CN113791702A - 电极结构的制造装置及其制造方法、触控面板 - Google Patents
电极结构的制造装置及其制造方法、触控面板 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113791702A CN113791702A CN202110922134.9A CN202110922134A CN113791702A CN 113791702 A CN113791702 A CN 113791702A CN 202110922134 A CN202110922134 A CN 202110922134A CN 113791702 A CN113791702 A CN 113791702A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- mask
- material layer
- photosensitive material
- electrode structure
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 41
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 118
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 17
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 5
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 abstract description 5
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000012905 input function Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000010079 rubber tapping Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/0412—Digitisers structurally integrated in a display
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
- G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
- G06F2203/04103—Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices
Abstract
本发明公开了一种电极结构的制造装置及其制造方法、触控面板，该电极结构的制造方法包括在一导电基材上形成一感光材料层，采用第一掩膜版曝光感光材料层，更换第二掩膜版曝光经第一掩膜版曝光后的感光材料层，其中，第一掩膜版和第二掩膜版的遮光方向不同，处理感光材料层和导电基材，以形成电极结构。本发明技术方案通过第一掩膜版和第二掩膜版两次曝光，可以在感光材料层上叠加形成包含有尖角的图案，对应地，在对感光材料层和导电基材处理后，可以得到包含有尖角的电极结构，避免了电极结构上形成圆角，从而提高电极结构的透光率。
Description
技术领域
本发明涉及触摸屏技术领域，尤其涉及电极结构的制造装置及其制造方法、触控面板。
背景技术
触摸屏成为最直观的人机交互装置，广泛应用在各种电子设备的操控输入，例如，手机、电视机、平板等电子产品都有应用。
通过触摸屏的电极结构可以确定用户在触摸屏上操作的坐标，该电极结构可以为两组相互垂直的导电线，从而通过电极结构提供两个方向的电极信号，确定用户在触摸屏上操作的坐标，实现操控输入功能。
目前，制造触摸屏的电极结构的方法为，在导电层上设置感光层，在感光层上覆盖菲林，菲林上设置有阵列分布的方孔，通过光源照射菲林，对感光层进行曝光，最终通过化学蚀刻的方式蚀刻导电层，得到电极结构，然而，由于菲林上的方孔具有圆角结构，即方孔的顶点处为圆角而非直角，导致使用化学蚀刻的方式蚀刻导电层时，得到的电极结构上的方孔上也具有圆角，电极结构上的圆角会影响电极结构的透光率。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种电极结构的制造装置及其制造方法、触摸屏，旨在解决电极结构透光率低的技术问题。
为实现上述目的，本发明提供一种电极结构的制造方法，所述电极结构的制造方法包括以下步骤：
在一导电基材上形成一感光材料层；
采用第一掩膜版曝光所述感光材料层；
更换第二掩膜版曝光经所述第一掩膜版曝光后的所述感光材料层，其中，所述第一掩膜版和所述第二掩膜版的遮光方向不同；
处理所述感光材料层和所述导电基材，以形成电极结构。
可选地，所述处理所述感光材料和所述导电基材，以形成电极结构的步骤包括：
采用显影液对所述感光材料层进行显影，以形成感光层；
采用蚀刻液蚀刻所述导电基材，以形成电极结构。
可选地，所述采用蚀刻液蚀刻所述导电基材的步骤之后，还包括：
脱模所述感光层，以形成电极结构。
可选地，所述采用显影液对所述感光材料层进行显影的步骤之后，还包括：
烘烤所述感光材料层，以形成感光层。
可选地，所述更换第二掩膜版曝光经所述第一掩膜版曝光后的所述感光材料层的步骤包括：
将采用所述第一掩膜版曝光后的所述感光材料层从所述第一掩膜版的正对位置移动至第二掩膜版的正对位置；
采用所述第二掩膜版曝光所述感光材料层。
可选地，所述更换第二掩膜版曝光经所述第一掩膜版曝光后的所述感光材料层的步骤包括：
将对所述感光材料层曝光后的所述第一掩膜版从所述感光材料层的正对位置拿走；
将第二掩膜版放置于所述感光材料层的正对位置；
采用所述第二掩膜版曝光所述感光材料层。
此外，本发明还提供一种触控面板，所述触控面板包括：
电极结构，所述电极结构通过如上述任一技术方案述及的电极结构的制造方法制造。
此外，本发明还提供一种电极结构的制造装置，所述电极结构的制造装置包括处理器、存储器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的电极结构的制造方法程序，所述电极结构的制造方法程序被所述处理器执行时实现如上述任一技术方案述及的电极结构的制造方法的步骤。
可选地，所述电极结构的制造装置还包括：
第一掩膜版以及第二掩膜版，所述第一掩膜版具有至少两个遮光方向相同的第一遮光条，所述第二掩膜版具有至少两个遮光方向相同的第二遮光条。
可选地，所述第一掩膜版和所述第二掩膜版的遮光方向垂直。
本发明实施例提出的一种触摸屏电极结构制备方法，在一导电基材上形成一感光材料层，采用第一掩膜版曝光感光材料层，更换第二掩膜版曝光经第一掩膜版曝光后的感光材料层，其中，第一掩膜版和第二掩膜版的遮光方向不同，因此通过第一掩膜版和第二掩膜版两次曝光，可以在感光材料层上叠加形成包含有尖角的图案，对应地，在对感光材料层和导电基材处理后，可以得到包含有尖角的电极结构，避免了电极结构上形成圆角，从而提高电极结构的透光率。
附图说明
图1是本发明实施例方案涉及的硬件运行环境的终端结构示意图；
图2为本发明电极结构的制造方法一实施例的流程示意图；
图3为图2中步骤S40的细化流程示意图；
图4为本发明电极结构的制造装置的第一掩膜版的结构示意图；
图5为本发明电极结构的制造装置的第二掩膜版的结构示意图。
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
如图1所示，图1是本发明实施例方案涉及的硬件运行环境的终端结构示意图。
本发明实施例终端可以是电极结构的制造装置，也可以是计算机等具有显示功能的终端设备。
如图1所示，该终端可以包括：处理器1001，例如CPU，网络接口1004，用户接口1003，存储器1005，通信总线1002。其中，通信总线1002用于实现这些组件之间的连接通信。用户接口1003可以包括显示屏(Display)、输入单元比如键盘(Keyboard)，可选用户接口1003还可以包括标准的有线接口、无线接口。网络接口1004可选的可以包括标准的有线接口、无线接口(如WI-FI接口)。存储器1005可以是高速RAM存储器，也可以是稳定的存储器(non-volatile memory)，例如磁盘存储器。存储器1005可选的还可以是独立于前述处理器1001的存储装置。
可选地，终端还可以包括摄像头、RF(Radio Frequency，射频)电路，传感器、音频电路、WiFi模块等等。其中，传感器比如光传感器、运动传感器以及其他传感器。具体地，光传感器可包括环境光传感器及接近传感器，其中，环境光传感器可根据环境光线的明暗来调节显示屏的亮度，接近传感器可在移动终端移动到耳边时，关闭显示屏和/或背光。作为运动传感器的一种，重力加速度传感器可检测各个方向上(一般为三轴)加速度的大小，静止时可检测出重力的大小及方向，可用于识别移动终端姿态的应用(比如横竖屏切换、相关游戏、磁力计姿态校准)、振动识别相关功能(比如计步器、敲击)等；当然，移动终端还可配置陀螺仪、气压计、湿度计、温度计、红外线传感器等其他传感器，在此不再赘述。
本领域技术人员可以理解，图1中示出的终端结构并不构成对终端的限定，可以包括比图示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件布置。
如图1所示，作为一种计算机存储介质的存储器1005中可以包括操作系统、网络通信模块、用户接口模块以及电极结构的制造程序。
在图1所示的终端中，网络接口1004主要用于连接后台服务器，与后台服务器进行数据通信；用户接口1003主要用于连接客户端(用户端)，与客户端进行数据通信；而处理器1001可以用于调用存储器1005中存储的电极结构的制造程序，并执行以下操作：
在一导电基材上形成一感光材料层；
采用第一掩膜版曝光所述感光材料层；
更换第二掩膜版曝光经所述第一掩膜版曝光后的所述感光材料层，其中，所述第一掩膜版和所述第二掩膜版的遮光方向不同；
处理所述感光材料层和所述导电基材，以形成电极结构。
进一步地，处理器1001可以调用存储器1005中存储的电极结构的制造程序，还执行以下操作：
采用显影液对所述感光材料层进行显影，以形成感光层；
采用蚀刻液蚀刻所述导电基材，以形成电极结构。
进一步地，处理器1001可以调用存储器1005中存储的电极结构的制造程序，还执行以下操作：
脱模所述感光层，以形成电极结构。
进一步地，处理器1001可以调用存储器1005中存储的电极结构的制造程序，还执行以下操作：
烘烤所述感光材料层，以形成感光层。
进一步地，处理器1001可以调用存储器1005中存储的电极结构的制造程序，还执行以下操作：
将采用所述第一掩膜版曝光后的所述感光材料层从所述第一掩膜版的正对位置移动至第二掩膜版的正对位置；
采用所述第二掩膜版曝光所述感光材料层。
进一步地，处理器1001可以调用存储器1005中存储的电极结构的制造程序，还执行以下操作：
将对所述感光材料层曝光后的所述第一掩膜版从所述感光材料层的正对位置拿走；
将第二掩膜版放置于所述感光材料层的正对位置；
采用所述第二掩膜版曝光所述感光材料层。
请参照图2，本发明第一实施例提供一种电极结构的制造方法，所述电极结构的制造方法包括：
步骤S10，在一导电基材上形成一感光材料层。
在本实施例中，导电基材可以为在PEP材料层上形成导电金属层的导电基材，导电金属层可以为铜膜。
在导电基材上形成感光材料层时，可以采用喷淋等工艺将感光材料喷淋在导电基材上，也可以直接将制作为成品的感光材料层直接粘贴在感光材料层上，本实施例在此不作限定。
步骤S20，采用第一掩膜版曝光感光材料层。
在本实施例中，将第一掩膜版设置在感光材料层的一侧，使得第一掩膜版位于感光材料层与光源之间，然后开启光源以通过光源照射第一掩膜版，进而曝光感光材料层，从而将第一掩膜版上的图案转移至感光材料层。
可以理解地，感光材料层为光敏材料层，在被特定波长的光线照射之后，会发生相应的反应，以将感光材料层的曝光区与未曝光区区分，实现第一掩膜版上图案的转移，再经过显影后，可以得到与曝光图案相同的图案。
具体地，曝光光源发出的光线的波长可以为i线(波长365nm)、h线(波长405nm)或g线(波长436nm)，曝光光源可以采用高压汞灯，高压汞灯的发光原理为：在真空的石英管中加入定量的高纯汞，通过对两端电极提供高电压差，以产生高热，并将汞汽化，汞蒸气在高电位差下，受激发而放电，从而产生紫外线辐射，其中，石英管内部的卤素元素，具有催化和保护的功用。
步骤S30，更换第二掩膜版曝光经第一掩膜版曝光后的感光材料层，其中，第一掩膜版和第二掩膜版的遮光方向不同。
在将第一掩膜版上的图案转移至感光材料层上之后，将第一掩膜版替换为第二掩膜版，以通过光源照射第二掩膜版，将第二掩膜版上的图案转移至感光材料层，从而将第一掩膜版和第二掩膜版上的图案叠加在感光材料层上，形成用户所需求的图案。
由于第一掩膜版的遮光方向与第二掩膜版的遮光方向不同，因此，感光材料层经过第一掩膜版和第二掩膜版两次曝光之后，可以形成用户所需的图案，该图案包括但不限于含有尖角的图案。
可以理解地，在采用第一掩膜版和第二掩膜版分别曝光感光材料层时，会将第一掩膜版和第二掩膜版上的遮光图案分别投影在感光材料层上，而且第一掩膜版的遮光方向与第二掩膜版的遮光方向不同，导致两次投影的遮光图案会在感光材料层上交叉，从而形成包含有尖角的图案，在本实施例中，形成于感光材料层上的图案为网格状，网格的形状为方孔；更换第二掩膜版，即将第一掩膜版移走，将第二掩膜版移动并放置于第一掩膜版的曝光位置，以采用第二掩膜版曝光感光材料层。
步骤S40，处理感光材料层和导电基材，以形成电极结构。
将第一掩膜版和第二掩膜版上的图案叠加转移至感光材料层上之后，需要对导电基材和感光材料层进行处理后，才能得到电极结构。
在一示例技术方案中，掩膜版是通过光绘机绘制而成，在光绘机绘制图案时，光绘机产生的像素点级的光束无法绘制包含尖角的图案，因此，在感光材料层上通过掩膜版曝光得到的图案中，无法得到包含尖角的图案，导致在显影感光材料层后，再通过蚀刻得到的网格状电极结构中，每个方形透光孔的四个角都是圆角，该圆角会遮住光线，导致电极结构的透光率较低。
在本发明实施例中，在一导电基材上形成一感光材料层，采用第一掩膜版曝光感光材料层，更换第二掩膜版曝光经第一掩膜版曝光后的感光材料层，其中，第一掩膜版和第二掩膜版的遮光方向不同，因此通过第一掩膜版和第二掩膜版两次曝光，可以在感光材料层上叠加形成包含有尖角的图案，对应地，在对感光材料层和导电基材处理后，可以得到包含有尖角的电极结构，避免了电极结构上形成圆角，从而提高电极结构的透光率。
进一步地，请参照图3，步骤S40包括：
步骤S41，采用显影液对感光材料层进行显影，以形成感光层；
步骤S42，采用蚀刻液蚀刻导电基材，以形成电极结构。
在采用第一掩膜版和第二掩膜版分别曝光感光材料层之后，通过显影液对感光材料层进行显影，可以洗去感光材料层上未曝光的区域，感光材料层上经过曝光的区域则可以留下，从而可以得到具有第一掩膜版和第二掩膜版上叠加图案的感光层，然后再利用蚀刻液蚀刻导电基材，感光层(即显影时留下的感光材料层)会保护导电基材不被侵蚀，未被感光层保护到的导电基材则被蚀刻液蚀刻掉，最终在导电基材上形成与感光层相同的图案，得到电极结构。
可以理解地，在采用显影液对感光材料层进行显影时，可以根据实际需求采用正显影或负显影，显影液可以根据感光材料的类型进行选择，例如，可以选择四甲基氢氧化铵等弱碱。
在采用蚀刻液蚀刻导电基材之后，脱模感光层，以形成电极结构，由于感光材料层用于辅助制造电极结构，因此在导电基材上蚀刻与感光层相同的图案后，需要将感光层从经过蚀刻液蚀刻的导电基材上清洗掉，得到相应图案的电极结构，该电极结构可以应用在触控面板；脱模感光层时可以采用强碱清洗感光层，以将导电基材上的感光层清洗掉，蚀刻液可以选择强酸。
在采用显影液对感光材料层进行显影之后，烘烤感光材料层，以形成感光层，使得感光层固化，从而提高感光层的稳定性；在烘烤感光材料层时，采用合适的温度，烘烤预设时间。
在本实施例中，步骤S30，更换第二掩膜版曝光经第一掩膜版曝光后的感光材料层的步骤包括将采用第一掩膜版曝光后的感光材料层从第一掩膜版的正对位置移动至第二掩膜版的正对位置，采用第二掩膜版曝光感光材料层，即第一掩膜版和第二掩膜版不动，将形成于导电基材上的感光材料层从第一掩膜版的正对位置移动至第二掩膜版的正对位置，以便通过光源照射第二掩膜版，曝光经过第一掩膜版曝光后的感光材料层。
可以理解地，在移动感光材料层时，可以采用机械臂、输送带等装置将形成于导电基材上的感光材料层从第一掩膜版的正对位置移动至第二掩膜版的正对位置，第一掩膜版和第二掩膜版可以分别设置在两个独立的装置上。
基于上述第一实施例，在第二实施例中，更换第二掩膜版曝光经第一掩膜版曝光后的感光材料层的步骤包括将对感光材料层曝光后的第一掩膜版从感光材料层的正对位置拿走，将第二掩膜版放置于感光材料层的正对位置，采用第二掩膜版曝光感光材料层，即形成于导电基材上的感光材料层不动，第一掩膜版和第二掩膜版移动，通过将第一掩膜版从感光材料层的正对位置移走，将第二掩膜版移动至感光材料层的正对位置，以通过光源照射第二掩膜版，曝光经过第一掩膜版曝光后的感光材料层。
可以理解地，第一掩膜版和第二掩膜版分别设置于两个独立的装置上，第一掩膜版和第二掩膜版可以通过机械臂、转盘等装置移动，本实施例在此不作限定。
此外，本发明实施例还提供一种触控面板，该触控面板包括电极结构，电极结构通过上述任一实施例述及的电极结构的制造方法制造。
此外，本发明实施例还提供一种电极结构的制造装置，该电极结构的制造装置包括处理器、存储器及存储在存储器上并可在处理器上运行的电极结构的制造方法程序，电极结构的制造方法程序被处理器执行时实现如上述任一实施例述及的电极结构的制造方法的步骤。
在一实施例中，如图4及图5所示，电极结构的制造装置还包括第一掩膜版10以及第二掩膜版20，第一掩膜版10具有至少两个遮光方向相同的第一遮光条11，第二掩膜版20具有至少两个遮光方向相同的第二遮光条21，以通过光源照射第一掩膜版10和第二掩膜版20，将第一掩膜版10的图案和第二掩膜版20的图案分别投影在感光材料层上。
在本实施例中，当采用第一掩膜版10和第二掩膜版20对同一感光材料层进行曝光时，第一遮光条11与第二遮光条21的遮光方向不相同。
在一实施例中，如图4及图5所示，第一掩膜版10和第二掩膜版20的遮光方向垂直，以将遮光方向相互垂直的第一掩膜版10和第二掩膜版20上的遮光图案投影在感光材料层，可以形成网格状的遮光图案，且网格的网孔为方孔，以增加制造的电极结构的透光率。
需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者系统不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者系统所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者系统中还存在另外的相同要素。
上述本发明实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。
通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员可以清楚地了解到上述实施例方法可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现，当然也可以通过硬件，但很多情况下前者是更佳的实施方式。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在如上所述的一个存储介质(如ROM/RAM、磁碟、光盘)中，包括若干指令用以使得一台终端设备(可以是手机，计算机，服务器，空调器，或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述的方法。
以上仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (10)
1.一种电极结构的制造方法，其特征在于，所述电极结构的制造方法包括以下步骤：
在一导电基材上形成一感光材料层；
采用第一掩膜版曝光所述感光材料层；
更换第二掩膜版曝光经所述第一掩膜版曝光后的所述感光材料层，其中，所述第一掩膜版和所述第二掩膜版的遮光方向不同；
处理所述感光材料层和所述导电基材，以形成电极结构。
2.如权利要求1所述的电极结构的制造方法，其特征在于，所述处理所述感光材料和所述导电基材，以形成电极结构的步骤包括：
采用显影液对所述感光材料层进行显影，以形成感光层；
采用蚀刻液蚀刻所述导电基材，以形成电极结构。
3.如权利要求2所述的电极结构的制造方法，其特征在于，所述采用蚀刻液蚀刻所述导电基材的步骤之后，还包括：
脱模所述感光层，以形成电极结构。
4.如权利要求2所述的电极结构的制造方法，其特征在于，所述采用显影液对所述感光材料层进行显影的步骤之后，还包括：
烘烤所述感光材料层，以形成感光层。
5.如权利要求1所述的电极结构的制造方法，其特征在于，所述更换第二掩膜版曝光经所述第一掩膜版曝光后的所述感光材料层的步骤包括：
将采用所述第一掩膜版曝光后的所述感光材料层从所述第一掩膜版的正对位置移动至第二掩膜版的正对位置；
采用所述第二掩膜版曝光所述感光材料层。
6.如权利要求1所述的电极结构的制造方法，其特征在于，所述更换第二掩膜版曝光经所述第一掩膜版曝光后的所述感光材料层的步骤包括：
将对所述感光材料层曝光后的所述第一掩膜版从所述感光材料层的正对位置拿走；
将第二掩膜版放置于所述感光材料层的正对位置；
采用所述第二掩膜版曝光所述感光材料层。
7.一种触控面板，其特征在于，所述触控面板包括：
电极结构，所述电极结构通过如权利要求1-6任意一项所述的电极结构的制造方法制造。
8.一种电极结构的制造装置，其特征在于，所述电极结构的制造装置包括处理器、存储器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的电极结构的制造方法程序，所述电极结构的制造方法程序被所述处理器执行时实现如权利要求1至6中任意一项所述电极结构的制造方法的步骤。
9.如权利要求8所述的电极结构的制造装置，其特征在于，所述电极结构的制造装置还包括：
第一掩膜版以及第二掩膜版，所述第一掩膜版具有至少两个遮光方向相同的第一遮光条，所述第二掩膜版具有至少两个遮光方向相同的第二遮光条。
10.如权利要求9所述的电极结构的制造装置，其特征在于，所述第一掩膜版和所述第二掩膜版的遮光方向垂直。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110922134.9A CN113791702A (zh) | 2021-08-11 | 2021-08-11 | 电极结构的制造装置及其制造方法、触控面板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110922134.9A CN113791702A (zh) | 2021-08-11 | 2021-08-11 | 电极结构的制造装置及其制造方法、触控面板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113791702A true CN113791702A (zh) | 2021-12-14 |
Family
ID=78875912
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110922134.9A Pending CN113791702A (zh) | 2021-08-11 | 2021-08-11 | 电极结构的制造装置及其制造方法、触控面板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113791702A (zh) |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009223266A (ja) * | 2008-03-19 | 2009-10-01 | Epson Imaging Devices Corp | パターニング方法、マスクセット、電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器 |
| JP2010160927A (ja) * | 2009-01-07 | 2010-07-22 | Fujifilm Corp | 導電性フイルムの製造方法、導電性フイルム及び透明発熱体 |
| CN102290129A (zh) * | 2010-06-18 | 2011-12-21 | 富士胶片株式会社 | 导电膜及其制备方法 |
| US20120156850A1 (en) * | 2010-12-21 | 2012-06-21 | Hynix Semiconductor Inc. | Method for fabricating fine pattern |
| CN102830592A (zh) * | 2011-06-03 | 2012-12-19 | 三星显示有限公司 | 用于光配向工艺的曝光设备和制造液晶显示器的方法 |
| CN103034049A (zh) * | 2012-12-13 | 2013-04-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 金属线及阵列基板的制作方法 |
| CN104808378A (zh) * | 2015-05-14 | 2015-07-29 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 用于制作液晶显示面板的方法及液晶显示面板 |
| CN106125516A (zh) * | 2016-08-19 | 2016-11-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种曝光方法、基板及曝光装置 |
| CN107168593A (zh) * | 2017-05-10 | 2017-09-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种触控电极及触控电极制作方法 |
-
2021
- 2021-08-11 CN CN202110922134.9A patent/CN113791702A/zh active Pending
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009223266A (ja) * | 2008-03-19 | 2009-10-01 | Epson Imaging Devices Corp | パターニング方法、マスクセット、電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器 |
| JP2010160927A (ja) * | 2009-01-07 | 2010-07-22 | Fujifilm Corp | 導電性フイルムの製造方法、導電性フイルム及び透明発熱体 |
| CN102290129A (zh) * | 2010-06-18 | 2011-12-21 | 富士胶片株式会社 | 导电膜及其制备方法 |
| US20120156850A1 (en) * | 2010-12-21 | 2012-06-21 | Hynix Semiconductor Inc. | Method for fabricating fine pattern |
| CN102830592A (zh) * | 2011-06-03 | 2012-12-19 | 三星显示有限公司 | 用于光配向工艺的曝光设备和制造液晶显示器的方法 |
| CN103034049A (zh) * | 2012-12-13 | 2013-04-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 金属线及阵列基板的制作方法 |
| CN104808378A (zh) * | 2015-05-14 | 2015-07-29 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 用于制作液晶显示面板的方法及液晶显示面板 |
| CN106125516A (zh) * | 2016-08-19 | 2016-11-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种曝光方法、基板及曝光装置 |
| CN107168593A (zh) * | 2017-05-10 | 2017-09-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种触控电极及触控电极制作方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7887997B2 (en) | Manufacturing method for conducting films on two surfaces of transparent substrate of touch control circuit | |
| US10289003B2 (en) | Line edge roughness reduction via step size alteration | |
| JP6757751B2 (ja) | タイムシフト型の曝露を使用する不均一パターンの補正 | |
| CN108271417B (zh) | 触控基板、触控面板、触控显示装置、掩模板、制造方法 | |
| CN111935468B (zh) | 投影中心的偏移检测方法、装置及计算机可读存储介质 | |
| US9753593B2 (en) | Touch panel and method of manufacturing the same | |
| US20020021089A1 (en) | Organic EL device and method for manufacturing the same | |
| JP2011203834A (ja) | 電磁場シミュレーション方法、電磁場シミュレーション装置、半導体装置の製造方法 | |
| CN113791702A (zh) | 电极结构的制造装置及其制造方法、触控面板 | |
| CN109507827B (zh) | 显示面板制作方法、显示面板制作装置和显示面板 | |
| TWI618452B (zh) | Substrate cover | |
| US7073163B2 (en) | Method of simulating patterns, computer program therefor, medium storing the computer program and pattern-simulating apparatus | |
| US9207501B2 (en) | Electrophoretic display panel and manufacturing method thereof | |
| CN111612805A (zh) | 一种掩模边界检测方法、计算机可读存储介质及系统 | |
| CN109597281B (zh) | 线宽偏差曲线的生成方法、线宽偏差值的预估方法及装置 | |
| JP2008091721A (ja) | レジストパターン予測システム、レジストパターン予測方法、及びマスクパターン補正方法 | |
| CN108196738B (zh) | 触控面板及其制造方法、触控显示装置 | |
| WO2019119329A1 (zh) | 曲面触控面板的制造方法 | |
| CN203882091U (zh) | 具有吸光层的感光层结构 | |
| JP2004265386A (ja) | パターンシミュレーション方法、そのプログラム、そのプログラムを記憶した媒体、およびその装置 | |
| CN116088283B (zh) | 掩模版预校准方法、系统、电子设备以及可读存储介质 | |
| CN111983889B (zh) | 掩膜板装置、显示器、曝光机 | |
| KR101169061B1 (ko) | 터치 패널 및 그 제조방법 | |
| TW202401145A (zh) | 用於傾斜光柵的阻劑建模方法 | |
| WO2023239890A1 (en) | Automated metrology method for large devices |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20220406 Address after: 518000 workshop 301 and 401, building B, penglongpan high tech park, No. 11, Dafu Industrial Zone, Kukeng community, Guanlan street, Longhua District, Shenzhen, Guangdong Applicant after: CINOTOP ELECTRONICS Co.,Ltd. Applicant after: Shenzhen Zhiling Weiye photoelectric Co., Ltd Address before: 518000 Room 301, 401, building B, penglongpan hi tech park, No. 11, Dafu Industrial Zone, Dafu community, Guanlan street, Longhua District, Shenzhen City, Guangdong Province Applicant before: Shenzhen Zhiling Weiye photoelectric Co.,Ltd. |
|
| TA01 | Transfer of patent application right |