CN113767461B - 载置台和载置台的制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供能够载置检查对象体的载置台，其包括：能够在表面载置上述检查对象体的顶板部；流路形成部件，其安装在上述顶板部的背面，并在其与上述顶板部之间形成供可透射光的致冷剂流动的致冷剂流路；和光照射机构，其以与载置于上述顶板部的上述检查对象体隔着上述流路形成部件相对的方式配置，并具有面向该检查对象体的多个LED，上述流路形成部件由可透射光的玻璃构成，上述顶板部由硅构成。

Description

载置台和载置台的制作方法
技术领域
本发明涉及载置台和载置台的制作方法。
背景技术
专利文献1公开了载置形成有电子器件的基片的工作台(stage)。专利文献1公开的工作台具有圆板状的工作台盖和在内部形成有致冷剂槽的冷却单元，工作台盖经由O形环与冷却单元抵接，上述致冷剂槽被工作台盖覆盖而形成致冷剂流路，O形环将致冷剂密封在致冷剂流路中。而且，隔着上述工作台盖和冷却单元与晶片相对地设置有具有多个LED的光照射机构，且冷却单元和致冷剂可透射光，因此，来自LED的光透射冷却机构等到达工作台盖。而且，光照射机构能够将来自LED的光局部地照射到工作台盖。依照上述的构成，专利文献1公开的工作台利用冷却机构将工作台盖整体地冷却，并且向工作台盖局部地照射光以进行加热，由此，能够仅控制所希望的电子器件的温度并且将其他电子器件冷却。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2018-151369号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明的技术在于提供一种载置台，其利用在设置于载置台内的致冷剂流路中流动的致冷剂将检查对象体冷却并且利用透射了构成致冷剂流路的部件和致冷剂的光对检查对象体进行加热，能够在较大的温度范围内使用。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的一个方式为能够载置检查对象体的载置台，其包括：能够在表面载置上述检查对象体的顶板部；流路形成部件，其安装在上述顶板部的背面，并在其与上述顶板部之间形成供可透射光的致冷剂流动的致冷剂流路；和光照射机构，其以与载置于上述顶板部的上述检查对象体隔着上述流路形成部件相对的方式配置，并具有面向该检查对象体的多个LED，上述流路形成部件由可透射光的玻璃构成，上述顶板部由硅构成。
发明效果
依照本发明，能够提供一种载置台，其利用在设置于载置台内的致冷剂流路中流动的致冷剂将检查对象体冷却并且利用透射了构成致冷剂流路的部件和致冷剂的光对检查对象体进行加热，能够在较大的温度范围内使用。
附图说明
图1是表示具有作为本实施方式的载置台的工作台的检查器的概要结构的立体图。
图2是表示具有作为本实施方式的载置台的工作台的检查器的概要结构的正面图。
图3是概要地表示作为检查对象体的晶片的结构的平面图。
图4是概要地表示工作台的结构的截面图。
图5是概要地表示光照射机构的结构的平面图。
图6是概要地表示图1的检查装置中的晶片温度测量用的电路结构的图。
图7是概要地表示顶板的另一例的结构的截面图。
图8是为了表示构成图7的顶板的各层而将顶板按每层分割地进行表示的截面图。
具体实施方式
在半导体制造处理中，在半导体晶片(以下，称为“晶片”。)上形成具有规定的电路图案的多个电子器件。对所形成的电子器件进行电特性等的检查，来甄别为合格和不合格。电子器件的检查例如在各电子器件被分割前的晶片的状态下，使用检查装置进行。
被称为检查器等的检查装置(以下，称为“检查器”。)包括具有多个探针的探针卡和能够载置晶片的工作台。在检查时，在检查器中，探针卡的各探针与电子器件的各电极接触，在该状态下，从设置于探针卡的上部的测试器经由各探针对该电子器件供给电信号。然后，基于测试器经由各探针从电子器件接收到的电信号，来甄别该电子器件是否不合格。
在这种检查器中，在检查电子器件的电特性时，为了再现该电子器件的安装环境，利用设置于工作台内的、具有电阻发热体的加热器、供致冷剂流动的流路，来控制该工作台的温度，以控制晶片的温度。
但是，近年来，电子器件向高速化和微小化发展，集成度变高，工作时的发热量显著增大。因此，在晶片中，在检查一个电子器件时，对相邻的其他电子器件产生热负载，有时使该其他电子器件产生不良。
关于该问题，专利文献1公开了以下的工作台。如上所述，专利文献1公开的工作台具有圆板状的工作台盖和在内部形成有致冷剂槽的冷却单元，工作台盖经由O形环与冷却单元抵接，上述致冷剂槽被工作台盖覆盖而形成致冷剂流路，O形环将致冷剂密封在致冷剂流路中。而且，隔着上述工作台盖和冷却单元与晶片相对地设置有具有多个LED的光照射机构，且冷却单元和致冷剂可透射光，因此，来自LED的光透射冷却机构等到达工作台盖。而且，光照射机构能够将来自LED的光局部地照射到工作台盖。依照上述的构成，专利文献1公开的工作台利用冷却机构将工作台盖整体地冷却，并且向工作台盖局部地照射光以进行加热，由此，能仅控制所希望的电子器件的温度并且将其他电子器件冷却。
一直以来，考虑利用来自LED的光进行的加热的容易性等，工作台盖的材料使用热传导率高的SiC，冷却单元的材料使用作为廉价的透明部件的玻璃。
作为工作台盖的材料的SiC的热膨胀率和作为冷却单元的材料的玻璃的热膨胀率，为了在大的检查温度范围使得上述材料适合用于工作台，优选为相同程度。但是，为了使玻璃的热膨胀率与SiC为相同程度，若调整对玻璃的添加物的量、种类，则该玻璃相对于来自LED的光变得不透明。此外，难以改变SiC的热膨胀率。
因此，为了维持对来自LED的光的透明性，作为冷却单元的材料，一直以来使用热膨胀率与作为工作台盖的材料的SiC不同的玻璃。
为了吸收该热膨胀率的差，并且将致冷剂密封在形成于工作台与冷却单元之间的致冷剂流路，与专利文献1同样地考虑使工作台和冷却单元经由O形环抵接的方法。但是，为了利用O形环进行密封，需要将1t程度的压缩力施加到O形环以使O形环变形而与工作台和冷却单元紧贴。为了施加这样大的压缩力，需要使由玻璃构成的冷却单元的厚度例如为30mm以上，以能够耐受该压缩力。但是，在由玻璃构成的冷却单元的厚度较大时，工作台会变得大型、高重量，存在对工作台的驱动系统带来故障的可能性，而且存在来自LED的光的加热效率降低的可能性。此外，在使用O形环的情况下，为了用较强的力将该O形环压缩，需要利用多个保持螺纹件将工作台和冷却单元紧固，在利用螺纹件进行的接合部分容易破损等可靠性的方面存在改善的余地。
另外，作为吸收上述的热膨胀率的差并且将致冷剂密封在上述的致冷剂流路中的其他方法，考虑利用环氧树脂将工作台和冷却单元接合的方法。但是，在作为工作台盖和冷却单元的材料的SiC和玻璃的热膨胀率的差不同的情况下，如果不在从一定基准的温度至例如35℃以内，则利用环氧树脂的接合断裂。一定基准的温度是为了利用环氧树脂的接合而加热该环氧树脂时的该环氧的温度。因此，在膨胀率存在差的情况下，使用该环氧树脂的方法无法适用于在较大的温度范围进行电特性检查的检查器。
因此，本发明的技术在于提供一种工作台，其利用在设置于工作台内的致冷剂流路中流动的致冷剂将检查对象体冷却并且利用透射了构成致冷剂流路的部件和致冷剂的光对检查对象体进行加热，能够在较大的温度范围内使用。
以下，参照附图，对本实施方式的载置台和载置台的制作方法进行说明。此外，在本说明书和附图中，对实质上具有相同的功能构成的要素标注相同的附图标记，而省略重复说明。
图1和图2分别是表示具有作为本实施方式的载置台的工作台的检查器1的概要结构的立体图和正面图。在图2中，表示图1的检查器1的后述的收纳室和装载器中内置的构成要素，因此，其一部分用截面表示。
图1和图2的检查器1进行形成于作为检查对象体的晶片W的多个电子器件(参照后述的图3的附图标记D)各自的电特性的检查。该检查器1包括：在检查时收纳晶片W的收纳室2；与收纳室2相邻地配置的装载器3；和以覆盖收纳室的方式配置的测试器4。
收纳室2是内部为空洞的壳体，具有作为能够载置晶片W的载置台的工作台10。工作台10对晶片W进行吸附保持以使得晶片W相对于该工作台10的位置不偏移。此外，在工作台10设置有使该工作台10在水平方向和铅垂方向上移动的移动机构11。移动机构11具有在其上部配置工作台10的由不锈钢等金属材料构成的基台11a，虽然省略图示，但是具有用于使基台11a移动的导轨、滚珠丝杠、电机等。利用该移动机构11，能够调整后述的探针卡12与晶片W的相对位置，使晶片W的表面的电极与探针卡12的探针12a接触。
在收纳室2中的该工作台10的上方，以与该工作台10相对的方式配置有探针卡12。探针卡12经由接口13与测试器4连接。各探针12a在电特性检查时与晶片W的各电子器件的电极接触，将来自测试器4的电功率经由接口13供给到电子器件，并且将来自电子器件的信号经由接口13传递到测试器4。
装载器3将收纳于作为输送容器的FOUP(未图示)的晶片W取出并将其输送到收纳室2的工作台10。而且，装载器3从工作台10接收电子器件的电特性的检查已结束的晶片W，并将其收纳到FOUP。
另外，装载器3具有进行作为检查对象的电子器件的温度控制等各种控制的控制部14。被称为基础单元等的控制部14例如由具有CPU、存储器等的计算机构成，具有程序保存部(未图示)。在程序保存部保存有控制检查器1中的各种处理的程序。此外，上述程序也可以存储于计算机可读取的存储介质，从该存储介质被安装到控制部14。程序的一部分或者全部可以由专用硬件(电路板)实现。
另外，装载器3具有测量各电子器件中的电位差生成电路(未图示)中的电位差的电位差测量单元15。上述电位差生成电路例如是二极管、晶体管或电阻。电位差测量单元15经由配线16与接口13连接，获取与上述电位差生成电路对应的2个电极接触的2个探针12a间的电位差，将获取到的电位差传递到控制部14。接口13中的各探针12a和配线16的连接构造在后文说明。控制部14经由配线17与工作台10连接，控制后述的光照射机构140、调整致冷剂去往后述的致冷剂流路131的流量的流量控制阀。此外，控制部14、电位差测量单元15可以设置在收纳室2，电位差测量单元15也可以设置在探针卡12。
测试器4具有再现搭载电子器件的主板的电路结构的一部分的测试板(省略图示)。测试板与基于来自电子器件的信号来判断该电子器件是否合格的测试计算机18连接。在测试器4中，通过替换上述测试板，能够再现多种主板的电路结构。
另外，检查器1具有用于向用户显示信息或者供用户输入指示的用户接口部19。用户接口部19例如包括触摸面板、键盘等输入部和液晶显示器等显示部。
在具有上述的各构成要素的检查器1中，在检查电子器件的电特性时，测试计算机18向经由电子器件和各探针12a与之连接的测试板发送数据。而且，测试计算机18基于来自该测试板的电信号来判断发送来的数据是否被盖测试板正确地进行了处理。
接着，使用图3，对作为上述的检查器1的检查对象的晶片W进行说明。图3是概要地表示晶片W的结构的平面图。
通过对大致圆板状的硅基片实施蚀刻处理、配线处理，如图3所示，多个电子器件D彼此隔开规定间隔地形成于晶片W的表面。在电子器件D即晶片W的表面形成有电极E，该电极E与该电子器件D的内部的电路元件电连接。通过对电极E施加电压，能够使电流流向各电子器件D的内部的电路元件。
接着，使用图4和图5，对工作台10的结构进行说明。图4是概要地表示工作台10的结构的截面图，图5是概要地表示后述的光照射机构140的结构的平面图。
工作台10如图4所示由包含作为顶板部的顶板120的多个功能部层叠而成。工作台10经由热绝缘部件110载置在使该工作台10在水平方向和铅垂方向上移动的移动机构11(参照图2)上。热绝缘部件110用于将工作台10和移动机构11热绝缘，例如由热传导率和热膨胀率低的堇青石(cordierite)的烧结体等构成。移动机构11的基台11a和热绝缘部件110都是实心的。
工作台10从上方起依次具有顶板120、流路形成部件130和光照射机构140。而且，工作台10从光照射机构140的下方，换言之从光照射机构140的背面侧经由热绝缘部件110被移动机构11支承。
顶板120是能够在其表面120a载置晶片的部件。顶板120换言之是其表面120a成为作为能够载置晶片W的基片载置面的晶片载置面的部件。此外，在下文中，将作为工作台10的上表面的顶板120的表面120a记为晶片载置面120a。
顶板120例如形成为圆板状。而且，顶板120由Si(硅)形成。Si的比热容小且热传导率高。因此，通过用Si形成顶板120，在进行该顶板120的加热、冷却时，能够高效地对载置于该顶板120的晶片W进行加热或冷却，并且能够利用来自光照射机构140的光高效地加热顶板120即晶片W。此外，Si的杨氏模量为300GPa，较高。因此，通过利用Si形成顶板120，能够防止在顶板120产生破裂等。而且，Si与如后文所述流路形成部件130中使用的玻璃相比热膨胀率大致相同。该效果在后文说明。顶板120具体而言通过对Si单晶基片进行加工来制作。
另外，在顶板120的表面120a形成有用于吸附晶片W的吸附孔(未图示)。此外，在顶板120，多个温度传感器121埋设于在俯视时彼此隔开间隔的位置。
流路形成部件130是安装在顶板120的背面120b，在其与顶板120之间形成供致冷剂流过的致冷剂流路131的部件，形成为与顶板120大致相同直径的圆板状。
在流路形成部件130的表面形成有槽，该槽被顶板120覆盖而形成致冷剂流路131。在检查器1中，利用在致冷剂流路131中流动的致冷剂将载置于工作台10上的晶片W冷却，由此，将形成于该晶片W的电子器件冷却。
另外，在流路形成部件130的侧部形成有与致冷剂流路131连通的供给口132和排出口133。供给口132与对致冷剂流路131供给致冷剂的供给管160连接，排出口133与从致冷剂流路131排出致冷剂的排出管161连接。在供给管160设置有控制对致冷剂流路131供给的致冷剂的流量的流量控制阀162。
作为在致冷剂流路131中流动的致冷剂，例如能够使用光可透射的氟类非活性液体(Fluorinert(注册商标)、Novec(注册商标)等)，由设置于检查器1的外部的泵(省略图示)经由供给管160被供给到致冷剂流路131。此外，调整致冷剂的流量的流量控制阀162等的动作由控制部14控制。
具有上述的结构的流路形成部件130的材料使用供光透射的玻璃，更具体而言，使用具有与供光透射的Si大致相同的热膨胀率的玻璃、例如与硅的接合性优良的硼硅酸玻璃。此外，“具有与Si同等的热膨胀率”是指，在进行电特性检查的温度范围，与Si的热膨胀率之差在±20％的范围内。此外，“进行电特性检查的温度范围”例如为﹣40℃～125℃。
作为以能够将致冷剂密封在致冷剂流路131中的方式进行流路形成部件130与顶板120的接合的方法，例如能够使用阳极接合。但是，可以利用环氧树脂将流路形成部件130与顶板120接合。
光照射机构140可以与载置于顶板120的表面120a的晶片W隔着流路形成部件130相对配置。
该光照射机构140具有面向晶片W的多个LED141。具体而言，光照射机构140具有多个LED单元U，并且具有在表面搭载有上述LED单元U的基部142，LED单元U是将多个LED141单元化而成的。光照射机构140中的LED单元U例如如图5所示，由俯视时呈正方形状的单元U1和俯视时呈非正方形状的单元U2覆盖基部142的大致整个面，其中，单元U1与形成于晶片W上的电子器件D(参照图3)以相同数量同样地排列，单元U2覆盖单元U1外周。由此，能够利用来自LED单元U的LED141的光至少照射顶板120中的搭载晶片W的整个部分。
各LED141向晶片W照射光。在本例中，各LED141出射近红外光。从LED141出射的光(以下，有时省略为“LED光”。)通过由光透射部件构成的工作台10的流路形成部件130。通过了流路形成部件130的光，通过在工作台10的致冷剂流路131中流动的、可透射光的致冷剂，入射到顶板120。
基部142形成为与顶板120大致相同直径的圆板状，在其内部形成有供用于将LED141冷却的致冷剂流动的致冷剂流路(未图示)。基部142例如由Al等金属制材料形成。
另外，光照射机构140如图4所示，经由间隔件143与流路形成部件130的背面接合。具体而言，例如，基部142的表面的周缘部与流路形成部件130的背面的周缘部经由俯视时呈圆环状的间隔件143接合。利用上述的间隔件143在基部142与流路形成部件130之间形成空间，该空间形成能够搭载LED141的LED搭载空间S。LED搭载空间S由光透射性树脂144等能够使LED光透射的材料填充。即，工作台10形成为没有中空部分。
在光照射机构140中，入射到载置晶片W的顶板120的LED光以LED单元U为单位被控制。因此，光照射机构140能够仅向顶板120中的任意部位照射LED光，或者使照射的光的强度在任意部位与其他部位不同。因此，利用光照射机构140，能够对载置于顶板120的晶片W局部地进行加热，或者使晶片W中的加热程度局部地改变。
在检查器1中，利用由来自光照射机构140的光进行的加热和由在致冷剂流路131中流动的致冷剂进行的吸热进行控制，以使形成于工作台10上的晶片W的作为检查对象的电子器件D的温度固定在目标温度。为了进行该温度控制，在检查器1中，测量电子器件D的温度。
图6是概要地表示检查器1中的电子器件D的温度测量用的电路结构的图。
在检查器1中，如图6所示，各探针12a通过配置于接口13的多个的配线20与测试器4连接。此外，在各配线20中的、将与电子器件D中的电位差生成电路(例如，二极管)的2个电极E接触的2个探针12a和测试器4连接的2个配线20，设置有中继器21。
各中继器21构成为能够各电极E的电位切换地向测试器4和电位差测量单元15中的任意者进行传递。各中继器21例如在进行电子器件D的电特性的检查时，对各电极E施加安装时电压之后，在预先设定的时机将各电极E的电位传递到电位差测量单元15。在上述电位差生成电路中，流过电流时产生的电位差因温度的不同而不同。因此，基于电子器件D的电位差生成电路的电位差、即电位差生成电路的2个电极E(探针12a)间的电位差，能够在检查中实时地测量电子器件D的温度。在检查器1中，电位差测量单元15基于从各中继器21传递来的各电极E的电位获取电子器件D的电位差生成电路的电位差，然后将获取到的电位差传递到控制部14。控制部14基于传递来的电位差和电位差生成电路的电位差的温度特性，来测量电子器件D的温度。
另外，电子器件D的温度的测量方法不限于上述，只要是能够测量电子器件D的温度即可，也可以为其他方法。
接着，说明使用检查器1对晶片W进行检查的检查处理的一例。
首先，将晶片W从装载器3的FOUP取出并向工作台10输送，载置在顶板120的晶片载置面120a上。接着，将工作台10移动到预先设定的位置。
然后，将光照射机构140的所有LED141点亮，基于从顶板120的温度传感器121获取的信息，调整来自LED141的光输出和在致冷剂流路131内流动的致冷剂的流量，以使得顶板120的温度在面内变得均匀。
之后，工作台10移动，使设置于工作台10的上方的探针12a与晶片W的作为检查对象的电子器件D的电极E接触。
在该状态下，利用电位差测量单元15获取作为检查对象的电子器件D中的前述的电位差生成电路的电位差。然后，进行上述电位差的校正，即修正上述电位差的温度特性的信息，使得面内均匀的顶板120的温度与作为检查对象的电子器件D的温度大致一致。
之后，对探针12a输入检查用的信号。由此，开始电子器件D的检查。此外，基于上述检查中、作为检查对象的电子器件D的电位差生成电路产生的电位差的信息，例如，控制与来自该器件对应的LED单元U的LED141的光输出即LED141的施加电压，以使得该电子器件D的温度成为试验温度或者目标温度。此外，致冷剂流路131内的致冷剂的温度和流量例如被固定在与作为检查对象的电子器件D的试验温度或者目标温度相应的值。
之后，反复进行电子器件D中的电位差生成电路的电位差的校正及其之后的步骤，直至所有电子器件D的检查完成为止。
接着，对工作台10的制作方法进行说明。
工作台10的制作方法包括：制作顶板120、流路形成部件130和光照射机构140的部件作成步骤；以及将相邻的各部件接合的接合步骤。以下，对上述部件作成步骤和接合步骤具体地进行说明。
上述部件作成步骤包括(A1)顶板制作步骤、(A2)流路形成部件制作步骤、(A3)光照射机构制作步骤。
(A1)顶板制作步骤
在该步骤中，在将Si锭切割而形成的单Si结晶基片进行用于晶片吸附的吸附孔的形成等，制作顶板120。
(A2)流路形成部件制作步骤
在该步骤中，例如，在耐热性高且热膨胀率低的硼硅酸玻璃的平板，通过机械加工等形成成为致冷剂流路131的致冷剂槽，通过机械加工等形成供给口132和排出口133，制作流路形成部件130。
(A3)光照射机构制作步骤
在该步骤中，进行LED单元U的制作、在预先形成有流路的基部142的上述LED单元U的安装，制作光照射机构140。
另外，上述的接合步骤包括(B1)将顶板120和流路形成部件130接合的步骤、(B2)将流路形成部件130和光照射机构140接合的步骤、(B3)将光照射机构140和热绝缘部件110接合的步骤。
(B1)将顶板120和流路形成部件130接合的步骤
在该步骤中，例如，通过阳极接合将顶板120的背面120b和流路形成部件130的表面的端部接合。在阳极接合中，顶板120和流路形成部件130在重叠的状态下被加热，并且，以Si制的顶板120为阳极并以玻璃制的流路形成部件130为阴极施加电压。由此，强制性地使流路形成部件130中的阳离子向阳极侧扩散，由此，使玻璃与Si发生化学反应而接合。
(B2)将流路形成部件130和光照射机构140接合的步骤
在该步骤中，例如，进行流路形成部件130的背面的周缘部与俯视时呈圆环状的间隔件143的表面的接合、光照射机构140的基部142的表面的周缘部与间隔件143的背面的接合。上述的接合例如使用紫外线固化型树脂等进行。此外，在上述接合后，例如，从设置于间隔件143的侧部的贯通孔，对LED搭载空间S填充光透射性树脂144。在填充后，根据需要，将间隔件143的上述贯通孔封闭。
(B3)光照射机构140与热绝缘部件110的接合
在该步骤中，例如，进行光照射机构140的基部142的背面与堇青石的烧结体制的热绝缘部件110的表面的接合。该接合例如通过使用将Al合金作为焊接材料的焊接来进行。
如上所述，在本实施方式中，工作台10包括：能够在表面载置晶片W的顶板120；流路形成部件130，其安装在顶板120的背面120b，并在其与顶板120之间形成供可透射光的致冷剂流动的致冷剂流路131；以及光照射机构140，其以隔着流路形成部件130与载置于顶板120的晶片W相对的方式配置，具有面向晶片W的多个LED141。因此，工作台10利用在致冷剂流路131中流动的致冷剂将顶板120整体地冷却，并且对顶板120局部地照射LED光进行加热，由此，能够仅控制所希望的电子器件D的温度并且冷却其他电子器件。而且，工作台10中，流路形成部件130由玻璃形成，顶板120由与玻璃相比热膨胀率的差小的硅形成。因此，由在顶板120与流路形成部件130的接合部分产生的热膨胀或者热收缩导致的应力小。因此，工作台10能够在大的检查温度范围使用。此外，由此利用玻璃形成流路形成部件130，利用Si形成顶板120，因此在将流路形成部件130和顶板120接合时，能够使用利用阳极接合的接合。利用阳极接合的接合部分，与利用环氧树脂进行的接合等相比，对在该接合部分产生的应力的耐性较高。因此，工作台10能够适用于更大的检查温度范围。另外，在接合部分不需要使用O形环，因此，可靠性高。
另外，Si的杨氏模量高，因此即使薄也能够得到刚性，所以，能够令使用Si的顶板120变薄。因此，能够令顶板120变薄而抑制顶板120的热容量。因此，通过利用LED光进行的顶板120的加热、利用在致冷剂流路131中流动的致冷剂进行的顶板120的冷却，能够使顶板120的温度高速地变化。
另外，Si的体积比热容低，因此在这方面，通过顶板120使用Si，能够抑制顶板120的热容量。
另外，Si的热传导率高，因此通过顶板120使用Si，能够在面内均线且高速地进行使用工作台10的晶片W的加热和冷却。
另外，在本实施方式中，顶板120由Si单晶基片构成，因此，能够使该晶片载置面120a平坦。因此，能够降低晶片W与顶板120之间的热阻，能够高速地进行使用工作台10的晶片W的冷却、加热。
另外，在本实施方式中，顶板120由Si形成，因此，在晶片W由Si基片构成的情况下，在顶板120与晶片W之间热膨胀率没有差。因此，在电特性检查时等、晶片W发生了热膨胀、热收缩时，没有晶片W和顶板120摩擦而产生损伤等的问题。
另外，在专利文献1公开的工作台中，与本实施方式不同，LED搭载空间不由光透射性树脂填充，而支承形成有致冷剂槽的冷却单元。因此，在专利文献1公开的工作台中，在检查时按压探针的力由SiC制的工作台盖和玻璃制的冷却单元承接。
对此，在本实施方式中，LED搭载空间S由光透射性树脂144填充，工作台10从光照射机构140的下方进行支承。因此，在工作台10中，在检查时按压探针12a的力不由顶板120和流路形成部件130承接，而由工作台整体承接。因此，即使将与SiC相比杨氏模量率低的Si用于顶板120的材料而使顶板120变薄，顶板120也不会因按压探针12a的力而变形。
接着，使用图7和图8，对顶板的另一例进行说明。图7是概要地表示顶板的另一例的结构的截面图。图8是为了表示构成图7的顶板的各层而将顶板按每层分割地表示的截面图。
图7的顶板200从上方起依次层叠有顶层210和电磁屏蔽层220。顶层210和电磁屏蔽层均由Si单晶基片构成。
顶层210是能够在表面载置晶片W的层。该顶层210由Si单晶基片构成，如图8所示，Si氧化膜211形成于背面。
电磁屏蔽层220设置在顶层210的背面侧，将由光照射机构140产生的电磁波屏蔽而不使其影响载置于顶层210的晶片。电磁屏蔽层220具体而言，将由驱动电路产生的电磁波屏蔽而不使其影响载置于顶层210的晶片W屏蔽，其中，驱动电路安装在光照射机构140的LED141的附近并对该LED141进行驱动。
该电磁屏蔽层220由高浓度地添加有杂质且导电率高的Si单晶基片构成，在其表面形成Si氧化膜221，在侧面形成电极222。电磁屏蔽层220经由电极222与接地电位或者阻抗低的电位连接。
该顶板200的制作例如以下的方式进行。
首先，制作顶层210和电磁屏蔽层220。具体而言，在将Si锭切割而形成的Si单晶基片的、相当于顶层210的背面的面，通过热氧化处理形成Si氧化膜211，制作顶层210。此外，在将高浓度地添加有杂质的Si锭切割而形成的Si单晶基片的表面通过热氧化处理形成Si氧化膜221。伴随于此，在上述Si单晶基片的侧面，通过金属化处理形成电极222。由此，制作电磁屏蔽层220。
接着，将顶层210和电磁屏蔽层220接合，制作顶板200。具体而言，进行经由Si氧化膜211和Si氧化膜221的顶层210与电磁屏蔽层220的接合，制作顶板200。经由Si氧化膜211、221的接合例如能够使用等离子体活化低温接合。在该等离子体活化低温接合中，通过常温下的等离子体处理使Si氧化膜211、221的接合面活化后，使Si氧化膜211、221彼此紧贴。之后，在不到1000℃的低温(例如，200℃)下进行热处理，由此，经由Si氧化膜211、221将顶层210和电磁屏蔽层220接合。
另外，也可以代替等离子体化低温接合，而使用离子束等使接合面活化的常温接合。
另外，在Si氧化膜211、221的接合面不具有足够用于进行上述的等离子体化低温接合、常温接合的平坦度的情况下，也可以事先进行Si氧化膜211、221的接合面的平坦化处理。此外，Si氧化膜211、221如上所述，通过半导体制造处理中使用的热氧化处理形成，因此基本上具有较高的平坦性。
上述的顶板200具有电磁屏蔽层220，因此，能够防止由光照射机构140产生的电磁波透射顶层210，对形成于顶层210上的晶片W的电子器件的电特性检查造成影响。
另外，在该例子中，电磁屏蔽层220和顶层210分体地设置，但是，也可以由高浓度地添加有杂质且导电率高的Si单晶基片构成顶层210，顶层210兼作为电磁屏蔽层220。由此，能够防止由光照射机构140产生的电磁波从工作台10的晶片载置面120a侧出射，并且抑制顶板整体的热容量。
本次公开的实施方式在所有方面均是例示而不应该认为是限制性的。上述实施方式在不脱离所附的权利要求及其主旨的情况下，能够以各种的方式省略、替换、改变。
例如，在以上的例子中，在流路形成部件的表面形成致冷剂槽，利用顶板覆盖该致冷剂槽，由此形成了致冷剂流路。也可以取而代之，在顶板的背形成致冷剂槽，利用平板状的流路形成部件覆盖该致冷剂槽，由此形成致冷剂流路。
另外，在以上的例子中，顶板由Si单晶基片制作而成，但是，也可以由Si多晶基片制作。Si单晶基片和Si多晶基片能够出于从半导体产业的应用领域的广泛程度而廉价地得到。
另外，以下的构成也属于本发明的技术的范围。
(1)一种能够载置检查对象体的载置台，其包括：
能够在表面载置上述检查对象体的顶板部；
流路形成部件，其安装在上述顶板部的背面，并在其与上述顶板部之间形成供可透射光的致冷剂流动的致冷剂流路；和
光照射机构，其以与载置于上述顶板部的上述检查对象体隔着上述流路形成部件相对的方式配置，并具有面向该检查对象体的多个LED，
上述流路形成部件由可透射光的玻璃构成，
上述顶板部由硅构成。
依照上述(1)，能够利用在致冷剂流路中流动的致冷剂将顶板部整体地冷却，并且对顶板部局部地照射LED光以进行加热，由此，能够仅控制检查对象体中的所希望的部分的温度并且将其他部分冷却。此外，在上述(1)中，流路形成部件由玻璃形成，顶板部由与玻璃相比热膨胀率的差小的硅形成。因此，在由顶板部与流路形成部件的接合部分产生的热膨胀或者热收缩导致的应力小。因此，上述(1)的载置台能够在大的检查温度范围使用。此外，利用玻璃形成流路形成部件，利用硅形成顶板部，因此，流路形成部件与顶板部的接合能够使用利用阳极接合的接合。利用阳极接合的接合部分，与利用环氧树脂的接合等相比对在该部分产生的应力的耐性高。因此，上述(1)的载置台能够在更大的检查温度范围使用。
(2)在上述(1)记载的载置台中，上述玻璃是硼硅酸玻璃。
(3)在上述(1)或(2)记载的载置台中，上述流路形成部件通过阳极接合与上述顶板部的背面接合。
(4)在上述(1)～(3)任一项记载的载置台中，上述光照射机构的上述LED的搭载空间由可透射光的材料填充。
(5)在上述(4)记载的载置台中，该载置台从上述光照射机构的背面侧被支承。
(6)在上述(1)～(5)任一项记载的载置台中，上述顶板部包括：
能够在表面载置上述检查对象体的顶层；和
电磁屏蔽层，其设置在上述顶层的背面侧，能够屏蔽由上述光照射机构产生的电磁波而不使其影响载置于上述顶层的检查对象体。
(7)一种载置台的制作方法，其中，
上述载置台能够载置检查对象体，并包括：
能够在表面载置上述检查对象体的顶板部；
流路形成部件，其安装在上述顶板部的背面，并在其与上述顶板部之间形成供可透射光的致冷剂流动的致冷剂流路；和
光照射机构，其以与载置于上述顶板部的上述检查对象体隔着上述流路形成部件相对的方式配置，并具有面向该检查对象体的多个LED，
该制作方法包括：
使用可透射光的玻璃形成上述流路形成部件的步骤；
使用硅形成上述顶板部的步骤；以及
通过阳极接合将上述流路形成部件和上述顶板部接合的步骤。
附图标记说明
10 工作台
120、200 顶板
130 流路形成部件
131 致冷剂流路
140 光照射机构
141 LED
W 晶片。

Claims (5)

1.一种能够载置检查对象体的载置台，其特征在于：
所述检查对象体形成有多个电子器件，所述电子器件具有在检查时与探针卡的各探针接触的各电极，
所述载置台包括：
能够在表面载置所述检查对象体的顶板部，
流路形成部件，其安装在所述顶板部的背面，并在其与所述顶板部之间形成供可透射光的致冷剂流动的致冷剂流路；和
光照射机构，其以与载置于所述顶板部的所述检查对象体隔着所述流路形成部件相对的方式配置，并具有面向该检查对象体的多个LED，
所述流路形成部件由可透射光的玻璃构成，
所述顶板部由硅构成，
所述光照射机构的所述LED的搭载空间由可透射光的材料填充，该载置台从所述光照射机构的背面侧被支承，由此，在检查时按压所述探针的力由该载置台整体承接。
2.如权利要求1所述的载置台，其特征在于：
所述玻璃是硼硅酸玻璃。
3.如权利要求1或2所述的载置台，其特征在于：
所述流路形成部件通过阳极接合与所述顶板部的背面接合。
4.如权利要求1或2所述的载置台，其特征在于：
所述顶板部包括：
能够在表面载置所述检查对象体的顶层，
电磁屏蔽层，其设置在所述顶层的背面侧，屏蔽由所述光照射机构产生的电磁波而使其不影响载置于所述顶层的检查对象体。
5.一种能够载置检查对象体的载置台的制作方法，其特征在于：
所述检查对象体形成有多个电子器件，所述电子器件具有在检查时与探针卡的各探针接触的各电极，
所述载置台包括：
能够在表面载置所述检查对象体的顶板部；
流路形成部件，其安装在所述顶板部的背面，并在其与所述顶板部之间形成供可透射光的致冷剂流动的致冷剂流路；和
光照射机构，其以与载置于所述顶板部的所述检查对象体隔着所述流路形成部件相对的方式配置，并具有面向该检查对象体的多个LED，
该制作方法包括：
使用可透射光的玻璃形成所述流路形成部件的步骤；
使用硅形成所述顶板部的步骤；
通过阳极接合将所述流路形成部件和所述顶板部接合的步骤；
将所述流路形成部件和所述光照射机构接合，以使得能够从所述光照射机构的背面侧支承该载置台的步骤；以及
用可透射光的材料填充所述光照射机构的所述LED的搭载空间，以使得在检查时按压所述探针的力能够由该载置台整体承接的步骤。
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