CN206109527U - 一种银灰色陶瓷片 - Google Patents

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周群飞
饶桥兵
聂崇彬
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Abstract

本实用新型提供一种银灰色陶瓷片，包括黑色或白色的陶瓷基片，以及位于基片一面依次镀设的过渡层、第一介质材料层、第二介质材料层和第三介质材料层，且过渡层为硅层，第一介质材料层和第三介质材料层的镀膜材料均为选自五氧化三钛和五氧化二铌中的一种，第二介质材料层的镀膜材料为二氧化硅。本实用新型提供的银灰色陶瓷片用于手机、遥控器、电脑等电器和仪表、玩具等产品的前后盖面板中，具有外观美艳夺目，颜色持久耐用且不褪色的效果，且所述银灰色陶瓷片不影响电信号的收发、耐酸碱、耐脏污，本专利相应的工艺和产品均稳定可靠，该产品完全可以大批量、大规模生产，填补了市场空白，满足了用户的高需求。

Description

一种银灰色陶瓷片
技术领域
本实用新型涉及陶瓷片的制备领域，具体涉及一种银灰色陶瓷片，其广泛应用于手机、遥控器、电器、仪表、玩具以及航空等产品领域。
背景技术
银灰色陶瓷片具有美好的外观而越来越受到消费者青睐，而本领域现有的陶瓷基片一般呈黑色或白色。因而开发一种成本低、能稳定地大规模生产且耐磨擦、不褪色和不掉色、耐酸碱、耐脏污、不干扰电磁波的接收与发射的银灰色陶瓷片是本领域需要解决的问题。
实用新型内容
因此，本实用新型提供一种银灰色陶瓷片，包括黑色或白色的陶瓷基片，以及位于基片一面依次镀设的过渡层、第一介质材料层、第二介质材料层和第三介质材料层，且过渡层为硅层，第一介质材料层和第三介质材料层的镀膜材料均为选自五氧化三钛和五氧化二铌中的一种，第二介质材料层的镀膜材料为二氧化硅。
在一种具体的实施方式中，所述过渡层的厚度为5～55nm。
在一种具体的实施方式中，所述第一介质材料层和第三介质材料层均为五氧化二铌层。在一种具体的实施方式中，所述第一介质材料层的厚度为1～12nm，所述第三介质材料层的厚度为12～52nm。
在一种具体的实施方式中，所述第二介质材料层的厚度为65～220nm。
在一种具体的实施方式中，所述陶瓷基片的厚度为0.15～5mm。
本专利在黑色或白色陶瓷基片的表面镀设银灰色的膜层，成功获取一种外观美艳且性能稳定的银灰色陶瓷片，填补了市场的空白，满足了市场需求。
经测试发现，本实用新型提供的银灰色陶瓷片耐磨擦、不褪色和不掉色、耐酸碱、耐脏污、不干扰电磁波的接收与发射。
本领域技术人员能理解的，所述镀膜材料均可以通过商购获取。
在一种具体的实施方式中，将已经清洗干净、无污染并检验合格的陶瓷基片放进真空溅射镀膜机内，通过真空溅射镀膜机镀制出所需要的银灰色膜层，其成膜条件是将真空抽真空到1×10-4Pa左右或以上，基片表面加温到120℃左右进行强离子轰击清洁后直接通过调配相关的镀膜参数，先镀设过渡层硅层，再镀制光学介质层来实现其目标。
有益效果：本实用新型提供的银灰色陶瓷片用于手机、遥控器、电脑等电器和仪表、玩具等产品的前后盖面板中，具有外观美艳夺目，颜色持久耐用且不褪色的效果，且所述银灰色陶瓷片不影响电信号的收发、耐酸碱、耐脏污，本专利相应的工艺和产品均稳定可靠，该产品完全可以大批量、大规模生产，填补了市场空白，满足了用户的高需求。
附图说明
图1为本实用新型所述银灰色陶瓷片的结构示意图。
具体实施方式
如图1所示，本专利提供一种银灰色陶瓷片，包括黑色或白色的陶瓷基片10，以及位于基片一面依次镀设的过渡层1、第一介质材料层2、第二介质材料层3和第三介质材料层4，且过渡层1为硅层，第一介质材料层2和第三介质材料层4的镀膜材料均为选自五氧化三钛和五氧化二铌中的一种，第二介质材料层3的镀膜材料为二氧化硅。
本专利中，在黑色或白色的陶瓷基片的正面(用户接触面)上先镀设一层硅，再依次镀设所述膜层后所得的陶瓷片即为银灰色陶瓷片。本身白色的陶瓷基片在沉积一定厚度的硅膜层后陶瓷片的颜色转为显示黑色。因此，若陶瓷基片本身为白色时，所述硅层略厚，例如为30nm，而当所述陶瓷基片本身为黑色时，所述硅层相应地可以略薄，例如为20nm厚。
本专利中，制备所述银灰色陶瓷片的过程中，在镀膜前需要对所述陶瓷片进行等离子轰击清洁，且清洁温度例如为100～150℃。在等离子轰击清洁后依次镀设所述膜层，所得的银灰色陶瓷片不会出现掉膜现象，产品质量稳定可靠。
在一种具体的实施方式中，所述过渡层的厚度为5～55nm。
在一种具体的实施方式中，所述第一介质材料层和第三介质材料层均为五氧化二铌层。在一种具体的实施方式中，所述第一介质材料层的厚度为1～12nm，所述第三介质材料层的厚度为12～52nm。
在一种具体的实施方式中，所述第二介质材料层的厚度为65～220nm。
本专利中，所述陶瓷基片的厚度一般不受限制，根据客户的要求准备即可，所述陶瓷基片的厚度例如为0.15～5mm，具体例如为0.8mm。
所述银灰色陶瓷片的制备方法如下。
采用新科隆真空溅射镀膜机进行镀制为例：将黑色或白色陶瓷基片洗净，使其表面保证无污染，用治具将其装置在镀膜机的伞具上，放进真空镀膜机内进行抽气，当抽真空到达1.0×10-4Pa左右或以上，基片表面加温到120℃左右进行强离子清洁处理并通过调配相关的镀膜参数，进行溅射镀膜沉积相关的材料，其沉积膜厚及顺序为：黑白陶瓷片→Si层5～55nm→Nb2O5层1～12nm→SiO2层65～220nm→Nb2O5层12～52nm。
同样的，采用本实用新型所述每层中任选的其它材料同样可以制备得到银灰色陶瓷片，但每层所用材料改变时，可能需要相应调整各膜层的厚度值，以制备得到理想光泽的银灰色陶瓷片。
以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，对于本领域的技术人员来说，本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (6)

1.一种银灰色陶瓷片，包括黑色或白色的陶瓷基片(10)，以及位于基片一面依次镀设的过渡层(1)、第一介质材料层(2)、第二介质材料层(3)和第三介质材料层(4)，且过渡层(1)为硅层，第一介质材料层(2)和第三介质材料层(4)的镀膜材料均为选自五氧化三钛和五氧化二铌中的一种，第二介质材料层(3)的镀膜材料为二氧化硅。
2.根据权利要求1所述陶瓷片，其特征在于，所述过渡层(1)的厚度为5～55nm。
3.根据权利要求1所述陶瓷片，其特征在于，所述第一介质材料层(2)和第三介质材料层(4)均为五氧化二铌层。
4.根据权利要求3所述陶瓷片，其特征在于，所述第一介质材料层(2)的厚度为1～12nm，所述第三介质材料层(4)的厚度为12～52nm。
5.根据权利要求1～4中任意一项所述陶瓷片，其特征在于，所述第二介质材料层(3)的厚度为65～220nm。
6.根据权利要求1～4中任意一项所述陶瓷片，其特征在于，所述陶瓷基片的厚度为0.15～5mm。
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