CN113808935B - 耐腐蚀涂层形成方法和装置、等离子体零部件和反应装置 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及半导体加工技术领域，具体公开了一种耐腐蚀涂层形成方法，通过在制备涂层装置中的真空反应腔内设置多个增强源，调控分子流的运动方向，解决了现有技术中衬底侧壁涂层结构疏松，容易脱落的缺陷；进一步地，本发明还提供了一种等离子刻蚀零部件和反应装置，通过所述涂层形成方法在反应装置的反应腔内壁表面和等离子刻蚀零部件表面进行耐腐蚀涂层涂覆，得到在不同特征表面都具有结构致密的耐腐蚀涂层涂覆的等离子刻蚀零部件；所述零部件应用在等离子体反应装置中，由于其表面涂层结构致密不易脱落，从而提高了工件服役寿命，提升了刻蚀腔体环境的稳定性，并进一步提高了半导体刻蚀良率。
Description
技术领域
本发明涉及半导体加工技术领域，尤其涉及一种耐腐蚀涂层的形成方法，实现该方法的设备，以及等离子体刻蚀零部件和反应装置。
背景技术
这里的陈述仅提供与本发明有关的背景技术，而并不必然地构成现有技术。
在半导体器件的制造过程中，等离子刻蚀是将晶圆加工成设计图案的关键工艺。
在典型的等离子体刻蚀工艺中，工艺气体(如CF4、O2等)在射频(Radio Frequency，RF)激励作用下形成等离子体。这些等离子体与晶圆表面发生物理轰击作用及化学反应，从而将晶圆刻蚀出具有特定的结构，完成刻蚀工序。
发明人发现现有技术中至少存在如下问题：
对于处在刻蚀腔体内的工件而言，通常会涂覆一些耐等离子体腐蚀的涂层(例如，Y2O3涂层)以保护工件不被腐蚀。涂层与工件的结合力越强，工件在刻蚀腔体中耐腐蚀性能越稳定。对于具有大平面工件而言，在涂覆涂层的过程中，涂层粒子与工件以法相轰击形成涂层，具有良好的结合力；而对于同时具有大平面和台阶的工件而言，涂层粒子偏离法相方向轰击台阶侧壁，形成的涂层与工件结合力较弱。在刻蚀腔体中，侧壁上的涂层在高强度等离子体的作用下，可能首先发生脱落，形成微小颗粒造成污染，造成刻蚀良率下降。
如何在具有台阶的工件上有效涂覆高致密的涂层，降低涂层脱落风险，对提升刻蚀腔体环境稳定性，提高工件服役寿命，提升半导体刻蚀良率，将具有重要意义。
发明内容
本发明的第一个目的在于提供一种耐腐蚀涂层的形成方法，以解决涂层容易脱落的技术问题，提升工件服役寿命。
为了实现上述目的，本发明提供的技术方案为：一种耐腐蚀涂层形成方法，所述方法在一真空反应腔内进行，包括以下步骤：
在所述反应腔内放置衬底，所述衬底包括第一表面以及第二表面，所述第一表面和第二表面呈第一夹角；
在所述反应腔内设置靶材，激发所述靶材提供分子流用于对所述衬底进行镀膜；
在所述反应腔内设置至少两个增强源，所述增强源增强分子流能量，所述增强源中至少有一个增强源既增强靶材提供的分子流能量，还改变分子流运动方向；
所述分子流在所述第一表面和第二表面沉积形成耐腐蚀涂层。
上述方法通过增加增强源的数量改变靶材分子流的运动方向，使得衬底表面耐腐蚀涂层晶粒的生长的方向与衬底的法线方向平行，这种结构的涂层与衬底结合力强，不易脱落，减小刻蚀腔体内部环境的颗粒污染。
进一步地，所述增强源包括第一增强源和第二增强源，所述第一增强源将靶材提供的分子流以预定速度输送至衬底第一表面，所述第二增强源将靶材蒸发的分子流以预定速度输送至衬底第二表面。
进一步地，所述第一夹角大于等于45°，小于等于150°。该夹角为衬底的特征面夹角，在该夹角范围内，利用上述方法改善涂层质量的效果较好。
进一步地，所述第一增强源的增强方向与第一表面的法线夹角小于等于60°，所述第二增强源的增强方向与所述第二表面的法线方向夹角小于等于60°。该夹角范围内，增强源对靶材分子流增强后能在衬底表面形成致密涂层。
进一步地，所述第一增强源和所述第二增强源之间的夹角大于等于45°，且小于等于135°。在该夹角范围内，多个增强源之间的协同效果较好。
进一步地，所述增强源数量为两个以上，增强源在真空腔体内围绕衬底呈对称分布。给出了对于多个特征表面的衬底，增强源的设置方案。
进一步地，所述相邻增强源之间的夹角大于等于45°，且小于等于135°。
进一步地，所述增强源为等离子体源、离子束源、微波源中的至少一种，所选用的增强源增强效果较好。
进一步地，所述耐腐蚀涂层包括稀土元素氧化物、氟化物和氟氧化物中的至少一种。
上述耐腐蚀涂层形成方法通过增加真空腔体内的增强源的数量，来改变靶材分子流的运动方向和增强靶材分子流的能量，使得靶材分流子运动方向与衬底的表面法线呈预定夹角，从而令靶材分流子沉积形成的涂层与衬底的结合力增强。
本发明第二个目的在于提供一种耐等离子体腐蚀零部件，所述零部件包括衬底，所述衬底包括第一表面以及与所述第一表面呈一定夹角的第二表面，所述第一表面和第二表面涂覆有上述方法制备的耐腐蚀涂层。
进一步地，所述耐腐蚀涂层的生长方向与等离子体刻蚀零部件表面的法线方向平行。这种涂层结构与零部件表面的结合力更强，在刻蚀腔体内轰击时不易脱落，减小了腔体的污染风险，增加了零部件的服役寿命。
进一步地，所述耐腐蚀涂层包括稀土元素Y、Sc、La、Ce、Pr、Nd、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中的至少一种。这些稀土元素的分子量大，能够形成致密的结构，因此得到的涂层具有致密特性，抗腐蚀性能好，不易脱落。
进一步地，所述耐腐蚀涂层包括稀土元素Y、Sc、La、Ce、Pr、Nd、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu的氧化物、氟化物、氟氧化物中的至少一种。上述稀土元素的具体表现形式一般为氧化物，氟化物，氟氧化物。
进一步地，所述耐腐蚀涂层的厚度大于等于1nm，且小于等于200μm。涂层厚度太薄，起不到防护效果，厚度太厚，涂层积累应力大，容易与衬底脱落，在实际使用时容易形成微小颗粒物，污染腔体环境。涂层厚度在上述范围内时涂层的结合力和防护效果较好。
上述等离子体刻蚀零部件表面的耐腐蚀涂层形成方向与等离子体刻蚀零部件的表面的法线方向平行，因此涂层与等离子体刻蚀零部件的表面的结合力强，从而不易脱落。
本发明第三个目的在于提供一种等离子体反应装置，包括反应腔和上述的等离子体刻蚀零部件。这种装置的表面耐腐蚀涂层不易脱落，服役寿命长。
进一步地，所述反应腔的内部腔壁表面具有上述方法获得的涂层。反应腔内部腔壁表面也暴露与等离子环境中，在表面涂覆上述方法获得的涂层，有利于反应腔的防护，增加反应腔的服役寿命。
进一步地，所述等离子体刻蚀零部件包括盖板、衬垫、喷嘴、气体分配板、喷淋头、静电吸盘组件、衬底固持框中的至少一种。这些零部件暴露在等离子环境中工作，表面涂覆上述耐腐蚀涂层进行防护，得到的涂层不易脱落，减小了内部腔体环境污染的风险，增加了零部件的服役寿命。
上述等离子体反应装置的反应腔内部腔壁表面和等离子体刻蚀零部件的表面的耐腐蚀涂层形成方向与其表面的法线方向平行，因此涂层与反应腔内部腔壁表面、等离子体刻蚀零部件的表面的结合力强，从而不易脱落。
本发明第四个目的在于提供一种制备耐腐蚀涂层的装置，包括一真空反应腔，上述耐腐蚀涂层的形成方法在所述真空反应腔内进行，
所述反应腔内设置第一增强源和第二增强源，所述第一增强源和第二增强源之间的夹角大于等于45°，小于等于135°。
上述制备耐腐蚀涂层的装置，通过在装置中的真空反应腔内设置两个增强源，得到的装置能够增强靶材分子流的能量和改变分子流运动方向，因此该装置能够实现上述耐腐蚀涂层形成的方法。
本发明的有益效果：
本发明提供的耐腐蚀涂层形成方法，通过在反应腔内设置多个增强源，其中增强源之间呈一定夹角设置，增强源的增强方向与衬底表面法线呈一定夹角设置，设置的增强源能够改变靶材分子流的运动方向，解决了现有技术中衬底法线偏离靶材分子流运动方向情况下，耐腐蚀涂层形成方向偏离衬底法线方向，造成的涂层沉积不均匀，易脱落的缺陷，该方法获得的涂层，其形成方向与衬底表面的法线方向平行，形成的涂层具有高致密的特性，因此衬底与涂层的结合力较强，降低了涂层的脱落风险；进一步地，本发明还提供了一种等离子刻蚀零部件和反应装置，通过上述方法在反应装置的反应腔内部的腔壁表面和等离子刻蚀零部件表面镀膜，得到的等离子刻蚀零部件和反应装置由于其表面涂层不易脱落，从而提升了刻蚀腔体环境的稳定性，提高了工件服役寿命，提高了半导体刻蚀良率；最后，还提供了一种反应装置，该装置包括两个增强源，用于上述耐腐蚀涂层形成方法的实现。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
图1是一种零部件的结构示意图；
图2是本发明的衬底表面涂层结构示意图
图3是本发明的涂层的形成方法的流程示意图；
图4是本发明的衬底表面涂覆涂层示意图；
图5是本发明的真空腔体内具有三个增强源的布置示意图；
图6是本发明一种等离子体反应装置的结构示意图。
附图标记：
100-衬底；101-第一表面；102-第二表面；103-第一夹角；104-侧壁；
200-靶材；
300-增强源；301-第一增强源；302-第二增强源；303-第二夹角；304-第三夹角；
400-耐腐蚀涂层；
501衬套；502-气体喷嘴；503-静电卡盘；504-聚焦环；505-绝缘环；506-覆盖环；507-等离子体约束环；508-陶瓷盖板；509-反应腔；510-基座；
W-基片。
具体实施方式
等离子体反应装置包括反应腔，反应腔内为等离子体环境，零部件暴露在等离子体环境中，由于等离子体具有较强的腐蚀性，因此，需要在零部件本体表面涂覆耐腐蚀涂层，以阻挡等离子体对零部件本体的腐蚀。一般而言，如图1所示，普遍采用的耐腐蚀涂层与衬底100之间的结构示意图，将衬底100与蒸发源分子流相对设置，并且在耐腐蚀涂层沉积过程中保持衬底的法线方向与蒸发源分子流的方向平行，保持耐腐蚀涂层在衬底100上以柱状方式生长。而对于垂直面的侧壁104而言，蒸发源分子流将呈一定的倾斜角在衬底上沉积，形成涂层。侧壁深度越大，涂层厚度越薄，同时涂层生长方向偏离法向越大，从而与基底的结合力越弱，即使将工件倾斜一定角度，仍然只能保持一种特征面涂层的高致密特性，另外一种特征面致密性受到损失。在等离子体刻蚀腔体中，这些特征面上结合力弱的涂层可能被优先轰击剥落下来，形成微小颗粒，造成污染，使得刻蚀腔体环境稳定性降低，工件服役寿命减少。
一般涂层的沉积过程中受到一个增强源的作用。而对于同时具有一个平面和与平面具有一定夹角的侧面，如垂直侧面的工件而言，涂层在平面沉积时，由于增强源的增强方向与平面的法线方向平行，因此能形成高致密的结构，在垂直侧壁的沉积时由于沉积方向偏离侧壁法线而不能保持高致密结构。对于此类工件，即使将工件倾斜一定角度(<90°)，仍然只能保持一种特征面涂层的高致密特性，另外一种特征面致密性受到损失。
为了解决上述技术问题，本发明提出了一种耐腐蚀涂层的形成方法，以及在反应腔内部的腔壁表面和等离子刻蚀零部件表面通过该方法涂覆耐腐蚀性涂层，得到一种等离子刻蚀零部件和反应装置。
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明，本发明实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
还需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件上时，它可以直接在另一个元件上或者可能同时存在居中元件。当一个元件被称为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接另一个元件或者可能同时存在居中元件。
另外，在本发明中涉及“第一”“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。
本发明提供的方法在制备耐腐蚀涂层的装置的反应腔内进行，具体流程如图3所示，包括以下步骤：
11、提供衬底
在真空反应腔内提供衬底100，如图4所示，衬底由第一表面101和第二表面102，第一表面101和第二表面102之间呈第一夹角103；
12、设置靶材和增强源
如图4所示，靶材200与衬底100的第一表面101相对设置，本实施例中增强源300数量为两个，分别为第一增强源301和第二增强源302，其中第一增强源301与靶材200相对设置，第二增强源302与第一增强源301之间呈第二夹角303，并且第二增强源302与衬底的第二表面102法线之间呈第三夹角304；
13、形成涂层
位于真空反应腔内的靶材200通过蒸镀或溅镀等方式提供形成涂层的分子流，第一增强源301通常与第一表面101相对设置，可选的，提供与第一表面101的法线方向大致平行的增强力，第一增强源301用于增强靶材200提供的分子流能量，并在第一表面101上形成致密的耐腐蚀涂层。第二增强源302可以与所述第二表面102相对设置，可选的，提供与第二表面102的法线方向平行的增强力，由于靶材最初提供的分子流与第一表面101的法线方向大致平行，通过设置第二增强源302，改变了部分分子流的运动方向，使得该部分分子流与第二表面102的法线夹角变小，分子流中的晶粒能沿着第二表面102的法线方向生长，提高了第二表面涂层的致密度。
上述实施例中所涉及的第一夹角103、第二夹角303和第三夹角304都具有一定的适用范围。
其中第一夹角103为衬底100的特征面角度，图4所示的衬底100的第一表面101和第二表面102方向垂直，在其他实施例中，衬底100的第一表面101和第二表面102的夹角范围为45°-135°，当第一夹角103较小时，如小于30°，采用一个增强源即可实现较好的增强镀膜的效果，当然当第一表面101和和第二表面102的夹角范围小于45°时，也可以采用本发明的两个或两个以上的增强源，以提高涂层的镀膜效果。当第一夹角103的范围为45～135°时，通过上述方法可以有效改善衬底100不同表面，尤其是衬底100侧面的耐腐蚀涂层400质量。
第二夹角303为第一增强源301和第二增强源302之间的夹角，第一增强源301和第二增强源302的夹角通常根据衬底100的待镀膜的不同表面的夹角进行设置，以使得不同增强源300对衬底100不同的特征面同时进行增强作用，得到结构致密的耐腐蚀涂层400，在角度范围45～135°中增强源300之间的协同作用效果好。在本实施例中，增强源300数量为两个，除此之外，在其他实施例中，增强源300数量可以为两个以上。请参考图5，当增强源300数量为2个以上时，给出的多个增强源300的布置方案是围绕衬底100为中心点呈对称分布，此时的第二夹角303指的是相邻增强源300之间的夹角。
第三夹角304为增强源300增强方向与衬底100表面法线方向之间的夹角，其适用范围为0～60°，在该范围内衬底100表面形成致密结构的涂层效果较好。在本实施例中第一增强源301的增强方向与第一表面101法线方向之间的夹角为0°，图中示出的第三夹角304指第二增强源302的增强方向与第二表面102法线方向之间的夹角。
在一实施例中，增强源300种类可以为等离子体源、离子束源、微波源中的一种，或者多种组合而成，这些增强源300种类增强效果较佳。
上述实施例耐腐蚀涂层400的形成方法在制备耐腐蚀涂层的装置中的真空反应腔内进行，该真空反应腔内的增强源300数量至少为两个，其布置方式按照上述方法进行布置。若增强源300数量为两个时，两个增强源300之间的夹角满足45～135°的范围条件，同时衬底100的设置还要还要符合上述第一夹角、第三夹角的条件，若增强源300数量大于2个，则增强源300围绕衬底100对称设置，并且相邻增强源300之间的夹角满足45～135°的范围条件，同时衬底100的设置还要符合上述第一夹角、第三夹角的条件。
请参考图2，为利用上述实施例方法在制备耐腐蚀涂层的装置中形成的耐腐蚀涂层400的结构示意图，可以看出，耐腐蚀涂层400晶粒生长方向与衬底100的第一表面101和第二表面102的法线方向平行，因此结构致密。这种结构的涂层与现有技术涂层晶粒生长方向偏离法线方向的结构疏松涂层相比，本发明方法获得的耐腐蚀涂层400与衬底100的结合力强，在刻蚀腔体内轰击作用下不易脱落，从而提升腔体内环境稳定性和工件服役寿命。
在一实施例中，上述方法形成的耐腐蚀涂层400厚度范围控制在1nm～200μm，因为耐腐蚀涂层400厚度太薄会起不到防护效果，厚度太厚会使耐腐蚀涂层400与衬底100的结合力变差，易于脱落，污染刻蚀腔体的工作环境，因此选用1nm～200μm的厚度，效果较好。
上述实施例中靶材200包括稀土元素Y、Sc、La、Ce、Pr、Nd、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中的一种或多种，这样靶材200在衬底100表面形成的耐腐蚀涂层400包含上述稀土元素，其稀土元素存在形式可以是包含上述稀土元素的同一种化合物，也可以是不同的化合物，这种化合物可以是上述稀土元素的氧化物、氟化物、氟氧化物中的一种，也可以是多种。这些稀土元素的化合物，具有耐等离子体腐蚀效果。对于等离子体刻蚀中F/O比例较小的制程，优先选用所述稀土元素的氧化物；而对于等离子体刻蚀中F/O比例较大的制程，优先选用所述稀土元素的氟化物和氟氧化物。
利用上述实施例的方法对等离子刻蚀零部件表面进行镀膜，衬底100即为等离子刻蚀零部件100，等离子刻蚀零部件100暴露于等离子体环境中，例如盖板、衬垫、喷嘴、气体分配板、喷淋头、静电吸盘组件、衬底固持框等零部件，这些零部件的表面需要涂覆耐腐蚀涂层400以防止等离子体的腐蚀。
利用上述实施例的方法对等离子反应装置的反应腔内部腔壁表面进行镀膜，衬底100即为反应腔内部腔壁100，反应腔内部腔壁暴露于等离子环境中，表面需要涂覆耐腐蚀涂层400以防止等离子体的腐蚀。
图6是本发明一种等离子体反应装置的结构示意图。
请参考图6，等离子体反应装置包括：反应腔509，反应腔509内为等离子体环境；零部件和反应腔内部腔壁暴露于等离子体环境中。
等离子体反应装置还包括：基座510，基座510用于承载待处理基片W，等离子体用于对待处理基片W进行处理。由于等离子体具有较强的腐蚀性，为了防止零部件的表面和反应腔509内部腔壁被等离子体腐蚀，因此需要在零部件的表面和反应腔509内部腔壁涂覆耐腐蚀涂层400。
在本实施例中，等离子体反应装置为电感耦合等离子体反应装置，相应的，暴露于等离子体环境中的零部件包括：衬套501、气体喷嘴502、静电卡盘503、聚焦环504、绝缘环505、覆盖环506、等离子体约束环507、陶瓷盖板508或气体连接法兰(图未示)。
在其他实施例中，等离子体反应装置为电容耦合等离子体反应装置，相应的，暴露于等离子体环境中的零部件包括气体喷淋头、升降环、聚焦环、绝缘环、覆盖环、等离子体约束环等。
综上所述，本发明提供的方法通过在涂层沉积过程中，引入双增强源(或者更多)，对涂层在平面和垂直侧壁的沉积过程同时进行增强作用，改变靶材提供的分子流运动方向，使得垂直侧壁和平面形成的涂层同时保持高致密的特性，在离子环境中被轰击时不易脱落，降低涂层脱落的风险，提升了刻蚀腔体环境的稳定性，提高了工件的服役寿命。
以上所述仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是在本发明的发明构思下，利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (17)
1.一种耐腐蚀涂层形成方法，所述方法在一真空反应腔内进行，其特征在于，包括以下步骤：
在所述反应腔内放置衬底，所述衬底包括第一表面以及第二表面，所述第一表面和第二表面呈第一夹角；
在所述反应腔内设置靶材，所述靶材与所述第一表面相对设置，激发所述靶材提供分子流用于对所述衬底进行涂覆；
在所述反应腔内设置至少两个增强源，所述增强源增强分子流能量，所述至少两个增强源包括第一增强源和第二增强源，所述第一增强源对应于所述第一表面设置，将所述靶材提供的分子流以预定速度输送至所述第一表面，使得分子流中的晶粒生长方向与第一表面的法线方向平行；所述第二增强源对应于所述第二表面设置，所述第二增强源将所述靶材蒸发的分子流以预定速度输送至所述第二表面，所述第二增强源既增强靶材提供的分子流能量，同时改变分子流运动方向，使得分子流中的晶粒生长方向与第二表面的法线方向平行；
所述分子流在所述第一表面和第二表面沉积形成耐腐蚀涂层。
2.根据权利要求1所述的一种耐腐蚀涂层形成方法，其特征在于，所述第一夹角大于等于45°，小于等于145°。
3.根据权利要求1所述的一种耐腐蚀涂层形成方法，其特征在于，所述第一增强源的增强方向与第一表面的法线夹角小于等于60°，所述第二增强源的增强方向与所述第二表面的法线方向夹角小于等于60°。
4.根据权利要求1所述的一种耐腐蚀涂层形成方法，其特征在于，所述第一增强源和所述第二增强源之间的夹角大于等于45°，且小于等于135°。
5.根据权利要求1所述的一种耐腐蚀涂层形成方法，其特征在于，所述增强源数量为两个以上，增强源在真空腔体内围绕衬底呈对称分布。
6.根据权利要求5所述的一种耐腐蚀涂层形成方法，其特征在于，所述增强源中相邻增强源之间的夹角大于等于45°，且小于等于135°。
7.根据权利要求1所述的一种耐腐蚀涂层形成方法，其特征在于，所述增强源为等离子体源、离子束源、微波源或射频源中的至少一种。
8.根据权利要求1所述的一种耐腐蚀涂层形成方法，其特征在于，所述耐腐蚀涂层包括稀土元素氧化物、氟化物和氟氧化物中的至少一种。
9.一种耐等离子体腐蚀零部件，其特征在于，所述零部件包括衬底，所述衬底包括第一表面以及与所述第一表面呈预定夹角的第二表面，所述第一表面和第二表面涂覆有如权利要求1-8任一项方法制备的耐腐蚀涂层。
10.根据权利要求9所述的一种耐等离子体腐蚀零部件，其特征在于，所述耐腐蚀涂层的生长方向与等离子体刻蚀零部件表面的法线方向平行，具有致密结构。
11.根据权利要求9所述的一种耐等离子体腐蚀零部件，其特征在于，所述耐腐蚀涂层包括稀土元素Y、Sc、La、Ce、Pr、Nd、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中的至少一种。
12.根据权利要求9所述的一种耐等离子体腐蚀零部件，其特征在于，所述耐腐蚀涂层包括稀土元素Y、Sc、La、Ce、Pr、Nd、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu的氧化物、氟化物、氟氧化物中的至少一种。
13.根据权利要求9所述的一种耐等离子体腐蚀零部件，其特征在于，所述耐腐蚀涂层的厚度大于等于1nm，且小于等于200μm。
14.一种等离子体反应装置，其特征在于，包括反应腔及设置在所述反应腔内如权利要求9-13任一所述的耐等离子体腐蚀零部件。
15.根据权利要求14所述的一种等离子体反应装置，其特征在于，所述反应腔的内部腔壁表面具有如权利要求1-8任一所述的耐腐蚀涂层形成方法获得的涂层。
16.根据权利要求14所述的一种等离子体反应装置，其特征在于，所述耐等离子体腐蚀零部件包括盖板、衬垫、喷嘴、气体分配板、喷淋头、静电吸盘组件、衬底固持框中的至少一种。
17.一种制备耐腐蚀涂层的装置，包括一真空反应腔，其特征在于，如权利要求1-8任一项方法在所述真空反应腔内进行，所述反应腔内设置第一增强源和第二增强源，所述第一增强源和第二增强源之间的夹角大于等于45°，小于等于135°。
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