CN113817987A - 一种电子设备的后盖的加工方法及电子设备 - Google Patents

Abstract

本申请涉及一种电子设备的后盖的加工方法及电子设备，后盖包括上基材层和下基材层，加工方法包括：对上基材层进行PVD镀膜，形成与上基材层层叠设置的上镀膜层，对下基材层进行PVD镀膜，形成与下基材层层叠设置的下镀膜层；上镀膜层中Nb与Si的比例小于1.1:0.9。在加工后盖时，上镀膜层和下镀膜层均采用PVD镀膜的工艺形成，从而能够使得后盖具有更加丰富的颜色效果和金属质感，改善后盖的用户体验。另外，在对上基材层进行PVD镀膜时，通过减小上镀膜层中Nb与Si的比例，能够降低上镀膜层变色的风险，从而降低电子设备使用过程中后盖变色的风险，提高后盖和电子设备的使用寿命和用户体验。

Description

一种电子设备的后盖的加工方法及电子设备

技术领域

本申请涉及电子设备技术领域，尤其涉及一种电子设备的后盖的加工方法及电子设备。

背景技术

电子设备具有后盖，为了改善后盖的性能，该后盖可以贴合防爆膜。目前，电子设备的后盖靠近电池的一侧采用双层镀膜工艺处理，其中，上层可以为彩色膜片或透明膜片，并在该上层印刷渐变色，改善其外观效果，下层镀膜进行增亮。但是，随着用户对电子设备后盖的颜色和质感要求的提升，现有的印刷渐变色的工艺无法满足用户的要求。

发明内容

本申请提供了一种后盖的加工方法及电子设备，能够降低后盖变色的风险，提高后盖和电子设备的用户体验。

本申请实施例第一方面提供一种电子设备的后盖的加工方法，所述后盖包括上基材层和下基材层，所述加工方法包括：对所述上基材层进行PVD镀膜，形成与所述上基材层层叠设置的上镀膜层，对所述下基材层进行PVD镀膜，形成与所述下基材层层叠设置的下镀膜层；所述上镀膜层中Nb与Si的比例小于1.1:0.9。

本申请实施例中，与现有技术中上层采用彩色膜片或透明膜片印刷渐变色、下层增亮的工艺相比，本申请实施例在加工后盖时，上镀膜层和下镀膜层均采用PVD镀膜的工艺形成，从而能够使得后盖具有更加丰富的颜色效果和金属质感，改善后盖的用户体验。另外，在对基材层进行PVD镀膜时，通过减小上镀膜层中Nb与Si的比例(减小到小于1.1:0.9)，从而使得光在上镀膜层中的透过率增大，折射率减小，减小光在上镀膜层中的停留时间，降低上镀膜层变色的风险。同时，由于具有Nb元素，该上镀膜层能够显示颜色。即本实施例中的上镀膜层能够在具有颜色的同时降低变色的风险，提高后盖及电子设备的用户体验。

在一种可能的设计中，所述上镀膜层中Nb与Si的比例为0.8:1.2；所述下镀膜层中Nb与Si的比例为1.1:0.9。

本实施例中，当上镀膜层中Nb与Si的比例减小为0.8:1.2时，光在该上镀膜层中的透过率不会过高，使得上镀膜层的颜色不会太浅，同时，光在上镀膜层中的折射率不会过高，使得光在上镀膜层中停留的时间不会过长，从而能够有效降低上镀膜层中Nb元素在光照作用下变色的风险，提高上镀膜层的可靠性(颜色保持时间较长)。

在一种可能的设计中，在保护气体的环境下对所述上基材层进行PVD镀膜，且保护气体的流量为最大量程的20％～50％。本实施例中，减小对上基材层PVD镀膜过程中保护气体的流量，使得形成的上镀膜层的致密度减小，光在该上镀膜层中的聚集性降低，从而减小光在上镀膜层中的能量，降低上镀膜层在光的作用下变色的风险，使得后盖在长期使用时仍然具有良好的色彩，提高电子设备及其后盖的使用寿命。

在一种可能的设计中，在保护气体的环境下对所述上基材层进行PVD镀膜，且保护气体的流量为最大量程的30％。

在一种可能的设计中，在对所述上基材层进行PVD镀膜，形成与所述上基材层层叠设置的上镀膜层，对所述下基材层进行PVD镀膜，形成与所述下基材层层叠设置的下镀膜层之前，所述后盖的加工方法还包括：对所述上基材层进行UV拉丝，形成上UV层，从而形成包括所述上基材层、所述上UV层和所述上镀膜层的上层，对所述下基材层进行UV拉丝，形成下UV层，从而形成包括所述下基材层、所述下UV层和所述下镀膜层的下层。本实施例中，通过UV拉丝工艺能够将UV胶形成于上基材层和下基材层的表面，并能够在上基材层和下基材层上形成纹理，在进行PVD镀膜时，上镀膜层形成于上UV层，下镀膜层形成于下UV层，从而通过上UV层和下UV层的纹理分别支撑上镀膜层和下镀膜层，提高上镀膜层和下镀膜层的结构强度，降低上镀膜层和下镀膜层开裂的风险。

在一种可能的设计中，对所述下基材层进行UV拉丝之后，所述后盖的加工方法还包括：在所述下镀膜层远离所述上基材层的一侧涂覆油墨层。本实施例中，该油墨层位于下镀膜层的下方，用于吸收太阳光。其中，该油墨层具体可以为白油墨，从而防止因油墨的存在影响上镀膜层和下镀膜层的镀膜后的颜色，改善后盖的颜色效果和质感。

在一种可能的设计中，进行PVD镀膜时，采用蒸发镀膜工艺或溅射镀膜工艺。

本申请实施例第二方面提供一种电子设备，所述电子设备包括后盖，所述后盖包括沿其厚度方向层叠设置的上层和下层；所述上层包括层叠设置的上基材层和上镀膜层，所述下层包括层叠设置的下基材层和下镀膜层；其中，所述上镀膜层和所述下镀膜层通过PVD镀膜形成，且所述上镀膜层中Nb与Si的比例小于1.1:0.9。

本申请实施例中，与现有技术中上层采用彩色膜片或透明膜片印刷渐变色、下层增亮的工艺相比，本申请实施例中的后盖的上镀膜层和下镀膜层均采用PVD镀膜的工艺形成，从而能够使得后盖具有更加丰富的颜色效果和金属质感，改善后盖的用户体验。另外，通过减小上镀膜层中Nb与Si的比例(减小到小于1.1:0.9)，从而使得光在该上镀膜层中的透过率增大，折射率减小，减小光在上镀膜层中的停留时间，降低上镀膜层变色的风险。同时，由于具有Nb元素，该上镀膜层能够显示颜色。即本实施例中的上镀膜层能够在具有颜色的同时降低变色的风险，提高后盖及电子设备的用户体验。

在一种可能的设计中，所述上镀膜层中Nb与Si的比例为0.8:1.2；所述下镀膜层中Nb与Si的比例小于1.1:0.9。本实施例中，相对于下镀膜层，上镀膜层更加靠近后盖的外侧，即光照射后盖时，在上镀膜层中的能量大于下镀膜层中的能量，因此，在光的作用下，上镀膜层中的Nb元素更加容易变色。基于此，本实施例中，通过减小上镀膜层中Nb与Si的比例，能够降低上镀膜层在光的作用下变色的风险，同时，由于下镀膜层不容易变色，因此，无需降低其Nb与Si的比例，此时，能够避免下镀膜层因降低Nb与Si的比例而颜色变淡的情况，使得下镀膜层的颜色能够满足要求，进而使得后盖的颜色能够满足要求。

在一种可能的设计中，所述上镀膜层的最大厚度为300～340nm，最小厚度为260～300nm。本实施例中，将上镀膜层中Nb与Si的比例减小，并使得上镀膜层的厚度在合理的范围(例如上镀膜层的最大厚度可以为300～340nm，最小厚度为可以260～300nm)时，能够降低上镀膜层在光的作用下变色的风险、能够使得上镀膜层的颜色满足用户的需求、能够降低上镀膜层受冲击力作用时开裂的风险。

在一种可能的设计中，所述下镀膜层的最大厚度为430～470nm，最小厚度为350nm～400nm。该厚度的下镀膜层52的颜色能够满足要求，从而使得后盖的颜色能够满足要求。

在一种可能的设计中，所述上镀膜层的最大厚度为320nm，最小厚度为280nm；所述下镀膜层的最大厚度为450nm，最小厚度为380nm。该实施例中，该后盖显示为从蓝色到紫色的渐变色，该后盖不易变色，且在受冲击力作用时不易开裂。

在一种可能的设计中，所述后盖还包括上UV层和下UV层；沿所述后盖的厚度方向，所述上UV层位于所述上基材层与所述上镀膜层之间，所述下UV层位于所述下基材层和所述下镀膜层之间。

本实施例中，通过在基材层和镀膜层之间设置UV层，能够在基材层上形成纹理，在进行PVD镀膜时，镀膜层形成于该UV层3上，从而通过UV层的纹理支撑镀膜层，提高镀膜层的结构强度，降低镀膜层开裂的风险。

在一种可能的设计中，所述上UV层的厚度为15～20μm；所述下UV层的厚度为15～20μm。本实施例中，增大UV层的厚度后，能够提高UV层对镀膜层的支撑和缓冲作用，从而降低镀膜层在冲击力作用下开裂的风险。

在一种可能的设计中，所述上UV层的厚度为16μm，所述下UV层的厚度为16μm。

在一种可能的设计中，所述UV层的硬度为1H～3H。本实施例中，当增加UV层的硬度时，能够提高对镀膜层的支撑作用，从而降低镀膜层开裂的风险。

在一种可能的设计中，所述下镀膜层中Nb与Si的比例为1.1:0.9。本实施例中，通过减小上镀膜层中Nb与Si的比例，能够降低上镀膜层在光的作用下变色的风险，同时，由于下镀膜层不容易变色，因此，无需降低其Nb与Si的比例，从而降低减小Nb与Si的比例后对后盖颜色的影响。

在一种可能的设计中，所述上UV层的硬度大于1H。增大上UV层的硬度后，能够提高上UV层对上镀膜层的支撑作用，从而降低上镀膜层在冲击力作用下开裂的风险。

在一种可能的设计中，所述下UV层的硬度大于1H。

在一种可能的设计中，所述后盖还包括油墨层，所述油墨层位于所述下镀膜层的远离所述上镀膜层的一侧。

在一种可能的设计中，对所述下基材层进行UV拉丝之后，所述后盖的加工方法还包括：在所述下镀膜层远离所述上基材层的一侧涂覆油墨层。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性的，并不能限制本申请。

附图说明

图1为本申请所提供电子设备的后盖在第一种具体实施例中的叠层结构示意图；

图2为本申请所提供电子设备的后盖在第二种具体实施例中的叠层结构示意图；

图3为图2的部分爆炸图；

图4为本申请所提供电子设备的后盖在第三种具体实施例中的叠层结构示意图；

图5为本申请所提供电子设备的后盖在第四种具体实施例中的叠层结构示意图。

附图标记：

1-基材层；

2-镀膜层、21-溅射镀膜层、22-蒸发镀膜层；

3-UV层；

4-上层、41-上基材层、411-上膜片、412-上光学胶、42-上镀膜层、43-上UV层、44-玻璃盖板；

5-下层、51-下基材层、511-下膜片、512-下光学胶、542-下镀膜层、53-下UV层、54-油墨层。

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本申请的实施例，并与说明书一起用于解释本申请的原理。

具体实施方式

为了更好的理解本申请的技术方案，下面结合附图对本申请实施例进行详细描述。

应当明确，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。

在一种具体实施例中，下面通过具体的实施例并结合附图对本申请实施例做进一步的详细描述。

目前，电子设备的后盖内表面可以采用物理气相沉积(Physical VaporDeposition，PVD)镀膜的方式形成双层膜，其中，PVD镀膜指的是利用物理过程实现物质转移，将原子或分子由靶材转移到基材表面上的过程。PVD镀膜的作用是可以某些具有特殊功能(强度高、耐磨性好、散热性好、耐腐性好等)的微粒喷涂在性能较低的基材上，使得基材具有良好的性能。

其中，PVD镀膜包括真空蒸发镀膜法和溅射镀膜法。真空蒸发镀膜法的具体操作步骤如下：在真空室(例如镀炉)中加热蒸发待形成薄膜的原材料，使其原子或分子从表面气化逸出，形成蒸汽流，入射到待镀产品的表面，从而凝结形成固态薄膜。溅射镀膜法的具体操作步骤如下：在一定真空条件下，使用溅射镀膜机，以一定能量的粒子(离子或中性原子、分子)轰击靶材，使靶材表面的原子或分子获得足够大的能量而最终逸出，然后调整溅射机内部的修正板，在待镀产品上形成变化的成膜厚度，从而形成不同区域的渐变颜色(由上到下或者由左到右)。

通过上述PVD镀膜工艺处理后，在待镀产品表面形成镀膜层，根据实际需要，该镀膜层可以为金属、合金或非金属。例如，电子设备的后盖中，其镀膜层可以包括Nb、Si等元素，其中，上述两种元素可以以Nb₂O₅、SiO₂的形式存在，且该镀膜层中Nb与Si的比例通常为1.1:0.9(该比例可以为Nb与Si两种元素的体积比)。但是，该镀膜层中，Nb元素容易变色，从而导致电子设备使用过程中后盖变色，影响电子设备的用户体验。

为了解决该技术问题，本申请实施例提供一种后盖的加工方法，该加工方法用于加工形成电子设备的后盖。其中，电子设备可以是手机、平板电脑、桌面型计算机、膝上型计算机、手持计算机、笔记本电脑、超级移动个人计算机(ultra-mobile personal computer，UMPC)、上网本，以及蜂窝电话、个人数字助理(personal digital assistant，PDA)、增强现实(augmented reality，AR)设备、虚拟现实(virtual reality，VR)设备、人工智能(artificial intelligence,AI)设备、可穿戴式设备、车载设备、智能家居设备和/或智慧城市设备，本申请实施例对该电子设备的具体类型不作特殊限制。

电子设备可以包括屏幕模组、电路板、电池、壳体等部件。其中，屏幕模组、电路板和电池均可以安装于壳体，该壳体可以包括后盖，且沿电子设备的厚度方向，该后盖与屏幕模组相对设置，该后盖用于支撑电池、电路板等部件，并对电子设备的各部件起到保护作用。在实际使用时，该后盖位于电子设备的最外侧，因此，后盖的外观性能和手感影响电子设备的整体外观性能和手感。

本申请一实施例中，如图1所示，该后盖具体可以包括基材层1，后盖的加工方法具体可以包括：

S2：对基材层1进行PVD镀膜，形成与基材层1层叠设置的镀膜层2，其中，该镀膜层2中Nb与Si的比例小于1.1:0.9。

通常情况下，该镀膜层2可以包括玻璃(包括SiO₂)且当镀膜层2仅包括玻璃时，该镀膜层2透明，光在该镀膜层2中的透过率较高，折射率较低，即光在镀膜层2中停留的时间较短。为了使得镀膜层2具有颜色，通常可以在镀膜层2的玻璃材质中加Nb元素，其中，Nb元素可以以Nb₂O₅存在，从而使得该镀膜层2具有颜色。但是，加入Nb元素后，光在该镀膜层2中的透过率较小，折射率较大，使得光在镀膜层2中的停留时间增加，光长时间照射Nb元素时，Nb元素会变色，导致镀膜层2变色，降低显示效果。

本申请实施例中，在对基材层1进行PVD镀膜时，通过减小镀膜层2中Nb与Si的比例(减小到小于1.1:0.9)，从而使得光在镀膜层2中的透过率增大，折射率减小，减小光在镀膜层2中的停留时间，降低镀膜层2变色的风险。同时，由于具有Nb元素，该镀膜层2能够显示颜色。即本实施例中的镀膜层2能够在具有颜色的同时降低变色的风险，提高后盖及电子设备的用户体验。

例如，该镀膜层2中，Nb与Si的比例可以为1:1、0.9:1.1等，只要小于1.1:0.9即可。

在另一种具体实施例中，上述步骤S2中，对基材层1进行PVD镀膜后形成的镀膜层2中Nb与Si的比例可以为0.8:1.2。

本实施例中，当镀膜层2中Nb与Si的比例减小为0.8:1.2时，光在该镀膜层2中的透过率不会过高，使得镀膜层2的颜色不会太浅，同时，光在镀膜层2中的折射率不会过高，使得光在镀膜层2中停留的时间不会过长，从而能够有效降低镀膜层2中Nb元素在光照作用下变色的风险，提高镀膜层2的可靠性(颜色保持时间较长)。

另外，如上所述，减小镀膜层2中Nb与Si的比例(Nb与Si的比例小于1.1:0.9)后，能够增大光在镀膜层2中的透过率，减小光在镀膜层2中的折射率，从而降低Nb元素变色的风险，同时，透过率增大后，导致镀膜层2的颜色变淡。为了防止减小Nb与Si的比例后的镀膜层2颜色变淡，本申请实施例中可以增大镀膜层2的厚度，从而使得镀膜层2的颜色变深。

因此，本申请实施例中，在减小镀膜层2中Nb与Si的比例的同时，增大镀膜层2的厚度，能够在使得镀膜层2的颜色深浅满足要求的同时，降低镀膜层2变色的风险，从而能够保证电子设备的后盖的颜色，且该后盖不易变色，改善后盖的显示效果。

在一些实施例中，该镀膜层2的最大厚度可以为300～340nm；例如，镀膜层2的最大厚度可以为320nm或330nm等；最小厚度可以为260～300nm，例如，镀膜层2的最小厚度可以为270nm或280nm等。其中，该镀膜层2各处的厚度可以不完全相同，使得光在镀膜层2各处的折射率不同，从而使得镀膜层2各处显示的颜色不同，进而使得该镀膜层2整体呈现渐变色。

因此，在一种具体实施例中，镀膜层2中Nb与Si的比例可以为0.8:1.2，且该镀膜层2的最大厚度可以为300～340nm，最小厚度可以为260～300nm，具体地，镀膜层2中Nb与Si的比例可以为0.8:1.2，且镀膜层2各处的最大厚度为320nm，最小厚度为270nm，该实施例中，Nb与Si的比例能够使得后盖不易变色(镀膜层2中的Nb不易变色)，且镀膜层2的厚度能够使得后盖的颜色能够满足用户的需求，从而改善后盖的显示效果。

在一种可能的设计中，上述PVD镀膜在保护气体的环境下进行，且在镀膜炉内，该保护气体的流量为最大量程的20％～50％，例如，该保护气体的流量可以为最大量程的30％。

目前，进行PVD镀膜过程中保护气体的流量通常为最大量程的50％，形成的镀膜层的致密性较高，使得光照射到后盖时容易发生聚集，即导致光停留在镀膜层的时间较长，从而容易导致镀膜层在光的作用下变色。

本实施例中，减小PVD镀膜过程中保护气体的流量，使得形成的镀膜层2的致密度减小，光在该镀膜层2中的聚集性降低，从而减小光在镀膜层2中的能量，降低镀膜层2在光的作用下变色的风险(降低Nb元素变色的风险)，使得后盖在长期使用时仍然具有良好的色彩，提高电子设备及其后盖的使用寿命。

其中，本申请实施例中，保护气体可以为氩气等惰性气体。

综上所述，本申请实施例中，通过以下三个方面的因素来改善镀膜层2的显示效果：第一：减小镀膜层2中Nb与Si的比例(例如减小到小于1.1:0.9)；第二：减小镀膜过程中保护气体的流量；第三：增大镀膜层2的厚度。其中，第一方面的因素能够通过减小光在镀膜层2中的折射率来降低镀膜层2中的Nb元素变色的风险，第二方面的因素通过减小镀膜过程中保护气体的流量，来降低光在镀膜层2中的聚集程度，从而降低镀膜层2中的Nb元素变色的风险，第三方面的因素通过增大镀膜层2的厚度来增加颜色的深度，使得镀膜层2的颜色能够满足用户需求。上述三方面的因素相互结合，能够有效改善后盖的显示效果。

另外，本实施例中，当减小PVD镀膜过程中保护气体的流量时，使得镀膜层2的致密性较小，硬度较高，在受到外界冲击力时，该镀膜层2存在开裂损坏的风险。为了解决该技术问题，本申请实施例中的后盖的加工方法在步骤S2之前还可以包括下述步骤：

S1：对基材层1进行UV拉丝，形成UV层3，如图1所示，该UV层3位于镀膜层2与镀膜层2之间。

本实施例中，通过UV拉丝工艺能够将UV胶形成于基材层1的表面，并能够在基材层1上形成纹理，在进行PVD镀膜时，镀膜层2形成于该UV层3上，从而通过UV层3的纹理支撑镀膜层2，提高镀膜层2的结构强度，降低镀膜层2开裂的风险。

具体地，本申请实施例中，通过改变该UV层3的参数能够改变支撑镀膜层2的纹理的性能，从而降低镀膜层2开裂的风险。例如，可以通过增加UV层3的厚度和硬度来提高UV层3的支撑性能，当增加UV层3的厚度时，能够对镀膜层2受到的冲击力起到缓冲的作用，当增加UV层3的硬度时，能够提高对镀膜层2的支撑作用，从而降低镀膜层2开裂的风险。

其中，该UV层3的厚度可以增加到5μm～20μm，例如，UV层3的厚度可以为16μm、18μm等。该UV层3的硬度可以增加为1H～3H，例如，该UV层3的硬度可以为1H、2H等。

在一种可能的设计中，如图2所示，该后盖可以包括沿其厚度方向层叠设置的上层4和下层5，其中，上层4包括上基材层41，下层5包括下基材层51，此时，该后盖的加工方法包括下述步骤：

S11：对上基材层41进行UV拉丝，再进行PVD镀膜，形成层叠设置的上基材层41、上UV层43和上镀膜层42；对下基材层51进行UV拉丝，再进行PVD镀膜，形成层叠设置的下基材层51、下UV层53和下镀膜层52；

S121：将上层4与下层5贴合。

具体地，上述步骤S121中，具体可以通过贴合机将上层4与下层5贴合，且控制压力和温度，进行脱泡，从而使得上层4与下层5贴合后的结构较平整。同时，上层4与下层5贴合后的双层膜片贴合于玻璃盖板44，即上层4和下层5均位于该玻璃盖板44下方，从而通过玻璃盖板44对上层4和下层5起到保护作用。同时，该后盖分为上层4和下层5时，能够优化后盖的层叠结构，从而提高后盖的结构强度，并改善后盖的颜色和质感。

其中，该上基材层41具体可以包括层叠设置的上膜片411和上光学胶412，其中，上光学胶412位于靠近玻璃盖板44的一侧，用于与玻璃盖板44粘连。本实施例中，由上膜片411和上光学胶412形成的上基材层41可以采用抗UV材质HP12SU，其中，该型号的上光学胶412增加抗UV成分，从而能够减小光的透过率，进一步降低上镀膜层42变色的风险。相应地，该下基材层51具体可以包括层叠设置的下膜片511和下光学胶512，其中，下光学胶512位于靠近上镀膜层42的一侧，用于与上镀膜层42贴合并粘连。本实施例中，该下基材层51可以采用抗UV材质HP12SU，也可以采用传统的HP12A型号的基材。

另外，该后盖中，由于上层4位于下层5的外侧，因此，在光的作用下，上层4的上镀膜层42更加容易变色，因此，本申请实施例中，主要通过改变上镀膜层42的参数来降低其变色风险。

具体地，上述步骤S11中，上镀膜层42中Nb与Si的比例小于1.1:0.9；下镀膜层52中Nb与Si的比例为1.1:0.9。

本实施例中，相对于下镀膜层52，上镀膜层42更加靠近后盖的外侧，即光照射后盖时，在上镀膜层42中的能量大于下镀膜层52中的能量，因此，在光的作用下，上镀膜层42中的Nb元素更加容易变色。基于此，本实施例中，通过减小上镀膜层42中Nb与Si的比例，能够降低上镀膜层42在光的作用下变色的风险，同时，由于下镀膜层52不容易变色，因此，无需降低其Nb与Si的比例，此时，能够避免下镀膜层52因降低Nb与Si的比例而颜色变淡的情况，使得下镀膜层52的颜色能够满足要求，进而使得后盖的颜色能够满足要求。

更具体地，上述上镀膜层42中Nb与Si的比例减小后，存在影响上镀膜层42的颜色的风险，为了降低该风险，该上镀膜层42的厚度不宜过小，但同时，上镀膜层42的厚度过大时，该上镀膜层42存在开裂的风险。基于此，为了使得上镀膜层42的颜色满足要求的同时，降低上镀膜层42开裂的风险，上镀膜层42的厚度不宜过大。本申请实施例中，该上镀膜层42的最大厚度可以为300～340nm，最小厚度为可以260～300nm，该厚度的上镀膜层42不易开裂，且颜色能够满足要求。此时，下镀膜层52的最大厚度可以为430～470nm，下镀膜层52的最小厚度可以为350nm～400nm，该厚度的下镀膜层52的颜色能够满足要求，从而使得后盖的颜色能够满足要求。

因此，本实施例中，将上镀膜层42中Nb与Si的比例减小，并使得上镀膜层42的厚度在合理的范围(例如上镀膜层42的最大厚度可以为300～340nm，最小厚度为可以260～300nm)时，能够降低上镀膜层42在光的作用下变色的风险、能够使得上镀膜层42的颜色满足用户的需求、能够降低上镀膜层42受冲击力作用时开裂的风险。

在一种具体实施例中，该上镀膜层42中Nb与Si的比例可以为0.8:1.1，上镀膜层42的最大厚度可以为320nm，最小厚度可以为280nm，该下镀膜层52中Nb与Si的比例可以为1.1:0.9，下镀膜层52的最大厚度可以为450nm，最小厚度可以为380nm。该实施例中，该后盖显示为从蓝色到紫色的渐变色，该后盖不易变色，且在受冲击力作用时不易开裂。

需要说明的是，以上镀膜层42为例，该上镀膜层42各处的厚度不完全相同，因此，该上镀膜层42具有厚度最大的位置和厚度最小的位置，因此，本实施例中，上镀膜层42的最大厚度指的是上镀膜层42中厚度最大的位置的厚度，上镀膜层42的最小厚度指的是上镀膜层42中厚度最小的位置的厚度。

另外，上述步骤S11中，对上基材层41进行PVD镀膜时，PVD镀膜工艺在保护气体的环境下进行，且在镀膜炉内，该保护气体的流量为最大量程的20％～50％，例如，该保护气体的流量可以为最大量程的30％。降低保护气体的流量后，使得上镀膜层42的致密度减小，从而进一步降低上镀膜层42在光的作用下变色的风险，但是，该上镀膜层42的硬度较大，在冲击力作用下存在开裂的风险。

为了降低上镀膜层42开裂的风险，本实施例中通过增大上UV层43的厚度实现，具体地，上UV层43的厚度增大为15～20μm，例如，上UV层43的厚度可以为16μm。增大上UV层43的厚度后，能够提高上UV层43对上镀膜层42的支撑和缓冲作用，从而降低上镀膜层42在冲击力作用下开裂的风险。

在一种具体实施例中，上述下UV层53的厚度也可以为15～20μm，即上UV层43与下UV层53的厚度可以相同，此时，能够进一步提高下镀膜层42下方的各层结构(上UV层43与下UV层53)对上镀膜层42的支撑作用和缓冲作用，从而进一步降低上镀膜层42开裂的风险。

为了降低上镀膜层42开裂的风险，本实施例中通过增大上UV层43的硬度实现。具体地，上UV层43的硬度大于1H，例如，上UV层43的硬度可以为2H。增大上UV层43的硬度后，能够提高上UV层43对上镀膜层42的支撑作用，从而降低上镀膜层42在冲击力作用下开裂的风险。

在一种具体实施例中，上述下UV层53的硬度也可以大于1H，即上UV层43与下UV层53的硬度可以相同，此时，能够进一步提高下镀膜层42下方的各层结构(上UV层43与下UV层53)对上镀膜层42的支撑作用，从而进一步降低上镀膜层42开裂的风险。

其中，具体可以通过改变UV胶的硬度来增大上UV层43和下UV层53的硬度。

在一种可能的设计中，上述步骤S11之后，该后盖的加工方法还可以包括：

S122：在下镀膜层2远离上层4的一侧涂覆油墨层54。

本实施例中，该油墨层54位于下镀膜层52的下方，用于吸收太阳光。其中，该油墨层54具体可以为白油墨，从而防止因油墨的存在影响上镀膜层42和下镀膜层52的镀膜后的颜色，改善后盖的颜色效果和质感。

另外，本实施例中，还能够通过调整白油墨的配方比例来提高油墨层54对太阳光的吸收率，从而进一步降低在光的作用下镀膜层发生变色的风险。

以上各实施例的步骤S11中，在进行PVD镀膜时，采用蒸发镀膜工艺或溅射镀膜工艺，从而使得镀膜层2具体为蒸发镀膜或溅射镀膜。

综上所述，与现有技术中上层采用彩色膜片或透明膜片印刷渐变色、下层增亮的工艺相比，本申请实施例在加工后盖时，其上层4和下层5均采用PVD镀膜的工艺，从而能够使得后盖具有更加丰富的颜色效果和金属质感，改善后盖的外观性能和用户体验。另外，通过改变PVD镀膜过程中的工艺参数，能够降低镀膜层2在光的作用下变色的风险，从而提高后盖和电子设备的使用寿命和用户体验。

另外，基于上述加工方法，本申请实施例提供一种后盖，如图2和图3所示，沿厚度方向H，该后盖依次包括层叠设置的玻璃盖板44、上基材层41(包括上光学胶412和上膜片411)、上UV层43、上镀膜层42、下基材层51(包括下光学胶512、下膜片511)、下UV层53、下镀膜层52和油墨层54。其中，上镀膜层42和下镀膜层52通过PVD镀膜工艺形成，用于形成后盖的渐变色和金属质感。上UV层43和下UV层53用于支撑上镀膜层42和下镀膜层52。

在一种具体实施例中，如图4所示，该后盖中，上镀膜层42和下镀膜层52在PVD镀膜过程中均采用溅射镀膜的工艺方式，从而使得该上镀膜层42和下镀膜层52均为溅射镀膜层21。

在另一种具体实施例中，如图5所示，该后盖中，上镀膜层42在PVD镀膜过程中采用溅射镀膜的工艺方式，下镀膜层52在PVD镀膜过程中采用蒸发镀膜的工艺方式，从而使得该上镀膜层42为溅射镀膜层21，下镀膜层52为蒸发镀膜层22。

因此，上述上镀膜层42可以为溅射镀膜层21或蒸发镀膜层22，上述下镀膜层52也可以为溅射镀膜层21或蒸发镀膜层22。

需要指出的是，本专利申请文件的一部分包含受著作权保护的内容。除了对专利局的专利文件或记录的专利文档内容制作副本以外，著作权人保留著作权。

Claims (16)

1.一种电子设备的后盖的加工方法，其特征在于，所述后盖包括上基材层和下基材层，所述加工方法包括：

对所述上基材层进行PVD镀膜，形成与所述上基材层层叠设置的上镀膜层，对所述下基材层进行PVD镀膜，形成与所述下基材层层叠设置的下镀膜层；

所述上镀膜层中Nb与Si的比例小于1.1:0.9。

2.根据权利要求1所述的电子设备的后盖的加工方法，其特征在于，所述上镀膜层中Nb与Si的比例为0.8:1.2；

所述下镀膜层中Nb与Si的比例为1.1:0.9。

3.根据权利要求1所述的电子设备的后盖的加工方法，其特征在于，在保护气体的环境下对所述上基材层进行PVD镀膜，且保护气体的流量为最大量程的20％～50％。

4.根据权利要求3所述的电子设备的后盖的加工方法，其特征在于，在保护气体的环境下对所述上基材层进行PVD镀膜，且保护气体的流量为最大量程的30％。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的电子设备的后盖的加工方法，其特征在于，在对所述上基材层进行PVD镀膜，形成与所述上基材层层叠设置的上镀膜层，对所述下基材层进行PVD镀膜，形成与所述下基材层层叠设置的下镀膜层之前，所述后盖的加工方法还包括：

对所述上基材层进行UV拉丝，形成上UV层，从而形成包括所述上基材层、所述上UV层和所述上镀膜层的上层，对所述下基材层进行UV拉丝，形成下UV层，从而形成包括所述下基材层、所述下UV层和所述下镀膜层的下层。

6.根据权利要求5所述的电子设备的后盖的加工方法，其特征在于，对所述下基材层进行UV拉丝之后，所述后盖的加工方法还包括：

在所述下镀膜层远离所述上基材层的一侧涂覆油墨层。

7.根据权利要求1～4中任一项所述的电子设备的后盖的加工方法，其特征在于，进行PVD镀膜时，采用蒸发镀膜工艺或溅射镀膜工艺。

8.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括后盖，所述后盖包括沿其厚度方向层叠设置的上层和下层；

所述上层包括层叠设置的上基材层和上镀膜层，所述下层包括层叠设置的下基材层和下镀膜层；

其中，所述上镀膜层和所述下镀膜层通过PVD镀膜形成，且所述上镀膜层中Nb与Si的比例小于1.1:0.9。

9.根据权利要求8所述的电子设备，其特征在于，所述上镀膜层中Nb与Si的比例为0.8:1.2；

所述下镀膜层中Nb与Si的比例小于1.1:0.9。

10.根据权利要求8所述的电子设备，其特征在于，所述上镀膜层的最大厚度为300～340nm，最小厚度为260～300nm。

11.根据权利要求8所述的电子设备，其特征在于，所述下镀膜层的最大厚度为430～470nm，最小厚度为350nm～400nm。

12.根据权利要求8所述的电子设备，其特征在于，所述上镀膜层的最大厚度为320nm，最小厚度为280nm；

所述下镀膜层的最大厚度为450nm，最小厚度为380nm。

13.根据权利要求8～12中任一项所述的电子设备，其特征在于，所述后盖还包括上UV层和下UV层；

沿所述后盖的厚度方向，所述上UV层位于所述上基材层与所述上镀膜层之间，所述下UV层位于所述下基材层和所述下镀膜层之间。

14.根据权利要求13所述的电子设备，其特征在于，所述上UV层的厚度为15～20μm；

所述下UV层的厚度为15～20μm。

15.根据权利要求14所述的电子设备，其特征在于，所述上UV层的厚度为16μm，所述下UV层的厚度为16μm。

16.根据权利要求8～12中任一项所述的电子设备，其特征在于，所述后盖还包括油墨层，所述油墨层位于所述下镀膜层的远离所述上镀膜层的一侧。

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