CN113826221A - 用于制造结构元件的方法和结构元件 - Google Patents

Abstract

提出了一种用于制造结构元件（10）的方法，所述结构元件具有支座（1）和至少一个构件（2），其中所述构件与所述支座导电地连接并且借助于电绝缘的连接层（3）被机械地紧固在所述支座上。为此，为所述支座提供联接层（1S），其中，所述连接层布置在所述支座上。所述连接层具有至少一个开口（3R），所述联接层的联接面（1F）在所述至少一个开口中是暴露的，其中，所述连接层沿着垂直的方向伸出超过暴露的联接面或者反之亦然。将带有接触层（2S）的所述构件如此安置在所述支座上，使得在所述支座的俯视图中所述接触层的暴露的接触面（2F）覆盖所述开口和处于其中的联接面，其中，所述暴露的接触面通过垂直的间距（D）而与所述暴露的联接面间隔开。所述垂直的间距通过所述连接层的体积变化来减小，由此，所述暴露的接触面和所述暴露的联接面如此组接，使得它们紧挨着彼此邻接，并且在所述接触层与所述联接层之间构成直接的电接触。此外提出了这种结构元件。

Description

用于制造结构元件的方法和结构元件

技术领域

提出了一种用于制造结构元件的方法。此外提出了一种结构元件。

背景技术

如果例如应该使用具有小于5μm、小于3μm、小于1μm或者小于0.2μm层厚的粘接层，那么在接合平面中除了稳定的机械连接之外还构造可靠的电连接是要求特别高的，因为如此小的层厚的粘接层大多缺少导电的填充物。然而如果粘接层具有导电的填充物，则所述粘接层通常具有非常大的层厚。尤其对于具有几微米的横向尺寸的构件而言，使用更厚的粘接层不是特别合适，因为使用这样的粘接层不排除关于构件在粘接层中倾斜的风险。此外，在使用导电的粘接层的情况下提高了短路风险。

发明内容

任务在于，提出一种用于制造结构元件的可靠的且成本高效的方法。另外的任务在于，提出一种结构元件，其具有在结构元件的支座与构件之间的可靠的电连接和稳定的机械连接。

该任务通过按照独立权利要求所述的用于制造结构元件的方法以及结构元件来解决。所述方法或者结构元件的另外的设计方案和改进方案是另外的权利要求的主题。

提出了一种用于制造带有支座和至少一个构件的结构元件的方法，其中，所述构件与所述支座导电地连接并且尤其借助于电绝缘的连接层而机械地紧固在所述支座上。特别地，粘接层没有导电的材料、例如没有导电的填充物。所述粘接层例如并不设定用于制造电连接。优选地，机械连接与电连接在空间上隔开。可行的是，所述结构元件具有多个构件，所述多个构件机械地固定在共同的支座上并且与该支座电连接。

支座一般应该被理解为一种机械地承载所述一个构件或者多个构件的接收器结构。所述接收器结构能够具有电路、晶体管、电的导体线路或者其它的尤其被设定用于电接触并且用于控制所述一个构件或者多个构件的电组件。所述支座例如是接收器支座、例如是半导体基质、必要时带有贯穿接触的硅晶片、带有电的导体线路的印刷电路板或者带有集成电路的接收器、晶体管和/或其它的电路元件。

接收器结构例如是电子仪器或者光源的一部分。所述构件能够作为探测器或者光源使用在车辆的一般照明、环境照明、内部照明或外部照明中、或者机动车辆的前照灯中。也能够设想到，由所述支座和所述构件组成的结构元件使用在电子仪器、手机、触摸板、激光打印机、相机、识别相机、面部识别相机显示器中或者其它的由发光二极管、传感器、激光二极管和/或探测器组成的系统中。

按照所述方法的至少一种实施方式，给支座提供联接层。所述连接层能够布置在所述支座上、尤其是所述支座的主体上。所述连接层能够是粘接层。连接层尤其具有至少一个开口，所述联接层的联接面在所述至少一个开口中是暴露的。所述开口能够具有任意的形状，例如圆形、四角形或者椭圆形。所述连接层在开口的周围环境中例如具有闭合的或者敞开的框架的形状。可行的是，所述连接层具有多个开口，在所述多个开口中所述联接层的联接面分别是暴露的。沿着垂直的方向，所述连接层能够例如沿着远离所述支座的主体的方向而伸出超过所述暴露的联接面或者超过所述联接层。然而相反地也可行的是，所述暴露的联接面或者联接柱或者联接层例如沿着远离所述支座的主体的方向而伸出超过所述连接层。所述连接层能够结构化地实施。所述连接层例如能够具有彼此横向地间隔开的子区域。

所述联接层尤其是所述支座的布线结构一部分。该联接层能够连续地实施或者具有多个在空间上单独的子层。该联接层能够具有一个联接柱或者多个联接柱，其中，暴露的联接面例如通过配属的联接柱的暴露的表面来构成。所述联接面尤其是金属表面。

垂直的方向一般理解成下述方向，该方向垂直于所述支座的、尤其所述支座的主体的主延伸面来指向。反之，横向的方向理解成尤其与所述支座的主延伸面平行地伸展的方向。所述垂直的方向和所述横向的方向相对于彼此是横向的例如是垂直的。

按照所述方法的至少一种实施方式，将带有接触层的所述构件如此安置在所述支座上，使得在所述支座的俯视图中接触层的暴露的接触面覆盖开口和处于所述开口中的联接面。所述接触层的暴露的接触面能够部分地或者完全地遮盖所述开口和联接面。所述暴露的接触面例如是金属表面并且能够是所述接触层的接触柱的暴露的表面。所述接触层尤其是被设定用于电接触所述构件或者所述结构元件的布线结构的一部分。所述接触层能够具有多个横向地间隔开的开口或者凹部。如果所述暴露的联接面或者联接柱或者联接层伸出超过所述连接层，则可行的是，所述暴露的联接面或者联接柱或者联接层部分位置地伸入到所述接触层的一个或者多个开口或者凹部中。优选地，所述联接层保持与接触层在空间上间隔开，从而暂时地还未在所述联接层与所述接触层之间制造电连接。

在将所述构件安置在所述支座上之后，所述连接层尤其紧挨着邻接所述构件并且紧挨着邻接所述支座。在所述连接层的开口的区域中，所述接触层的暴露的接触面尤其通过垂直的间距而与所述联接层的暴露的联接面间隔开。换句话说，所述暴露的接触面并不直接邻接所述暴露的联接面，而是通过中间空间在空间上与所述联接面隔开，其中，所述中间空间能够填充有气态的介质、例如空气。如果所述暴露的联接面或者联接柱或者联接层伸出超过所述连接层，则可行的是，所述联接层、例如联接柱沿着横向的方向部分区域地被所述接触层围绕、尤其完全地围绕。所述联接层或者联接柱能够通过横向的中间空间与接触层在空间上隔开，其中，横向的中间空间能够填充有气态的介质、例如空气。

按照所述方法的至少一种实施方式，减小在所述接触面与所述联接面之间的垂直的间距。减小垂直的间距能够通过所述连接层的体积变化、例如通过体积减小来实现。所述连接层的体积例如在退火过程中、例如在熔炉中收缩。通过温度上升，所述连接层例如能够从粘稠的、柔软的或者糊状的状态转化为坚硬的状态。通过该过程能够减小在所述连接层中的液体的份额、例如结合剂的份额，由此减小了所述连接层的体积并且因此也减小了所述连接层的垂直的层厚。此外，通过加热能够在所述连接层之内发起润湿反应，由此减小了所述连接层的体积。作为替代方案或者补充方案，所述连接层的垂直的间距的减小或者体积的减小能够例如通过外部的力作用而机械地得到支持。所述连接层例如能够通过外部的力作用来压到一起并且因此压缩。

特别地，所述垂直的间距通过所述连接层的体积变化来如此减小，使得暴露的接触面和暴露的联接面相组接，由此使它们紧挨着邻接到彼此处，并且由此在所述接触层与所述联接层之间构成直接的电接触。在所述联接面与所述接触面之间的重叠面例如构成在相应的构件与所述支座之间的边界面，该边界面能够小于在所述支座与相应的构件之间的总触碰面的75%、优选地小于50%、小于25%或者小于10%。所述边界面尤其没有所述连接层的材料或者没有所述连接层的材料的痕迹。所述边界面例如能够是纯的金属-金属-表面、纯的金属-TCO-表面和/或纯的TCO-TCO-表面（TCO：transparent conductive oxid，辐射穿透的导电氧化物）。

按照所述方法的至少一种实施方式，所述构件具有带有光学地活性的区部的半导体主体，所述光学地活性的区部被设定用于产生或者用于探测电磁辐射。所述构件例如是发光二极管。所述半导体主体能够具有第一载流子类型的第一半导体层和第二载流子类型的第二半导体层。所述第一半导体层和第二半导体层能够n传导地或者p传导地构造，或者反之亦然。所述活性的区部尤其布置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间。所述活性的区部例如是pn过渡区。所述构件例如是微型构件、例如是μLED。所述构件具有横向的延展，该延展例如在包括1μm与1mm之间，例如在包括10μm与1mm之间），在包括50μm与1mm之间或者在包括1μm与30μm之间，在包括10μm与100μm之间或者在包括30μm与300μm之间。所述支座能够具有被设定用于电接触或者用于操控所述一个构件或者多个构件的电路。

在用于制造带有支座和至少一个构件——所述构件与所述支座导电地连接并且借助于电绝缘的连接层而机械地紧固在所述支座上——的结构元件的方法的至少一种实施方式中，给支座提供联接层。所述连接层布置在所述支座上并且具有至少一个开口，在所述开口中所述联接层的联接面是暴露的。特别地，所述连接层沿着垂直的方向伸出超过所述暴露的联接面。将带有接触层的所述构件如此安置在支座上，使得在所述支座的俯视图中所述接触层的暴露的接触面覆盖所述开口和处于所述开口中的联接面，其中，所述暴露的接触面通过垂直的间距而与所述暴露的联接面间隔开。随后，所述垂直的间距通过所述连接层的体积变化来减小，由此使所述暴露的接触面和所述暴露的联接面如此相组接，从而它们紧挨着邻接到彼此处，并且在所述接触层与所述联接层之间构成直接的电接触。

在用于制造带有支座和至少一个构件——所述构件与所述支座导电地连接并且借助于电绝缘的连接层而机械地紧固在所述支座上——的结构元件的方法的至少一种实施方式中，给所述支座提供联接层。所述连接层布置在所述支座上并且具有至少一个开口，在所述开口中所述联接层的联接面是暴露的。特别地，所述连接层沿着垂直的方向伸出超过所述暴露的联接面或者反之亦然。后者尤其意味着，所述联接层的暴露的联接面或者说所述联接层或者联接柱沿着垂直的方向伸出超过所述连接层，例如沿着垂直的方向远离所述支座或者所述支座的主体而伸出超过所述连接层。将带有接触层的所述构件如此安置在支座上，使得在所述支座的俯视图中所述接触层的暴露的接触面覆盖所述开口和处于所述开口中的联接面，其中，所述暴露的接触面通过垂直的间距而与所述暴露的联接面间隔开。随后，所述垂直的间距通过所述连接层的体积变化来减小，由此使得所述暴露的接触面和所述暴露的联接面如此相组接，从而它们紧挨着邻接到彼此处，并且在所述接触层与所述联接层之间构成直接的电接触。

因此，在所述构件与所述支座之间的可靠的机械连接通过电绝缘的连接层来确保。在所述构件与所述支座之间的电连接通过接触面和联接面的到彼此处排列、即通过所述构件的电接触位置和所述支座的到彼此处排列来实现。因此，在所述构件与所述支座之间的电连接和机械连接被局部地分离。通过所述连接层的体积减小，所述接触面和所述联接面不仅组接而且还彼此相对地按压，由此构成在所述支座与所述构件之间的可靠的电连接。可行的是，所述联接层和所述接触层构成焊接系统。然而，在所述联接层与所述接触层之间的机械的附着能够小于在构件与支座之间的直接通过所述连接层所引起的附着。

尤其相比于使用有传导性的材料如焊接膏或者带有导电的填充物的连接层的情况，通过机械连接与电连接的局部的分离而使短路风险最小化。因为所述连接层此外不包含导电的填充物，所以所述连接层能够设计得特别薄。能够放弃昂贵的填充物，如金、银、铝或者其它的金属。因为所述连接层此外具有用于将所述一个构件或者多个构件电连接到所述支座处的至少一个开口或者多个开口，所以所述连接层不必例如由于偶然的或者所计划的轮廓台阶而断裂。所述一个开口或者多个开口的构造也就是说能够在安置构件之前的单独的过程中执行，以使得所述开口的尺寸以及在所述开口之间的间隔能够根据使用所期望的构件而有针对性地来设计。

按照所述方法的至少一种实施方式，所述连接层在安置所述构件之后并且在减小垂直的间距之前紧挨着邻接所述构件并且紧挨着邻接所述支座。所述连接层在体积变化之前尤其具有原始的垂直的层厚，所述原始的垂直的层厚在所述方法的执行过程中被减小，其中，减小所述垂直的间距能够通过收缩所述连接层的垂直的层厚或者通过收缩所述连接层的体积来实现。

在减小所述连接层的体积之前，尤其在收缩过程之前，所述连接层为了提高粘接能力而优选地短暂地膨胀。所述粘接层的额外的膨胀能够通过带有布置在其上的连接层的支座在溶剂环境下的支承来实现。这提高了所述连接层的粘性并且因此有助于提高在所述支座与所述构件之间的机械强度。因为所述连接层短暂地膨胀，所以所述连接层的体积同样地短暂地增大，由此，所述连接层的体积更剧烈地收缩并且能够克服在所述联接面与所述接触面之间的更大的垂直的间距。所述连接层尤其在所述构件被安置在所述支座上之前进行膨胀。

按照所述方法的至少一种实施方式，所述连接层在体积变化之前在所述接触层的周围环境中具有带有恒定的高度的垂直的层厚。在体积变化之后，所述连接层在接触层的相同的周围环境中具有尤其带有局部地不同的高度的被减小的垂直的层厚。在此，所述连接层的层厚在所述连接层的与构件的重叠区域中能够比在所述连接层在没有与所述构件的重叠的情况下的区域中要大。作为替代方案或者附加方案，所述层厚在所述连接层与所述接触层的重叠区域中能够比在所述连接层在没有与接触层的重叠的情况下的区域中要大。

按照所述方法的至少一种实施方式，所述连接层具有面向所述构件的表面，所述表面尤其基于所述连接层的局部地不同的高度而台阶状地构造。所述连接层例如具有子表面，所述子表面紧挨着邻接所述构件并且表示出所述连接层的最大的垂直的凸出部。因此，所述连接层并不沿着垂直的方向远离所述支座而伸出超过所述构件。所述构件、例如构件的主体尤其不被所述连接层横向地包围或者横向地遮盖。

如果所述连接层不仅邻接所述接触层而且也邻接所述构件的主体，或者如果所述接触层伸入到所述连接层的开口中去，则所述接触层能够至少部分区域地被所述连接层横向地包围。在此可行的是，所述接触层具有至少部分区域地处在所述连接层的开口中的一个接触柱或者多个接触柱，其中，所述一个接触柱或者多个接触柱沿着横向的方向与所述连接层在空间上间隔开。

按照所述方法的至少一种实施方式，所述连接层具有能光结构化的材料或者由该材料构成。所述能光结构化的材料能够是附着促成的光刻胶。换句话说，所述连接层能够由能光结构化的附着促成材料构成。所述连接层能够在这种情况下具有能光结构化的组分，所述组分尤其也能够在所制造完成的结构元件中被证实。一个开口或者多个开口能够通过所述连接层的光结构化、也就是说通过光刻术来构成。

按照所述方法的至少一种实施方式，暴露的联接面通过联接柱的暴露的表面来构成。所述联接柱尤其布置在所述连接层的开口中。所述联接柱能够在所述连接层的体积变化之前与其横向地间隔开并且在连接层的体积变化之后与其保持横向地间隔开。

按照所述方法的至少一种实施方式，暴露的接触面通过接触柱的暴露的表面来构成。所述接触柱尤其伸入到所述连接层的开口中去。所述接触柱能够在所述连接层的体积变化之前与其横向地间隔开并且在所述连接层的体积变化之后与其保持横向地间隔开。

在连接层的体积变化之后，所述联接柱和配属的接触柱尤其紧挨着邻接到彼此处。所述联接柱和所述接触柱例如构成沿着垂直的方向延伸穿过所述连接层的贯穿接触。因为所述接触柱和所述联接柱能够具有不同的横截面，所以所述贯穿接触的表面在所述接触柱与所述联接柱之间的过渡区处能够具有台阶的形状。所述贯穿接触能够沿着横向的方向例如通过中间区域而与所述连接层间隔开。所述中间区域能够填充有气态的介质、例如空气。结构元件能够具有多个这样的贯穿接触，其中，所述一个构件或者多个构件通过所述贯穿接触而与所述支座导电地连接。然而可行的是，这样的贯穿接触仅仅通过所述联接柱或者仅仅通过所述接触柱来构成。

按照所述方法的至少一种实施方式，所述联接层或者所述联接柱部分区域地伸入到所述接触层的凹部或者开口中去。所述联接层、例如所述联接柱能够沿着横向的方向部分区域地或者完全地被所述接触层包围。所述接触层的一个暴露的接触面或者多个暴露的接触面尤其通过所述接触层的凹部的或者开口的一个底面或者说多个底面来构成。所述联接层和所述接触层的这种设计方案也能够在制造完成的构件处得到证实。

按照所述方法的至少一种实施方式，将多个构件同时安置在所述支座上。

每个构件尤其具有带有至少一个接触面的接触层。所述连接层具有多个开口，在所述多个开口中分别自由地易够到所述联接层的联接面。所述构件例如在共同的过程步骤中为了减小所述连接层的体积而与所述支座电连接。

在结构元件的至少一种实施方式中，该结构元件具有支座、至少一个构件和电绝缘的连接层。所述构件借助于电绝缘的连接层机械地紧固在所述支座上。所述支座具有带有联接面的联接层，其中，所述连接层布置在所述支座上并且具有至少一个开口，所述联接层的联接面处在所述至少一个开口中。所述构件具有带有接触面的接触层，其中，在所述支座的俯视图中，所述接触面遮盖所述连接层的开口和所述联接层的处在所述开口中的联接面。所述接触面和所述联接面紧挨着邻接到彼此处，由此在所述接触层与所述联接层之间构成直接的电接触，并且由此使所述构件与所述支座导电地连接。

在这样的结构元件的情况下，在所述构件与所述支座之间的电连接和机械连接尤其局部地隔开。所述构件借助于电绝缘的连接层机械地固定在所述支座处。例如是粘接层的连接层能够如此结构化，使得所述连接层的材料不保留在所述连接层的所述一个开口中或者多个开口中。所述连接层的剩余的区域处在所述开口之外尤其提供用于机械的固定。所述连接层的层厚和组成成分在这种情况下能够如此选择，使得在除去溶剂之后并且必要时在润湿反应之后所述联接层的和接触层的有传导性的表面直接触碰。因为所述连接层尤其没有导电的填充物，所以所述连接层能够设计得特别薄。此外，机械的固定与电连接的局部的分离降低了在所述结构元件之内的短路风险。

按照所述结构元件的至少一种实施方式，在所述接触层与所述联接层之间的边界面通过在所述接触面与所述联接面之间的重叠面来构成。所述边界面尤其没有所述连接层的材料或者没有所述连接层的材料的痕迹。

按照所述结构元件的至少一种实施方式，所述连接层仅仅在垂直的区域中延伸，所述垂直的区域沿着垂直的方向处在所述支座与构件之间的高度中。所述构件的主体的侧面尤其不被所述连接层遮盖。所述构件的主体也能够不被所述连接层横向地包围。换句话说，所述连接层尤其不是延伸直至所述构件的垂直的高度。可行的是，所述连接层不具有任何沿着远离所述支座的方向伸出超出所述构件的接触层的子区域。整体来看，所述连接层因此尤其仅仅处在所述支座与所述构件之间的、例如所述支座与所述构件的主体之间的垂直的高度上。所述构件的侧面尤其并不或者最多部分地在所述接触层的侧面处被所述连接层遮盖或者横向地包围。

按照所述结构元件的至少一种实施方式，所述连接层在与所述构件的重叠区域中具有背离所述支座的表面，所述表面直接邻接所述构件并且标出所述连接层距所述支座的最高的垂直的凸出部。

按照所述结构元件的至少一种实施方式，所述连接层在所述支座的俯视图中具有第一子区域和与所述第一子区域直接邻接的第二子区域。所述第一子区域具有背离所述支座的第一表面，所述第一表面尤其直接邻接所述构件并且被所述构件完全地遮盖。所述第二子区域具有背离所述支座的第二表面，所述第二表面例如并不邻接所述构件。在所述第一表面与所述支座的主体之间的垂直的间距尤其大于在所述第二表面与所述支座的主体之间的垂直的间距。

所述第一子区域比所述第二子区域例如具有更大的层厚。可行的是，所述第一子区域比所述第二子区域具有更小的材料厚度。然而，所述第一子区域和所述第二子区域能够由相同的材料构成。

按照所述结构元件的至少一种实施方式，所述连接层具有下述层厚：在包括20nm与5μm之间、在包括20nm与2μm之间、例如在包括100nm与3μm之间、例如在包括20nm与1μm之间。在这个意义上，所述连接层是薄的附着促成层。

按照所述结构元件的至少一种实施方式，所述构件通过贯穿接触而与所述支座导电地连接。所述贯穿接触具有所述接触面的至少一个子区域和所述联接面的至少一个子区域，其中，所述贯穿接触沿着垂直的方向延伸穿过所述连接层。该子区域尤其是所述贯穿接触的在内部的或者在外部的表面。所述贯穿接触沿着横向的方向尤其通过中间区域而与所述连接层间隔开。所述中间区域例如是填充有气态的介质的空腔。

按照所述结构元件或者方法的至少一种实施方式，所述接触层的接触面在俯视图中仅仅部分地遮盖所述开口和所述联接面。所述一个构件或者多个构件能够如此偏置地布置在所述连接层上，使得所述一个构件或者多个构件分别仅仅部分区域地遮盖所述开口中的一个开口。因此可行的是，所述联接柱在俯视图中仅仅部分地被配属的接触柱遮盖，或者反之亦然。因此，所述一个构件或者多个构件的接触区域有针对性地横向地移动。

按照所述结构元件或者方法的至少一种实施方式，在所述接触层与所述联接层之间的接触是重熔的接触连接，尤其是重熔的焊接接触连接。所述联接层和/或所述接触层能够包含焊接材料，尤其由焊接材料构成或者用焊接材料进行涂层。

上述所描述的方法特别合适用于制造在此所描述的结构元件。因此，结合所述结构元件所描述的特征也能够被考虑用于所述方法并且反之亦然。

附图说明

所述结构元件以及所述方法的另外的优选的实施方式在下文中结合图1A至11C所解释的实施例来得到。其中：

图1A、1B、1C、1D、1E和1F示出了用于制造结构元件的方法的一些方法步骤的示意图；

图2A、2B、2C和2D示出了用于制造结构元件的方法的一些另外的方法步骤的示意图；

图3A、3B、3C、3D、4A、4B、4C、4D、5A、5B、5C、5D、6A、6B、6C、6D、7A、7B、7C、7D、8A、8B、8C、8D、9A、9B、9C和9D示出了用于制造结构元件的方法的另外的实施例的不同的方法步骤的示意图；

图10A、10B和10C示出了结构元件的一些实施例的示意图，并且

图11A、11B和11C示出了用于制造结构元件的方法另外的实施例的另外的方法步骤的示意图。

相同的、同类的或者起相同作用的元件在附图中设有相同的附图标记。附图分别是示意图并且因此并非绝对地按真实比例。更确切地说，为了清楚说明而能够过分大地示出相对小的元件和尤其是层厚。

在图1A中示意性地示出了用于制造结构元件10的方法步骤。提供了一种例如具有主体1H的支座1。在所述主体1H上布置了联接层1S。所述联接层1S能够是带有多个联接柱1C的结构化的层。所述联接柱1C分别具有背离所述主体1H的表面1F，其中，所述表面1F构成联接面1F并且如在图1A中示出的那样自由地易够到。在图1A中所示出的暴露的联接面1F尤其是构成了所述支座1的所谓的联接垫的金属面。

与图1A不同的是，所述支座1能够根据功能性具有导引电流的和绝缘的层的部分地十分复杂的的顺序，所述导引电流的和绝缘的层由于清楚显示的原因在图1A和接下来的附图中未被示出。

按照图1B，连接层3被安置在所述支座1上。带有暴露的联接面1F的联接柱1C尤其被连接层3的材料、例如被绝缘的粘胶所涂盖，例如通过离心涂镀或者通过所谓的旋涂方法所涂盖。在主体1H的俯视图中，所述连接层3首先完全地遮盖所述联接柱1C并且所述联接面1F。所述连接层3能够沿着横向的方向首先紧挨着邻接所述联接柱1C和所述联接面1F。在将连接层3安置在支座1上之后该连接层具有垂直的层厚3D。

按照图1C，在连接层3中为了暴露出联接柱1C或者说联接面1F而产生多个开口3R。所述联接柱1C尤其如此暴露出来，使得联接柱1C分别通过中间区域Z而与连接层3横向地间隔开。在图1C中，所述连接层3沿着垂直方向远离主体1H伸出超过联接面1F。

优选地，所述连接层3包含光敏的、尤其是能光结构化的组分，以使得连接层3为了产生一个开口或者多个开口3R而能够光结构化。连接层3能够包含光刻胶，该光刻胶与粘胶剂混合。作为替代方案可行的是，为了产生一个开口或者多个开口3R而机械地或者化学地剥蚀所述连接层3的材料。在暴露出联接面1F的情况下，连接层3的垂直的层厚3D尤其保持不变。

为了加工例如呈粘接层的形式的连接层3，尤其用于部分地除去溶剂组分的可能适当的烘烤步骤是值得期待的。也可行的是，除了开口3R之外也暴露出连接层3的下述区域，所述区域并不被设置用于之后被构件覆盖。例如形成由连接层3围绕配属的联接面1F的环绕的框架。所述环绕的框架优选地连续地实施，然而也能够中断地实施。

所述支座1具有主延伸面或者接收器表面，其例如通过所述支座1的主体1H的面向所述联接层1S的尤其平面式的表面来构成。所述连接层3能够具有暴露的粘接面，其中，所述粘接面优选地与支座1的接收器表面以平面平行的方式伸展。特别地，所述粘接面通过所述连接层3的暴露的表面来构成。所述粘接面能够连续地实施或者具有多个隔开的子粘接面。所述粘接面或者整个的粘接面优选地平坦地实施。特别地，所述连接层3的显露出的粘接面相对于联接面1F垂直地提高，尤其以垂直的间距D为幅度来提高。如果构件1布置在粘接面上并且构件1并不延伸进入到所述连接层3的开口3R中去，则所述构件1能够首先通过垂直的间距D与联接面1F在空间上间隔开（图1E）。

按照图1D，构件2或者由多个构件2组成的构件复合结构20布置在所述连接层3上。构件2或者多个构件2例如借助于附着的凸模20H被安置到所述连接层3上。在构件2或者多个构件2借助于连接层3被持久地固定在支座1上之前或者之后，所述凸模20H能够事后被去除。可行的是，所述构件复合结构20具有多个构件2和共同的基质20H，其中，所述构件2布置或者构成在所述基质20H上。所述基质20H能够是生长基质，在所述生长基质上所述构件2的主体2H外延地生长。在将所述构件2机械地固定在支座1上之后，所述基质20H能够保留在一个构件2处或者多个构件2处或者从构件2被去除。

按照图1D，每个构件2具有主体2H和接触层2S，所述主体能够是半导体主体，其中，所述构件2如此布置在所述连接层3上，使得所述接触层2S面向所述支座1的联接层1S。所述构件2的接触层2S能够以唯一的接触柱2C的形式实施。也可行的是，所述接触层2S具有至少两个或者恰好两个接触柱2C，其例如被分配给构件2的不同的电极性并且被设置用于所述构件2的电接触。

在所述支座1的俯视图中，所述主体2H能够完全地遮盖接触层2S。所述接触层2S或者所述接触柱2C尤其具有暴露的且因此自由地易够到的接触面2F。所述接触层2S或者所述接触面2F尤其处于所述构件2的背侧上，即处于所述构件2的面向支座1的侧部上。

按照图1E，所述构件2或者多个构件2被放置到所述连接层3的粘接面上。所述连接层3例如仅仅处在所述支座1的主体1H与所述构件2或者所述构件2的主体2H之间。所述构件2具有侧面4，该侧面尤其由所述主体2H的侧面4H和所述接触层2S的侧面4S共同组成。可行的是，所述侧面4H和/或所述侧面4S在连接层3的体积变化之前和/或之后不被所述连接层3遮盖或者横向地包围。所述连接层3尤其没有任何子区域，所述子区域沿着垂直方向从所述支座1经由所述接触层2延伸直至或者延伸超过所述主体的2H的侧面4H。因此，沿着垂直方向延伸的侧面4、4S和4H能够不被所述连接层3的材料遮盖。

在图1E中，所述构件2在所述支座1的俯视图中完全地遮盖所述连接层3的开口3R和布置在所述开口3R中的联接柱1C。所述构件2尤其如此以校准的方式布置在所述连接层3上，使得相应的构件2的接触面2F在所述支座1的俯视图中与所述支座1的联接面1F重叠。所述接触面2F沿着垂直的方向通过垂直的间距D而与所述联接面1F在空间上隔开。换句话说，间隙处在位于所述构件2的下侧处的有传导性的结构与位于所述支座1的上侧处的有传导性的结构之间。在将所述构件2布置在所述连接层3上之后，所述构件2通过连接层3而与所述支座1暂时地机械连接。然而，所述构件2与所述支座1仍未导电地连接。

在所述方法的另外的流程中，所述间隙被闭合，其方式为：按照图1F如此减小垂直的间距D，使得所述接触面2F和所述联接面1F直接触碰并且构成电接触。由此构成贯穿接触12，所述贯穿接触延伸穿过所述连接层3，并且所述构件2与所述支座1电连接。按照图1F，所述贯穿接触12仅仅通过所述联接柱1C来构成。

所述连接层3的体积或者层厚3D尤其收缩。所述连接层3的收缩例如通过热的或者热机械的过程来发起。合适的是，所述层厚3D至少以在所述接触面2F与所述联接面1F之间的垂直的间距D为幅度来减小或者收缩。

在所述连接层3的体积变化之后，该连接层具有至少一个第一子区域31，所述第一子区域在所述支座1的俯视图中被所配属的构件2、尤其被所配属的构件2的主体2H和/或接触层2S完全地遮盖。所述第一子区域31尤其是所述连接层3的下述区域，该区域在俯视图中看不仅紧挨着邻接所述支座1而且也紧挨着邻接所述构件2。所述第一子区域31具有表面31F，所述表面例如构成在所述第一子区域31与所述构件2之间的触碰面。所述表面31F尤其标出所述连接层3在配属的构件2的周围环境中的最高的垂直的凸出部。在图1F中开口3R沿横向的方向被这样的子区域31包围、尤其完全地包围。

在所述连接层3的体积变化之后，该连接层具有至少一个第二子区域32，所述第二子区域在所述支座1的俯视图中至少部分区域地或者完全不被所述构件2或者被所有构件2遮盖或者至少不被一个或者多个接触层2S遮盖。所述第二子区域32沿着横向的方向尤其紧挨着邻接所述第一子区域31。所述第二子区域32例如是所述连接层3的下述区域，该区域沿着垂直的方向紧挨着不邻接任何构件2并且因此与任何一个构件2不具有共同的触碰面。

在所述支座1的俯视图中，所述第二子区域32至少部分区域地处于一个构件2或者多个构件2的侧方。然而可行的是，所述第二子区域32部分地或者完全地被所述构件2遮盖（图2A）。所述第二子区域32然而并不紧挨着邻接所述构件2并且能够通过垂直的间距而与所述构件2、尤其与所述构件2的主体2H间隔开。特别地，所述第一子区域31沿着横向的方向被所述第二子区域32部分地或者完全地包围。

所述第二子区域32具有背离所述支座1的表面32F，所述表面与所述第一子区域的31的表面31F相比朝着所述支座1的方向稍微回退了一些。换句话说，所述第一子区域31的表面31F沿着垂直的方向伸出超过所述第二子区域32的表面32F。因此，所述表面31F和32F在所述连接层3的总表面上构成台阶的两个垂直地偏置的平台，其中，较高的平台紧挨着邻接所述构件2，并且较低的平台与所述构件2或者至少与所述构件2的主体2H垂直地间隔开。

所述第一子区域31具有第一层厚31D并且所述第二子区域32具有第二层厚32D。所述第二层厚32D尤其小于所述第一层厚31D。不仅所述第一层厚31D而且所述第二层厚32D也小于所述连接层3的原始的层厚3D。在原始的层厚3D与第一层厚31D或者第二层厚32D之间的差与在联接面1F与接触面2F之间的原始的垂直的间距D相比例如至少一样大或者更大。所述原始的垂直的间距D例如在图1E中被示意性地示出。

按照图1E，所述连接层3在体积变化之前具有全局地恒定的层厚3D。在体积变化之后，所述连接层3在不同的子区域31和32中具有不同的层厚31D和32D（图1F）。该事实主要应该归因于：所述第一子区域31由于在所述构件2处的直接的润湿而在所述接触面2F与所述联接面1F触碰之后不再如第二子区域32那样如此强烈地收缩，所述第二子区域并不紧挨着邻接所述构件2并且因此并不直接用构件2来润湿。因此可行的是，即使所述第一子区域31和所述第二子区域32具有相同的材料组成，所述第一子区域31仍比所述第二子区域32具有更小的材料厚度，。

因此，不同的层厚31D和32D、在子区域31和32中的不同的材料厚度以及在表面31F与32F之间的垂直的偏置能够被视为下述方法的表征性的特征，在该方法中在两个金属表面之间的、也就是说在所述接触面2F与所述联接面1F之间的电连接通过尤其非导电的连接层3的体积变化来构成。

这样的方法的另外的表征性的特征能够从图1E和1F中得出，其中示意性地示出了，贯穿接触12或者联接柱1C已经在所述连接层3的体积变化之前并且尤其也在其之后通过中间区域Z而与所述连接层3横向地间隔开。所述中间区域Z尤其以气态的介质、比如空气来填充的空腔。沿着横向的方向，所述贯穿接触12能够被中间区域Z完全地围绕。

出于清楚显示起见，通常仅仅描述所述构件2的紧固和电接触。如在图1D至1F中示意性地示出的那样，也能够将多个构件2以相同的过程机械地固定在所述支座1上并且与其进行电接触。出于这个目的，所述连接层3能够具有多个开口3R，其中，所述构件2分别布置在所述开口3R中的一个开口上并且借助于至少一个布置在配属的开口3R中的贯穿接触12而与所述支座1电连接。

按照图2A，所述连接层3能够可选地在所述第二子区域32中侧向于所述构件2例如借助于蚀刻过程、比如在使用O2等离子体的情况下而部分区域地或者完全地被去除。对在一个构件2下方或者说在多个构件2下方的所述连接层3进行的去除能够被忽略，从而所述第二子区域32至少在该区域中不被去除。按照图2A，所述连接层3分割成多个单独的子层，其中，所述子层中的每个子层能够一一对应地被分配给所述构件2中的一个构件。在所述支座1的俯视图中，所述构件2能够部分地或者完全地遮盖所述连接层3的被分配给所述构件的子层。所述连接层3的子层中的每个子层能够具有带有层厚31D和表面31F的第一子区域31并且具有带有层厚32D和表面32F的第二子区域32。

对于所述结构元件10或者所述构件2的另外的处理而言，能够产生封装层、钝化层和/或另外的接触层。如果在所述第二子区域32中至少部分地去除连接层3，则能够简化并且可靠地执行对各个构件2的封装或者钝化。例如，所述构件2的侧面4、尤其是侧面4H和/或4S完全地利用电绝缘的层来封装或者说钝化。退耦结构或者用于辐射成形的另外的光学的组分也能够例如产生或者放置在所述主体2H上。

结构元件10的在图2B中所示出的实施例基本上对应于在图2A中所示出的实施例。与此不同的是，明确地示出了在所述主体2H上的另外的接触层。在所述构件2的背侧上的接触层2S例如构成第一电接触位置61。在所述构件2的前侧上的另外的接触层尤其构成所述构件2的第二电接触位置62。通过所述第一电接触位置61和所述第二电接触位置62能够在外部电接触所述构件2。与图2B不同的是，所述支座1的主体1H能够具有延伸穿过所述主体1H的贯穿接触部，以使得贯穿接触12能够通过该贯穿接触部在所述支座1的背侧处电接触。

方法步骤的在图2C中所示出的实施例基本上对应于在图1C中所示出的实施例。与此不同的是，使所述连接层3的不是设置用于之后被所述构件2覆盖的区域暴露。因此，所述连接层3能够在布置所述构件2之前已经被拆开成多个单独的子层。所述子层中的每个子层能够具有开口3R并且例如被设置用于接纳所述构件2中的一个构件。按照图2D，所述构件2布置在所述连接层3的开口3R上。在所述连接层3的体积减小之后能够制造例如在图2A或者2B中被示出的结构元件10。

对于用于制造结构元件10的不同的方法步骤而言的在图3A、3B、3C和3D中所示出的实施例基本上对应于在图1D、1E、1F或者2A中所示出的实施例。与此不同的是，相应的构件2的接触层2S以接触柱2C的方式来实施，其中，如此选择所述接触柱2C的尺寸，使得该接触柱在将所述构件2放置到所述连接层3上时伸入到开口3R中。因此，所述接触层2S不是紧挨着邻接所述连接层3而是与其横向地间隔开。

按照图3B，所述构件2的主体2H相之紧挨着邻接所述连接层3。沿着横向的方向，所述接触层2S、尤其是接触柱2C被所述连接层3包围。可行的是，所述接触层2S完全地处于所述开口3R之内。在图3B中示出的是，接触面2F小于联接面1F。通过在所述连接层3的收缩时提高按压压力而能够在所述构件2的有传导性的结构与所述支座1的有传导性的结构之间产生更紧密的连接。此外需要在联接面1F上或者在接触面2F上包覆成形更小的轮廓台阶（Topographiestufe）。相反地可行的是，所述接触面2F实施得比所述联接面1F更大。

在所述连接层3体积减小之后，由接触柱2C和联接柱1C构成贯穿接触12（图3C）。由于所述接触柱2C和所述联接柱1C的不同的横截面，所述贯穿接触12能够以具有突然改变的横截面的柱的形式来构成。换句话说，贯穿接触12具有部分区域地具有台阶的形状的侧面，其中，台阶过渡部处在所述接触柱2C与所述联接柱1C之间的边界区域处。所述接触柱2C和所述联接柱1C能够由相同的材料或者不同的材料构成。相对于此，所述贯穿接触12能够连续地由相同的材料或者在不同的子区域中由不同的材料构成。

按照图3D，所述构件2能够部分地或者完全地遮盖所述连接层3的子层。如果所述构件2完全地遮盖子层，则所述子层尤其仅仅通过所述连接层3的第一子区域31来构成。如果所述构件2部分地遮盖所述子层，则所述子层能够通过所述连接层3的第一子区域31和第二子区域32来构成，其中，所述第一子层31在俯视图中被所述构件2的主体2H完全地被遮盖并且紧挨着与其邻接。在俯视图中，所述第二子区域32仅仅处于所述主体的2H的侧向，其中，所述第二子区域32紧挨着邻接所述第一子区域31并且与子区域31相比具有减小的层厚32D。

对于用于制造结构元件10的不同的方法步骤而言的在图4A、4B、4C和4D中所示出的实施例基本上对应于在图1D、1E、1F或者2A中所示出的实施例。与此不同的是，接触面2F具有附加的轮廓台阶，其中，所述轮廓台阶能够通过所述接触面2F的结构化或者通过在所述接触面2F上构造一个尖部（英语是：spike）或者多个尖部来构成。所述一个轮廓台阶或者多个轮廓台阶延伸到所述开口3R中。

通过这样的轮廓台阶或者尖部能够在所述接触面2F与所述联接面1F之间可靠地制造电接触，其中，轮廓台阶在组接所述接触面2F和所述联接面1F时能够变形。在力集中方面更确切地说小的台阶或者尖部是有利的，然而能够通过多个点状的或者线状的结构而在所述接触面2F上构成附加的轮廓台阶。

对于用于制造结构元件10的不同的方法步骤而言的在图5A、5B、5C和5D中所示出的实施例基本上对应于在图1D、1E、1F或者2A中所示出的实施例。与此不同的是，所述构件2如此偏置地布置在所述连接层3上，使得所述构件2分别仅仅部分区域地遮盖所述开口3R中的一个开口。因此可行的是，所述联接柱1C在俯视图中仅仅部分地被所配属的接触柱2C遮盖，或者反之亦然。所述构件2的接触区域因此有针对性地横向地移动。

对于用于制造结构元件10的不同的方法步骤而言的在图6A、6B、6C和6D中所示出的实施例基本上对应于在图1D、1E、1F或者2A中所示出的实施例。与此不同的是，所述支座1具有绝缘层15，所述绝缘层沿着垂直的方向布置在所述支座1的主体1H与所述连接层3之间。特别地，所述连接层3紧挨着邻接所述绝缘层15。所述连接层3和所述绝缘层15具有多个共同的开口3R，在所述开口中分别易够到联接面1F或者布置有所述联接层1S的联接柱1C。

在连接层3体积减小之后并且可能地在可选地去除所述连接层3的一些子区域32之后，所述绝缘层15能够保留在结构元件10中。尤其当大部分地沿着构件周缘和/或也在所述构件2下方的区域中进行钝化或者封装时，所述绝缘层15能够使得所述构件2或者所述结构元件10的钝化或者封装变得容易。由此，所述构件2或者所述结构元件10的所有棱边尤其能够被钝化层或者被封装层可靠地覆盖。

对于用于制造结构元件10的不同的方法步骤而言的在图7A、7B、7C和7D中所示出的实施例基本上对应于在图6A、6B、6C或者6D中所示出的实施例。与此不同的是，仅仅示意性地示出了具有两个在背侧的接触位置61和62的唯一的构件2的紧固。与此不同地可行的是，这样的构件2中的多个构件紧固在所述支座1上并且进行电接触。所述接触位置61和62能够设定用于电接触所述构件2并且被分配给构件2的不同的电极性。也可行的是，所述接触位置61和/或62被设置用于形成用于集成的电路的一个信号路径或者多个信号路径。

在所述支座1的俯视图中，所述构件2遮盖两个开口3R，其中，在每个开口的3R中暴露出联接面1F。如在图7A中示出的那样，绝缘层15布置在所述支座1的主体1H与所述联接层1S之间。所述联接面1F或者所述联接层1S能够具有子区域，所述子区域在所述支座1的俯视图中被所述连接层3遮盖或者部分区域地嵌入在其中。

按照图7C和7D，所述连接层3能够具有带有层厚32D的第二子区域32，所述第二子区域在支座1的俯视图中布置在接触位置61与62之间并且被所述构件2完全地遮盖并且与其垂直地间隔开。特别地，所述连接层3仅仅在接触层2S的区域中紧挨着邻接所述构件2。所述构件2的主体2H例如不具有任何紧挨着邻接所述连接层3的位置。

按照图7D，所述连接层3能够为了部分地暴露出联接层1S而被去除。通过所述联接层1S的被暴露出的区域，配属的构件2能够在外部进行电接触。

对于用于制造结构元件10的不同的方法步骤而言的在图8A、8B、8C和8D中所示出的实施例基本上对应于在图7A、7B、7C或者7D中所示出的实施例。与此不同的是，所述连接层3不仅紧挨着邻接所述接触层2S而且也紧挨着邻接所述构件2的主体2H。例如所述构件2在所述连接层3的体积减小时如此被按压到所述连接层3中去，使得按照图8B还与所述连接层3在空间上间隔开的主体2H现在按照图8C与所述连接层3产生触碰并且因此紧挨着与其邻接。

对于用于制造结构元件10的不同的方法步骤而言的在图9A、9B、9C和9D中所示出的实施例基本上对应于在图3A、3B、3C或者3D中所示出的实施例。与此不同的是，所述联接层1S未被结构化并且连续地构造。所述联接层1S能够部分地嵌入在所述支座1的主体1H中。沿着垂直的方向，所述联接层1S的前方的表面能够与所述支座1的主体1H的前方的表面齐平地结束。

结构元件10的在图10A中所示出的实施例基本上对应于在图1F中所示出的结构元件10。与此不同的是，在图10A中示出了，所述构件2的主体2H具有第一半导体层21、第二半导体层22和处在之间的活性的区部23。所述构件2的主体2H能够是尤其被设定用于对电磁辐射进行产生或者探测的半导体主体。所述构件2例如是发光二极管。

作为对于图1F的另外的区别，所述联接层1S具有多个单独的、部分地嵌入在所述支座1的主体1H中的子层，其中，在所述开口3R中的每个开口中，联接柱1C伸出超过配属的子层。

结构元件10的在图10B中所示出的实施例对应于在图3C中所示出的结构元件10，所述结构元件包含多个构件2，所述多个构件分别具有带有活性的区部23和半导体层21和22的主体2H。

结构元件10的在图10C中所示出的实施例对应于在图9C中所示出的结构元件10，所述元件包含多个构件2，所述多个构件分别具有带有活性的区部23和半导体层21和22的主体2H。

对于用于制造结构元件10的不同的方法步骤而言的在图11A、11B和11C中所示出的实施例基本上对应于在图1D、1E或者1F中所示出的实施例。与此不同的是，暴露的联接面1F或者联接柱1C或者联接层1S伸出超过所述连接层3，也就是说沿着远离所述支座1的主体1H的方向伸出。

按照图1D、1E和1F，所述接触层2S能够平坦地实施。与此不同的是，所述接触层2S按照图11A、11B和11C具有多个开口或者凹部。所述接触层2S局部地台阶状地构成。所述开口或者凹部的底面构成暴露的接触面2F。暴露的联接面1F处在所述接触层2S的配属的开口或者凹部之内。所述联接柱1C或者所述暴露的联接面1F尤其伸入到所述接触层2S的配属的开口中去。沿着垂直的方向，所述暴露的联接面1F或者所述联接柱1C通过间距D与接触层2S、尤其与暴露的接触面2F在空间上间隔开。

按照图11B，所述联接层1S或者所述联接柱1C沿着横向的方向部分区域地或者完全地被所述接触层2和/或所述连接层3包围。如果所述连接层3的层厚3D尤其例如通过收缩而减小，则所述间距D能够减小至零，由此使所述联接面1F直接邻接所述接触面2F。这样的结构元件10例如在图11C中被示意性地示出。

与图1C至11C不同地可行的是，在连接层1S与接触柱2C或者联接柱1C之间不存在横向的间距或者中间区域Z。在这种情况下，要么在减小所述连接层3的层厚3D之前或者之后，要么不仅在减小连接层3的层厚3D之前而且也在其之后，所述连接层1S能够紧挨着邻接所述接触柱2C并且/或者紧挨着邻接所述联接柱1C。

此外在所有实施方式中可行的是，在所述联接层1S与所述接触层2S之间的电的和机械的连接是焊接连接。所述联接层1S和/或所述接触层2S例如能够由焊接材料构成或者用焊接材料进行涂层。在这种情况下能够涉及到在所述联接层1S与所述接触层2S之间的重熔的焊接接触。

要求了德国专利申请10 2019 111 816.6的优先权，其公开内容因此通过援引的方式被包含。

本发明并不由于对本发明借助于实施例进行的描述而受限于此。更确切地说，本发明包括每个新的特征以及每个特征的组合，这尤其包含在权利要求书中的每个特征的组合，即使该特征或者该组合本身没有明确地在权利要求书中或者实施例中被指出。

附图标记列表

10 结构元件

1 支座

1H 支座的主体

1S 联接层

1C 联接柱

1F 联接面

12 贯穿接触

15 支座的绝缘层

2 构件

2H 构件的主体/构件的半导体主体

21 第一半导体层

22 第二半导体层

23 半导体主体的活性的区部

2S 接触层

2C 接触柱

2F 接触面

20 构件复合结构

20H 构件复合结构的基质/凸模

3 连接层

31 连接层的第一子区域

31F 第一子区域的表面

32 连接层的第二子区域

32F 第二子区域的表面

3D 连接层的垂直的层厚

3R 开口

4 构件的侧面

4H 构件的主体的侧面

4S 接触层的侧面

61 第一接触位置

62 第二接触位置

D 在联接面与接触面之间的垂直的间距

Z 在连接层与接触柱或者联接柱之间的中间区域。

Claims (20)

1.用于制造结构元件（10）的方法，所述结构元件具有支座（1）和至少一个构件（2），所述至少一个构件与所述支座导电地连接并且借助于电绝缘的连接层（3）被机械地紧固在所述支座上，所述方法具有下述步骤：

A） 为所述支座（1）提供联接层（1S），其中，所述连接层（3）布置在所述支座上并且具有至少一个开口（3R），所述联接层（1S）的联接面（1F）在所述至少一个开口中是暴露的，并且其中，所述连接层（3）沿着垂直的方向伸出超过暴露的联接面（1F）或者反之亦然；

B） 将带有接触层（2S）的所述构件（2）如此安置在所述支座（1）上，使得在所述支座（1）的俯视图中所述接触层（2S）的暴露的接触面（2F）覆盖所述开口和处于其中的联接面（1F），其中，所述暴露的接触面（2F）通过垂直的间距（D）而与所述暴露的联接面（1F）间隔开；并且

C） 通过所述连接层（3）的体积变化来减小所述垂直的间距（D），由此，所述暴露的接触面（2F）和所述暴露的联接面（1F）如此组接，使得它们紧挨着彼此邻接，并且在所述接触层（2S）与所述联接层（1S）之间构成直接的电接触。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述连接层（3）在安置所述构件（2）之后并且在减小所述垂直的间距（D）之前紧挨着邻接所述构件（2）并且紧挨着邻接所述支座（1）。

3.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中在所述体积变化之前，所述连接层（3）具有垂直的层厚（3D），并且所述垂直的间距（D）的减小通过收缩所述连接层（3）的垂直的层厚（3D）或者通过收缩所述连接层（3）的体积来实现。

4. 根据上一项权利要求所述的方法，其中所述连接层（3）在收缩过程之前为了提高粘接能力而短暂地膨胀。

5. 根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中

- 在所述体积变化之前，所述连接层（3）在所述接触层（2S）的周围环境中具有带有恒定的高度的垂直的层厚（3D），并且

- 在所述体积变化之后，所述连接层（3）在所述接触层（2S）的相同的周围环境中具有带有局部地不同的高度的被减小的垂直的层厚（3D），其中，

- 所述层厚（3D）在所述连接层（3）与所述构件（2）的重叠区域中比所述连接层（3）的在没有与所述构件（2）重叠的情况下的区域中要大，或者

- 所述层厚（3D）在所述连接层（3）与所述接触层（2S）的重叠区域中比所述连接层（3）的在没有与所述接触层（2S）重叠的情况下的区域中要大。

6.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中所述连接层（3）具有能光结构化的材料并且所述开口（3R）通过所述连接层（3）的光结构化来构成。

7. 根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中所述暴露的联接面（1F）通过联接柱（1C）的暴露的表面构成，其中，

- 所述联接柱（1C）布置在所述连接层（3）的开口（3R）中，并且

- 所述联接柱（1C）在所述连接层（3）的体积变化之前与所述连接层横向地间隔开并且在所述连接层（3）的体积变化之后保持与所述连接层横向地间隔开。

8. 根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中所述暴露的接触面（2F）通过接触柱（2C）的暴露的表面来构成，其中，

- 所述接触柱（2C）伸入到所述连接层（3）的开口（3R）中，并且

- 所述接触柱（2C）在所述连接层（3）的体积变化之前与所述连接层横向地间隔开并且在所述连接层（3）的体积变化之后保持与所述连接层横向地间隔开。

9.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中多个构件（2）被同时安置在所述支座（1）上，其中，

- 每个构件（2）具有带有至少一个接触面（2F）的接触层（2S），

- 所述连接层（3）具有多个开口（3R），在所述多个开口中分别自由地易够到所述联接层（1S）的联接面（1F），并且

- 所述构件（2）在共同的过程步骤中为了减小所述连接层（3）的体积而与所述支座（1）电连接。

10. 根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中所述垂直的间距（D）的减小通过外部的力作用而机械地得到支持。

11.结构元件（10），其具有支座（1）、至少一个构件（2）和电绝缘的连接层（3），其中

- 所述构件（2）借助于所述电绝缘的连接层（3）而机械地紧固在所述支座（1）上，

- 所述支座（1）具有带有联接面（1F）的联接层（1S），其中，所述连接层（3）布置在所述支座上并且具有至少一个开口（3R），所述联接层（1S）的联接面（1F）处于所述至少一个开口中，

- 所述构件（2）具有带有接触面（2F）的接触层（2S），其中，在所述支座（1）的俯视图中，所述接触面（2F）遮盖所述连接层（3）的开口和联接层（1S）的处在所述开口中的联接面（1F），并且

- 所述接触面（2F）和所述联接面（1F）紧挨着彼此邻接，由此，在所述接触层（2S）与所述联接层（1S）之间构成直接的电接触，并且由此使所述构件（2）与所述支座（1）导电地连接。

12.根据权利要求11所述的结构元件（10），其中在所述接触层（2S）与所述联接层（1S）之间的边界面通过在所述接触面（2F）与所述联接面（1F）之间的重叠面来构成，其中，所述边界面没有所述连接层（3）的材料或者没有所述连接层（3）的材料的痕迹。

13.根据权利要求11至12中任一项所述的结构元件（10），其中所述连接层（3）仅仅在垂直的区域中延伸，所述垂直的区域沿着垂直的方向处在所述支座（1）与所述构件（2）之间的高度中，使得所述构件（2）的主体（2H）的侧面（4H）不被所述连接层（3）遮盖。

14.根据权利要求11至13中任一项所述的结构元件（10），其中所述连接层（3）在与所述构件（2）的重叠区域中具有背离所述支座（1）的表面（31F），所述表面直接邻接所述构件（2）并且所述表面标出了所述连接层（3）从所述支座（1）的最高的垂直的凸出部。

15.根据权利要求11至14中任一项所述的结构元件，其中所述连接层（3）在所述支座（1）的俯视图中具有第一子区域（31）和与所述第一子区域（31）直接邻接的第二子区域（32），其中，

- 所述第一子区域（31）具有背离所述支座（1）的第一表面（31F），所述第一表面直接邻接所述构件（2）并且被所述构件（2）完全地遮盖，

- 所述第二子区域（32）具有背离所述支座（1）的第二表面（32F），所述第二表面并不邻接所述构件（2），并且

- 在所述第一表面（31F）与所述支座（1）的主体（1H）之间的垂直的间距大于在所述第二表面（32F）与所述支座（1）的主体（1H）之间的垂直的间距。

16.根据权利要求11至15中任一项所述的结构元件（10），其中所述连接层（3）是薄的附着促成层，所述附着促成层具有在包括20nm与2μm之间的层厚（3D）。

17.根据权利要求11至16中任一项所述的结构元件（10），其中所述构件（2）通过贯穿接触（12）与所述支座（1）导电地连接，其中，

- 所述贯穿接触（12）具有所述接触面（2F）的至少一个子区域和所述联接面（1F）的至少一个子区域，

- 所述贯穿接触（12）沿着垂直的方向延伸穿过所述连接层（3），并且

- 所述贯穿接触（12）沿着横向的方向通过中间区域（Z）而与所述连接层（3）间隔开，其中，所述中间区域（Z）是填充有气态的介质的空腔。

18. 根据上述权利要求中任一项所述的方法或者结构元件（10），其中

- 所述构件（2）具有带有光学地活性的区部（23）的半导体主体（2H），所述光学地活性的区部被设定用于产生或者探测电磁辐射，并且

- 所述支座（1）具有被设定用于电接触或者用于操控所述构件（2）的电路。

19.根据上述权利要求中任一项所述的方法或者结构元件（10），其中所述接触层（2S）的接触面（2F）在俯视图中仅仅部分地遮盖所述开口（3R）和所述联接面（1F）。

20.根据上述权利要求中任一项所述的方法或者结构元件（10），其中在所述接触层（2S）与所述联接层（1S）之间的接触是重熔的接触连接。

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