CN113628854A - 线圈组件 - Google Patents

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吕正九
李永日
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Abstract

本发明提供一种线圈组件，所述线圈组件包括：支撑基板；线圈部，设置在所述支撑基板的至少一个表面上；磁性主体，所述支撑基板和所述线圈部设置在所述磁性主体中，所述磁性主体具有贯穿所述线圈部的中央的贯通部；非磁性层，设置在所述贯通部的下方；以及绝缘层，设置在所述非磁性层与所述贯通部之间。

Description

线圈组件
本申请要求于2020年05月08日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0055432号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用包含于此。
技术领域
本公开涉及一种线圈组件。
背景技术
电感器(一种线圈组件)是与电阻器和电容器一起用在电子装置中的典型无源电子组件。
随着电子装置趋于具有更高的性能并且变得更小，在电子装置中使用的线圈组件可在数量上增加并且在尺寸上减小。因此，在薄膜电感器方面已经有了持续的发展，在薄膜电感器中，线圈部通过镀覆形成在基板上，形成在基板上的线圈使用磁性材料片填埋，并且外电极形成在磁性主体的外表面上。
已经按照改变饱和磁化值Ms或磁性粉末的晶粒尺寸分布以调节DC偏置特性的这种方式制造了薄膜电感器。
除了上述改变磁性粉末的材料性质的方法之外，还需要通过适当地增大组件的电阻来调节DC偏置特性并降低磁通饱和速度。
发明内容
本公开的一方面在于提供一种能够在不改变主体的材料的情况下减小磁通饱和速度并且实现目标DC偏置特性的线圈组件。
根据本公开的一方面，一种线圈组件包括：支撑基板；线圈部，设置在所述支撑基板的至少一个表面上；磁性主体，所述支撑基板和所述线圈部设置在所述磁性主体中，所述磁性主体具有贯穿所述线圈部的中央的贯通部；非磁性层，设置在所述贯通部的下方；以及绝缘层，设置在所述非磁性层与所述贯通部之间。
附图说明
通过下面结合附图进行的详细描述，本公开的以上和其他方面、特征和优点将被更清楚地理解，在附图中：
图1是根据本公开的第一实施例的线圈组件的示意图；
图2是沿图1中的线I-I′截取的截面图；
图3是根据本公开的第二实施例的线圈组件的示意图；
图4是沿图3中的线II-II′截取的截面图；
图5是根据本公开的第三实施例的线圈组件的示意图；
图6是沿图5中的线III-III′截取的截面图；
具体实施方式
提供以下具体实施方式以帮助读者获得对在此描述的方法、设备和/或系统的全面理解。然而，在此所描述的方法、设备和/或系统的各种改变、修改及等同物对于本领域的普通技术人员将是显而易见的。在此描述的操作的顺序仅仅是示例，并且不限于在此阐述的顺序，而是除了必须按照特定顺序发生的操作之外，可做出对于本领域的普通技术人员将是显而易见的改变。此外，为了提高清楚性和简洁性，可省略对于本领域的普通技术人员公知的功能和构造的描述。
在此描述的特征可以以不同的形式实施，并且不被解释为限于在此描述的示例。更确切地，已经提供在此描述的示例，以使本公开将是彻底的和完整的，并且将把本公开的范围充分传达给本领域的普通技术人员。
在此，值得注意的是，关于示例或实施例(例如，关于示例或实施例可包括或实现的内容)的术语“可”的使用意味着存在其中包括或者实现这样的特征的至少一个示例或实施例，而所有示例或实施例不限于此。
在整个说明书中，当元件(诸如层、区域或者基板)被描述为“在”另一元件“上”、“连接到”另一元件或者“结合到”另一元件时，该元件可直接“在”该另一元件“上”、直接“连接到”该另一元件或者直接“结合到”该另一元件，或者可存在介于上述两个元件之间的一个或者更多个其他元件。相反，当元件被描述为“直接”在另一元件“上”、“直接连接到”另一元件或者“直接结合到”另一元件时，可不存在介于上述两个元件之间的其他元件。
如在此所使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的任何一个或者任何两个或更多个的任何组合。
尽管诸如“第一”、“第二”以及“第三”的术语可在此被用于描述各种构件、组件、区域、层、或者部分，但这些构件、组件、区域、层或者部分不受这些术语的限制。更确切地，这些术语仅用于将一个构件、组件、区域、层或部分与另一构件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离示例的教导的情况下，在此描述的示例中所称的第一构件、组件、区域、层或部分也可被称为第二构件、组件、区域、层或者部分。
为了易于描述，在此可使用诸如“上方”、“上”、“下方”以及“下”的空间相对术语来描述如附图所示的一个元件与另一元件的关系。这些空间相对术语旨在除了包含附图中描绘的方位之外还包含装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为相对于另一元件处于“上方”或“上”的元件将相对于该另一元件处于“下方”或“下”。因此，术语“上方”根据装置的空间方位涵盖“上方”和“下方”两种方位。装置也可以以其他方式(例如，旋转90度或处于其他方位)定位，并且在此使用的空间相对术语被相应地解释。
在此使用的术语仅用于描述各种示例，并且将不用于限制本公开。除非上下文另有清楚指出，否则单数形式也意图包括复数形式。术语“包含”、“包括”以及“具有”列举存在所陈述的特征、数量、操作、构件、元件以及/或者它们的组合，但是不排除存在或者增加一个或更多个其他特征、数量、操作、构件、元件、以及/或者它们的组合。
由于制造技术和/或公差，附图中示出的形状可能发生变化。因此，在此描述的示例不限于附图中示出的特定形状，而是包括在制造期间发生的形状的改变。
在此描述的示例的特征可以以在获得本申请的公开内容的理解之后将显而易见的各种方式组合。此外，尽管在此描述的示例具有各种构造，但是在获得本申请的公开内容的理解之后将显而易见的其他构造是可行的。
为了清楚、图示以及方便，附图可不按照比例绘制，并且图中的元件的相对尺寸、比例和描绘可被夸大。
用于描述参数(诸如元件的1-D尺寸(包括但不限于“长度”、“宽度”、“厚度”、“直径”、“距离”、“间隙”和/或“大小”)、元件的2-D尺寸(包括但不限于“面积”和/或“大小”)、元件的3-D尺寸(包括但不限于“体积”和/或“大小”)和元件的性质(包括但不限于“粗糙度”、“密度”、“重量”、“重量比”和/或“摩尔比”)的值可通过本公开中描述的方法和/或工具获得。然而，本公开不限于此。即使在本公开中没有描述，也可使用本领域普通技术人员理解的其他方法和/或工具。
在附图中，X方向可被定义为第一方向或长度方向，Y方向可被定义为第二方向或宽度方向，Z方向可被定义为第三方向或厚度方向。
在下文中，将参照附图详细描述根据示例性实施例的线圈组件，并且在参照附图进行描述时，相同或相应的组件被分配相同的附图标记，并且将省略其重复的描述。
在电子装置中使用各种类型的电子组件，并且可适当地使用各种类型的线圈组件来去除电子组件之间的噪声。
例如，在电子装置中，线圈组件可用作功率电感器、高频(HF)电感器、普通磁珠、高频磁珠(GHz磁珠)和共模滤波器。
第一实施例
图1是根据第一实施例的线圈组件的示意图，并且图2是沿着图1中的线I-I'截取的截面图。
参照图1和图2，根据第一实施例的线圈组件1000可包括主体100、支撑基板200以及线圈部310和320、非磁性层400和绝缘层500，并且还可包括外电极610和620。
支撑基板200可设置在将在下文中描述的主体100的内部，并且可支撑第一线圈部310和第二线圈部320。参照图2，支撑基板200包括第一支撑部210，第一支撑部210被设置为基于将在下文中描述的贯通部110与第一线圈部310的端部3110相邻并且支撑第一线圈部310和第二线圈部320。另外，支撑基板200包括第二支撑部220，第二支撑部220设置为基于贯通部110与第二线圈部320的端部3210相邻，并支撑第一线圈部310和第二线圈部320。
支撑基板200可利用包括热固性绝缘树脂(诸如环氧树脂)、热塑性绝缘树脂(诸如聚酰亚胺)或感光绝缘树脂的绝缘材料形成，或者可利用其中增强材料(诸如玻璃纤维或无机填料)使用这样的绝缘树脂浸渍的绝缘材料形成。例如，支撑基板200可利用诸如半固化片、味之素堆积膜(ABF，Ajinomoto Build-up Film)、FR-4、双马来酰亚胺三嗪(BT)膜、感光介电(PID)膜等的绝缘材料形成，但是本公开不限于此。
无机填料可以是从由二氧化硅(SiO2)、氧化铝(Al2O3)、碳化硅(SiC)、硫酸钡(BaSO4)、滑石粉、泥浆、云母粉末、氢氧化铝(Al(OH)3)、氢氧化镁(Mg(OH)2)、碳酸钙(CaCO3)、碳酸镁(MgCO3)、氧化镁(MgO)、氮化硼(BN)、硼酸铝(AlBO3)、钛酸钡(BaTiO3)和锆酸钙(CaZrO3)组成的组中选择的至少一种。
当支撑基板200利用包括增强材料的绝缘材料形成时，支撑基板200可提供更好的刚性。当支撑基板200利用不包括玻璃纤维的绝缘材料形成时，支撑基板200可有利于使整个线圈部310和320变薄。
在本实施例中，支撑基板200的中央部保留而没有贯穿中央部。支撑基板200的剩余中央部形成通孔(未示出)。通孔(未示出)填充有将在下文中描述的主体100的磁性材料以形成贯通部110。同样地，可形成填充有磁性材料的贯通部110以改善电感器的性能。贯通部110贯穿将在下文中描述的线圈部310和320的中央，并且基于厚度方向Z设置在支撑基板200的上方或下方。在本实施例中，为了便于描述，支撑基板200的上方的部分将被称为贯通部110，并且支撑基板200的上方的部分的最靠近非磁性层400的区域将被称为贯通部110的下部。然而，贯通部110的描述可同样地应用于贯通部110下方的部分的描述。例如，支撑基板200的下方的部分可被称为贯通部110，支撑基板200的下方的部分的最靠近非磁性层400的区域可被称为贯通部110的上部。
主体100可形成根据本实施例的线圈组件1000的外观。
主体100可形成为整体上具有六面体形状。
基于图1，主体100可具有在长度方向X上彼此相对的第一表面101和第二表面102、在宽度方向Y上彼此相对的第三表面103和第四表面104以及在厚度方向Z上彼此相对的第五表面105和第六表面106。作为示例，主体100可形成为使得本实施例的线圈组件1000(其中形成将在下文中描述的第一外电极610和第二外电极620)具有1.6mm的长度、0.8mm的宽度和0.8mm或更小的厚度，1.0mm的长度、0.6mm的宽度和0.8mm或更小的厚度，或者0.8mm的长度、0.4mm的宽度和0.65mm或更小的厚度，但是本公开不限于此。由于上述值仅仅是不反映工艺误差等的设计值，因此即使可识别为工艺误差的范围也应被认为在本公开的范围内。
主体100将支撑基板200以及将在下文中描述的线圈部310和320嵌入其中，并且主体100包括贯穿线圈部310和320的中央的贯通部110。
主体100可包括磁性材料和绝缘树脂。具体地，主体100可通过层叠包括绝缘树脂和分散在树脂中的磁性材料的至少一个磁性复合片来形成。然而，主体100可具有除了磁性材料可分散在树脂中的结构之外的结构。例如，主体100可利用诸如铁氧体的磁性材料形成。
磁性材料可以是例如铁氧体粉末颗粒或磁性金属粉末颗粒。铁氧体粉末颗粒的示例可包括尖晶石型铁氧体(诸如Mg-Zn基铁氧体、Mn-Zn基铁氧体、Mn-Mg基铁氧体、Cu-Zn基铁氧体、Mg-Mn-Sr基铁氧体、Ni-Zn基铁氧体等)、六方晶系铁氧体(诸如Ba-Zn基铁氧体、Ba-Mg基铁氧体、Ba-Ni基铁氧体、Ba-Co基铁氧体、Ba-Ni-Co基铁氧体等)、石榴石型铁氧体(诸如Y基铁氧体等)以及Li基铁氧体中的至少一种。另外，包括在主体100中的磁性金属粉末颗粒可包括从由铁(Fe)、硅(Si)、铬(Cr)、钴(Co)、钼(Mo)、铝(Al)、铌(Nb)、铜(Cu)和镍(Ni)组成的组中选择的一种或更多种。例如，磁性金属粉末颗粒可以是纯铁粉末、Fe-Si基合金粉末、Fe-Si-Al基合金粉末、Fe-Ni基合金粉末、Fe-Ni-Mo基合金粉末、Fe-Ni-Mo-Cu基合金粉末、Fe-Co-基合金粉末、Fe-Ni-Co基合金粉末、Fe-Cr基合金粉末、Fe-Cr-Si基合金粉末、Fe-Si-Cu-Nb基合金粉末、Fe-Ni-Cr基合金粉末和Fe-Cr-Al基合金粉末中的至少一种。在这种情况下，金属磁性材料可以是非晶体的或晶体的。例如，磁性金属粉末颗粒可以是Fe-Si-B-Cr基非晶合金粉末，但是本公开不限于此。铁氧体粉末和磁性金属粉末颗粒中的每者可具有约0.1μm至30μm的平均直径，但是本公开不限于此。
主体100可包括分散在绝缘树脂中的两种或更多种类型的磁性粉末颗粒。在这种情况下，术语“不同类型的磁性材料”意指分散在绝缘树脂中的磁性材料通过平均直径、组成、结晶度和形状中的一者而彼此区分。绝缘树脂可包括呈单一形式或呈组合形式的环氧树脂、聚酰亚胺、液晶聚合物等，但是本公开不限于此。
线圈部310和320设置在支撑基板200的至少一个表面上并且表示线圈组件的特性。例如，当本实施例的线圈组件1000用作功率电感器时，线圈部310和320可将电场存储为磁场以保持输出电压，并且因此，可稳定电子装置的功率。
参照图1和图2，第一线圈部310和第二线圈部320分别设置在支撑基板200的彼此相对的一个表面和另一表面上。第一线圈部310可设置在支撑基板200的一个表面上，并可与设置在支撑基板200的另一表面上的第二线圈部320相对。第一线圈部310和第二线圈部320可通过贯穿支撑基板200的过孔电极120彼此电连接。第一线圈部310和第二线圈部320中的每者可具有围绕贯通部110形成至少一匝的平面螺旋形状。作为示例，第一线圈部310可在支撑基板200的一个表面上围绕贯通部110的轴形成至少一匝。第一线圈部310和第二线圈部320中的每者的匝中的每匝可具有与支撑基板200接触的一个表面，以及与所述一个表面相对并且与支撑基板200间隔开的另一表面。
参照图1和图2，第一线圈部310和第二线圈部320以及将在下文中描述的第一外电极610和第二外电极620可分别通过设置在主体100中的第一线圈部310的端部3110和第二线圈部320的端部3210连接。例如，第一线圈部310的端部3110和第二线圈部320的端部3210可用作线圈组件1000的输入端子或输出端子。
第一线圈部310、第一线圈部310的端部3110和过孔电极120中的至少一者可包括至少一个导电层。作为示例，当第一线圈部310、第一线圈部310的端部3110和过孔电极120通过镀覆形成在支撑基板200的一个表面上时，第一线圈部310、第一线圈部310的端部3110和过孔电极120中的每者可包括种子层和镀层。种子层可通过无电镀法或诸如溅射等的气相沉积法形成。种子层整体沿着第一线圈部310的形状形成。种子层的厚度没有限制，但是种子层形成为比镀层薄。然后，镀层可设置在种子层上。作为非限制性示例，镀层可使用电镀形成。种子层和镀层中的每者可具有单层结构或多层结构。具有多层结构的镀层可形成为具有其中一个镀层被另一镀层覆盖的共形膜结构，或者可形成为具有其中一个镀层仅层压在另一镀层的一个表面上的形状。
第一线圈部310、第一线圈部310的端部3110和过孔电极120可一体地形成，使得在它们之间可不形成边界。然而，由于这仅仅是示例，因此在本公开的范围中不排除在不同步骤中形成上述构造以在它们之间形成边界的情况。在本实施例中，为了便于描述，对第一线圈部310和第一线圈部310的端部3110进行说明，但也可同样地应用于第二线圈部320和第二线圈部320的端部3210。
第一线圈部310、第一线圈部310的端部3110和过孔电极120中的每者的种子层和镀层可利用诸如铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、锡(Sn)、金(Au)、镍(Ni)、铅(Pb)、钛(Ti)、钼(Mo)或它们的合金的导电材料形成，但是本公开不限于此。
非磁性层400设置在贯通部110的下方。
参照图1和图2，支撑基板200和非磁性层400的厚度基本上相同。非磁性层400可从支撑基板200延伸。如将在下文中描述的，由于支撑基板200本身直接用作非磁性层400，因此考虑到本领域普通技术人员可识别的测量误差或公差，支撑基板200和非磁性层400的厚度可相同或基本上相同。例如，可通过使用光学显微镜测量CCL的截面的厚度来测量支撑基板200的厚度。此外，也可通过使用光学显微镜测量非磁性层400的截面的厚度来测量非磁性层400的厚度。支撑基板200的厚度可具有大于等于10μm至小于等于60μm的中值(median)。通过测量支撑基板200的厚度的最大值和最小值并计算最大值和最小值的中值来测量支撑基板200的厚度。非磁性层400的厚度也通过测量非磁性层400的厚度的最大值和最小值并计算最大值和最小值的中值来测量。
非磁性层400的材料没有必然限制，并且非磁性层400可包括从由味之素堆积膜(ABF，Ajinomoto Build-up Film)、聚合物、陶瓷材料、氧化铝(Al2O3)等组成的组中选择的一种。在一个示例中，非磁性层400可指没有磁性颗粒的部分或者可包括与主体100不同的组成。
在本实施例中，非磁性层400形成在贯通部110的下方。包括在线圈组件1000中的主体100包括磁性金属粉末颗粒。在某些情况下，可增加磁性粉末颗粒的饱和磁化值Ms或细颗粒的量以调节DC偏置特性。除了这样的情况之外，还需要通过将间隙结构(gapstructure)引入到贯通部110中来降低磁通饱和速度并调节DC偏置特性。因此，在本实施例中，期望通过将非磁性层400引入到贯通部110中的预定位置来调节DC偏置特性。另外，也可省略对设置在贯通部110的下方的支撑基板200的修整工艺，将支撑基板200本身用作非磁性层400a。结果，在使用根据现有技术的制造工艺本身的同时，可通过适当地增加组件的磁阻来实现目标DC偏置特性。
绝缘层500设置在非磁性层400与贯通部110之间。
参照图2，基于主体100的厚度方向Z，从支撑基板200的一个表面到第一线圈部310的上表面的距离T1大于从绝缘层500的设置在非磁性层400上的部分到第一线圈部310的上表面的距离t1。虽然未详细示出，但是基于主体100的厚度方向Z，从支撑基板200的另一表面到第二线圈部320的下表面的距离也大于从绝缘层500到第二线圈部320的下表面的距离。在本实施例中，从支撑基板200的一个表面到第一线圈部310的上表面的距离T1可通过使用光学显微镜测量第一线圈部310的截面的厚度来测量。第一线圈部310的厚度可通过测量第一线圈部310的最大值和最小值并计算最大值和最小值的中值来测量。另外，从绝缘层500到第一线圈部310的上表面的距离t1可通过使用光学显微镜测量绝缘层500的截面的厚度来测量。例如，距离t1被测量为通过从上述第一线圈部310的截面的厚度减去绝缘层500的截面的厚度而获得的值。绝缘层500的截面的厚度可通过测量绝缘层500的截面的厚度的最大值和最小值并计算最小值和最大值的中值来测量。在本实施例中，为了便于描述，已经给出了第一线圈部310的详细描述，但是第一线圈部310的描述可同样地应用于第二线圈部320。
绝缘层500沿着线圈部310和320的表面形成。也就是说，绝缘层500可沿着线圈部310和320的表面延伸。例如，绝缘层500可通过气相沉积等利用绝缘材料(诸如聚对二甲苯)形成。
在本实施例中，绝缘层500形成在非磁性层400的至少一个表面上以增加非磁性层400的厚度。由于组件的电阻随着非磁性层400的厚度增加而增加，因此磁通饱和速度可减小以改善DC偏置特性。另外，绝缘层500可一次性地形成在支撑基板200和非磁性层400上，因此，非磁性层400可设置在贯通部110上，而没有执行另外的工艺。
外电极610和620设置在主体100的外表面上，并且分别连接到线圈部310和320的端部3110和3210。参照图1和图2，第一外电极610设置在主体100的第二表面102上以连接到第一线圈部310的端部3110，第二外电极620设置在主体100的第一表面101上以连接到第二线圈部320的端部3210。
当根据本实施例的线圈组件1000安装在印刷电路板等上时，外电极610和620将线圈组件1000电连接到印刷电路板等。
外电极610和620可包括导电树脂层和电镀层中的至少一者。导电树脂层可通过在主体100的表面上印刷导电膏并固化印刷的导电膏来形成。导电膏可包括从由铜(Cu)、镍(Ni)和银(Ag)组成的组中选择的至少一种导电金属和热固性树脂。电镀层可包括从由镍(Ni)、铜(Cu)和锡(Sn)组成的组中选择的至少一种。在本实施例中，外电极610和620可包括第一层(未示出)和第二层(未示出)，第一层形成在主体100的表面上以与第一线圈部310的端部3110以及第二线圈部320的端部3210直接接触，第二层设置在第一层上。作为示例，第一层可以是镍(Ni)镀层，并且第二层可以是锡(Sn)镀层，但是本公开不限于此。
第二实施例
图3是根据第二实施例的线圈组件的示意图，并且图4是沿着图3中的线II-II'截取的截面图。
根据本实施例的线圈组件2000在形成非磁性层400的方法和非磁性层400的厚度方面与根据第一实施例的线圈组件1000不同。因此，将仅给出与第一实施例中的非磁性层400的形成方法和非磁性层400的厚度不同的非磁性层400的形成方法和非磁性层400的厚度的描述。第一实施例的描述可按原样同样地应用于本实施例的其他构造的描述。
在本实施例中，贯穿支撑基板200的中央部而形成通孔(未示出)。通孔(未示出)填充有将在下文中描述的主体100的磁性材料以形成贯通部110。
在本实施例中，非磁性层400的厚度小于支撑基板200的厚度。
参照图4，基于主体100的厚度方向Z，从支撑基板200的一个表面到第一线圈部310的上表面的距离t2小于从绝缘层500的设置在非磁性层400上的部分到第一线圈部310的上表面的距离T2。虽然未详细示出，但是基于主体100的厚度方向Z，从支撑基板200的另一表面到第二线圈部320的下表面的距离类似地小于从绝缘层500到第二线圈部320的下表面的距离。
在非磁性层400和支撑基板200之间可存在边界表面。在本实施例中，非磁性层400可形成为与支撑基板200区分开的附加层，使得具有比支撑基板200小的厚度的非磁性层400可被引入到贯通部110的下方。然而，本公开不限于此，可将支撑基板200本身用作非磁性层400，在这种情况下，可通过去除支撑基板400的将被用作非磁性层400的部分的一部分，而使非磁性层400的厚度小于支撑基板200的厚度。如第一实施例中描述的，非磁性层400可被引入到贯通部110中，使得组件的电阻可增加从而降低磁通量变化率并改善DC偏置特性。然而，由于主体100在整个组件中占据的面积与非磁性层400同样多地减小，因此电感会减小。因此，在本实施例中，具有比支撑基板200小的厚度的非磁性层400可设置在贯通部110的下方，从而实现目标DC偏置特性，同时显著地降低电感的减小。
第三实施例
图5是根据第三实施例的线圈组件的示意图，并且图6是沿着图5中的线III-III'截取的截面图。
根据本实施例的线圈组件3000与根据第一实施例的线圈组件1000在贯通部110的形状方面不同。因此，仅对与第一实施例不同的贯通部110的形状进行描述。第一实施例的描述可按原样同样地应用于本实施例的其他构造的描述。
在本实施例中，贯通部110的宽度W1和W2在朝向非磁性层400的方向上减小。
参照图6，贯通部110的最靠近非磁性层400的部分的宽度W2小于贯通部110的相对远离非磁性层400的部分的宽度W1。虽然未详细示出，但是基于主体100的厚度方向Z，从非磁性层400到线圈部310和320的上表面的距离在朝向非磁性层400的方向上减小。在本实施例中，贯通部110的宽度可通过使用光学显微镜测量贯通部110的截面的宽度来测量。贯通部110的宽度可通过测量贯通部110的宽度的最大值和最小值并计算最大值和最小值的中值来测量。贯通部110的宽度可指贯通部110在水平方向上(例如在如图6中所示的长度方向X上或在宽度方向Y上)的尺寸。
在本实施例中，在修整支撑基板200的工艺中，可调节加工深度、强度等，使得非磁性层400的厚度在朝向贯通部110的中央的方向上逐渐减小。可选地，也可使得非磁性层400的厚度在朝向贯通部110的中央的方向上逐渐减小，然后保持不变。例如，贯通部110具有贯通部110的宽度在朝向其下部的方向上减小的凹形形状。结果，在本实施例中，可实现目标DC偏置特性，同时显著地降低电感的减小。另外，非磁性层400可在按原样使用形成和处理支撑基板200的工艺的同时形成。
如上所述，根据本公开的线圈组件可在不改变主体的材料的情况下减小磁通饱和速度并且实现目标DC偏置特性。
尽管上面已经示出并描述了示例性实施例，但是对于本领域技术人员将明显的是，可在不脱离本公开的由所附权利要求限定的范围的情况下进行修改和改变。

Claims (15)

1.一种线圈组件，包括：
支撑基板；
线圈部，设置在所述支撑基板的至少一个表面上；
磁性主体，所述支撑基板和所述线圈部设置在所述磁性主体中，所述磁性主体具有贯穿所述线圈部的中央的贯通部；
非磁性层，设置在所述贯通部的下方；以及
绝缘层，设置在所述非磁性层与所述贯通部之间。
2.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，基于所述磁性主体的厚度方向，从所述支撑基板的所述至少一个表面到所述线圈部的上表面的距离大于从所述绝缘层到所述线圈部的所述上表面的距离。
3.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述支撑基板和所述非磁性层的厚度基本上相同。
4.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述绝缘层沿着所述线圈部的表面延伸。
5.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述绝缘层包括聚对二甲苯。
6.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述非磁性层的厚度小于所述支撑基板的厚度。
7.根据权利要求6所述的线圈组件，其中，基于所述磁性主体的厚度方向，从所述支撑基板的所述至少一个表面到所述线圈部的上表面的距离小于从所述绝缘层到所述线圈部的所述上表面的距离。
8.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述贯通部的宽度在朝向所述非磁性层的方向上减小。
9.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，在所述非磁性层与所述支撑基板之间设置有边界表面。
10.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述非磁性层包括味之素堆积膜、聚合物、陶瓷材料和氧化铝中的至少一种。
11.根据权利要求1所述的线圈组件，所述线圈组件还包括：
外电极，设置在所述磁性主体的外表面上以连接到所述线圈组件的端部。
12.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述非磁性层从所述支撑基板延伸。
13.根据权利要求12所述的线圈组件，其中，所述非磁性层和所述支撑基板包括相同的材料。
14.根据权利要求13所述的线圈组件，其中，所述线圈部的匝中的每匝具有与所述支撑基板接触的一个表面，以及与所述一个表面相对并且与所述支撑基板间隔开的另一表面。
15.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述线圈部包括设置在所述支撑基板的一个表面上的第一线圈部和设置在所述支撑基板的与所述一个表面相对的另一表面上的第二线圈部，所述贯通部包括贯穿所述第一线圈部的第一贯通部和贯穿所述第二线圈部的第二贯通部，所述非磁性层在所述磁性主体的厚度方向上设置在所述第一贯通部和所述第二贯通部之间，并且连接到所述支撑基板。
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