CN113802094B - 耐腐蚀涂层的镀膜方法及等离子体刻蚀零部件和反应装置 - Google Patents

Abstract

本发明涉及半导体加工技术领域，具体公开了一种耐腐蚀涂层的镀膜方法，通过在衬底表面种植晶种后再进行镀膜，晶种在镀膜过程中起诱导作用，解决了现有技术中衬底法线偏离靶材分子流运动方向情况下，耐腐蚀涂层晶格生长方向偏离衬底法线方向，涂层沉积不均匀，易脱落的缺陷，本发明方法形成的涂层晶格的生长方向与衬底表面的法线方向平行，具有高致密的特性，与衬底的结合力较强，降低了涂层的脱落风险。进一步地，还提供了一种等离子刻蚀零部件和反应装置，通过上述方法在反应装置的反应腔内部的腔壁表面和等离子刻蚀零部件表面镀膜，得到的耐腐蚀涂层不易脱落，提升了刻蚀腔体环境的稳定性，提高工件服役寿命，提高了半导体刻蚀良率。

Description

耐腐蚀涂层的镀膜方法及等离子体刻蚀零部件和反应装置

技术领域

本发明涉及半导体加工技术领域，尤其涉及一种耐腐蚀涂层的镀膜方法及等离子体刻蚀零部件和反应装置。

背景技术

这里的陈述仅提供与本发明有关的背景技术，而并不必然地构成现有技术。

在半导体器件的制造过程中，等离子刻蚀是将晶圆加工成设计图案的关键工艺。

在典型的等离子体刻蚀工艺中，工艺气体(如CF4、O2等)在射频(RadioFrequency，RF)激励作用下形成等离子体。这些等离子体在经过上电极和下电极之间的电场(电容耦合或者电感耦合)作用后与晶圆表面发生物理轰击作用及化学反应，从而将晶圆刻蚀出具有特定的结构，完成刻蚀工序。

发明人发现现有技术中至少存在如下问题：

目前，特别是以PVD为主的镀膜方式在构建高密度，低空隙率的陶瓷涂层中发挥重要作用。通常会在关键部件上生长一些耐等离子体腐蚀的涂层(例如，Y 2 O 3 ，YSZ涂层)以保护工件不被腐蚀。涂层与工件的结合力越强，工件在刻蚀腔体中耐腐蚀性能越稳定。对于具有大平面工件而言，在涂覆涂层的过程中，涂层粒子与工件以法向轰击形成涂层，具有良好的结合力；而对于同时具有大平面和台阶的工件而言，涂层粒子偏离法向方向轰击台阶侧壁，形成的涂层与工件结合力较弱。除了结合力之外，部件中的台阶还会改变晶体的晶面优势取向，从而使得台阶面与大平面的微观形貌不一致，不协调，继而影响部件的整体性能。如该问题无有效改善，在高强度等离子体的作用下使侧壁上涂层首先发生脱落，形成微小颗粒造成污染，造成刻蚀良率下降。

如何在具有台阶的工件上有效涂覆高致密的涂层，降低涂层脱落风险，对提升刻蚀腔体环境稳定性，提高工件服役寿命，提升半导体刻蚀良率，将具有重要意义。

发明内容

本发明的第一个目的在于提供一种耐腐蚀涂层的镀膜方法，以解决涂层容易脱落的技术问题，提升工件服役寿命。

为了实现上述目的，本发明提供的技术方案为：一种耐腐蚀涂层的镀膜方法，所述方法在一反应腔内进行，包括以下步骤：

在所述反应腔内放置一待镀膜的衬底，所述衬底包括第一表面以及与所述第一表面呈第一夹角的第二表面，所述衬底的第二表面设有晶种；

在所述反应腔内设置靶材，所述第一表面与靶材相对设置，所述靶材提供分子流用于对所述衬底的第一表面和第二表面进行镀膜。

上述方法通过晶种的诱导的作用，使得衬底表面耐腐蚀涂层晶格的生长的方向与衬底的法线方向平行，这种结构的涂层与衬底结合力强，不易脱落，减小刻蚀腔体内部环境的污染。

进一步地，所述第一夹角大于等于45°小于等于135°。在这个范围内，利用上述晶种法获得的涂层效果较好。

进一步地，所述第一表面和所述第二表面垂直设置，所述衬底结构为台阶状，柱状侧壁，孔道状中的一种或多种。上述方式适用于多种结构的衬底的镀膜。

进一步地，在所述反应腔内设置一增强源，所述增强源将靶材提供的分子流以一定速度输送至所述衬底的第一表面。通过设置增强源增强分子流的能量和速度，使得分子流在衬底表面的结合力更强。

进一步地，所述第一表面的法线方向与增强源的增强方向平行，所述第二表面的法线方向偏离增强源的增强方向，所述晶种种植在第二表面上。这种种植方法，可以解决偏离增强源增强方向的表面涂层生长不均匀的缺陷，得到一种与表面结合力强，均匀的涂层。

进一步地，所述晶种组分包括稀土元素Y、Sc、La、Ce、Pr、Nd、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中的一种或多种。这些稀土元素的分子量大，能够形成致密的结构，因此诱导得到的涂层具有致密特性，抗腐蚀性能好，不易脱落。

进一步地，所述晶种的种植方式包括电泳，涂覆，粘附，喷涂，ALD中的一种或多种。晶种的种植方法常用的种植方法，易于实现，其中ALD种植得到的晶种更加均匀。

进一步地，所述晶种排布方式为膜状排布或点状排布。晶种的排布方式是由于不同的种植方法造成的，其中膜状分布的实现方式包括涂覆，粘附和原子层沉积技术(ALD)，点状分布的实现方式包括电泳，粘附和喷涂。

进一步地，所述晶种排布方式为点状排布，点状颗粒的直径大小大于等于5nm，小于等于500nm。点状颗粒过小，晶种的诱导能力差，颗粒太大，晶种诱导能力不能发挥。

进一步地，所述晶种排布为膜状排布，膜的厚度小于等于100nm。膜的厚度太厚，诱导效果差。

上述耐腐蚀涂层的镀膜方法通过在偏离增强源增强方向的衬底表面种植晶种后进行镀膜，在晶种的诱导作用下，获得的涂层在偏离靶材分子流运动方向的表面也具有高致密特性，从而降低涂层脱落风险，提升工件寿命。

本发明第二个目的在于提供一种等离子体刻蚀零部件，包括零部件衬底，所述零部件衬底表面具有上述耐腐蚀涂层的镀膜方法获得的涂层。

进一步地，所述涂层晶格生长方向与等离子体刻蚀零部件表面的法线方向平行。这种涂层结构与零部件表面的结合力更强，在刻蚀腔体内轰击时不易脱落，减小了腔体的污染风险，增加了零部件的服役寿命。

进一步地，所述涂层包括稀土元素Y、Sc、La、Ce、Pr、Nd、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中的一种或多种。这些稀土元素的分子量大，能够形成致密的结构，因此得到的涂层具有致密特性，抗腐蚀性能好，不易脱落。

进一步地，所述涂层包括稀土元素Y、Sc、La、Ce、Pr、Nd、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu的氧化物，氟化物，氟氧化物中的一种或多种。上述稀土元素的具体表现形式一般为氧化物，氟化物，氟氧化物。

进一步地，所述涂层厚度大于等于1nm，小于等于100μm。涂层厚度太薄，起不到防护效果，厚度太厚，与零部件的结合力变差，易于脱落，污染腔体环境，厚度在上述范围内时涂层的结合力和防护力较好。

上述等离子体刻蚀零部件表面的耐腐蚀涂层晶格生长方向与等离子体刻蚀零部件的表面的法线方向平行，因此涂层与等离子体刻蚀零部件的表面的结合力强，从而不易脱落。

本发明的第三个目的在于提供一种等离子体反应装置，包括反应腔和上述等离子体刻蚀零部件。这种装置的表面耐腐蚀涂层不易脱落，服役寿命长。

进一步地，所述反应腔内部腔壁表面具有上述耐腐蚀涂层的镀膜方法获得的涂层。反应腔内部腔壁表面也暴露与等离子环境中，在表面涂覆上述方法获得的涂层，有利于反应腔的防护，增加反应腔的服役寿命。

进一步地，所述等离子体刻蚀零部件包括盖板、衬垫、喷嘴、气体分配板、喷淋头、静电吸盘组件、衬底固持框、处理套组、陶瓷衬垫中的一种或多种。这些零部件暴露在等离子环境中工作，表面涂覆上述耐腐蚀涂层进行防护，得到的涂层不易脱落，减小了内部腔体环境污染的风险，增加了零部件的服役寿命。

上述等离子体反应装置的反应腔内部腔壁表面和等离子体刻蚀零部件的表面的耐腐蚀涂层晶格生长方向与其表面的法线方向平行，因此涂层与反应腔内部腔壁表面、等离子体刻蚀零部件的表面的结合力强，从而不易脱落。

本发明的有益效果：

本发明提供的耐腐蚀涂层的镀膜方法，通过在衬底表面种植晶种后再进行镀膜，晶种在镀膜过程中起诱导作用，解决了现有技术中衬底法线偏离靶材分子流运动方向情况下，耐腐蚀涂层晶格生长方向偏离衬底法线方向，涂层沉积不均匀，易脱落的缺陷，本发明的方法在镀膜过程中通过晶种诱导涂层晶格的生长方向，使得涂层晶格的生长方向与衬底表面的法线方向平行，形成的涂层具有高致密的特性，因此衬底与涂层的结合力较强，降低了涂层的脱落风险，除此之外，这种方法不需要对制备耐腐蚀涂层的装置进行改进，因此更容易实现；进一步地，本发明还提供了一种等离子刻蚀零部件和反应装置，通过上述方法在反应装置的反应腔内部的腔壁表面和等离子刻蚀零部件表面镀膜，得到的等离子刻蚀零部件和反应装置由于其表面涂层不易脱落，从而提升了刻蚀腔体环境的稳定性，提高了工件服役寿命，提高了半导体刻蚀良率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。

图1是一种零部件的结构示意图；

图2是本发明的涂层的形成方法的流程示意图；

图3是本发明的衬底表面种植晶种示意图；

图4是本发明的衬底表面涂层结构示意图；

图5是本发明的衬底表面晶种诱导涂层生长的示意图；

图6是本发明的具有增强源时晶种种植示意图；

图7是本发明种植晶种后镀膜得到侧壁表面示意图；

图8是无晶种种植镀膜得到的侧壁表面示意图；

图9是本发明一种等离子体反应装置的结构示意图。

附图标记：

100-衬底；101-第一表面；102-第二表面；103-夹角；

200-晶种；300-靶材；400-耐腐蚀涂层；500-增强源；

601-衬套；602-气体喷嘴；603-静电卡盘；604-聚焦环；605-绝缘环；606-覆盖环；607-等离子体约束环；608-陶瓷盖板；609-反应腔；610-基座；

W-基片。

实施方式

等离子体反应装置包括反应腔，反应腔内为等离子体环境，零部件暴露在等离子体环境中，由于等离子体具有较强的腐蚀性，因此，需要在零部件本体表面涂覆耐腐蚀涂层，以阻挡等离子体对零部件本体的腐蚀。一般而言，如图1所示，普遍采用的耐腐蚀涂层与衬底100之间的结构示意图，将衬底100与蒸发源分子流相对设置，并且在耐腐蚀涂层沉积过程中保持衬底的法线方向与蒸发源分子流的方向平行，保持耐腐蚀涂层在衬底100上以柱状方式生长。而对于垂直面的第二表面102而言，蒸发源分子流将呈一定的倾斜角在衬底上沉积，形成涂层。侧壁深度越大，涂层厚度约薄，同时涂层生长方向偏离法向越大，从而与基底的结合力越弱，即使将工件倾斜一定角度，仍然只能保持一种特征面涂层的高致密特性，另外一种特征面致密性受到损失。在等离子体刻蚀腔体中，这些特征面上结合力弱的涂层可能被首先轰击剥落下来，形成微小颗粒，造成污染，使得刻蚀腔体环境稳定性降低，工件服役寿命减少。

为了解决上述技术问题，本发明提出了一种耐腐蚀涂层的镀膜方法，以及在反应腔内部的腔壁表面和等离子刻蚀零部件表面通过该方法涂覆耐腐蚀性涂层，得到一种等离子刻蚀零部件和反应装置。

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要说明，本发明实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。

还需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件上时，它可以直接在另一个元件上或者可能同时存在居中元件。当一个元件被称为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接另一个元件或者可能同时存在居中元件。

另外，在本发明中涉及“第一”“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。

本发明提供的方法在制备耐腐蚀涂层的装置的反应腔内进行，具体流程如图2所示，包括以下步骤：

11、在反应腔内放置一种植有晶种200的待镀膜衬底100。

如图3所示，该衬底100包括第一表面101和第二表面102，并且第一表面101和第二表面102呈一定的夹角103，衬底100的第二表面102上设有晶种200；

12、然后在反应腔内设置靶材300进行镀膜

位于真空反应腔内的靶材300与第一表面101相对设置，靶材300通过蒸镀或溅镀等方式提供形成涂层的分子流，用于对衬底100的第一表面101和第二表面102进行镀膜。

衬底100利用上述方法镀膜得到的耐腐蚀涂层400结构如图4所示，可以看出，在晶种200的诱导作用下，耐腐蚀涂层400晶格生长方向与衬底100的第一表面101和第二表面102的法线方向平行。这种结构的涂层与现有技术中晶格生长方向偏离法线方向的涂层相比，涂层与衬底100的结合力强，在刻蚀腔体内轰击作用下不易脱落，提升腔体内环境稳定性和工件服役寿命。上述方法形成的耐腐蚀涂层400厚度范围控制在1nm～100μm，因为耐腐蚀涂层400厚度太薄会起不到防护效果，厚度太厚会使耐腐蚀涂层400与衬底100的结合力变差，易于脱落，污染刻蚀腔体的工作环境，因此选用1nm～100μm的厚度，效果较好。

请参考图5，为晶种200诱导耐腐蚀涂层400晶格生长的示意图。以YSZ耐腐蚀涂层为例，图中晶种200为YSZ晶种，能够实现诱导结晶，靶材300蒸发后的分子流材料围绕晶种200生长，不仅能够提高耐腐蚀涂层400的纯度，而且对晶型的形成也有很好的诱导作用。对于衬底100的第二表面102而言，靶材300提供的分子流方向偏离衬底第二表面102的法线方向，导致轰击能力不足，晶种200的引入可以弥补第二表面102晶体生长所需的能量，从而实现具有图4设计结构的涂层。

本实施例方法适用于第一表面101与第二表面102所呈夹角103范围为45～135°的衬底100，在该范围内镀膜，晶种200诱导耐腐蚀涂层400的生长效果好，本实施例图3-5中衬底100的第一表面101和第二表面102的夹角103为90°，即第一表面101和第二表面102垂直，其中第一表面101的法线方向与靶材蒸发源的分子流运动方向平行，第二表面102的法线方向与靶材蒸发源的分子流运动方向偏离，将晶种200种植在第二表面102以诱导该平面耐腐蚀涂层400晶格的生长方向；上述方法还适用于多种结构的衬底100镀膜，例如台阶状、柱状侧壁、孔道状等结构的衬底。当第一表面101和和第二表面102的夹角范围小于45°时，或大于135°时，也可以在第二表面102种植晶种200。在另外的实施例中，为了更好的提高衬底各个表面的涂层质量，也可以在第一表面101和第二表面102同时种植适当的晶种200。

上述实施例中，在反应腔内还可以设置一个增强源500，如图6所示，增强源500设置于靶材300与衬底100之间，增强源500的作用是将靶材300提供的分子流以一定速度输送至衬底100的第一表面101，提升分子流的速度和能量，使得分子流在第一表面101的沉积的耐腐蚀涂层400更加致密，不易脱落。由于增强源500的增强方向与第一表面101的的法线方向平行，但偏离第二表面102的法线方向，因此在第二表面102种植晶种200可以有效诱导耐腐蚀涂层400晶格的沿第二表面102的法线方向生长，避免第二表面102的耐腐蚀涂层400晶格生长方向与第二表面102的法线方向不平行的问题。

关于本实施例中晶种200和靶材300的选取，两者都包括稀土元素Y、Sc、La、Ce、Pr、Nd、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中的至少一种，晶种200以及靶材300在衬底100表面形成的耐腐蚀涂层400两者可以是包含上述稀土元素的同一种化合物，也可以是不同的化合物，这种化合物可以是上述稀土元素的氧化物、氟化物、氟氧化物中的一种或多种。上述选用的稀土元素分子量大，易于形成致密结构，因此用于作为涂层材料时，与衬底100表面结合紧密，不易脱落，减少反应环境污染的风险。晶种200的选择可以选择商用，也可通过前驱体自行合成从而调控晶种200本身的性质如优势晶面等。

本实施例方案中晶种200的种植排布方式包括两种，分别为膜状排布和点状排布。其中膜状排布是将晶种200在衬底100表面形成一层薄膜，薄膜的厚度不超过100nm，薄膜厚度太厚诱导耐腐蚀涂层400晶格生长的能力会变差；点状排布是将晶种200以颗粒状种植于衬底100表面，并且颗粒的直径大小范围为5nm～500nm，该范围内的晶种200诱导耐腐蚀涂层400晶格生长的能力比较强。

上述晶种200以膜状分布的方式种植，其种植方式包括涂覆，粘附和原子层沉积技术(ALD)，以点状分布的方式种植，其种植方式包括电泳，粘附和喷涂。晶种200在衬底100上的引入较为容易，因其只起到诱导结晶和调控生长取向的需要，只需与衬底100之间实现一般接触即可。上述种植方式中，其中原子层沉积技术(ALD)种植得到的晶种200比较均匀，下面以原子层沉积技术(ALD)方法为例，具体介绍在衬底100表面种植晶种200，继而得到耐腐蚀涂层400的过程，包括实施例1和实施例2。

实施例1-2的具体过程如下：

实施例

通过本发明提供的方法改善Y 2 O 3 涂层在喷淋头(SH)侧壁的形貌，包括以下步骤：

1.第一步种植晶种，利用原子层沉积技术(ALD)在喷淋头表面引入Y2O3晶种，过程如下：

以三[N,N-双(三甲基甲硅烷基)酰胺]钇为钇源，H 2 O蒸汽为氧化剂。其中钇源的蒸发温度80℃，气体流速为70sccm，水蒸汽流速为100sccm。腔体温度控制为200℃条件下，在喷淋头表面形成纳米尺寸为50nm的Y 2 O 3 晶种，晶种层厚度为300nm。

2.第二步制备Y 2 O 3 涂层，通过物理气相沉积法(PVD)在含有晶种层的喷淋头上制备Y 2 O 3 涂层，过程如下：

以Y 2 O 3 块体为靶材，通过蒸镀在喷淋头表面生长20μm的Y 2 O 3 涂层。

实施例

通过本发明提供的方法改善YOF涂层在喷淋头(SH)侧壁的形貌，包括以下步骤：

1.第一步种植晶种，过程如下：

利用静电喷涂技术在喷淋头表面引入YOF晶种，将30g颗粒尺寸为20nm的市售YOF纳米粉体装入喷枪中，将YOF纳米粉体均匀喷涂在喷淋头的表面，粉体堆积厚度为200nm。将含有YOF晶种的喷淋头放置在80℃的干燥箱中干燥12小时，待用。

2.第二步制备Y 2 O 3 涂层，通过物理气相沉积法(PVD)在含有晶种层的喷淋头上制备YOF涂层，过程如下：

分别以Y 2 O 3 块体和YF 3 块体为靶材，通过双源法蒸镀在喷淋头表面生长30μm的Y 2 O 3 涂层。

对比例

对比例为实施例2的对比例，其过程为通过物理气相沉积法(PVD)在含有晶种层的喷淋头上制备YOF涂层，过程如下：

分别以Y 2 O 3 块体和YF 3 块体为靶材，通过双源法蒸镀在喷淋头表面生长30μm的Y 2 O 3 涂层。

参考附图7和附图8，分别为实施例2和对比例获得侧壁表面示意图，可以看出，种植过晶种的侧壁形貌较为平整，没有种植过晶种的侧壁形貌粗糙。这种形貌较为平整的涂层结构与侧壁的结合力更强，在刻蚀腔体内被轰击时，不易脱落，降低涂层脱落的风险，提高工件的服役寿命。

利用上述实施例的方法对等离子刻蚀零部件表面进行镀膜，衬底100即为等离子刻蚀零部件100，等离子刻蚀零部件100暴露于等离子体环境中，例如盖板、衬垫、喷嘴、气体分配板、喷淋头、静电吸盘组件、等离子体约束环、聚焦环、边缘环、覆盖环、隔离环、处理套组、陶瓷衬垫等零部件，这些零部件的表面需要涂覆耐腐蚀涂层400以防止等离子体的腐蚀。

利用上述实施例的方法对等离子反应装置的反应腔内部腔壁表面进行镀膜，衬底100即为反应腔内部腔壁100。

图9是本发明一种等离子体反应装置的结构示意图。

请参考图9，等离子体反应装置包括：反应腔809，反应腔809内为等离子体环境；零部件和反应腔内部腔壁暴露于等离子体环境中。

等离子体反应装置还包括：基座810，基座810用于承载待处理基片W，等离子体用于对待处理基片W进行处理。由于等离子体具有较强的腐蚀性，为了防止零部件的表面和反应腔809内部腔壁被等离子体腐蚀，因此需要在零部件的表面和反应腔809内部腔壁涂覆耐腐蚀涂层400。

在本实施例中，等离子体反应装置为电感耦合等离子体反应装置，相应的，暴露于等离子体环境中的零部件包括：衬套801、气体喷嘴802、静电卡盘803、聚焦环804、绝缘环805、覆盖环806、衬底固持框807、陶瓷盖板808或气体连接法兰(图未示)。

在其他实施例中，等离子体反应装置为电容耦合等离子体反应装置，相应的，暴露于等离子体环境中的零部件包括气体喷淋头、升降环、聚焦环、绝缘环、覆盖环、等离子体约束环等。

综上所述，上述方法运用在等离子体刻蚀零部件和反应装置的镀膜技术中，通过晶种的诱导的作用，得到的涂层具有高致密的特性，在离子环境中被轰击时不易脱落，从而提升了刻蚀腔体环境的稳定性，提高了工件服役寿命，提高了半导体刻蚀良率。

以上所述仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是在本发明的发明构思下，利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (15)

1.一种耐腐蚀涂层的镀膜方法，所述方法在一反应腔内进行，其特征在于，包括以下步骤：

在所述反应腔内放置一待镀膜的衬底，所述衬底包括第一表面以及与所述第一表面呈第一夹角的第二表面，所述衬底的第二表面设有晶种，其中，所述晶种组分包括稀土元素Y、Sc、La、Ce、Pr、Nd、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中的一种或多种；

在所述反应腔内设置靶材，所述第一表面与靶材相对设置，所述靶材提供分子流用于对所述衬底的第一表面和第二表面进行镀膜，得到耐腐蚀涂层，其中，所述耐腐蚀涂层包括稀土元素Y、Sc、La、Ce、Pr、Nd、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu的氧化物、氟化物、氟氧化物中的一种或多种。

2.根据权利要求1所述的耐腐蚀涂层的镀膜方法，其特征在于，所述第一夹角大于等于45°小于等于135°。

3.根据权利要求1所述的耐腐蚀涂层的镀膜方法，其特征在于，所述第一表面和所述第二表面垂直设置，所述衬底结构为台阶状，柱状侧壁，孔道状中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的耐腐蚀涂层的镀膜方法，其特征在于，在所述反应腔内设置一增强源，所述增强源将靶材提供的分子流以预定速度输送至所述衬底的第一表面。

5.根据权利要求4所述的耐腐蚀涂层的镀膜方法，其特征在于，所述第一表面的法线方向与增强源的增强方向平行，所述第二表面的法线方向偏离增强源的增强方向，所述晶种种植在第二表面上。

6.根据权利要求1所述的耐腐蚀涂层的镀膜方法，其特征在于，所述晶种排布方式为膜状排布或点状排布。

7.根据权利要求1所述的耐腐蚀涂层的镀膜方法，其特征在于，所述晶种的种植方式包括电泳，涂覆，粘附，喷涂，ALD中的一种或多种。

8.根据权利要求6所述的耐腐蚀涂层的镀膜方法，其特征在于，所述晶种排布为点状排布，点状颗粒的直径大小大于等于5nm，小于等于500nm。

9.根据权利要求6所述的耐腐蚀涂层的镀膜方法，其特征在于，所述晶种排布为膜状排布，膜的厚度小于等于100nm。

10.一种等离子体刻蚀零部件，其特征在于，包括零部件衬底，所述零部件衬底表面具有如权利要求1-9任一项所述的耐腐蚀涂层的镀膜方法获得的涂层。

11.根据权利要求10所述的一种等离子体刻蚀零部件，其特征在于，所述涂层晶格生长方向与等离子体刻蚀零部件表面的法线方向平行。

12.根据权利要求10所述的一种等离子体刻蚀零部件，其特征在于，所述涂层厚度大于等于1nm，小于等于100μm。

13.一种等离子体反应装置，其特征在于，包括反应腔和位于所述反应腔内的如权利要求10-12任一所述的等离子体刻蚀零部件。

14.根据权利要求13所述的一种等离子体反应装置，其特征在于，所述反应腔的内部腔壁表面具有如权利要求1-8任一所述的耐腐蚀涂层的镀膜方法获得的涂层。

15.根据权利要求13所述的一种等离子体反应装置，其特征在于，所述等离子体刻蚀零部件包括盖板、衬垫、喷嘴、气体分配板、喷淋头、静电吸盘组件、衬底固持框、处理套组、陶瓷衬垫中的一种或多种。