CN113540180A - 显示装置 - Google Patents

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CN113540180A
CN113540180A CN202110429939.XA CN202110429939A CN113540180A CN 113540180 A CN113540180 A CN 113540180A CN 202110429939 A CN202110429939 A CN 202110429939A CN 113540180 A CN113540180 A CN 113540180A
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layer
display device
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严喆焕
崔德永
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Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
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Abstract

一种显示装置，包括以下元件：基体基底，具有有源区域和非有源区域；多个焊盘，设置在所述非有源区域上；以及印刷电路，设置在所述多个焊盘上。所述印刷电路可以包括以下元件：支撑层；第一导电层和第二导电层，分别设置在所述支撑层的两个相对表面上。所述第二导电层可以包括以下元件：第一导电构件；第二导电构件；以及空间，在所述第一导电构件和所述第二导电构件之间。所述第一导电构件和所述第二导电构件可以通过接触孔电连接到所述第一导电层。所述基体基底的侧表面可以在平行于所述支撑层的方向上位于所述空间的两个边缘之间。

Description

显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年4月22日在韩国知识产权局递交的第10-2020-0048821号韩国专利申请的优先权；该韩国专利申请通过引用被并入。
技术领域
技术领域涉及一种显示装置。
背景技术
用于显示图像的显示装置被用于诸如智能电话、平板PC、数码相机、笔记本计算机、导航器和电视机的各种电子装置。显示装置通常包括显示面板和电路。显示面板可以从电路接收信号，并且可以根据信号显示图像。
发明内容
实施例可以涉及一种能够防止可能由膜附接焊盘之间的短路造成的驱动故障的显示装置。
根据实施例，一种显示装置，包括：基体基底，在所述基体基底中，限定有有源区域和定位在所述有源区域周围并且包括膜附接焊盘单元的非有源区域；多个膜附接焊盘，设置在所述基体基底的所述膜附接焊盘单元上；柔性印刷电路膜，设置在所述多个膜附接焊盘上；以及各向异性导电膜，设置在所述多个膜附接焊盘和所述柔性印刷电路膜之间，其中，所述柔性印刷电路膜包括：膜支撑层；第一膜导电层，设置在所述膜支撑层的一个表面上；以及第二膜导电层，设置在所述膜支撑层的与所述膜支撑层的所述一个表面相对的另一表面上，其中，所述第二膜导电层包括：第一膜导电图案；和第二膜导电图案，与所述第一膜导电图案间隔开，并且在所述第一膜导电图案和所述第二膜导电图案之间具有空间，其中，所述第一膜导电图案和所述第二膜导电图案中的每一个通过膜接触孔连接到所述第一膜导电层，并且所述空间与所述基体基底的侧表面重叠。
其中，所述柔性印刷电路膜还包括：第一阻焊层，设置在所述第一膜导电层上；和第二阻焊层，设置在所述第二膜导电层上。
其中，所述第一膜导电层设置在所述膜支撑层和所述第一阻焊层之间，所述膜支撑层设置在所述第一膜导电层和所述第二膜导电层之间，并且所述第二膜导电层设置在所述膜支撑层和所述第二阻焊层之间。
其中，所述第二膜导电层还包括设置在所述空间中的第三膜导电图案，并且所述第三膜导电图案与所述第一膜导电图案和所述第二膜导电图案中的每一个间隔开。
其中，所述第三膜导电图案设置为在厚度方向上与所述基体基底的所述侧表面重叠。
其中，所述第三膜导电图案是浮置电极。
所述显示装置还包括：碳化物颗粒，设置在所述基体基底的所述侧表面上。
其中，所述基体基底的所述侧表面包括碳化物表面。
其中，所述第二阻焊层覆盖所述第二膜导电图案并且暴露所述空间和所述第一膜导电图案，并且所述第二阻焊层的侧表面从所述基体基底的所述侧表面向外定位。
所述显示装置还包括：覆盖层，从外部覆盖所述第二阻焊层和所述各向异性导电膜。
其中，所述第二阻焊层设置为在厚度方向上与所述基体基底的所述侧表面重叠，所述显示装置还包括：面板下部片材，设置在所述基体基底下方；以及面板下部接合层，设置在所述面板下部片材和所述基体基底之间，并且所述面板下部接合层包括导电材料。
所述显示装置还包括：驱动芯片，安装在所述柔性印刷电路膜上。
所述显示装置还包括：驱动芯片，在平面图中，所述驱动芯片在所述基体基底上设置在所述膜附接焊盘单元和所述有源区域之间。
根据另一实施例，一种显示装置，包括：基体基底，在所述基体基底中，限定有有源区域和定位在所述有源区域周围并且包括膜附接焊盘单元的非有源区域；层间绝缘层，设置在所述基体基底上；过孔层，设置在所述层间绝缘层上；触摸绝缘层，设置在所述过孔层上；多个膜附接焊盘，设置在所述基体基底的所述膜附接焊盘单元上；柔性印刷电路膜，设置在所述多个膜附接焊盘上；以及各向异性导电膜，设置在所述多个膜附接焊盘和所述柔性印刷电路膜之间，其中，所述柔性印刷电路膜包括：膜支撑层；第一膜导电层，设置在所述膜支撑层的一个表面上；以及第二膜导电层，设置在所述膜支撑层的与所述膜支撑层的所述一个表面相对的另一表面上，其中，所述第二膜导电层包括：第一膜导电图案；以及第二膜导电图案，与所述第一膜导电图案间隔开，并且在所述第一膜导电图案和所述第二膜导电图案之间具有空间，其中，所述第一膜导电图案和所述第二膜导电图案中的每一个通过膜接触孔连接到所述第一膜导电层，所述膜附接焊盘设置在所述触摸绝缘层上，所述触摸绝缘层的侧表面设置在所述膜附接焊盘的侧表面和所述基体基底的侧表面之间，所述过孔层包括在厚度方向上与所述触摸绝缘层重叠的第一过孔部分以及连接到所述第一过孔部分并且不与所述触摸绝缘层重叠的第二过孔部分，所述第二过孔部分的厚度薄于所述第一过孔部分的厚度，并且所述第一过孔部分的侧表面的一部分被所述第二过孔部分暴露，并且所述空间设置为在所述厚度方向上与所述第一过孔部分的侧表面重叠，所述侧表面被所述第二过孔部分暴露。
所述显示装置还包括：金属残留物，设置在所述第一过孔部分的所述侧表面的一部分上，所述侧表面被所述第二过孔部分暴露，其中，所述金属残留物包括与所述膜附接焊盘相同的材料。
所述显示装置还包括：源极连接电极，在厚度方向上与所述膜附接焊盘重叠，其中，所述源极连接电极设置在所述基体基底和所述触摸绝缘层之间，并且通过贯穿所述过孔层和所述触摸绝缘层的通孔连接到所述膜附接焊盘。
所述显示装置还包括：栅极连接电极，在所述厚度方向上与所述源极连接电极重叠，其中，所述栅极连接电极设置在所述基体基底和所述触摸绝缘层之间，并且通过贯穿所述层间绝缘层的接触孔连接到所述源极连接电极。
其中，所述第二膜导电层还包括设置在所述空间中的第三膜导电图案，并且所述第三膜导电图案与所述第一膜导电图案和所述第二膜导电图案中的每一个间隔开。所述第三膜导电图案设置为在所述厚度方向上与所述基体基底的所述侧表面重叠，并且所述第三膜导电图案是浮置电极。
其中，所述柔性印刷电路膜还包括设置在所述第一膜导电层上的第一阻焊层和设置在所述第二膜导电层上的第二阻焊层，所述第二阻焊层覆盖所述第二膜导电图案并且暴露所述空间和所述第一膜导电图案，所述第二阻焊层的侧表面从所述基体基底的所述侧表面向外定位，并且所述显示装置还包括从外部覆盖所述第二阻焊层和所述各向异性导电膜的覆盖层。
其中，所述柔性印刷电路膜还包括设置在所述第一膜导电层上的第一阻焊层和设置在所述第二膜导电层上的第二阻焊层，所述第二阻焊层设置为在所述厚度方向上与所述基体基底的所述侧表面重叠，所述显示装置还包括设置在所述基体基底下方的面板下部片材和设置在所述面板下部片材和所述基体基底之间的面板下部接合层，并且所述面板下部接合层包括导电材料。
实施例可以涉及一种显示装置。所述显示装置可以包括以下元件：基体基底，包括有源区域和与所述有源区域邻近的非有源区域；多个膜附接焊盘，设置在所述非有源区域上；柔性印刷电路膜，设置在所述多个膜附接焊盘上；以及各向异性导电膜，设置在所述多个膜附接焊盘和所述柔性印刷电路膜之间。所述柔性印刷电路膜可以包括以下元件：膜支撑层；第一膜导电层，设置在所述膜支撑层的第一表面上；以及第二膜导电层，设置在所述膜支撑层的与所述膜支撑层的所述第一表面相对的第二表面上。所述第二膜导电层可以包括以下元件：第一膜导电构件；第二膜导电构件；以及空间，位于所述第一膜导电构件和所述第二膜导电构件之间。所述第一膜导电构件和所述第二膜导电构件可以分别通过第一膜接触孔和第二膜接触孔电连接到所述第一膜导电层。所述基体基底的侧表面可以在平行于所述膜支撑层的所述第一表面的方向上位于所述空间的两个边缘之间。
所述柔性印刷电路膜可以包括以下元件：第一阻焊层，设置在所述第一膜导电层上；和第二阻焊层，设置在所述第二膜导电层上。
所述第一膜导电层可以设置在所述膜支撑层和所述第一阻焊层之间。所述膜支撑层可以设置在所述第一膜导电层和所述第二膜导电层之间。所述第二膜导电层可以设置在所述膜支撑层和所述第二阻焊层之间。
所述第二膜导电层还可以包括设置在所述空间中的第三膜导电构件。所述第三膜导电构件可以与所述第一膜导电构件和所述第二膜导电构件中的每一个间隔开。
所述基体基底的所述侧表面可以在平行于所述膜支撑层的所述第一表面的所述方向上位于所述第三膜导电构件的两个边缘之间。
所述第三膜导电构件可以是浮置电极。
所述显示装置还可以包括：碳化物颗粒，设置在所述基体基底的所述侧表面上。
所述基体基底的所述侧表面可以包括碳化物表面。
所述第二阻焊层可以至少部分地覆盖所述第二膜导电构件，可以暴露所述空间和所述第一膜导电构件中的每一个，并且可以在平行于所述膜支撑层的所述第一表面的所述方向上与所述基体基底的所述侧表面间隔开。
所述显示装置可以包括：绝缘覆盖层，直接接触所述第二阻焊层和所述各向异性导电膜中的每一个。
所述显示装置可以包括以下元件：面板片材，与所述基体基底重叠；和面板接合层，设置在所述面板片材和所述基体基底之间。所述基体基底的所述侧表面可以在平行于所述膜支撑层的所述第一表面的所述方向上位于所述第二阻焊层的两个边缘之间。所述面板接合层可以包括导电材料。
所述显示装置可以包括：驱动芯片，安装在所述柔性印刷电路膜上。
所述显示装置可以包括驱动芯片。所述非有源区域的一部分可以设置在所述驱动芯片和所述有源区域之间。
实施例可以涉及一种显示装置。所述显示装置可以包括以下元件：基体基底，包括有源区域和与所述有源区域邻近的非有源区域；层间绝缘层，设置在所述基体基底上；过孔层，设置在所述层间绝缘层上；触摸绝缘层，设置在所述过孔层上；膜附接焊盘，设置在所述非有源区域上；柔性印刷电路膜，设置在所述膜附接焊盘上；以及各向异性导电膜，设置在所述膜附接焊盘和所述柔性印刷电路膜之间。所述柔性印刷电路膜可以包括以下元件：膜支撑层；第一膜导电层，设置在所述膜支撑层的第一表面上；以及第二膜导电层，设置在所述膜支撑层的与所述膜支撑层的所述第一表面相对的第二表面上。所述第二膜导电层可以包括以下元件：第一膜导电构件；第二膜导电构件；以及空间，位于所述第一膜导电构件和所述第二膜导电构件之间。所述第一膜导电构件和所述第二膜导电构件可以分别通过第一膜接触孔和第二膜接触孔电连接到所述第一膜导电层。所述膜附接焊盘可以设置在所述触摸绝缘层上。所述触摸绝缘层的侧表面可以在平行于所述膜支撑层的所述第一表面的方向上设置在所述膜附接焊盘的侧表面和所述基体基底的侧表面之间。所述过孔层可以包括在所述过孔层的厚度方向上与所述触摸绝缘层重叠的第一过孔层部分，并且可以包括连接到所述第一过孔层部分并且在所述过孔层的所述厚度方向上不与所述触摸绝缘层重叠的第二过孔层部分。所述第二过孔层部分的在所述过孔层的所述厚度方向上的最大厚度可以小于所述第一过孔层部分的在所述过孔层的所述厚度方向上的最大厚度。所述第一过孔层部分的侧表面可以在平行于所述膜支撑层的所述第一表面的所述方向上位于所述空间的两个边缘之间。
所述显示装置可以包括：金属残留物，设置在所述第一过孔层部分的所述侧表面上。所述金属残留物的材料可以与所述膜附接焊盘的材料相同。
所述显示装置可以包括：源极连接电极，在所述过孔层的所述厚度方向上与所述膜附接焊盘重叠。所述源极连接电极可以设置在所述基体基底和所述触摸绝缘层之间，并且可以通过贯穿所述过孔层和所述触摸绝缘层的通孔电连接到所述膜附接焊盘。
所述显示装置可以包括：栅极连接电极，在所述过孔层的所述厚度方向上与所述源极连接电极重叠。所述栅极连接电极可以设置在所述基体基底和所述触摸绝缘层之间，并且可以通过贯穿所述层间绝缘层的接触孔电连接到所述源极连接电极。
所述第二膜导电层还可以包括设置在所述空间中的第三膜导电构件。所述第三膜导电构件可以与所述第一膜导电构件和所述第二膜导电构件中的每一个间隔开。所述第三膜导电构件可以在所述过孔层的所述厚度方向上与所述基体基底的所述侧表面或所述第一过孔层部分的所述侧表面重叠。所述第三膜导电构件可以是浮置电极。
所述柔性印刷电路膜可以包括设置在所述第一膜导电层上的第一阻焊层和设置在所述第二膜导电层上的第二阻焊层。所述第二阻焊层可以至少部分地覆盖所述第二膜导电构件，可以暴露所述空间和所述第一膜导电构件中的每一个，并且可以在平行于所述膜支撑层的所述第一表面的所述方向上与所述基体基底的所述侧表面间隔开。所述显示装置可以包括直接接触所述第二阻焊层和所述各向异性导电膜中的每一个的绝缘覆盖层。
所述显示装置可以包括以下元件：面板片材，与所述基体基底重叠；和面板接合层，设置在所述面板片材和所述基体基底之间。所述柔性印刷电路膜还可以包括设置在所述第一膜导电层上的第一阻焊层和设置在所述第二膜导电层上的第二阻焊层。所述第二阻焊层在所述过孔层的所述厚度方向上与所述基体基底的所述侧表面重叠。所述面板接合层可以包括导电材料。
附图说明
图1是根据实施例的显示装置的平面图。
图2是根据实施例的显示装置的示意性截面图。
图3是示出根据实施例的图1的部分FF的示意性布局图。
图4是根据实施例的包括触摸感测构件的显示面板的平面图。
图5是根据实施例的显示面板的主区域的截面图。
图6是根据实施例的触摸感测构件的示意性截面图。
图7是根据实施例的显示面板的子区域的平面图。
图8是示出根据实施例的子区域的基体基底、第一触摸绝缘层、第二触摸绝缘层、驱动芯片和柔性印刷电路膜的平面图。
图9是根据实施例的沿图8的线I-I'截取的截面图。
图10是根据实施例的图9中的区域A的截面图。
图11是示出根据实施例的显示面板的切割工艺的截面图。
图12是根据实施例的显示装置的截面图。
图13是根据实施例的显示装置的截面图。
图14是根据实施例的显示装置的截面图。
图15是根据实施例的图14中的区域B的截面图。
图16、图17、图18、图19和图20是示出根据实施例的与用于制造图14的显示装置的方法的工艺步骤有关的结构的截面图。
图21是根据实施例的显示装置的截面图。
图22是根据实施例的显示装置的截面图。
图23是根据实施例的显示装置的截面图。
图24是根据实施例的显示装置的截面图。
图25是根据实施例的显示装置的截面图。
图26是根据实施例的显示装置的平面图。
具体实施方式
出于说明的目的描述了示例实施例。示例实施例可以以许多不同的形式实现。
尽管可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语可以用于将一个元件与另一元件区分开。在不脱离一个或多个实施例的教导的情况下，第一元件可以被称为第二元件。将元件描述为“第一”元件可以不需要或暗示第二元件或其它元件的存在。术语“第一”、“第二”等可以用于区分不同的类别或不同组的元件。为了简洁起见，术语“第一”、“第二”等可以分别表示“第一类型(或第一组)”、“第二类型(或第二组)”等。
当第一元件被称为连接到第二元件时，第一元件可以直接或间接地连接到第二元件。当第一元件被称为直接连接到第二元件时，可以不存在连接在第一元件和第二元件之间的中间元件。
相同的附图标记可以指代相同或相似的部分。
除非上下文另外明确指出，否则诸如“一个”、“一种”、“所述(该)”和“至少一个”的术语可以不表示数量限制，并且可以包括单数和复数两者。
考虑到讨论中的测量和与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的局限性)，“大约”或“近似”可以包括所述值，并且可以意指在由本领域普通技术人员确定的对于特定值的可接受的偏差范围内。例如，“大约”或“近似”可以指在一个或多个标准偏差内，或者在所述值的±30％、±20％、±10％或±5％以内。
除非另有定义，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本领域普通技术人员所通常理解的相同的含义。除非本文中明确地如此定义，否则诸如在通用词典中定义的术语的术语应当被解释为具有与它们在相关领域的上下文和本公开中的含义相一致的含义，并且不应当以理想化的或过于形式化的含义来解释所述术语。
由于例如制造技术和/或公差引起的附图中所示的形状的变化将被预期到。因此，本文中描述的实施例不应当被解释为局限于具体的示出的形状，而是可以包括形状的偏差。例如，示出或描述为平滑的/平坦的区域可以具有粗糙的和/或非线性的特征。示出的尖角可以被倒圆。
术语“连接”可以表示“电连接”或“不通过中间晶体管电连接”。术语“绝缘”可以表示“电绝缘”或“电隔离”。术语“导电”可以表示“电传导的”。术语“驱动”可以表示“操作”或“控制”。术语“图案”可以表示“构件”。空隙/孔与元件重叠的表述可以表示元件的边缘位于空间/孔的两个相对边缘或两个相对边缘部分之间。
图1是根据实施例的显示装置1的平面图，并且图2是根据实施例的显示装置1的示意性截面图。
第一方向DR1和第二方向DR2是不同的方向。在图1中，为了便于描述，第一方向DR1是垂直方向，并且第二方向DR2是水平方向。
显示装置1可以是可以根据输入信号显示图像的电子装置。显示装置1的示例可以包括电视机、笔记本计算机、监视器、广告牌、物联网装置、移动电话、智能电话、平板个人计算机、智能手表、手表电话、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航器和超移动计算机。
显示装置1包括用于根据输入信号显示图像的有源区域AAR，并且包括不用于显示图像的非有源区域NAR。在有源区域AAR中可以实现触摸感测功能。在有源区域AAR中，显示装置1的显示区域和触摸区域可以彼此重叠。在有源区域AAR中，可以显示图像，并且可以检测触摸输入。有源区域AAR的形状可以是矩形或具有倒圆角的矩形。有源区域AAR的在第一方向DR1上的长度可以比有源区域AAR的在第二方向DR2上的宽度长。有源区域AAR可以具有诸如正方形、圆形和椭圆形的其它形状中的一种或多种。
非有源区域NAR设置在有源区域AAR周围。非有源区域NAR可以是边框区域。非有源区域NAR可以围绕有源区域AAR的所有侧(例如，四个侧)。非有源区域NAR可以不设置在有源区域AAR的上侧处或者可以不设置在有源区域AAR的左侧和右侧处。
用于将信号施加到有源区域AAR(显示区域或触摸区域)的信号线或驱动电路可以布置在非有源区域NAR中。非有源区域NAR可以不包括显示区域。非有源区域NAR可以不包括触摸区域。非有源区域NAR可以包括触摸区域的一部分，并且诸如压力传感器的感测构件可以设置在相应的区域中。有源区域AAR可以精确地/基本上对应于显示区域，并且非有源区域NAR可以精确地/基本上对应于非显示区域。
显示装置1包括显示面板10。显示面板10的示例可以包括有机发光显示面板、微型LED显示面板、纳米LED显示面板、量子点发光显示面板、液晶显示面板、等离子体显示面板、场发射显示面板、电泳显示面板和电润湿显示面板。在下文中，示出有机发光显示面板作为显示面板10的示例。
显示面板10可以包括多个像素。多个像素可以以矩阵布置。每个像素的形状可以在平面图中基本上是矩形或正方形。每个像素可以具有其中每个侧相对于第一方向DR1倾斜的菱形形状。每个像素可以包括发光区域。每个发光区域可以具有与像素相同的形状，或者可以具有与像素不同的形状。例如，像素可以具有矩形形状，并且相应像素的发光区域可以具有一种或多种诸如矩形、菱形、六边形、八边形和/或圆形的形状。
显示装置1还可以包括检测触摸输入的触摸构件。触摸构件可以被提供为与显示面板10分离开并且附接到显示面板10的面板或膜，或者可以以触摸层的形式被提供在显示面板10内部。
显示面板10可以包括包括诸如聚酰亚胺的柔性聚合物材料的柔性基底。因此，显示面板10可以弯折、翘曲、折叠或卷起。
显示面板10可以包括其中面板被弯折的弯折区域BR。显示面板10可以包括定位在弯折区域BR的一侧处的主区域MR以及定位在弯折区域BR的另一侧处的子区域SR。
显示面板10的显示区域设置在主区域MR中。显示区域、整个弯折区域BR和整个子区域SR周围的边缘可以是非显示区域。弯折区域BR和/或子区域SR可以包括显示区域。
主区域MR总体上可以具有与显示装置1的平面外观相似的形状。主区域MR可以是基本上平坦的。主区域MR的除了连接到弯折区域BR的边缘(侧)之外的一个或多个边缘可以是弯曲的。
显示区域或非显示区域可以包括弯曲/弯折的边缘，或者显示区域和非显示区域可以在弯曲/弯折边缘处混合。
弯折区域BR连接到主区域MR的一侧。例如，弯折区域BR可以连接到主区域MR的短侧。弯折区域BR的最大宽度(在第二方向DR2上的宽度)可以小于主区域MR的在第二方向DR2上的最大宽度。
在弯折区域BR中，显示面板10可以在显示面板10的厚度方向(即，至少在图5中示出的方向DR3)上以及在与显示表面相反的方向上弯折。弯折区域BR可以具有恒定的曲率半径，或者可以在弯折区域BR的不同部分处具有不同的曲率半径。
子区域SR从弯折区域BR延伸。子区域SR可以平行于主区域MR延伸。子区域SR可以在显示面板10的厚度方向DR3上与主区域MR重叠。子区域SR的最大宽度(在第二方向DR2上的宽度)可以等于弯折区域BR的在第二方向DR2上的最大宽度。
如图1中所示，子区域SR可以包括第一焊盘区域PA1和第二焊盘区域PA2，第二焊盘区域PA2定位为比第一焊盘区域PA1更远离弯折区域BR。驱动芯片20可以设置在子区域SR的第一焊盘区域PA1中。驱动芯片20可以包括用于驱动显示面板10的集成电路。集成电路可以包括用于显示的集成电路和/或用于触摸单元的集成电路。用于显示的集成电路和用于触摸单元的集成电路可以被提供为单独的芯片或者可以被集成到一个芯片中。
显示面板10的子区域SR的第二焊盘区域PA2可以包括多个显示信号线焊盘和多个触摸信号线焊盘。驱动基底30可以连接到显示面板10的子区域SR的第二焊盘区域PA2(并且可以与显示面板10的子区域SR的第二焊盘区域PA2重叠)。驱动基底30可以是柔性印刷电路板或柔性印刷电路膜30。
图3是示出根据实施例的图1的部分FF的示意性布局图。
参照图3，显示面板10包括多个像素PX_R、PX_G和PX_B。多个像素PX_R、PX_G和PX_B可以是多个颜色像素。例如，多个像素PX_R、PX_G和PX_B可以包括红色像素PX_R、绿色像素PX_G和蓝色像素PX_B。多个像素还可以包括白色像素。在实施例中，可以设置青色像素、品红色像素和黄色像素代替红色像素、绿色像素和蓝色像素。
红色像素PX_R、绿色像素PX_G和蓝色像素PX_B可以交替地布置。像素PX_R、PX_G、PX_B中的每一个可以具有矩形形状。像素PX_R、PX_G、PX_B可以具有不同的尺寸。例如，每个蓝色像素PX_B可以大于每个红色像素PX_R，并且每个红色像素PX_R可以大于每个绿色像素PX_G。
红色像素PX_R可以包括红色有机发光层122_1和红色第一滤色器161_R。绿色像素PX_G可以包括绿色有机发光层122_2和绿色第二滤色器161_G。蓝色像素PX_B可以包括蓝色有机发光层122_3和蓝色第三滤色器161_B。在实施例中，红色像素PX_R、绿色像素PX_G和蓝色像素PX_B中的每一个可以包括白色有机发光层和相应颜色的滤色器。白色有机发光层可以通过堆叠两个或更多个有机发光层来形成。
红色第一滤色器161_R选择性地透射红光。红光的波长可以在大约620nm至大约750nm的范围内。绿色第二滤色器161_G选择性地透射绿光。绿光的波长可以在大约495nm至大约570nm的范围内。蓝色第三滤色器161_B选择性地透射蓝光。蓝光的波长可以在大约450nm至大约495nm的范围内。
红色第一滤色器161_R可以设置在红色像素PX_R中，绿色第二滤色器161_G可以设置在绿色像素PX_G中，并且蓝色第三滤色器161_B可以设置在蓝色像素PX_B中。滤色器161_R、161_G和161_B可以分别设置在相应的有机发光层122_1、122_2和122_3上，从而防止在相应的像素中混色并且增加颜色再现性。由于滤色器161_R、161_G和161_B将外部光吸收到相当的水平，因此可以在不另外地提供偏振板的情况下减少外部光的反射。
红色第一滤色器161_R、绿色第二滤色器161_G和/或蓝色第三滤色器161_B的形状可以分别与红色像素PX_R、绿色像素PX_G和蓝色像素PX_B的形状基本上相同。当像素的形状是菱形时，滤色器的形状也可以是菱形。
黑矩阵140(或黑构件140)可以设置在像素PX_R、PX_G和PX_B的边界处。黑矩阵140可以具有格子结构，并且可以划分像素PX_R、PX_G和PX_B。
图4是根据实施例的包括触摸感测构件的显示面板10的平面图，图5是根据实施例的显示面板10的主区域MR的截面图，并且图6是根据实施例的触摸感测构件130的示意性截面图。
参照图4至图6，显示装置1(或显示面板10)可以包括基体基底103、设置在基体基底103上的多个导电层、绝缘层、发光元件、封装层、触摸感测构件、多个滤色器和黑矩阵。
基体基底103可以是柔性基底。例如，基体基底103可以是包括聚合物有机材料的膜和/或塑料基底。例如，基体基底103可以包括聚苯乙烯、聚乙烯醇、聚甲基丙烯酸甲酯、聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三乙酸纤维素和乙酸丙酸纤维素中的至少一种。基体基底103可以包括玻璃纤维增强塑料(FRP)。
缓冲层111可以设置在基体基底103上。缓冲层111可以在基体基底103上提供光滑的表面并防止湿气或外部空气的渗透。缓冲层111可以是无机层。缓冲层111可以是单层膜或多层膜。
多个薄膜晶体管TR可以设置在缓冲层111上。多个薄膜晶体管TR可以是驱动薄膜晶体管。可以为每个像素提供一个或多个薄膜晶体管TR。薄膜晶体管TR可以包括半导体层CH、栅极电极GE、源极电极SE和漏极电极DE。
半导体层CH可以设置在缓冲层111上。半导体层CH可以包括非晶硅、多晶硅和有机半导体中的至少一种。半导体层CH可以包括氧化物半导体。
半导体层CH可以包括沟道区，并且可以包括源极区和漏极区，所述源极区和所述漏极区设置在沟道区的两侧上并且掺杂有杂质。
栅极绝缘层112可以设置在半导体层CH上。栅极绝缘层112可以是无机层。栅极绝缘层112可以是单层膜或多层膜。
第一导电层DCL1可以设置在栅极绝缘层112上。第一导电层DCL1可以包括栅极电极GE和栅极连接电极GCE(至少在图9中示出)。栅极电极GE可以设置在有源区域AAR中，并且栅极连接电极GCE可以设置在非有源区域NAR和/或子区域SR中。
第一导电层DCL1可以由具有导电性的金属材料形成。例如，第一导电层DCL1可以包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和/或钛(Ti)。第一导电层DCL1可以是单层膜或多层膜。
层间绝缘层113可以设置在第一导电层DCL1上。层间绝缘层113可以是无机层。层间绝缘层113可以是单层膜或多层膜。
第二导电层DCL2可以设置在层间绝缘层113上。第二导电层DCL2可以包括源极电极SE、漏极电极DE和源极连接电极SCE(至少在图9中示出)。第二导电层DCL2可以包括高电位电压布线、低电位电压布线和多条数据线。
源极电极SE和漏极电极DE可以通过贯穿层间绝缘层113和栅极绝缘层112的接触孔分别电连接(并且直接连接)到半导体层CH的源极区和漏极区。
电极SE和DE可以设置在有源区域AAR中，并且源极连接电极SCE可以设置在非有源区域NAR和子区域SR中。
第二导电层DCL2由具有导电性的金属材料形成。例如，第二导电层DCL2可以包括铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)和/或钼(Mo)。显示装置1还可以包括基体基底103上的存储电容器和开关薄膜晶体管。
过孔层114可以设置在第二导电层DCL2和层间绝缘层113上。过孔层114可以是平坦化膜。过孔层114可以包括丙烯酸酯或聚酰亚胺。
过孔层114可以是钝化膜。钝化膜可以包括SiO2和/或SiNx。
多个第一电极121可以设置在过孔层114上。每个第一电极121可以是为像素设置的像素电极。第一电极121可以是有机发光二极管的阳极电极。第一电极121可以通过贯穿过孔层114的过孔电连接到设置在第一基底101上的漏极电极DE(或源极电极SE)。
第一电极121可以包括具有高功函数的材料。第一电极121可以包括透明导电材料，诸如可以具有相对高的功函数和透明特性的氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)和/或氧化铟(In2O3)。当有机发光显示装置是前发射型时，除了上面提到的透明导电材料中的至少一种之外，第一电极121还可以包括反射材料，例如，银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、铅(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或金属材料中的一些的混合物/合金。第一电极121可以具有单层结构或者可以具有多层结构。
像素限定层115可以设置在第一电极121上。像素限定层115包括暴露第一电极121的至少一部分的开口。像素限定层115可以包括有机材料或无机材料。像素限定层115可以包括光致抗蚀剂、聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、硅化合物和/或聚丙烯酸树脂。
有机发光层122可以设置在第一电极121的由像素限定层115暴露的部分上。第二电极123可以设置在有机发光层122上。第二电极123可以是设置在多个像素上方的公共电极。
第二电极123可以包括具有低功函数的材料。第二电极123可以包括Li、Ca、LiF-Ca、LiF-Al、Al、Mg、Ag、Pt、Pd、Ni、Au、Nd、Ir、Cr、BaF、Ba、上述材料中的一些的化合物或上述材料中的一些的混合物(例如，Ag和Mg的混合物)。第二电极123还可以包括辅助电极。辅助电极可以包括通过沉积上述材料中的至少一种而形成的膜以及膜上的诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡锌(ITZO)的透明金属氧化物。
当显示装置1为前发射型时，具有小功函数的导电层形成为薄膜，并且一个或多个透明导电层，诸如氧化铟锡(ITO)层、氧化铟锌(IZO)层、氧化锌(IZO)层和氧化铟(In2O3)层中的一个或多个，可以被堆叠在薄膜上。
上述的第一电极121、有机发光层122和第二电极123可以构成有机发光二极管。
空穴注入层和/或空穴传输层可以设置在第一电极121和有机发光层122之间，并且电子传输层和/或电子注入层可以设置在有机发光层122和第二电极123之间。
封装层116可以设置在第二电极123上。封装层116包括至少一个无机层和至少一个有机层。所述至少一个无机层和所述至少一个有机层可以彼此堆叠。例如，如图5中所示，封装层116可以是包括第一封装无机层116a、封装有机层116b和第二封装无机层116c的多层膜，第一封装无机层116a、封装有机层116b和第二封装无机层116c被顺序地堆叠。第一封装无机层116a和第二封装无机层116c中的每一个可以包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和氮氧化硅(SiONx)中的至少一个；封装有机层116b可以包括环氧树脂、丙烯酸酯和聚氨酯丙烯酸酯中的至少一种。
触摸感测构件130可以设置在封装层116上。
触摸感测构件130可以包括设置在封装层116上的第一触摸绝缘层131、设置在第一触摸绝缘层131上的第一触摸导电层TCL1、设置在第一触摸导电层TCL1上的第二触摸绝缘层132、设置在第二触摸绝缘层132上的第二触摸导电层TCL2以及设置在第二触摸导电层TCL2上的第三触摸绝缘层133。
第一触摸导电层TCL1可以包括第一触摸桥电极CP1，第一触摸桥电极CP1电连接第一感测电极IE1_1、IE1_2、IE1_3、IE1_4、IE1_5、IE1_6、IE1_7和IE1_8中的每一个的相邻构件。第二触摸导电层TCL2可以包括第一感测电极IE1_1至IE1_8，可以包括第二感测电极IE2_1、IE2_2、IE2_3和IE2_4，并且可以包括第二触摸桥电极CP2，第二触摸桥电极CP2电连接第二感测电极IE2_1至IE2_4中的每一个的相邻构件。第一触摸导电层TCL1可以直接设置在封装层116上。
第一感测电极IE1_1至IE1_8可以各自在第二方向DR2上延伸(即，是横向的)，并且可以沿着第一方向DR1布置。第二感测电极IE2_1至IE2_4可以各自在第一方向DR1上延伸(即，是纵向的)，并且可以沿着第二方向DR2布置。
第一感测电极IE1_1至IE1_8中的每一个可以包括形成网状结构的多条第一感测线SPL1。由第一感测线SPL1划分的区域可以与(参照图3描述的)有机发光层122_1、122_2和122_3重叠。
第二感测电极IE2_1至IE2_4中的每一个可以包括形成网状结构的多条第二感测线SPL2。由多条第二感测线SPL2划分的区域可以与有机发光层122_1、122_2和122_3重叠。由第一感测线SPL1划分的每个区域和由第二感测线SPL2划分的每个区域可以具有基本上菱形的形状。
第一感测线SPL1与第二感测线SPL2电绝缘。多条第一感测线SPL1可以与多条第二感测线SPL2直接设置在相同的绝缘层上。在这种情况下，多个第一触摸桥电极CP1和多个第二触摸桥电极CP2直接布置在不同的绝缘层上并且彼此电绝缘。
在一些实施例中，包括在第一触摸导电层TCL1中的电极可以与包括在第二触摸导电层TCL2中的电极相对。
在一些实施例中，第一触摸导电层TCL1可以包括第一感测电极IE1_1至IE1_8和第一触摸桥电极CP1，并且第二触摸导电层TCL2可以包括第二感测电极IE2_1至IE2_4和第二触摸桥电极CP2。
第二触摸导电层TCL2还可以包括驱动芯片附接焊盘PAD1和膜附接焊盘PAD2。多个驱动芯片附接焊盘PAD1和多个膜附接焊盘PAD2可以被提供。驱动芯片附接焊盘PAD1可以沿着第二方向DR2布置。多个膜附接焊盘PAD2可以沿着第二方向DR2布置。
多个驱动芯片附接焊盘PAD1可以设置在第一焊盘区域PA1中，并且多个膜附接焊盘PAD2可以设置在第二焊盘区域PA2中。(参照图1描述的)驱动芯片20可以设置在第一焊盘区域PA1中，并且(参照图1描述的)柔性印刷电路膜30可以设置在第二焊盘区域PA2中。
第一焊盘区域PA1可以设置在第二焊盘区域PA2和有源区域AAR之间。驱动芯片20可以设置在柔性印刷电路膜30和有源区域AAR之间。非有源区域NAR的一部分设置在驱动芯片20和有源区域AAR之间。
多条第一感测线SPL1和多条第二感测线SPL2可以包括导电材料。导电材料可以包括诸如银(Ag)、铝(Al)、铬(Cr)和/或镍(Ni)的低电阻金属，并且/或者可以包括诸如银纳米线和/或碳纳米管的导电纳米材料。
参照图4，显示装置1可以包括(从有源区域AAR延伸的)第一信号线SL1、第二信号线SL2和第三信号线SL3。第二信号线SL2可以电连接到触摸感测构件130的第二感测电极IE2_1至IE2_4。第三信号线SL3可以电连接到触摸感测构件130的第一感测电极IE1_1至IE1_8。信号线SL1至SL3中的每一条可以延伸到第一焊盘区域PA1以连接到驱动芯片附接焊盘PAD1。多个膜附接焊盘PAD2中的一些膜附接焊盘可以连接到驱动芯片附接焊盘PAD1。多个膜附接焊盘PAD2中的其它膜附接焊盘可以不电连接到驱动芯片附接焊盘PAD1。
第一触摸绝缘层131和第二触摸绝缘层132中的每一个可以包括无机材料。无机材料可以包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和氮氧化硅(SiONx)中的至少一种。
第二触摸导电层TCL2可以设置在第一触摸绝缘层131上。第二触摸导电层TCL2的上述第二感测电极IE2_1至IE2_4和第二触摸桥电极CP2可以与黑矩阵140和像素限定层115重叠，并且对用户而言可以是不可见或不显眼的。
第三触摸绝缘层133可以包括有机材料。有机材料可以包括丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、聚异戊二烯、乙烯树脂、环氧树脂、聚氨酯树脂、纤维素树脂、硅氧烷树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂或二萘嵌苯树脂。
参照图3和图5，滤色器161_R、161_G和161_B可以设置在触摸感测构件130上。
黑矩阵140可以设置在滤色器161_R、161_G和161_B之间。黑矩阵140可以与第二触摸导电层TCL2的上述第二感测电极IE2_1至IE2_4和第二触摸桥电极CP2重叠。
黑矩阵140可以包括光吸收材料或光反射材料。例如，黑矩阵140可以包括黑色树脂或诸如铬(Cr)的反射金属。
窗口102可以设置在黑矩阵140上。窗口102包括柔性材料，并且可以覆盖所有在下面的组件。窗口102和显示面板10可以通过模块间粘合层150彼此结合。
图7是根据实施例的显示面板10的子区域SR的平面图。图8是示出根据实施例的子区域SR的基体基底103、第一触摸绝缘层131、第二触摸绝缘层132、驱动芯片20和柔性印刷电路膜30的平面图。
参照图7和图8，触摸绝缘层131或132的端部/边缘可以定位在第二焊盘区域PA2和基体基底103的端部/边缘之间。触摸绝缘层131或132的端部/边缘可以定位在膜附接焊盘PAD2和基体基底103的端部/边缘之间。
柔性印刷电路膜30可以附接到多个膜附接焊盘PAD2上，并且驱动芯片20可以附接到多个驱动芯片附接焊盘PAD1上。
图9是根据实施例的沿图8的线I-I'截取的截面图，图10是根据实施例的图9中的区域A的截面图，并且图11是示出根据实施例的显示面板10的切割工艺的截面图。
参照图9至图11，(包括面板下部片材410和面板下部接合层430的)面板下部构件400可以进一步设置在基体基底103下方。
面板下部片材(面板片材)410包括至少一个功能层。功能层可以执行散热功能、电磁波阻挡功能、接地功能、缓冲功能、强度增强功能、支撑功能和/或数字化功能。功能层可以是/包括片材层、膜层、薄膜层、涂层、面板和/或板。功能层可以是单层，或者可以包括多个堆叠的薄膜或涂层。功能层可以是/包括支撑基底、散热层、电磁波阻挡层、震动吸收层和/或数字转换器。
面板下部接合层(面板接合层)430可以设置在面板下部片材410和基体基底103之间。面板下部接合层430可以包括压敏粘合剂(PSA)。面板下部接合层430可以包括包含导电材料的压敏粘合剂。
基体基底103、缓冲层111、栅极绝缘层112、层间绝缘层113和过孔层114的侧表面可以在厚度方向DR3上对准和/或共面。
参照图11，在将显示面板10的组件顺序地堆叠在基体基底103上直到膜附接焊盘PAD2之后，包括缓冲层111、栅极绝缘层112、层间绝缘层113和过孔层114的显示面板10可以通过激光LS切割。在已经通过激光LS切割显示面板10之后，如图9中所示，基体基底103、缓冲层111、栅极绝缘层112、层间绝缘层113和过孔层114的侧表面可以在厚度方向DR3上对准。
当通过激光LS切割显示面板10时，包括有机材料的构件例如基体基底103和过孔层114的暴露表面可以包括包含碳化物颗粒CPL的碳化物表面。例如，碳化物颗粒CPL可以设置在基体基底103的侧表面上；或者，基体基底103的侧表面包括碳化物表面。碳化物颗粒CPL可以设置在相邻构件例如缓冲层111、栅极绝缘层112和层间绝缘层113的侧表面上。
栅极连接电极GCE和源极连接电极SCE中的每一个可以在厚度方向DR3上与膜附接焊盘PAD2重叠。栅极连接电极GCE可以延伸到基体基底103的端部。源极连接电极SCE的端部/边缘可以在厚度方向DR3上与膜附接焊盘PAD2的端部/边缘对准，并且可以位于第一接触孔CNT1和层111、112和113的上面提到的侧表面中的每一个之间。
源极连接电极SCE可以通过在厚度方向DR3上贯穿层间绝缘层113的第一接触孔CNT1连接到栅极连接电极GCE，并且膜附接焊盘PAD2可以通过在厚度方向DR3上贯穿过孔层114以及触摸绝缘层131和132的第二接触孔CNT2连接到源极连接电极SCE。
膜附接焊盘PAD2可以连接到栅极连接电极GCE和源极连接电极SCE中的每一个，并且因此可以降低电阻。
柔性印刷电路膜30可以包括膜支撑层330、设置在膜支撑层330的第一表面上的第一膜导电层320、设置在第一膜导电层320上的第一阻焊层310、设置在膜支撑层330的(与膜支撑层330的第一表面相对的)第二表面上的第二膜导电层340和设置在第二膜导电层340上的第二阻焊层350。
膜支撑层330可以由诸如聚合物树脂的绝缘材料制成。聚合物树脂的示例可以包括聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PA)、聚芳酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫一醚(PPS)、聚烯丙基化物、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、三乙酸纤维素(CAT)、乙酸丙酸纤维素(CAP)以及上述材料中的一些的组合。
膜导电层320和340中的每一个可以包括选自钼(Mo)、铝(Al)、铂(Pt)、铅(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)和镍(Ni)中的至少一种金属。膜导电层320和340中的每一个可以包括选自钠(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钛(Ti)、钽(Ta)、钨(W)和铜(Cu)中的一种或多种金属。第一膜导电层320和第二膜导电层340中的每一个可以是单层膜或多层膜。多层膜可以包括不同金属的堆叠膜。
阻焊层310和350中的每一个可以包括绝缘树脂。绝缘树脂的示例可以包括聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PA)、聚芳酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚烯丙基化物、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、三乙酸纤维素(CAT)、乙酸丙酸纤维素(CAP)以及上述材料中的一些的组合。
第一膜导电层320可以设置在膜支撑层330和第一阻焊层310之间，膜支撑层330可以设置在第一膜导电层320和第二膜导电层340之间，并且第二膜导电层340可以设置在膜支撑层330和第二阻焊层350之间。
第二膜导电层340可以包括第一膜导电图案(第一膜导电构件)341和第二膜导电图案(第二膜导电构件)342，第二膜导电图案342与第一膜导电图案341以中间空间SP间隔开。第一膜导电图案341可以在厚度方向DR3上与膜附接焊盘PAD2重叠，并且第二膜导电图案342可以在厚度方向DR3上不与膜附接焊盘PAD2重叠。第二膜导电图案342可以设置为超出基体基底103的端部。
第一膜导电图案341和第二膜导电图案342中的每一个可以通过膜接触孔CNT3(第一膜接触孔和第二膜接触孔)连接到第一膜导电层320。
第一膜导电图案341和第二膜导电图案342可以通过各向异性导电膜ACF电连接到膜附接焊盘PAD2。如图10中所示，各向异性导电膜ACF可以包括树脂膜RL和分散在树脂膜RL中的多个导电球CB。导电球CB的结构可以具有聚合物颗粒和涂覆在聚合物颗粒的表面上的诸如镍(Ni)或金(Au)的金属。树脂膜RL可以包括热固性树脂或热塑性树脂。各向异性导电膜ACF的树脂膜RL还可以包括粘合剂。
各向异性导电膜ACF可以延伸超过基体基底103的侧表面。
空间SP可以在厚度方向DR3上与基体基底103的侧表面重叠，使得基体基底103的侧表面可以在第一方向DR1上位于空间SP的两个边缘之间。在本文中，第一方向DR1可以是平行于膜支撑层330的其上设置有第一膜导电层320的第一表面的方向。在空间SP中，膜支撑层330可以部分地覆盖第一膜导电图案341和第二膜导电图案342中的每一个的内表面。在空间SP中，膜支撑层330的表面的高度可以小于第一膜导电图案341和第二膜导电图案342中的每一个的表面的高度。
第二膜导电层340还可以包括设置在空间SP中的第三膜导电图案(第三膜导电构件)343。第三膜导电图案343可以与第一膜导电图案341和第二膜导电图案342中的每一个间隔开。第三膜导电图案343可以在厚度方向DR3上与基体基底103的侧表面重叠，使得基体基底103的侧表面在第一方向DR1上位于第三膜导电图案343的两个相对边缘之间。
第三膜导电图案343可以是浮置电极。第三膜导电图案343可以与相邻的膜导电图案341和342分离开，而不电连接到第一膜导电层320。
第二阻焊层350可以覆盖第二膜导电图案342，并且可以暴露空间SP和第一膜导电图案341。第二阻焊层350的侧表面可以在第一方向DR1上定位在基体基底103的侧表面外部/定位为超过基体基底103的侧表面。换言之，第二阻焊层350在平行于膜支撑层330的第一表面的方向上与基体基底103的侧表面间隔开。
当各向异性导电膜ACF的浮置空间不足时，各向异性导电膜ACF的一个或多个部分可能聚集，并且因此柔性印刷电路膜30和显示面板10之间的粘合可能困难。当第二阻焊层350的侧表面定位在基体基底103的侧表外部时，可以确保各向异性导电膜ACF的足够的浮置空间。
显示装置1还可以包括从外部覆盖第二阻焊层350和各向异性导电膜ACF的覆盖层(绝缘覆盖层)CRD。绝缘覆盖层CRD可以直接接触第二阻焊层350和各向异性导电膜ACF中的每一个。覆盖层CRD可以防止来自面板下部接合层430的导电颗粒例如F-颗粒和S2-颗粒接触柔性印刷电路膜30的第二膜导电层340。此外，覆盖层CRD可以防止湿气被引入到柔性印刷电路膜30中。
如上所述，当通过激光LS切割显示面板10时，包括有机材料的构件例如基体基底103和过孔层114可能会使显示面板10的暴露表面包括碳化物表面。碳化物表面可以具有比原有层高的导电性。
如果未实现空间SP和第三膜导电图案343，则由于各向异性导电膜ACF从基体基底103的侧表面突出，因此在(具有增加的导电性的)碳化物表面与在上面的柔性印刷电路膜30之间和/或在碳化物颗粒CPL与柔性印刷电路膜30之间可能发生短路。
如果未实现空间SP和第三膜导电图案343，则由于基体基底103和过孔层114的碳化物表面和/或碳化物颗粒CPL可能沿着基体基底103的侧表面延伸/扩散，因此可能发生膜附接焊盘PAD2之间的短路，并且可能发生驱动故障。
根据实施例，在第二膜导电层340中，第一膜导电图案341可以以空间SP与第二膜导电图案342间隔开，并且空间SP与显示面板10的包括碳化物表面和/或碳化物颗粒CPL的侧表面一致(coinciding)，并且设置在空间SP中的第三膜导电图案343可以是浮置电极，从而防止膜附接焊盘PAD2之间的短路和相关的驱动故障。
在下面的描述中，与已经描述的组件相同或类似的组件可以由相同的附图标记指代，并且可以不重复相关的描述。
图12是根据实施例的显示装置2的截面图。
参照图12，显示装置2与图9的显示装置1的不同之处在于，在柔性印刷电路膜30_1的第二膜导电层340_1的空间SP中未提供第三膜导电图案343。
在不具有第三膜导电图案343的显示装置2中，可以提供各向异性导电膜ACF的额外的浮置空间。
在显示装置2中，第一膜导电图案341可以以空间SP与第二膜导电图案342间隔开，并且空间SP与显示面板10的包括碳化物表面和/或碳化物颗粒CPL的侧表面一致(coinciding)，从而防止膜附接焊盘PAD2之间的短路和相关的驱动故障。
图13是根据实施例的显示装置3的截面图。
参照图13，显示装置3与图12的显示装置2的不同之处在于，柔性印刷电路膜30_2的第二阻焊层350_1在厚度方向DR3上覆盖基体基底103的侧表面/与基体基底103的侧表面重叠。换言之，基体基底103的侧表面在平行于膜支撑层330的第一表面的方向上位于第二阻焊层350_1的两个边缘之间。
第二阻焊层350_1可以在厚度方向DR3上与空间SP的一部分和基体基底103的侧表面重叠。
在显示装置3中，第二阻焊层350_1可以防止面板下部接合层430的导电颗粒渗透到柔性印刷电路膜30_2中。
在显示装置3中，图12的覆盖层CRD可以是可选的。因此，可以实现成本降低。
图14是根据实施例的显示装置4的截面图，图15是图14中的区域B的截面图，并且图16至图20是示出根据实施例的与用于制造图14的显示装置4的方法的工艺步骤有关的结构的截面图。
参照图14和图15，显示装置4与图9的显示装置1的不同之处在于，柔性印刷电路膜30_3的第二膜导电层340_2的空间SP在厚度方向DR3上与触摸绝缘层131和132的侧表面重叠，使得触摸绝缘层131和132的侧表面位于空间SP的两个相对边缘之间。
在显示装置4中，过孔层114_1可以通过在触摸绝缘层131和132的侧表面处的边界被划分为具有不同的厚度的部分。例如，过孔层114_1可以包括在厚度方向DR3上与触摸绝缘层131和132重叠的第一过孔部分(第一过孔层部分)114a和连接到第一过孔部分114a并且在厚度方向DR3上不与触摸绝缘层131和132重叠的第二过孔部分(第二过孔层部分)114b。
第二过孔部分114b的在过孔层114_1的厚度方向上的最大厚度可以小于第一过孔部分114a的在过孔层114_1的厚度方向上的最大厚度。例如，在厚度方向DR3上，第一过孔部分114a的第一厚度t1可以大于第二过孔部分114b的第二厚度t2。
第一过孔部分114a的与第二过孔部分114b相邻的侧表面的一部分可以被第二过孔部分114b覆盖，并且第一过孔部分114a的侧表面的另一部分可以被第二过孔部分114b暴露。
第一过孔部分114a的侧表面可以在厚度方向DR3上与在上面的触摸绝缘层131和132的侧表面对准(并且共面)，从而第一过孔部分114a的侧表面在平行于膜支撑层330的第一表面的方向上位于空间SP的两个边缘之间。金属残留物MRL可以直接设置在第一过孔部分114a的侧表面的由第二过孔部分114b暴露的一部分上，并且可以直接设置在触摸绝缘层131和132的侧表面上。第三膜导电图案343可以在过孔层114_1的厚度方向上与第一过孔部分114a的侧表面重叠。
参照图16至图20描述形成过孔层114_1的工艺。
参照图16，过孔层材料114'沉积在层间绝缘层113和源极连接电极SCE上，并且第一触摸绝缘层材料131'和第二触摸绝缘层材料132'被顺序地沉积在过孔层材料114'上。
过孔层材料114'可以包括丙烯酸酯和/或聚酰亚胺。第一触摸绝缘层材料131'和第二触摸绝缘层材料132'中的每一个可以包括无机材料(或者可以由无机材料制成)。无机材料可以包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和氮氧化硅(SiONx)中的至少一种。
随后，参照图17，蚀刻触摸绝缘层材料131'和132'。可以通过干蚀刻来蚀刻触摸绝缘层材料131'和132'。因此，触摸绝缘层131和132的侧表面可以(在参照图9的第一方向DR1上)定位在源极连接电极SCE的外表面/面/边缘与基体基底103的侧表面/面/边缘之间。
当蚀刻触摸绝缘层材料131'和132'时，也可以部分地去除过孔层材料114'的表面。因此，可以形成具有不同的厚度的过孔部分114a和114b。
随后，参照图18，形成第二接触孔CNT2。
随后，参照图19，在触摸绝缘层131和132以及过孔部分114a和114b上沉积膜附接焊盘材料PAD2'。膜附接焊盘材料PAD2'也可以在上述源极连接电极SCE的侧表面/边缘与基体基底103的侧表面/边缘之间形成在第一过孔部分114a(参照图15)的侧表面上。
膜附接焊盘材料PAD2'可以填充第二接触孔CNT2并且可以直接连接到源极连接电极SCE。
随后，参照图20，在膜附接焊盘材料PAD2'中，除了在厚度方向DR3上与源极连接电极SCE重叠的部分(膜附接焊盘PAD2)之外，从源极连接电极SCE的外侧表面到基体基底103的侧表面的部分被去除。在工艺中，可以使用湿蚀刻。
金属残留物MRL可能残留在触摸绝缘层131和132的侧表面以及第一过孔部分114a的由第二过孔部分114b暴露的侧表面上。金属残留物MRL可以与膜附接焊盘PAD2包括相同的材料。
参照图14，各向异性导电膜ACF可以设置在触摸绝缘层131和132的侧表面以及第一过孔部分114a的由第二过孔部分114b暴露的侧表面上。各向异性导电膜ACF可以直接接触触摸绝缘层131和132的侧表面以及第一过孔部分114a的由第二过孔部分114b暴露的侧表面。各向异性导电膜ACF也可以直接接触金属残留物MRL。
如果未实现空间SP和作为浮置电极的第三膜导电图案343，则由于金属残留物MRL可能沿着第一过孔部分114a的侧表面延伸/扩散，因此可能发生膜附接焊盘PAD2之间的短路，使得可能发生驱动故障。
在显示装置4中，柔性印刷电路膜30_3的第二膜导电层340_2的空间SP可以在厚度方向DR3上与触摸绝缘层131和132的侧表面重叠。空间SP也可以在厚度方向DR3上与金属残留物MRL重叠。因此，可以防止膜附接焊盘PAD2之间的短路和相关的驱动故障。
图21是根据实施例的显示装置5的截面图。
参照图21，显示装置5与图14的显示装置4的不同之处在于，在柔性印刷电路膜30_4的空间SP中未提供第三膜导电图案343。
在显示装置5中，可以提供各向异性导电膜ACF的足够的浮置空间。
在显示装置5中，柔性印刷电路膜30_4的第二膜导电层340_3的空间SP可以在厚度方向DR3上与触摸绝缘层131和132的侧表面重叠。空间SP也可以在厚度方向DR3上与金属残留物MRL(参照图14和图15)重叠。因此，可以防止膜附接焊盘PAD2之间的短路和相关的驱动故障。
图22是根据实施例的显示装置6的截面图。
参照图22，显示装置6与图21的显示装置5的不同之处在于，柔性印刷电路膜30_5的第二阻焊层350_1在厚度方向DR3上覆盖基体基底103的侧表面/与基体基底103的侧表面重叠。
根据显示装置6，可以省略图21的覆盖层CRD。因此，可以实现成本降低。
图23是根据实施例的显示装置7的截面图。
参照图23，显示装置7与图14的显示装置4的不同之处在于，柔性印刷电路膜30_6的第二膜导电层340_4的空间SP在厚度方向DR3上与触摸绝缘层131和132的侧表面重叠并且与基体基底103的侧表面重叠。
第二膜导电层340_4的第三膜导电图案343可以设置在空间SP中。第三膜导电图案343可以与第一膜导电图案341和第二膜导电图案342中的每一个间隔开。
第三膜导电图案343可以是浮置电极。第三膜导电图案343可以与相邻的膜导电图案341和342分离开，而不电连接到第一膜导电层320。
图24是根据实施例的显示装置8的截面图。
参照图24，显示装置8与图23的显示装置7的不同之处在于，在柔性印刷电路膜30_7的第二膜导电层340_5的空间SP中未提供第三膜导电图案343。
图25是根据实施例的显示装置9的截面图。
参照图25，显示装置9与图24的显示装置8的不同之处在于，柔性印刷电路膜30_8的第二阻焊层350_1覆盖基体基底103的侧表面/与基体基底103的侧表面重叠。
图26是根据实施例的显示装置1_1的平面图。
参照图26，显示装置1_1与图1至图9的显示装置1的不同之处在于，显示装置1_1包括附接到显示面板10的第二焊盘区域PA2的覆晶薄膜50。
图1的驱动芯片20可以安装在覆晶薄膜50上。覆晶薄膜50的一端部可以附接到显示面板10的第二焊盘区域PA2，并且覆晶薄膜50的另一端部可以附接到柔性印刷电路膜30。
上面参照图1至图9描述的显示面板10与柔性印刷电路膜30之间的结合关系可以基本上应用于图26中所示的显示面板10与覆晶薄膜50之间的结合关系。
实施例可以防止可能由膜附接焊盘之间的短路造成的驱动故障。
尽管出于说明的目的已经公开了示例实施例，但是在不脱离所附权利要求所限定的范围的情况下，各种修改、添加和替换是可能的。

Claims (20)

1.一种显示装置，包括：
基体基底，包括有源区域和与所述有源区域邻近的非有源区域；
多个膜附接焊盘，设置在所述非有源区域上；
柔性印刷电路膜，设置在所述多个膜附接焊盘上；以及
各向异性导电膜，设置在所述多个膜附接焊盘和所述柔性印刷电路膜之间，
其中，所述柔性印刷电路膜包括：
膜支撑层；
第一膜导电层，设置在所述膜支撑层的第一表面上；以及
第二膜导电层，设置在所述膜支撑层的与所述膜支撑层的所述第一表面相对的第二表面上，
其中，所述第二膜导电层包括：
第一膜导电构件；
第二膜导电构件；以及
空间，位于所述第一膜导电构件和所述第二膜导电构件之间，
其中，所述第一膜导电构件和所述第二膜导电构件分别通过第一膜接触孔和第二膜接触孔电连接到所述第一膜导电层，并且
其中，所述基体基底的侧表面在平行于所述膜支撑层的所述第一表面的方向上位于所述空间的两个边缘之间。
2.根据权利要求1所述的显示装置，
其中，所述柔性印刷电路膜还包括：
第一阻焊层，设置在所述第一膜导电层上；和
第二阻焊层，设置在所述第二膜导电层上。
3.根据权利要求2所述的显示装置，
其中，所述第一膜导电层设置在所述膜支撑层和所述第一阻焊层之间，
其中，所述膜支撑层设置在所述第一膜导电层和所述第二膜导电层之间，并且
其中，所述第二膜导电层设置在所述膜支撑层和所述第二阻焊层之间。
4.根据权利要求3所述的显示装置，
其中，所述第二膜导电层还包括设置在所述空间中的第三膜导电构件，并且
其中，所述第三膜导电构件与所述第一膜导电构件和所述第二膜导电构件中的每一个间隔开。
5.根据权利要求4所述的显示装置，
其中，所述基体基底的所述侧表面在平行于所述膜支撑层的所述第一表面的所述方向上位于所述第三膜导电构件的两个边缘之间。
6.根据权利要求5所述的显示装置，
其中，所述第三膜导电构件是浮置电极。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：
碳化物颗粒，设置在所述基体基底的所述侧表面上。
8.根据权利要求6所述的显示装置，
其中，所述基体基底的所述侧表面包括碳化物表面。
9.根据权利要求3所述的显示装置，
其中，所述第二阻焊层至少部分地覆盖所述第二膜导电构件，暴露所述空间和所述第一膜导电构件中的每一个，并且在平行于所述膜支撑层的所述第一表面的所述方向上与所述基体基底的所述侧表面间隔开。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：
绝缘覆盖层，直接接触所述第二阻焊层和所述各向异性导电膜中的每一个。
11.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：
面板片材，与所述基体基底重叠；和
面板接合层，设置在所述面板片材和所述基体基底之间，
其中，所述基体基底的所述侧表面在平行于所述膜支撑层的所述第一表面的所述方向上位于所述第二阻焊层的两个边缘之间，并且
其中，所述面板接合层包括导电材料。
12.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：
驱动芯片，安装在所述柔性印刷电路膜上。
13.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：
驱动芯片，其中，所述非有源区域的一部分设置在所述驱动芯片和所述有源区域之间。
14.一种显示装置，包括：
基体基底，包括有源区域和与所述有源区域邻近的非有源区域；
层间绝缘层，设置在所述基体基底上；
过孔层，设置在所述层间绝缘层上；
触摸绝缘层，设置在所述过孔层上；
膜附接焊盘，设置在所述非有源区域上；
柔性印刷电路膜，设置在所述膜附接焊盘上；以及
各向异性导电膜，设置在所述膜附接焊盘和所述柔性印刷电路膜之间，
其中，所述柔性印刷电路膜包括：
膜支撑层；
第一膜导电层，设置在所述膜支撑层的第一表面上；以及
第二膜导电层，设置在所述膜支撑层的与所述膜支撑层的所述第一表面相对的第二表面上，
其中，所述第二膜导电层包括：
第一膜导电构件；
第二膜导电构件；以及
空间，位于所述第一膜导电构件和所述第二膜导电构件之间，
其中，所述第一膜导电构件和所述第二膜导电构件分别通过第一膜接触孔和第二膜接触孔电连接到所述第一膜导电层，
其中，所述膜附接焊盘设置在所述触摸绝缘层上，
其中，所述触摸绝缘层的侧表面在平行于所述膜支撑层的所述第一表面的方向上设置在所述膜附接焊盘的侧表面和所述基体基底的侧表面之间，
其中，所述过孔层包括在所述过孔层的厚度方向上与所述触摸绝缘层重叠的第一过孔层部分，并且包括连接到所述第一过孔层部分并且在所述过孔层的所述厚度方向上不与所述触摸绝缘层重叠的第二过孔层部分，
其中，所述第二过孔层部分的在所述过孔层的所述厚度方向上的最大厚度小于所述第一过孔层部分的在所述过孔层的所述厚度方向上的最大厚度，并且
其中，所述第一过孔层部分的侧表面在平行于所述膜支撑层的所述第一表面的所述方向上位于所述空间的两个边缘之间。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：
金属残留物，设置在所述第一过孔层部分的所述侧表面上，
其中，所述金属残留物的材料与所述膜附接焊盘的材料相同。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：
源极连接电极，在所述过孔层的所述厚度方向上与所述膜附接焊盘重叠，
其中，所述源极连接电极设置在所述基体基底和所述触摸绝缘层之间，并且通过贯穿所述过孔层和所述触摸绝缘层的通孔电连接到所述膜附接焊盘。
17.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：
栅极连接电极，在所述过孔层的所述厚度方向上与所述源极连接电极重叠，
其中，所述栅极连接电极设置在所述基体基底和所述触摸绝缘层之间，并且通过贯穿所述层间绝缘层的接触孔电连接到所述源极连接电极。
18.根据权利要求15所述的显示装置，
其中，所述第二膜导电层还包括设置在所述空间中的第三膜导电构件，
其中，所述第三膜导电构件与所述第一膜导电构件和所述第二膜导电构件中的每一个间隔开，
其中，所述第三膜导电构件在所述过孔层的所述厚度方向上与所述基体基底的所述侧表面或所述第一过孔层部分的所述侧表面重叠，并且
其中，所述第三膜导电构件是浮置电极。
19.根据权利要求15所述的显示装置，
其中，所述柔性印刷电路膜还包括设置在所述第一膜导电层上的第一阻焊层和设置在所述第二膜导电层上的第二阻焊层，
其中，所述第二阻焊层至少部分地覆盖所述第二膜导电构件，暴露所述空间和所述第一膜导电构件中的每一个，并且在平行于所述膜支撑层的所述第一表面的所述方向上与所述基体基底的所述侧表面间隔开，并且
其中，所述显示装置还包括直接接触所述第二阻焊层和所述各向异性导电膜中的每一个的绝缘覆盖层。
20.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：
面板片材，与所述基体基底重叠；和
面板接合层，设置在所述面板片材和所述基体基底之间，其中，所述柔性印刷电路膜还包括设置在所述第一膜导电层上的第一阻焊层和设置在所述第二膜导电层上的第二阻焊层，
其中，所述第二阻焊层在所述过孔层的所述厚度方向上与所述基体基底的所述侧表面重叠，并且
其中，所述面板接合层包括导电材料。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7265443B2 (ja) * 2019-07-31 2023-04-26 日本航空電子工業株式会社 配線板組立体
CN111029360B (zh) * 2019-11-19 2022-06-07 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 micro-LED显示器件的制作方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100483403B1 (ko) 1997-11-27 2005-08-10 삼성전자주식회사 표시장치용인쇄회로기판의패드패턴
KR100601493B1 (ko) 2004-12-30 2006-07-18 삼성전기주식회사 하프에칭된 본딩 패드 및 절단된 도금 라인을 구비한ｂｇａ 패키지 및 그 제조 방법
JP4968665B2 (ja) 2006-04-18 2012-07-04 Ｎｌｔテクノロジー株式会社 フラットディスプレイパネル及び接続構造
US20110176199A1 (en) 2008-08-28 2011-07-21 Bridgestone Corporation Information display device
JP6161293B2 (ja) 2013-01-11 2017-07-12 旭化成株式会社 フレキシブル配線板の製造方法
KR102377568B1 (ko) 2015-11-27 2022-03-22 에스케이하이닉스 주식회사 패드부 및 라인부를 가진 미세 패턴을 형성하는 방법
JP2017188613A (ja) * 2016-04-08 2017-10-12 三菱電機株式会社 フレキシブルプリント基板

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