CN113593773A - 一种超大尺寸电容式触摸屏ito薄膜制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种超大尺寸电容式触摸屏ITO薄膜制备方法,包括以下份数的原材料:二乙基已酸铟30‑50份、四氧化锡20‑40份、有机盐20‑50份、成膜剂2‑8份、稳定剂2‑6份,包括以下步骤:S1:先将二乙基已酸铟、四氧化锡和有机盐各放置在一个容器中并进行加热;S2:然后将二乙基已酸铟、四氧化锡和有机盐产生的气体引流到一个反应室内;S3:在反应室内放置基板,气体在基板上成胶体;S4:然后在胶体上加入成膜剂和稳定剂制成ITO薄膜;S5:将基板上的ITO薄膜取出进行干燥处理;S6:最后对ITO薄膜进行退火处理,本发明通过在现有化学气相沉积法的基础上添加成膜剂和稳定剂,可与有效的提高使用化学气相沉积法生产出ITO薄膜的成膜性和稳定性。
Description
技术领域
本发明涉及ITO薄膜技术领域,尤其涉及一种超大尺寸电容式触摸屏ITO薄膜制备方法。
背景技术
ITO薄膜是一种n型半导体材料,具有高的导电率、高的可见光透过率、高的机械硬度和良好的化学稳定性。它是液晶显示器、等离子显示器、电致发光显示器、触摸屏、太阳能电池以及其他电子仪表的透明电极最常用的薄膜材料。
现有的ITO薄膜的制作方法有多种,分别为磁控溅射法、化学气相沉积法、喷雾分解法、凝胶法和水热法,当ITO薄膜采用化学气相沉积法时,ITO薄膜的成膜效果差,因此,我们提出一种大尺寸电容式触摸屏ITO薄膜制备方法,用于解决上述问题。
发明内容
基于背景技术存在ITO薄膜采用化学气相沉积法时,ITO薄膜的成膜效果差的技术问题,本发明提出了一种超大尺寸电容式触摸屏ITO薄膜制备方法。
本发明提出的一种超大尺寸电容式触摸屏ITO薄膜制备方法,包括以下份数的原材料:二乙基已酸铟30-50份、四氧化锡20-40份、有机盐20-50份、成膜剂2-8份、稳定剂2-6份。
优选地,包括以下步骤:
S1:先将二乙基已酸铟、四氧化锡和有机盐各放置在一个容器中并进行加热;
S2:然后将二乙基已酸铟、四氧化锡和有机盐产生的气体引流到一个反应室内;
S3:在反应室内放置基板,气体在基板上成胶体;
S4:然后在胶体上加入成膜剂和稳定剂制成ITO薄膜;
S5:将基板上的ITO薄膜取出进行干燥处理;
S6:最后对ITO薄膜进行退火处理。
优选地,所述二乙基已酸铟与四氧化锡的比例为2:1.5。
优选地,S1步骤中二乙基已酸铟的容器温度为250-300摄氏度,四氧化锡的容器温度为300-350摄氏度,有机盐的容器温度为220-280摄氏度。
优选地,S3步骤中基板的具体材料为硼硅玻璃板,采用外置电炉加热,加热温度为380-420摄氏度。
优选地,S4步骤中成膜剂配比为1-4:2-5:4-8的丙烯酸酯、丙烯腈和丙烯酰胺混合制成,稳定剂配比为2-6:1-7:3-9的钙皂、季戊四醇和亚磷酸盐混合制成。
优选地,S5步骤中的干燥温度为180-280摄氏度,干燥处理时间为1.5-3小时。
优选地,S6步骤中的退火处理的温度为260-320摄氏度,退火处理的时间为8-10分钟,退火处理的方式为微波烧结,其处理过程中的保护气体为氢气。
本发明的有益效果:
1、成膜剂可有效的提高ITO薄膜和基板的黏附性以及感光层的光化学反应速度,有利于ITO薄膜在基板上形成固着的膜层;
2、通过添加稳定剂,稳定剂可有效的减慢反应,保持化学平衡,降低表面张力,防止光、热分解或氧化分解等作用;
本发明通过在现有化学气相沉积法的基础上添加成膜剂和稳定剂,可与有效的提高使用化学气相沉积法生产出ITO薄膜的成膜性和稳定性。
附图说明
图1为本发明提出的的工作流程图。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明作进一步解说。
实施例一
本实施例中提出了一种超大尺寸电容式触摸屏ITO薄膜制备方法,包括以下份数的原材料:二乙基已酸铟35份、四氧化锡26份、有机盐30份、成膜剂6份、稳定剂4份。
包括以下步骤:
S1:先将二乙基已酸铟、四氧化锡和有机盐各放置在一个容器中并进行加热,二乙基已酸铟与四氧化锡的比例为2:1.5,二乙基已酸铟的容器温度为280摄氏度,四氧化锡的容器温度为320摄氏度,有机盐的容器温度为260摄氏度;
S2:然后将二乙基已酸铟、四氧化锡和有机盐产生的气体引流到一个反应室内;
S3:在反应室内放置基板,气体在基板上成胶体,基板的具体材料为硼硅玻璃板,采用外置电炉加热,加热温度为380-420摄氏度;
S4:然后在胶体上加入成膜剂和稳定剂制成ITO薄膜,成膜剂配比为3:4:6的丙烯酸酯、丙烯腈和丙烯酰胺混合制成,稳定剂配比为4:5:6的钙皂、季戊四醇和亚磷酸盐混合制成;
S5:将基板上的ITO薄膜取出进行干燥处理,干燥温度为200摄氏度,干燥处理时间为2小时;
S6:最后对ITO薄膜进行退火处理,退火处理的温度为270摄氏度,退火处理的时间为9分钟,退火处理的方式为微波烧结,其处理过程中的保护气体为氢气。
实施例二
本实施例中提出了一种超大尺寸电容式触摸屏ITO薄膜制备方法,包括以下份数的原材料:二乙基已酸铟40份、四氧化锡35份、有机盐28份、成膜剂6份、稳定剂7份。
包括以下步骤:
S1:先将二乙基已酸铟、四氧化锡和有机盐各放置在一个容器中并进行加热,二乙基已酸铟与四氧化锡的比例为2:1.5,二乙基已酸铟的容器温度为270摄氏度,四氧化锡的容器温度为340摄氏度,有机盐的容器温度为260摄氏度;
S2:然后将二乙基已酸铟、四氧化锡和有机盐产生的气体引流到一个反应室内;
S3:在反应室内放置基板,气体在基板上成胶体,基板的具体材料为硼硅玻璃板,采用外置电炉加热,加热温度为400摄氏度;
S4:然后在胶体上加入成膜剂和稳定剂制成ITO薄膜,成膜剂配比为3:4:6的丙烯酸酯、丙烯腈和丙烯酰胺混合制成,稳定剂配比为5:6:7的钙皂、季戊四醇和亚磷酸盐混合制成;
S5:将基板上的ITO薄膜取出进行干燥处理,干燥温度为260摄氏度,干燥处理时间为2.5小时;
S6:最后对ITO薄膜进行退火处理,退火处理的温度为280摄氏度,退火处理的时间为10分钟,退火处理的方式为微波烧结,其处理过程中的保护气体为氢气。
实施例三
本实施例中提出了一种超大尺寸电容式触摸屏ITO薄膜制备方法,包括以下份数的原材料:二乙基已酸铟30份、四氧化锡23份、有机盐32份、成膜剂6份、稳定剂5份。
包括以下步骤:
S1:先将二乙基已酸铟、四氧化锡和有机盐各放置在一个容器中并进行加热,二乙基已酸铟与四氧化锡的比例为2:1.5,二乙基已酸铟的容器温度为260摄氏度,四氧化锡的容器温度为320摄氏度,有机盐的容器温度为260摄氏度;
S2:然后将二乙基已酸铟、四氧化锡和有机盐产生的气体引流到一个反应室内;
S3:在反应室内放置基板,气体在基板上成胶体,基板的具体材料为硼硅玻璃板,采用外置电炉加热,加热温度为410摄氏度;
S4:然后在胶体上加入成膜剂和稳定剂制成ITO薄膜,成膜剂配比为2:5:7的丙烯酸酯、丙烯腈和丙烯酰胺混合制成,稳定剂配比为5:3:6的钙皂、季戊四醇和亚磷酸盐混合制成;
S5:将基板上的ITO薄膜取出进行干燥处理,干燥温度为240摄氏度,干燥处理时间为2小时;
S6:最后对ITO薄膜进行退火处理,退火处理的温度为300摄氏度,退火处理的时间为8分钟,退火处理的方式为微波烧结,其处理过程中的保护气体为氢气。
实施例四
本实施例中提出了一种超大尺寸电容式触摸屏ITO薄膜制备方法,包括以下份数的原材料:二乙基已酸铟45份、四氧化锡34份、有机盐35份、成膜剂3份、稳定剂4份。
包括以下步骤:
S1:先将二乙基已酸铟、四氧化锡和有机盐各放置在一个容器中并进行加热,二乙基已酸铟与四氧化锡的比例为2:1.5,二乙基已酸铟的容器温度为260摄氏度,四氧化锡的容器温度为300-350摄氏度,有机盐的容器温度为240摄氏度;
S2:然后将二乙基已酸铟、四氧化锡和有机盐产生的气体引流到一个反应室内;
S3:在反应室内放置基板,气体在基板上成胶体,基板的具体材料为硼硅玻璃板,采用外置电炉加热,加热温度为185摄氏度;
S4:然后在胶体上加入成膜剂和稳定剂制成ITO薄膜,成膜剂配比为2:2:4的丙烯酸酯、丙烯腈和丙烯酰胺混合制成,稳定剂配比为6:5:8的钙皂、季戊四醇和亚磷酸盐混合制成;
S5:将基板上的ITO薄膜取出进行干燥处理,干燥温度为260摄氏度,干燥处理时间为2.5小时;
S6:最后对ITO薄膜进行退火处理,退火处理的温度为300摄氏度,退火处理的时间为8分钟,退火处理的方式为微波烧结,其处理过程中的保护气体为氢气。
实施例五
本实施例中提出了一种超大尺寸电容式触摸屏ITO薄膜制备方法,包括以下份数的原材料:二乙基已酸铟45份、四氧化锡35份、有机盐30份、成膜剂6份、稳定剂4份。
包括以下步骤:
S1:先将二乙基已酸铟、四氧化锡和有机盐各放置在一个容器中并进行加热,二乙基已酸铟与四氧化锡的比例为2:1.5,二乙基已酸铟的容器温度为270摄氏度,四氧化锡的容器温度为320摄氏度,有机盐的容器温度为270摄氏度;
S2:然后将二乙基已酸铟、四氧化锡和有机盐产生的气体引流到一个反应室内;
S3:在反应室内放置基板,气体在基板上成胶体,基板的具体材料为硼硅玻璃板,采用外置电炉加热,加热温度为410摄氏度;
S4:然后在胶体上加入成膜剂和稳定剂制成ITO薄膜,成膜剂配比为3:4:6的丙烯酸酯、丙烯腈和丙烯酰胺混合制成,稳定剂配比为2-6:1-7:3-9的钙皂、季戊四醇和亚磷酸盐混合制成;
S5:将基板上的ITO薄膜取出进行干燥处理,干燥温度为190摄氏度,干燥处理时间为1.5小时;
S6:最后对ITO薄膜进行退火处理,退火处理的温度为300摄氏度,退火处理的时间为9分钟,退火处理的方式为微波烧结,其处理过程中的保护气体为氢气。
对比常规的ITO薄膜与实施例一至五制得的ITO薄膜,实施例一至五制得的ITO薄膜如下表:
实施例 | 一 | 二 | 三 | 四 | 五 |
成膜率 | 99.2% | 98.9% | 99.5% | 99.4% | 99.6% |
透光率 | 93.4% | 93.2% | 92.8% | 92.4% | 94.2% |
由上述表格可知,本发明提出的一种超大尺寸电容式触摸屏ITO薄膜制备方法具有明显提高,且实施五为最佳实施例。
以上所述,仅为本发明较佳的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变,都应涵盖在本发明的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种超大尺寸电容式触摸屏ITO薄膜制备方法,其特征在于,包括以下份数的原材料:二乙基已酸铟30-50份、四氧化锡20-40份、有机盐20-50份、成膜剂2-8份、稳定剂2-6份。
2.根据权利要求1所述的一种超大尺寸电容式触摸屏ITO薄膜制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1:先将二乙基已酸铟、四氧化锡和有机盐各放置在一个容器中并进行加热;
S2:然后将二乙基已酸铟、四氧化锡和有机盐产生的气体引流到一个反应室内;
S3:在反应室内放置基板,气体在基板上成胶体;
S4:然后在胶体上加入成膜剂和稳定剂制成ITO薄膜;
S5:将基板上的ITO薄膜取出进行干燥处理;
S6:最后对ITO薄膜进行退火处理。
3.根据权利要求1所述的一种超大尺寸电容式触摸屏ITO薄膜制备方法,其特征在于,所述二乙基已酸铟与四氧化锡的比例为2:1.5。
4.根据权利要求1所述的一种超大尺寸电容式触摸屏ITO薄膜制备方法,其特征在于,S1步骤中二乙基已酸铟的容器温度为250-300摄氏度,四氧化锡的容器温度为300-350摄氏度,有机盐的容器温度为220-280摄氏度。
5.根据权利要求1所述的一种超大尺寸电容式触摸屏ITO薄膜制备方法,其特征在于,S3步骤中基板的具体材料为硼硅玻璃板,采用外置电炉加热,加热温度为380-420摄氏度。
6.根据权利要求1所述的一种超大尺寸电容式触摸屏ITO薄膜制备方法,其特征在于,S4步骤中成膜剂配比为1-4:2-5:4-8的丙烯酸酯、丙烯腈和丙烯酰胺混合制成,稳定剂配比为2-6:1-7:3-9的钙皂、季戊四醇和亚磷酸盐混合制成。
7.根据权利要求1所述的一种超大尺寸电容式触摸屏ITO薄膜制备方法,其特征在于,S5步骤中的干燥温度为180-280摄氏度,干燥处理时间为1.5-3小时。
8.根据权利要求1所述的一种超大尺寸电容式触摸屏ITO薄膜制备方法,其特征在于,S6步骤中的退火处理的温度为260-320摄氏度,退火处理的时间为8-10分钟,退火处理的方式为微波烧结,其处理过程中的保护气体为氢气。
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