CN113663534A - 一种自加热SiC-石墨烯复合陶瓷膜制备技术及在油水分离中的应用 - Google Patents
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Abstract
本发明属于金属加工领域,尤其是一种自加热SiC‑石墨烯复合陶瓷膜制备技术在油水分离中的应用,针对现有的问题,现提出如下方案,其包括处理设备本体,所述处理设备本体的底部四角均固定安装有支腿,且四个支腿的底端转动安装有轮子,所述处理设备本体的内部开设有空腔,且空腔两侧的内壁上滑动安装有移动板,所述处理设备本体的底侧分别滑动安装有两个附着板,所述空腔底侧的内壁上开设有凹槽,且凹槽两侧的内壁上均转动安装有转动杆,转动杆上分别固定套接有收线辊和齿轮,本发明解决了现有技术中的缺点,使得人们能够简单便捷地对处理设备本体进行移动搬运,同时在坡度较大的地面能够充足进行减速,安全指数高。
Description
技术领域
本发明涉及金属加工技术领域,尤其涉及一种自加热SiC-石墨烯复合陶瓷膜制备技术及在油水分离中的应用。
背景技术
金属加工液主要是金属加工用的液体,主要起润滑和冷却作用,兼有防锈清洗等作用。一般的金属加工液包括切削液、切削油、乳化液、冲压油、淬火剂、高温油、极压切削液、磨削液、防锈油、清洗剂等。
然而现有的油水分离装置体积较为庞大不便于移动,而一般采用轮子是可以对处理装置进行搬运,但是在移动过程中没有减速结构,在坡度较大的地面上移动安全指数低。
发明内容
本发明的目的是为了解决现有技术中存在的缺点,而提出的一种自加热SiC-石墨烯复合陶瓷膜制备技术及在油水分离中的应用。
为了实现上述目的,本发明采用了如下技术方案:
一种自加热SiC-石墨烯复合陶瓷膜制备技术在油水分离中的应用,包括处理设备本体,所述处理设备本体的底部四角均固定安装有支腿,且四个支腿的底端转动安装有轮子,所述处理设备本体的内部开设有空腔,且空腔两侧的内壁上滑动安装有移动板,所述处理设备本体的底侧分别滑动安装有两个附着板,所述空腔底侧的内壁上开设有凹槽,且凹槽两侧的内壁上均转动安装有转动杆,转动杆上分别固定套接有收线辊和齿轮,所述凹槽底侧的内壁上开设有通孔,且通孔内滑动安装有连杆,连杆的顶端固定安装在移动板的底侧,所述处理设备本体的底部两侧均固定安装有竖板,所述连杆的底端固定安装有踏板,且踏板的两侧均与两个竖板相接触,所述踏板的两侧均开设有伸缩槽,且伸缩槽内滑动安装有限位块,所述限位块和伸缩槽相互靠近的一侧分别固定安装有第一磁铁和第二磁铁,第一磁铁和第二磁铁的磁性为相同设置,所述处理设备本体内安装有两个循环罐,且两个循环罐之间设有同一个软管,两个循环罐相互远离的一端均设有长管,所述处理设备本体内安装有收集箱。
优选的,所述空腔两侧的内壁上均开设有第一滑槽,且第一滑槽内滑动安装有第一滑块,两个第一滑块相互靠近的一侧固定安装在同一个移动板上。
优选的,所述空腔底侧的内壁上分别固定连接有两个第一弹簧,且第一弹簧的顶端固定连接在移动板的底侧。
优选的,所述处理设备本体的底侧分别开设有两个第二滑槽,且第二滑槽内滑动安装有第二滑块,第二滑块的底侧固定安装在附着板上。
优选的,两个第二滑槽相互远离一侧的内壁上均固定连接有第二弹簧的一端,且第二弹簧的另一端固定连接在第二滑块上。
优选的,两个附着板相互远离的一侧均分别固定安装有两个刹车片,且四个刹车片依次与四个轮子相对应设置。
优选的,两个第二滑槽相互远离一侧的内壁上均开设有线孔,且线孔与凹槽相连通,两个第二滑块相互远离的一侧均固定连接有绳子的一端,绳子的另一端贯穿线孔,并缠绕连接在收线辊上。
优选的,所述连杆的两侧均等间隔固定安装有若干个锯齿,且两侧的锯齿均与齿轮相啮合。
一种自加热SiC-石墨烯复合陶瓷膜制备技术,包括如下步骤:
S1获得陶瓷支持层坯体:将石墨粉末、SiC-石墨烯粉末、粘结剂混合,然后加入质量为三者之和的1.5-3倍的水,使用超声波分散器将所有原料均匀分散于水中,然后模压处理获得陶瓷支持层坯体;
S2在所述陶瓷支持层坯体表面涂设陶瓷过渡层坯体浆料,干燥处理后进行第一烧结处理,获得由陶瓷过渡层和所述陶瓷支持层层叠结合的双层陶瓷膜;
S3将分离层坯体浆料涂设于所述陶瓷过渡层的表面,后进行第二烧结处理,使得在所述陶瓷过渡层的表面形成分离层。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:
本发明中,所述一种自加热SiC-石墨烯复合陶瓷膜制备技术及在油水分离中的应用,若要对移动的处理设备本体进行减速,首先踩压踏板使其带着连杆上的锯齿移动,然后两个齿轮将在锯齿的迫使下转动,此时收线辊将对绳子进行收纳,绳子进而拉动附着板上的刹车片与轮子相接触,此时轮子受到摩擦力达到减速的目的;当踏板上的两个限位块在第一磁铁和第二磁铁的排斥下移动到与竖板底侧相接触卡合的位置时,便能实现对处理设备本体的位置固定;
本发明解决了现有技术中的缺点,使得人们能够简单便捷地对处理设备本体进行移动搬运,同时在坡度较大的地面能够充足进行减速,安全指数高。
附图说明
图1为本发明提出的一种自加热SiC-石墨烯复合陶瓷膜制备技术及在油水分离中的应用的正视结构示意图;
图2为本发明提出的一种自加热SiC-石墨烯复合陶瓷膜制备技术及在油水分离中的应用的A部分结构示意图;
图3为本发明提出的一种自加热SiC-石墨烯复合陶瓷膜制备技术及在油水分离中的应用的B部分结构示意图;
图4为本发明提出的一种自加热SiC-石墨烯复合陶瓷膜制备技术及在油水分离中的应用的C部分结构示意图。
图中:1处理设备本体、2支腿、3轮子、4空腔、5移动板、6第一弹簧、7附着板、8第二滑槽、9第二滑块、10第二弹簧、11刹车片、12凹槽、13转动杆、14收线辊、15齿轮、16线孔、17绳子、18通孔、19连杆、20踏板、21竖板、22伸缩槽、23限位块、24第一磁铁、25第二磁铁、26循环罐、27软管、28长管、29收集箱、30第一滑槽、31第一滑块、32锯齿。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。
实施例一
参照图1-4,一种自加热SiC-石墨烯复合陶瓷膜制备技术在油水分离中的应用,包括处理设备本体1,处理设备本体1的底部四角均固定安装有支腿2,且四个支腿2的底端转动安装有轮子3,处理设备本体1的内部开设有空腔4,且空腔4两侧的内壁上滑动安装有移动板5,处理设备本体1的底侧分别滑动安装有两个附着板7,空腔4底侧的内壁上开设有凹槽12,且凹槽12两侧的内壁上均转动安装有转动杆13,转动杆13上分别固定套接有收线辊14和齿轮15,凹槽12底侧的内壁上开设有通孔18,且通孔18内滑动安装有连杆19,连杆19的顶端固定安装在移动板5的底侧,处理设备本体1的底部两侧均固定安装有竖板21,连杆19的底端固定安装有踏板20,且踏板20的两侧均与两个竖板21相接触,踏板20的两侧均开设有伸缩槽22,且伸缩槽22内滑动安装有限位块23,限位块23和伸缩槽22相互靠近的一侧分别固定安装有第一磁铁24和第二磁铁25,第一磁铁24和第二磁铁25的磁性为相同设置,处理设备本体1内安装有两个循环罐26,且两个循环罐26之间设有同一个软管27,两个循环罐26相互远离的一端均设有长管28,处理设备本体1内安装有收集箱29。
本发明中,空腔4两侧的内壁上均开设有第一滑槽30,且第一滑槽30内滑动安装有第一滑块31,两个第一滑块31相互靠近的一侧固定安装在同一个移动板5上。
本发明中,空腔4底侧的内壁上分别固定连接有两个第一弹簧6,且第一弹簧6的顶端固定连接在移动板5的底侧,第一弹簧6是为了使踏板20能够自动复位。
本发明中,处理设备本体1的底侧分别开设有两个第二滑槽8,且第二滑槽8内滑动安装有第二滑块9,第二滑块9的底侧固定安装在附着板7上。
本发明中,两个第二滑槽8相互远离一侧的内壁上均固定连接有第二弹簧10的一端,且第二弹簧10的另一端固定连接在第二滑块9上,第二弹簧10是为了使刹车片11能够与轮子3分离。
本发明中,两个附着板7相互远离的一侧均分别固定安装有两个刹车片11,且四个刹车片11依次与四个轮子3相对应设置。
本发明中,两个第二滑槽8相互远离一侧的内壁上均开设有线孔16,且线孔16与凹槽12相连通,两个第二滑块9相互远离的一侧均固定连接有绳子17的一端,绳子17的另一端贯穿线孔16,并缠绕连接在收线辊14上。
本发明中,连杆19的两侧均等间隔固定安装有若干个锯齿32,且两侧的锯齿32均与齿轮15相啮合。
一种自加热SiC-石墨烯复合陶瓷膜制备技术,包括如下步骤:
S1获得陶瓷支持层坯体:将石墨粉末、SiC-石墨烯粉末、粘结剂混合,然后加入质量为三者之和的1.5-3倍的水,使用超声波分散器将所有原料均匀分散于水中,然后模压处理获得陶瓷支持层坯体;
S2在所述陶瓷支持层坯体表面涂设陶瓷过渡层坯体浆料,干燥处理后进行第一烧结处理,获得由陶瓷过渡层和所述陶瓷支持层层叠结合的双层陶瓷膜;
S3将分离层坯体浆料涂设于所述陶瓷过渡层的表面,后进行第二烧结处理,使得在所述陶瓷过渡层的表面形成分离层。
实施例二
参照图1-4,一种自加热SiC-石墨烯复合陶瓷膜制备技术及在油水分离中的应用,包括处理设备本体1,处理设备本体1的底部四角均固定安装有支腿2,且四个支腿2的底端转动安装有轮子3,处理设备本体1的内部开设有空腔4,且空腔4两侧的内壁上滑动安装有移动板5,处理设备本体1的底侧分别滑动安装有两个附着板7,空腔4底侧的内壁上开设有凹槽12,且凹槽12两侧的内壁上均转动安装有转动杆13,转动杆13上分别固定套接有收线辊14和齿轮15,凹槽12底侧的内壁上开设有通孔18,且通孔18内滑动安装有连杆19,连杆19的顶端固定安装在移动板5的底侧,处理设备本体1的底部两侧均固定安装有竖板21,连杆19的底端固定安装有踏板20,且踏板20的两侧均与两个竖板21相接触,踏板20的两侧均开设有伸缩槽22,且伸缩槽22内滑动安装有限位块23,限位块23和伸缩槽22相互靠近的一侧分别固定安装有第一磁铁24和第二磁铁25,第一磁铁24和第二磁铁25的磁性为相同设置,处理设备本体1内安装有两个循环罐26,且两个循环罐26之间设有同一个软管27,两个循环罐26相互远离的一端均设有长管28,处理设备本体1内安装有收集箱29。
本发明中,空腔4两侧的内壁上均开设有第一滑槽30,且第一滑槽30内滑动安装有第一滑块31,两个第一滑块31相互靠近的一侧固定安装在同一个移动板5上。
本发明中,空腔4底侧的内壁上分别固定连接有两个第一弹簧6,且第一弹簧6的顶端固定连接在移动板5的底侧。
本发明中,处理设备本体1的底侧分别开设有两个第二滑槽8,且第二滑槽8内滑动安装有第二滑块9,第二滑块9的底侧固定安装在附着板7上。
本发明中,两个第二滑槽8相互远离一侧的内壁上均固定连接有第二弹簧10的一端,且第二弹簧10的另一端固定连接在第二滑块9上。
本发明中,两个附着板7相互远离的一侧均分别固定安装有两个刹车片11,且四个刹车片11依次与四个轮子3相对应设置。
本发明中,两个第二滑槽8相互远离一侧的内壁上均开设有线孔16,且线孔16与凹槽12相连通,两个第二滑块9相互远离的一侧均固定连接有绳子17的一端,绳子17的另一端贯穿线孔16,并缠绕连接在收线辊14上。
本发明中,连杆19的两侧均等间隔固定安装有若干个锯齿32,且两侧的锯齿32均与齿轮15相啮合。
一种自加热SiC-石墨烯复合陶瓷膜制备技术,包括如下步骤:
S1获得陶瓷支持层坯体:将石墨粉末、SiC-石墨烯粉末、粘结剂混合,然后加入质量为三者之和的1.5-3倍的水,使用超声波分散器将所有原料均匀分散于水中,然后模压处理获得陶瓷支持层坯体;
S2在所述陶瓷支持层坯体表面涂设陶瓷过渡层坯体浆料,干燥处理后进行第一烧结处理,获得由陶瓷过渡层和所述陶瓷支持层层叠结合的双层陶瓷膜;
S3将分离层坯体浆料涂设于所述陶瓷过渡层的表面,后进行第二烧结处理,使得在所述陶瓷过渡层的表面形成分离层。
实施例三
参照图1-4,一种自加热SiC-石墨烯复合陶瓷膜制备技术及在油水分离中的应用,包括处理设备本体1,处理设备本体1的底部四角均固定安装有支腿2,且四个支腿2的底端转动安装有轮子3,处理设备本体1的内部开设有空腔4,且空腔4两侧的内壁上滑动安装有移动板5,处理设备本体1的底侧分别滑动安装有两个附着板7,空腔4底侧的内壁上开设有凹槽12,且凹槽12两侧的内壁上均转动安装有转动杆13,转动杆13上分别固定套接有收线辊14和齿轮15,凹槽12底侧的内壁上开设有通孔18,且通孔18内滑动安装有连杆19,连杆19的顶端固定安装在移动板5的底侧,处理设备本体1的底部两侧均固定安装有竖板21,连杆19的底端固定安装有踏板20,且踏板20的两侧均与两个竖板21相接触,踏板20的两侧均开设有伸缩槽22,且伸缩槽22内滑动安装有限位块23,限位块23和伸缩槽22相互靠近的一侧分别固定安装有第一磁铁24和第二磁铁25,第一磁铁24和第二磁铁25的磁性为相同设置,处理设备本体1内安装有两个循环罐26,且两个循环罐26之间设有同一个软管27,两个循环罐26相互远离的一端均设有长管28,处理设备本体1内安装有收集箱29。
本发明中,空腔4两侧的内壁上均挖设有第一滑槽30,且第一滑槽30内滑动安装有第一滑块31,两个第一滑块31相互靠近的一侧固定安装在同一个移动板5上。
本发明中,空腔4底侧的内壁上分别固定焊接有两个第一弹簧6,且第一弹簧6的顶端固定焊接在移动板5的底侧。
本发明中,处理设备本体1的底侧分别开设有两个第二滑槽8,且第二滑槽8内滑动安装有第二滑块9,第二滑块9的底侧固定安装在附着板7上。
本发明中,两个第二滑槽8相互远离一侧的内壁上均固定焊接有第二弹簧10的一端,且第二弹簧10的另一端固定焊接在第二滑块9上。
本发明中,两个附着板7相互远离的一侧均分别固定安装有两个刹车片11,且四个刹车片11依次与四个轮子3相对应设置。
本发明中,两个第二滑槽8相互远离一侧的内壁上均挖设有线孔16,且线孔16与凹槽12相连通,两个第二滑块9相互远离的一侧均固定连接有绳子17的一端,绳子17的另一端贯穿线孔16,并缠绕连接在收线辊14上。
本发明中,连杆19的两侧均等间隔固定安装有若干个锯齿32,且两侧的锯齿32均与齿轮15相啮合。
一种自加热SiC-石墨烯复合陶瓷膜制备技术,包括如下步骤:
S1获得陶瓷支持层坯体:将石墨粉末、SiC-石墨烯粉末、粘结剂混合,然后加入质量为三者之和的1.5-3倍的水,使用超声波分散器将所有原料均匀分散于水中,然后模压处理获得陶瓷支持层坯体;
S2在所述陶瓷支持层坯体表面涂设陶瓷过渡层坯体浆料,干燥处理后进行第一烧结处理,获得由陶瓷过渡层和所述陶瓷支持层层叠结合的双层陶瓷膜;
S3将分离层坯体浆料涂设于所述陶瓷过渡层的表面,后进行第二烧结处理,使得在所述陶瓷过渡层的表面形成分离层。
本发明中,若要对移动的处理设备本体1进行减速,首先踩压踏板20使其带着连杆19上的锯齿32移动,然后两个齿轮15将在锯齿32的迫使下转动,此时收线辊14将对绳子17进行收纳,绳子17进而拉动附着板7上的刹车片11与轮子3相接触,此时轮子3受到摩擦力达到减速的目的;当踏板20上的两个限位块23在第一磁铁24和第二磁铁25的排斥下移动到与竖板21底侧相接触卡合的位置时,便能实现对处理设备本体1的位置固定。
以上所述,仅为本发明较佳的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变,都应涵盖在本发明的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种自加热SiC-石墨烯复合陶瓷膜制备技术在油水分离中的应用,包括处理设备本体(1),其特征在于,所述处理设备本体(1)的底部四角均固定安装有支腿(2),且四个支腿(2)的底端转动安装有轮子(3),所述处理设备本体(1)的内部开设有空腔(4),且空腔(4)两侧的内壁上滑动安装有移动板(5),所述处理设备本体(1)的底侧分别滑动安装有两个附着板(7),所述空腔(4)底侧的内壁上开设有凹槽(12),且凹槽(12)两侧的内壁上均转动安装有转动杆(13),转动杆(13)上分别固定套接有收线辊(14)和齿轮(15),所述凹槽(12)底侧的内壁上开设有通孔(18),且通孔(18)内滑动安装有连杆(19),连杆(19)的顶端固定安装在移动板(5)的底侧,所述处理设备本体(1)的底部两侧均固定安装有竖板(21),所述连杆(19)的底端固定安装有踏板(20),且踏板(20)的两侧均与两个竖板(21)相接触,所述踏板(20)的两侧均开设有伸缩槽(22),且伸缩槽(22)内滑动安装有限位块(23),所述限位块(23)和伸缩槽(22)相互靠近的一侧分别固定安装有第一磁铁(24)和第二磁铁(25),第一磁铁(24)和第二磁铁(25)的磁性为相同设置,所述处理设备本体(1)内安装有两个循环罐(26),且两个循环罐(26)之间设有同一个软管(27),两个循环罐(26)相互远离的一端均设有长管(28),所述处理设备本体(1)内安装有收集箱(29)。
2.根据权利要求1所述的一种自加热SiC-石墨烯复合陶瓷膜制备技术在油水分离中的应用,其特征在于,所述空腔(4)两侧的内壁上均开设有第一滑槽(30),且第一滑槽(30)内滑动安装有第一滑块(31),两个第一滑块(31)相互靠近的一侧固定安装在同一个移动板(5)上。
3.根据权利要求1所述的一种自加热SiC-石墨烯复合陶瓷膜制备技术在油水分离中的应用,其特征在于,所述空腔(4)底侧的内壁上分别固定连接有两个第一弹簧(6),且第一弹簧(6)的顶端固定连接在移动板(5)的底侧。
4.根据权利要求1所述的一种自加热SiC-石墨烯复合陶瓷膜制备技术在油水分离中的应用,其特征在于,所述处理设备本体(1)的底侧分别开设有两个第二滑槽(8),且第二滑槽(8)内滑动安装有第二滑块(9),第二滑块(9)的底侧固定安装在附着板(7)上。
5.根据权利要求4所述的一种自加热SiC-石墨烯复合陶瓷膜制备技术在油水分离中的应用,其特征在于,两个第二滑槽(8)相互远离一侧的内壁上均固定连接有第二弹簧(10)的一端,且第二弹簧(10)的另一端固定连接在第二滑块(9)上。
6.根据权利要求1所述的一种自加热SiC-石墨烯复合陶瓷膜制备技术在油水分离中的应用,其特征在于,两个附着板(7)相互远离的一侧均分别固定安装有两个刹车片(11),且四个刹车片(11)依次与四个轮子(3)相对应设置。
7.根据权利要求4所述的一种自加热SiC-石墨烯复合陶瓷膜制备技术在油水分离中的应用,其特征在于,两个第二滑槽(8)相互远离一侧的内壁上均开设有线孔(16),且线孔(16)与凹槽(12)相连通,两个第二滑块(9)相互远离的一侧均固定连接有绳子(17)的一端,绳子(17)的另一端贯穿线孔(16),并缠绕连接在收线辊(14)上。
8.根据权利要求1所述的一种自加热SiC-石墨烯复合陶瓷膜制备技术在油水分离中的应用,其特征在于,所述连杆(19)的两侧均等间隔固定安装有若干个锯齿(32),且两侧的锯齿(32)均与齿轮(15)相啮合。
9.一种自加热SiC-石墨烯复合陶瓷膜制备技术,其特征在于,包括如下步骤:
S1获得陶瓷支持层坯体:将石墨粉末、SiC-石墨烯粉末、粘结剂混合,然后加入质量为三者之和的1.5-3倍的水,使用超声波分散器将所有原料均匀分散于水中,然后模压处理获得陶瓷支持层坯体;
S2在所述陶瓷支持层坯体表面涂设陶瓷过渡层坯体浆料,干燥处理后进行第一烧结处理,获得由陶瓷过渡层和所述陶瓷支持层层叠结合的双层陶瓷膜;
S3将分离层坯体浆料涂设于所述陶瓷过渡层的表面,后进行第二烧结处理,使得在所述陶瓷过渡层的表面形成分离层。
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