CN113697864B - 一种四氧化三钴的制备方法 - Google Patents
一种四氧化三钴的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113697864B CN113697864B CN202010436006.9A CN202010436006A CN113697864B CN 113697864 B CN113697864 B CN 113697864B CN 202010436006 A CN202010436006 A CN 202010436006A CN 113697864 B CN113697864 B CN 113697864B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- heat treatment
- cobaltosic oxide
- gas
- reactor
- atmosphere
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G51/00—Compounds of cobalt
- C01G51/04—Oxides; Hydroxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B7/00—Halogens; Halogen acids
- C01B7/01—Chlorine; Hydrogen chloride
- C01B7/03—Preparation from chlorides
- C01B7/035—Preparation of hydrogen chloride from chlorides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/70—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
- C01P2002/72—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data by d-values or two theta-values, e.g. as X-ray diagram
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/01—Particle morphology depicted by an image
- C01P2004/03—Particle morphology depicted by an image obtained by SEM
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/30—Particle morphology extending in three dimensions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/60—Particles characterised by their size
- C01P2004/61—Micrometer sized, i.e. from 1-100 micrometer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/60—Particles characterised by their size
- C01P2004/62—Submicrometer sized, i.e. from 0.1-1 micrometer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/11—Powder tap density
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2111/00—Mortars, concrete or artificial stone or mixtures to prepare them, characterised by specific function, property or use
- C04B2111/00474—Uses not provided for elsewhere in C04B2111/00
- C04B2111/00637—Uses not provided for elsewhere in C04B2111/00 as glue or binder for uniting building or structural materials
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/10—Energy storage using batteries
Abstract
本发明涉及一种高结晶度窄粒级四氧化三钴的制备方法,属于有色金属材料制备领域。该方法以氯化钴为原料,在450‑800℃条件下,通过反应气氛调控,可制备出高结晶度窄粒级高振实密度四氧化三钴产品。本发明具有工艺简单、成本低、绿色低碳、所得四氧化三钴产品品质高等优点,具有较好的产业化应用前景。
Description
技术领域
本发明涉及一种四氧化三钴的制备方法,属于新材料制备领域。
技术背景
Co3O4是一种典型的P型半导体材料,禁带宽度为1.5eV,具有尖晶石结构。作为一种过渡族金属氧化物,Co3O4化学性能稳定,理论比容量高达890m Ah/g,体积比容量为石墨的7.5倍。此外,Co3O4具有较好的可逆的氧化还原性能,长期使用性能稳定,耐腐蚀的优点,因而,Co3O4主要用于锂离子电池和超级电容器的电极材料、化学催化剂、气体感应器以及磁性领域。对四氧化三钴的的制备,特别是高结晶高振实密度四氧化三钴的制备,备受业界关注。
四氧化三钴的制备方法主要有化学沉淀法、溶胶-凝胶法、水热法、喷雾热解法、模板法等工艺,其中以化学沉淀法和喷雾热解法为主。
化学沉淀法以硫酸钴或氯化钴为钴源,以氢氧化钠、氨水、碳酸氢铵、碳酸钠等碱液为沉淀剂,在一定条件下,沉淀获得前驱体,然后在800-900℃煅烧获得四氧化三钴产品。该方法工艺过程简单,易于控制,但流程较长、废水量大,另外,先湿法沉淀-再火法煅烧,能源消耗大。尤为致命的是,湿法沉淀前驱体结晶度较差,导致产品结晶度不高,此外,前驱体颗粒在热分解后,往往遗留大量的气孔,导致所得颗粒通常为多孔状,导致产品振实密度降低。
喷雾热解法以氯化钴或硝酸钴溶液为原料,将其雾化后引入到高温场中,使其高温水解为四氧化三钴和相应的无机酸,这一方法避免了沉淀剂的使用,因而原料消耗较低,但该方法同样存在所得四氧化三钴产品粒度分布较宽,团聚严重,振实密度较低等不足。
因此,当前制备方法,均存在明显的不足,如所得Co3O4粒度较宽、团聚严重、振实密度较低,因而业界亟需开发一种工艺简单、可同步脱除杂质、低成本的稀土浸出液净化方法。
发明内容
为解决现有Co3O4制备方法存在产品粒度分布宽、团聚严重、振实密度较低等技术不足,本发明目的在于提供一种可制得高结晶度、窄粒级、高振实密度的四氧化三钴的方法。
一种四氧化三钴的制备方法,将CoCl2﹒nH2O(4>n>1)在保护气氛下进行第一段热处理,随后再在氧化性气氛(含氧气氛)下进行第二段热处理,制得四氧化三钴产品;第一段热处理、第二段热处理的温度分别为450-800℃;
所述的氧化性气氛的氧含量为0.1v%~12.5v%。
本发明技术方案,创新地以所述特定结晶水的氯化钴晶体为原料,利用其自身结晶水,配合所述的气氛调控技术以及氧分压控制技术,能够协同改善水的分布均匀性,有效控制反应进程,如此有助于改善产品结晶度,抑制产物二次形核,改善粒度均匀性以及振实密度。通过本发明技术方案,有利于得到单分散窄粒级、高结晶度、高振实密度的Co3O4产物。
作为优选,所述的CoCl2﹒nH2O(4>n>1)由CoCl2﹒6H2O在保护气载气气流下加热转型得到。
所述CoCl2﹒6H2O的纯度大于99.5%。
转型过程在保护性载气的气流下进行,其过程例如为:将CoCl2﹒6H2O置于带有气体入口、气体出口的反应器中,打开气体出口,向反应器中持续通入保护性气氛,并在载气气流下加热原料,进行转型。
作为优选,转型过程的温度为450~800℃。
作为优选,转型过程中,保护气载气的流速为3~9L/min。
作为优选,所述的保护气氛为氮气或者惰性气体气氛。所述的惰性气氛例如为氩气。
本发明中,转型处理后,关闭反应器出气口,随后控制反应的温度为450-800℃,进行第一段热处理。
第一段热处理在所述的保护气氛下进行。
第一段热处理的时间为30-90min。
第一段热处理后,变更体系气氛为氧化性气氛,并精准控制氧气分压,通过所述的变气技术以及氧分压的联合控制,达到改善结晶度、改善粒径均匀性以及振实密度。
所述的氧化性气氛为氧气(或空气)与保护气体的混合气。所述的保护气体为氮气或者惰性气体。所述的惰性气体例如为氩气。
例如,所述的氧化性气氛例如为氧气、氮气、氩气的混合气(体积比例如为1:1~8:0.1~0.4)。
作为优选,控制第二段热处理的氧气在混合气中的分压为:0.1%~12.5%;进一步优选为2~12%;更进一步优选为2~7%。
作为优选,氧化性气氛的流速为0.05~1L/min;进一步优选为0.1~0.8L/min;更进一步优选为0.1~0.4L/min。
本发明技术方案中,还收集第二热处理的反应尾气,得到盐酸副产品。
本发明一种优选的高结晶度窄粒级四氧化三钴的制备方法,首先,以氯化钴为原料,将其置于带有气体入口和气体出口的反应器中,打开气体出口,向反应器中持续通入保护气载气,对反应器中的原料进行加热,使其在保护气气氛气流下转型,转型完成后关闭反应器(关闭反应器出气口),并继续在450-800℃下进行第一段热处理(时间例如为30-90min),随后向反应器中改通氧化性气氛,继续保温,进行第二段热处理(时间例如为2-4h),处理完成后,冷却至常温即可获得高结晶度窄粒级四氧化三钴产品。反应尾气经除尘和喷淋吸收后,可获得盐酸副产品。
本发明一种高结晶度窄粒级四氧化三钴的制备方法,所述高结晶度四氧化三钴为多面体形貌,粒度可在0.2~20μm调控,span值小于等于2.5,振实密度为1.7~3.2g/cm3。
原理和优势
本发明通过调控反应体系的气氛,实现对反应进程的有效控制。在升温阶段,采用惰性气氛,避免氯化钴脱水和热解反应并行进行,导致因颗粒生长条件的差异产生粒度不一致的情况。在保温阶段,采用控氧势的氧化气氛,通过氧分压的调控,利用氯化钴自身所带结晶水,实现均相反应,并控制反应在低过饱和度下进行,避免反应过快使得形核过多或产生二次形核,导致团聚生长机制增强,使得产物团聚现象严重,且不利于获得高结晶度的四氧化三钴产品。通过上述工作,在实现氯化钴彻底热解的同时,获得高结晶度单分散的四氧化三钴产品。
本发明与现有技术相比较具有以下优势:
(1)本发明创新地利用氯化钴自身的结晶水,配合所述的气氛调控技术以及氧分压控制技术,能够有效改善结晶度,改善形貌以及粒径均匀性,此外,还有助于改善制得的产品的振实密度。本发明反应效率高、所得四氧化三钴结晶度高、粒度分布较窄,具有较高的产品附加值。
(2)本发明工艺简单、易于操作,易于实现产业化。
(3)本发明流程短、能耗低,具有较好技术经济指标。
(4)本发明环境友好,无废气、废水的产生,在实现钴资源高值化的同时,还可完成氯的资源化。
附图说明
附图1为实施例1和对比例1所得Co3O4的SEM图;A-实施例1样品;B-对比例1样品;
附图2为实施例1所得Co3O4的XRD图谱;
由图1可以看出,实施例1所得Co3O4颗粒呈均一的多面体形貌,而对比例1主要呈不规则形貌颗粒。实施例1所得Co3O4粒度较为均匀,粒径大致在3-7um范围,而对比例1粒度分布较宽,且团聚较为严重,大颗粒粒径可达20um左右,小颗粒则不足1um。
由图2可以看出,实施例1做的产物为单一相的Co3O4,其特征峰尖锐,背景基线平整,无杂峰,表明所得Co3O4结晶度较高,无杂相生成,物相较纯。
具体实施方式
以下实施例旨在进一步说明本发明内容,而不是限制本发明权利要求保护的范围。
以下案例,除特别声明外,所述的氯化钴均为CoCl2﹒6H2O;(纯度为99.5%)
实施例1:
在反应器中加入5kg氯化钴(CoCl2﹒6H2O),打开反应器出气口,由反应器进气口通入氮气,控制氮气流量为5L/min,通气30min后开始升温。升温至560℃(转型阶段),随后关闭出气口,并保温75min(第一段热处理)。保温结束后,在原有载气的基础再通入氧气,氧气流量为0.4L/min(氧含量为7.4v%),继续反应(第二段热处理)3h,然后停止加热,关闭氮气和氧气阀门,打开出气口,冷却降温至室温,打开反应器,收集产物。分析检测结果表明所得产物为Co3O4,平均粒径为5.8μm,span值为2.1,振实密度为2.6g/cm3。
对比例1:
和实施例1相比,区别主要在于,未进行保护气氛下的转型以及第一段热处理(未采用本发明所述的变气技术),具体为:
在反应器中加入5kg氯化钴(CoCl2﹒6H2O),关闭反应器。然后通入空气,空气流量为5L/min,通气30min后开始升温。当温度升至560℃,保温75min,升温和保温期间继续通入空气。保温结束后,在上述气氛下,继续反应3h,然后停止加热,关闭空气阀门,冷却降温至室温,打开反应器,收集产物。分析检测结果表明所得产物为Co3O4,平均粒径为8.4μm,span值为7.6,振实密度为1.6g/cm3。
对比例1与实施例1的区别在于:实施例1在升温阶段采用氮气气氛,高温阶段采用控氧势的弱氧化性气氛,而对比例1则在升温和高温阶段均采用空气气氛,但两者在产物粒度分布和振实密度方面相差较大。
实施例2:
在反应器中加入4kg氯化钴(CoCl2﹒6H2O),打开反应器出气口,由反应器进气口通入氮气,控制氮气流量为6L/min,通气20min后开始升温。升温至480℃(转型阶段),随后关闭出气口,并保温80min(第一段热处理)。保温结束后,在原有氮气流量的基础上再补通入氧气,氧气流量为0.8L/min(氧气含量为11.8%),继续反应3.5h,然后停止加热,关闭氮气和氧气阀门,冷却降温至室温,打开反应器,收集产物。分析检测结果表明所得产物为Co3O4,平均粒径为1.4μm,span值为2.4,振实密度为1.9g/cm3。
对比例2
和实施例2相比,区别仅在于,未进行保护气氛下的转型处理,直接将氯化钴(CoCl2﹒6H2O)置于密闭容器中,在保护气氛内进行第一段热处理以及第二段热处理。具体为:
在反应器中加入4kg氯化钴(CoCl2﹒6H2O),打开反应器出气口,由反应器进气口通入氮气,控制氮气流量为6L/min,通气20min后关闭出气口,开始升温至480℃,随后保温80min(第一段热处理)。保温结束后,继续反应3.5h,然后停止加热,关闭氮气阀门,冷却降温至室温,打开反应器,收集产物。分析检测结果表明所得产物为无水CoCl2,氯化钴在氮气气氛中未发生分解反应。
对比例2与实施例2的区别在于:实施例2在升温阶段采用氮气气氛,高温阶段采用控氧势的弱氧化性气氛,而对比例2则在升温和高温阶段均采用氮气气氛,但两的产物物相相差较大。
实施例3:
在反应器中加入4.5kg氯化钴(CoCl2﹒6H2O),打开反应器出气口,由反应器进气口通入氩气,控制氮气流量为4.5L/min,通气35min后开始升温。升温至700℃(转型阶段),随后关闭出气口,并保温45min(第一段热处理)。保温结束后,再补通入氧气,氧气流量为0.1L/min,继续反应2.5h,然后停止加热,关闭氩气和氧气阀门,冷却降温至室温,打开反应器,收集产物。分析检测结果表明所得产物为Co3O4,平均粒径为11.5μm,span值为1.6,振实密度为3.0g/cm3。
对比例3
和实施例1相比,区别仅在于,第二段热处理的氧含量为30.8%(超出12.5%)。具体为:
在反应器中加入4.5kg氯化钴(CoCl2﹒6H2O),打开反应器出气口,由反应器进气口通入氩气,控制氮气流量为4.5L/min,通气35min后开始升温。升温至700℃(转型阶段),随后关闭出气口,并保温45min(第一段热处理)。保温结束后,再补通入氧气,氧气流量为2L/min,继续反应2.5h,然后停止加热,关闭氩气和氧气阀门,冷却降温至室温,打开反应器,收集产物。分析检测结果表明所得产物为Co3O4,平均粒径为16.5μm,span值为3.7,振实密度为1.7g/cm3。
对比例3与实施例3的区别在于:实施例3高温阶段采用控氧势的弱氧化性气氛,而对比例3则在升温和高温阶段强氧化性气氛,但两者产物粒度和粒度分布相差较大,对比例3平均粒度较大,粒度分布更宽。
实施例4:
在反应器中加入2.5kg氯化钴(CoCl2﹒6H2O),打开反应器出气口,由反应器进气口通入氮气,控制氮气流量为4L/min,通气25min后开始升温。升温至600℃(转型阶段),随后关闭出气口,并保温40min(第一段热处理),保温结束后,通入氧气,氧气流量为0.2L/min,继续反应3.5h,然后停止加热,关闭氮气和氧气阀门,冷却降温至室温,打开反应器,收集产物。分析检测结果表明所得产物为Co3O4,平均粒径为7.6μm,span值为2.2,振实密度为2.4g/cm3。
实施例5:
在反应器中加入6kg氯化钴(CoCl2﹒6H2O),打开反应器出气口,由反应器进气口通入氮气,控制氮气流量为6L/min,通气30min后开始升温。当温度升至650℃(转型阶段),随后关闭出气口,并保温50min(第一段热处理)。保温结束后,通入氧气,氧气流量为0.3L/min,继续反应3h,然后停止加热,关闭氮气和氧气阀门,冷却降温至室温,打开反应器,收集产物。分析检测结果表明所得产物为Co3O4,平均粒径为16.8μm,span值为1.5,振实密度为3.1g/cm3。
实施例6:
在反应器中加入7.5kg氯化钴(CoCl2﹒6H2O),打开反应器出气口,由反应器进气口通入氩气,控制氩气流量为8L/min,通气45min后开始升温。当温度升至750℃(转型阶段),随后关闭出气口,并保温40min(第一段热处理)。保温结束后,通入氧气,氧气流量为0.6L/min,继续反应2h,然后停止加热,关闭氮气和氧气阀门,冷却降温至室温,打开反应器,收集产物。分析检测结果表明所得产物为Co3O4,平均粒径为0.4μm,span值为2.4,振实密度为1.8g/cm3。
Claims (6)
1.一种四氧化三钴的制备方法,其特征在于:将CoCl2﹒nH2O在保护气氛下进行第一段热处理,随后再在氧化性气氛下进行第二段热处理,制得四氧化三钴产品;
第一段热处理、第二段热处理的温度分别为450-800℃;
所述的氧化性气氛的氧含量为0.1v%~12.5v%;
所述的CoCl2﹒nH2O中,4>n>1,其由CoCl2﹒6H2O在保护气载气气流下转型得到;
转型过程的温度为450-800℃;转型过程中,保护气载气的流速为3~9L/min,第一段热处理的时间为30-90 min。
2.如权利要求1所述的四氧化三钴的制备方法,其特征在于:所述的保护气氛为氮气或者惰性气体气氛。
3.如权利要求1所述的四氧化三钴的制备方法,其特征在于:所述的氧化性气氛为氧气与保护气体的混合气。
4.如权利要求1所述的四氧化三钴的制备方法,其特征在于:第二段热处理的时间为2-4h。
5.如权利要求1所述的四氧化三钴的制备方法,其特征在于:
第二段热处理过程中,氧化性气氛的流速为0.05~1L/min;
收集第二热处理的反应尾气,得到盐酸副产品。
6.如权利要求1~5任一项所述四氧化三钴的制备方法,其特征在于:制得的四氧化三钴为多面体形貌,粒度在0.2~20μm,span值小于等于2.5,振实密度为1.7~3.2g/cm3。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010436006.9A CN113697864B (zh) | 2020-05-21 | 2020-05-21 | 一种四氧化三钴的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010436006.9A CN113697864B (zh) | 2020-05-21 | 2020-05-21 | 一种四氧化三钴的制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN113697864A CN113697864A (zh) | 2021-11-26 |
CN113697864B true CN113697864B (zh) | 2023-08-15 |
Family
ID=78645826
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010436006.9A Active CN113697864B (zh) | 2020-05-21 | 2020-05-21 | 一种四氧化三钴的制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN113697864B (zh) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2011953A7 (en) * | 1968-06-19 | 1970-03-13 | Niro Atomizer As | Prodn of nickel and cobalt oxides |
CN1544340A (zh) * | 2003-11-18 | 2004-11-10 | 深圳市格林美高新技术有限公司 | 锂离子电池用四氧化三钴的制备方法 |
CN1715193A (zh) * | 2004-06-28 | 2006-01-04 | 湖南瑞翔新材料有限公司 | 制备高品质四氧化三钴的新方法 |
CN101274782A (zh) * | 2007-03-26 | 2008-10-01 | 中南大学 | 一种制备高密度四氧化三钴粉末的方法与设备 |
CN101367555A (zh) * | 2008-09-27 | 2009-02-18 | 浙江华友钴业股份有限公司 | 一种制备钴氧化物、镍氧化物、铜氧化物的新方法 |
-
2020
- 2020-05-21 CN CN202010436006.9A patent/CN113697864B/zh active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2011953A7 (en) * | 1968-06-19 | 1970-03-13 | Niro Atomizer As | Prodn of nickel and cobalt oxides |
CN1544340A (zh) * | 2003-11-18 | 2004-11-10 | 深圳市格林美高新技术有限公司 | 锂离子电池用四氧化三钴的制备方法 |
CN1715193A (zh) * | 2004-06-28 | 2006-01-04 | 湖南瑞翔新材料有限公司 | 制备高品质四氧化三钴的新方法 |
CN101274782A (zh) * | 2007-03-26 | 2008-10-01 | 中南大学 | 一种制备高密度四氧化三钴粉末的方法与设备 |
CN101367555A (zh) * | 2008-09-27 | 2009-02-18 | 浙江华友钴业股份有限公司 | 一种制备钴氧化物、镍氧化物、铜氧化物的新方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN113697864A (zh) | 2021-11-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102030352B (zh) | 一种制备纳米材料的方法 | |
CN111362298B (zh) | 一种粒形可控的氧化铟球形粉体的制备方法 | |
CN110629288B (zh) | 一种水热技术制备晶须状铝酸钆粉体材料的方法 | |
CN110233257B (zh) | 一种实心球形多重环状富锂锰基固溶体正极材料氧化物前驱体的制备方法 | |
CN111747442A (zh) | 一种湿法生产活性氧化锌的方法 | |
CN106558695A (zh) | 一种镍钴铝复合氢氧化物、镍钴铝复合氧化物及其制备方法 | |
CN112355317A (zh) | 一种超细球形钴粉的制备方法 | |
CN104979555B (zh) | 一种亚微米级钴锰复合氧化物材料及其制备方法 | |
CN113697864B (zh) | 一种四氧化三钴的制备方法 | |
CN116199270B (zh) | 一种减少钴氧化物生产过程废水的处理工艺 | |
CN113213558B (zh) | 一种大颗粒球形碳酸钴前驱体及其制备方法、以及四氧化三钴的制备方法 | |
CN114560494B (zh) | 一种常压液相共氧制备二氧化锡的方法 | |
CN113896214B (zh) | 一种硫酸锂溶液吸附碳化制备高纯碳酸锂的方法 | |
CN105540651B (zh) | 一种制备球形氧化亚锡纳米材料的方法 | |
CN106517294B (zh) | 金属氧化物的制备方法 | |
CN115020659A (zh) | 一种LiFePO4/C复合正极材料的制备方法 | |
CN113582248A (zh) | 一种镍钴锰三元正极材料的制备方法 | |
CN111204812A (zh) | 一种掺杂金属阳离子改性锂离子筛的制备方法 | |
CN107935000A (zh) | 一种制备高纯碳酸锂超细微粉的方法 | |
CN111573717B (zh) | 以工业偏钛酸制备高纯纳米钛酸锂的方法 | |
CN116177614B (zh) | 一种钴氧化物制备过程降低废料率的工艺方法 | |
CN113480316B (zh) | 一种非化学计量比氧氮化物纳米粉及其制备方法 | |
CN113617327B (zh) | 一种纳米单晶锰系锂吸附剂的合成方法 | |
CN114455645B (zh) | 一种镍锰铝酸锂正极材料及其制备方法 | |
CN114436330B (zh) | 一种α-羟基氧化铬的制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |