CN113593773B - 一种超大尺寸电容式触摸屏ito薄膜制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种超大尺寸电容式触摸屏ITO薄膜制备方法，包括以下份数的原材料：二乙基己酸铟30‑50份、四氧化锡20‑40份、有机盐20‑50份、成膜剂2‑8份、稳定剂2‑6份，包括以下步骤：S1：先将二乙基己酸铟、四氧化锡和有机盐各放置在一个容器中并进行加热；S2：然后将二乙基己酸铟、四氧化锡和有机盐产生的气体引流到一个反应室内；S3：在反应室内放置基板，气体在基板上成胶体；S4：然后在胶体上加入成膜剂和稳定剂制成ITO薄膜；S5：将基板上的ITO薄膜取出进行干燥处理；S6：最后对ITO薄膜进行退火处理，本发明通过在现有化学气相沉积法的基础上添加成膜剂和稳定剂，可与有效的提高使用化学气相沉积法生产出ITO薄膜的成膜性和稳定性。

Description

一种超大尺寸电容式触摸屏ITO薄膜制备方法
技术领域
本发明涉及ITO薄膜技术领域，尤其涉及一种超大尺寸电容式触摸屏ITO薄膜制备方法。
背景技术
ITO薄膜是一种n型半导体材料，具有高的导电率、高的可见光透过率、高的机械硬度和良好的化学稳定性。它是液晶显示器、等离子显示器、电致发光显示器、触摸屏、太阳能电池以及其他电子仪表的透明电极最常用的薄膜材料。
现有的ITO薄膜的制作方法有多种，分别为磁控溅射法、化学气相沉积法、喷雾分解法、凝胶法和水热法，当ITO薄膜采用化学气相沉积法时，ITO薄膜的成膜效果差，因此，我们提出一种大尺寸电容式触摸屏ITO薄膜制备方法，用于解决上述问题
发明内容
基于背景技术存在ITO薄膜采用化学气相沉积法时，ITO薄膜的成膜效果差的技术问题，本发明提出了一种超大尺寸电容式触摸屏ITO薄膜制备方法。
本发明提出的一种超大尺寸电容式触摸屏ITO薄膜制备方法，包括以下份数的原材料：二乙基己酸铟30-50份、四氧化锡20-40份、有机盐20-50份、成膜剂2-8份、稳定剂2-6份。
优选地，包括以下步骤：
S1：先将二乙基己酸铟、四氧化锡和有机盐各放置在一个容器中并进行加热；
S2：然后将二乙基己酸铟、四氧化锡和有机盐产生的气体引流到一个反应室内；
S3：在反应室内放置基板，气体在基板上成胶体；
S4：然后在胶体上加入成膜剂和稳定剂制成ITO薄膜；
S5：将基板上的ITO薄膜取出进行干燥处理；
S6：最后对ITO薄膜进行退火处理。
优选地，所述二乙基己酸铟与四氧化锡的比例为2:1.5。
优选地，S1步骤中二乙基己酸铟的容器温度为250-300摄氏度，四氧化锡的容器温度为300-350摄氏度，有机盐的容器温度为220-280摄氏度。
优选地，S3步骤中基板的具体材料为硼硅玻璃板，采用外置电炉加热，加热温度为380-420摄氏度。
优选地，S4步骤中成膜剂配比为1-4:2-5:4-8的丙烯酸酯、丙烯腈和丙烯酰胺混合制成，稳定剂配比为2-6:1-7:3-9的钙皂、季戊四醇和亚磷酸盐混合制成。
优选地，S5步骤中的干燥温度为180-280摄氏度，干燥处理时间为1.5-3小时。
优选地，S6步骤中的退火处理的温度为260-320摄氏度，退火处理的时间为8-10分钟，退火处理的方式为微波烧结，其处理过程中的保护气体为氢气。
本发明的有益效果：
1、成膜剂可有效的提高ITO薄膜和基板的黏附性以及感光层的光化学反应速度，有利于ITO薄膜在基板上形成固着的膜层；
2、通过添加稳定剂，稳定剂可有效的减慢反应,保持化学平衡,降低表面张力,防止光、热分解或氧化分解等作用；
本发明通过在现有化学气相沉积法的基础上添加成膜剂和稳定剂，可与有效的提高使用化学气相沉积法生产出ITO薄膜的成膜性和稳定性。
附图说明
图1为本发明提出的的工作流程图。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明作进一步解说。
实施例一
本实施例中提出了一种超大尺寸电容式触摸屏ITO薄膜制备方法，包括以下份数的原材料：二乙基己酸铟35份、四氧化锡26份、有机盐30份、成膜剂6份、稳定剂4份。
包括以下步骤：
S1：先将二乙基己酸铟、四氧化锡和有机盐各放置在一个容器中并进行加热，二乙基己酸铟与四氧化锡的比例为2:1.5，二乙基己酸铟的容器温度为280摄氏度，四氧化锡的容器温度为320摄氏度，有机盐的容器温度为260摄氏度；
S2：然后将二乙基己酸铟、四氧化锡和有机盐产生的气体引流到一个反应室内；
S3：在反应室内放置基板，气体在基板上成胶体，基板的具体材料为硼硅玻璃板，采用外置电炉加热，加热温度为380-420摄氏度；
S4：然后在胶体上加入成膜剂和稳定剂制成ITO薄膜，成膜剂配比为3:4:6的丙烯酸酯、丙烯腈和丙烯酰胺混合制成，稳定剂配比为4:5:6的钙皂、季戊四醇和亚磷酸盐混合制成；
S5：将基板上的ITO薄膜取出进行干燥处理，干燥温度为200摄氏度，干燥处理时间为2小时；
S6：最后对ITO薄膜进行退火处理，退火处理的温度为270摄氏度，退火处理的时间为9分钟，退火处理的方式为微波烧结，其处理过程中的保护气体为氢气。
实施例二
本实施例中提出了一种超大尺寸电容式触摸屏ITO薄膜制备方法，包括以下份数的原材料：二乙基己酸铟40份、四氧化锡35份、有机盐28份、成膜剂6份、稳定剂7份。
包括以下步骤：
S1：先将二乙基己酸铟、四氧化锡和有机盐各放置在一个容器中并进行加热，二乙基己酸铟与四氧化锡的比例为2:1.5，二乙基己酸铟的容器温度为270摄氏度，四氧化锡的容器温度为340摄氏度，有机盐的容器温度为260摄氏度；
S2：然后将二乙基己酸铟、四氧化锡和有机盐产生的气体引流到一个反应室内；
S3：在反应室内放置基板，气体在基板上成胶体，基板的具体材料为硼硅玻璃板，采用外置电炉加热，加热温度为400摄氏度；
S4：然后在胶体上加入成膜剂和稳定剂制成ITO薄膜，成膜剂配比为3:4:6的丙烯酸酯、丙烯腈和丙烯酰胺混合制成，稳定剂配比为5:6:7的钙皂、季戊四醇和亚磷酸盐混合制成；
S5：将基板上的ITO薄膜取出进行干燥处理，干燥温度为260摄氏度，干燥处理时间为2.5小时；
S6：最后对ITO薄膜进行退火处理，退火处理的温度为280摄氏度，退火处理的时间为10分钟，退火处理的方式为微波烧结，其处理过程中的保护气体为氢气。
实施例三
本实施例中提出了一种超大尺寸电容式触摸屏ITO薄膜制备方法，包括以下份数的原材料：二乙基己酸铟30份、四氧化锡23份、有机盐32份、成膜剂6份、稳定剂5份。
包括以下步骤：
S1：先将二乙基己酸铟、四氧化锡和有机盐各放置在一个容器中并进行加热，二乙基己酸铟与四氧化锡的比例为2:1.5，二乙基己酸铟的容器温度为260摄氏度，四氧化锡的容器温度为320摄氏度，有机盐的容器温度为260摄氏度；
S2：然后将二乙基己酸铟、四氧化锡和有机盐产生的气体引流到一个反应室内；
S3：在反应室内放置基板，气体在基板上成胶体，基板的具体材料为硼硅玻璃板，采用外置电炉加热，加热温度为410摄氏度；
S4：然后在胶体上加入成膜剂和稳定剂制成ITO薄膜，成膜剂配比为2:5:7的丙烯酸酯、丙烯腈和丙烯酰胺混合制成，稳定剂配比为5:3:6的钙皂、季戊四醇和亚磷酸盐混合制成；
S5：将基板上的ITO薄膜取出进行干燥处理，干燥温度为240摄氏度，干燥处理时间为2小时；
S6：最后对ITO薄膜进行退火处理，退火处理的温度为300摄氏度，退火处理的时间为8分钟，退火处理的方式为微波烧结，其处理过程中的保护气体为氢气。
实施例四
本实施例中提出了一种超大尺寸电容式触摸屏ITO薄膜制备方法，包括以下份数的原材料：二乙基己酸铟45份、四氧化锡34份、有机盐35份、成膜剂3份、稳定剂4份。
包括以下步骤：
S1：先将二乙基己酸铟、四氧化锡和有机盐各放置在一个容器中并进行加热，二乙基己酸铟与四氧化锡的比例为2:1.5，二乙基己酸铟的容器温度为260摄氏度，四氧化锡的容器温度为300-350摄氏度，有机盐的容器温度为240摄氏度；
S2：然后将二乙基己酸铟、四氧化锡和有机盐产生的气体引流到一个反应室内；
S3：在反应室内放置基板，气体在基板上成胶体，基板的具体材料为硼硅玻璃板，采用外置电炉加热，加热温度为185摄氏度；
S4：然后在胶体上加入成膜剂和稳定剂制成ITO薄膜，成膜剂配比为2:2:4的丙烯酸酯、丙烯腈和丙烯酰胺混合制成，稳定剂配比为6:5:8的钙皂、季戊四醇和亚磷酸盐混合制成；
S5：将基板上的ITO薄膜取出进行干燥处理，干燥温度为260摄氏度，干燥处理时间为2.5小时；
S6：最后对ITO薄膜进行退火处理，退火处理的温度为300摄氏度，退火处理的时间为8分钟，退火处理的方式为微波烧结，其处理过程中的保护气体为氢气。
实施例五
本实施例中提出了一种超大尺寸电容式触摸屏ITO薄膜制备方法，包括以下份数的原材料：二乙基己酸铟45份、四氧化锡35份、有机盐30份、成膜剂6份、稳定剂4份。
包括以下步骤：
S1：先将二乙基己酸铟、四氧化锡和有机盐各放置在一个容器中并进行加热，二乙基己酸铟与四氧化锡的比例为2:1.5，二乙基己酸铟的容器温度为270摄氏度，四氧化锡的容器温度为320摄氏度，有机盐的容器温度为270摄氏度；
S2：然后将二乙基己酸铟、四氧化锡和有机盐产生的气体引流到一个反应室内；
S3：在反应室内放置基板，气体在基板上成胶体，基板的具体材料为硼硅玻璃板，采用外置电炉加热，加热温度为410摄氏度；
S4：然后在胶体上加入成膜剂和稳定剂制成ITO薄膜，成膜剂配比为3:4:6的丙烯酸酯、丙烯腈和丙烯酰胺混合制成，稳定剂配比为2-6:1-7:3-9的钙皂、季戊四醇和亚磷酸盐混合制成；
S5：将基板上的ITO薄膜取出进行干燥处理，干燥温度为190摄氏度，干燥处理时间为1.5小时；
S6：最后对ITO薄膜进行退火处理，退火处理的温度为300摄氏度，退火处理的时间为9分钟，退火处理的方式为微波烧结，其处理过程中的保护气体为氢气。
对比常规的ITO薄膜与实施例一至五制得的ITO薄膜，实施例一至五制得的ITO薄膜如下表：
实施例 一 二 三 四 五
成膜率 99.2％ 98.9％ 99.5％ 99.4％ 99.6％
透光率 93.4％ 93.2％ 92.8％ 92.4％ 94.2％
由上述表格可知，本发明提出的一种超大尺寸电容式触摸屏ITO薄膜制备方法具有明显提高，且实施五为最佳实施例。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种超大尺寸电容式触摸屏ITO薄膜制备方法，其特征在于，包括以下份数的原材料：二乙基己酸铟30-50份、四氧化锡20-40份、有机盐20-50份、成膜剂2-8份、稳定剂2-6份。
2.根据权利要求1所述的一种超大尺寸电容式触摸屏ITO薄膜制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：先将二乙基己酸铟、四氧化锡和有机盐各放置在一个容器中并进行加热；
S2：然后将二乙基己酸铟、四氧化锡和有机盐产生的气体引流到一个反应室内；
S3：在反应室内放置基板，气体在基板上成胶体；
S4：然后在胶体上加入成膜剂和稳定剂制成ITO薄膜；
S5：将基板上的ITO薄膜取出进行干燥处理；
S6：最后对ITO薄膜进行退火处理。
3.根据权利要求1所述的一种超大尺寸电容式触摸屏ITO薄膜制备方法，其特征在于，所述二乙基己酸铟与四氧化锡的比例为2:1.5。
4.根据权利要求2所述的一种超大尺寸电容式触摸屏ITO薄膜制备方法，其特征在于，S1步骤中二乙基己酸铟的容器温度为250-300摄氏度，四氧化锡的容器温度为300-350摄氏度，有机盐的容器温度为220-280摄氏度。
5.根据权利要求2所述的一种超大尺寸电容式触摸屏ITO薄膜制备方法，其特征在于，S3步骤中基板的具体材料为硼硅玻璃板，采用外置电炉加热，加热温度为380-420摄氏度。
6.根据权利要求2所述的一种超大尺寸电容式触摸屏ITO薄膜制备方法，其特征在于，S4步骤中成膜剂配比为1-4:2-5:4-8的丙烯酸酯、丙烯腈和丙烯酰胺混合制成，稳定剂配比为2-6:1-7:3-9的钙皂、季戊四醇和亚磷酸盐混合制成。
7.根据权利要求2所述的一种超大尺寸电容式触摸屏ITO薄膜制备方法，其特征在于，S5步骤中的干燥温度为180-280摄氏度，干燥处理时间为1.5-3小时。
8.根据权利要求2所述的一种超大尺寸电容式触摸屏ITO薄膜制备方法，其特征在于，S6步骤中的退火处理的温度为260-320摄氏度，退火处理的时间为8-10分钟，退火处理的方式为微波烧结，其处理过程中的保护气体为氢气。
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