CN114496838A - 载置台、检查装置和检查方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种载置台、检查装置和检查方法。本发明的载置台，其上表面载置处理对象的器件，包括：具有所述器件的载置面的顶板；对所述顶板进行加热的加热单元；多个温度传感器，其在俯视时的所希望的测量位置获取所述顶板的温度；和定位单元，其与所述温度传感器电连接，将所述温度传感器定位在俯视时的所述测量位置，所述定位单元由具有挠性的柔性电路板构成。根据本发明，能够在不降低检查装置中的载置台的构造上的强度的同时，减小检查对象的器件的实际温度与由温度传感器测量的上述器件的测量温度之间产生的差。

Description

载置台、检查装置和检查方法
技术领域
本发明涉及载置台、检查装置和检查方法。
背景技术
专利文献1公开了一种温度传感器，其通过被插入到晶片吸盘的侧面上所形成的插入孔内的测温体，来测量被保持在晶片吸盘上的晶片的处理温度。专利文献1所记载的温度传感器，通过将具有与晶片吸盘的插入孔对应的贯通孔的固定用组件连结于晶片吸盘的侧面，并且经由从贯通孔插入到插入孔中的测温体的基部上所设置的安装部件，被安装于上述固定用组件。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2011-002390号公报。
发明内容
发明想要解决的问题
本发明的目的在于能够在不降低检查装置中的载置台的构造上的强度(耐力)的同时，减小检查对象的器件的实际温度与由温度传感器测量的上述器件的测量温度之间产生的差。
用于解决问题的技术手段
本发明的一个方式提供一种载置台，其上表面载置处理对象的器件，包括：具有所述器件的载置面的顶板；对所述顶板进行加热的加热单元；多个温度传感器，其在俯视时的所希望的测量位置获取所述顶板的温度；和定位单元，其与所述温度传感器电连接，将所述温度传感器定位在俯视时的所述测量位置，所述定位单元由具有挠性的柔性电路板构成。
发明效果
根据本发明，能够在不降低检查装置中的载置台的构造上的强度的同时，减小检查对象的器件的实际温度与由温度传感器测量的上述器件的测量温度之间产生的差。
附图说明
图1是表示作为本实施方式的检查装置的探针器的概略结构的立体图。
图2是表示作为本实施方式的检查装置的探针器的概略结构的正视图。
图3是概略地表示晶片的结构的平面图。
图4是概略地表示作为本实施方式的载置台的工作台的结构的截面图。
图5是概略地表示形成在顶板的凹部的结构的说明图。
图6是表示温度传感器的配置例的平面图。
图7是概略地表示定位单元的结构的立体图。
图8是概略地表示温度传感器的固定构造的平面图。
图9是概略地表示定位单元的其他配置例的截面图。
附图标记说明
10 工作台
100 顶板
100a 载置面
110 温度传感器
111 第2温度传感器
120 定位单元
121 传感器连接部件
150 加热单元
D 半导体器件
具体实施方式
在半导体器件的制造工序中，多个半导体器件同时形成在晶片等的基片上。所形成的半导体器件需要进行电特性等的检查，来判断是合格品还是不合格品。上述检查例如在被分割为各半导体器件之前的基片的状态下使用检查装置来进行。
在被称为探针器等的检查装置中设置有用于载置形成有半导体器件的基片的载置台，另外还安装了具有多个探针的探测卡。在检查时，在检查装置中，在使半导体器件与探针接触的状态下，从测试器经由探针对半导体器件供给电信号。然后，基于测试器经由探针从半导体器件接收到的电信号，判断该半导体器件是否为不合格品。
在这种检查装置中，在检查半导体器件的电特性时，为了模拟半导体器件的安装环境，通过设置在载置台内的加热机构和/或冷却机构来调节载置台的温度，从而调节形成在基片上的半导体器件的温度。
另外，为了在检查装置中适当地检查半导体器件的电特性，需要适当地把握形成在基片上的各个半导体器件的温度。因此，在现有的检查装置中，用高热传导的材料(例如Cu、Al等)来设计用于载置基片的载置台，由此提高面方向的热传导，以提高其均热性。
但是，由于伴随现在的半导体器件的高集成化而产生的发热量增加的影响，从检查对象的半导体器件到设置于载置台的温度传感器为止的面方向的距离的不同所导致的热阻差变得不能够无视。也就是说，由于半导体器件的发热量增加的影响，即使是因半导体器件与温度传感器的分隔而引起的微小的热阻差也会产生较大的温度差，由此，有可能导致半导体器件的实际温度与温度传感器的测量温度之间产生差异。
而且，由于到该温度传感器的距离的不同而引起的影响，考虑在专利文献1所公开的载置台(晶片吸盘)的构造，具体来说温度传感器仅在面内设置1个的载置台的构造中，会变得特别大。
作为用于减小该半导体器件的实际温度与温度传感器的测量温度之间产生的差异的方法，考虑例如在载置台的面内设置多个温度传感器。通过这样地在载置台的面内设置多个温度传感器，并选择距检查对象的半导体器件最近的温度传感器来进行检查，能够减小半导体器件与温度传感器的面方向的距离，减小实际温度与测量温度的差异。
但是，如上所述在载置台的面内设置多个温度传感器的情况下，作为该温度传感器，难以使用一直以来在检查装置中使用的RTD传感器(例如，铂电阻传感器)那样的带鞘的温度传感器。具体来说，在载置台的内部设置温度传感器的情况下，需要在载置台形成供该温度传感器插通的插通孔。此时，在使用一直以来的带鞘的温度传感器的情况下，需要在载置台形成所设置的温度传感器的数量的插通孔，由此，载置台的构造上的强度降低而成为产生弯曲的原因。
因此，本公开的技术是能够在不降低检查装置的载置台的构造上的强度的同时，减小检查对象的器件的实际温度与由温度传感器测量的上述器件的测量温度之间产生的差。
以下，参照附图说明本实施方式的载置台、具有该载置台的检查装置和使用该检查装置进行的检查方法。此外，在本说明书和附图中，对实质上具有相同功能构成的要素，标注相同的附图标记来进行说明，并省略重复说明。
图1和图2分别是表示具有本实施方式的载置台即工作台的检查装置即探针器1的概略结构的立体图和正视图。在图2中，为了表示图1的探针器1的后述收纳室和装载机中所内置的结构要素，用截面表示其一部分。
图1和图2的探针器1对作为基片的晶片W的电特性进行检查，具体来说，对形成在晶片W的多个半导体器件(后述的图3的符号D参照)各自的电特性进行检查。该探针器1包括：在检查时收纳晶片W的收纳室2；与收纳室2相邻配置的装载机3；和配置成覆盖收纳室2的上方的测试器4。
收纳室2是内部为空腔的壳体，具有能够载置晶片W的载置台即工作台10。工作台10对晶片W进行吸附保持，使得晶片W相对于该工作台10的位置不偏移。此外，对工作台10的详细的结构在后文述说。另外，在工作台10设置有移动机构11。移动机构11使后述的探针卡12的探针12a和工作台10相对地移动，在本例中，使工作台10相对于探针12a移动。更具体来说，移动机构11使工作台10在水平方向和铅垂方向上移动。移动机构11具有在其上部配置工作台10的由不锈钢等的金属构成的基座11a，并且，虽然省略图示，但例如还具有用于使基座11a移动的导轨、滚珠丝杆、电动机等。利用该移动机构11，能够调节工作台10相对于后述的探针卡12的探针12a的位置，使载置在工作台10上的晶片W的表面的电极与探针12a接触。
在收纳室2中的工作台10的上方，与工作台10相对地配置具有多个作为接触端子的探针12a的探针卡12。探针卡12经由接口13与测试器4连接。各探针12a在电特性的检查时，与晶片W的各半导体器件的电极接触，将来自测试器4的电力经由接口13供给到半导体器件，并且将来自半导体器件的信号经由接口13传递到测试器4。
装载机3取出收纳于作为输送容器的FOUP(未图示)中的晶片W，并将其输送到收纳室2的工作台10。另外，装载机3从工作台10取出半导体器件的电特性的检查结束了的晶片W，并将其收纳到FOUP。
另外，装载机3具有控制收纳室2中的各部的动作的控制部14。控制部14也被称为基础单元等，例如由具有CPU、存储器等的计算机，且具有程序保存部(未图示)。程序保存部中保存有用于控制探针器1中的各种处理的程序。此外，上述程序也可以存储在计算机可读存储介质中，从该存储介质安装到控制部14。程序的一部分或全部也可以由专用硬件(电路板)实现。
测试器4具有能够再现用于搭载半导体器件的主板的电路结构的一部分的测试器端口(省略图示)。测试器端口基于来自半导体器件的信号，与判断该半导体器件合格与否的测试器计算机18(未图示)连接。在测试器4中，通过更换上述测试板，能够再现多种主板的电路结构。
并且，探针器1还具有用于显示面向用户的信息或者用户输入指示的用户接口部19。用户接口部19例如包括触摸面板、键盘等的输入部和液晶显示器等的显示部。
在具有上述的各构成要素的探针器1中，在半导体器件的电特性检查时，测试器计算机18向经由各探针12a而与半导体器件连接的测试板发送数据。然后，测试器计算机18基于来自该测试板的电信号，判定发送来的数据是否被该测试板正确地处理。
接着，使用图3说明形成有作为上述的探针器1的检查对象的半导体器件的晶片W。图3是概略地表示晶片W的结构的平面图。
例如，在晶片W上，通过对大致圆板状的硅基片实施蚀刻处理、配线处理，从而如图3所示多个半导体器件D彼此隔着规定间隔地形成在表面。在半导体器件D的表面即晶片W的表面形成有电极E，电极E与半导体器件D的内部的电路元件电连接。通过对电极E施加电压，能够使电流流过各半导体器件D的内部的电路元件。此外，半导体器件D的大小例如为在俯视时呈10～30mm见方。
接着，使用图4说明上述的工作台10的结构的详细。图4是概略地表示工作台10的结构的截面图。
作为载置台的工作台10如图4所示，由包含顶板100的多个功能部层叠而成。工作台10隔着热绝缘部件130载置在使该工作台10在水平方向和铅垂方向移动的移动机构11(参照图2)上。
工作台10从上方起依次具有顶板100、冷却单元140和加热单元150。然后，工作台10从加热单元150的下方换言之从加热单元150的背面侧隔着热绝缘部件130被支承在移动机构11上。并且，工作台10如后文所述具有多个温度传感器110和定位单元120。
顶板100是用于载置半导体器件D(具体来说，形成有半导体器件D的晶片W)的部件。顶板100换言之是其表面(上表面)成为用于载置半导体器件(具体来说，形成有半导体器件D的晶片W)的载置面的部件。此外，在以下中，将作为工作台10的上表面的顶板100的表面记载为载置面100a。在顶板100的载置面100a形成有用于吸附晶片W的吸附孔H1(参照图6)。
顶板100例如形成为圆板状。另外，顶板100例如由Cu、Al、SiC、AlN或者碳纤维等的热传导率高的材料形成。通过用上述的材料形成顶板100，能够高效地进行该顶板100的加热、冷却，并且，能够将载置在顶板100上的晶片W高效地加热或冷却。
如图4和图5所示，在顶板100的背面100b形成有用于将后述的温度传感器110和后述的定位单元120配置在内部的凹部101。凹部101例如以与用于将晶片W保持于载置面100a的升降销(未图示)所插通的插通孔H2(参照图6)不干涉的方式，在比插通孔H2靠径向外侧的位置形成为大致圆形。
另外，如图4所示，凹部101形成为与形成在冷却单元140、加热单元150和热绝缘部件130的孔部140a、150b和130a相对。
孔部140a和150b分别在厚度方向上贯通冷却单元140和加热单元150而形成。另外，孔部130a以一端部面向工作台10(热绝缘部件130)的外部的方式形成。
而且，在本实施方式的工作台10中，后述的定位单元120配置在上述凹部101、孔部140a、150a和130a的内部，并且，后述的温度传感器110配置在凹部101的内部。
此外，为了能够测量俯视时的顶板100的整个面的温度，换言之，能够在俯视时的顶板100的整个面分散地配置多个温度传感器110，凹部101优选形成在背面100b的整个面。
另外，凹部101从顶板100的传热、构造上的强度(以下，仅称为“强度”。)的面内均匀性的观点出发，如图5所示，优选在背面100b的面内均匀地(例如，中心轴对称、线对称)形成。
并且，关于凹部101相对于顶板100的形成深度d1(参照图4)，为了抑制该顶板100的强度降低，希望至少比没有形成凹部101的部分的厚度d2(参照图)小。
在此，当形成深度d1较小时，晶片W的温度测量时的温度响应性恶化，因此分别设定为该温度响应性与顶板100的强度的平衡良好的值。
温度传感器110如上所述例如设置在凹部101的内部，在半导体器件D的电特性的检查时，获取顶板100的温度。作为温度传感器110，能够使用可配置在凹部101那样的狭窄位置的传感器部件，例如晶体管。作为温度传感器110的晶体管，利用从电源(未图示)供给电流时所测量的电压值会因顶板100的温度而变化这一情况，基于所测量的电压值来获取顶板100的温度。
此外，作为温度传感器110的晶体管的大小例如为俯视时3mm见方，厚度为1mm程度。
另外，温度传感器110如图6所示俯视时彼此隔开间隔地设置有多个(在图示的例中例如为8个)。在以下的说明中，顶板100俯视时，如上述那样地配置温度传感器110，有时将进行温度测量的位置称为“温度测量位置”。
在本实施方式中，配置温度传感器110的温度测量位置如图6所示沿着顶板100的周向来决定。
此外，温度测量位置的数量和配置能够任意决定，但是，优选决定为能够利用所配置的温度传感器110测量顶板100的整个面的温度，并且各自的温度传感器110负责进行温度测量的面积是相同的。换言之，优选多个温度传感器110在俯视时相对于顶板100在面内均匀地分散配置。
此外，在俯视时的顶板100的中心部，如图4和图6所示还设置有第2温度传感器111。作为第2温度传感器111，能够使用例如一直以来探针器1的工作台10所采用的铂电阻传感器。在该情况下，作为第2温度传感器111的铂电阻传感器不配置在凹部101的内部，而以插通到从顶板100的侧面形成至中心部的插通孔H3中的方式配置。换言之，本发明的技术，通过对已有的工作台10(顶板100)形成凹部101来配置温度传感器110，能够应用于该已有的工作台10来进行实施。
此外，如后文所述，在半导体器件D的电特性的检查中，能够使用设置于工作台10的多个温度传感器110或者第2温度传感器111之中的与检查对象的半导体器件D对应的1个温度传感器的测量结果。作为与检查对象的半导体器件D对应的温度传感器，例如选择在面方向上最靠近检查对象的半导体器件D的重心的温度传感器。
定位单元120是与多个温度传感器110电连接，将该多个温度传感器110分别定位在上述的温度测量位置的部件。如图7所示，定位单元120具有传感器连接部件121、转接部件122和连接部件123。
传感器连接部件121与至少1个以上的温度传感器110电连接，作为将该温度传感器110经由后述的转接部件122和连接部件123与电源(未图示)连接的配线电路板发挥作用。
传感器连接部件121在如上所述与温度传感器110连接的状态下，在形成于顶板100的凹部101的内部插通孔部140a和150a而配置，由此，将该温度传感器110定位于顶板100的温度测量位置。换言之，传感器连接部件121作为在温度测量位置从后述的转接部件122向上方(顶板100的载置面100a侧)突出的、本发明技术中的定位单元120的凸部而形成。
此外，传感器连接部件121由具有挠性且能够使其与凹部101的壁面(顶板100)之间电绝缘的材料形成，在本实施方式中例如由FPC(Flexible Printed Circuits：柔性电路板)形成。该FPC例如是具有绝缘性基体和形成于该绝缘性基体的导电性金属部的挠性电路板。通过这样地由FPC形成传感器连接部件121，能够沿着凹部101的形状容易地成型该传感器连接部件121，并且能够使其作为配线电路板适当地发挥作用。另外，由于如上所述FPC能够使其厚度形成得较小，因此能够减小形成于顶板100的凹部101的形成宽度。
此外，形成传感器连接部件121的材料不限于本实施方式，只要是能够沿着凹部101的形状成型，且能够作为配线电路板发挥作用，则也可以使用刚性基片。
另外，如本实施方式那样，传感器连接部件121可以由能够使其与凹部101的壁面(顶板100)之间电绝缘的材料形成，例如也可以用绝缘材料来在凹部101的壁面形成涂层。
如图7所示，转接部件122是沿着凹部101(更具体来说，孔部103a)的形状形成的圆环状的部件，作为将传感器连接部件121与后述的连接部件123之间电连接的配线电路板发挥作用。
此外，转接部件122由具有挠性且能够使其与顶板100之间电绝缘的材料形成，在本实施方式中例如由FPC(Flexible Printed Circuits：柔性电路板)形成。通过这样地由FPC形成转接部件122，能够沿着凹部101的形状容易地成型该转接部件122，并且能够使其作为配线电路板适当地发挥作用。
此外，形成转接部件122的材料不限于本实施方式，只要是能够沿着凹部101的形状成型，且能够作为配线电路板发挥作用，则也可以使用刚性基片。
另外，如本实施方式那样，转接部件122可以由能够使其与顶板100之间电绝缘的材料形成，例如也可以用绝缘材料来在转接部件122有可能接触的孔部130a的内部形成涂层。
连接部件123是用于经由传感器连接部件121和转接部件122将温度传感器110与工作台10的外部电连接的部件。
另外，为了适当地测量顶板100的温度，温度传感器110如图8所示，在温度测量位置由固定部件124固定在凹部101的壁面。具体来说，如图8所示，将与传感器连接部件121连接的温度传感器110以嵌合于按压部件125的一侧面侧所形成的槽部125a中的方式配置，并使传感器连接部件121与凹部101的壁面接触。并且，在该状态下，在按压部件125的另一侧面侧所形成的槽部125b中配置弹性部件126(例如，弹簧等)。由此，按压部件125因弹性部件126的施力而被按压到凹部101的壁面，将嵌合于槽部125a中的温度传感器110固定。
此外，在半导体器件D的电特性的检查中，利用后述的冷却单元140和/或加热单元150，来调节顶板100和载置面100a上的半导体器件D的温度。此时，顶板100和传感器连接部件121彼此的热膨胀系数不同，因此，在顶板100的温度调节时热变形量产生差。于是，为了抑制该热变形量之差所引起的传感器连接部件121的破损，传感器连接部件121优选以可吸收该热变形的方式固定。
返回图4的说明。
冷却单元140是用于冷却顶板100和载置在顶板100上的晶片W(更具体来说，形成于晶片W的半导体器件D)的部件。
冷却单元140设置在比加热单元150靠载置面100a侧的位置，具体来说，以介于顶板100与加热单元150之间的方式接合于顶板100的背面。冷却单元140例如形成为与顶板100大致相同直径的圆板状。
此外，冷却单元140的结构没有特别限定，只要能够冷却顶板100和半导体器件D，则能够采用任意的结构。作为一个例子，冷却单元140也可以在内部形成供制冷剂流动的制冷剂流路(未图示)。
加热单元150是用于加热顶板100和载置在顶板100上的晶片W(更具体来说，形成于晶片W的半导体器件D)的部件。
加热单元150以隔着冷却单元140与载置在顶板100的载置面100a上的晶片W相对的方式配置。加热单元150例如形成为与顶板100大致相同直径的圆板状。
此外，也可以是在俯视时将顶板100划分为多个加热区域(未图示)，加热单元150构成为能够对该加热区域的每一区域独立地加热顶板100和半导体器件D。
此外，加热单元150的结构没有特别限定，只要能够加热顶板100和半导体器件D，则能够采用任意的结构。作为一个例子，加热单元150也可以具有通过对载置面100a照射光来进行加热的LED单元(未图示)。另外，例如，加热单元150也可以具有作为加热元件的加热器(未图示)。
此外，在作为加热单元150使用对载置面100a照射光的LED单元的情况下，作为配置在该加热单元150与载置面100a之间的冷却单元140和在该冷却单元140的内部流动的制冷剂，优选使用具有光透过性的材料。
本实施方式的工作台10如以上的方式构成。
根据本实施方式的工作台10，在顶板100的内部设置多个温度传感器，在图示的例中，沿着顶板100的周向设置多个温度传感器110，并且，在顶板100的中心部设置第2温度传感器111。
由此，在半导体器件D的电特性的检查中，通过选择最靠近检查对象的半导体器件D的重心的温度传感器，能够减小检查对象的半导体器件D与对应的温度传感器110的分隔距离。其结果，在半导体器件D的电特性检查中，能够抑制因半导体器件D与温度传感器110的分隔而引起的温度降低，也就是说，能够适当地减小半导体器件D的实际温度与温度传感器的测量温度的差异。
另外，根据本实施方式，作为温度传感器110和传感器连接部件121，各自使用晶体管和FPC，由此，能够减小上述温度传感器110和传感器连接部件121的尺寸。
进而，能够减小顶板100中所形成的凹部101的形成宽度和形成深度，从而能够抑制因凹部101的形成而降低顶板100(工作台10)的强度(耐力)。
另外，根据本实施方式，在顶板100形成有内部用来设置温度传感器110的凹部101，但是，该凹部101形成为其形成深度d1比没有形成凹部101的部分的厚度d2小。
这样，与顶板100的构造体积相比，能够减小凹部101的形成体积，也就是顶板100的切削体积，因此，能够抑制该顶板100的强度降低以及检查时的变形。
另外，如上所述，凹部101形成于在半导体器件D的电特性检查中与探针12a所按压的载置面100a相反一侧的面即背面100b。即，探针12a按压到与有可能造成强度降低的凹部101的形成侧面相反一侧的面即载置面100a，因此，该按压力会被没有形成凹部101的部分吸收，能够进一步适当地抑制检查时的变形。
另外，根据本实施方式，作为温度传感器110使用晶体管，该晶体管例如以与由FPC形成的传感器连接部件121连接的状态，配置在凹部101的内部。
这样配置在凹部101的内部的晶体管如上所述例如在俯视时为3mm见方，非常小，因此，能够容易地增加俯视时的温度测量位置的数量。也就是，能够在面内适当地测量顶板100的温度。
另外，配置在凹部101的内部的晶体管和FPC由于各自的厚度较小，因此能够减小凹部101的形成宽度。换言之，能够减小凹部101的形成体积(顶板100的切削体积)，进而能够进一步适当地抑制该顶板100的强度降低以及半导体器件D的电特性检查时的变形。
在此，如上所述，在作为温度传感器110而使用一直以来的带鞘的温度传感器的情况下，需要在顶板100形成所设置的温度传感器110的数量的插通孔，存在顶板100的强度降低的问题。
针对该问题，在本实施方式中，如上所述，作为温度传感器110使用晶体管，由此能够对1个传感器连接部件121安装多个温度传感器110。由此，能够减小形成于顶板100的凹部101(与插入孔对应)的数量，也就是能够抑制顶板100的强度降低，并且能够进一步抑制半导体器件D的电特性检查时的变形。
另外，本实施方式的工作台10，例如对专利文献1所示的已有的载置台所具有的顶板形成凹部101，并在其内部配置温度传感器110，从而能够对该已有的载置台应用本发明的技术。因此，通过这样地利用已有的工作台10，与重新制作工作台10并将其设置在探针器1的内部的情况相比，能够适当地削减工作台10的导入的成本和时间。
另外，此时可以照原样地利用已有的工作台10中所使用的铂电阻传感器和供该铂电阻传感器插通的插入孔。
此外，在以上的实施方式(参照图4)中，以分别贯通冷却单元140和加热单元150的方式形成孔部140a、150a，并且插通该孔部140a、150a地配置定位单元120(传感器连接部件121)，但是，如图9所示，也可以在顶板100的背面侧沿着转接部件122的形状形成凹部101，在该凹部101的内部配置包含传感器连接部件121和转接部件122的定位单元120。
如图4和图9所示的实施方式，通过将温度传感器110设置于在铅垂方向延伸配置的传感器连接部件121，能够将温度传感器110设置在载置面100a侧，也就是能够减小与作为检查对象的半导体器件D的间隔。而且，能够提高半导体器件D的电特性检查时的温度传感器110的温度测量的响应性。另外，伴随于此，能够进一步适当地减小半导体器件D的实际温度与温度传感器110的测量温度的差异。
另外，此时凹部101的形成深度仅在与配置温度传感器110的温度测量位置对应的位置形成得较深。由此，不需要显著地增加凹部101的形成体积(顶板100的切削体积)，因此能够抑制顶板100的强度较大地降低。
此外，在以上的实施方式中，以在顶板100的面内设置有合计9个温度传感器的情况为例进行了说明，但是，在该温度传感器的设置数量(温度测量位置的数量)增加的情况下，在该全部的温度测量位置如上所述那样地使凹部101形成得较深时，存在顶板100的强度降低的可能性。
因此，可以基于顶板100的强度和温度传感器110的温度测量的响应性，在多个温度测量位置，不设置上述的传感器连接部件121，而对转接部件122设置温度传感器110。
此外，在以上的实施方式中，以在顶板100的背面100b形成凹部101，在该凹部101的内部配置温度传感器110和传感器连接部件121的情况为例进行了说明。但是，温度传感器110对顶板100的设置方法不限于此。
具体来说，例如也可以不在顶板100形成凹部101，而对背面100b直接连接温度传感器110和传感器连接部件121。
在该情况下，不需要在顶板100设置凹部101，因此，不产生因该凹部101的形成而引起的顶板100的强度降低。另外，由于不需要形成凹部101，因此能够减小顶板100的厚度。
但是，如上所述在背面100b设置温度传感器110的情况下，该温度传感器110与冷却单元140和加热单元150的距离变近。换言之，在半导体器件D的电特性检查时，有可能受到来自冷却单元140和加热单元150的影响，也就是可能无法适当地执行检查。在基于该观点的情况下，温度传感器110和传感器连接部件121优选设置在凹部101的内部。
此外，在以上的实施方式中，以作为温度传感器110使用晶体管的情况为例进行了说明，但是，温度传感器110的种类不限于此。例如只要是能够配置在凹部101的内部，且能够经由传感器连接部件121电连接即可，作为一个例子，也可以将二极管用作温度传感器110。另外，例如也可以将RTD芯片(包含铂电阻体)用作温度传感器。
另外，在以上的实施方式中，以作为第2温度传感器111使用铂电阻传感器的情况为例进行了说明，但是，第2温度传感器111的种类不限于此。例如也可以通过延长或新设传感器连接部件121来将晶体管、二极管用作第2温度传感器111。
以上，对各种例示的实施方式进行了说明，但是，不限于上述的例示的实施方式，可以进行各种的追加、省略、置换和改变。另外，能够将不同的实施方式的要素组合而形成其他的实施方式。
接着，说明在具有如以上那样构成的工作台10的探针器1中进行的半导体器件D的检查方法的一例。
(A1.晶片载置)
首先，将晶片W从装载机3的FOUP取出，向工作台10运送，载置在顶板100的载置面100a上。接着，工作台10向预定的位置移动。
(A2.载置面的温度调整)
然后，通过控制部14的控制，进行使顶板100的载置面100a上的检查对象的半导体器件D成为希望的设定温度的控制。具体来说，通过利用冷却单元140和加热单元150进行载置面100a的冷却和加热，来将载置面100a调节成希望的温度。此时，载置面100a的温度优选对上述的多个加热区域的每一区域独立地进行温度控制。
此外，载置面100a的温度调节可以在载置面100a的整个面中同样地进行，也可以根据处理条件对加热区域的每一区域按不同的温度进行调节。另外，例如也可以仅对检查对象的半导体器件D所属的加热区域局部地进行温度调节。
此外，该步骤A2.也可以在上述步骤A1.结束前开始。
(A3.接触)
在载置面100a被调节为希望的温度后，通过控制部14的控制来驱动移动机构11，使工作台10相对于探针12a相对地移动。由此，进行探针12a与检查对象的半导体器件D的对位，并使两者接触。具体来说，进行探针12a与检查对象的半导体器件D的电极E的对位，并使两者接触。
(A4.电特性检查)
之后，进行检查对象的半导体器件D的电特性检查。具体来说，经由探针12a对半导体器件D输入检查用的信号，并且使来自半导体器件D的信号经由探针12a被输出到测试器4。
在该电特性检查中，通过由冷却单元140进行载置面100a的冷却以及由加热单元150进行载置面100a的加热，来进行温度调节以使载置面100a和检查对象的半导体器件D保持为希望的目标温度。
在此，在该电特性检查中，经由探针12a输入半导体器件D检查用的信号，从而该半导体器件D发热。该半导体器件D的发热量如上所述伴随现在的半导体器件的高集成化而增加。因此，即使用冷却单元140和加热单元150将载置面100a的温度控制为均匀，也会因各自的半导体器件D的发热的影响而存在无法将该半导体器件D的温度控制为均匀的情况。
并且，在该状态下，在如专利文献1公开的那样设置在顶板100的内部的温度传感器的数量仅为一个的情况下，存在无法适当地获取各自的半导体器件D的温度的情况。具体来说，由于伴随半导体器件的发热量的增加而使检查对象的半导体器件D的温度上升，因此，即使在载置半导体器件D的顶板100的热传导值高(热阻值小)的情况下也会产生较大的温度差。也就是说，由于检查对象的半导体器件D与温度传感器110的面方向上的间隔，有可能导致半导体器件D的实际温度与温度传感器110的测量温度之间产生差异。
针对该问题，根据本实施方式的工作台10，在顶板100的内部配置多个温度传感器110(晶体管)和第2温度传感器111(铂电阻传感器)。而且，在本实施方式中，如上所述，选择最靠近检查对象的半导体器件D的重心的温度传感器，利用所选择的温度传感器获取半导体器件D的温度。由此，能够使检查对象的半导体器件D与温度传感器的间隔至少比现有技术小，也就是，能够减小顶板100的导热影响，能够减小半导体器件D的实际温度与温度传感器的测量温度之间产生的差异。
此外，作为在电特性检查中作为半导体器件D的温度而使用的温度，可以照原样使用如上所述最靠近检查对象的半导体器件D的重心的温度传感器的获取温度，但是也可以对该获取温度进行修正。
具体来说，对于温度传感器的获取温度，可以基于该温度传感器与检查对象的半导体器件D的分隔距离，例如使用热传导方程式等进行修正。通过这样地修正温度传感器的获取温度，并计算检查对象的半导体器件D的实际温度的预测值，能够进一步适当地减小半导体器件D的实际温度与温度传感器的获取温度(计算出的修正温度)的差异。
并且，作为在电特性检查中作为半导体器件D的温度而使用的温度，也可以对于上述那样选择出的一个温度传感器的获取温度，利用配置在该温度传感器的周围的其他温度传感器的获取温度进行补偿(补充)。
具体来说，如上所述在本实施方式的工作台10中，多个温度传感器相对于顶板100在面内均匀地分散配置。即，在上述那样选择出的一个温度传感器的周围均匀地配置有至少一个以上的其他温度传感器(参照图6)。
因此，将一个温度传感器的获取温度与配置在周围的其他温度传感器的获取温度进行比较，例如获取其平均值或中央值，由此，对一个温度传感器的获取温度进行补偿，能够提高一个温度传感器的获取温度的可靠性。换言之，能够进一步适当地减小半导体器件D的实际温度与温度传感器的获取温度(计算出的补偿温度)的差异。
此外，在以上的说明中，以对一个温度传感器的获取温度利用配置在该一个温度传感器的周围的其他温度传感器的获取温度进行补偿的情况为例进行了说明，但是在最靠近检查对象的半导体器件D的重心的温度传感器具有多个的情况下也是同样的。即，基于最靠近检查对象的半导体器件D的重心的多个温度传感器所获取的多个温度，例如获取其平均值、中央值，来对温度传感器的获取温度进行补偿，从而能够减小半导体器件D的实际温度与温度传感器的获取温度的差异。
在被送入到探针器1中的晶片W的电特性检查结束时，探针12a与检查对象的半导体器件D的接触被解除。
接着，关于下一检查对象的半导体器件D，依次进行上述的步骤A2.～A4.。之后，对全部的半导体器件D反复进行上述的步骤A2.～A4.直到结束为止。
在对全部的半导体器件D的电特性检查结束时，将晶片W从工作台10取下，并运送到装载机3的FOUP中。由此，一系列的检查处理结束。
此外，也可以不以形成于晶片W的半导体器件D之中的全部半导体器件D为检查对象，而仅使一部分的半导体器件D为检查对象。
以上，根据本实施方式的半导体器件D的检查方法，选择设置于顶板100的多个温度传感器之中的最靠近检查对象的半导体器件D的重心的温度传感器110，能够获取半导体器件D的温度。由此，与现有技术相比，能够减小检查对象的半导体器件D与温度传感器的间隔，从而能够进一步适当地减小半导体器件D的实际温度与温度传感器的获取温度的差异。
并且，此时对于选择出的温度传感器的获取温度，基于检查对象的半导体器件D的分隔距离进行修正，从而能够进一步适当地减小半导体器件D的实际温度与温度传感器的获取温度(计算出的修正温度)的差异。
此外，此时对于选择出的一个温度传感器的获取温度，利用配置在该一个温度传感器的周围的其他温度传感器的获取温度进行补偿，从而能够进一步适当地减小半导体器件D的实际温度与温度传感器的获取温度(计算出的补偿温度)的差异。
说明书公开的实施方式在所有的方面都是例示而不应该认为是限制性的。上述的实施方式在不脱离附加的权利要求范围及其主旨的情况下，能够以各种的方式省略、置换、改变。

Claims (12)

1.一种载置台，其上表面载置处理对象的器件，该载置台的特征在于，包括：
具有所述器件的载置面的顶板；
对所述顶板进行加热的加热单元；
多个温度传感器，其在俯视时的所希望的测量位置获取所述顶板的温度；和
定位单元，其与所述温度传感器电连接，将所述温度传感器定位于俯视时的所述测量位置，
所述定位单元由具有挠性的柔性电路板构成。
2.如权利要求1所述的载置台，其特征在于：
在所述顶板的背面侧形成有凹部，所述温度传感器和所述定位单元的至少一部分配置在该凹部的内部。
3.如权利要求2所述的载置台，其特征在于：
所述定位单元在与俯视时的所述测量位置对应的位置，具有以配置在所述凹部的内部的状态向所述顶板的载置面突出的凸部，
所述温度传感器与所述定位单元的所述凸部连接。
4.如权利要求1～3中任一项所述的载置台，其特征在于：
所述定位单元包括：
与所述温度传感器连接的多个传感器连接部件；
与载置台外部电连接的连接部件；和
将多个所述传感器连接部件与所述连接部件电连接的转接部件。
5.如权利要求4所述的载置台，其特征在于：
多个所述传感器连接部件分别与多个温度传感器连接。
6.如权利要求1～5中任一项所述的载置台，其特征在于：
多个所述温度传感器在俯视时沿着所述顶板的周向配置。
7.如权利要求1～6中任一项所述的载置台，其特征在于：
所述温度传感器包含铂电阻传感器和晶体管传感器的至少任一者。
8.如权利要求7所述的载置台，其特征在于：
所述铂电阻传感器配置在俯视时的所述顶板的中心部，
多个所述晶体管传感器沿着俯视时的所述顶板的周向配置。
9.如权利要求1～8中任一项所述的载置台，其特征在于：
还具有对所述顶板进行冷却的冷却单元，
所述顶板、所述冷却单元和所述加热单元从上方起按照所述顶板、所述冷却单元和所述加热单元的顺序依次层叠地配置。
10.一种对检查对象的器件进行检查的检查装置，其特征在于，包括：
探针，其在器件的检查时以预定的载荷被按压于该器件；和
权利要求1～9中任一项所述的载置台。
11.一种检查方法，使用检查装置，使检查对象的多个器件与探针接触来进行检查，其特征在于：
所述检查装置包括载置台，所述载置台包括：
具有所述器件的载置面的顶板；
对所述顶板进行加热的加热单元；
多个温度传感器，其在俯视时的所希望的测量位置获取所述顶板的温度；和
定位单元，其与所述温度传感器电连接，将所述温度传感器定位于俯视时的所述测量位置，
所述定位单元由具有挠性的柔性电路板构成，
该检查方法包括：
步骤A，用所述加热单元，将所述顶板加热至所希望的温度；
步骤B，用所述温度传感器，获取所述顶板的温度；和
步骤C，根据所测量的所述顶板的温度，计算检查对象的所述器件的温度，
计算所述器件的温度的所述步骤C包括：
步骤a，选择多个所述温度传感器之中的俯视时距所述器件的重心的距离最近的所述温度传感器；和
步骤b，基于由所选择的该温度传感器测量的所述顶板的温度，计算所述器件的温度。
12.如权利要求11所述的检查方法，其特征在于：
在所述步骤a中，还选择其他的所述温度传感器，
在所述步骤b中，基于由其他的所述温度传感器测量的温度，对计算出的所述器件的温度进行补偿。
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