KR101928011B1 - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 내부에 처리공간을 가지는 챔버와; 상기 처리 공간 내로 가스를 공급하는 가스공급유닛과; 상기 가스를 플라즈마 상태로 여기하는 플라즈마 소스; 상기 기판과 마주보게 위치되고 빛을 투과시키는 재질로 제공되는 지지판을 갖지고, 상기 처리공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛; 및 상기 지지판의 아래에 배치되며, 상기 지지판을 투과 후 기판을 가열하는 광을 조사하는 램프 유닛을 포함한다.
Description
본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
반도체소자를 제조하기 위해서, 기판을 포토리소그라피, 식각, 애싱, 이온주입, 박막증착, 그리고 세정 등 다양한 공정을 수행하여 기판 상에 원하는 패턴을 형성한다. 이 중 식각 공정은 기판 상에 형성된 막 중 선택된 가열 영역을 제거하는 공정으로 습식식각과 건식식각이 사용된다.
이 중 건식식각을 위해 플라즈마를 이용한 식각 장치가 사용된다. 일반적으로 플라즈마를 형성하기 위해서는 챔버의 내부공간에 전자기장을 형성하고, 전자기장은 챔버 내에 제공된 공정가스를 플라즈마 상태로 여기 시킨다. 또한, 마스크 기판을 세정 등 처리 하는 데에도 플라즈마가 사용될 수 있다.
플라즈마는 이온이나 전자, 라디칼 등으로 이루어진 이온화된 가스 상태를 말한다. 플라즈마는 매우 높은 온도나, 강한 전계 혹은 고주파 전자계(RF Electromagnetic Fields)에 의해 생성된다.
본 발명은 기판을 효율적으로 처리하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.
또한, 본 발명은 광을 이용하여 기판을 가열하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.
또한, 본 발명은 광에 의한 기판 가열 정도를 효율적으로 조절할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.
또한, 본 발명은 기판이 광 및 지지판에 의해 2중으로 가열되는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 내부에 처리공간을 가지는 챔버와; 상기 처리 공간 내로 가스를 공급하는 가스공급유닛과; 상기 가스를 플라즈마 상태로 여기하는 플라즈마 소스; 상기 기판과 마주보게 위치되고 빛을 투과시키는 재질로 제공되는 지지판을 가지고, 상기 처리공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛; 및 상기 지지판의 아래에 배치되며, 상기 지지판을 투과 후 기판을 가열하는 광을 조사하는 램프 유닛을 포함하는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다.
또한, 상기 지지판은 석영 재질로 제공될 수 있다.
또한, 상기 지지판은 실리콘 입자를 포함할 수 있다.
또한, 상기 지지판은 버블을 포함할 수 있다.
또한, 상기 램프 유닛은, 상기 지지판으로 광을 조사하는 램프; 및 상면에 상기 램프를 지지하는 플레이트를 포함하고, 상기 램프는 광이 조사되는 방향이 조절되도록 상기 플레이트에 회전 가능하게 제공될 수 있다.
또한, 상기 램프 유닛은, 상기 램프의 외측에 위치되어 광이 조사되는 폭을 조절하는 가이드 판을 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 램프 유닛은, 상기 지지판의 중심 영역 아래쪽에 위치되는 제1 램프; 및 상기 지지판의 외측 영역 아래쪽에 위치되는 제2 램프를 포함할 수 있다.
또한, 상기 램프 유닛은, 상면에 상기 제1 램프가 위치되는 제1 플레이트; 및 상면에 상기 제2 램프가 위치되는 제2 플레이트를 더 포함하고, 상기 제1 플레이트 및 상기 제2 플레이트 중 어느 하나 이상은 상하 방향으로 이동 가능하게 제공될 수 있다.
또한, 상기 제1 플레이트 및 상기 제2 프레이트는 각각 독립적으로 상하 방향으로 이동 가능하게 제공될 수 있다.
또한, 상기 제1 플레이트와 상기 제1 램프는 상기 지지판의 중심에 배치되고, 상기 제2 플레이트와 상기 제2 램프는 상기 지지판의 모서리 내측에 배치될 수 있다.
또한, 상기 제2 플레이트는 상기 지지판의 모서리의 수에 대응하도록 개별로 마련되고, 상기 제2 램프는 상기 제2 플레이트에 각각 마련되며, 상기 복수의 제2 플레이트들은 각각 독립적으로 상하 방향으로 이동 가능하게 제공될 수 있다.
또한, 상기 지지판의 상면에는 상부로 돌출 형성되어 상기 기판의 저면을 지지하는 지지부가 형성되고, 상기 지지부는 링 형상으로 제공되고, 상기 지지부의 내측에 위치되고, 상기 지지판의 상면과 상기 기판의 저면 사이에 형성된 공간으로 열전달 가스를 공급하는 분사홀이 형성될 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 내부에 처리공간을 가지는 챔버와; 상기 처리 공간 내로 가스를 공급하는 가스공급유닛과; 상기 가스를 플라즈마 상태로 여기하는 플라즈마 소스; 상기 기판과 마주보게 위치되고 빛을 투과시키는 재질로 제공되는 지지판을 갖지고, 상기 처리공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛; 및 상기 지지판의 아래에 배치되며, 상기 지지판을 투과 후 기판을 가열하는 광을 조사하는 램프 유닛을 포함하는 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서, 상기 기판은 석영을 포함하는 재질로 제공되는 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.
또한, 상기 기판은 마스크 기판을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판을 효율적으로 처리할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 광을 이용하여 기판을 가열하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판에 도달되는 광을 효과적으로 조절할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판이 광 및 지지판에 의해 2중으로 가열되는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 2는 도 1의 일부를 확대한 도면이다.
도 3은 램프 유닛의 측면도이다.
도 4는 램프 유닛의 평면도이다.
도 5는 다른 실시 예에 따른 램프 유닛의 평면도이다.
도 6은 지지판에 입사된 광의 상태를 나타내는 도면이다.
도 7은 다른 실시 예에 따른 지지판에 입사된 광의 상태를 나타내는 도면이다.
도 2는 도 1의 일부를 확대한 도면이다.
도 3은 램프 유닛의 측면도이다.
도 4는 램프 유닛의 평면도이다.
도 5는 다른 실시 예에 따른 램프 유닛의 평면도이다.
도 6은 지지판에 입사된 광의 상태를 나타내는 도면이다.
도 7은 다른 실시 예에 따른 지지판에 입사된 광의 상태를 나타내는 도면이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
본 발명의 실시 예에서는 유도결합형 플라스마(ICP: Inductively Coupled Plasma) 방식으로 플라스마를 생성하여 기판(S)을 처리하는 기판 처리 장치 에 대해 설명한다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고, 용량결합형 플라스마(CCP: Conductively Coupled Plasma) 방식 또는 리모트 플라스마 방식 등 플라스마를 이용하여 기판(S)을 처리하는 다양한 종류의 장치에 적용 가능하다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 플라스마를 이용하여 기판(S)을 처리한다. 기판 처리 장치(10)는 챔버(100), 지지 유닛(200), 램프 유닛(230), 가스 공급 유닛(300), 플라스마 소스(400) 및 배기 유닛(500)을 포함한다.
챔버(100)는 내부에 기판(S)을 처리하는 처리 공간을 가진다. 챔버(100)는 하우징(110), 커버(120), 그리고 라이너(130)를 포함한다.
하우징(110)은 내부에 상면이 개방된 공간을 가진다. 하우징(110)의 내부 공간은 기판(S) 처리 공정이 수행되는 처리 공간으로 제공된다. 하우징(110)은 금속 재질로 제공된다. 하우징(110)은 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 하우징(110)은 접지될 수 있다. 하우징(110)의 바닥면에는 배기홀(102)이 형성된다. 배기홀(102)은 배기 라인(151)과 연결된다. 공정 과정에서 발생한 반응 부산물 및 하우징(110)의 내부 공간에 머무르는 가스는 배기 라인(151)을 통해 외부로 배출될 수 있다. 배기 과정에 의해 하우징(110) 내부는 소정 압력으로 감압된다.
커버(120)는 하우징(110)의 개방된 상면을 덮는다. 커버(120)는 판 형상으로 제공되며, 하우징(110)의 내부공간을 밀폐시킨다. 커버(120)는 유전체(dielectric substance) 창을 포함할 수 있다.
라이너(130)는 하우징(110) 내부에 제공된다. 라이너(130)는 상면 및 하면이 개방된 내부 공간을 가진다. 라이너(130)는 원통 형상으로 제공될 수 있다. 라이너(130)는 하우징(110)의 내측면에 상응하는 반경을 가질 수 있다. 라이너(130)는 하우징(110)의 내측면을 따라 제공된다. 라이너(130)의 상단에는 보조 링(131)이 형성된다. 보조 링(131)은 링 형상의 판으로 제공되며, 라이너(130)의 둘레를 따라 라이너(130)의 외측으로 돌출된다. 보조 링(131)은 하우징(110)의 상단에 놓이며, 라이너(130)를 지지한다. 라이너(130)는 하우징(110)과 동일한 재질로 제공될 수 있다. 라이너(130)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 라이너(130)는 하우징(110) 내측면을 보호한다. 예를 들면, 공정 가스가 여기되는 과정에서 챔버(100) 내부에는 아크(Arc) 방전이 발생될 수 있다. 아크 방전은 주변 장치들을 손상시킨다. 라이너(130)는 하우징(110)의 내측면을 보호하여 하우징(110)의 내측면이 아크 방전으로 손상되는 것을 방지한다. 또한, 기판(S) 처리 공정 중에 발생한 반응 부산물이 하우징(110)의 내측벽에 증착되는 것을 방지한다. 라이너(130)는 하우징(110)에 비하여 비용이 저렴하고, 교체가 용이하다. 따라서, 아크 방전으로 라이너(130)가 손상될 경우, 작업자는 새로운 라이너(130)로 교체할 수 있다.
지지 유닛(200)은 챔버(100) 내부의 처리 공간 내에서 기판(S)을 지지한다. 예를 들면, 지지 유닛(200)은 하우징(110)의 내부에 배치된다.
지지 유닛(200)은 지지판(220), 지지 링(211) 및 하부 커버(212)를 포함한다. 지지 유닛(200)은 챔버(100) 내부에서 하우징(110)의 바닥면에서 상부로 이격되어 제공될 수 있다.
지지판(220)은 지지 유닛(200)의 상단부에 위치한다. 지지판(220)은 기판(S)과 대응되는 형상으로 제공되어, 기판(S)이 지지 유닛(200)에 위치되면 기판(S)의 저면과 마주보게 제공된다. 예를 들어, 기판(S)은 사각형 형상의 마스크 기판(S)으로 제공될 수 있다. 마스크 기판(S)은 석영 재질을 포함하도록 제공될 수 있다. 그리고 지지판(220)은 기판(S)에 대응되게 사각형 형상으로 제공될 수 있다. 지지판(220)은 광 투과성 소재로 제공된다. 예를 들어 지지판(220)은 석영 재질로 제공될 수 있다.
도 2는 도 1의 일부를 확대한 도면이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 지지판(220)의 상면에는 지지부(221)가 돌출 형성된다. 지지부(221)는 기판(S)의 저면을 지지한다. 따라서, 기판(S)의 저면과 지지판(220)의 상면 사이에는 설정 간격이 형성될 수 있다. 지지부(221)는 지지판(220)의 외측 영역을 따라 링 형상으로 제공될 수 있다. 따라서, 지지부(221)의 내측에는 기판(S)과 지지판(220)의 상면 사이에 차폐된 공간이 형성될 수 있다. 지지부(221)에는 내측면에 분사홀(222)이 형성될 수 있다. 분사홀(222)을 공급관(223)을 통해 가스 탱크(222)에 연결될 수 있다. 분사홀(222)을 지지부(221) 내측에 형성된 공간으로 열전달 가스를 공급한다. 열전달 가스는 헬륨일 수 있다.
지지링(211)은 지지 유닛(200)의 외측 영역에 위치된다.
지지판(220)의 외측에는 지지링(211)이 위치된다. 지지링(211)의 내측면은 기판(S)의 외측 둘레에 대응되는 형상을 가질 수 있다. 지지링(211)의 상면은 지지판(220)의 상면보다 설정 높이만큼 높게 제공될 수 있다. 따라서, 지지판(220)은 내측 공간에 기판(S)을 수용할 수 있다.
하부 커버(212)는 지지 유닛(200)의 하단부에 위치한다. 하부 커버(212)는 하우징(110)의 바닥면에서 상부로 이격되어 위치한다. 하부 커버(212)는 상면이 개방된 공간이 내부에 형성된다. 하부 커버(212)의 상부는 지지판(220)에 의해 덮어진다. 하부 커버(212)의 내부 공간에는 반송되는 기판(S)을 외부의 반송 부재로부터 전달받아 지지판(220)으로 안착시키는 리프트 핀 등이 위치할 수 있다.
하부 커버(212)는 연결 부재(273)를 갖는다. 연결 부재(273)는 하부 커버(212)의 외측면과 하우징(110)의 내측벽을 연결한다. 연결 부재(273)는 지지 유닛(200)을 챔버(100) 내부에서 지지한다. 또한, 연결 부재(273)는 하우징(110)의 내측벽과 연결됨으로써 하부 커버(212)가 전기적으로 접지(grounding)되도록 한다.
분사홀(222)과 연결되는 공급관(223)은 연결 부재(273)의 내부 공간을 통해 하부 커버(212) 내부로 연장된다.
램프 유닛(230)은 지지판(220)의 아래쪽에 위치되어, 지지판(220) 방향으로 기판(S) 가열을 위한 광을 조사한다. 램프 유닛(230)은 하부 커버(212)의 내측에 형성된 공간에 위치될 수 있다.
도 3은 램프 유닛의 측면도이고, 도 4는 램프 유닛의 평면도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 램프 유닛(230)은 램프(2300, 2300a) 및 플레이트(2100, 2100a)를 포함한다.
램프(2300, 2300a)는 지지판(220)의 아래쪽에 위치되어, 지지판(220) 방향으로 광을 조사한다. 램프(2300, 2300a)는 제1램프(2300) 및 제2램프(2300a)를 포함한다.
제1램프(2300)는 지지판(220)의 중앙 영역 아래쪽에 위치된다. 제2램프(2300a)는 지지판(220)의 외측 영역 아래쪽에 위치된다. 제2램프(2300a)는 제1램프(2300)의 둘레에 복수가 위치될 수 있다. 도 4에는 지지판(220)의 모서리 영역 아래쪽과 지지판(220)의 모서리 영역 사이에 제2램프(2300a)가 위치되어, 제2램프(2300a)가 8개 제공되는 경우를 예로 도시하였다. 그러나 제2램프(2300a)의 수는 이에 한정 되지 않고, 지지판(220)의 모서리 영역의 아래쪽에 위치되도록 4개가 제공되거나, 모서리 영역 사이에 2개 이상의 제2램프(2300a)가 위치될 수 도 있다.
램프(2300, 2300a)의 상부에는 가이드 판(2400, 2400a)이 위치될 수 있다. 제1램프(2300)에는 제1가이드 판(2400)이 위치된다. 제1가이드 판(2400)은 제1 램프(2300)에서 광이 조사되는 방향의 면적을 조절 가능하게 제공된다. 일 예로, 제1가이드 판(2400)은 은 제1 램프(2300)에서 광이 조사되는 면을 둘러 싸도록 위치되고, 서로 마주 보는 부분의 이격 거리가 조절되도록 제공될 수 있다. 즉, 제1가이드 판(2400)은 제1 램프(2300)에 대한 각이 가변 가능하도록 제공될 수 있다. 따라서, 지지판(220)에 입사되는 광의 면적은 제1가이드 판(2400)에 의해 조절될 수 있다.
제2램프(2300a)에는 제2가이드 판(2400a)이 위치된다. 제2가이드 판(2400a)의 구성 및 동작은 제1가이드 판(2400)과 동일하게 제공되므로 반복된 설명은 생략한다.
플레이트(2100, 2100a)는 램프(2300, 2300a)를 지지한다. 플레이트(2100, 2100a)는 제1플레이트(2100) 및 제2플레이트(2100a)를 포함한다.
제1플레이트(2100)는 제1 램프(2300)를 지지한다. 제1램프(2300)는 광이 조사되는 방향이 조절되도록 제1플레이트(2100)에 대해 회전될 수 있다.
제1플레이트(2100)는 상하로 높이가 조절 가능하게 제공된다. 일 예로, 제1플레이트(2100)는 제1구동기(2200)가 제공될 수 있다. 제1구동기(2200)는 제1플레이트(2100)의 저면에 연결되는 제1로드(2220) 및 제1로드(2220)를 상하로 이동 시키는 제1구동부(2210)를 포함할 수 있다. 제1플레이트(2100)에 의해 제1 램프(2300)와 지지판(220) 사이의 이격 거리가 조절될 수 있다. 따라서, 제1 램프(2300)에서 조사된 광이 지지판(220)에 입사 되는 부분의 면적, 지지판(220)의 단위 면적당 광의 밀도 등이 조절될 수 있다.
제2플레이트(2100a)는 제2 램프(2300a)를 지지한다. 제2플레이트(2100a)는 제2램프(2300a)가 위치되는 영역의 모양에 대응되게 링 형상을 가질 수 있다. 제2램프(2300a)는 광이 조사되는 방향이 조절되도록 제2플레이트(2100a)에 대해 회전될 수 있다.
제2플레이트(2100a)는 상하로 높이가 조절 가능하게 제공된다. 일 예로, 제2플레이트(2100a)는 제2구동기(2200a)가 제공될 수 있다. 제2구동기(2200a)는 제2플레이트(2100a)의 저면에 연결되는 제2로드(2220a) 및 제2로드(2220a)를 상하로 이동 시키는 제2구동부(2210a)를 포함할 수 있다. 제2구동기(2200a)는 제2플레이트(2100a)의 아래쪽에 하나 이상 제공될 수 있다.
제2플레이트(2100a)에 의해 제2 램프(2300a)와 지지판(220) 사이의 이격 거리가 조절될 수 있다. 따라서, 제2 램프(2300a)에서 조사된 광이 지지판(220)에 입사 되는 부분의 면적, 지지판(220)의 단위 면적당 광의 밀도 등이 조절될 수 있다. 또한, 제2플레이트(2100a)는 제1플레이트(2100)와 독립적으로 승강됨에 따라, 지지판(220)의 중앙 영역과 외측 영역에 입사되는 광은 각각 독립적으로 조절될 수 있다.
도 5는 다른 실시 예에 따른 램프 유닛의 평면도이다.
도 5를 참조하면, 램프 유닛(230a)은 램프(2700, 2700a) 및 플레이트(2500, 2500a)를 포함한다.
램프(2700, 2700a)는 지지판(220)의 중앙 영역 아래쪽에 위치되는 제1램프(2700) 및 지지판(220)의 외측 영역 아래쪽에 위치되는 제2램프(2700a)를 포함한다.
플레이트(2500, 2500a)는 제1램프(2700)를 지지하는 제1플레이트(2500) 및 제2램프(2700a)를 제2플레이트(2500a)를 포함한다.
제2플레이트(2500a)는 제2램프(2700a)와 동일한 수로 제공되어, 각각의 제2플레이트(2500a)는 독립적으로 각각의 제2램프(2500a)를 지지한다. 따라서, 각각의 제2램프(2500a)는 독립적으로 상하 높이가 조절될 수 있다.
램프 유닛은 도 3 및 도 4의 램프 유닛(230)과 동일하게 가이드 판(2400, 2400a)을 포함할 수 있다. 또한, 플레이트(2100, 2100a)는 도 3 및 도 4의 램프 유닛(230)과 동일한 방식으로 승강될 수 있다.
가스 공급 유닛(300)은 챔버(100) 내부의 처리 공간에 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 유닛(300)은 가스 공급 노즐(310), 가스 공급 라인(320), 그리고 가스 저장부(330)를 포함한다. 가스 공급 노즐(310)은 커버(120)의 중앙부에 설치된다. 가스 공급 노즐(310)의 저면에는 분사구가 형성된다. 분사구는 커버(120)의 하부에 위치하며, 챔버(100) 내부로 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 라인(320)은 가스 공급 노즐(310)과 가스 저장부(330)를 연결한다. 가스 공급 라인(320)은 가스 저장부(330)에 저장된 공정 가스를 가스 공급 노즐(310)에 공급한다. 가스 공급 라인(320)에는 밸브(321)가 설치된다. 밸브(321)는 가스 공급 라인(320)을 개폐하며, 가스 공급 라인(320)을 통해 공급되는 공정 가스의 유량을 조절한다.
플라스마 소스(400)는 챔버(100) 내부의 처리 공간 내에 공급된 공정가스로부터 플라스마를 생성한다. 플라스마 소스(400)는 챔버(100)의 처리 공간의 외부에 제공된다. 일 실시 예에 따르면, 플라스마 소스(400)로는 유도결합형 플라스마(ICP: inductively coupled plasma) 소스가 사용될 수 있다. 플라스마 소스(400)는 안테나 실(410), 안테나(420), 그리고 플라스마 전원(430)을 포함한다. 안테나 실(410)은 하부가 개방된 원통 형상으로 제공된다. 안테나 실(410)은 내부에 공간이 제공된다. 안테나 실(410)은 챔버(100)와 대응되는 직경을 가지도록 제공된다. 안테나 실(410)의 하단은 커버(120)에 탈착 가능하도록 제공된다. 안테나(420)는 안테나 실(410)의 내부에 배치된다. 안테나(420)는 복수 회 감기는 나선 형상의 코일로 제공되고, 플라스마 전원(430)과 연결된다. 안테나(420)는 플라스마 전원(430)으로부터 전력을 인가 받는다. 플라스마 전원(430)은 챔버(100) 외부에 위치할 수 있다. 전력이 인가된 안테나(420)는 챔버(100)의 처리공간에 전자기장을 형성할 수 있다. 공정가스는 전자기장에 의해 플라스마 상태로 여기 된다.
배기 유닛(500)은 하우징(110)의 내측벽과 지지 유닛(200)의 사이에 위치된다. 배기 유닛(500)은 관통홀(511)이 형성된 배기판(510)을 포함한다. 배기판(510)은 환형의 링 형상으로 제공된다. 배기판(510)에는 복수의 관통홀(511)들이 형성된다. 하우징(110) 내에 제공된 공정가스는 배기판(510)의 관통홀(511)들을 통과하여 배기홀(102)로 배기된다. 배기판(510)의 형상 및 관통홀(511)들의 형상에 따라 공정가스의 흐름이 제어될 수 있다.
도 6은 지지판에 입사된 광의 상태를 나타내는 도면이다.
도 6을 참조하면, 지지판(220)에 입사된 광(L)은 지지판(220)의 상태에 따라 이동이 제어된다.
지지판(220)의 내측에는 버블(B)이 형성된다. 버블(B)은 지름이 35㎛ 내지 45㎛의 크기를 갖도록 조절된다. 버블(B)은, 지지판(220)의 상면에서 하면을 향해 바라볼 때, 지름 15mm인 원에 해당되는 면적 내에 30개 이하가 위치되도록 수가 조절될 수 있다. 이와 같이 버블(B)의 상태가 조절되면, 지지판(220)으로 입사된 광(L)은, 설정 량은 지지판(220)에 흡수되어 지지판(220)을 가열하고, 설정량은 지지판(220)을 지난 후 기판(S)에 도달하여 기판(S)을 직접 가열한다. 그리고, 가열된 지기판(S)의 열은 열전달 가스에 의해 기판(S)으로 전달되어 기판(S)을 가열한다. 가열된 지지판(220)에서 기판(S)으로 전달되는 열량은 열전달 가스를 통해 제어 될 수 있다. 본 발명에 의하면, 기판(S)은 설정량의 광(L)을 통해 직접 가열되면서, 지지판(220)에서 전달되는 열량은 열전달 가스를 통해 조절되어, 기판(S)을 목표로 하는 온도로 효율적으로 가열할 수 있다.
도 7은 다른 실시 예에 따른 지지판에 입사된 광의 상태를 나타내는 도면이다.
도 7을 참조하면, 지지판(220a)에는 버블(B)과 함께 실리콘 입자(P)가 포함될 수 있다. 실리콘 입자(P)는 5% 내지 20% 포함될 수 있다. 실리콘 입자(P)는 지지판(220a)에 입사된 광(L)이 지지판(220a)에 흡수되어 지지판(220a)을 가열하는 것을 보조할 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
10: 기판 처리 장치 S: 기판
100: 챔버 200: 지지 유닛
300: 가스 공급 유닛 400: 플라즈마 소스 500: 배기 유닛
100: 챔버 200: 지지 유닛
300: 가스 공급 유닛 400: 플라즈마 소스 500: 배기 유닛
Claims (14)
- 기판을 처리하는 장치에 있어서,
내부에 처리공간을 가지는 챔버와;
상기 처리 공간 내로 가스를 공급하는 가스공급유닛과;
상기 가스를 플라즈마 상태로 여기하는 플라즈마 소스;
상기 기판과 마주보게 위치되고 빛을 투과시키는 재질로 제공되는 지지판을 가지고, 상기 처리공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛; 및
상기 지지판의 아래에 배치되며, 상기 지지판을 투과 후 기판을 가열하는 광을 조사하는 램프 유닛을 포함하되,
상기 램프 유닛은,
상기 지지판의 중심 영역 아래쪽에 위치되어 상기 지지판으로 광을 조사하는 제1 램프;
상기 지지판의 외측 영역 아래쪽에 위치되어 상기 지지판으로 광을 조사하는 제2 램프;
상기 제1 램프 또는 상기 제2 램프 각각의 외측을 둘러싸도록 위치되어 둘러싼 상기 제1 램프 또는 상기 제2 램프에 대한 각이 가변 가능하도록 제공되는 가이드 판;
상면에 위치된 상기 제1 램프를 지지하는 제1 플레이트; 및
상면에 위치된 상기 제2 램프를 지지하는 제2 플레이트를 포함하고,
상기 제1 플레이트 및 상기 제2 플레이트 중 어느 하나 이상은 상하 방향으로 이동 가능하게 제공되는 기판 처리 장치. - 제1항에 있어서,
상기 지지판은 석영 재질로 제공되는 기판 처리 장치. - 제2항에 있어서,
상기 지지판은 실리콘 입자를 포함하는 기판 처리 장치. - 제2항에 있어서,
상기 지지판은 버블을 포함하는 기판 처리 장치. - 제1항에 있어서,
상기 제1 램프는 광이 조사되는 방향이 조절되도록 상기 제1 플레이트에 회전 가능하게 제공되는 기판 처리 장치. - 제1항에 있어서,
상기 제2 램프는 광이 조사되는 방향이 조절되도록 상기 제2 플레이트에 회전 가능하게 제공되는 기판 처리 장치. - 삭제
- 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 제1 플레이트 및 상기 제2 플레이트는 각각 독립적으로 상하 방향으로 이동 가능하게 제공되는 기판 처리 장치. - 제1항에 있어서,
상기 제1 플레이트와 상기 제1 램프는 상기 지지판의 중심에 배치되고,
상기 제2 플레이트와 상기 제2 램프는 상기 지지판의 모서리 내측에 배치되는 기판 처리 장치. - 제10항에 있어서,
상기 제2 플레이트는 상기 지지판의 모서리의 수에 대응하도록 개별로 마련되고,
상기 제2 램프는 상기 제2 플레이트에 각각 마련되며,
상기 지지판의 모서리의 수에 대응하도록 개별로 마련된 상기 제2 플레이트는 각각 독립적으로 상하 방향으로 이동 가능하게 제공되는 기판 처리 장치. - 제1항에 있어서,
상기 지지판의 상면에는 상부로 돌출 형성되어 상기 기판의 저면을 지지하는 지지부가 형성되고,
상기 지지부는 링 형상으로 제공되고,
상기 지지부의 내측에 위치되고, 상기 지지판의 상면과 상기 기판의 저면 사이에 형성된 공간으로 열전달 가스를 공급하는 분사홀이 형성되는 기판 처리 장치. - 제1항 내지 제6항, 및 제9항 내지 제12항 중 어느 하나의 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서,
상기 기판은 석영을 포함하는 재질로 제공되는 기판 처리 방법. - 제13항에 있어서,
상기 기판은 마스크 기판을 포함하는 기판 처리 방법.
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| CN113808935A (zh) * | 2020-06-16 | 2021-12-17 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 耐腐蚀涂层形成方法和装置、等离子体零部件和反应装置 |
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| JP2005195855A (ja) * | 2004-01-07 | 2005-07-21 | Tadahiro Omi | マスク作成方法、パターン露光装置、及び、マスク |
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| KR100923671B1 (ko) * | 2009-02-18 | 2009-10-28 | 서상길 | 스캔형 노광장치 |
-
2017
- 2017-07-17 KR KR1020170090136A patent/KR101928011B1/ko active IP Right Grant
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| CN113808935B (zh) * | 2020-06-16 | 2023-12-15 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 耐腐蚀涂层形成方法和装置、等离子体零部件和反应装置 |
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