CN113764465A - 显示装置 - Google Patents

显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN113764465A
CN113764465A CN202110275266.7A CN202110275266A CN113764465A CN 113764465 A CN113764465 A CN 113764465A CN 202110275266 A CN202110275266 A CN 202110275266A CN 113764465 A CN113764465 A CN 113764465A
Authority
CN
China
Prior art keywords
disposed
layer
pixel defining
defining layer
pixel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202110275266.7A
Other languages
English (en)
Inventor
崔洛初
权大起
安致旭
金智熙
郑壤镐
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN113764465A publication Critical patent/CN113764465A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/20—Filters
    • G02B5/201—Filters in the form of arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
    • H10K59/65—OLEDs integrated with inorganic image sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K59/8792—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • H10K71/231—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers
    • H10K71/233—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers by photolithographic etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

提供了一种显示装置。所述显示装置包括其中布置有主显示元件的主显示区域以及其中布置有辅助显示元件和透射区域的组件区域，显示装置包括：第一像素限定层，布置在主显示区域中，第一像素限定层位于主显示元件的第一像素电极之间；第二像素限定层，布置在组件区域中，第二像素限定层位于辅助显示元件的第二像素电极之间；黑矩阵，布置在主显示元件上，黑矩阵位于主显示元件的发射区域周围；以及滤色器，布置在主显示元件和辅助显示元件上，滤色器布置为分别与主显示元件的发射区域和辅助显示元件的发射区域对应。

Description

显示装置
本申请要求于2020年6月1日提交的第10-2020-0066018号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请出于所有的目的而通过引用包含于此，如同在此充分阐述的一样。
技术领域
发明的示例性实施例总体上涉及一种显示装置，更具体地，涉及一种显示面板以及包括该显示面板的显示装置，在该显示面板中，确保了在布置有电子组件的区域中的透射率。
背景技术
最近，显示装置的用途已经多样化。此外，随着显示装置的厚度和重量的减少，其用途已经增加。
由于显示装置被不同地使用，因此可以存在各种方法来设计显示装置的形状以及将要应用或链接到显示装置的增加数量的功能。
在该背景技术部分中公开的上述信息仅用于理解发明构思的背景技术，因此，它可能包含不构成现有技术的信息。
发明内容
根据发明的示例性实施例构造的装置能够提供一种显示面板以及包括该显示面板的显示装置，在该显示面板中，确保了在布置有作为电子元件的组件的区域中的透射率。然而，应该理解的是，应该仅以描述性的含义来考虑这里描述的实施例，而不是为了限制实施例。
另外的方面将在下面的描述中部分地阐述，并且部分地通过描述将是明显的，或者可以通过实践所呈现的实施例而获知。
根据一个或更多个实施例，一种显示装置包括其中布置有主显示元件的主显示区域以及其中布置有辅助显示元件和透射区域的组件区域，显示装置包括：第一像素限定层，布置在主显示区域中，第一像素限定层位于主显示元件的第一像素电极之间；第二像素限定层，布置在组件区域中，第二像素限定层位于辅助显示元件的第二像素电极之间；黑矩阵，布置在主显示元件上，黑矩阵位于主显示元件的发射区域周围；以及滤色器，布置在主显示元件和辅助显示元件上，滤色器布置为分别与主显示元件的发射区域和辅助显示元件的发射区域对应。
第一像素限定层可以包括不透明材料，并且第二像素限定层可以包括透明材料。
显示装置还可以包括：第一间隔件，位于第一像素限定层上；绝缘图案，布置在组件区域中；以及第二间隔件，位于绝缘图案上。
第二像素限定层可以覆盖绝缘图案，并且第二间隔件可以是第二像素限定层的布置在绝缘图案上的一部分。
第二像素限定层可以与绝缘图案隔开，并且狭缝可以在第二像素限定层与绝缘图案之间围绕绝缘图案。
显示装置还可以包括：第一间隔件，位于第一像素限定层上；以及第二间隔件，作为第二像素限定层的一部分，第二间隔件是从第二像素限定层突出的一部分。
第一像素限定层和第二像素限定层中的每个可以包括不透明材料。
第二像素限定层可以包括围绕第二像素电极的边缘的第一绝缘图案。
显示装置还可以包括：第一间隔件，位于第一像素限定层上；第二绝缘图案，位于第一绝缘图案之间，第二绝缘图案与第一绝缘图案隔开；以及第二间隔件，位于第二绝缘图案上。
第二绝缘图案可以包括不透明材料，并且第一间隔件和第二间隔件中的每个可以包括透明材料。
第一像素限定层可以包括围绕第一像素电极的边缘的第三绝缘图案。
显示装置还可以包括：第四绝缘图案，位于第三绝缘图案之间，第四绝缘图案与第三绝缘图案隔开；第一间隔件，位于第四绝缘图案上；第二绝缘图案，位于第一绝缘图案之间，第二绝缘图案与第一绝缘图案隔开；以及第二间隔件，位于第二绝缘图案上。
第二绝缘图案和第四绝缘图案中的每个可以包括不透明材料，并且第一间隔件和第二间隔件中的每个可以包括透明材料。
显示装置还可以包括：第一间隔件，作为第一像素限定层的一部分，第一间隔件是从第一像素限定层突出的一部分；以及第二间隔件，位于第一绝缘图案之间，第二间隔件与第一绝缘图案隔开并且包括具有不同高度的部分。
第二间隔件可以包括不透明材料。
显示装置还可以包括：第一间隔件，位于第三绝缘图案之间，第一间隔件与第三绝缘图案隔开并且包括具有不同高度的部分；以及第二间隔件，位于第一绝缘图案之间，第二间隔件与第一绝缘图案隔开并且包括具有不同高度的部分。
第一间隔件和第二间隔件中的每个可以包括不透明材料。
组件区域中的第二像素限定层的边缘可以与主显示区域中的第一像素限定层的边缘叠置。
根据一个或更多个实施例，一种显示装置包括其中布置有主显示元件的主显示区域以及其中布置有辅助显示元件和透射区域的组件区域，显示装置包括：第一像素限定层，布置在主显示区域中并且覆盖主显示元件的第一像素电极的边缘；第一间隔件，位于主显示元件的第一像素电极之间；第二像素限定层，布置在组件区域中并且覆盖辅助显示元件的第二像素电极的边缘；以及第二间隔件，位于辅助显示元件的第二像素电极之间。
第二间隔件可以在辅助显示元件的第二像素电极之间布置在绝缘图案上。
第二像素限定层可以包括围绕第二像素电极的边缘的绝缘图案。
第二间隔件可以位于绝缘图案之间并且可以包括具有不同高度的部分。
第二间隔件可以是第二像素限定层的一部分，第二间隔件是从第二像素限定层突出的一部分。
显示装置还可以包括：薄膜封装层，布置在主显示元件和辅助显示元件上；黑矩阵，布置在薄膜封装层上，黑矩阵位于主显示元件的发射区域周围；以及滤色器，布置在薄膜封装层上，滤色器分别与主显示元件的发射区域和辅助显示元件的发射区域对应。
发明构思的另外的特征将在下面的描述中阐述，并且部分地通过描述将是明显的，或者可以通过发明构思的实践来获知。
将理解的是，前面的总体描述和下面的详细描述是示例性和说明性的，并且意图提供对如要求保护的发明的进一步说明。
附图说明
附图示出了发明的示例性实施例，并与描述一起用于解释发明构思，附图被包括以提供对发明的进一步的理解，并且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。
图1和图2是根据发明的示例性实施例的显示面板的示意性平面图。
图3和图4是根据发明的示例性实施例的显示装置的剖面的一部分的示意性剖视图。
图5是根据发明的示例性实施例的显示面板的示意性平面图。
图6A和图6B是根据发明的示例性实施例的驱动主子像素和辅助子像素的像素电路的等效电路图。
图7是根据发明的示例性实施例的主显示区域中的像素布置结构的示意性布局图。
图8A和图8B是根据发明的示例性实施例的组件区域中的像素布置结构的示意性布局图。
图9是根据实施例的显示面板的一部分的示意性剖视图，其是主显示区域和组件区域的示意性剖视图。
图10是根据发明的示例性实施例的显示面板的一部分的示意性剖视图。
图11是图10的主显示区域的显示层的示意性平面图。
图12是图10的主显示区域的触摸屏层的示意性平面图。
图13A和图13B是图10的主显示区域的光学功能层的示意性平面图。
图14是图10的第二组件区域的显示层的示意性平面图。
图15是图10的第二组件区域的光学功能层的示意性平面图。
图16A、图16B、图16C和图16D是根据图10中所示的显示装置的制造工艺的显示面板的剖视图。
图17A是根据发明的示例性实施例的显示面板的一部分的示意性剖视图。
图17B是图17A的第二组件区域和第三组件区域的光学功能层的示意性平面图。
图18A和图18B是根据发明的示例性实施例的第二间隔件的剖视图。
图19A和图19B分别是在主显示区域与第二组件区域之间的边界处的像素限定层的布置的平面图和剖视图。
图20是根据发明的示例性实施例的显示面板的一部分的示意性平面图。
图21是图20的第二组件区域的显示层的示意性平面图。
图22是根据发明的示例性实施例的显示面板的一部分的示意性剖视图。
图23是图22的第二组件区域的显示层的示意性平面图。
图24是根据发明的示例性实施例的显示面板的一部分的示意性剖视图。
图25是图24的主显示区域的显示层的示意性平面图。
图26是根据发明的示例性实施例的显示面板的一部分的示意性剖视图。
图27A是图26的主显示区域的显示层的示意性平面图。
图27B是图26的第二组件区域的显示层的示意性平面图。
图28是根据发明的示例性实施例的显示面板的一部分的示意性剖视图。
图29是图28的主显示区域的显示层的示意性平面图。
图30A和图30B是在图26和图28中所示的显示面板中形成第一绝缘图案和间隔件的方法的示例性视图。
具体实施方式
在以下描述中，出于解释的目的，阐述了许多具体细节以提供对发明的各种示例性实施例或实施方式的透彻的理解。如这里使用的，“实施例”和“实施方式”是可互换的词语，其是应用这里公开的一个或更多个发明构思的装置或方法的非限制性示例。然而，明显的是，可以在没有这些具体细节或者具有一个或更多个等同布置的情况下来实践各种示例性实施例。在其它情况下，以框图形式示出了公知的结构和装置，以避免不必要地使各种示例性实施例模糊。此外，各种示例性实施例可以是不同的，但不必是排他的。例如，在不脱离发明构思的情况下，示例性实施例的特定形状、构造和特性可以在另一示例性实施例中使用或实现。
除非另外说明，否则示出的示例性实施例应被理解为提供对其中可以在实践中实现发明构思的一些方式的不同细节的示例性特征。因此，除非另外说明，否则在不脱离发明构思的情况下，各种实施例的特征、组件、模块、层、膜、面板、区域和/或方面等(在下文中，单独地或统称为“元件”)可以另外组合、分离、互换和/或重新布置。
通常在附图中提供交叉影线和/或阴影的使用来阐明相邻元件之间的边界。如此，除非另有说明，否则交叉影线或阴影的存在或缺失都不传达或表示对元件的特定材料、材料性质、尺寸、比例、所示元件之间的共性和/或任何其它特性、属性、性质等的任何偏好或要求。此外，在附图中，出于清楚和/或描述的目的，可以夸大元件的尺寸和相对尺寸。当可以不同地实现示例性实施例时，可以与所描述的顺序不同地执行具体的工艺顺序。例如，可以基本上同时执行或以与所描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。此外，同样的附图标记表示同样的元件。
当元件或层被称为在另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时，该元件或层可以直接在所述另一元件或层上、连接到或结合到所述另一元件或层，或者可以存在中间元件或层。然而，当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或层时，不存在中间元件或层。为此，术语“连接”可以指在具有或不具有中间元件的情况下的物理连接、电连接和/或流体连接。此外，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，而可以以更宽泛的含义来解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。出于本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个(种/者)”和“从由X、Y和Z组成的组中的选择至少一个(种/者)”可以被解释为仅X、仅Y、仅Z或者X、Y和Z中的两个(种/者)或更多个(种/者)的任意组合，诸如以XYZ、XYY、YZ和ZZ为例。如这里所使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项目的任意组合和所有组合。
尽管这里可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种类型的元件，但是这些元件不应该被这些术语限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开。因此，在不脱离公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以被称为第二元件。
出于描述的目的，这里可以使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“在……下”、“下”、“在……上方”、“上”、“在……之上”、“较高的”、“侧”(例如，如在“侧壁”中)等的空间相对术语，从而描述如附图中示出的一个元件与另一(另外)元件的关系。除了附图中描绘的方位之外，空间相对术语还意图包含设备在使用、操作和/或制造中的不同方位。例如，如果附图中的设备被翻转，则被描述为“在”其它元件或特征“下方”或“之下”的元件随后将被定位“在”所述其它元件或特征“上方”。因此，示例性术语“在……下方”可以包括上方和下方两种方位。此外，可以另外定位设备(例如，旋转90度或在其它方位处)，并如此相应地解释这里使用的空间相对描述语。
这里使用的术语是为了描述特定实施例的目的，而不是意图进行限制。如这里使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式“一”、“一个(种/者)”和“该(所述)”也意图包括复数形式。此外，当在本说明书中使用术语“包括”及其变型和/或“包含”及其变型时，说明存在陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组，但是不排除存在或添加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。还注意的是，如这里使用的，术语“基本(基本上)”、“约(大约)”和其它类似术语用作近似术语而不用作程度术语，如此，被用来解释将由本领域普通技术人员认识到的测量值、计算值和/或提供值的固有偏差。
这里参照作为理想化的示例性实施例和/或中间结构的示意图的剖面和/或分解图示来描述各种示例性实施例。如此，将预期出现例如由制造技术和/或公差引起的图示的形状变化。因此，这里公开的示例性实施例不必须被解释为限于具体示出的区域的形状，而是将包括由例如制造导致的形状偏差。以这种方式，附图中所示的区域本质上可以是示意性的，并且这些区域的形状可以不反映装置的区域的实际形状，如此，不必须意图进行限制。
按照本领域的惯例，在功能块、单元和/或模块方面描述并在附图中示出了一些示例性实施例。本领域技术人员将理解的是，这些块、单元和/或模块通过可使用基于半导体的制造技术或其它制造技术而形成的电子(或光学)电路(诸如逻辑电路、分立组件、微处理器、硬布线电路、存储器元件、布线连接等)物理地实现。在通过微处理器或其它类似硬件来实现块、单元和/或模块的情况下，可以使用软件(例如，微码)对它们进行编程和控制，以执行这里讨论的各种功能，并且可以可选择地通过固件和/或软件来驱动块、单元和/或模块。还预期的是，每个块、单元和/或模块可以由专用硬件来实现，或者作为执行某些功能的专用硬件和执行其它功能的处理器(例如，一个或更多个编程的微处理器和关联电路)的组合来实现。此外，在不脱离发明构思的范围的情况下，一些示例性实施例的每个块、单元和/或模块可以物理地分成两个或更多个交互且分立的块、单元和/或模块。此外，在不脱离发明构思的范围的情况下，一些示例性实施例的块、单元和/或模块可以物理地组合成更复杂的块、单元和/或模块。
除非另外定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开是其一部分的领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。术语(诸如在通用词典中定义的术语)应该被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含义，而不应该以理想化或过于正式的含义来进行解释，除非这里明确地如此定义。
图1和图2是根据实施例的显示面板的示意性平面图。
显示面板可以是包括发光元件的发光显示面板。例如，显示面板可以是使用包括有机发射层的有机发光二极管(LED)的有机发光显示面板、使用微型LED的微型LED显示面板、使用包括量子点发射层的量子点LED的量子点发光显示面板或者使用包括无机半导体的无机发光元件的无机发光显示面板。
显示面板可以是由于刚性而不容易可弯曲的刚性显示面板或者由于柔性而容易可弯曲、可折叠或可卷曲的柔性显示面板。例如，显示面板可以是可以折叠和展开的可折叠显示面板、具有弯曲显示表面的弯曲显示面板、具有除了显示表面之外的弯曲区域的弯曲显示面板、可以卷曲和展开的可卷曲显示面板或可以拉伸的可拉伸显示面板。
显示面板包括其中实现图像的显示区域DA以及其中不实现图像的外围区域DPA。显示区域DA包括主显示区域MDA和组件区域CA。主显示区域MDA和组件区域CA可以单独地或一起显示图像。外围区域DPA可以是其中未布置显示元件的非显示区域。显示区域DA可以完全被外围区域DPA围绕。作为电子元件的组件可以布置在组件区域CA下。
组件可以是使用红外光或不可见光的相机，并且可以包括成像装置。可选择地，组件可以是太阳能电池、闪光灯、照度传感器、接近传感器或虹膜传感器。可选择地，组件可以接收声音。为了使组件的功能限制最小化，组件区域CA可以包括从组件输出到外部或从外部朝向组件行进的光和/或声音可以透射通过其的透射区域。
在实施例中，组件区域CA可以具有比主显示区域MDA的透光率和/或声音透射率高的透光率和/或声音透射率。在实施例中，当光透射通过组件区域CA时，透光率可以为约10％或更大，更优选地，25％或更大、30％或更大、50％或更大、75％或更大、80％或更大、85％或更大或者90％或更大。
组件区域CA可以布置在主显示区域MDA内部并被主显示区域MDA围绕。另外，组件区域CA可以设置为圆形形状，并且可以设置为单个组件区域CA或多个组件区域CA。作为示例，图1示出了一个组件区域CA，并且图2示出了作为第一组件区域CA1、第二组件区域CA2和第三组件区域CA3的三个组件区域CA。第一组件区域CA1至第三组件区域CA3均可以被主显示区域MDA围绕。第一组件可以布置为与第一组件区域CA1对应，第二组件可以布置为与第二组件区域CA2对应，并且第三组件可以布置为与第三组件区域CA3对应。第一组件至第三组件可以具有不同的功能。在实施例中，相机可以布置在第一组件区域CA1中，照度传感器可以布置在第二组件区域CA2中，并且接近传感器可以布置在第三组件区域CA3中。
在图1和图2中，示出了组件区域CA具有圆形形状，但是实施例不限于此。例如，组件区域CA可以具有椭圆形形状或者诸如三角形、五边形等的多边形形状，并且组件区域CA的位置和尺寸可以进行各种修改。
图3和图4是根据实施例的显示装置1的剖面的一部分的示意性剖视图。
参照图3和图4，显示装置1可以包括显示面板10以及与显示面板10叠置的组件40。保护显示面板10的覆盖窗(未示出)可以进一步布置在显示面板10上。
显示面板10可以包括与组件40叠置的组件区域CA以及其上显示主图像的主显示区域MDA。显示面板10可以包括基底100、位于基底100上的显示层DISL、触摸屏层TSL、光学功能层OFL以及位于基底100下的面板保护构件PB。
显示层DISL可以包括：电路层PCL，包括薄膜晶体管TFT和TFT'；显示元件层EDL，包括作为显示元件的发光元件ED和ED'；以及封装构件ENCM，诸如薄膜封装层TFEL或密封基底(未示出)。绝缘层IL和IL'可以位于基底100与显示层DISL之间，并且位于显示层DISL内部。
包括主发光元件ED的主子像素Pm和连接到主子像素Pm的主薄膜晶体管TFT可以布置在显示面板10的主显示区域MDA中，并且包括辅助发光元件ED'的辅助子像素Pa和连接到辅助子像素Pa的辅助薄膜晶体管TFT'可以布置在组件区域CA中。
另外，其中未布置显示元件的透射区域TA可以布置在组件区域CA中。透射区域TA可以是从布置为与组件区域CA对应的组件40发射的光/信号或入射在组件40上的光/信号透射通过其的区域。
底部金属层BML可以布置在组件区域CA中。底部金属层BML可以布置为与辅助薄膜晶体管TFT'的下部对应。例如，底部金属层BML可以位于辅助薄膜晶体管TFT'与基底100之间。底部金属层BML可以阻挡外部光到达辅助薄膜晶体管TFT'。在一些实施例中，恒定电压或信号可以施加到底部金属层BML。
显示元件层EDL可以被薄膜封装层TFEL或密封基底覆盖。在一些实施例中，薄膜封装层TFEL可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。在实施例中，薄膜封装层TFEL可以包括第一无机封装层161、第二无机封装层163以及位于它们之间的有机封装层162。
当显示元件层EDL被密封基底(未示出)密封时，密封基底可以布置为面对基底100，且显示元件层EDL位于密封基底与基底100之间。密封基底与显示元件层EDL之间可以存在间隙。密封基底可以包括玻璃。由玻璃料形成的密封剂可以位于基底100与密封基底之间，并且密封剂可以布置在前述外围区域DPA中。布置在外围区域DPA中的密封剂可以围绕显示区域DA，并且防止湿气穿透通过显示面板10的侧表面。
触摸屏层TSL可以根据外部输入(例如，触摸事件)来获得坐标信息。触摸屏层TSL可以包括触摸电极以及连接到触摸电极的布线。触摸屏层TSL可以通过使用自电容方法或互电容方法来感测外部输入。
触摸屏层TSL可以形成在薄膜封装层TFEL上。可选择地，触摸屏层TSL可以单独形成在触摸基底上，然后通过诸如光学透明粘合剂(OCA)的粘合层结合到薄膜封装层TFEL上。在实施例中，触摸屏层TSL可以直接形成在薄膜封装层TFEL上，并且在这种情况下，粘合层可以不位于触摸屏层TSL与薄膜封装层TFEL之间。
光学功能层OFL可以包括防反射层。防反射层可以降低入射到显示装置1的光(外部光)的反射率。
在一些实施例中，光学功能层OFL可以包括偏振膜。光学功能层OFL可以包括与透射区域TA对应的开口OFL_OP。因此，可以显著改善透射区域TA中的透光率。开口OFL_OP可以填充有透明材料，诸如光学透明树脂(OCR)。
在一些实施例中，如图4中所示，光学功能层OFL可以设置为包括黑矩阵和滤色器的滤光器板180。滤光器板180可以包括滤色器182、黑矩阵183和外涂层184。可以考虑分别从显示面板10的像素发射的光的颜色来布置滤色器182。例如，根据从发光元件ED和ED'发射的光的颜色，滤色器182可以是红色、绿色或蓝色。滤色器182和黑矩阵183可以不位于透射区域TA中。例如，包括滤色器182和黑矩阵183的层可以包括与透射区域TA对应的孔183OP，并且孔183OP可以至少部分地填充有外涂层184。外涂层184可以包括诸如树脂的有机材料，并且前述有机材料可以是透明的。
与包括偏振板的显示装置相比，包括具有滤色器182和黑矩阵183的光学功能层OFL的显示装置可以具有大大减小的厚度。
覆盖窗(未示出)可以布置在显示面板10上，从而保护显示面板10。光学功能层OFL可以使用OCA附着到覆盖窗或者可以使用OCA附着到触摸屏层TSL。
面板保护构件PB可以附着到基底100的下部，从而支撑和保护基底100。面板保护构件PB可以包括与组件区域CA对应的开口PB_OP。因为面板保护构件PB包括开口PB_OP，所以可以提高组件区域CA中的透光率。面板保护构件PB可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚酰亚胺(PI)。
组件区域CA的面积可以大于其中布置有组件40的区域的面积。因此，设置在面板保护构件PB中的开口PB_OP的面积可以不与组件区域CA的面积对应。
图5是根据实施例的显示面板10的示意性平面图。
参照图5，构成显示面板10的各种元件可以布置在基底100上。基底100包括显示区域DA和围绕显示区域DA的外围区域DPA。显示区域DA包括其上显示主图像的主显示区域MDA以及其上显示辅助图像的组件区域CA，组件区域CA包括透射区域TA。辅助图像可以与主图像一起形成一个整体图像或者可以是独立于主图像的图像。
多个主子像素Pm布置在主显示区域MDA中。主子像素Pm均可以由诸如有机发光二极管(OLED)的显示元件来实现。每个主子像素Pm可以发射例如红光、绿光、蓝光或白光。主显示区域MDA可以被封装构件ENCM覆盖，因此被保护免受外部空气或湿气的影响。
如上所述，组件区域CA可以位于主显示区域MDA的一侧处，或者可以布置在显示区域DA内部并被主显示区域MDA围绕。多个辅助子像素Pa布置在组件区域CA中。辅助子像素Pa均可以由诸如OLED的显示元件来实现。每个辅助子像素Pa可以发射例如红光、绿光、蓝光或白光。组件区域CA可以被封装构件ENCM覆盖，并且因此被保护免受外部空气或湿气的影响。
组件区域CA可以具有透射区域TA。透射区域TA可以布置为围绕辅助子像素Pa。可选择地，透射区域TA可以与辅助子像素Pa布置为网格形式。
组件区域CA包括透射区域TA，因此，组件区域CA的分辨率可以低于主显示区域MDA的分辨率。例如，组件区域CA的分辨率可以是主显示区域MDA的分辨率的约1/2、3/8、1/3、1/4、2/9、1/8、1/9或1/16。例如，主显示区域MDA的分辨率可以是约400ppi或更高，并且组件区域CA的分辨率可以是约200ppi或约100ppi。
驱动主子像素Pm和辅助子像素Pa的像素电路可以分别电连接到布置在外围区域DPA中的外部电路。第一扫描驱动电路SDRV1、第二扫描驱动电路SDRV2、端子部分PAD、驱动电压供应线11和共电压供应线13可以布置在外围区域DPA中。
第一扫描驱动电路SDRV1可以被配置为通过扫描线SL将扫描信号施加到驱动主子像素Pm和辅助子像素Pa的每个像素电路。第一扫描驱动电路SDRV1可以被配置为通过发射控制线EL将发射控制信号施加到每个像素电路。第二扫描驱动电路SDRV2可以相对于主显示区域MDA位于第一扫描驱动电路SDRV1的相对侧处，并且可以基本平行于第一扫描驱动电路SDRV1。主显示区域MDA中的主子像素Pm的一些像素电路可以电连接到第一扫描驱动电路SDRV1，并且其余的像素电路可以电连接到第二扫描驱动电路SDRV2。组件区域CA中的辅助子像素Pa的一些像素电路可以电连接到第一扫描驱动电路SDRV1，并且其余的像素电路可以电连接到第二扫描驱动电路SDRV2。可以省略第二扫描驱动电路SDRV2。
端子部分PAD可以布置在基底100的一侧处。端子部分PAD通过不被绝缘层覆盖而暴露，并且连接到显示电路板30。显示驱动器32可以布置在显示电路板30上。
显示驱动器32可以被配置为产生传输到第一扫描驱动电路SDRV1和第二扫描驱动电路SDRV2的控制信号。显示驱动器32可以被配置为产生数据信号，并且产生的数据信号可以通过扇出布线FW和连接到扇出布线FW的数据线DL传输到主子像素Pm和辅助子像素Pa的像素电路。
显示驱动器32可以被配置为将驱动电压ELVDD(见图6A)供应到驱动电压供应线11，并且可以被配置为将共电压ELVSS(见图6A)供应到共电压供应线13。驱动电压ELVDD可以通过连接到驱动电压供应线11的驱动电压线PL施加到主子像素Pm和辅助子像素Pa的像素电路，并且共电压ELVSS可以通过共电压供应线13施加到显示元件的对电极。
驱动电压供应线11可以连接到端子部分PAD，并且可以在x方向上从主显示区域MDA下方延伸。共电压供应线13可以连接到端子部分PAD，并且可以具有其中一侧以环形敞开并因此部分地围绕主显示区域MDA的形状。
图6A和图6B是根据实施例的驱动主子像素Pm和辅助子像素Pa的像素电路PC的等效电路图。
参照图6A，像素电路PC(在下文中，也可以被称为主像素电路PC或辅助像素电路PC')可以连接到发光元件以实现子像素的发光。发光元件可以是OLED。像素电路PC可以包括驱动晶体管T1、开关晶体管T2和电容器Cst(在下文中，也可以被称为主电容器Cst或辅助电容器Cst')。开关晶体管T2可以连接到扫描线SL和数据线DL，并且可以被配置为根据通过扫描线SL输入的扫描信号Sn将通过数据线DL输入的数据信号Dm传输到驱动晶体管T1。
电容器Cst可以连接到开关晶体管T2和驱动电压线PL，并且可以被配置为存储与从开关晶体管T2接收的电压和供应到驱动电压线PL的驱动电压ELVDD之间的差对应的电压。
驱动晶体管T1可以连接到驱动电压线PL和电容器Cst，并且可以被配置为响应于存储在电容器Cst中的电压的值来控制从驱动电压线PL流向有机发光二极管OLED(在下文中，也可以被称为主有机发光二极管OLED或辅助有机发光二极管OLED')的驱动电流。有机发光二极管OLED可以根据驱动电流发射具有一定亮度的光。
在图6A中，已经描述了像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器的情况，但是实施例不限于此。
参照图6B，像素电路PC可以包括第一晶体管至第七晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7，并且根据晶体管的类型(p型或n型)和/或操作条件，第一晶体管T1至第七晶体管T7中的每个可以包括作为源极端子或漏极端子的第一端子以及作为与第一端子不同的端子的第二端子。例如，当第一端子是源极端子时，第二端子可以是漏极端子。
像素电路PC可以连接到被配置为传输第一扫描信号Sn的第一扫描线SL、被配置为传输第二扫描信号Sn-1的第二扫描线SL-1、被配置为传输第三扫描信号Sn+1的第三扫描线SL+1、被配置为传输发射控制信号En的发射控制线EL、被配置为传输数据信号Dm的数据线DL、被配置为传输驱动电压ELVDD的驱动电压线PL以及被配置为传输初始化电压Vint的初始化电压线VL。
第一晶体管T1包括连接到第二节点N2的栅极端子、连接到第一节点N1的第一端子和连接到第三节点N3的第二端子。第一晶体管T1用作驱动晶体管，并且被配置为根据第二晶体管T2的开关操作，通过接收数据信号Dm来将驱动电流供应到发光元件。发光元件可以是OLED。
第二晶体管T2(开关晶体管)包括连接到第一扫描线SL的栅极端子、连接到数据线DL的第一端子以及连接到第一节点N1(或第一晶体管T1的第一端子)的第二端子。第二晶体管T2可以响应于通过第一扫描线SL传输的第一扫描信号Sn而导通，并且可以执行将传输到数据线DL的数据信号Dm传输到第一节点N1的开关操作。
第三晶体管T3(补偿晶体管)包括连接到第一扫描线SL的栅极端子、连接到第二节点N2(或第一晶体管T1的栅极端子)的第一端子以及连接到第三节点N3(或第一晶体管T1的第二端子)的第二端子。第三晶体管T3可以响应于通过第一扫描线SL传输的第一扫描信号Sn而导通，从而使第一晶体管T1二极管连接。第三晶体管T3可以具有其中至少两个晶体管串联连接的结构。
第四晶体管T4(第一初始化晶体管)包括连接到第二扫描线SL-1的栅极端子、连接到初始化电压线VL的第一端子以及连接到第二节点N2的第二端子。第四晶体管T4可以响应于通过第二扫描线SL-1传输的第二扫描信号Sn-1而导通，并且可以将初始化电压Vint传输到第一晶体管T1的栅极端子，从而使第一晶体管T1的栅极电压初始化。第四晶体管T4可以具有其中至少两个晶体管串联连接的结构。
第五晶体管T5(或第一发射控制晶体管)包括连接到发射控制线EL的栅极端子、连接到驱动电压线PL的第一端子以及连接到第一节点N1的第二端子。第六晶体管T6(第二发射控制晶体管)包括连接到发射控制线EL的栅极端子、连接到第三节点N3的第一端子以及连接到有机发光二极管OLED的像素电极的第二端子。第五晶体管T5和第六晶体管T6响应于通过发射控制线EL传输的发射控制信号En而同时导通，因此，电流在有机发光二极管OLED中流动。
第七晶体管T7(第二初始化晶体管)包括连接到第三扫描线SL+1的栅极端子、连接到第六晶体管T6的第二端子和有机发光二极管OLED的像素电极的第一端子以及连接到初始化电压线VL的第二端子。第七晶体管T7可以响应于通过第三扫描线SL+1传输的第三扫描信号Sn+1而导通，并且可以通过将初始化电压Vint传输到有机发光二极管OLED的像素电极来使有机发光二极管OLED的像素电极的电压初始化。可以省略第七晶体管T7。
电容器Cst包括连接到第二节点N2的第一电极和连接到驱动电压线PL的第二电极。
有机发光二极管OLED可以包括像素电极和面对像素电极的共电极，并且共电极可以接收共电压ELVSS。有机发光二极管OLED在从第一晶体管T1接收驱动电流之后发射具有特定颜色的光，因此可以显示图像。共电极可以与多个子像素共同设置，即，一体地设置。
在图6B中，示出了第四晶体管T4和第七晶体管T7分别连接到第二扫描线SL-1和第三扫描线SL+1，但是实施例不限于此。在另一实施例中，第四晶体管T4和第七晶体管T7两者可以连接到第二扫描线SL-1并根据第二扫描信号Sn-1而被驱动。
驱动主子像素Pm和辅助子像素Pa的像素电路PC可以彼此相同或不同。例如，驱动主子像素Pm和辅助子像素Pa的像素电路PC可以设置为图6B中所示的像素电路PC。在另一实施例中，对于驱动主子像素Pm的像素电路PC，可以使用图6B中所示的像素电路PC，并且对于驱动辅助子像素Pa的像素电路PC，可以使用图6A中所示的像素电路PC。
在图6A和图6B中，示出了像素电路PC的晶体管是p型晶体管，但是实施例不限于此。例如，像素电路PC的晶体管可以是n型晶体管，或者一些晶体管可以是p型晶体管，而其它晶体管可以是n型晶体管。各种实施例是可能的。
图7是根据实施例的主显示区域MDA中的像素布置结构的示意性布局图。
参照图7，多个主子像素Pm可以布置在主显示区域MDA中。在本说明书中，子像素指作为用于实现图像的最小单元的发射区域。当OLED用作显示元件时，子像素的发射区域可以通过发射层或像素限定层的开口来限定。这将在后面描述。
图7的主显示区域MDA中由实线划分的每个区域是其中布置有连接到主子像素Pm的像素电路的像素电路区域PCA。
主子像素Pm可以包括红色子像素Pr、绿色子像素Pg和蓝色子像素Pb，并且红色子像素Pr、绿色子像素Pg和蓝色子像素Pb可以分别实现红色、绿色和蓝色。
红色子像素Pr和蓝色子像素Pb交替地布置在每行N的第一子行1SN中，绿色子像素Pg以一定间隔布置在相邻的第二子行2SN中。像素的这种布置可以重复直到第N行。在这种情况下，蓝色子像素Pb和红色子像素Pr可以设置为大于绿色子像素Pg。布置在第一子行1SN中的红色子像素Pr和蓝色子像素Pb以及布置在第二子行2SN中的绿色子像素Pg可以布置为偏移。因此，红色子像素Pr和蓝色子像素Pb交替地布置在第一列1M中，绿色子像素Pg以一定间隔布置在相邻的第二列2M中，蓝色子像素Pb和红色子像素Pr交替地布置在相邻的第三列3M中，并且绿色子像素Pg以一定间隔布置在相邻的第四列4M中。像素的这种布置可以重复直到第M列。
当这样的像素布置结构被不同地表示时，在以绿色子像素Pg的中心为其中心的虚拟矩形VS中，红色子像素Pr布置在虚拟矩形VS的顶点之中彼此面对的第一顶点和第三顶点处，并且蓝色子像素Pb布置在作为其余顶点的第二顶点和第四顶点处。在这种情况下，可以对虚拟矩形VS进行各种修改，诸如矩形、菱形、正方形等。
这种像素布置结构被称为pentile矩阵结构或pentile结构，并且通过应用通过共用相邻像素来表现颜色的渲染驱动方法，可以使用少量的像素来实现高分辨率。
在图7中，示出了主子像素Pm以pentile结构布置，但是实施例不限于此。例如，主子像素Pm可以以诸如条纹结构、马赛克布置结构、三角布置结构等的各种形状来布置。
图8A和图8B是根据实施例的组件区域CA中的像素布置结构的示意性布局图。
参照图8A，多个辅助子像素Pa可以布置在组件区域CA中。每个辅助子像素Pa可以发射红光、绿光、蓝光和白光中的任何一种。
组件区域CA可以具有子像素区域ADA和透射区域TA。子像素区域ADA可以是其中布置有辅助子像素Pa的区域。包括至少一个辅助子像素Pa的像素组PG可以布置在子像素区域ADA中。例如，子像素区域ADA和透射区域TA可以在x方向和y方向上交替地布置，并且可以以网格形状布置。在这种情况下，组件区域CA可以具有多个子像素区域ADA和多个透射区域TA。
图8A的子像素区域ADA中由实线划分的每个区域是其中布置有连接到辅助子像素Pa的像素电路的像素电路区域PCA。
像素组PG可以被定义为其中多个辅助子像素Pa被分组在预设单元中的子像素的集合(或组)。例如，如图8A中所示，一个像素组PG可以包括以pentile结构布置的八个辅助子像素Pa。也就是说，一个像素组PG可以包括两个红色子像素Pr、四个绿色子像素Pg和两个蓝色子像素Pb。
在组件区域CA中，其中一定数量的像素组PG和一定数量的透射区域TA彼此结合的基本单元U可以在x方向和y方向上重复布置。在图8A中，基本单元U可以具有其中两个像素组PG和布置在其周围的两个透射区域TA以正方形形状彼此结合的形状。在基本单元U中，重复形状的区域被划分，但是这不表示元件之间的断开。
如图7中所示，具有与基本单元U的面积相等的面积的对应单元U'可以设定在主显示区域MDA中。在这种情况下，包括在对应单元U'中的主子像素Pm的数量可以大于包括在基本单元U中的辅助子像素Pa的数量。也就是说，存在包括在基本单元U中的16个辅助子像素Pa以及包括在对应单元U'中的32个主子像素Pm，并且可以以1:2的比例设置每相同面积布置的辅助子像素Pa的数量和主子像素Pm的数量。
类似于主显示区域MDA中的主子像素Pm的布置，四个辅助子像素Pa可以分别布置在虚拟矩形VS'的顶点处。组件区域CA的分辨率是主显示区域MDA的分辨率的1/2，并且组件区域CA的像素布置结构被称为1/2pentile结构。可以根据组件区域CA的分辨率来修改包括在像素组PG中的辅助子像素Pa的数量和布置。
参照图8B，组件区域CA的像素布置结构可以以1/4pentile结构设置。在本实施例中，八个辅助子像素Pa以pentile结构布置在像素组PG中，并且仅一个像素组PG可以包括在基本单元U中。基本单元U的其余区域可以被设置为透射区域TA。因此，可以以1:4的比例设置每相同面积布置的辅助子像素Pa的数量和主子像素Pm的数量。在这种情况下，一个像素组PG可以被透射区域TA围绕。
在图8A和图8B中，示出了辅助子像素Pa以pentile结构布置，但是实施例不限于此。例如，辅助子像素Pa可以以诸如条纹结构、马赛克布置结构、三角布置结构等的各种形状来布置。
另外，在图8A和图8B中，示出了辅助子像素Pa的尺寸等于主子像素Pm的尺寸，但是实施例不限于此。辅助子像素Pa的尺寸可以大于与辅助子像素Pa发射相同颜色的主子像素Pm的尺寸。例如，辅助子像素Pa的蓝色子像素Pb的尺寸可以大于主子像素Pm的蓝色子像素Pb的尺寸。可以考虑组件区域CA与主显示区域MDA之间的亮度和/或分辨率的差异来设计尺寸的差异。
图9是根据实施例的显示面板10的一部分的示意性剖视图，其是主显示区域MDA和组件区域CA的示意性剖视图。
参照图9，显示面板10可以包括主显示区域MDA和组件区域CA。主子像素Pm布置在主显示区域MDA中，并且辅助子像素Pa和透射区域TA布置在组件区域CA中。主像素电路PC和作为连接到主像素电路PC的显示元件的主有机发光二极管OLED可以布置在主显示区域MDA中，主像素电路PC包括主薄膜晶体管TFT和主电容器Cst。辅助像素电路PC'和作为连接到辅助像素电路PC'的显示元件的辅助有机发光二极管OLED'可以布置在组件区域CA中，辅助像素电路PC'包括辅助薄膜晶体管TFT'和辅助电容器Cst'。
在本实施例中，作为示例，OLED用作显示元件，但是在另一实施例中，无机发光元件或量子点发光元件可以用作显示元件。
在下文中，将描述其中包括在显示面板10中的元件堆叠的结构。可以通过堆叠基底100、缓冲层111、电路层PCL和显示元件层EDL来设置显示面板10。如图3中所示，封装构件ENCM和光学功能层OFL可以进一步堆叠在显示元件层EDL上。
基底100可以包括绝缘材料，诸如玻璃、石英或聚合物树脂。基底100可以是刚性基底或者可弯曲、可折叠或可卷曲的柔性基底。
缓冲层111可以位于基底100上，从而减少或阻挡异物、湿气或外部空气从基底100下方渗透，并在基底100上提供平坦的表面。缓冲层111可以包括诸如氧化物或氮化物的无机材料、有机材料或者有机-无机复合材料，并且可以具有无机材料和有机材料的单层或多层结构。阻挡外部空气渗透的阻挡层(未示出)可以进一步位于基底100与缓冲层111之间。在一些实施例中，缓冲层111可以包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或氮氧化硅(SiOxNy)。缓冲层111可以具有其中第一缓冲层111a和第二缓冲层111b堆叠的结构。
在组件区域CA中，底部金属层BML可以位于第一缓冲层111a与第二缓冲层111b之间。在另一实施例中，底部金属层BML可以位于基底100与第一缓冲层111a之间。底部金属层BML可以位于辅助像素电路PC'下，从而防止辅助薄膜晶体管TFT'的特性由于从组件等发射的光而劣化。另外，底部金属层BML可以防止从组件等发射的光或朝向组件行进的光通过连接到辅助像素电路PC'的布线之间的窄间隙而衍射。底部金属层BML可以不位于透射区域TA中。
另外，底部金属层BML可以通过接触孔连接到布置在不同层上的布线GCL。底部金属层BML可以从布线GCL接收恒定电压或信号。例如，底部金属层BML可以接收偏置电压。
底部金属层BML可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)、铜(Cu)和/或掺杂的硅(掺杂Si)。底部金属层BML可以包括前述材料的单层或多层。
电路层PCL可以布置在缓冲层111上，并且可以包括主像素电路PC和辅助像素电路PC'、第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113、层间绝缘层115和平坦化层117。
主薄膜晶体管TFT和辅助薄膜晶体管TFT'可以布置在缓冲层111上。主薄膜晶体管TFT可以包括第一半导体层A1、第一栅电极G1、第一源电极S1和第一漏电极D1。辅助薄膜晶体管TFT'可以包括第二半导体层A2、第二栅电极G2、第二源电极S2和第二漏电极D2。主薄膜晶体管TFT可以连接到主有机发光二极管OLED以驱动主有机发光二极管OLED。辅助薄膜晶体管TFT'可以连接到辅助有机发光二极管OLED'以驱动辅助有机发光二极管OLED'。
第一半导体层A1和第二半导体层A2可以布置在缓冲层111上，并且可以包括多晶硅。在另一实施例中，第一半导体层A1和第二半导体层A2可以包括非晶硅。在另一实施例中，第一半导体层A1和第二半导体层A2均可以包括选自于由铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、Cr、Ti和锌(Zn)组成的组中的至少一种材料的氧化物。第一半导体层A1和第二半导体层A2均可以包括掺杂有杂质的漏区和源区。
第二半导体层A2可以与底部金属层BML叠置，并且第二缓冲层111b位于第二半导体层A2与底部金属层BML之间。在实施例中，第二半导体层A2的宽度可以小于底部金属层BML的宽度，因此，当在垂直于基底100的方向上投影时，第二半导体层A2可以与底部金属层BML完全叠置。
第一栅极绝缘层112可以设置为覆盖第一半导体层A1和第二半导体层A2。第一栅极绝缘层112可以包括无机绝缘材料，诸如SiOx、SiNx、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnO)。第一栅极绝缘层112可以包括包含前述无机绝缘材料的单层或多层。
第一栅电极G1和第二栅电极G2布置在第一栅极绝缘层112上，以分别与第一半导体层A1和第二半导体层A2叠置。第一栅电极G1和第二栅电极G2均可以包括Mo、Al、Cu、Ti等，并且可以包括单层或多层。作为示例，第一栅电极G1和第二栅电极G2均可以包括单个Mo层。
第二栅极绝缘层113可以设置为覆盖第一栅电极G1和第二栅电极G2。第二栅极绝缘层113可以包括无机绝缘材料，诸如SiOx、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2或ZnO。第二栅极绝缘层113可以包括包含前述无机绝缘材料的单层或多层。
主电容器Cst的第一上电极CE2和辅助电容器Cst'的第二上电极CE2'可以布置在第二栅极绝缘层113上。
在主显示区域MDA中，第一上电极CE2可以与其下的第一栅电极G1叠置。彼此叠置且第二栅极绝缘层113位于其间的第一栅电极G1和第一上电极CE2可以形成主电容器Cst。第一栅电极G1可以是主电容器Cst的第一下电极CE1。
在组件区域CA中，第二上电极CE2'可以与其下的第二栅电极G2叠置。彼此叠置且第二栅极绝缘层113位于其间的第二栅电极G2和第二上电极CE2'可以形成辅助电容器Cst'。第二栅电极G2可以是辅助电容器Cst'的第二下电极CE1'。
第一上电极CE2和第二上电极CE2'均可以包括Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Ca、Mo、Ti、W和/或Cu，并且可以包括前述材料的单层或多层。
层间绝缘层115可以形成为覆盖第一上电极CE2和第二上电极CE2'。层间绝缘层115可以包括SiOx、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2或ZnO。层间绝缘层115可以包括包含前述无机绝缘材料的单层或多层。
当第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113和层间绝缘层115统称为无机绝缘层IIL时，无机绝缘层IIL可以包括与透射区域TA对应的第一孔H1。第一孔H1可以使缓冲层111或基底100的上表面的一部分暴露。第一孔H1可以与形成为与透射区域TA对应的第一栅极绝缘层112的开口、第二栅极绝缘层113的开口和层间绝缘层115的开口叠置。开口可以通过单独的工艺单独形成或者通过同一工艺同时形成。当通过单独的工艺形成开口时，第一孔H1的内表面可能不光滑并且可能具有阶梯状台阶。
替代地，无机绝缘层IIL可以包括凹槽而不是使缓冲层111暴露的第一孔H1。可选择地，无机绝缘层IIL可以不包括与透射区域TA对应的第一孔H1或凹槽。因为无机绝缘层IIL通常包括具有优异的透光率的无机绝缘材料，所以无机绝缘层IIL具有足够的透射率而没有与透射区域TA对应的孔或凹槽，从而使组件40透射/接收足够量的光。
第一源电极S1和第二源电极S2以及第一漏电极D1和第二漏电极D2可以布置在层间绝缘层115上。第一源电极S1和第二源电极S2以及第一漏电极D1和第二漏电极D2均可以包括包含Mo、Al、Cu、Ti等的导电材料，并且可以包括包含上述材料的多层或单层。作为示例，第一源电极S1和第二源电极S2以及第一漏电极D1和第二漏电极D2均可以具有Ti/Al/Ti的多层结构。
平坦化层117可以布置为覆盖第一源电极S1和第二源电极S2以及第一漏电极D1和第二漏电极D2。平坦化层117可以包括平坦的上表面，使得布置在其上的第一像素电极121和第二像素电极121'形成为平坦的。
平坦化层117可以包括有机材料或无机材料，并且可以具有单层或多层结构。平坦化层117可以包括通用聚合物(诸如苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS))、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物或乙烯醇类聚合物。平坦化层117可以包括无机绝缘材料，诸如SiOx、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2或ZnO。当形成平坦化层117时，为了在形成层之后提供平坦的上表面，可以对该层的上表面执行化学机械抛光。
主有机发光二极管OLED和辅助有机发光二极管OLED'布置在平坦化层117上。主有机发光二极管OLED的第一像素电极121和辅助有机发光二极管OLED'的第二像素电极121'可以分别连接到主像素电路PC和辅助像素电路PC'。
平坦化层117可以包括与透射区域TA对应的第二孔H2。第二孔H2可以与第一孔H1叠置。在图9中，示出了第二孔H2形成为大于第一孔H1。在另一实施例中，平坦化层117设置为覆盖无机绝缘层IIL的第一孔H1的边缘，因此，第二孔H2的面积可以形成为小于第一孔H1的面积。
平坦化层117可以包括使主薄膜晶体管TFT的第一源电极S1和第一漏电极D1中的任何一个暴露的通孔，并且第一像素电极121可以通过通孔与第一源电极S1或第一漏电极D1接触，以电连接到主薄膜晶体管TFT。另外，平坦化层117可以包括使辅助薄膜晶体管TFT'的第二源电极S2和第二漏电极D2中的任何一个暴露的通孔，并且第二像素电极121'可以通过通孔与第二源电极S2或第二漏电极D2接触，以电连接到辅助薄膜晶体管TFT'。
第一像素电极121和第二像素电极121'均可以包括导电氧化物，诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)。第一像素电极121和第二像素电极121'均可以包括包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或其混合物的反射层。例如，第一像素电极121和第二像素电极121'均可以具有位于前述反射层上/下的包括ITO、IZO、ZnO或In2O3的层的结构。在这种情况下，第一像素电极121和第二像素电极121'均可以具有ITO/Ag/ITO堆叠在其中的结构。
第一像素限定层119a可以在主显示区域MDA中布置在平坦化层117上，并且第二像素限定层119b可以在组件区域CA中布置在平坦化层117上。第一像素限定层119a可以覆盖第一像素电极121的边缘，并包括使第一像素电极121的一部分暴露的第一开口OP1。第二像素限定层119b可以覆盖第二像素电极121'的边缘，并包括使第二像素电极121'的一部分暴露的第二开口OP2。主有机发光二极管OLED和辅助有机发光二极管OLED'的发射区域的尺寸和形状(即，主子像素Pm和辅助子像素Pa的尺寸和形状)可以通过第一开口OP1和第二开口OP2来限定。
第一像素限定层119a和第二像素限定层119b可以增大第一像素电极121和第二像素电极121'的边缘与位于第一像素电极121和第二像素电极121'上方的对电极123之间的距离，从而防止在第一像素电极121和第二像素电极121'的边缘处发生电弧。第一像素限定层119a和第二像素限定层119b可以包括有机绝缘材料，诸如聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、BCB、HMDSO和酚醛树脂，并且可以通过使用旋涂等形成。在实施例中，第一像素限定层119a可以包括不透明绝缘材料，并且第二像素限定层119b可以包括透明绝缘材料。在另一实施例中，第一像素限定层119a和第二像素限定层119b两者可以包括不透明绝缘材料。包括有机绝缘材料的间隔件可以进一步设置在第一像素限定层119a和第二像素限定层119b中的每个上。
第二像素限定层119b可以包括位于透射区域TA中的第三孔H3。第三孔H3可以与第一孔H1和第二孔H2叠置。透射区域TA中的透光率可以通过第一孔H1至第三孔H3而提高。在图9中，示出了缓冲层111连续地布置以与透射区域TA对应，但是缓冲层111可以包括位于透射区域TA中的孔。稍后将描述的对电极123的一部分可以布置在第一孔H1至第三孔H3的内表面上。
形成为分别与第一像素电极121和第二像素电极121'对应的第一发射层122b和第二发射层122b'布置在第一像素限定层119a的第一开口OP1和第二像素限定层119b的第二开口OP2内部。第一发射层122b和第二发射层122b'均可以包括聚合物材料或低分子量材料，并且发射红光、绿光、蓝光或白光。
有机功能层122e可以布置在第一发射层122b和第二发射层122b'上和/或下。有机功能层122e可以包括第一功能层122a和/或第二功能层122c。可以省略第一功能层122a或第二功能层122c。
第一功能层122a可以位于第一发射层122b和第二发射层122b'下。第一功能层122a可以包括有机材料的单层或多层。第一功能层122a可以包括具有单层结构的空穴传输层(HTL)。可选择地，第一功能层122a可以包括空穴注入层(HIL)和HTL。第一功能层122a可以形成为单体，以与分别包括在主显示区域MDA和组件区域CA中的主有机发光二极管OLED和辅助有机发光二极管OLED'对应。
第二功能层122c可以布置在第一发射层122b和第二发射层122b'上。第二功能层122c可以包括有机材料的单层或多层。第二功能层122c可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。第二功能层122c可以形成为单体，以与分别包括在主显示区域MDA和组件区域CA中的主有机发光二极管OLED和辅助有机发光二极管OLED'对应。
对电极123布置在第二功能层122c上。对电极123可以包括具有低逸出功的导电材料。例如，对电极123可以包括(半)透明层，该(半)透明层包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、锂(Li)、Ca或其合金。可选择地，对电极123还可以包括位于(半)透明层上的诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。对电极123可以形成为单体，以与分别包括在主显示区域MDA和组件区域CA中的主有机发光二极管OLED和辅助有机发光二极管OLED'对应。
形成在主显示区域MDA中的从第一像素电极121到对电极123的层可以形成主有机发光二极管OLED。形成在组件区域CA中的从第二像素电极121'到对电极123的层可以形成辅助有机发光二极管OLED'。
包括有机材料的上层150可以形成在对电极123上。上层150可以保护对电极123并提高光提取效率。上层150可以包括具有比对电极123的折射率高的折射率的有机材料。可选择地，可以通过堆叠具有不同折射率的层来设置上层150。例如，可以通过堆叠高折射率层/低折射率层/高折射率层来设置上层150。在这种情况下，高折射率层的折射率可以为1.7或更大，并且低折射率层的折射率可以为1.3或更小。
上层150可以另外包括氟化锂(LiF)。可选择地，上层150可以另外包括诸如SiOx、SiNx等的无机绝缘材料。
第一功能层122a、第二功能层122c、对电极123和上层150可以包括与透射区域TA对应的贯穿孔TAH。也就是说，第一功能层122a、第二功能层122c、对电极123和上层150均可以具有与透射区域TA对应的开口。开口可以具有基本相同的面积。例如，对电极123的开口的面积可以基本等于贯穿孔TAH的面积。
可以理解的是，与透射区域TA对应的贯穿孔TAH表示贯穿孔TAH与透射区域TA叠置。在这种情况下，贯穿孔TAH的面积可以小于形成在无机绝缘层IIL中的第一孔H1的面积。为此，在图9中，示出了贯穿孔TAH的宽度Wt小于第一孔H1的宽度。这里，贯穿孔TAH的面积可以被定义为在构成贯穿孔TAH的开口之中具有最窄面积的开口的面积。第一孔H1的面积也可以被限定为在构成第一孔H1的开口之中具有最窄面积的开口的面积。
通过贯穿孔TAH，对电极123的一部分可以不位于透射区域TA中，因此，透射区域TA中的透光率可以显著增加。可以通过使用各种方法来形成设置有贯穿孔TAH的对电极123。在实施例中，在形成对电极123的材料形成在基底100的前表面上之后，可以通过激光剥离去除与透射区域TA对应的一部分，从而形成包括贯穿孔TAH的对电极123。在另一实施例中，可以通过使用金属自图案化(MSP)方法来形成包括贯穿孔TAH的对电极123。在另一实施例中，还可以通过使用精细金属掩模(FMM)沉积对电极123来形成包括贯穿孔TAH的对电极123。
组件区域CA中的底部金属层BML可以设置为与整个组件区域CA对应。在这种情况下，底部金属层BML可以包括与透射区域TA叠置的底部孔BMLH。在一些实施例中，透射区域TA的形状和尺寸可以通过底部孔BMLH的形状和尺寸来限定。
图10是根据实施例的显示面板10a的一部分的示意性剖视图。图10可以是图2的主显示区域MDA以及第二组件区域CA2和第三组件区域CA3的示意性剖视图。图11是图10的主显示区域MDA的显示层DISL的示意性平面图。图12是图10的主显示区域MDA的触摸屏层TSL的示意性平面图。
图13A和图13B是图10的主显示区域MDA的光学功能层OFL的示意性平面图。图14是图10的第二组件区域CA2的显示层DISL的示意性平面图。图15是图10的第二组件区域CA2的光学功能层OFL的示意性平面图。
第二组件区域CA2可以是其中入射在第二组件上的第一波段中的光的透射率高的区域，并且第三组件区域CA3可以是其中入射在第三组件上的第二波段中的光的透射率高的区域。例如，照度传感器可以布置在第二组件区域CA2中，并且第二组件区域CA2可以是其中可见光(例如，具有550nm波长的光)的透射率高的区域。接近传感器可以布置在第三组件区域CA3中，并且第三组件区域CA3可以是其中红外光(例如，具有940nm的波长的光)的透射率高的区域。图10示出了第二组件区域CA2和第三组件区域CA3中除了透射区域TA之外的子像素区域ADA。
参照图10，缓冲层111、无机绝缘层IIL和平坦化层117可以顺序地堆叠在基底100上。缓冲层111、无机绝缘层IIL和平坦化层117可以是共同布置在主显示区域MDA以及第二组件区域CA2和第三组件区域CA3的子像素区域ADA中的公共层。如图9中所示，主像素电路PC和辅助像素电路PC'可以位于缓冲层111与平坦化层117之间。主子像素Pm和辅助子像素Pa的显示元件可以布置在平坦化层117上。主子像素Pm和辅助子像素Pa均可以包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。
首先，将描述主显示区域MDA。主子像素Pm的第一像素电极121可以布置在主显示区域MDA中。第一像素电极121可以包括红色子像素的第一像素电极121a、绿色子像素的第一像素电极121b、蓝色子像素的第一像素电极121c。第一像素限定层119a可以覆盖第一像素电极121a、121b和121c的边缘，并且可以位于第一像素电极121a、第一像素电极121b和第一像素电极121c之间。第一像素限定层119a可以包括使第一像素电极121a、121b和121c的一部分暴露的第一开口OP1。如图11中所示，第一开口OP1可以与其中布置有第一发射层122b的发射区域EA对应。第一像素限定层119a可以布置为与发射区域EA之间的非发射区域NEA对应。第一像素限定层119a可以包括不透明绝缘材料。
第一间隔件SPC1可以布置在第一像素限定层119a上。第一间隔件SPC1可以以一定间隔布置在非发射区域NEA中。第一间隔件SPC1均可以包括与第一像素限定层119a的材料不同的材料。例如，第一间隔件SPC1均可以包括透明绝缘材料。
发射区域EA可以包括发射红光的第一发射区域EA1、发射绿光的第二发射区域EA2和发射蓝光的第三发射区域EA3。发射红光的第一发射层122b可以布置在第一发射区域EA1中，发射绿光的第一发射层122b可以布置在第二发射区域EA2中，并且发射蓝光的第一发射层122b可以布置在第三发射区域EA3中。
对电极123可以布置在第一发射层122b上。对电极123可以覆盖第一像素限定层119a和第一间隔件SPC1。尽管图10中未示出，但是如图9中所示，第一功能层122a和/或第二功能层122c可以进一步布置在第一发射层122b上和/或下。
上层150可以布置在对电极123上。薄膜封装层TFEL可以布置在上层150上，并且薄膜封装层TFEL可以包括第一无机封装层161和第二无机封装层163以及位于它们之间的有机封装层162。
触摸屏层TSL可以布置在薄膜封装层TFEL上。如图12中所示，触摸电极TPE可以设置在触摸屏层TSL中。触摸电极TPE可以包括第一触摸电极171和第二触摸电极172。第一触摸电极171可以通过布置在同一层上的第一连接电极171b彼此连接。第二触摸电极172可以通过与第二触摸电极172布置在不同的层上的第二连接电极172b和绝缘层174的接触孔CNT彼此连接。
第一触摸电极171可以具有包括多个孔171H的网状结构(或网格结构)。每个孔171H可以布置为与主子像素Pm的发射区域EA叠置。类似地，第二触摸电极172可以具有包括多个孔172H的网状结构(或网格结构)。每个孔172H可以布置为与主子像素Pm的发射区域EA叠置。孔171H和172H可以具有不同的面积。每条网状线的宽度可以是几微米。
光学功能层OFL可以布置在触摸屏层TSL上。光学功能层OFL可以包括滤色器182、黑矩阵183和外涂层184。如图13A中所示，黑矩阵183可以围绕发射区域EA并且可以定位为与第一像素限定层119a对应。也就是说，黑矩阵183可以包括与每个发射区域EA对应的开口183OP。开口183OP的尺寸可以大于每个发射区域EA的尺寸。黑矩阵183可以覆盖第一触摸电极171和第二触摸电极172。
滤色器182可以包括选择性地仅透射红光的第一滤色器182a、选择性地仅透射绿光的第二滤色器182b和选择性地仅透射蓝光的第三滤色器182c。第一滤色器182a可以布置为与第一发射区域EA1对应，第二滤色器182b可以布置为与第二发射区域EA2对应，并且第三滤色器182c可以布置为与第三发射区域EA3对应。第一滤色器182a、第二滤色器182b和第三滤色器182c可以彼此相邻地布置。在实施例中，第一滤色器182a、第二滤色器182b和第三滤色器182c的边缘可以与分别同其相邻的第一滤色器182a、第二滤色器182b和第三滤色器182c的边缘叠置。第一滤色器182a、第二滤色器182b和第三滤色器182c中的每个的边缘可以与黑矩阵183部分地叠置。第一滤色器182a、第二滤色器182b和第三滤色器182c均可以具有独立的图案结构。第一滤色器182a、第二滤色器182b和第三滤色器182c均可以与第一像素限定层119a部分地叠置。
接下来，将描述第二组件区域CA2。辅助子像素Pa的第二像素电极121'可以布置在第二组件区域CA2中。第二像素电极121'可以包括红色子像素的第二像素电极121a'、绿色子像素的第二像素电极121b'、蓝色子像素的第二像素电极121c'。第二像素限定层119b可以覆盖第二像素电极121a'、121b'和121c'的边缘，并且可以位于第二像素电极121a'、第二像素电极121b'和第二像素电极121c'之间。第二像素限定层119b可以包括使第二像素电极121a'、121b'和121c'的一部分暴露的第二开口OP2。如图14中所示，第二开口OP2可以与其中布置有第二发射层122b'的发射区域EA对应。第二像素限定层119b可以布置为与发射区域EA之间的非发射区域NEA对应。第二像素限定层119b可以包括与第一像素限定层119a的材料不同的材料。在实施例中，第二像素限定层119b可以包括与第一间隔件SPC1的材料相同的材料。
第二间隔件SPC2可以以一定间隔布置在非发射区域NEA中。第二间隔件SPC2均可以布置在对应的绝缘图案BP上。绝缘图案BP可以以一定间隔布置在非发射区域NEA中。绝缘图案BP可以布置在平坦化层117上，并且第二间隔件SPC2可以是第二像素限定层119b的覆盖绝缘图案BP的上部的部分。也就是说，每个第二间隔件SPC2可以覆盖每个绝缘图案BP。绝缘图案BP可以包括与第一像素限定层119a的材料相同的材料。
发射区域EA可以包括发射红光的第一发射区域EA1、发射绿光的第二发射区域EA2和发射蓝光的第三发射区域EA3。发射红光的第二发射层122b'可以布置在第一发射区域EA1中，发射绿光的第二发射层122b'可以布置在第二发射区域EA2中，并且发射蓝光的第二发射层122b'可以布置在第三发射区域EA3中。
对电极123可以布置在第二发射层122b'上。对电极123可以覆盖第二像素限定层119b和第二间隔件SPC2。尽管图10中未示出，但是如图9中所示，第一功能层122a和/或第二功能层122c可以进一步布置在第二发射层122b'上和/或下。
上层150可以布置在对电极123上。薄膜封装层TFEL可以布置在上层150上。如图12中所示，触摸屏层TSL可以布置在薄膜封装层TFEL上。光学功能层OFL可以布置在触摸屏层TSL上。
光学功能层OFL可以包括滤色器182和外涂层184。如图10中所示，黑矩阵183可以不布置在第二组件区域CA2中。如图15中所示，第一滤色器182a可以布置为与第一发射区域EA1对应，第二滤色器182b可以布置为与第二发射区域EA2对应，并且第三滤色器182c可以布置为与第三发射区域EA3对应。第一滤色器182a、第二滤色器182b和第三滤色器182c可以彼此相邻地布置。在实施例中，第一滤色器182a、第二滤色器182b和第三滤色器182c的边缘可以分别与相邻的第一滤色器182a、第二滤色器182b和第三滤色器182c的边缘叠置。第一滤色器182a、第二滤色器182b和第三滤色器182c均可以具有独立的图案结构。第一滤色器182a、第二滤色器182b和第三滤色器182c均可以与第二像素限定层119b部分地叠置。
接下来，将描述第三组件区域CA3。辅助子像素Pa的第二像素电极121'可以布置在第三组件区域CA3中。第二像素电极121'可以包括红色子像素的第二像素电极121a'、绿色子像素的第二像素电极121b'、蓝色子像素的第二像素电极121c'。第三像素限定层119c可以覆盖第二像素电极121a'、121b'和121c'的边缘，并且可以位于第二像素电极121a'、第二像素电极121b'和第二像素电极121c'之间。第三像素限定层119c可以包括使第二像素电极121a'、121b'和121c'的一部分暴露的第二开口OP2。第三间隔件SPC3可以布置在第三像素限定层119c上。第三像素限定层119c可以包括与第一像素限定层119a的材料相同的材料。第三间隔件SPC3可以包括与第一间隔件SPC1的材料相同的材料。
第三组件区域CA3中的第三像素限定层119c和第三间隔件SPC3的布置可以与图11中所示的主显示区域MDA中的第一像素限定层119a和第一间隔件SPC1的布置相同。布置在第三组件区域CA3中的光学功能层OFL与图15中所示的布置在第二组件区域CA2中的光学功能层OFL相同。
图16A至图16D是根据图10中所示的显示面板10a的制造工艺的显示面板10a的剖视图。在下文中，将省略与参照图10至图15描述的详细描述相同的详细描述。
参照图16A，可以在基底100上顺序地堆叠缓冲层111、无机绝缘层IIL和平坦化层117。如图9中所示，主像素电路PC和辅助像素电路PC'可以位于缓冲层111与平坦化层117之间。
在平坦化层117上形成导电材料层，然后将其图案化，因此，可以在主显示区域MDA中形成主子像素Pm的第一像素电极121a、121b和121c，并且可以在第二组件区域CA2和第三组件区域CA3中的每个中形成辅助子像素的第二像素电极121a'、121b'和121c'。
可以在主显示区域MDA、第二组件区域CA2和第三组件区域CA3中形成第一绝缘层，并且可以通过使用掩模使第一绝缘层曝光。第一绝缘层可以包括负性光敏材料。可以使曝光的第一绝缘层显影，从而在主显示区域MDA中形成第一像素限定层119a，在第二组件区域CA2中形成绝缘图案BP，并且在第三组件区域CA3中形成第三像素限定层119c。
第一绝缘层可以包括不透明材料。第一绝缘层可以包括着色材料。例如，由第一绝缘层形成的第一像素限定层119a、绝缘图案BP和第三像素限定层119c可以包括着色颜料，例如白色、黑色或其它着色颜料。在实施例中，第一绝缘层可以包括黑色颜料。例如，第一像素限定层119a、绝缘图案BP和第三像素限定层119c可以包括聚酰亚胺(PI)类粘合剂以及其中混合有红色、绿色和蓝色颜料的颜料。可选择地，第一像素限定层119a、绝缘图案BP和第三像素限定层119c可以包括cardo类粘合剂树脂以及内酰胺类黑色颜料和蓝色颜料的混合物。可选择地，第一像素限定层119a、绝缘图案BP和第三像素限定层119c可以包括炭黑。
第一像素限定层119a可以包括使第一像素电极121a、121b和121c的一部分暴露的第一开口OP1，并且可以通过与第一像素电极121a、121b和121c的边缘叠置来直接覆盖第一像素电极121a、121b和121c。第三像素限定层119c可以包括使第二像素电极121a'、121b'和121c'的一部分暴露的第二开口OP2，并且可以通过与第三组件区域CA3中的第二像素电极121a'、121b'和121c'的边缘叠置来直接覆盖第二像素电极121a'、121b'和121c'。绝缘图案BP可以位于第二组件区域CA2中的第二像素电极121a'、121b'和121c'之间。
参照图16B，可以在第一像素限定层119a、绝缘图案BP和第三像素限定层119c上形成第二绝缘层，并且可以通过使用掩模来使第二绝缘层曝光。第二绝缘层可以包括正性光敏材料。可以使曝光的第二绝缘层显影，从而在主显示区域MDA中形成第一间隔件SPC1，在第二组件区域CA2中形成第二像素限定层119b和第二间隔件SPC2，并且在第三组件区域CA3中形成第三间隔件SPC3。
第一间隔件SPC1可以位于第一像素限定层119a上，并且第三间隔件SPC3可以位于第三像素限定层119c上。
第二像素限定层119b可以包括使第二像素电极121a'、121b'和121c'的一部分暴露的第二开口OP2，并且可以通过与第二组件区域CA2中的第二像素电极121a'、121b'和121c'的边缘叠置来直接覆盖第二像素电极121a'、121b'和121c'。第二像素限定层119b可以覆盖绝缘图案BP，并且通过绝缘图案BP而具有具备部分不同的高度的台阶。第二像素限定层119b的高度相对高的部分(即，布置在绝缘图案BP上的一部分)可以用作第二间隔件SPC2。
通过在稍后将描述的形成第一发射层122b和第二发射层122b'的工艺中使用的掩模，第一间隔件SPC1、第二间隔件SPC2和第三间隔件SPC3可以防止对布置在掩模下的层(例如，第一像素电极121和第二像素电极121'等)的损坏。
第二绝缘层可以包括与第一绝缘层的材料不同的材料。第二绝缘层可以包括透明绝缘材料。例如，由第二绝缘层形成的第二像素限定层119b、第一间隔件SPC1、第二间隔件SPC2和第三间隔件SPC3可以包括聚酰亚胺类树脂，例如，光敏聚酰亚胺类树脂。
接下来，如图16C中所示，可以在第一像素限定层119a的第一开口OP1以及第二像素限定层119b和第三像素限定层119c的第二开口OP2中形成第一发射层122b和第二发射层122b'，并且可以在第一发射层122b和第二发射层122b'上形成对电极123。
如图9中所示，可以在第一发射层122b和第二发射层122b'上和/或下进一步布置第一功能层122a和/或第二功能层122c。第一发射层122b和第二发射层122b'可以形成为分别仅与第一像素电极121a、121b和121c以及第二像素电极121a'、121b'和121c'叠置。第一功能层122a和第二功能层122c以及对电极123可以形成为完全覆盖基底100。第一功能层122a和第二功能层122c以及对电极123可以不设置在第二组件区域CA2和第三组件区域CA3的透射区域TA中。
可以在对电极123上形成上层150，并且可以在上层150上顺序地形成薄膜封装层TFEL和触摸屏层TSL。
薄膜封装层TFEL可以包括第一无机封装层161和第二无机封装层163以及位于它们之间的有机封装层162。第一无机封装层161和第二无机封装层163可以包括一种或多种无机绝缘材料，诸如氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等。有机封装层162可以包括聚合物类材料。聚合物类材料的示例可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺、聚乙烯等。
如图10中所示，触摸屏层TSL可以包括第一触摸电极171和第二触摸电极172、第一连接电极171b和第二连接电极172b以及绝缘层174。
可以在触摸屏层TSL上形成黑矩阵183。黑矩阵183可以形成在主显示区域MDA中，并且可以布置为与第一像素限定层119a叠置。
参照图16D，可以在触摸屏层TSL上形成滤色器182和外涂层184。第一滤色器182a、第二滤色器182b和第三滤色器182c可以布置为分别与第一像素限定层119a的第一开口OP1和第二像素限定层119b和第三像素限定层119c的第二开口OP2叠置。
图17A是根据实施例的显示面板10b的一部分的示意性剖视图。图17B是图17A的第二组件区域CA2和第三组件区域CA3的光学功能层OFL的示意性平面图。
图17A中所示的显示面板10b可以具有与图10中所示的显示面板10a的第二组件区域CA2和第三组件区域CA3的光学功能层OFL不同的第二组件区域CA2和第三组件区域CA3的光学功能层OFL，并且其它元件与图10中所示的显示面板10a的元件相同。
参照图17A和图17B，第二组件区域CA2和第三组件区域CA3的光学功能层OFL可以包括滤色器182。滤色器182可以包括第一滤色器182a、第二滤色器182b'和第三滤色器182c。第一滤色器182a和第三滤色器182c可以具有独立的图案结构，并且第二滤色器182b'可以具有网格结构。第一滤色器182a、第二滤色器182b'和第三滤色器182c均可以与第二像素限定层119b和第三像素限定层119c部分地叠置。在这种情况下，其中第二滤色器182b'与第二像素限定层119b和第三像素限定层119c叠置的区域可以大于其中第一滤色器182a和第三滤色器182c中的每个与第二像素限定层119b和第三像素限定层119c叠置的区域。
图18A和图18B是根据实施例的第二间隔件SPC2的剖视图。
在实施例中，如图18A中所示，第二像素限定层119b可以覆盖绝缘图案BP并且可以形成在绝缘图案BP上。第二像素限定层119b可以通过绝缘图案BP而具有具备不同高度的台阶，并且第二像素限定层119b的位于绝缘图案BP上的一部分可以用作第二间隔件SPC2。
在另一实施例中，如图18B中所示，可以对绝缘图案BP上的第二像素限定层119b进行图案化，从而在绝缘图案BP上形成第二间隔件SPC2。因此，第二间隔件SPC2可以与第二像素限定层119b分离并且以独立图案形成。第二像素限定层119b还可以包括围绕绝缘图案BP的开口，因此围绕绝缘图案BP的狭缝SLIT可以形成在第二像素限定层119b与绝缘图案BP之间。平坦化层117的上表面可以通过狭缝SLIT而暴露。在图18B中所示的实施例中由绝缘图案BP和第二间隔件SPC2形成的台阶大于在图18A中所示的实施例中由绝缘图案BP和第二像素限定层119b形成的台阶，因此，图18B中所示的实施例对于后续工艺可以更有利。
图19A和图19B分别是位于主显示区域MDA与第二组件区域CA2之间的边界处的像素限定层的布置的平面图和剖视图。图19B是沿着图19A的线II-II'截取的剖视图。
一起参照图19A和图19B，如区域A中所示，布置在第二组件区域CA2中的第二像素限定层119b的边缘可以与布置在主显示区域MDA中的第一像素限定层119a的边缘叠置并接触第一像素限定层119a的边缘。
图20是根据实施例的显示面板10c的一部分的示意性平面图。图21是图20的第二组件区域CA2的显示层DISL的示意性平面图。
图20中所示的显示面板10c可以具有与图10中所示的显示面板10a的第二组件区域CA2的显示层DISL不同的第二组件区域CA2的显示层DISL，并且其它元件与图10中所示的显示面板10a的元件相同。
覆盖第一像素电极121a、121b和121c的边缘的第一像素限定层119a可以布置在主显示区域MDA中，并且第一间隔件SPC1可以布置在第一像素限定层119a上。
覆盖第二像素电极121a'、121b'和121c'的边缘的第三像素限定层119c可以布置在第三组件区域CA3中，并且第三间隔件SPC3可以布置在第三像素限定层119c上。
如图20和图21中所示，覆盖第二像素电极121a'、121b'和121c'的边缘的第二像素限定层119b可以布置在第二组件区域CA2中。第二像素限定层119b可以具有具备部分不同的高度的台阶。第二像素限定层119b的高度相对高的突出部分可以用作第二间隔件SPC2。第二像素限定层119b和第二间隔件SPC2可以形成为单体。
第一像素限定层119a和第三像素限定层119c可以分别在主显示区域MDA和第三组件区域CA3中由包括不透明材料的第一绝缘层形成。在这种情况下，与图16A不同，绝缘图案BP不形成在第二组件区域CA2中。
接下来，第一间隔件SPC1和第三间隔件SPC3可以由包括透明材料的第二绝缘层分别形成在主显示区域MDA和第三组件区域CA3中，并且第二像素限定层119b和第二间隔件SPC2可以形成在第二组件区域CA2中。与图16B不同，具有不同高度的第二像素限定层119b和第二间隔件SPC2可以通过使用对于每个区域具有不同透射率的掩模(诸如半色调掩模)的曝光和显影工艺由第二绝缘层形成在第二组件区域CA2中。在本说明书中，高度指距基底100的上表面的高度。第二间隔件SPC2距基底100的高度可以高于第二像素限定层119b距基底100的高度。
图22是根据实施例的显示面板10d的一部分的示意性剖视图。图23是图22的第二组件区域CA2的显示层DISL的示意性平面图。
图22中所示的显示面板10d可以具有与图10中所示的显示面板10a的第二组件区域CA2的显示层DISL不同的第二组件区域CA2的显示层DISL，并且其它元件与图10中所示的显示面板10a的元件相同。
覆盖第一像素电极121a、121b和121c的边缘的第一像素限定层119a可以布置在主显示区域MDA中，并且第一间隔件SPC1可以布置在第一像素限定层119a上。
覆盖第二像素电极121a'、121b'和121c'的边缘的第三像素限定层119c可以布置在第三组件区域CA3中，并且第三间隔件SPC3可以布置在第三像素限定层119c上。
覆盖第二像素电极121a'、121b'和121c'的边缘的第二像素限定层119b'可以布置在第二组件区域CA2中。如图23中所示，第二像素限定层119b'可以包括围绕第二像素电极121a'、121b'和121c'的边缘的第一绝缘图案。第二绝缘图案BP可以进一步布置在第二组件区域CA2中的第二像素电极121a'、121b'和121c'之间。第二绝缘图案BP可以位于第一绝缘图案之间，并且可以与第一绝缘图案间隔开。对应的第二间隔件SPC2可以布置在每个第二绝缘图案BP上。
第一像素限定层119a、第二像素限定层119b'、第二绝缘图案BP和第三像素限定层119c可以分别在主显示区域MDA、第二组件区域CA2和第三组件区域CA3中由包括不透明材料的第一绝缘层形成。
接下来，第一间隔件SPC1和第三间隔件SPC3可以由包括透明材料的第二绝缘层分别形成在主显示区域MDA和第三组件区域CA3中，并且第二间隔件SPC2可以形成在第二组件区域CA2中。
在本实施例中，由于在第二组件区域CA2中由第二像素限定层119b'占据的区域限于第二像素电极121'附近，因此即使第二像素限定层119b'包括不透明绝缘材料，也可以确保第二组件区域CA2的透光率。
图24是根据实施例的显示面板10e的一部分的示意性剖视图。图25是图24的主显示区域MDA的显示层DISL的示意性平面图。
参照图24和图25，主显示区域MDA中的第一像素限定层119a'可以包括围绕第一像素电极121a、121b和121c的边缘的第三绝缘图案。类似地，第二组件区域CA2的第二像素限定层119b'和第三组件区域CA3的第三像素限定层119c'可以包括围绕第二像素电极121a'、121b'和121c'的边缘的第一绝缘图案。
第四绝缘图案BP可以位于主显示区域MDA中的第三绝缘图案之间，第四绝缘图案BP与第三绝缘图案间隔开。第二绝缘图案BP可以位于第二组件区域CA2和第三组件区域CA3中的第一绝缘图案之间，第二绝缘图案BP与第一绝缘图案间隔开。对应的第一间隔件SPC1可以布置在每个第四绝缘图案BP上，并且对应的第二间隔件SPC2和第三间隔件SPC3可以布置在每个第二绝缘图案BP上。
第一像素限定层119a'、第二像素限定层119b'、第三像素限定层119c'以及第二绝缘图案BP和第四绝缘图案BP均可以包括不透明材料。第一间隔件SPC1、第二间隔件SPC2和第三间隔件SPC3可以包括透明材料。
图26是根据实施例的显示面板10f的一部分的示意性剖视图。图27A是图26的主显示区域MDA的显示层DISL的示意性平面图。图27B是图26的第二组件区域CA2的显示层DISL的示意性平面图。
参照图26和图27A，主显示区域MDA中的第一像素限定层119a可以覆盖第一像素电极121a、121b和121c的边缘，并且可以具有具备部分不同的高度的台阶。第一像素限定层119a的高度相对高的突出部分可以用作第一间隔件SPC1。第一像素限定层119a和第一间隔件SPC1可以形成为单体。
类似地，第三组件区域CA3中的第三像素限定层119c可以覆盖第二像素电极121a'、121b'和121c'的边缘，并且可以具有具备部分不同的高度的台阶。第三像素限定层119c的高度相对高的突出部分可以用作第三间隔件SPC3。第三像素限定层119c和第三间隔件SPC3可以形成为单体。
参照图26和图27B，第二组件区域CA2中的第二像素限定层119b'可以包括围绕第二像素电极121a'、121b'和121c'的边缘的第一绝缘图案。第二间隔件SPC2可以位于第一绝缘图案之间，第二间隔件SPC2与第一绝缘图案间隔开。第二间隔件SPC2可以具有具备不同高度的台阶。从基底100到第二间隔件SPC2的突出部分的上表面的相对高的高度可以高于从基底100到第二像素限定层119b'的上表面的高度。
第一像素限定层119a、第二像素限定层119b'、第三像素限定层119c、第一间隔件SPC1、第二间隔件SPC2和第三间隔件SPC3均可以包括不透明材料。
图28是根据实施例的显示面板10g的一部分的示意性剖视图。图29是图28的主显示区域MDA的显示层DISL的示意性平面图。
参照图28和图29，主显示区域MDA中的第一像素限定层119a'可以包括围绕第一像素电极121a、121b和121c的边缘的第三绝缘图案。类似地，第二组件区域CA2的第二像素限定层119b'和第三组件区域CA3的第三像素限定层119c'可以包括围绕第二像素电极121a'、121b'和121c'的边缘的第一绝缘图案。
第一间隔件SPC1可以位于主显示区域MDA中的第三绝缘图案之间，第一间隔件SPC1与第一绝缘图案间隔开。第二间隔件SPC2和第三间隔件SPC3可以分别位于第二组件区域CA2和第三组件区域CA3中的第一绝缘图案之间，第二间隔件SPC2和第三间隔件SPC3与第一绝缘图案间隔开。第一间隔件SPC1、第二间隔件SPC2和第三间隔件SPC3可以具有具备不同高度的台阶。从基底100到第一间隔件至第三间隔件SPC1、SPC2和SPC3的突出部分的上表面的高度可以高于从基底100到第一像素限定层至第三像素限定层119a'、119b'和119c'的上表面的高度。
第一像素限定层119a'、第二像素限定层119b'、第三像素限定层119c'、第一间隔件SPC1、第二间隔件SPC2和第三间隔件SPC3均可以包括不透明材料。
图30A和图30B是在图26和图28中所示的显示面板10f和10g中形成第一绝缘图案和间隔件的方法的示例性视图。
在实施例中，如图30A中所示，可以通过使用包括遮光部分Ma、透射部分Mb和半透射部分Mc的半色调掩模M1的曝光和显影工艺由包括负性光敏材料的绝缘层来形成对于每个部分具有不同高度的绝缘层。例如，透射部分Mb可以被定位为与第二像素限定层119b'对应，并且透射部分Mb和半透射部分Mc可以被定位为与具有台阶的第二间隔件SPC2对应。
在另一实施例中，如图30B中所示，在使用包括遮光部分Ma和透射部分Mb的全色调掩模M2的曝光和显影工艺中，可以通过包括负性光敏材料的绝缘层来形成根据宽度对于每个部分具有不同高度的绝缘层。例如，第二间隔件SPC2的第二宽度LW2可以大于第二像素限定层119b'的第一宽度LW1，因此，第二间隔件SPC2的高度H2可以形成为大于第二像素限定层119b'的高度H1。
根据一个或更多个实施例，在包括主显示区域MDA和组件区域CA的显示装置中，使用包括滤色器和黑矩阵的光学功能层以及不透明像素限定层，因此，与使用偏振板的显示装置相比，显示装置的厚度可以变窄，并且可以减少外部光的反射。另外，根据一个或更多个实施例，在组件区域CA中，使用没有黑矩阵的光学功能层以及具有最小面积的透明像素限定层或不透明像素限定层，因此，可以使由于黑矩阵和不透明像素限定层而导致的组件区域CA中的透光率(特别是可见光的透射率)的劣化最小化，从而使组件的功能最大化。另外，可以在组件区域CA中实现图像而不改变图像质量。
在前述实施例中，作为示例已经描述了其中布置有可见光入射到其的照度传感器的组件区域和其中布置有红外光入射到其的接近传感器的组件区域，但是也可以类似地应用其中布置有可见光和/或红外光入射到其的相机的组件区域。
如上所述，在根据给出的实施例的显示面板和显示装置中，使用滤色器从而防止外部光的反射并使显示装置的厚度最小化。其中布置有组件的组件区域中的像素限定层和间隔件与主显示区域中的像素限定层和间隔件不同地构造，从而确保组件区域中的透射率。然而，实施例的范围不限于上述效果。
尽管这里已经描述了某些示例性实施例和实施方式，但是根据该描述，其它实施例和修改将是明显的。因此，发明构思不限于这样的实施例，而是限于所附权利要求和如对于本领域普通技术人员而言明显的各种明显的修改和等同布置的更宽范围。

Claims (24)

1.一种显示装置，所述显示装置包括其中布置有主显示元件的主显示区域以及其中布置有辅助显示元件和透射区域的组件区域，所述显示装置包括：
第一像素限定层，布置在所述主显示区域中，所述第一像素限定层设置在所述主显示元件的第一像素电极之间；
第二像素限定层，布置在所述组件区域中，所述第二像素限定层设置在所述辅助显示元件的第二像素电极之间；
黑矩阵，布置在所述主显示元件上，所述黑矩阵设置在所述主显示元件的发射区域周围；以及
滤色器，布置在所述主显示元件和所述辅助显示元件上，所述滤色器分别与所述主显示元件的所述发射区域和所述辅助显示元件的发射区域对应。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一像素限定层包括不透明材料，并且
所述第二像素限定层包括透明材料。
3.根据权利要求2所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第一间隔件，设置在所述第一像素限定层上；
绝缘图案，布置在所述组件区域中；以及
第二间隔件，设置在所述绝缘图案上。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述第二像素限定层覆盖所述绝缘图案，并且
所述第二间隔件是所述第二像素限定层的布置在所述绝缘图案上的一部分。
5.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述第二像素限定层设置为与所述绝缘图案隔开，并且
狭缝在所述第二像素限定层与所述绝缘图案之间围绕所述绝缘图案。
6.根据权利要求2所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第一间隔件，设置在所述第一像素限定层上；以及
第二间隔件，作为所述第二像素限定层的一部分，所述第二间隔件是从所述第二像素限定层突出的一部分。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一像素限定层和所述第二像素限定层中的每个包括不透明材料。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述第二像素限定层包括围绕所述第二像素电极的边缘的第一绝缘图案。
9.根据权利要求8所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第一间隔件，设置在所述第一像素限定层上；
第二绝缘图案，设置在所述第一绝缘图案之间，所述第二绝缘图案设置为与所述第一绝缘图案隔开；以及
第二间隔件，设置在所述第二绝缘图案上。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述第二绝缘图案包括不透明材料，并且
所述第一间隔件和所述第二间隔件中的每个包括透明材料。
11.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述第一像素限定层包括围绕所述第一像素电极的边缘的第三绝缘图案。
12.根据权利要求11所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第四绝缘图案，设置在所述第三绝缘图案之间，所述第四绝缘图案设置为与所述第三绝缘图案隔开；
第一间隔件，设置在所述第四绝缘图案上；
第二绝缘图案，设置在所述第一绝缘图案之间，所述第二绝缘图案设置为与所述第一绝缘图案隔开；以及
第二间隔件，设置在所述第二绝缘图案上。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述第二绝缘图案和所述第四绝缘图案中的每个包括不透明材料，并且
所述第一间隔件和所述第二间隔件中的每个包括透明材料。
14.根据权利要求8所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第一间隔件，作为所述第一像素限定层的一部分，所述第一间隔件是从所述第一像素限定层突出的一部分；以及
第二间隔件，设置在所述第一绝缘图案之间，所述第二间隔件设置为与所述第一绝缘图案隔开并且包括具有不同高度的部分。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述第二间隔件包括不透明材料。
16.根据权利要求11所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第一间隔件，设置在所述第三绝缘图案之间，所述第一间隔件设置为与所述第三绝缘图案隔开并且包括具有不同高度的部分；以及
第二间隔件，设置在所述第一绝缘图案之间，所述第二间隔件设置为与所述第一绝缘图案隔开并且包括具有不同高度的部分。
17.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述第一间隔件和所述第二间隔件中的每个包括不透明材料。
18.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述组件区域中的所述第二像素限定层的边缘与所述主显示区域中的所述第一像素限定层的边缘叠置。
19.一种显示装置，所述显示装置包括其中布置有主显示元件的主显示区域以及其中布置有辅助显示元件和透射区域的组件区域，所述显示装置包括：
第一像素限定层，布置在所述主显示区域中并且覆盖所述主显示元件的第一像素电极的边缘；
第一间隔件，设置在所述主显示元件的所述第一像素电极之间；
第二像素限定层，布置在所述组件区域中并且覆盖所述辅助显示元件的第二像素电极的边缘；以及
第二间隔件，设置在所述辅助显示元件的所述第二像素电极之间。
20.根据权利要求19所述的显示装置，其中，所述第二间隔件在所述辅助显示元件的所述第二像素电极之间布置在绝缘图案上。
21.根据权利要求19所述的显示装置，其中，所述第二像素限定层包括围绕所述第二像素电极的所述边缘的绝缘图案。
22.根据权利要求21所述的显示装置，其中，所述第二间隔件设置在所述绝缘图案之间并且包括具有不同高度的部分。
23.根据权利要求19所述的显示装置，其中，所述第二间隔件是所述第二像素限定层的一部分，所述第二间隔件是从所述第二像素限定层突出的一部分。
24.根据权利要求19所述的显示装置，所述显示装置还包括：
薄膜封装层，布置在所述主显示元件和所述辅助显示元件上；
黑矩阵，布置在所述薄膜封装层上，所述黑矩阵设置在所述主显示元件的发射区域周围；以及
滤色器，布置在所述薄膜封装层上，所述滤色器分别与所述主显示元件的所述发射区域和所述辅助显示元件的发射区域对应。
CN202110275266.7A 2020-06-01 2021-03-15 显示装置 Pending CN113764465A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2020-0066018 2020-06-01
KR1020200066018A KR20210149280A (ko) 2020-06-01 2020-06-01 표시장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN113764465A true CN113764465A (zh) 2021-12-07

Family

ID=74186508

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110275266.7A Pending CN113764465A (zh) 2020-06-01 2021-03-15 显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11849605B2 (zh)
KR (1) KR20210149280A (zh)
CN (1) CN113764465A (zh)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016219125A (ja) * 2015-05-15 2016-12-22 ソニー株式会社 発光素子及び表示装置
JP7507036B2 (ja) * 2020-08-17 2024-06-27 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR20220070135A (ko) * 2020-11-20 2022-05-30 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20220072107A (ko) * 2020-11-24 2022-06-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조방법
WO2022123431A1 (en) 2020-12-07 2022-06-16 Oti Lumionics Inc. Patterning a conductive deposited layer using a nucleation inhibiting coating and an underlying metallic coating
KR20220090190A (ko) * 2020-12-22 2022-06-29 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
CN114267807B (zh) * 2021-12-15 2023-08-22 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板
KR20240010614A (ko) * 2022-07-14 2024-01-24 삼성디스플레이 주식회사 전자 장치
KR20240033773A (ko) 2022-09-05 2024-03-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011132215A1 (ja) 2010-04-19 2011-10-27 パナソニック株式会社 有機ｅｌ表示パネルおよびそれを備えた有機ｅｌ表示装置並びに有機ｅｌ表示パネルの製造方法
KR20160054125A (ko) * 2014-11-05 2016-05-16 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 그에 포함되는 박막트랜지스터 어레이 기판
US9989806B2 (en) 2015-09-10 2018-06-05 Samsung Display Co., Ltd. Color conversion panel and display device including the same
KR102527215B1 (ko) 2015-09-10 2023-05-02 삼성디스플레이 주식회사 색변환 패널 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102568924B1 (ko) 2016-06-14 2023-08-22 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이를 포함하는 룸미러 모듈
KR102703676B1 (ko) 2016-07-26 2024-09-04 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
US10020351B2 (en) * 2016-06-24 2018-07-10 Lg Display Co., Ltd. Electroluminescence display device
KR102478474B1 (ko) 2018-01-08 2022-12-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102664717B1 (ko) 2018-04-13 2024-05-10 삼성전자 주식회사 표시 영역에 의해 둘러싸인 홀 영역을 우회하는 복수의 배선들을 포함하는 디스플레이 및 이를 포함하는 전자 장치
KR102655476B1 (ko) 2018-05-03 2024-04-08 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR102687203B1 (ko) * 2018-10-01 2024-07-19 엘지디스플레이 주식회사 수광화소영역을 포함하는 표시장치
KR20210028296A (ko) 2019-09-03 2021-03-12 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210085902A (ko) * 2019-12-31 2021-07-08 엘지디스플레이 주식회사 표시장치

Also Published As

Publication number Publication date
US20210376007A1 (en) 2021-12-02
US11849605B2 (en) 2023-12-19
EP3920228A1 (en) 2021-12-08
KR20210149280A (ko) 2021-12-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11849605B2 (en) Display device having pixel-defining layers
EP3822959A2 (en) Display apparatus
EP3836220A1 (en) Display apparatus
US20240107839A1 (en) Display panel and display apparatus including the same
KR20210094189A (ko) 디스플레이 패널 및 이를 구비하는 디스플레이 장치
US20220045160A1 (en) Display panel and display apparatus including the same
CN114068631A (zh) 显示面板和包括该显示面板的显示设备
CN113644094A (zh) 显示面板和显示设备
CN114300509A (zh) 显示面板和显示设备
CN113764484A (zh) 显示设备和电子设备
CN114078926A (zh) 显示面板及包括其的显示设备
KR20220063793A (ko) 표시패널 및 이를 구비하는 표시장치
CN114156308A (zh) 显示面板及包括显示面板的显示设备
US12022696B2 (en) Display device
CN113690275A (zh) 显示设备及其制造方法
CN113257856A (zh) 显示装置及其制造方法
US20220208866A1 (en) Display panel and display apparatus including the same
US20220285468A1 (en) Display panel and display apparatus including the same
KR20230139955A (ko) 표시 패널 및 전자 기기, 표시 패널의 제조방법
CN114975530A (zh) 显示面板
EP3920228B1 (en) Display device
CN114464650A (zh) 显示设备
US20240357866A1 (en) Display panel and display apparatus including the same
CN114256308A (zh) 显示面板和包括该显示面板的显示设备
KR20220125902A (ko) 디스플레이 장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination