CN107731788A - 半导体封装的遮蔽方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种为了对半导体封装中的预定的区域精密地进行以电磁屏蔽处理为例的特定的处理而能够精密地遮蔽除了该预定的区域以外的部分的半导体封装的遮蔽方法。使具备由分隔壁(63)划分开的凹部(61)的保持用夹具(J)吸附保持于多孔台(11)，将各半导体封装(P)配置于各凹部(61)。将遮蔽带(T)粘贴于稳定保持到凹部(61)的内部的状态下的半导体封装(P)而完全地覆盖凸块(59)。通过对预定的区域被覆盖了的半导体封装(P)进行电磁屏蔽处理等，能够对除了被遮蔽带覆盖着的部位之外的区域精密地执行电磁屏蔽处理、激光打标处理等各种处理。

Description

半导体封装的遮蔽方法

技术领域

本发明涉及用于对半导体装置、特别是密封型半导体封装的预定部位进行遮蔽的半导体封装的遮蔽方法。

背景技术

在智能手机等无线通信设备中，从所内置的半导体元件产生的电磁波有时因与天线等发生干涉而对接收性能带来不良影响。作为用于防止由这样的电磁波带来的不良影响的方法，以往，利用金属板屏蔽件覆盖电路、设备而抑制电磁波的产生的方法是主流。

不过，近年来强烈要求通信设备的薄型化等，安装面积较大的金属板屏蔽件成为阻碍设备的小型化·薄型化的主要原因。因此，作为替代基于金属板屏蔽件的抑制方法的方法，摸索出在半导体元件水平、即部件水平抑制电磁波的产生的方法。

半导体元件利用绝缘性树脂等对小片化的半导体芯片进行密封(封装化)而形成半导体封装，从而谋求半导体芯片的保护等(例如、专利文献1)。半导体封装是通过使许多小片化的半导体芯片配置于支承带上、在利用绝缘性的材料对半导体芯片进行了密封之后、形成凸块、电路、再次利用切割处理进行小片化来制造的。作为在半导体元件水平抑制电磁波的方法，提出了如下方法：通过溅射处理、镀敷处理、喷射处理等处理而利用阻断电磁波的屏蔽材料(电磁屏蔽件)覆盖各半导体封装(例如、专利文献2)。

专利文献1：日本特开2012-49502

专利文献2：日本特开2012-39104

发明内容

发明要解决的问题

然而，在上述以往的方法中存在以下那样的问题。

即、在利用电磁屏蔽件覆盖半导体封装的情况下，难以精密地利用电磁屏蔽件覆盖半导体封装的目标区域，因此，担心难以使半导体元件水平下的电磁波减少性能提高这样的问题。

在此，使用图来对以往方法的问题进行说明。如图20的(a)所示，半导体封装101具有基板层103和利用绝缘性树脂覆盖小片化的半导体芯片的密封树脂层105层叠而成的构造。在基板层103的表面形成有电路107，还设置有凸块109。

在利用由电磁屏蔽材料形成的屏蔽层111覆盖各半导体封装101的情况下，如图20的(b)所示，有时需要形成为屏蔽层111不与凸块109接触、且充分地覆盖密封树脂层105和基板层103的侧面。不过，若屏蔽层111过量地形成，则如图20的(c)所示，形成为由导体形成的屏蔽层111与凸块109接触而产生凸块109的短路。

半导体封装的尺寸非常小，因此，在各半导体封装中，伴随着难以实现所要求的精度的电磁屏蔽处理。如此，在半导体封装中，限定于所要求的范围的精密处理的实现性的课题并不限于电磁屏蔽处理，也在激光打标处理等各种处理工序中产生。

本发明是鉴于这样的状况而做成的，主要目的在于提供一种为了对于半导体封装中的预定的区域精密地进行以电磁屏蔽处理为例的特定的处理、并能够对除了该预定的区域以外的部分精密地进行遮蔽的半导体封装的遮蔽方法。

用于解决问题的方案

本发明为了达成这样的目的，采用如下技术方案。

即、本发明的半导体封装的遮蔽方法的特征在于，该半导体封装的遮蔽方法具备：保持工序，在该保持工序中，保持半导体封装，该半导体封装是基板层和密封层层叠而成的，所述基板层在表面形成有凸块，所述密封层利用绝缘性材料覆盖小片化的半导体元件来进行密封；以及

遮蔽工序，在该遮蔽工序中，将遮蔽带粘贴于所保持的所述半导体封装而覆盖至少所述凸块。

(作用·效果)根据该方法，在保持工序中保持半导体封装，在遮蔽工序中，以覆盖至少凸块的方式粘贴遮蔽带。半导体封装的凸块部分在遮蔽工序中被覆盖，因此，在之后对半导体封装进行电磁屏蔽处理等处置的情况下，能够可靠地避免对凸块部分进行该处置而产生产品不良。

另外，在上述的发明中，优选的是，该半导体封装的遮蔽方法具备保持部设置工序，在该保持部设置工序中，设置保持部，该保持部具有：小室部，其具有与所述半导体封装的形状相同的形状；以及分隔壁，其将所述小室部彼此划分开，

在所述保持工序中，使各所述半导体封装保持于在所述保持部设置工序中设置的所述保持部的各所述小室部的内部。

(作用·效果)根据该结构，各半导体封装在被保持于由分隔壁划分开的小室部的内部的状态下粘贴遮蔽带。小室部是与半导体封装的形状相同的形状，并利用分隔壁防止半导体封装的错位。因此，各半导体封装被更稳定地保持于小室部的内部，因此，能够更精密地执行遮蔽工序。

另外，在上述的发明中，优选的是，在所述保持工序中，以各所述半导体封装处于所述分隔壁的上表面的高度比所述凸块的顶部的高度低、且比所述基板层的表面的高度高的位置的方式保持各所述半导体封装。

(作用·效果)根据该结构，在保持工序中，所述半导体封装处于分隔壁的上表面的高度比凸块的顶部的高度低、且比基板层的表面的高度高的位置。因此，在遮蔽工序中，能够利用遮蔽带可靠地覆盖凸块。另一方面，能够避免遮蔽带覆盖到基板层的较低的位置，因此，被遮蔽处理的部分不会过度变宽。其结果，能够精密地限定遮蔽处理的对象范围，因此，能够对半导体封装的更宽的部分执行电磁屏蔽处理等特定处理。

另外，在上述的发明中，优选的是，所述小室部成为从上部朝向底部变尖细的锥状。

(作用·效果)根据该结构，小室部成为从上部朝向底部变尖细的锥状，因此，在底部处与半导体封装之间的间隙变窄。因此，能够更可靠地避免在保持到小室部的状态的半导体封装产生错位。

另一方面，在小室部的上部，与半导体封装之间的间隙变宽，因此，在遮蔽工序中，构成遮蔽带的粘合剂易于进入该间隙。其结果，能够更可靠地利用遮蔽带覆盖凸块、基板层的表面等要求遮蔽的部分。因而，能够同时享受半导体封装的稳定性和遮蔽的可靠性。

另外，在上述的发明中，优选的是，所述保持部的外形为圆形。

(作用·效果)根据该结构，保持部的外形为圆形，因此，无论设置有小室部的位置如何，都能够与半导体晶圆等圆盘状的结构同样地处理保持部。因而，能够更容易且可靠地针对保持部执行输送·配置等处置。

另外，在上述的发明中，优选的是，在所述遮蔽工序中，使粘贴辊向预定的方向滚动而将所述遮蔽带粘贴于半导体封装。

(作用·效果)根据该结构，利用粘贴辊的滚动来将遮蔽带粘贴于半导体封装，因此，能够更恰当地且可靠地执行半导体封装的遮蔽。

另外，在上述的发明中，优选的是，在所述遮蔽工序中，利用所述粘贴辊的滚动位置来控制所述粘贴辊的按压力。

(作用·效果)根据该结构，利用粘贴辊的滚动位置来控制粘贴辊的按压力，因此，能够更可靠地避免因各半导体封装的配置位置而产生遮蔽的偏差。

另外，在上述的发明中，优选的是，在所述遮蔽工序中，对腔室内进行减压，利用压差来将所述遮蔽带粘贴于半导体封装。

(作用·效果)根据该结构，对腔室内进行减压，利用压差将遮蔽带粘贴于半导体封装，因此，能够更恰当且可靠地执行半导体封装的遮蔽。另外，能够更加减少由半导体封装的配置位置导致的遮蔽的偏差。

附图说明

图1是表示实施例的遮蔽带粘贴装置的基本结构的立体图。

图2是表示实施例的粘贴单元的结构的侧视图。

图3是说明实施例的半导体封装的结构的侧视图。

图4是说明实施例的保持用夹具的结构的图。(a)是保持用夹具的俯视图，(b)是(a)所示的保持用夹具J的A-A剖视图。

图5是说明实施例的保持用夹具和半导体封装的结构的图。(a)是表示配置到保持用夹具的半导体封装的状态的剖视图，(b)是表示保持用夹具的凹部与半导体封装的尺寸之间的相关的剖视图。

图6是说明实施例的遮蔽带粘贴装置的动作的流程图。

图7是说明在步骤S1中要载置保持用夹具的状态的图。

图8是说明在步骤S2中半导体封装配置于凹部的状态的图。

图9是表示步骤S3中的结构的图。(a)是表示要粘贴遮蔽带的状态的图，(b)是(a)中以A表示的区域的放大图。

图10是表示步骤S4中的结构的图。

图11是表示步骤S6中的结构的图。(a)是表示带输送装置吸附保持遮蔽带的状态的图，(b)是表示在吸附保持后、带输送装置将半导体封装与遮蔽带一起输送的状态的图。

图12是表示比较例的结构的图。(a)是表示在没有分隔壁划分的比较例中半导体封装所配置的位置的俯视图，(b)是表示在比较例中粘贴辊的按压力与半导体封装的配置位置之间的关系的图，(c)是表示因过剩的按压力而对所要求的范围以上进行了遮蔽的状态的图，(d)是表示因按压力不充分而没有对所要求的范围进行遮蔽的状态的图。

图13是表示变形例(1)的结构的图。(a)是表示对腔室内进行减压前的状态的图，(b)是表示对腔室内进行减压而将带粘贴于半导体封装的状态的图。

图14是表示变形例(2)的结构的图。(a)是表示步骤S3中的装置的结构的图，(b)是表示在步骤S6中通过把持环框来输送半导体封装和遮蔽带的状态的图。

图15是表示变形例的结构的图。(a)是表示变形例(3)的结构的图，(b)是表示变形例(4)的结构的图。

图16是表示变形例(6)的多孔台的结构的图。

图17是表示变形例(7)的结构的图。(a)是表示使遮蔽带变形而使半导体封装与凹部隔离的结构的图、(b)是表示使保持用夹具变形而使半导体封装与凹部隔离的结构的图。

图18是表示变形例(8)的凹部的结构的剖视图。

图19是表示变形例(9)的保持用夹具结构的图。

图20是说明对半导体封装进行的处理的、以往的问题点的图。(a)是表示半导体封装的结构的剖视图，(b)是表示对所要求的范围准确地进行了处理的状态的一个例子的图，(c)是表示超过所要求的范围地进行了处理的状态的一个例子的图。

附图标记说明

1、遮蔽带粘贴装置；3、夹具供给/回收部；5、机械臂；9、对准台；11、多孔台；12、吸附孔；14、抽吸装置；17、粘贴单元；19、带切断装置；21、剥离单元；25、切刀；35、粘贴辊；51、第1基板层；53、接地层；57、密封层；59、凸块；61、凹部；63、分隔壁；65、吸附孔；T、遮蔽带；J、保持用夹具；P、半导体封装；N、凹口。

具体实施方式

以下，参照附图来说明本发明的实施例。图1是表示实施例的遮蔽带粘贴装置1的整体结构的立体图。

＜整体结构的说明>

实施例的遮蔽带粘贴装置1具备：供收纳有圆盘状的保持用夹具J的盒C1装填的夹具供给/回收部3；具备机械臂5的夹具输送机构7；对准台9；载置保持用夹具J以及半导体封装P并吸附保持的多孔台11；以及供收纳对半导体封装P进行了粘贴处理的遮蔽带T的盒C2装填的封装回收部12。

此外，作为未图示的结构，遮蔽带粘贴装置1具备：收纳半导体封装P的封装收纳部；以及将半导体封装P向多孔台11输送的封装输送部。作为封装输送部的例子，可列举出抓放机器人、芯片焊接机等。另外，作为一个例子，遮蔽带T具备粘合层和基材层层叠而成的结构。粘合层含有粘合剂，并覆盖遮蔽对象部位。

具备：朝向载置到多孔台11的半导体封装P供给遮蔽用的遮蔽带T的带供给部13；从自带供给部13供给来的带隔离膜的遮蔽带T剥离回收隔离膜s的隔离膜回收部15；将遮蔽带T粘贴于载置到并吸附保持到多孔台11的半导体封装P的粘贴单元17；将粘贴到半导体封装P的遮蔽带T切断成预定的形状的带切断装置19；将粘贴于半导体封装P而进行了切断处理之后的不要的遮蔽带T剥离的剥离单元21；以及对由剥离单元21剥离下来的遮蔽带T进行卷绕回收的带回收部23等。

构成夹具供给/回收部3的盒C1能够以水平姿势呈多层插入地收纳圆盘状的保持用夹具J。设置于夹具输送机构7的机械臂5构成为能够水平地进退移动，并且，整体能够驱动回转和升降。并且，在机械臂5的顶端设置有呈马蹄形的真空吸附式的夹具保持部5a。

夹具保持部5a插入呈多层收纳到盒C的保持用夹具J彼此的间隙而从背面吸附保持保持用夹具J，将所吸附保持的保持用夹具J从盒C拉出而按照对准台9、多孔台11、以及夹具供给/回收部3的顺序输送。对准台9基于在由夹具输送机构7输入载置的保持用夹具J的外周形成的凹口N等对该保持用夹具J进行对位。

多孔台11如随后论述那样具备多个吸附孔，对从夹具输送机构7移载而以预定的对位姿势载置的保持用夹具J进行真空吸附。另外，多孔台11构成为对设置到保持用夹具J的凹部的各半导体封装P进行真空吸附。此外，替代多孔台11，也可以使用由金属、树脂等形成、具有多个比较大的(例如直径1mm左右)吸附孔的台。

如图2所示，带供给部13构成为，将从供给卷轴29放出的带隔离膜s的遮蔽带T向1个或两个以上的引导辊31卷绕引导，将剥离隔离膜s后的遮蔽带T向粘贴单元17引导。供给卷轴29构成为，施加适度的旋转阻力而不放出过量的带。

隔离膜回收部15驱动对从遮蔽带T剥离后的隔离膜s进行卷绕的回收卷轴33使其向卷绕方向旋转。在粘贴单元17向前水平地设置有粘贴辊35，利用图2所示的滑动引导机构37和未图示的螺纹进给式的驱动机构进行驱动使粘贴辊35左右水平地往复。

在剥离单元21，向前水平地设置有剥离辊39。剥离辊39构成为，被滑动引导机构37和未图示的螺纹进给式的驱动机构驱动而左右水平地往复。

带回收部23驱动对不要的遮蔽带T、即不要带T’进行卷绕的回收卷轴41使其向卷绕方向旋转。不要带T’可列举出沿着晶圆W的外形裁切的剩余的遮蔽带片等。

如图1所示，带切断装置19具备可动台43、转动轴44、以及一对支承臂45。可动台43构成为能够沿着上下方向(z方向)升降。转动轴44设置于可动台43的自由端部，并能够绕上下方向(z方向)的轴线转动。支承臂45设置于从转动轴44向下方延伸的支承构件的下端部，并被贯通支承成能够沿着水平方向滑动调节。

在支承臂45的自由端侧设置有刀具单元47，在刀具单元47安装固定有使刀尖朝下的切刀25。也就是说，通过转动轴44以纵轴心P为回转中心回转，支承臂45也绕z方向的轴线回转。构成为，利用支承臂45的回转移动，切刀25沿着保持用夹具J的外周移动而裁切遮蔽带T。

另外，利用支承臂45的滑动调节，距作为切刀25的回转中心的纵轴心P的距离被调节。利用这样的结构，能够与保持用夹具J的直径相对应地变更调节切刀25的回转半径。

在此，对半导体封装P和保持用夹具J的结构进行说明。实施例的半导体封装P整体上具有大致长方体的结构，如图3所示，并具有依次层叠第1基板层51、具备接地用的地线的接地层53、第2基板层55以及密封层57而成的结构。第1基板层51在表面设置有凸块59。另外，在第1基板层51的表面形成有未图示的电路。密封层57成为利用绝缘性材料对小片化的未图示的半导体芯片进行密封的结构。半导体芯片利用未图示的凸块等与第2基板层55电连接。

保持用夹具J如图4的(a)所示那样具有圆盘状的外形，并形成有定位用的凹口N。保持用夹具J的外形并不限于圆形，优选是与SEMI标准、或日本半导体制造装置协会等所规定的晶圆的外形相同的形状。作为保持用夹具J的优选的外形的一个例子，可列举出大致长方形等。

在保持用夹具J的表面形成有许多凹部61。各凹部61作为一个例子配设成二维矩阵状，各凹部61被分隔壁63划分开。凹部61的形状成为与半导体封装P的外形大致相同的形状。即、构成为，通过使各半导体封装P配置在各凹部61，能够在被分隔壁63划分开的凹部61的内部稳定地保持半导体封装P。

优选的是，构成保持用夹具J的材料是以树脂为例的具有挠性和弯曲性的材料，特别优选由具有弹性的橡胶等构成。另外，如图4的(b)所示，在各凹部61的底部61a设置有吸附孔65。此外，保持用夹具J相当于本发明中的保持部。凹部61相当于本发明中的小室部。

图5的(a)表示在被吸附保持到多孔台11的保持用夹具J的凹部61配置有各半导体封装P的状态。多孔台11具备多个吸附孔12，各吸附孔12与抽吸装置14连接。构成为，若使定位好的保持用夹具J载置于多孔台11，则设置于保持用夹具J的各吸附孔65与多孔台11的吸附孔12连通连接。

在半导体封装P中，将从密封层57的底面到第1基板层51的表面的高度设为H1，将从密封层57的底面到凸块59的顶部的高度设为H2。在实施例的保持用夹具J中，优选的是，如图5的(b)所示，构成为，从凹部61的底面到分隔壁63的上表面63a的高度R比半导体封装P中的高度H1高，且比高度H2低。

另外，优选的是，分隔壁63的上表面63a进行非粘合处理。作为非粘合处理的一个例子，可列举出利用特氟龙(注册商标)对由铝形成的上表面63a进行涂敷处理的结构等。此外，从凹部61的底面到分隔壁63的上表面63a的高度R也可以根据所要求的遮蔽带T的覆盖(遮蔽)的范围而适当变更。在实施例中，要求遮蔽的范围是凸块59整体和第1基板层51的整个表面，因此，高度R被调整成图5的(b)所示的程度。

＜装置的动作的说明>

接着，对使用实施例的遮蔽带粘贴装置1而用于将遮蔽带T粘贴于各半导体封装P的一系列动作进行说明。图6是对将保护用的遮蔽带T粘贴于半导体封装P的工序进行说明的流程图。

步骤S1(保持用夹具的载置)

若发出粘贴指令，则首先，夹具输送机构7中的机械臂5朝向被载置装填到盒台的盒C1移动。机械臂5将夹具保持部5a插入被收容于盒C的保持用夹具彼此的间隙，利用夹具保持部5a从背面(下表面)吸附保持圆盘状的保持用夹具J而输出，将取出来的保持用夹具J移载于对准台9。

载置到对准台9的保持用夹具J利用在保持用夹具J的外周形成的凹口N来进行对位。对位完成了的保持用夹具J再次被机械臂5输出，而如图7所示那样载置于多孔台11。载置到多孔台11的保持用夹具J被回转，以保持用夹具J的中心位于多孔台11的中心之上的方式被对位。此时，设置于凹部61的底面的吸附孔65以分别与吸附孔12连通连接的方式进行对位。

在多孔台11之上进行了对位的保持用夹具J被抽吸装置14吸附保持于多孔台11。即、抽吸装置14借助吸附孔12对保持用夹具J进行吸附。步骤S1的工序相当于本发明中的保持部设置工序。

此外，如图2所示，粘贴单元17和剥离单元21位于左侧的初始位置。另外，带切断装置19的切刀25在上方的初始位置分别待机。

步骤S2(半导体封装的供给)

在使保持用夹具J吸附保持到多孔台11之后，进行半导体封装P的供给。封装输送部将收纳于封装收纳部的半导体封装P朝向多孔台11供给输送。然后，如图8所示，将半导体封装P逐个配置于被吸附保持于多孔台11的保持用夹具J的各凹部61。

各吸附孔65与吸附孔12连通连接，因此，配置到凹部61的内部的半导体封装P分别借助吸附孔65和吸附孔12被抽吸装置14吸附保持于多孔台11。另外，各凹部61被分隔壁63划分开，凹部61的内部的形状与半导体封装P的外形大致相同。因此，通过配置于保持用夹具J的凹部61，能够避免在多孔台11之上产生半导体封装P的错位。因而，各半导体封装P在保持用夹具J的凹部61中被稳定地保持。通过使半导体封装P配置于各凹部61、借助保持用夹具J使半导体封装P稳定保持于多孔台11，从而完成步骤S2的工序。步骤S2的工序相当于本发明中的保持工序。

步骤S3(带粘贴处理)

接着，如在图2中以假想线(双点划线)所示，粘贴单元17的粘贴辊35下降、并且一边利用该粘贴辊35将遮蔽带T向下方按压一边在晶圆W上向前方(图2中的右方向)滚动。由此，如图9的(a)所示，遮蔽带T粘贴于半导体封装P的整个表面。

如图5的(b)所示，分隔壁63的高度R被调整成比半导体封装P中的高度H2低、且比高度H1高。因此，于在凹部61的内部稳定保持半导体封装P的状态下，分隔壁63的上表面63a在高度方向(z方向)上位于凸块59的顶部与第1基板部51的上表面之间。

因而，如图9的(b)所示，粘贴后的遮蔽带T的粘合层由于粘贴辊35的按压力而覆盖至少半导体封装P的整个表面(凸块59的整体和第1基板部51的整个上表面)。另一方面，设置有地线的接地层53未被遮蔽带T的粘合层覆盖。因此，能够利用遮蔽带T的粘合层完全地覆盖(遮蔽)作为除了电磁屏蔽处理的对象区域以外的部分的、凸块59和第1基板部51的上表面。通过利用遮蔽带T遮蔽各半导体封装P的整个表面，步骤S3的带粘贴处理完成。步骤S3的工序相当于本发明中的遮蔽工序。

步骤S4(带切断处理)

在带粘贴处理完成之后，开始步骤S4的带切断处理。即、若粘贴辊35滚动而粘贴单元17到达终端位置，则如图10所示，使在上方待机的切刀25下降而刺入遮蔽带T。然后，通过转动轴44绕z方向的轴线转动，支承臂45被回转。与此相伴，切刀25一边与保持用夹具J的外周缘滑动接触一边回转移动，因此，遮蔽带T被沿着保持用夹具J的外周切断。

步骤S5(不要的带的回收)

若沿着保持用夹具J的外周的带切断结束，则使切刀25上升到本来的待机位置。接下来，剥离单元21一边向前方移动一边将在晶圆W上被裁切并被切断而剩余的不要带T’卷起而剥离。若剥离单元21到达剥离作业的结束位置，则剥离单元21和粘贴单元17向相反方向移动而返回到初始位置。此时，不要带T’被卷绕于回收卷轴41，并且，从带供给部13放出恒定量的遮蔽带T。

步骤S6(处理完毕的封装的回收)

若到步骤S5为止的各处理结束，则回收进行了带粘贴处理的半导体封装。首先，对抽吸装置14进行控制而解除多孔台11处的半导体封装P的吸附保持。之后，如图11的(a)所示，带输送装置G吸附沿着保持用夹具J的外周裁切下来的遮蔽带Tp的上表面。

遮蔽带Tp以覆盖各半导体封装P的整个表面的方式被粘贴。另外，分隔壁63的上表面63a进行非粘合处理，因此，遮蔽带T易于从保持用夹具J剥离。因此，如图11的(b)所示，通过吸附保持有遮蔽带Tp的带输送装置G向上方移动，各半导体封装P与保持用夹具J的凹部61分离，与遮蔽带Tp一起向上方移动。

此时，优选多孔台11处的保持用夹具J的吸附保持被维持。即、更优选的是，设为如下结构：对保持用夹具J进行吸附保持的吸附孔12以及与吸附孔65连通连接而吸附保持半导体封装P的吸附孔12分别与不同的抽吸装置14连接，独立地控制保持用夹具J的吸附保持和半导体封装P的吸附保持。

移动到上方的遮蔽带Tp与各半导体封装P一起向带输送装置G移载，并被回收于图1所示的封装回收部12的盒C2。此外，残留于多孔台11上的保持用夹具J根据需要利用机械臂5被回收于夹具供给/回收部3。通过以上步骤，1次遮蔽带粘贴处理完成，以后，依次反复进行上述工作。

回收到封装回收部12的半导体封装P处于凸块59的整体和第1基板层51的整个表面被覆盖的状态。另一方面，构成为，通过恰当地调整分隔壁63的高度和粘贴辊的按压力，接地层53和第2基板层55不受由遮蔽带T进行的覆盖。

因此，以后，通过对进行遮蔽处理而回收了的半导体封装P进行电磁屏蔽处理，能够可靠地避免在凸块59、第1基板层51的表面形成电磁屏蔽层且能够可靠地利用电磁屏蔽材料覆盖接地层53和密封层57等。即能够可靠地避免电磁屏蔽层与凸块59之间的接触，并且，电磁屏蔽层被接地层53可靠地接地。因而，能够进行避免短路的产生且能够在半导体部件水平可靠地防止电磁波的产生的设备的制造。

另外，成为遮蔽的对象的半导体封装P被小片化，因此，成为屏蔽处理的对象的接地层53和密封层57的面已经暴露，能够增大半导体封装P彼此的距离。因此，能够更容易且恰当地执行遮蔽后的电磁屏蔽层的形成工序。

此外，并不限定于对遮蔽处理后的半导体封装P进行电磁屏蔽处理，能够进行各种处理。作为一个例子，可列举出激光打标处理等。即能够遮蔽以凸块59、或在第1基板层51的上表面形成的电路为例的所期望的部位而可靠地防护且对除了被防护了的部位以外的部分实施激光打标处理。

另外，作为处理的另一个例子，也可列举出基于叠层封装法(PoP)的安装处理等。即在使单片化的半导体封装P层叠而进行安装处理的情况下，能够恰当地避免如下问题：通过预先针对下层侧的半导体封装P遮蔽凸块59等，由于上层侧的半导体封装P而下层侧的封装的凸块59受到应力。

＜实施例的结构的效果>

如此，本发明的遮蔽带粘贴装置1将遮蔽带粘贴于小片化的状态的半导体封装的表面。通过遮蔽带的粘贴，形成于各半导体封装的表面的凸块59的整体被遮蔽带的粘合层恰当地覆盖。因此能够利用遮蔽带可靠地防护凸块59等预定的部分且对除了预定的部分以外(密封层57、接地层53等)的部分精密地实施电磁屏蔽处理等特定的处理。另外，对小片化后的各半导体封装进行遮蔽处理，因此，能够更容易地对未被遮蔽的部位进行特定的处理。

在实施例中，在粘贴遮蔽带之际，通过使用保持用夹具J，能够更稳定地使半导体封装P保持在多孔台11之上。即、将各半导体封装P分别配置于被分隔壁63划分开的各凹部61。凹部61的形状是与半导体封装P的外形相同的形状，因此，多孔台11之上的半导体封装P各自的位置被分隔壁63更精密地保持。因而，在粘贴遮蔽带T之际，能够恰当地避免因半导体封装P的错位导致的遮蔽不良的产生。

另外，分隔壁63以沿着半导体封装P的高度方向延伸的方式配设。另外，分隔壁63的上表面的高度以处于凸块59的顶部与第1基板层51的表面之间的方式被调整成恰当的位置。因此，能够避免粘贴辊35的按压力沿着除了高度方向(z方向)以外的方向作用于半导体封装P。即、能够利用保持用夹具J的分隔壁63可靠地防止因按压力沿着除了高度方向以外的方向作用于半导体封装P而半导体封装P翻倒或变形这样的问题。因而，能够恰当地且可靠地以更少的工序完成对小片化后的许多半导体封装P进行遮蔽处理，因此，能够大幅度提高遮蔽处理的效率。

另外，通过将半导体封装P配置于被分隔壁63划分开的凹部61的内部，能够进一步获得对各半导体封装P的遮蔽的偏差防止这样的效果。作为一个例子，在如图12的(a)所示那样将半导体封装P不利用分隔壁63划分就配置到台D之上的情况下，与左右的端部E相比，在中央部M处配置更多半导体封装P。

在该情况下，如图12的(b)所示，由于粘贴辊35的滚动位置，从粘贴辊35作用于半导体封装P的按压力C产生偏差，因此，担心半导体封装P的遮蔽变得不均匀的问题。即比较过剩的按压力C作用于配置于端部E的半导体封装P，因此，担心被遮蔽带T的粘合层覆盖到接地层53的问题(图12的(c))。若之后对接地层53被遮蔽的半导体封装P进行电磁屏蔽处理，则形成的电磁屏蔽层不与接地电位接触，因此，因接地不良产生故障。

另一方面，在配置到保持用夹具J的中央部M的半导体封装中，担心由于按压力C的不足而在遮蔽之际凸块59未被完全地覆盖这样的问题(图12的(d))。若在凸块59的遮蔽不完全的状态下进行之后的电磁屏蔽处理，则电磁屏蔽层与凸块59接触，因此，产生短路(参照图20的(c))。在遮蔽如此不均匀的情况下，难以对许多半导体封装P分别精密地执行遮蔽工序后的处理。

在实施例中，半导体封装彼此之间利用分隔壁63划分开、且该分隔壁63的高度比半导体封装P的表面(第1基板层51的表面)高。在该情况下，粘贴辊35的按压力的偏差利用被调整成恰当的高度的分隔壁63的上表面63a而恰当地减少，因此，能够更可靠地避免产生由半导体封装P的配置位置导致的遮蔽的不均匀。

另外，保持用夹具J的外形与半导体晶圆的外形同样是圆形。具体而言，成为与SEMI标准、日本半导体制造装置协会等所规定的晶圆的外形相同的形状。因此，在对保持用夹具J进行输送·配置·对位等处理的情况下，能够适用对半导体晶圆进行同样的处理的装置的结构，因此，能够更容易地进行遮蔽带粘贴装置1中的保持用夹具J的操作的最优化。

本发明并不限于上述实施方式，能够如下述那样地变形实施。

(1)在实施例中，列举使粘贴辊35滚动而粘贴遮蔽带T的、辊式的结构为例而进行了遮蔽带粘贴装置1的说明，但也可以适用使用腔室而利用真空下的压差来粘贴遮蔽带T的结构。

对于变形例(1)的腔室式的结构，如图13的(a)所示，上外壳71a和下外壳71b夹持遮蔽带T而形成腔室71。并且，在将保持到多孔台11的半导体封装P收纳到腔室71的状态下，使用未图示的真空装置来开始上外壳71a与下外壳71b这两空间的减压。

此时，通过控制成下外壳71b的空间的气压比上外壳71a的空间的气压低，如图13的(b)所示，利用压差Sp，遮蔽带T覆盖半导体封装P各自的表面。通过适用这样的、一边对腔室内进行减压一边粘贴遮蔽带的结构，不受粘贴辊的按压力的偏差的影响，就能够利用遮蔽带T恰当地覆盖许多半导体封装P。

(2)在各实施例和各变形例中，也可以在多孔台11的周围还配设环框f。即如图14的(a)所示，也可以是，适用利用遮蔽带T覆盖环框f的上表面和半导体封装P的整个表面的结构。

在这样的变形例(2)中，在步骤S5中，沿着环框f切断遮蔽带T。并且，如图14的(b)所示，在步骤S6中，通过使用输送臂H等来把持环框f而使其向上方移动，不吸附保持遮蔽带Tp的整个上表面就能够输送各半导体封装P。即在输送之际，能够避免对遮蔽带Tp和半导体封装P作用无用的力，因此，能够防止带、半导体封装损伤。

(3)在各实施例和各变形例中，是凹部61各自的深度均相同的结构，但并不限于此。即、也可以适用根据凹部61的位置来变更凹部61的底部61a的高度的结构。能够利用保持用夹具J的分隔壁63减少遮蔽的偏差，但想到该偏差并不为零的情况。

作为一个例子，在利用辊式进行遮蔽带的粘贴处理的结构中，如图12的(b)所示，在粘贴辊35的滚动位置处于保持用夹具J的端部E之上的情况下，与粘贴辊35的滚动位置处于保持用夹具J的中央部M的情况相比，按压力C较大。因此，配置到端部E的半导体封装P与配置到中央部M的半导体封装P相比，存在遮蔽带T覆盖到半导体封装P的更下方的倾向。

因此，如图15所示，根据作用于半导体封装P的按压力C的偏差在保持用夹具J的端部E处使凹部61的底部61a的高度构成得比较低，在保持用夹具J的中央部M处使底部61a的高度比较高。

通过如此地使底部61a的高度根据凹部61的位置而变化，能够适当调整半导体封装P被吸附保持的位置的高度。因而，即使是存在按压力C的偏差的情况下，也能够可靠地避免因半导体封装P的配置位置而产生遮蔽的偏差的问题。

(4)此外，调整半导体封装P的高度的结构并不限于使保持用夹具J中的底部61a的厚度变化的结构，也可以是，如图15的(b)所示，省略保持用夹具J的至少一部分底部61a，并在多孔台11中，以沿着z方向升降移动的销75位于各凹部61的下部的方式配设。根据半导体封装P所配置的位置来对销75的高度进行控制，从而能够适当调整半导体封装P被吸附保持的位置的高度。另外，销75也可以设置成沿着上下方向贯通多孔台11。

(5)在实施例和各变形例中，也可以适用以根据粘贴辊35的滚动位置来变更粘贴辊35的按压力的方式对粘贴辊35的动作进行控制的结构。

作为一个例子，于在步骤S3中使粘贴辊35在保持用夹具J的端部E之上滚动的情况下，以粘贴辊35对遮蔽带T的按压力C变得比较大的方式进行控制。另一方面，在粘贴辊35在保持用夹具J的中央部M之上滚动的情况下，以按压力C变的比较小的方式进行控制。

通过如此地根据粘贴辊35的滚动位置来控制按压力C的大小，即使是保持用夹具J的底部61a的高度恒定的情况下，也能够恰当地避免由半导体封装P的配置位置导致的遮蔽的偏差产生。

(6)在实施例和各变形例中，也可以是，如图16所示，凹部61和分隔壁63是与多孔台11一体地形成的结构。

(7)在步骤S6中使半导体封装P与保持用夹具J分离的结构并不限于图11的(b)所示那样的、利用带输送装置G的吸附保持使遮蔽带Tp的整体作为一体而与保持用夹具J分开地移动的结构。即、如图17的(a)所示，也可以是通过对裁切后的遮蔽带Tp的端部施加力而使其变形、来使半导体封装P与保持用夹具J分离。

另外，如图17的(b)所示，也可以是，通过使保持用夹具J弯曲变形，使半导体封装P与保持用夹具J分离。在这样的结构中，遮蔽带T不变形，因此，能够恰当地避免应力施加于半导体封装P的问题、遮蔽带Tp从半导体封装剥离的问题。特别是在保持用夹具J是具有挠性和弹性的材料(橡胶等)的情况下，能够更容易地执行图17的(b)所示的保持用夹具J的弯曲变形。

(8)在实施例和各变形例中，如图18所示，凹部61也可以是朝向底部61a变尖细的锥状。在该情况下，底部61a的宽度W1比较窄，因此，半导体封装P与分隔壁63之间的间隙变小。因此，在配置到凹部61的状态下，能够更恰当地避免产生半导体封装P的错位。因而，在变形例(8)中，更优选底部61a的宽度W1与半导体封装P的底部的宽度大致相同。

并且，在凹部61的上部61b，宽度W2比较宽。因此，构成遮蔽带T的粘合层易于进入半导体封装P与上部61b之间的间隙Ga。因而，在步骤S3的带粘贴处理中，能够利用遮蔽带T的粘合层可靠地覆盖至少凸块59的整体和第1基板层51的整个表面。

(9)在实施例和各变形例中，对保持用夹具J设为图4所示那样的圆盘状的结构进行了说明，但保持用夹具J的外形并不限于圆形，如图19所示，也可以根据凹部61的位置和数量来适当变更外形。

(10)在实施例和各变形例中，列举分批式的粘贴装置为例进行了说明，但本发明的结构也能够适用于连续式的装置。

(11)在实施例和各变形例中，多孔台11是通过吸附来保持半导体封装P等的结构，但并不限于此。即、也可以适用使用不具有吸附功能的台替代多孔台11来保持保持用夹具J、或半导体封装P的结构。

(12)在实施例和各变形例中，对保持用夹具J使用了具备吸附孔65的结构进行了说明，但也可以将不具有吸附孔65的结构适用于保持用夹具J。

(13)在实施例和各变形例中，在使保持用夹具J载置到多孔台11之后，使各半导体封装P配置保持到保持用夹具J的凹部61，但并不限于使保持用夹具J和半导体封装P单独地配置的结构。即，也可以是预先使在各凹部61配置有半导体封装P的保持用夹具J向盒C1装填、在使该保持用夹具J载置到多孔台11之后粘贴遮蔽带T的结构。

在这样的变形例中，将保持许多单片化的半导体封装P的保持用夹具J(作为一个例子，托盘等)向多孔台11输送。因此，能够缩短遮蔽处理所需的时间和工序，因此，能够大幅度提高成品率。

Claims (8)

1.一种半导体封装的遮蔽方法，其特征在于，

该半导体封装的遮蔽方法具备：

保持工序，在该保持工序中，保持半导体封装，该半导体封装是基板层和密封层层叠而成的，所述基板层在表面形成有凸块，所述密封层利用绝缘性材料覆盖小片化的半导体元件来进行密封；以及

遮蔽工序，在该遮蔽工序中，将遮蔽带粘贴于所保持的所述半导体封装而覆盖至少所述凸块。

2.根据权利要求1所述的半导体封装的遮蔽方法，其特征在于，

该半导体封装的遮蔽方法具备保持部设置工序，在该保持部设置工序中，设置保持部，该保持部具有：小室部，其具有与所述半导体封装的形状相同的形状；以及分隔壁，其将所述小室部彼此划分开，

在所述保持工序中，使各所述半导体封装保持于在所述保持部设置工序中设置的所述保持部的各所述小室部的内部。

3.根据权利要求2所述的半导体封装的遮蔽方法，其特征在于，

在所述保持工序中，以各所述半导体封装处于所述分隔壁的上表面的高度比所述凸块的顶部的高度低、且比所述基板层的表面的高度高的位置的方式保持各所述半导体封装。

4.根据权利要求2所述的半导体封装的遮蔽方法，其特征在于，

所述小室部成为从上部朝向底部变尖细的锥状。

5.根据权利要求2所述的半导体封装的遮蔽方法，其特征在于，

所述保持部的外形为圆形。

6.根据权利要求1所述的半导体封装的遮蔽方法，其特征在于，

在所述遮蔽工序中，使粘贴辊向预定的方向滚动而将所述遮蔽带粘贴于半导体封装。

7.根据权利要求6所述的半导体封装的遮蔽方法，其特征在于，

在所述遮蔽工序中，利用所述粘贴辊的滚动位置来控制所述粘贴辊的按压力。

8.根据权利要求1所述的半导体封装的遮蔽方法，其特征在于，

在所述遮蔽工序中，对腔室内进行减压，利用压差来将所述遮蔽带粘贴于半导体封装。