CN113808898A - 耐等离子体腐蚀零部件和反应装置及复合涂层形成方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及半导体加工技术领域，具体公开了一种耐等离子体腐蚀零部件，零部件本体表面具有复合涂层，复合涂层包括磁性涂层和耐等离子体腐蚀涂层。本发明提供的零部件和反应装置，其表面具有磁性涂层和耐等离子体腐蚀涂层形成的复合涂层，通过磁性涂层的磁场作用改变等离子腔体内的电子、离子的运动方向，降低其对部件表面的法相轰击作用，避免耐等离子体腐蚀涂层产生微颗粒污染，并通过耐等离子体腐蚀涂层对部件进行防护，解决了目前涂层在先进制程中逐渐表现出失效的微颗粒污染问题。进一步地，还公开了一种制备具有该复合涂层的零部件的方法。

Description

耐等离子体腐蚀零部件和反应装置及复合涂层形成方法

技术领域

本发明涉及半导体加工技术领域，尤其涉及一种耐等离子体腐蚀的零部件和反应装置，以及一种复合涂层的形成方法。

背景技术

这里的陈述仅提供与本发明有关的背景技术，而并不必然地构成现有技术。

在半导体器件的制造过程中，等离子刻蚀是将晶圆加工成设计图案的关键工艺。

在典型的等离子体刻蚀工艺中，工艺气体(如CF₄、O₂等)在射频(Radio Frequency，RF)激励作用下形成等离子体。这些等离子体在电场的作用下与晶圆表面发生物理轰击作用及化学反应，从而将晶圆刻蚀出具有特定的结构，完成刻蚀工序。

发明人发现现有技术中至少存在如下问题：

最新的5nm制程中等离子体刻蚀工艺步骤数占总比已提升至17％以上，功率提高到10kW以上。先进刻蚀制程工艺的功率和步骤的大幅提升，要求等离子体刻蚀腔室内的部件具有更高的耐等离子体腐蚀性能，产生更少的微颗粒污染及金属污染源，进一步保障刻蚀设备工艺的稳定性和可重复性。目前普遍技术中含钇(Y₂O₃、YF₃等)涂层在先进制程(10nm以下)中逐渐表现出失效的微颗粒污染，不能满足更高制程要求。

如何降低涂层因等离子体腐蚀而形成的微颗粒污染的风险，对提升半导体刻蚀工艺水平将具有重要意义。

发明内容

本发明的第一个目的在于提供一种耐等离子体腐蚀零部件，以降低真空腔体内的颗粒污染，提升工件寿命。

为了实现上述目的，本发明提供的技术方案为：

一种耐等离子体腐蚀零部件，包括零部件本体，所述零部件本体表面具有复合涂层，所述复合涂层包括磁性涂层和耐等离子体腐蚀涂层，所述磁性涂层设于所述零部件本体表面和所述耐等离子体腐蚀涂层之间。

上述零部件表面的复合涂层具有磁性和防护的两种功能，复合涂层产生的磁场能够改变等离子体反应腔室内电子、离子的运动方向，降低其对零件表面的轰击作用，避免涂层产生微小颗粒，另一方面该复合涂层外层结构致密，能够起到很好的防护作用，避免零部件受到等离子体的腐蚀。

进一步地，所述磁性涂层材料包括钐钴磁体、钕铁硼磁体、铁氧体磁体、铁钴磁体，铝镍钴磁体、铁铂合金磁体中的至少一种。选用的这些材料都可以附加磁性。

进一步地，所述耐等离子体腐蚀涂层材料包括稀土元素Y、Sc、La、Ce、Pr、Nd、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中的至少一种。耐腐蚀涂层具有致密特性，抗腐蚀性能好，不易脱落。

进一步地，所述耐等离子体腐蚀涂层包括稀土元素Y、Sc、La、Ce、Pr、Nd、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu的氧化物，氟化物或氟氧化物中的至少一种。上述稀土元素的具体表现形式一般为氧化物，氟化物，氟氧化物，可以根据具体等离子体反应制程中F/O比例来选择。

进一步地，所述磁性涂层的厚度小于等于100μm。磁性涂层的目的在于提供磁场，改变等离子体反应腔室(主要是靠近腔室内壁表面)电子、离子的运动方向。

本发明第二个目的在于提供一种上述复合涂层的形成方法，包括以下步骤：

将一零部件本体置于一处理腔内，在所述零部件本体表面涂覆第一涂层，该涂层为磁性涂层；

在第一涂层表面涂覆第二涂层，该涂层为耐等离子体腐蚀涂层；

为第一涂层附加磁性。

进一步地，所述第一涂层的涂覆方法包括悬涂、喷涂、CVD、PVD、ALD、气溶胶沉积法中的至少一种。

进一步地，所述第二涂层的涂覆方法包括CVD、ALD、PVD中的至少一种。这几种方法得到的第二涂层具有高致密的特性，具有高致密特性的涂层才能防等离子体腐蚀的作用。

进一步地，所述第二涂层的致密度大于等于99％，第二涂层的致密度在这个范围内，防护效果较好。

进一步地，所述附加磁性的方法为通过在零部件本体背面设置N型或S型永磁体，或者通过脉冲磁场、直流磁场、交变磁场中的一种或多种组合的方式附加磁性。根据永磁体的磁力分布，一般强度高磁力线密集的端面进行磁化，因此在背面设置N型或S型永磁体对第一涂层附加磁性的效果较好。

进一步地，所述附加磁性的磁场方向通过改变N型或S型永磁体在零部件本体背面的设置位置来改变。

进一步地，所述附加磁性的磁场方向与零部件本体表面呈一夹角。

进一步地，所述夹角为范围为0～90°。

通过调整N型或S型永磁体在零部件本体背面的设置位置来改变附加磁性的磁场方向，使磁场方向和零部件本体表面呈一定的夹角，夹角范围为0～90°，在该范围内，能够改变大多数等离子反应腔室内到达内壁表面的电子、离子等的运动方向，削弱电子、离子对涂层表面的轰击作用，降低腐蚀作用。

上述方法获得的零部件，表面具有复合涂层，该复合涂层具有磁性和防护两种特性，在等离子体的轰击下不易脱落，减小反应腔内微小颗粒的污染。

本发明第三个目的在于提供一种等离子体反应装置，包括一真空反应腔和上述的耐等离子体腐蚀零部件。

进一步地，所述真空反应腔的内部腔壁表面具有所述复合涂层。反应腔内部腔壁表面暴露于等离子环境中，其表面涂覆上述方法获得的涂层，有利于增强对反应腔的防护，提高真空反应腔的服役寿命。

进一步地，所述等离子体反应装置为电感耦合等离子体处理装置，所述耐等离子体腐蚀零部件包括内衬套，覆盖环，聚焦环，绝缘环，等离子体约束环中的一种或多种。这些零部件暴露在等离子环境中工作，表面涂覆上述复合涂层进行防护，得到的涂层不易脱落，减小了内部腔体环境污染的风险，增加了零部件的服役寿命。

进一步地，所述等离子体反应装置为电容耦合等离子体处理装置，所述耐等离子体腐蚀零部件包括气体喷淋头、上接地环，下接地环，移动环，覆盖环，聚焦环，绝缘环，等离子体约束环中的一种或多种。这些零部件暴露在等离子环境中工作，表面涂覆上述复合涂层进行防护，得到的涂层不易脱落，减小了内部腔体环境污染的风险，增加了零部件的服役寿命。

上述等离子体反应装置的反应腔内部腔壁表面和耐等离子体腐蚀零部件的表面的复合涂层具有磁性和防护两种功能，在等离子体的轰击下不易脱落，减小反应腔内微小颗粒的污染。

本发明的有益效果：

本发明提供的耐等离子体腐蚀零部件和反应装置的真空腔体，其表面具有磁性涂层和耐等离子体腐蚀涂层形成的复合涂层，通过磁性涂层的磁场改变等离子腔体内的电子、离子的运动方向，令其呈螺旋线运动，使得运动时间增加，电子、离子的碰撞复合概率增加，从而使得对零部件本体轰击的等离子数目减少，另一方面，随着电子、离子逐渐接近零部件本体，磁场强度逐渐增大，电子、离子的螺旋线运动半径更小，其运动速度方向更加偏离法向，由此对零部件本体的正面轰击作用大大降低。本发明提供的涂层大大降低了零部件表面和真空腔体表面所受到的电子、离子沿法向的正面轰击作用，因而可以降低耐等离子腐蚀涂层发生腐蚀的概率，降低真空腔体产生微小颗粒的来源，进而减少微小颗粒的污染，提高等离子体真空腔体应用制程水平。

本发明提供了一种复合涂层形成方法。所述方法能够在等离子体刻蚀零部件表面和反应装置的真空腔体表面形成一种复合耐腐蚀涂层，这种涂层具有磁性，其产生的磁场能够改变电子、离子的运动方向，减少对零部件本体轰击的等离子数目和法相轰击强度，从而降低涂层受到的等离子体腐蚀，进而减少微小颗粒的污染，满足更高制程刻蚀要求。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。

图1是一种普通涂层受等离子体轰击产生微颗粒污染示意图；

图2是本发明的复合涂层制备流程示意图；

图3是本发明的磁性涂层涂覆示意图；

图4是本发明的耐等离子体腐蚀涂层涂覆示意图；

图5是本发明的磁性涂层附加磁性的示意图；

图6是本发明的耐等离子体腐蚀零部件横截面示意图；

图7是本发明的复合涂层改善等离子体轰击示意图；

图8是本发明一种等离子体反应装置的结构示意图；

图9是本发明另一种等离子体反应装置的结构示意图。

附图标记：

100-衬底；101-复合涂层；102-第一涂层；103-第二涂层；

200-处理腔；

301-第一靶材；302-第二靶材；

400-增强源；

500-N型或S型永磁体；

601-衬套；602-气体喷嘴；603-静电卡盘；604-聚焦环；605-绝缘环；606-覆盖环；607-等离子体约束环；608-反应腔顶壁；609-反应腔；610-基座；611-气体供应装置；612-气体喷淋头；

701-等离子体；702-基座；703-晶圆；704-电子或离子；705-微小颗粒；

W-基片。

具体实施方式

等离子体反应装置包括真空反应腔，反应腔内为等离子体环境，零部件暴露在等离子体环境中，由于等离子体具有较强的腐蚀性，因此，需要在零部件本体表面涂覆耐腐蚀涂层，以阻挡等离子体对零部件本体的腐蚀，保护反应腔内的零部件。一般而言，含钇(Y₂O₃、YF₃等)涂层在先进制程(10nm以下)中逐渐表现出失效的微颗粒污染，不能更好满足制程需求。这是因为，为了满足不断缩小的线宽要求，等离子体刻蚀制程工艺中采用的功率和步骤大幅提升，如图1所示，含钇涂层受到的等离子体的物理轰击和化学腐蚀强度大幅增强，作用时间大幅延长，使得含钇涂层本体开始发生腐蚀，在腔体侧部等产生微小颗粒，散落在腔体侧壁、顶部甚至衬底上，形成污染。在这些微小颗粒的形成过程中，涂层主要受到电子、离子从各个方向的轰击作用，包括偏离衬底法向和平行于衬底法向方向。改善来自这些偏离法向方向的电子或离子704轰击作用，可以降低零部件表面涂层发生腐蚀的概率，降低刻蚀腔体产生微小颗粒705的来源，进而减少微小颗粒705的污染。图中701指的是等离子体，702指的是基座，703指晶圆。

为了解决上述技术问题，本发明提出了一种能够改善等离子腔体内偏离法向方向的电子、离子轰击现象的零部件和反应装置，以及在零部件表面和反应装置腔体内壁表面涂覆一种复合涂层的方法。

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要说明，本发明实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。

还需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件上时，它可以直接在另一个元件上或者可能同时存在居中元件。当一个元件被称为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接另一个元件或者可能同时存在居中元件。

另外，在本发明中涉及“第一”“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。

图2为本发明在等离子刻蚀零部件表面或者反应装置的真空腔体表面涂覆复合涂层的方法流程图。

请参考图2，该方法在制备涂层装置的处理腔内进行，具体包括以下步骤：

11、将衬底100置于处理腔内

衬底100为等离子刻蚀零部件本体或者为反应装置的真空腔体壁，等离子刻蚀零部件或者反应装置的真空腔体壁在工作时暴露于等离子环境中，需要涂覆耐腐蚀涂层进行防护；

12、在衬底100表面涂覆第一涂层102

涂覆的第一涂层102为磁性涂层，涂覆方法为气体镀膜方法，包括悬涂、喷涂、PVD、CVD、ALD、气溶胶沉积法等方法，

具体地，以PVD方法为例，如图3所示为本实施例的涂覆方法示意图，第一涂层102涂覆在处理腔200内进行，处理腔200内设有第一靶材301，第一靶材301经过激发形成分子流，经过增强源400的作用在衬底100表面形成致密的第一涂层102，其中激发方式可以为等离子体，离子束，电子束，激光或热方式中的一种或多种方式组合，

在实际情况中，由于第一涂层102的目的在于提供磁场，不需要高的致密度，因此选用其他普通涂覆方式也合适，以上所用PVD方法涂覆仅为具体说明一种涂覆方法，不作为优选方案；

13、在第一涂层102表面涂覆第二涂层103

涂覆的第二涂层103为耐等离子体耐腐蚀涂层，涂覆方法包括CVD、ALD、PVD等方法，优选地，第二涂层103致密性越高，耐腐蚀性效果越好。

具体地，以PVD方法为例，如图4所示为本实施例的涂覆方法示意图，第二涂层103涂覆在处理腔200内进行，该步骤中的处理腔可以为制备第一涂层102的同一处理腔，也可以是不同处理腔，处理腔200内设有第二靶材302，第二靶材302经过激发形成分子流，经过增强源400的作用在第一涂层102的表面形成致密的第二涂层103，第一涂层102和第二涂层103形成复合涂层101，激发方式包括等离子体，离子束，电子束，激光或热方式等中的至少一种。

14、为第一涂层102附加磁性

附加磁性的方式包括通过永磁体、脉冲磁场、直流磁场、交变磁场等至少一种方式附加磁性，

具体地，如图5所示为本实施例的附加磁性方法示意图，通过在衬底100背面设置N型或S型永磁体500为第一涂层102附加磁性，在背面设置N型或S型永磁体500对第一涂层102附加磁性如图6所示，磁场方向和衬底100之间呈一定夹角105，夹角范围选用0～90°，在该范围内，产生磁场效果能够改变到达等离子体反应腔室内壁表面绝大多数的电子、离子的运动方向。所述N型或S型永磁体500为钐钴磁体、钕铁硼磁体、铁氧体磁体、铁钴磁体、铝镍钴磁体和铁铂合金磁体等中的至少一种。

至此，获得一种具有磁性和耐腐蚀特性的复合涂层101。其中第一涂层102的作用为提供磁场，改变到达等离子体反应腔内壁表面的电子、离子的轰击方向并发生偏转，降低第二涂层103受到的法相轰击作用；第二涂层103的作用为耐等离子体轰击，保护第一涂层102和衬底100不受等离子体腐蚀。

需要说明的是，上述方法中为第一涂层102附加磁性的步骤14不限定于在涂覆第二涂层103之后，其步骤也可以在涂覆第一涂层102之后，涂覆第二涂层103之前。

图6为本发明衬底100的横截面示意图。

请参考图6，图中衬底100为耐等离子体腐蚀零部件或者为等离子体反应装置的真空反应腔内部腔壁，在衬底100表面具有复合涂层101，该复合涂层101包含的两种涂层，分别为第一涂层102(磁性涂层)和第二涂层103(耐等离子体腐蚀涂层)，并且第一涂层102(磁性涂层)设置于衬底100和第二涂层103(耐等离子体腐蚀涂层)之间，第一涂层102(磁性涂层)覆盖衬底100表面，第二涂层103(耐等离子体腐蚀涂层)覆盖第一涂层102(磁性涂层)表面。

第一涂层102(磁性涂层)以及上述方法中的第一靶材301选用能够附加磁性的材质，例如钐钴磁体、钕铁硼磁体、铁氧体磁体、铁钴磁体，铝镍钴磁体、铁铂合金磁体等材料中的至少一种。选用这种材质的目的在于能够附加磁性并且附加磁性后能够产生磁场。第一涂层102(磁性涂层)的厚度不大于100μm，第一涂层102(磁性涂层)的目的在于提供磁场，其致密度30％以上即可。

第二涂层103(耐等离子体腐蚀涂层)以及上述方法中的第二靶材302的材质包含稀土元素Y、Sc、La、Ce、Pr、Nd、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu，第二涂层103(耐等离子体腐蚀涂层)材质可以是包含上述元素的一种化合物，也可以是不同的化合物的组合，例如选用上述稀土元素的氧化物、氟化物、氟氧化物中的一种或多种。第二涂层103(耐等离子体腐蚀涂层)要承受等离子体的轰击，尽量少的产生微小颗粒污染物，因此其致密度优选99％以上。

在等离子体反应装置的真空腔体中，腔体内壁和零部件表面涂覆有第一涂层102(磁性涂层)和第二涂层103(耐等离子体腐蚀涂层)，其中第一涂层102(磁性涂层)的磁场强度方向与衬底100表面存在夹角105。请参考图7，在受到来自电子或离子704偏离法向方向的作用时，由于受到磁场的洛伦兹力，这些电子或离子704将会偏离直线运动，变为具有半径为r＝mv*sinθ/eB(其中m为电子、离子质量，B为磁感应强度,θ为速度v与B之间的夹角)的螺旋线运动方式。一方面，电子或离子704的螺旋线运动方式，使得运动时间增加，电子、离子的碰撞复合概率增加，使得能对涂覆了复合涂层的零部件轰击的数目减少；另一方面，随着电子或离子704逐渐接近涂覆了复合涂层的零部件，B逐渐增大，电子、离子的螺旋线运动半径更小，速度方向更加偏离法向方向，由此对衬底100的法相轰击作用大大降低。这样就大大降低了涂覆了复合涂层的零部件受到的电子或离子704法向轰击作用，降低衬底100表面第二涂层103(耐等离子体腐蚀涂层)发生腐蚀的概率，进一步降低真空腔体产生微小颗粒705的来源，进而减少微小颗粒705的污染。

等离子体反应装置具体包括电感耦合等离子体处理装置或电容耦合等离子体处理装置。如图8所示，当等离子体反应装置为电感耦合等离子体处理装置时，其包含的耐等离子体腐蚀零部件有内衬套，覆盖环，聚焦环，绝缘环，等离子体约束环等零部件。如图9所示，当等离子体反应装置为电容耦合等离子体处理装置时，其包含的耐等离子体腐蚀零部件有气体喷淋头、上接地环，下接地环，移动环，覆盖环，聚焦环，绝缘环，等离子体约束环等零部件。

等离子体反应装置真空腔体内部腔壁以及内部的等离子体刻蚀零部件暴露于等离子环境中，表面需要涂覆上述复合涂层101以防止等离子体的腐蚀。

图8是本发明一种等离子体反应装置的结构示意图。

等离子体反应装置包括：反应腔609，反应腔609内为等离子体环境；零部件和反应腔内部腔壁暴露于等离子体环境中。

等离子体反应装置还包括：基座610，基座610用于承载待处理基片W，等离子体用于对待处理基片W进行处理。由于等离子体具有较强的腐蚀性，为了防止零部件的表面和反应腔609内部腔壁被等离子体腐蚀，因此需要在零部件的表面和反应腔609内部腔壁涂覆复合涂层101。

具体地，图8所示的等离子体反应装置为电感耦合等离子体处理装置，相应的，暴露于等离子体环境中的零部件包括：衬套601、气体喷嘴602、静电卡盘603、聚焦环604、绝缘环605、覆盖环606、等离子体约束环607、反应腔顶壁608或气体连接法兰(图未示)。

综上所述，上述方法获得的耐等离子体腐蚀零部件和反应装置表面覆有复合涂层，复合涂层具有磁性和耐腐蚀两种特性，能够使得衬底100所受电子、离子的轰击偏离法相为螺旋线运动方式，降低涂层所受法相轰击强度，降低因涂层失效而引起的微颗粒污染，满足更高制程刻蚀要求。

以上所述仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是在本发明的发明构思下，利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (17)

1.一种耐等离子体腐蚀零部件，其特征在于，包括零部件本体，所述零部件本体表面具有复合涂层，所述复合涂层包括磁性涂层和耐等离子体腐蚀涂层，所述磁性涂层设于所述零部件本体表面和所述耐等离子体腐蚀涂层之间。

2.根据权利要求1所述的一种耐等离子体腐蚀零部件，其特征在于，所述磁性涂层材料包括钐钴磁体、钕铁硼磁体、铁氧体磁体、铁钴磁体、铝镍钴磁体、铁铂合金磁体中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的一种耐等离子体腐蚀零部件，其特征在于，所述耐等离子体腐蚀涂层材料包括稀土元素Y、Sc、La、Ce、Pr、Nd、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的一种耐等离子体腐蚀零部件，其特征在于，所述耐等离子体腐蚀涂层包括稀土元素Y、Sc、La、Ce、Pr、Nd、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu的氧化物、氟化物或氟氧化物中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的一种耐等离子体腐蚀零部件，其特征在于，所述磁性涂层的厚度小于等于100μm。

6.一种如权利要求1-5任一所述的复合涂层的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：

将一零部件本体置于一处理腔内，在所述零部件本体表面涂覆第一涂层，该涂层为磁性涂层；

在第一涂层表面涂覆第二涂层，该涂层为耐等离子体腐蚀涂层；

为第一涂层附加磁性。

7.根据权利要求6所述的一种复合涂层形成方法，其特征在于，所述第一涂层的涂覆方法包括悬涂、喷涂、PVD、CVD、ALD、气溶胶沉积法中的至少一种。

8.根据权利要求6所述的一种复合涂层形成方法，其特征在于，所述第二涂层的涂覆方法包括CVD、ALD、PVD中的至少一种。

9.根据权利要求6所述的一种复合涂层形成方法，其特征在于，所述第二涂层的致密度大于等于99％。

10.根据权利要求6所述的一种复合涂层形成方法，其特征在于，所述附加磁性的方法为通过在零部件本体面设置N型或S型永磁体，或者通过脉冲磁场、直流磁场、交变磁场中的一种或多种组合的方式附加磁性。

11.根据权利要求10所述的一种复合涂层形成方法，其特征在于，所述附加磁性的磁场方向通过改变N型或S型永磁体在零部件本体背面的设置位置来改变。

12.根据权利要求6所述的一种复合涂层形成方法，其特征在于，所述附加磁性的磁场方向与零部件本体表面呈一夹角。

13.根据权利要求12所述的一种复合涂层形成方法，其特征在于，所述夹角为范围为大于等于0°，小于等于90°。

14.一种等离子体反应装置，其特征在于，包括一真空反应腔和如权利要求1-5任一所述的耐等离子体腐蚀零部件。

15.根据权利要求14所述的一种等离子体反应装置，其特征在于，所述真空反应腔的内部腔壁表面具有如权利要求6-15任一所述的复合涂层形成方法获得的复合涂层。

16.根据权利要求14所述的一种等离子体反应装置，其特征在于，所述等离子体反应装置为电感耦合等离子体处理装置，所述耐等离子体腐蚀零部件包括内衬套，覆盖环，聚焦环，绝缘环，等离子体约束环中的一种或多种。

17.根据权利要求14所述的一种等离子体反应装置，其特征在于，所述等离子体反应装置为电容耦合等离子体处理装置，所述耐等离子体腐蚀零部件包括气体喷淋头、上接地环，下接地环，移动环，覆盖环，聚焦环，绝缘环，等离子体约束环中的一种或多种。

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