面41与所述第二表面30之间的角度α2的范围为165°≤α2≤175°；具体地，可以为但不限于为165°、166°、167°、168°、169°、170°、171°、172°、173°、174°、175°等。所述第二反光面41与所述第二表面30之间的角度α2越大，第二表面40的纹理部30的闪度越小，因此，当α2大于175°时，第二表面30几乎没有闪度，难以实现闪光效果，随着所述第二反光面41与所述第二表面30之间的角度α2的增加，第二表面30的纹理部40的闪度逐渐增加，但是，当每个所述第二反光面41与所述第二表面30之间的角度α2小于165°，在工艺上难以实现，且所述第二反光面41与所述第二表面30之间的角度α2越小，纹理部40的锥形尖端部分越尖，触摸时，刮手感越强，第二表面30作为外表面时，会影响壳体100的手感。当所述第二反光面41与所述第二表面30之间的角度α2的范围为120°至150°可以使得凸起结构20具有较强的闪光和珠光效果，同时又具有较好的手感。

请参见图6，可选地，所述至少一个纹理部40在所述第二表面30的正投影所围区域的最短距离w2的范围为30μm≤w2≤120μm。当纹理部40为线状纹理时，w2为纹理部40的线宽。具体地，w2可以为但不限于为30μm、40μm、50μm、60μm、70μm、80μm、90μm、100μm、110μm、120μm等。当纹理部40在第二表面30的正投影所围区域的最长距离小于30μm时，则纹理部40上的第二反光面41的面积较小，使得第二表面30的闪光或珠光效果变弱，从而影响壳体100的第一表面10的双重纹理的闪光或珠光效果。纹理部40在第二表面30的正投影所围区域的最长距离越大珠光效果越好，但是，当纹理部40在第二表面30的正投影所围区域的最长距离大于120μm时，第二表面30作为壳体的外表面时还会影响壳体100的手感，且纹理部40人体肉眼可见，会影响壳体100的外观效果。

请参见图5，可选地，沿垂直于所述第二表面30的方向上，所述至少一个纹理部40的最大高度h2的范围为5μm≤h2≤8μm；具体地，h1可以为但不限于为5μm、5.5μm、6μm、6.5μm、7μm、7.5μm、8μm等。纹理部40的高度越低，壳体100的第一表面10侧显露的纹理部40的纹理效果越不明显，随着纹理部40的高度的增加壳体100的第一表面10侧显露的纹理部40的纹理效果逐渐增加，呈现双重纹理的立体效果越明显，但是壳体100的厚度是有一定限制的，纹理部40高度太大时，会影响壳体100的机械强度。因此，当纹理部40的最大高度h2小于5μm时，壳体100的第一表面10侧显露的双重纹理的立体效果不明显，纹理部40的闪光较弱，难以实现双重纹理效果，当纹理部40的最大高度h2大于8μm时，在壳体100厚度一定的情况下，会降低壳体100的机械强度。

请参见图7及图8，在一些实施例中，壳体100还包括盖底层50，用于防止壳体100应用于电子设备时，壳体100的外表面(第一表面10侧或第二表面30侧)电子设备内部的零部件。

请参见图7，在一些实施例中，所述盖底层50设置于所述第一表面10远离所述第二表面30的表面。请参见图8，在另一些实施例中，所述盖底层50设置于所述第二表面30远离所述第一表面10的表面。

可选地，盖底层50可以为但不限于为对光具有吸收或反射作用的遮光油墨。可选地，盖底层50可以为黑色、白色或灰色。可选地，盖底层50的厚度为5μm至50μm，具体地，盖底层50的厚度可以为但不限于为5μm、8μm、10μm、12μm、15μm、18μm、20μm、22μm、25μm、30μm、35μm、40μm、45μm、50μm等。可选地，盖底层50可以为一层，也可以为多层，例如为2层、3层、4层、或5层层叠设置。当盖底层50为多层时、相较于一层具有更好的遮挡效果。可选地，每层盖底层50的厚度为8μm至12μm，具体地，可以为但不限于为8μm、9μm、10μm、11μm、12μm等。每层盖底层50可以通过以下步骤形成：将遮光油墨涂布至第一表面10或第二表面30上，于70℃至80℃下烘烤30min至60min，形成盖底层50。

本申请实施例的壳体100可以通过本申请下列实施例所述的方法进行制备，此外，还可以通过其它方法进行制备，本申请实施例的制备方法仅仅是本申请壳体100的一种制备方法，不应理解为对本申请实施例提供的壳体100的限定。

请参见图9，本申请实施例还提供一种壳体100的制备方法，其包括：

S201，提供玻璃基材，所述玻璃基材具有相对设置的第一待处理表面及第二待处理表面；

可选地，所述玻璃基材可以为但不限于为钠钙硅酸盐玻璃、高铝硅酸盐玻璃等中的至少一种。

可选地，本实施例的玻璃基材可以为大片玻璃基材。大片玻璃基材可以理解为：经切割后，可以用于制备多个壳体100的玻璃基材。

S202，对所述第一待处理表面进行蒙砂处理，以使第一待处理表面形成第一表面10，所述第一表面10具有多个凸起结构20，每个所述凸起结构20具有多个第一反光面21；以及

可选地，在玻璃基材的第二待处理表面喷涂或涂覆耐酸性油墨，于60℃至80℃烘烤，形成油墨保护层，并将玻璃基材进行水洗、酸洗、水洗后，将玻璃基材浸入蒙砂液中，于10℃至30℃下，对第一待处理表面进行蒙砂处理1min至10min，以使第一待处理表面形成第一表面10，所述第一表面10具有多个凸起结构20，每个所述凸起结构20具有多个第一反光面21。

玻璃基材的主要成分为二氧化硅，当玻璃基材浸入蒙砂液时，蒙砂液中的氢氟酸与第一待处理表面的二氧化硅发生反应生成氟硅酸盐，氟硅酸盐(如氟硅酸钾、氟硅酸纳、氟硅酸铵等)在低于结晶温度的温度下发生结晶，包裹于形核剂的外表面，从而在玻璃的表面形成氟硅酸盐晶体，从而阻止被氟硅酸盐晶体覆盖的玻璃基材表面的二氧化硅继续与氢氟酸反应，而未被氟硅酸盐晶体覆盖的玻璃基材表面的二氧化硅继续与氢氟酸发生反应，反应结束后，去除第一待处理表面的氟硅酸盐晶体，得到凹凸不平的结构(即凸起结构20)。

二氧化硅与蒙砂液的化学反应方程式具体如下：

4HF+SiO₂→SiF₄+2H₂O

SiF₄+2HF→H₂SiF₆

H₂SiF₆+2NH₄ ⁺→(NH₄)2SiF₆+2H⁺

可选地，所述蒙砂液可以包括氢氟酸及形核剂。形核剂可以为但不限于为硫酸钡、无机酸等中的一种或多种。在一些实施例中，蒙砂液还包括盐酸、氟化氢铵、氟化铵、氟硅酸钠、氟化钠、氟硅酸铵等中的一种或多种。

可选地，蒙砂处理的时间可以为但不限于为1min、2min、3min、4min、5min、6min、7min、8min、9min、10min等。当蒙砂处理的时间小于1分钟时，第一待处理表面的二氧化硅与蒙砂液的反应还不够充分，形成的第一表面10的闪光砂效果较弱甚至没有闪光砂效果。当时间超过10min后，第一待处理表面已经完全覆盖氟硅酸铵(NH₄)2SiF₆晶体，不会再进一步发生反应。

具体地，蒙砂处理的温度可以为但不限于为10℃、13℃、15℃、18℃、20℃、22℃、25℃、27℃、30℃等。当蒙砂液的温度小于10℃时，二氧化硅与氢氟酸的反应速度过慢，使得氟硅酸盐的生成速度较慢，从而降低了壳体100基材表面氟硅酸盐晶体的形成的速度，进而影响壳体100基材表面形成的闪光砂结构。温度越高，蒙砂液与二氧化硅的反应速度越快，可以缩短反应时间，但是，当温度高于30℃时，二氧化硅与蒙砂液的反应速度过快，使得局部反应不均匀，容易形成团簇，使的第一待处理表面形成的晶体颗粒大小不均匀，影响得到的第一表面10的外观及手感。

可选地，所述对所述第一待处理表面进行蒙砂处理后，所述方法还包括：将蒙砂处理后第一待处理表面进行酸洗，得到第一表面10。

具体地，将玻璃基材浸泡于稀硫酸中，进行清洗3min至5min，以使得第一待处理表面的氟硅酸盐晶体与稀硫酸发生充分反映，溶解于稀硫酸中，得到第一表面10。

可选地，将蒙砂处理后第一待处理表面进行酸洗之后，所述方法还包括：进行碱洗，去除第二待处理表面的油墨保护层。

具体地，将玻璃基材于85℃至100℃的氢氧化钾水溶液或氢氧化钠水溶液等具有强碱性的溶液中进行碱洗，以去除第二待处理表面的油墨保护层。

可选地，所述进行碱洗，去除第二待处理表面的油墨保护层之后，所述对第二待处理表面进行光刻蚀之前，所述方法还包括：在玻璃基材的第一表面10喷涂或涂覆耐酸性油墨，于60℃至80℃烘烤，形成油墨保护层，并进行玻璃基材进行水洗、酸洗、水洗。

S203，对所述第二待处理表面进行光刻蚀，以使所述第二待处理表面形成第二表面30，所述第二表面30具有至少一个纹理部40，所述至少一个纹理部40按预设图案排布，以得到所述壳体100；其中，所述壳体100的可见光透过率T的范围为10％≤T≤30％。

请参见图10，可选地，所述对所述第二待处理表面进行光刻蚀，包括：

S2031，在所述玻璃基材的第二待处理表面上形成光刻胶层；

可选地，采用光刻胶胶液在第二待处理表面上喷涂一层光刻胶胶液，于75℃至100℃温度下进行软烤(soft bake)3min至8min中，以去除光刻胶胶液中的溶剂，形成光刻胶层。

可选地，软烤的温度可以为但不限于为75℃、80℃、85℃、90℃、95℃、100℃等。软烤的温度不易过高，软烤温度过高容易使光刻胶胶液在未进行曝光显影之前就发生固化反应，从而影响制得的壳体100的纹理的精确度及准确度。软烤的温度过低，则光刻胶胶液层中的溶剂未挥发干净，使得形成光刻胶层与玻璃基材的粘附力不足，显影时容易脱落。

可选地，软烤的时间可以为但不限于为3min、4min、5min、6min、7min、8min等。软烤的时间太长光刻胶胶液未进行曝光显影之前就发生固化反应，影响制得的壳体100的纹理的准确度。软烤是时间太短，则光刻胶胶液中的溶剂挥发干净，使得形成光刻胶层与玻璃基材的粘附力不足，显影时容易脱落。

可选地，光刻胶层的厚度为2μm至5μm；具体地，可以为但不限于为2μm、2.5μm、3μm、3.5μm、4μm、4.5μm、5μm等。

可选地，光刻胶胶液可以为正性光刻胶胶液或负性光刻胶胶液，正性光刻胶胶液可以为但不限于为邻-叠氮醌类光刻胶、重氮萘醌类光刻胶等中的一种或多种；负性光刻胶胶液可以为但不限于为肉桂酸酯类光刻胶、聚乙烯醇月桂酸酯类光刻胶等中的一种或多种。

S2032，对所述光刻胶层进行梯度曝光、并进行显影，以形成多个光刻胶部；其中，每个所述光刻胶部的固化程度沿所述光刻胶部的边缘位置向中心位置的方向逐渐增加；

可选地，根据预设图案采用激光直接成像(Laser Direct Imaging，LDI)对光刻胶层进行紫外光(长波黑斑效应紫外线，UVA)梯度曝光，并于显影液中进行显影，以形成多个光刻胶部；其中，每个所述光刻胶部的固化程度沿所述光刻胶部的边缘位置向中心位置的方向逐渐增加。每个所述光刻胶部沿所述光刻胶部的边缘位置向中心位置的方向固化程度逐渐增加，可以使得在经过适当温度的硬烤之后，形成的掩膜部的固化程度，沿边缘位置向中心位置的方向逐渐增加，以使得在进行化抛刻蚀时，掩膜部自边缘位置向中心位置逐渐剥离，从而在壳体100的第二表面30形成具有立挺的棱面的棱锥、棱台或具有棱面的线状纹理。

在一具体实施例中，当光刻胶为正性光刻胶时，对需要进行完全显影掉的部分采用曝光能量为200mj/cm²至500mj/cm²的能量进行曝光，以使得该区域在显影时，可以进行完全显影。在需要形成光刻胶部的部分进行梯度曝光，具体地，每个光刻胶部的曝光自中心位置向边缘位置曝光程度逐渐增加，如中心位置不进行曝光，边缘位置进行少量曝光，以使得光刻胶部在进行硬烤固化形成掩膜部之后，每个掩膜部的固化程度自中心位置向边缘位置逐渐降低。

可选地，显影液可以为但不限于为氢氧化钾水溶液，所述氢氧化钾水溶液的质量浓度为0.5％至1.5％；具体地，可以为但不限于为0.5％、0.6％、0.8％、1.0％、1.3％、1.5％等。当氢氧化钾的浓度太低，溶解光刻胶的速度太慢，显影时间过长，影响生产效率；氢氧化钾的浓度太高，显影速度太快，显影过程较难控制，且容易显影过度。

可选地，显影液的温度可以为但不限于为20℃、25℃、30℃、35℃、40℃。显影温度太低，溶解光刻胶的速度太慢，显影时间过长，影响生产效率；显影温度太高，显影速度太快，显影过程较难控制，且容易显影过度。

可选地，显影时间为20s至60s；具体地，可以为但不限于为20s、30s、40s、50s、60s等。显影时间太短，需要刻蚀区域的光刻胶还未完全溶解，降低光刻胶的精度及分辨率，显影时间太长，刻蚀区域的光刻胶也会部分被溶解，也会降低光刻胶的精度及分辨率。

S2033，对所述多个光刻胶部进行硬烤，形成多个掩膜部；以及

可选地，于80℃至120℃下，对所述多个光刻胶部进行硬烤(Hard bake)，以使得光刻胶部中的组分发生固化、交联反应，形成掩膜部，其中，每个所述掩膜部的固化程度沿所述掩膜部的边缘位置向中心位置的方向逐渐增加。

可选地，硬烤的温度可以为但不限于为80℃、85℃、90℃、95℃、100℃、105℃、110℃、115℃、120℃等。硬烤的温度越低，形成的掩膜部固化程度越低，当硬烤的温度低于80℃时，光刻胶部发生交联反应不充分，交联度不足，耐酸性不好，此外，形成的掩膜部在第二待处理表面的附着力也较差，进行化抛刻蚀时，可以会使掩膜部整体脱落，难以在第二表面30形成所需高度的纹理部40，硬烤的温度越高，光刻胶部的交联反应越充分，形成的掩膜部的固化程度越高，但是当硬烤的温度高于120℃时，则光刻胶部上各个部分的组分基本完全固化，难以形成固化程度梯度变化的掩膜部。

可选地，硬烤的时间为20min至40min；具体地，可以为但不限于为20min、25min、35min、40min等。硬烤的时间太短，光刻胶的交联反应不充分，交联度不足，耐酸性不好。硬烤的时间越长，光刻胶部的交联反应越充分，形成的掩膜部的固化程度越高，但是当硬烤的时间大于40min时，则光刻胶部上各个部分的组分基本完全固化，难以形成固化程度梯度变化的掩膜部。

S2034，进行化抛刻蚀，以使所述第二待处理表面形成所述第二表面30。

可选地，于常温下，采用强酸水溶液进行化抛刻蚀，以使所述多个掩膜部自边缘位置向中心位置的方向逐渐剥离，从而在壳体100的第二表面30形成具有立挺的棱面的棱锥、棱台或具有棱面的线状纹理等结构。

可选地，所述强酸水溶液包括氢氟酸、硝酸及盐酸，所述强酸水溶液中氢氟酸的重量分数为2％至4％，硝酸的重量分数为3％至5％及盐酸的重量分数为3％至5％。

可选地，所述化抛刻蚀的时间为1min至5min，具体地，可以为但不限于为、1min、1.5min、2min、2.5min、3min、3.5min、4min、4.5min、5min等。化抛刻蚀的时间太短，第二待处理表面刻蚀的深度较浅，第二表面30形成的纹理部40的清晰度不够，化抛刻蚀时间太长，掩膜部已经脱落，继续刻蚀，会影响第二表面30的纹理部40的精度。

请一并参见图11，在一些实施例中，所述对所述第二待处理表面进行光刻蚀，还包括：

S2035，采用光刻胶剥离液去除所述多个掩膜部。

可选地，采用光刻胶剥离液，例如：质量浓度为2％至5％的氢氧化钾水溶液，于温度为50℃至70℃下，去除掩膜部及油墨保护层，得到所述壳体100。

可选地，所述氢氧化钾水溶液的浓度可以为但不限于为2％、2.5％、3％、3.5％、4％、4.5％、5％等。氢氧化钾水溶液浓度太低，则掩膜部及油墨保护层脱模速度较慢，氢氧化钾水溶液浓度太高，对人体的危险性增加。

可选地，去除掩膜部的温度可以为但不限于为50℃、55℃、60℃、65℃、70℃等。温度太低，脱模时间慢；温度太高，能耗太高，生产成本增加。

在一些实施例中，本申请实施例的壳体100的制备方法还包括：切割成所需要的壳体100尺寸，并对壳体100进行机加工(CNC)及抛光。

本实施例与上述实施例相同特征部分的详细描述请参见上述实施例，在此不再赘述。

请参见图12，本申请实施例还提供一种壳体100的制备方法，其包括：

S301，提供玻璃基材，所述玻璃基材具有相对设置的第一待处理表面及第二待处理表面；

S302，对所述第一待处理表面进行蒙砂处理，以使第一待处理表面形成第一表面10，所述第一表面10具有多个凸起结构20，每个所述凸起结构20具有多个第一反光面21；

S303，对所述第二待处理表面进行光刻蚀，以使所述第二待处理表面形成所述第二表面30，所述第二表面30具有至少一个纹理部40，所述至少一个纹理部40按预设图案排布；其中，所述壳体100的可见光透过率T的范围为10％≤T≤30％；以及

步骤S301至步骤S303的详细描述请参见上述实施例对应部分的描述，在此不再赘述。

S304，对所述壳体100进行弯折成型，以形成所述壳体100。

可选地，于预设温度T下，在所述第一表面10施加第一大气压，所述第二表面30施加第二大气压，进行弯折成型，以形成3D结构的壳体100；其中，T≤Ts-50℃，所述第一大气压大于标准大气压，所述第二大气压小于标准大气压，Ts为所述玻璃基材的软化点。采用第一大气压及第二大气压对壳体100进行弯折成型，

相关技术采用纯热压模式(壳体100两侧都采用热压模式)制备3D结构的壳体100，由于热压模具加工时通常表面不均匀，加压的压板存在水平度不一致，导致壳体100的受力不均匀，制得的3D结构的壳体100的模具印比较重，且容易使第一表面10的凸起结构20及第二表面30的纹理部40发生变形。本实施例采用第一大气压及第二大气压配合对壳体100进行弯折成型，这样可以使得壳体100第一表面10及第二表面30上的受力更加均匀，第一表面10的凸起结构20及第二表面30的纹理部40不易被压塌，可以更好的保留第一表面10的凸起结构20的形貌及第二表面30的纹理部40的形貌，且制得的3D结构的壳体100也无需再进行抛光，降低了壳体100制备的成本。

进一步地，所述于预设温度T下，在所述第一表面10施加第一大气压，所述第二表面30施加第二大气压，进行弯折成型，包括：采用弯折模具，于预设温度T的范围730℃≤T≤820℃下，在所述第一表面10施加第一大气压所产生的压力F1的范围为30Kg≤F1≤40Kg，所述第二表面30施加第二大气压所产生的吸力F2的范围为30Kg≤F2≤40Kg，其中，所述压力F1与吸力F2的方向相同。

在所述第一表面10施加第一大气压所产生的压力F1的范围为30Kg≤F1≤40Kg，所述第二表面30施加第二大气压所产生的吸力F2的范围为30Kg≤F2≤40Kg，其中，所述压力F1与吸力F2的方向相同，可以理解为，在壳体100上施加的总压力的范围为60Kg至80Kg。

可选地，所述预设温度T可以为但不限于为730℃、740℃、750℃、760℃、770℃、780℃、790℃、800℃、810℃、820℃。预设温度T低于730℃时，壳体100的硬度较高，需要更大的F1及F2才能够使得2D结构的壳体100发生弯折更好的成型为3D结构的壳体100，F1及F2太大，容易压塌第一表面10的凸起结构20及第二表面30的纹理部40，使得壳体100产生不良。此外，F1及F2过大，还增加设备的要求，提高了设备的成本。预设温度T高于820℃时，壳体100太软，进行弯折成型时，凸起结构20与纹理部40容易发生变形，难以保持完整的凸起结构20及纹理部40的形貌。

可选地，所述第一大气压所产生的压力F1可以为但不限于为30Kg、31Kg、32Kg、33Kg、34Kg、35Kg、36Kg、37Kg、38Kg、39Kg、40Kg等。F1小于30Kg时，壳体100难以成型为所需要的3D结构，F1越大，壳体100的成型越好，但是，当F1大于40Kg时，第一表面10的凸起结构20及第二表面30的纹理部40容易发生变形，难以保持完整的凸起结构20及纹理部40原有的形貌，容易产生外观不良。

可选地，所述第二大气压所产生的压力F2可以为但不限于为30Kg、31Kg、32Kg、33Kg、34Kg、35Kg、36Kg、37Kg、38Kg、39Kg、40Kg等。F2小于30Kg时，壳体100难以成型为所需要的3D结构，F2越大，壳体100的成型越好，但是，当F2大于40Kg时，第一表面10的凸起结构20及第二表面30的纹理部40容易发生变形，难以保持完整的凸起结构20及纹理部40原有的形貌，容易产生外观不良。

本实施例与上述实施例相同特征部分的详细描述请参见上述实施例，在此不再赘述。

请参见图13，在一些实施例中，本申请实施例的壳体100的制备方法还包括：

S305，对所述壳体100进行化学强化。

可选地，对所述壳体100进行化学强化，包括：第一强化以及第二强化。

所述第一强化包括于温度为350℃至450℃的硝酸钠(NaNO3)熔融液或者硝酸钠与硝酸钾(KNO3)混合熔融液(硝酸钠的重量分数为30％，硝酸钾的重量分数为70％)中进行化学强化，时间为70min至240min。可选地，第一强化的温度可以为但不限于为350℃、380℃、400℃、415℃、430℃、435℃、440℃、445℃、450℃等。第一强化的时间为70min、80min、100min、120min、140min、160min、180min、200min、220min、240min等。

第二强化包括于温度为380℃至450℃的硝酸钾熔融液或硝酸钠与硝酸钾混合熔融液(硝酸钠的重量分数为10％，硝酸钾的重量分数为90％)中进行化学强化，时间为10min至150min，以使玻璃基材变为钢化玻璃，提高壳体100的各项机械性能，例如硬度。可选地，第二强化的温度可以为但不限于为380℃、400℃、410℃、420℃、430℃、435℃、440℃、445℃、450℃等。第二强化的时间为10min、30min、50min、70min、80min、100min、120min、140min、150min等。

在一些实施例中，本申请实施例的壳体100的制备方法还包括：在壳体100的第一表面10或第二表面30上贴装饰膜。

具体地，壳体100应用于电子设备时，第一表面10作为外表面，第二表面30作为内表面时，则在第二表面30上贴装饰膜；当第二表面30作为外表面，第一表面10作为内表面时，则在第一表面10上贴装饰膜。换言之，在壳体100应用于电子设备时的内表面贴装饰膜。

在一些实施例中，本申请实施例的壳体100的制备方法还包括：在在壳体100的第一表面10或第二表面30上喷涂盖底层50。

具体地，壳体100应用于电子设备时，第一表面10作为外表面，第二表面30作为内表面时，则在第二表面30上喷涂盖底层50；当第二表面30作为外表面，第一表面10作为内表面时，则在第一表面10上喷涂盖底层50。换言之，在壳体100应用于电子设备时的内表面喷涂盖底层50。

本实施例与上述实施例相同特征部分的详细描述请参见上述实施例，在此不再赘述。

请参见图14及图16，本申请实施例还提供一种电子设备400，其包括：显示组件410、本申请实施例所述的壳体100以及电路板组件430。所述显示组件410用于显示；所述壳体100设置于所述显示组件410的一侧；所述电路板组件430设置于所述显示组件410与所述壳体100之间，且与所述显示组件410电连接，用于控制所述显示组件410进行显示。

本申请实施例的电子设备400可以为但不限于为手机、平板电脑、笔记本电脑、台式电脑、智能手环、智能手表、电子阅读器、游戏机等便携式电子设备。

关于壳体100的详细描述，请参见上述实施例对应部分的描述，在此不再赘述。

可选地，所述显示组件410可以为但不限于为液晶显示组件、发光二极管显示组件(LED显示组件)、微发光二极管显示组件(MicroLED显示组件)、次毫米发光二极管显示组件(MiniLED显示组件)、有机发光二极管显示组件(OLED显示组件)等中的一种或多种。

请一并参见图16，可选地，电路板组件430可以包括处理器431及存储器433。所述处理器431分别与所述显示组件410及存储器433电连接。所述处理器431用于控制所述显示组件410进行显示，所述存储器433用于存储所述处理器431运行所需的程序代码，控制显示组件410所需的程序代码、显示组件410的显示内容等。

可选地，处理器431包括一个或者多个通用处理器431，其中，通用处理器431可以是能够处理电子指令的任何类型的设备，包括中央处理器(Central Processing Unit,CPU)、微处理器、微控制器、主处理器、控制器以及ASIC等等。处理器431用于执行各种类型的数字存储指令，例如存储在存储器433中的软件或者固件程序，它能使计算设备提供较宽的多种服务。

可选地，存储器433可以包括易失性存储器(Volatile Memory)，例如随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)；存储器433也可以包括非易失性存储器(Non-VolatileMemory，NVM)，例如只读存储器(Read-Only Memory，ROM)、快闪存储器(FlashMemory，FM)、硬盘(Hard Disk Drive，HDD)或固态硬盘(Solid-State Drive，SSD)。存储器433还可以包括上述种类的存储器的组合。

请再次参见图15及16，在一些实施例中，本申请实施例的电子设备400还包括中框420及摄像头模组450，所述中框420设置于所述显示组件410与壳体100之间，且所述中框420的侧面显露于所述壳体100与所述显示组件410。所述中框420与所述壳体100围合成容置空间，所述容置空间用于容置所述电路板组件430与所述摄像头模组450。所述摄像头模组450与所述处理器431电连接，用于在处理器431的控制下，进行拍摄。

可选地你，所述壳体100上具有透光部101，所述摄像头模组450可通过所述壳体100上的透光部101拍摄，即，本实施方式中的摄像头模组450为后置摄像头模组450。可以理解地，在其他实施方式中，所述透光部101可设置在所述显示组件410上，即，所述摄像头模组450为前置摄像头模组450。在本实施方式的示意图中，以所述透光部101为开口进行示意，在其他实施方式中，所述透光部101可不为开口，而是为透光的材质，比如，塑料、玻璃等。

可以理解地，本实施方式中所述的电子设备仅仅为所述壳体100所应用的电子设备的一种形态，不应当理解为对本申请提供的电子设备的限定，也不应当理解为对本申请各个实施方式提供的壳体100的限定。

在本申请中提及“实施例”“实施方式”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现所述短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本申请所描述的实施例可以与其它实施例相结合。此外，还应该理解的是，本申请各实施例所描述的特征、结构或特性，在相互之间不存在矛盾的情况下，可以任意组合，形成又一未脱离本申请技术方案的精神和范围的实施例。

最后应说明的是，以上实施方式仅用以说明本申请的技术方案而非限制，尽管参照以上较佳实施方式对本申请进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本申请的技术方案进行修改或等同替换都不应脱离本申请技术方案的精神和范围。

Claims (12)

1.一种壳体，其特征在于，所述壳体具有相背设置的第一表面及第二表面，所述第一表面具有多个凸起结构，每个所述凸起结构具有多个第一反光面；所述第二表面具有至少一个纹理部，所述至少一个纹理部按预设图案排布；其中，所述壳体的可见光透过率T的范围为10％≤T≤30％。

2.根据权利要求1所述的壳体，其特征在于，每个所述第一反光面与所述第一表面之间的角度α1的范围为165°≤α1≤175°；所述纹理部具有多个第二反光面，每个所述第二反光面与所述第二表面之间的角度α2的范围为165°≤α2≤175°。

3.根据权利要求1所述的壳体，其特征在于，所述至少一个纹理部在所述第二表面的正投影所围区域的最短距离w2的范围为30μm≤w2≤120μm；沿垂直于所述第二表面的方向上，所述至少一个纹理部的最大高度h2的范围为5μm≤h2≤8μm；所述第二表面的粗糙度Ra2的范围为1.5μm≤Ra2≤3μm。

4.根据权利要求1所述的壳体，其特征在于，所述凸起结构在所述第一表面的正投影所围区域的最长距离w1的范围为40μm≤w1≤120μm；沿垂直于所述第一表面的方向上，所述凸起结构的最大高度h1的范围为5μm≤h1≤8μm，相邻的两个凸起结构之间的间距d的范围为15μm≤d≤25μm；所述第一表面的粗糙度Ra1的范围为0.6μm≤Ra1≤3μm。

5.根据权利要求1-4任一项所述的壳体，其特征在于，所述纹理部包括棱锥、棱台或线状纹理中的一种或多种。

6.根据权利要求1所述的壳体，其特征在于，所述壳体的雾度小于90％。

7.一种壳体的制备方法，其特征在于，包括：

提供玻璃基材，所述玻璃基材具有相对设置的第一待处理表面及第二待处理表面；

对所述第一待处理表面进行蒙砂处理，以使第一待处理表面形成第一表面，所述第一表面具有多个凸起结构，每个所述凸起结构具有多个第一反光面；以及

对所述第二待处理表面进行光刻蚀，以使所述第二待处理表面形成第二表面，所述第二表面具有至少一个纹理部，所述至少一个纹理部按预设图案排布，以得到所述壳体；其中，所述壳体的可见光透过率T的范围为10％≤T≤30％。

8.根据权利要求7所述的壳体的制备方法，其特征在于，所述对所述第二待处理表面进行光刻蚀，包括：

在所述玻璃基材的第二待处理表面上形成光刻胶层；

对所述光刻胶层进行梯度曝光、并进行显影，以形成多个光刻胶部；其中，每个所述光刻胶部的固化程度沿所述光刻胶部的边缘位置向中心位置的方向逐渐增加；

对所述多个光刻胶部进行硬烤，形成多个掩膜部；以及

进行化抛刻蚀，以使所述第二待处理表面形成所述第二表面。

9.根据权利要求8所述的壳体的制备方法，其特征在于，所述对所述多个光刻胶部进行硬烤，形成多个掩膜部，包括：

于80℃至120℃下，对所述多个光刻胶部进行硬烤，形成多个掩膜部，其中，每个所述掩膜部的固化程度沿所述掩膜部的边缘位置向中心位置的方向逐渐增加；

所述进行化抛刻蚀，包括：

采用强酸水溶液进行化抛刻蚀，以使所述多个掩膜部自边缘位置向中心位置的方向逐渐剥离。

10.根据权利要求7所述的壳体的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：

于预设温度T下，在所述第一表面施加第一大气压，所述第二表面施加第二大气压，进行弯折成型，以形成所述壳体；其中，T≤Ts-50℃，所述第一大气压大于标准大气压，所述第二大气压小于标准大气压，Ts为所述玻璃基材的软化点。

11.根据权利要求10所述的壳体的制备方法，其特征在于，所述于预设温度T下，在所述第一表面施加第一大气压，所述第二表面施加第二大气压，进行弯折成型，包括：

于预设温度T的范围730℃≤T≤820℃下，在所述第一表面施加第一大气压所产生的压力F1的范围为30Kg≤F1≤40Kg，所述第二表面施加第二大气压所产生的吸力F2的范围为30Kg≤F2≤40Kg，其中，所述压力F1与吸力F2的方向相同。

12.一种电子设备，其特征在于，包括：

显示组件；

权利要求1至6任一项所述的壳体，所述壳体设置于所述显示组件的一侧；以及

电路板组件，所述电路板组件设置于所述壳体与显示组件之间，且与所述显示组件电连接，用于控制所述显示组件进行显示。

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