JP2005195855A - マスク作成方法、パターン露光装置、及び、マスク - Google Patents
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Abstract
【解決手段】直径約300mmまたは約200mmの円形形状で0.8mm以下の厚みを有する第1の石英板である円形石英板103にマスク用のパターンを描画し、かつ円形石英板103における前記パターンが描画された描画パターン106を含む部分を切り出して、矩形状で5mm以上の厚みを有する第2の石英板である矩形石英板109に貼り付けたものをマスク110とした。この構成によれば、マスク描画装置用のステージとして、既に市販品として多く出回っている一般の露光装置のウエハステージをそのまま利用でき、マスク描画装置を開発する際の新規製作項目が減るため、設計等の開発費用も考慮した製品価格を大幅に低減できる。
【選択図】図1
Description
101 マスク描画装置
103 円形石英板
104 XYステージ
105 パターン描画装置
106 描画パターン
107 スクライブ部
108 描画パターン切り出し部
109 矩形石英板
110 マスク
111 ミラー
112a、112b レンズ
113 投影光学系
114 マイクロレンズアレイ
115 ピンホール板
116 縮小投影光学系
L1、L2、L3、L4 紫外光
Claims (18)
- 紫外光によってパターン露光するパターン描画装置に用いるマスクの作成方法において、直径150mm以上の円形状で1mm以下の厚みを有する第1の透明マスク基板にパターンを描画する工程と、パターンを描画した前記第1の透明マスク基板のうち少なくとも前記パターンが描画された部分を、5mm以上の厚みを有する第2の透明マスク基板に貼り付ける工程とを含むことを特徴とするマスク作成方法。
- 請求項1に記載のマスク作成方法において、前記第1の透明マスク基板を前記第2の透明マスク基板に貼り付ける工程の前または後において、前記第1の透明マスク基板または前記第1の透明マスク基板および前記第2の透明マスク基板の両方を加工して前記パターン描画装置に用いるマスクとして適した平面形状とする工程を含むことを特徴とするマスク作成方法。
- 請求項2に記載のマスク作成方法において、前記平面形状が矩形であることを特徴とするマスク作成方法。
- 請求項1乃至3のいずれかに記載のマスク作成方法において、前記第2の透明マスク基板が矩形であることを特徴とするマスク作成方法。
- 請求項1乃至4のいずれかに記載のマスク作成方法において、前記第1の透明マスク基板は直径が200mm以上300mm以下であり、厚さが0.8mm以下であることを特徴とするマスク作成方法。
- 請求項1乃至5のいずれかに記載のマスク作成方法において、前記第1および第2の透明マスク基板の材料として石英を用いることを特徴とするマスク作成方法。
- 請求項1乃至6のいずれかに記載のマスク作成方法において、前記第1の透明マスク基板を前記第2の透明マスク基板に貼り付ける工程が、紫外線硬化型接着剤、エポキシ樹脂系の主剤と脂肪族ジアミン系の硬化剤とによる二成分型の接着剤および石英を主成分とする低膨張ガラスを含む接着剤のうちの少なくとも一つを用いて接着する工程を含むことを特徴とするマスク作成方法。
- 請求項1乃至7のいずれかに記載のマスク作成方法によって作成したマスクを用いることを特徴とするパターン露光装置。
- 請求項1乃至7のいずれかに記載のマスク作成方法によって作成したマスクを用いてパターン露光することを特徴とするパターン露光方法。
- 請求項1乃至7のいずれかに記載のマスク作成方法によって作成したマスクを用いてパターン露光することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- パターンをウェハ上に露光するのに使用されるマスクの作成方法において、前記ウェハと実質的に同一の平面形状及び厚さを有する第1の透明マスク基板にパターンを描画する工程と、パターンを描画した前記第1の透明マスク基板のうち少なくとも前記パターンが描画された領域を支持する第2の透明マスク基板に貼り付ける工程とを含むことを特徴とするマスク作成方法。
- 請求項11において、前記第1の透明マスク基板は前記ウェハと実質的に同一の平面サイズを有していることを特徴とするマスク作成方法。
- 請求項11又は12において、前記第2の透明マスク基板は前記パターンを描画された第1の透明マスク基板の表面とは反対側の面に貼り付けられることを特徴とするマスク作成方法。
- 請求項11〜13のいずれかにおいて、前記第1及び第2の透明マスク基板はそれぞれ円形形状及び矩形形状であり、前記パターンを描画された第1の透明マスク基板は矩形形状にカットされた後、前記第2の透明マスク基板に貼り付けられることを特徴とするマスク作成方法。
- 請求項11〜13のいずれかにおいて、前記第1及び第2の透明マスク基板はそれぞれ円形形状及び矩形形状であって、前記第1の透明マスク基板は前記第2の透明マスク基板の4つのコーナー部を越えず、且つ、第2の透明マスク基板の4つの辺を越える平面サイズを有しており、前記第1の透明マスク基板は前記第2の透明マスク基板に貼り付けられた後、前記第2の透明マスク基板を超える部分をカットする工程を含んでいることを特徴とするマスク作成方法。
- 一表面にパターンを描画された第1の透明マスク基板と、前記パターンを描画された一表面とは反対側の面に貼り付けられた第2の透明マスク基板とを含むことを特徴とするパターン描画用マスク。
- 請求項16において、前記第2の透明マスク基板は前記第1の透明マスク基板と相似形状を有しており、且つ、前記第1の透明マスク基板よりも平面サイズにおいて大きいことを特徴とするパターン描画用マスク。
- 請求項16において、前記第2の透明マスク基板は4つのコーナー部と4つの辺を有する矩形形状であって、前記第1の透明マスク基板は前記第2の透明マスク基板の4つのコーナー部よりも小さく、前記第2の透明マスク基板の4つの辺を越えない平面サイズを有していることを特徴とするパターン描画用マスク。
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KR101928011B1 (ko) * | 2017-07-17 | 2018-12-11 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
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- 2004-01-07 JP JP2004001891A patent/JP4369248B2/ja not_active Expired - Fee Related
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