CN113555299A - 基板处理装置和液体供应方法 - Google Patents

基板处理装置和液体供应方法 Download PDF

Info

Publication number
CN113555299A
CN113555299A CN202110449834.0A CN202110449834A CN113555299A CN 113555299 A CN113555299 A CN 113555299A CN 202110449834 A CN202110449834 A CN 202110449834A CN 113555299 A CN113555299 A CN 113555299A
Authority
CN
China
Prior art keywords
liquid
temperature
heater
substrate
processing apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202110449834.0A
Other languages
English (en)
Inventor
洪榕焄
李瑟
田明娥
崔文植
金荣洙
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semes Co Ltd
Original Assignee
Semes Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semes Co Ltd filed Critical Semes Co Ltd
Publication of CN113555299A publication Critical patent/CN113555299A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D35/00—Filtering devices having features not specifically covered by groups B01D24/00 - B01D33/00, or for applications not specifically covered by groups B01D24/00 - B01D33/00; Auxiliary devices for filtration; Filter housing constructions
    • B01D35/02—Filters adapted for location in special places, e.g. pipe-lines, pumps, stop-cocks
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B13/00—Accessories or details of general applicability for machines or apparatus for cleaning
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02282—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/2636—Bombardment with radiation with high-energy radiation for heating, e.g. electron beam heating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

本发明涉及基板处理装置和液体供应方法。本发明构思提供基板处理装置。在实施方式中，基板处理装置包括：壳体，该壳体具有用于在该壳体的内部中处理基板的处理空间；支承单元，该支承单元在该处理空间中支承该基板；喷嘴，该喷嘴将液体供应到位于该支承单元上的基板；液体供应单元，该液体供应单元将液体供应到该喷嘴；以及控制器，该控制器控制该液体供应单元，该液体供应单元包括：罐，该罐具有用于存储液体的内部空间；以及第一循环管线，该第一循环管线使存储在内部空间中的液体循环，第一加热器安装在该第一循环管线中，并且该控制器控制第一加热器，使得该第一加热器将液体加热到第一温度，在该第一温度下在液体的内部中的颗粒不被洗脱。

Description

基板处理装置和液体供应方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年4月24日提交韩国知识产权局、申请号为10-2020-0050040的韩国专利申请的优先权和权益，其全部内容通过引用结合在本申请中。
技术领域
本发明构思涉及一种用于供应液体到基板的基板处理装置以及液体供应方法。
背景技术
基板的表面上的诸如颗粒、有机污染物和金属污染物的污染物极大地影响半导体装置的特性和良率。基于此，去除附接到基板的表面的各种污染物的清洁工艺非常重要，并且在用于制造半导体的单元工艺之前和之后执行清洁基板的工艺。
通常，清洁基板的工艺包括通过使用诸如化学物质的处理液去除残留在基板上的金属物质、有机物质和颗粒的化学处理工艺、通过使用纯水去除残留在基板上的化学物质的冲洗工艺、以及通过使用氮气干燥基板的干燥工艺。
在将诸如化学物质或冲洗液的处理液供应到基板上的处理工艺中，液体供应单元将处理液提供至喷嘴单元。通常，液体供应单元包括：储存处理液的罐；供应管线，所述供应管线将来自罐的内部空间的处理液提供至喷嘴单元；以及回收管线，所述回收管线在基板处理之后将处理液回收到罐的内部空间。
然而，当处理液被加热到处理温度以用处理液处理基板时，在液体的温度为特定温度或更高时在管道、加热器和阀等中产生颗粒。在管道等中产生的颗粒漂浮在处理液的内部中。过滤器设置在供应管线等中，以在漂浮在处理液内部中的颗粒被供应至喷嘴之前将这些颗粒过滤掉。然而，随着连续地产生颗粒，颗粒会积聚在过滤器中，从而缩短过滤器的使用寿命，并且在管道中造成压力损失。
由于在诸如管道内壁的高温环境下在处理液的内部中产生颗粒，因此加热处理液的加热器与将处理液供应到基板中的喷嘴之间的距离变长，管道中会产生大量颗粒。
发明内容
本发明构思的实施方式提供使液体供应单元中的颗粒产生最小化的基板处理装置以及液体供应方法。
本发明构思的实施方式还提供增加提供在液体供应单元中的过滤器的寿命的基板处理装置和液体供应方法。
本发明构思的实施方式还提供使在液体供应单元中提供为被处理材料的液体的压力损失最小化的基板处理装置和液体供应方法。
本发明构思要解决的问题不限于上述问题，并且本发明构思所属的本领域技术人员将从说明书和所附图中清楚地理解未提及的问题。
本发明构思提供基板处理装置。基板处理装置包括：壳体，所述壳体具有用于在壳体的内部中处理基板的处理空间；支承单元，所述支承单元在处理空间中支承基板；喷嘴，所述喷嘴将液体供应到位于支承单元上的基板；液体供应单元，所述液体供应单元配置为将液体供应到喷嘴；以及控制器，所述控制器控制液体供应单元，其中，所述液体供应单元包括：罐，所述罐具有用于存储所述液体的内部空间；以及第一循环管线，所述第一循环管线使存储在内部空间中的液体循环，并且第一加热器安装在所述第一循环管线中；出口管线，所述出口管线从第一循环管线分支，以将液体供应到喷嘴；以及回收管线，所述回收管线从出口管线分支，以将液体回收到罐的内部空间，并且其中，所述控制器控制第一加热器，使得第一加热器将液体加热到第一温度，在第一温度下在液体的内部中的颗粒不被洗脱。
在实施方式中，第一过滤器可以安装在第一循环管线中、在第一加热器的下游侧上，以与第一加热器相邻。
在实施方式中，液体供应单元还可以包括第二循环管线，在所述第二循环管线中第一过滤器安装在从第一循环管线分支的分支点处，并且所述第二循环管线使存储在内部空间中的液体循环。
在实施方式中，出口管线可以包括加热部件，所述加热部件邻近喷嘴提供并且第二加热器安装在加热部件中，控制器可以控制第二加热器使得第二加热器将液体加热到第二温度，在所述第二温度下液体加热基板，并且第二温度可以高于第一温度。
在实施方式中，第二过滤器可以安装在加热部件中、在第二加热器的下游侧上，以与第二加热器相邻。
在实施方式中，加热部件可以包括管道，液体通过所述管道来流动；以及管，所述管围绕所述管道，并且其中加热液在所述管的内部中流动，并且第二加热器可以配置为加热加热液。
在实施方式中，管道可以包括在加热部件的一端处提供的第一侧部件、在加热部件的相对端处提供的第二侧部件、以及连接第一侧部件和第二侧部件的多个连接管件，并且连接管件的直径小于第一侧部件的直径和第二侧部件的直径。
在实施方式中，第二加热器可以配置为将加热液加热到第三温度，并且第三温度可以高于第二温度。
在实施方式中，基板处理装置可以包括：壳体，所述壳体具有用于在壳体的内部中处理基板的处理空间；支承单元，所述支承单元在处理空间中支承基板；喷嘴，所述喷嘴将液体供应到位于支承单元上的基板；以及液体供应单元，所述液体供应单元将液体供应到喷嘴；以及控制器，所述控制器控制液体供应单元，其中，液体供应单元包括：罐，所述罐具有用于存储液体的内部空间；以及第一循环管线，所述第一循环管线使存储在内部空间中的液体循环，并且第一加热器安装在所述第一循环管线中；以及出口管线，所述出口管线从第一循环管线分支以将液体供应到喷嘴；以及回收管线，所述回收管线从出口管线分支以将液体回收到罐的内部空间，其中，出口管线包括邻近喷嘴提供的加热部件，并且第二加热器安装在所述出口管线中，其中，控制器控制第一加热器和第二加热器，使得第一加热器将液体加热到第一温度并且第二加热器将液体加热到第二温度，并且其中，第二温度高于第一温度。
在实施方式中，第一温度可以是室温至70℃。
在实施方式中，第二温度可以是70℃至90℃。
在实施方式中，第一过滤器可以安装在出口管线中、在第一加热器的下游侧上，以与第一加热器相邻。
在实施方式中，第二过滤器可以安装在加热部件中、在第二加热器的下游侧上，以与第二加热器相邻。
在实施方式中，加热部件可以包括：管道，液体通过所述管道来流动；以及管，所述管围绕所述管道，并且其中加热液在所述管的内部中流动，并且第二加热器可以配置为加热加热液。
在实施方式中，管道可以包括在加热部件的一端处提供的第一侧部件、在加热部件的相对端处提供的第二侧部件、以及连接第一侧部件和第二侧部件的多个连接管件，并且连接管件的直径小于第一侧部件的直径和第二侧部件的直径。
在实施方式中，第二加热器可以将加热液加热到第三温度，并且第三温度可以高于第二温度。
在实施方式中，液体可以是异丙醇(IPA)。
本发明构思提供液体供应方法。液体供应方法包括在液体供应到喷嘴之前在第一温度下使液体循环的循环操作和在循环操作之后将液体供应到喷嘴的供应操作，其中，在循环操作中，液体被加热到第一温度，在所述第一温度下液体的内部中的颗粒不被洗脱。
在实施方式中，在供应操作中，液体可以被加热到第二温度，并且第二温度可以高于第一温度。
在实施方式中，第二温度可以是使用液体处理基板的工艺温度。
附图说明
参照以下附图，上述和其他目的及特征将从以下描述中变得显而易见，其中除非另有说明，否则贯穿各个附图，相同的附图标记指代相同的部件，且其中：
图1是示意性地示出提供有根据本发明构思的实施方式的基板处理装置的基板处理设备的实施例的主视图；
图2是示出在图1的工艺室中提供的基板处理装置的实施例的剖视图；
图3是示意性地示出根据本发明构思的实施方式的液体供应单元的状态的视图；
图4和图5是示出根据本发明构思的实施方式的加热部件的状态的剖视图；
图6是示出根据本发明构思的实施方式的液体供应方法的流程图的视图；以及
图7和图8是依次示出根据本发明构思的实施方式的液体供应方法的视图。
具体实施方式
以下，将参考附图对本发明构思的示例性实施方式进行更加详细的描述。本发明构思的实施方式可以以不同的方式进行修改，并且本发明构思的范围不应该被解释为限于以下实施方式。提供本发明构思的实施方式是为了向本领域的技术人员更完整地描述本发明构思。因此，夸大了附图组件的形状以强调其更清楚的描述。
图1是示意性地示出根据本发明构思的基板处理系统1的平面图。参照图1，基板处理系统1具有索引模块10和工艺处理模块20，并且索引模块10具有多个装载口120和进给框架140。装载口120、进给框架140和工艺处理模块20可以顺序地布置成一排。在下文中，布置装载口120、进给框架140和工艺处理模块20的方向将称为第一方向12。当从顶部观察时垂直于第一方向12的方向将被称为第二方向14，并且正交于包括第一方向12和第二方向14的平面的方向将被称为第三方向16。
接收基板W的载体130座装在装载口120上。沿着第二方向14并排地提供并布置多个装载口120。图1示出提供四个装载口120。然而，装载口120的数量可以根据诸如处理效率和工艺处理模块20的占地面积的条件而增加或减少。在载体130中形成被配置为支承基板的周边的多个槽(未示出)。沿着第三方向16提供多个槽，并且基板位于载体130中，使得基板堆叠为沿着第三方向16彼此间隔开。前开式晶圆传送盒(FOUP)可以用作载体130。
工艺处理模块20具有缓冲单元220、进给室240和多个工艺室260。进给室240布置为使得其长度方向平行于第一方向12。工艺室260沿着第二方向14布置在进给室240的相对侧上。位于进给室240的一侧上的工艺室260和位于进给室240的相对侧上的工艺室260相对于进给室240彼此对称。一些工艺室260沿着进给室240的长度方向布置。另外，一些工艺室260布置为彼此堆叠。即，可以在进给室240的一侧上布置具有A乘B的阵列(A和B是不小于一的自然数)的工艺室260。此处，A是在沿着第一方向12的行中提供的工艺室260的数量，并且B是在沿着第三方向16的行中提供的工艺室260的数量。当在进给室240的一侧上提供四个或六个工艺室260时，工艺室260可以布置为2乘2或3乘2的阵列。工艺室260的数量可以增加或减少。不同于上述描述，工艺室260可以只提供在进给室240的一侧上。另外，不同于上述描述，工艺室260可以提供在进给室240的一侧或相对侧上以形成单层。
缓冲单元220布置在进给框架140与进给室240之间。缓冲单元220在进给室240与进给框架140之间提供基板W在运输之前留在其中的空间。定位基板W的槽(未示出)提供在缓冲单元220中，并且多个槽(未示出)提供为沿着第三方向16彼此间隔开。分别打开缓冲单元220的与进给框架140对向的表面和缓冲单元220的与进给室240对向的表面。
进给框架140在位于装载口120上的载体130与缓冲单元220之间运输基板W。索引轨道142和索引机器人144设置在进给框架140中。索引轨道142设置为使得其长度方向与第二方向14平行。索引机器人144安装在索引轨道142上，并在第二方向14上沿索引轨道142线性移动。
索引机器人144具有基部144a、主体144b和多个索引臂144c。基部144a安装为沿着索引轨道142移动。主体144b耦接到基部144a。主体144b配置为沿着第三方向16在基部144a上移动。主体144b配置为在基部144a上旋转。索引臂144c耦接到主体144a，并且配置为关于主体144b向前和向后移动。多个索引臂144c配置为单独地驱动。索引臂144c布置为堆叠成沿着第三方向16彼此间隔开。一些索引臂144c可以在基板W运输到工艺处理模块20中的载体130时使用，并且一些索引臂144c可以在基板W从载体130运输到工艺处理模块20时使用。该结构可以防止在基板W由索引机器人144带入和带出的工艺中，将工艺处理前的基板W产生的颗粒附接到工艺处理后的基板W。
进给室240在缓冲单元220与工艺室260之间、以及在工艺室260之间运输基板W。导轨242和主要机器人244提供在进给室240中。导轨242布置为使得其长度方向平行于第一方向12。主要机器人244安装在导轨242上，并且在导轨242上沿着第一方向12线性地移动。主要机器人144具有基部244a、主体244b和多个主要臂244c。基部244a安装为沿着导轨242移动。主体244b耦接到基部244a。主体244b配置为在基部244a上沿着第三方向16移动。主体244b配置为在基部244a上旋转。主要臂244c耦接到主体244b，并且配置为关于主体244b向前和向后移动。多个主要臂244c提供并配置为单独地驱动。主要臂244c布置为堆叠成沿着第三方向16彼此间隔开。在基板从缓冲单元220运输到工艺室260时使用的主要臂244c、与在基板从工艺室260运输到缓冲单元220时使用的主要臂244c可以不同。
对基板W执行清洁工艺的基板处理装置300提供在工艺室260中。提供在工艺室260中的基板处理装置300可以具有根据清洁工艺的类型的不同结构。可选地，工艺室260中的基板处理装置300可以具有相同的结构。可选地，工艺室260可以分类为多个组，使得属于同一组的工艺室260中的基板处理装置300的结构相同并且属于不同组的工艺室260中的基板处理装置300的结构不同。
例如，当工艺室260分类为两组时，工艺室260的第一组可以提供在进给室240的一侧上，并且工艺室260的第二组可以提供在进给室240的相对侧上。可选地，分别在进给室240的相对侧上，工艺室260的第一组可以提供在进给室240的下侧上，以及工艺室260的第二组可以提供在进给室240的上侧上。工艺室260的第一组和工艺室260的第二组可以根据使用的液体类型或清洁方案的类型而分类。
在下文中，将描述通过使用处理液清洁基板W的基板处理装置300的实施例。图2是示出基板处理装置300的实施例的剖视图。参照图2，基板处理装置300包括壳体320、支承单元340、升降单元360、喷嘴单元380和液体供应单元400。
壳体320提供用于执行基板处理工艺的空间，并且壳体320的上侧打开。壳体320具有内部回收容器322、中间回收容器324和外部回收容器326。回收容器322、324和326回收在工艺中使用的不同处理液。内部回收容器322具有围绕支承单元340的圆环形状，中间回收容器324具有围绕内部回收容器322的圆环形状，并且外部回收容器326具有围绕中间回收容器324的圆环形状。内部回收容器322的内部空间322a、在内部回收容器322与中间回收容器324之间的空间324a、和在中间回收容器324与外部回收容器326之间的空间326a用作入口，处理液经由所述入口分别引入内部回收容器322、中间回收容器324和外部回收容器326中。从回收容器322、324和326沿其底表面的向下方向垂直地延伸的回收管线322b、324b和326b分别连接到回收容器322、324和326。回收管线322b、324b和326b分别排出通过回收容器322、324和326引入的处理液。排出的处理液可以通过外部处理液回收系统(未示出)再利用。
支承单元340布置在壳体320中。支承单元340在工艺期间支承并旋转基板。支承单元340包括主体342、多个支承销334、多个卡盘销346和支承轴348。主体342具有上表面，所述上表面当从顶部观察时具有大致圆形的形状。可以由马达349旋转的支承轴348固定地耦接到主体342的底部。提供多个支承销334。支承销334可以布置为在主体342的上表面外围处彼此间隔开并且从主体243向上突出。支承销334布置为通过其组合而整体上具有环形的形状。支承销334支承基板W的后表面的外围，使得基板W与主体342的上表面间隔开特定距离。提供多个卡盘销346。卡盘销346布置为比支承销334更远离主体342的中心。卡盘销346配置为从主体342向上突出。卡盘销346支承基板的侧面，使得当旋转支承单元340时防止基板从适当的位置横向分离。卡盘销346配置为沿着主体342的径向方向在备用位置与支承位置之间线性地移动。备用位置是比支承位置更远离主体342的中心的位置。当基板W装载在支承单元340上或从支承单元340卸载时，卡盘销346位于备用位置，并且当对基板W执行工艺时，卡盘销346位于支承位置。卡盘销346在支承位置处与基板的侧面接触。
升降单元360向上和向下线性地移动壳体320。当壳体320向上和向下移动时，改变壳体320相对于支承单元340的相对高度。升降单元360具有托架362、可动轴364和驱动器366。托架362固定地安装在壳体320的外壁上，并且由驱动器366向上和向下移动的可动轴364固定地耦接到托架362。降低壳体320使得当基板W定位在支承单元340上或从支承单元340升起时，支承单元340突出到壳体320的上侧。当执行工艺时，壳体320的高度被调节为使得根据供应到基板W的处理液的类型将处理液引入预设的回收容器326中。例如，当由第一处理液处理基板时，基板位于与内部回收容器322的内部空间322a对应的高度处。另外，当基板分别由第二处理液和第三处理液处理时，基板可以位于与内部回收容器322与中间回收容器324之间的空间324a、和中间回收容器324与外部回收容器326之间的空间326a之间的空间326a对应的高度处。不同于上述那些，升降单元360可以向上和向下移动支承单元340而不是壳体320。
喷嘴单元380在基板处理工艺期间将处理液供应到基板W。喷嘴单元380具有喷嘴支承件382、喷嘴384、支承轴386和驱动器388。沿着第三方向16提供支承轴386的长度方向，并且驱动器388耦接到支承轴386的下端。驱动器388旋转并升高支承轴386。喷嘴支承件382垂直于支承轴386耦接到支承轴386的端部，所述端部与支承轴386的耦接到驱动器388的端部相对。喷嘴384安装在喷嘴支承件382的端部的底表面上。喷嘴384由驱动器388移动到工艺位置和备用位置。工艺位置是喷嘴384布置在壳体320的竖直上部处的位置，并且备用位置是偏离壳体320的竖直上部的位置。可以提供一个或多个喷嘴单元380。当提供多个喷嘴单元380时，可以通过不同的喷嘴单元380提供液体、冲洗液或有机溶剂。冲洗液可以是纯水，并且有机溶剂可以是异丙醇蒸气与惰性气体或异丙醇液体的混合物。液体供应单元400将液体供应到喷嘴单元380。在实施例中，液体供应单元400将有机溶剂供应到喷嘴单元380。例如，有机溶剂可以是异丙醇(IPA)。
图3是示意性地示出根据本发明构思的实施方式的液体供应单元400的状态的视图。参照图3，液体供应单元400包括液体供应源410、罐420、入口管线413、排放管线421、第一循环管线440、第二循环管线460、出口管线480和回收管线490。
液体供应源410存储在工艺中使用的液体，并且将液体供应到罐420。液体存储在罐420的内部空间中。在实施例中，传感器(未示出)安装在罐420的内部中。传感器(未示出)检测存储在罐的内部空间中的液体的剩余量。入口管线413将液体供应源410连接到罐420。入口阀411安装在入口管线413中，以调节从液体供应源410供应到罐420的液体的流速。
排放管线421从罐420排放水。排放阀423安装在排放管线421中以调节从罐420排出的液体的流速。
第一循环管线440使存储在罐420的内部空间中的液体循环。第一循环阀433、泵441、第一加热器443和第一过滤器445安装在第一循环管线440中。第一循环阀433调节从罐420的内部空间提供到泵441的液体的流速。泵441通过控制提供给第一加热器443的液体的每分钟行程来调节所供应的液体的流速。
第一加热器443加热在第一循环管线440中循环的液体。第一过滤器445提供在第一加热器443的下游侧上，以与第一加热器443相邻。第一过滤器445过滤掉漂浮在提供在第一循环管线440中的管道内部中的颗粒。在实施例中，第一过滤器445提供在第一加热器443和泵441的下游侧上，以过滤掉在第一加热器443或泵441的内部中产生的颗粒。
第二循环管线460从第一循环管线440分支。在实施例中，第一过滤器445安装在第一循环管线440和第二循环管线460的分支点处。第二循环管线460利用第一过滤器445等去除在第一循环管线440中产生的气泡。
出口管线480从第一循环管线440分支以将液体供应到喷嘴384。第二循环阀447提供在出口管线480和第一循环管线440的分支点处。在实施例中，三通阀提供为第二循环阀447。第二循环阀447在出口管线480和第一循环管线440的分支点处调节液体的方向和液体的流速。加热部件470和供应阀483安装在出口管线480中。
回收管线490从出口管线480分支，以将液体回收到罐420的内部空间。出口阀481安装在回收管线490中。出口阀481提供在回收管线490和出口管线480的分支点处。在实施例中，三通阀提供为出口阀481。出口阀481在回收管线490和出口管线480的分支点处调节液体的方向和液体的流量。
在下文中，将参照图4和图5描述加热部件470。图4和图5是示出根据本发明构思的实施方式的加热部件470的状态的剖面图。参照图4和图5，加热部件470包括第二加热器473和第二过滤器475。
第二过滤器475提供在第二加热器473的下游侧上，以与第二加热器473相邻。加热部件470包括管道472和管474。液体在管道472的内部中流动。在实施例中，管道472包括提供在加热部件470的一端处的第一侧部件4721、提供在加热部件470的相对端处的第二侧部件4723、和连接第一侧部件4721和第二侧部件4723的多个连接管件4725。连接管件4725的直径可以小于第一侧部件4721和第二侧部件4723的直径。在实施例中，可以提供八个连接管件4725。
管474配置为围绕管道472，并且加热液在管474的内部中流动。在实施例中，加热液可以是去离子水。在实施例中，第二加热器473配置为加热加热液。加热液加热在连接管件4725中流动的液体。即，管474中的加热液加热双锅炉中的液体。
在实施例中，真空管线和回吸阀等可以提供在加热部件470与喷嘴384之间。因此，在液体从喷嘴384完全排出之后，可以从喷嘴384的排出端抽吸化学物质。
在下文中，将参照图6至图8描述本发明构思的液体供应方法。控制器控制液体供应单元400以执行本发明构思的基板处理方法。图6是示出根据本发明构思的实施方式的液体供应方法的流程图的视图。图7和图8是依次示出根据本发明构思的实施方式的液体供应方法的视图。箭头指示流体的流动。阀的内部被填充的状态意味着阀关闭，以及阀的内部是空的状态意味着阀打开。
参照图6，液体供应方法包括循环操作S10和供应操作S20。图7和图8分别示出循环操作S10和供应操作S20。参照图7，在循环操作S10中，在液体被供应到喷嘴384之前，液体通过第一循环管线440或第二循环管线460循环。随后，第一加热器443将液体加热到第一温度，在所述第一温度下颗粒不会在液体内部被洗脱。在第一循环管线440中多次循环的情况下液体通过第一加热器443加热到第一温度。在实施例中，第一温度是室温至70℃。
如果液体的温度升高到特定温度，则在液体供应单元400的内部中产生颗粒。然而，在本发明构思中，当第一加热器443仅将液体加热到颗粒在液体的内部中不被洗脱的温度时，不含颗粒的清澈液体在第一循环管线440或第二循环管线460中流动。在基板完全准备好去处理时，在第一循环管线440中流动的液体温度达到第一温度之后，开始供应操作S20。
参照图8，在供应操作S20中，液体通过出口管线供应到喷嘴384。第二加热器473将液体加热到第二温度。第二温度是使用液体处理基板的工艺温度。第二温度高于第一温度。在实施例中，第二温度是70℃至90℃。在实施例中，第二加热器473配置为加热加热液。加热液由第二加热器473加热到第三温度。第三温度高于第二温度。在实施例中，第三温度是70℃至100℃。加热液在双锅炉中将经过加热部件470的液体的温度提高到第二温度。
由第一加热器443加热到第一温度的液体由第二加热器473再次加热。第二加热器473被设置为与喷嘴384相邻。因此，由第二加热器473加热的液体在相对短的路径中流到喷嘴384。即，由第二加热器加热的不低于第一温度的液体通过最短路径被提供到喷嘴384，在所述第一温度下颗粒不被洗脱。因此，可以最小化由管道472中加热到第二温度的液体产生的颗粒。
在上述实施例中，已经描述了提供到液体供应单元的液体是异丙醇(IPA)。然而，提供到液体供应单元的液体可以包括另一液体。例如，化学物质可以是诸如氢氟酸、硫酸、硝酸、磷酸的酸性溶液，包含氢氧化钾、氢氧化钠、铵等的碱溶液，或纯水。
在上述实施例中，已经描述了第二过滤器475提供在第二加热器473的下游侧上。然而，在另一实施例中，第二过滤器475可以提供在管道472中，所述管道提供在加热部件470中。
在上述实施例中，已经描述了第一过滤器提供在第一加热器443的下游侧上，并且第二过滤器475提供在第二加热器473的下游侧上。然而，在另一实施例中，可以不提供第一过滤器和第二过滤器475。
在上述实施例中，已经描述了第二加热器473加热加热液，该加热液在双锅炉中加热管道472。然而，与此不同，第二加热器473可以配置为直接加热管道472。第二加热器473可以提供在液体接触结构或非液体接触结构中。在实施方式中，第二加热器473可以提供有位于管道472的外表面与内表面之间的加热线。在另一实施例中，第二加热器473可以提供有与管道472间隔开的灯，以在管道472的内部中加热液体。
根据本发明构思，因为液体在作为备用温度的第一温度下提供，所以在循环管道440中不产生颗粒，在该备用温度下当液体在循环管线440中循环时颗粒不被洗脱。因此，可以延长第一过滤器的更换定时，并且可以最小化管道472中产生的液体的压力损失，所述管道提供在循环管线440中。
另外，根据本发明构思，因为在液体被加热到第二温度之后，直到将液体供应到基板的路径被最小化，所以在出口管线的内部中的颗粒产生被最小化，所述第二温度是用于处理基板的工艺温度。
另外，根据本发明构思，因为过滤器被布置在加热器的下游侧上，所以可以过滤掉在加热器内部中产生的颗粒或在管道472中由高温的化学物质产生的颗粒。
根据本发明构思的实施方式，可以最小化液体供应单元中的颗粒产生。
另外，根据本发明构思的实施方式，可以增加提供在液体供应单元中的过滤器的使用寿命。
此外，根据本发明构思的实施方式，可以最小化液体的压力损失。
本发明构思的效果不限于上述效果，并且本发明构思所属的领域的技术人员可以从说明书和附图中清楚地理解未提及的效果。
上面详细的描述例示了本发明构思。另外，上述内容描述了本发明构思的示例性实施方式，并且本发明构思可以以各种其他组合、改变和环境来使用。即，在不脱离说明书中公开的本发明构思的范围、书面公开的等效范围、和/或本领域技术人员的技术或知识范围的情况下，可以对本发明构思进行修改和修正。书面实施方式描述了用于实现本发明构思的技术精神的最佳状态，并且可以在发明构思的详细应用领域和目的中进行各种改变。因此，本发明构思的详细描述并不旨在将本发明构思限制在所公开的实施方式状态。此外，应该解释所附权利要求包括其他实施方式。

Claims (20)

1.一种基板处理装置，所述基板处理装置包括：
壳体，所述壳体具有用于在所述壳体的内部中处理基板的处理空间；
支承单元，所述支承单元配置为在所述处理空间中支承所述基板；
喷嘴，所述喷嘴配置为将液体供应到位于所述支承单元上的所述基板；
液体供应单元，所述液体供应单元配置为将所述液体供应到所述喷嘴；以及
控制器，所述控制器配置为控制所述液体供应单元，
其中，所述液体供应单元包括：
罐，所述罐具有用于存储所述液体的内部空间；以及
第一循环管线，所述第一循环管线配置为使存储在所述内部空间中的所述液体循环，并且第一加热器安装在所述第一循环管线中，并且
其中，所述控制器控制所述第一加热器，使得所述第一加热器将所述液体加热到第一温度，在所述第一温度下在所述液体的内部中的颗粒不被洗脱。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，第一过滤器安装在所述第一循环管线中、在所述第一加热器的下游侧上，以与所述第一加热器相邻。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述液体供应单元还包括出口管线，所述出口管线从所述第一循环管线分支，以将所述液体供应到所述喷嘴，
其中，所述出口管线包括加热部件，所述加热部件邻近所述喷嘴而被提供，并且第二加热器安装在所述加热部件中，
其中，所述控制器控制所述第二加热器，使得所述第二加热器将所述液体加热到第二温度，在所述第二温度下所述液体处理所述基板，并且
其中，所述第二温度不同于所述第一温度。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，所述第二温度高于所述第一温度。
5.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，第二过滤器安装在所述加热部件中、在所述第二加热器的下游侧上，以与所述第二加热器相邻。
6.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，所述加热部件包括：
管道，所述液体通过所述管道来流动；以及
管，所述管围绕所述管道，并且其中加热液在所述管的内部中流动，并且
其中，所述第二加热器配置为加热所述加热液。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其中，所述管道包括：
第一侧部件，所述第一侧部件提供在所述加热部件的一端处；
第二侧部件，所述第二侧部件提供在所述加热部件的相对端处；和
多个连接管件，所述多个连接管件连接所述第一侧部件和所述第二侧部件，并且
其中，所述连接管件的直径小于所述第一侧部件的直径和所述第二侧部件的直径。
8.根据权利要求6所述的基板处理装置，其中，所述第二加热器配置为将所述加热液加热到第三温度，并且所述第三温度高于所述第二温度。
9.一种基板处理装置，所述基板处理装置包括：
壳体，所述壳体具有用于在所述壳体的内部中处理基板的处理空间；
支承单元，所述支承单元配置为在所述处理空间中支承所述基板；
喷嘴，所述喷嘴配置为将液体供应到位于所述支承单元上的所述基板；
液体供应单元，所述液体供应单元配置为将所述液体供应到所述喷嘴；以及
控制器，所述控制器配置为控制所述液体供应单元，
其中，所述液体供应单元包括：
罐，所述罐具有用于存储所述液体的内部空间；以及
第一循环管线，所述第一循环管线配置为使存储在所述内部空间中的所述液体循环，并且第一加热器安装在所述第一循环管线中，以及
出口管线，所述出口管线从所述第一循环管线分支并且配置为将所述液体供应到所述喷嘴，
其中，所述出口管线包括加热部件，所述加热部件邻近所述喷嘴而被提供，并且第二加热器安装在所述加热部件中，
其中，所述控制器控制所述第一加热器和所述第二加热器，使得所述第一加热器将所述液体加热到第一温度并且所述第二加热器将所述液体加热到第二温度，并且
其中，所述第二温度高于所述第一温度。
10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其中，所述第一温度是室温至70℃。
11.根据权利要求9所述的基板处理装置，其中，所述第二温度是70℃至90℃。
12.根据权利要求9所述的基板处理装置，其中，第一过滤器安装在所述出口管线中、在所述第一加热器的下游侧上，以与所述第一加热器相邻。
13.根据权利要求9所述的基板处理装置，其中，第二过滤器安装在所述加热部件中、在所述第二加热器的下游侧上，以与所述第二加热器相邻。
14.根据权利要求9所述的基板处理装置，其中，所述加热部件包括：
管道，所述液体通过所述管道来流动；以及
管，所述管围绕所述管道，并且其中加热液在所述管的内部中流动，并且
其中，所述第二加热器配置为加热所述加热液。
15.根据权利要求14所述的基板处理装置，其中，所述管道包括：
第一侧部件，所述第一侧部件提供在所述加热部件的一端处；
第二侧部件，所述第二侧部件提供在所述加热部件的相对端处；以及
多个连接管件，所述多个连接管件连接所述第一侧部件和所述第二侧部件，
其中，所述连接管件的直径小于所述第一侧部件的直径和所述第二侧部件的直径。
16.根据权利要求15所述的基板处理装置，其中，所述第二加热器将所述加热液加热到第三温度，并且
其中，所述第三温度高于所述第二温度。
17.根据权利要求9所述的基板处理装置，其中，所述液体是异丙醇(IPA)。
18.一种液体供应方法，所述液体供应方法包括：
在液体供应到喷嘴之前在第一温度下使所述液体循环的循环操作；以及
在所述循环操作之后将所述液体供应到所述喷嘴的供应操作，
其中，在所述循环操作中，所述液体被加热到所述第一温度，在所述第一温度下在所述液体的内部中的颗粒不被洗脱。
19.根据权利要求18所述的液体供应方法，其中，在所述供应操作中，所述液体被加热到第二温度，并且
其中，所述第二温度高于所述第一温度。
20.根据权利要求19所述的液体供应方法，其中，所述第二温度是使用所述液体处理所述基板的工艺温度。
CN202110449834.0A 2020-04-24 2021-04-25 基板处理装置和液体供应方法 Pending CN113555299A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200050040A KR102622445B1 (ko) 2020-04-24 2020-04-24 기판 처리 장치 및 액 공급 방법
KR10-2020-0050040 2020-04-24

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN113555299A true CN113555299A (zh) 2021-10-26

Family

ID=78130192

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110449834.0A Pending CN113555299A (zh) 2020-04-24 2021-04-25 基板处理装置和液体供应方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11664212B2 (zh)
JP (1) JP7244568B2 (zh)
KR (1) KR102622445B1 (zh)
CN (1) CN113555299A (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220085582A (ko) * 2020-12-15 2022-06-22 세메스 주식회사 약액 수용 어셈블리 및 이를 포함하는 약액 토출 장치
US11940734B2 (en) * 2022-04-21 2024-03-26 Semes Co., Ltd. Apparatus and method for treating substrate
JP2024042242A (ja) * 2022-09-15 2024-03-28 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、および、フィルタの気泡除去方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090093835A (ko) * 2008-02-28 2009-09-02 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20100007831A (ko) * 2009-12-11 2010-01-22 세메스 주식회사 기판 건조 장치 및 방법
CN104078390A (zh) * 2013-03-29 2014-10-01 细美事有限公司 化学物质供应单元、基片处理设备及使用该基片处理设备处理基片的方法
US20180138059A1 (en) * 2015-07-13 2018-05-17 Zeus Co., Ltd. Substrate liquid processing apparatus and method
CN109411389A (zh) * 2017-08-16 2019-03-01 细美事有限公司 清洁液供应单元、基板处理装置及基板处理方法

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6247479B1 (en) * 1997-05-27 2001-06-19 Tokyo Electron Limited Washing/drying process apparatus and washing/drying process method
JP2002110617A (ja) * 2000-10-02 2002-04-12 Mitsubishi Electric Corp ポリマー除去装置およびこれを用いたポリマー除去方法
JP5023705B2 (ja) 2007-01-10 2012-09-12 東京エレクトロン株式会社 半導体装置の製造方法、半導体製造装置及び記憶媒体
JP5235734B2 (ja) 2009-03-12 2013-07-10 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法
JP2010265501A (ja) * 2009-05-13 2010-11-25 Sharp Corp Ｃｖｄ装置
KR20110071616A (ko) * 2009-12-21 2011-06-29 삼성전자주식회사 열교환기, 용접부재와 공기조화기
JP2012153934A (ja) 2011-01-25 2012-08-16 Tokyo Electron Ltd めっき処理装置、めっき処理方法および記録媒体
JP2012204746A (ja) * 2011-03-28 2012-10-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP5714428B2 (ja) * 2011-06-24 2015-05-07 東京エレクトロン株式会社 めっき処理装置、めっき処理方法および記憶媒体
JP5829444B2 (ja) * 2011-07-08 2015-12-09 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス リン酸再生方法、リン酸再生装置および基板処理システム
CN102330126B (zh) * 2011-09-13 2013-10-16 南京航空航天大学 多元喷射电沉积加工多层膜的方法及装置
JP5956975B2 (ja) 2012-02-27 2016-07-27 東京エレクトロン株式会社 液処理装置及び液処理方法
JP6022431B2 (ja) * 2013-10-17 2016-11-09 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び基板液処理方法
KR101696194B1 (ko) * 2014-05-29 2017-01-17 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
JPWO2016001973A1 (ja) * 2014-06-30 2017-04-27 ギガフォトン株式会社 ターゲット供給装置、ターゲット物質の精製方法、ターゲット物質の精製プログラム、ターゲット物質の精製プログラムを記録した記録媒体、および、ターゲット生成器
KR101671118B1 (ko) * 2014-07-29 2016-10-31 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP6587865B2 (ja) * 2014-09-30 2019-10-09 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP6499414B2 (ja) * 2014-09-30 2019-04-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP2017175166A (ja) 2017-06-23 2017-09-28 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP6900274B2 (ja) 2017-08-16 2021-07-07 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 薬液供給装置、基板処理装置、薬液供給方法、および基板処理方法
JP6979852B2 (ja) 2017-10-26 2021-12-15 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 処理液供給装置、基板処理装置、および処理液供給方法
JP7220537B2 (ja) 2018-09-20 2023-02-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6632684B2 (ja) * 2018-10-19 2020-01-22 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
KR102586053B1 (ko) * 2020-07-08 2023-10-10 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR102585284B1 (ko) * 2020-12-28 2023-10-05 세메스 주식회사 액 공급 유닛 및 액 공급 방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090093835A (ko) * 2008-02-28 2009-09-02 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20100007831A (ko) * 2009-12-11 2010-01-22 세메스 주식회사 기판 건조 장치 및 방법
CN104078390A (zh) * 2013-03-29 2014-10-01 细美事有限公司 化学物质供应单元、基片处理设备及使用该基片处理设备处理基片的方法
US20180138059A1 (en) * 2015-07-13 2018-05-17 Zeus Co., Ltd. Substrate liquid processing apparatus and method
CN109411389A (zh) * 2017-08-16 2019-03-01 细美事有限公司 清洁液供应单元、基板处理装置及基板处理方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR102622445B1 (ko) 2024-01-09
US20210335596A1 (en) 2021-10-28
JP7244568B2 (ja) 2023-03-22
US11664212B2 (en) 2023-05-30
JP2021174993A (ja) 2021-11-01
KR20210131659A (ko) 2021-11-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN113555299A (zh) 基板处理装置和液体供应方法
US10109506B2 (en) Unit for supplying fluid, apparatus and method for treating substrate with the unit
US10079163B2 (en) Unit for supplying treatment liquid and apparatus for treating substrate
KR102319966B1 (ko) 액 공급 유닛, 기판 처리 장치, 그리고 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법
US20200406311A1 (en) Apparatus and method for treating a substrate
KR101491055B1 (ko) 액 공급 유닛, 기판 처리 장치, 그리고 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법
JP7394105B2 (ja) 液供給ユニット及び液供給方法
US20190006213A1 (en) Chemical supplying unit, substrate treatment apparatus, and method of treating substrate using the substrate treatment apparatus
KR102098599B1 (ko) 약액공급유닛
KR101979604B1 (ko) 기판 처리 방법
KR102590328B1 (ko) 기판 파지 장치 및 이를 포함하는 액 처리 장치, 및 기판 처리 설비
KR20140084733A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102409472B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20170046490A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102232835B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102239785B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR20240034713A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102335473B1 (ko) 기판 처리 장치 및 그의 온도 제어 방법
KR102186069B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102297375B1 (ko) 액 공급 유닛, 이를 가지는 기판 처리 장치, 그리고 히터 교체 방법
KR101776016B1 (ko) 배관 세정 방법 및 기판 처리 장치
KR20220150605A (ko) 액 공급 유닛과 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 액 공급 방법
JP2023087666A (ja) 薬液供給装置及び方法、そして、基板処理装置
KR20230022354A (ko) 파티클 안정화 방법
JP2022184751A (ja) 基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination