CN113257872A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

提供了一种显示装置。所述显示装置包括：基体基底，包括有效区域和包含裂纹坝布置区域的非有效区域；多个无机层，位于基体基底上；以及封装层，位于所述多个无机层上，并且包括封装无机层和位于封装无机层上的封装有机层。基体基底在裂纹坝布置区域处包括具有第一厚度的第一基底部分以及位于第一基底部分中的相邻的第一基底部分之间并且连接到第一基底部分的第二基底部分，第二基底部分具有小于第一厚度的第二厚度。所述多个无机层在裂纹坝布置区域处层叠以形成无机层叠膜；封装无机层定位在第一基底部分和第二基底部分之上，并且包括至少一个断开部分。

Description

显示装置
本申请要求于2020年2月13日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0017643号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部公开内容通过引用包含于此。
技术领域
本公开的一个或更多个实施例的方面涉及一种显示装置。
背景技术
用于显示图像的显示装置可以用于用来向用户提供图像的各种电子器具，诸如以智能电话、平板PC、数码相机、笔记本计算机、导航器、电视等为例。显示装置包括用于产生和显示图像的显示面板和各种输入装置。
随着显示面板的边框减小，对从显示面板的边缘施加的裂纹的抵抗性会降低。
在该背景技术部分中公开的上述信息用于增强对本公开的背景技术的理解，因此，其可能包含不构成现有技术的信息。
发明内容
根据本公开的一个或更多个实施例，显示装置包括：基体基底，包括有效区域和在有效区域周围的非有效区域，非有效区域包括裂纹坝布置区域；多个无机层，位于基体基底上；以及封装层，位于所述多个无机层上，并且包括封装无机层和位于封装无机层上的封装有机层。基体基底在裂纹坝布置区域处包括具有第一厚度的第一基底部分以及位于第一基底部分中的相邻的第一基底部分之间并且连接到第一基底部分的第二基底部分，第二基底部分具有小于第一厚度的第二厚度。第二基底部分使与其相邻的第一基底部分的侧表面的上端暴露；所述多个无机层在裂纹坝布置区域处层叠以形成无机层叠膜；针对第一基底部分中的每个布置多个无机层叠膜，并且所述多个无机层叠膜彼此间隔开且第二基底部分位于所述多个无机层叠膜之间；过孔有机层在裂纹坝布置区域处定位在无机层叠膜与封装无机层之间；并且封装无机层定位在第一基底部分和第二基底部分之上，并且包括至少一个断开部分。
在实施例中，过孔有机层可以定位在无机层叠膜的上表面、无机层叠膜的侧表面、第一基底部分的侧表面的通过第二基底部分暴露的上端、以及第二基底部分的上表面之上。
在实施例中，过孔有机层可以与无机层叠膜的上表面、无机层叠膜的侧表面、第一基底部分的侧表面的通过第二基底部分暴露的上端、以及第二基底部分的上表面直接接触。
在实施例中，封装无机层可以位于无机层叠膜的上表面、无机层叠膜的侧表面和第二基底部分的上表面上。
在实施例中，封装无机层可以包括位于过孔有机层上的第一封装无机层和位于第一封装无机层上的第二封装无机层。
在实施例中，位于无机层叠膜的上表面上的第一封装无机层的第一厚度可以大于位于无机层叠膜的侧表面上的第一封装无机层的第二厚度和位于第二基底部分的上表面上的第一封装无机层的第三厚度中的每个。
在实施例中，无机层叠膜可以包括位于第一基底部分上的阻挡层、位于阻挡层上的缓冲层、位于缓冲层上的第一栅极绝缘层、位于第一栅极绝缘层上的第二栅极绝缘层和位于第二栅极绝缘层上的层间绝缘膜。
在实施例中，在有效区域处，显示装置还可以包括：第一导电层，位于第一栅极绝缘层与第二栅极绝缘层之间；第二导电层，位于第二栅极绝缘层与层间绝缘膜之间；以及第三导电层，位于层间绝缘膜上。
在实施例中，在有效区域处，显示装置还可以包括至少一个薄膜晶体管，并且薄膜晶体管可以包括位于缓冲层与第一栅极绝缘层之间的半导体层、第一导电层的栅电极、第三导电层的第一源/漏电极和第三导电层的第二源/漏电极。
在实施例中，在有效区域处，显示装置还可以包括：第一过孔层，位于第三导电层上；第四导电层，位于第一过孔层上；以及第二过孔层，位于第四导电层上。
在实施例中，第二过孔层可以位于与过孔有机层的层相同的层处，并且可以包括与过孔有机层的材料相同的材料。
在实施例中，显示装置还可以包括：金属残留层，位于第一基底部分的侧表面的通过第二基底部分暴露的上端与过孔有机层之间。
在实施例中，金属残留层可以包括与第四导电层的材料相同的材料。
在实施例中，无机层叠膜的侧表面可以从第一基底部分的侧表面突出，以在厚度方向上与第二基底部分部分地叠置。
在实施例中，封装无机层的端部可以从基体基底的端部向内定位。
在实施例中，封装无机层可以延伸到基体基底的端部。
在实施例中，裂纹坝布置区域可以沿着有效区域的外围延伸。
根据本公开的一个或更多个实施例，显示装置包括：基体基底，包括有效区域和在有效区域周围的非有效区域，非有效区域包括裂纹坝布置区域；多个无机层，位于基体基底上；以及封装层，位于所述多个无机层上，并且包括封装无机层和位于封装无机层上的封装有机层。基体基底在裂纹坝布置区域处包括具有第一厚度的第一基底部分以及位于第一基底部分中的相邻的第一基底部分之间并且连接到第一基底部分的第二基底部分，第二基底部分具有小于第一厚度的第二厚度。第二基底部分使与其相邻的第一基底部分的侧表面的上端暴露；并且第二基底部分包括第一子基底部分和第二子基底部分，第一子基底部分和第二子基底部分彼此间隔开并且具有彼此不同的宽度。所述多个无机层在裂纹坝布置区域处层叠以形成无机层叠膜；针对第一基底部分中的每个布置多个无机层叠膜，并且所述多个无机层叠膜彼此间隔开且第二基底部分位于所述多个无机层叠膜之间。封装无机层包括位于基体基底上的第一封装无机层和位于第一封装无机层上的第二封装无机层；第一封装无机层和第二封装无机层中的每个定位在第一基底部分和第二基底部分之上，并且包括至少一个断开部分；并且在第一子基底部分处的第一封装无机层的厚度不同于在第二子基底部分处的第一封装无机层的厚度。
在实施例中，第一子基底部分的宽度可以大于第二子基底部分的宽度，并且第一子基底部分可以被定位得比第二子基底部分靠近有效区域。
在实施例中，第一子基底部分的宽度可以大于第二子基底部分的宽度，并且第一子基底部分可以被定位得比第二子基底部分远离有效区域。
然而，本公开的方面和特征不限于这里所阐述的方面和特征。通过参照下面的详细描述，本公开的上述和其他方面及特征对于本公开内容所属领域的普通技术人员将变得更加明显。
附图说明
通过下面参照附图的实施例的详细描述，本公开的上述和其他方面及特征对于本领域技术人员将变得更加明显，在附图中：
图1是根据实施例的显示装置的平面图；
图2是根据实施例的显示装置的示意性局部剖视图；
图3是示出根据实施例的有效区域和包括坝布置区域和裂纹坝布置区域的非有效区域的平面图；
图4是沿着图1的线I-I'截取的剖视图；
图5是沿图3的线II-II'截取的剖视图；
图6是沿图3的线III-III'截取的剖视图；
图7是示出裂纹坝布置区域中的多个沟槽的平面形状并且示出抑制从显示面板的边缘施加的裂纹的传播的情况的示意性平面图；
图8是根据另一实施例的显示装置的剖视图；
图9是根据另一实施例的显示装置的剖视图；
图10是根据另一实施例的显示装置的剖视图；
图11是根据另一实施例的显示装置的剖视图；并且
图12是根据另一实施例的显示装置的剖视图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图更详细地描述实施例，在附图中，同样的附图标记始终表示同样的元件。然而，本公开可以以各种不同的形式实施，并且不应被解释为仅限于这里示出的实施例。相反，提供这些实施例作为示例，使得本公开将是彻底和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达本公开的方面和特征。因此，可以不描述对于本领域普通技术人员完全理解本公开的方面和特征而言非必要的工艺、元件和技术。除非另外说明，否则在整个附图和书面描述中，同样的附图标记表示同样的元件，因此，可以不重复其描述。
在附图中，为了清楚起见，可以夸大和/或简化元件、层和区域的相对尺寸。为了易于解释，可以在这里使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“下(下部)”、“底(底部)”、“在……下面”、“在……上方”、“上(上部)”、“顶(顶部)”等空间相对术语来描述如图中所示的一个元件或特征与另一(其他)元件或特征的关系。将理解的是，除了图中所描绘的方位之外，空间相对术语旨在涵盖装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果图中的装置被翻转，则被描述为“在”其他元件或特征“下方”或“之下”或“下面”的元件随后将被定向为在所述其他元件或特征“上方”。因此，示例术语“在……下方”和“在……下面”可以涵盖上方和下方两种方位。装置可以被另外定向(例如，旋转90度或者在其他方位处)，并且应相应地地解释这里所使用的空间相对描述语。
将理解的是，尽管在这里可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应被这些术语所限制。这些术语用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，下面讨论的第一元件、组件、区域、层或部分可以被命名为第二元件、组件、区域、层或部分。
将理解的是，当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时，该元件或层可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到或直接结合到所述另一元件或层，或者可以存在一个或更多个中间元件或层。另外，还将理解的是，当元件或层被称为“在”两个元件或层“之间”时，该元件或层可以是所述两个元件或层之间的唯一元件或层，或者也可以存在一个或更多个中间元件或层。相反，应当理解的是，当元件被称为与另一元件相关(诸如“直接结合”或“直接连接”到另一元件)时，不存在中间元件。描述元件之间的关系的其他表述，诸如“在……之间”、“直接在……之间”、“与……相邻”或“直接与……相邻”应当以相同的方式解释。
这里所使用的术语是为了描述具体实施例的目的，而不意图成为本公开的限制。如这里所使用的，单数形式“一”和“一个(种/者)”旨在也包括复数形式，除非上下文另外清楚地指出。还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”、“包括”、“具有”及其变型时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。如这里所使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。诸如“……中的至少一个(种/者)”的表述在一列元件之后时，修饰整列元件，而不修饰该列中的单个元件。
如这里所使用的，术语“基本上(基本)”、“大约(约)”和类似术语用作近似术语而不用作程度术语，并且旨在考虑本领域普通技术人员将认识到的测量值或计算值中的固有变化。考虑到所讨论的测量和与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的局限性)，如这里所使用的诸如“大约(约)”或“大致上(大致)”的术语包括所陈述的值，并且表示在如由本领域普通技术人员所确定的特定值的可接受偏差范围内。例如，“大约(约)”可以表示在一个或更多个标准偏差内，或在所陈述的值的±30％、±20％、±10％或±5％内。此外，当描述本公开的实施例时，“可以”的使用指“本公开的一个或更多个实施例”。如这里所使用的，术语“使用”及其变型可以被认为分别与术语“利用”及其变型同义。此外，术语“示例性(的)”旨在指代示例或说明。
这里参照作为理想化实施例的示意性图示的各种剖视图描述了实施例。如此，将预料到例如由制造技术和/或公差导致的图示的形状的变化。因此，这里所描述的实施例不应被解释为限于如这里所示的区域的特定形状，而是将包括例如由制造导致的形状偏差。例如，示出或描述为平坦的区域通常可以具有粗糙的和/或非线性的特征。此外，所示的锐角(“尖角”)可以是圆形的(倒圆的)。因此，图中所示的区域本质上是示意性的，并且它们的形状不意图示出区域的精确形状，也不意图限制本权利要求的范围。
除非另外定义，否则这里所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，术语(诸如在通用词典中定义的术语)应当被解释为具有与它们在相关领域的背景下和/或本说明书中的含义一致的含义，而不应当以理想化或过于形式化的意义来解释，除非在这里明确地如此定义。
图1是根据实施例的显示装置的平面图，并且图2是根据实施例的显示装置的示意性剖视图。
在实施例中，第一方向DR1和第二方向DR2沿不同方向彼此交叉。在图1的平面图中，为了便于说明，第一方向DR1被示出为竖直方向，并且第二方向DR2被示出为水平方向。如这里所使用的，第一方向DR1的一侧可以指平面图中的向上方向，第一方向DR1的其他侧(或另一侧)可以指平面图中的向下方向，第二方向DR2的一侧可以指平面图中的向右方向，并且第二方向DR2的其他侧(或另一侧)可以指平面图中的向左方向。然而，本公开不限于此，参照图中所示的各种实施例描述的方向应当被理解为表示相对方向，并且实施例不限于上述方向。
参照图1和图2，显示装置1可以指提供显示屏幕的任何合适的电子装置。如在各种产品中实现的显示装置1的一些示例包括电视、笔记本、监视器、广告牌、物联网装置等，以及各种合适的便携式电子器具，诸如以移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、智能手表、手表电话、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航器、超移动PCS(UMP)等为例。
显示装置1包括有效区域AAR和非有效区域NAR。在显示装置1中，显示屏幕的部分可以被定义为显示区域，不显示屏幕的部分可以被定义为非显示区域，并且检测触摸输入的区域可以被定义为触摸区域。在这种情况下，显示区域和触摸区域可以包括在有效区域AAR处(例如，在有效区域AAR中或上)。显示区域和触摸区域可以彼此叠置(例如，在厚度方向上彼此叠置)。换言之，有效区域AAR可以是执行显示的区域(例如，显示图像的区域)以及检测触摸输入的区域。有效区域AAR的形状(例如，平面形状或在平面图中的形状)可以是矩形形状或具有圆形的(倒圆的)拐角的矩形形状。例如，有效区域AAR的形状可以是具有圆形的(倒圆的)拐角并且其中沿第一方向DR1延伸的边长于沿第二方向DR2延伸的边的矩形。然而，本公开不限于此，并且有效区域AAR可以具有各种合适的形状(例如，平面形状或在平面图中的形状)，诸如以其中沿第二方向DR2延伸的边长于沿第一方向DR1延伸的边的矩形、正方形、其他合适的多边形、圆形、椭圆形等为例。
非有效区域NAR设置在有效区域AAR周围(例如，设置为围绕在有效区域AAR的外围周围)。非有效区域NAR可以是边框区域。非有效区域NAR可以围绕有效区域AAR的所有侧(例如，附图中的四个侧)(例如，在有效区域AAR的所有侧的外围周围)。然而，本公开不限于此。例如，在有效区域AAR的上侧周围和/或有效区域AAR的左侧和右侧周围可以不设置非有效区域NAR。
用于将信号施加到有效区域AAR(例如，显示区域和/或触摸区域)的信号线和/或驱动电路可以布置在非有效区域NAR处(例如，在非有效区域NAR中或上)。非有效区域NAR可以不包括显示区域。此外，非有效区域NAR可以不包括触摸区域。然而，本公开不限于此，并且在另一实施例中，非有效区域NAR可以包括触摸区域的部分(例如，一部分)，并且感测构件(诸如以压力传感器为例)可以设置在对应区域处(例如，在对应区域中或上)。在一些实施例中，有效区域AAR可以是与显示屏幕(例如，显示图像)的显示区域相同或基本相同(例如，完全相同)的区域，并且非有效区域NAR可以是与不显示屏幕(例如，不显示图像)的非显示区域相同或基本相同的区域。
显示装置1包括提供显示屏幕的显示面板10。显示面板10的示例可以包括有机发光显示面板、微型LED(micro LED)显示面板、纳米LED(nano LED)显示面板、量子点发光显示面板、液晶显示面板、等离子体显示面板、场发射显示面板、电泳显示面板和电润湿显示面板。在下文中，为了方便起见，可以更详细地描述将有机发光显示面板应用为显示面板10的示例的情况。然而，本公开不限于此，并且可以以任何其他合适种类的显示面板来应用显示面板10。
显示面板10可以包括多个像素。多个像素可以沿矩阵方向布置。每个像素的形状在平面图中可以是矩形或正方形，但是本公开不限于此，并且每个像素可以在平面图中具有其中每条边相对于第一方向DR1倾斜的菱形形状。每个像素可以包括发光区域。每个发光区域可以具有与像素的形状相同或基本相同的形状，但是可以具有与像素的形状不同的形状。例如，当像素具有矩形形状(例如，在平面图中具有矩形形状)时，对应像素的发光区域可以具有各种合适的形状(例如，在平面图中具有各种合适的形状)，诸如以矩形、菱形、六边形、八边形、圆形等为例。
显示装置1还可以包括检测触摸输入的触摸构件(例如，触摸面板或触摸层)。触摸构件可以被设置为与显示面板10分离的面板或膜，并且附着到显示面板10，但是本公开不限于此，并且可以以显示面板10内部的触摸层的形式来设置触摸构件。
显示面板10可以包括柔性基底，柔性基底包括诸如以聚酰亚胺为例的柔性聚合物材料。因此，显示面板10可以弯折、翘曲、折叠、卷曲等。
显示面板10可以包括弯曲区域BR，显示面板10在弯曲区域BR处(例如，在弯曲区域BR中)弯折。基于弯曲区域BR，显示面板10可以被划分为定位在弯曲区域BR的一侧处的主区域MR和定位在弯曲区域BR的另一侧处的副区域SR。
显示面板10的显示区域设置在主区域MR处(例如，在主区域MR中或上)。在实施例中，在主区域MR处(例如，在主区域MR中或上)的显示区域周围(例如，围绕显示区域的外围)的边缘、整个弯曲区域BR和整个副区域SR可以是非显示区域。然而，本公开不限于此，并且弯曲区域BR和/或副区域SR可以包括显示区域。
主区域MR通常可以具有与显示装置1的平面外观相同或基本相同(例如，类似)的形状。主区域MR可以是定位在一个平面中的平坦区域。然而，本公开不限于此，并且除了连接到弯曲区域BR的边缘(例如，侧)之外的剩余边缘中的至少一个可以在主区域MR处(例如，在主区域MR中或上)弯曲，以在竖直方向上形成弯曲表面或弯曲部。
当除了连接到弯曲区域BR的边缘(例如，侧)之外的剩余边缘中的至少一个在主区域MR处(例如，在主区域MR中或上)弯曲或弯折时，显示区域也可以设置在对应的边缘处。然而，本公开不限于此，并且弯曲或弯折边缘可以是不显示屏幕的非显示区域，或者显示区域和非显示区域可以在对应部分处(例如，在对应部分中或上)混合。
弯曲区域BR在第一方向DR1上连接到主区域MR的一侧。例如，弯曲区域BR可以连接到主区域MR的下短侧。弯曲区域BR的宽度可以小于主区域MR的宽度(例如，短侧宽度)。主区域MR和弯曲区域BR的连接部分可以具有L形切割形状。
在弯曲区域BR中，显示面板10可以在向下方向上(例如，在与第三方向DR3相反的方向上)(例如，在厚度方向上)(例如，在背对显示表面的方向上)以一定曲率弯折。弯曲区域BR可以具有恒定的或基本恒定的曲率半径，但是本公开不限于此，并且弯曲区域BR可以具有针对不同部分(例如，针对每个部分)的不同的曲率半径。当显示面板10在弯曲区域BR处(例如，在弯曲区域BR中)弯折时，显示面板10的表面可以反转。换言之，显示面板10的在显示面板10在弯曲区域BR处被弯折之前面向上的一个表面(例如，一个表面的一部分)可以改变(例如，可以弯折)为通过弯曲区域BR面向外，然后面向下。
副区域SR从弯曲区域BR延伸。在弯折完成之后，副区域SR可以沿与主区域MR平行或基本平行的方向延伸。副区域SR可以在显示面板10的厚度方向上与主区域MR叠置。副区域SR的宽度(例如，在第二方向DR2上的宽度)可以等于或基本等于弯曲区域BR的宽度(例如，在第二方向DR2上的宽度)，但是本公开不限于此。
如图1中所示，副区域SR可以包括第一垫(pad，或称为“焊盘”或“焊垫”)区域PA1和第二垫区域PA2，第二垫区域PA2定位得距弯曲区域BR比第一垫区域PA1远(例如，在第一方向DR1上定位得距弯曲区域BR比第一垫区域PA1远)。驱动芯片20可以设置在副区域SR的第一垫区域PA1处(例如，在第一垫区域PA1中或上)。驱动芯片20可以包括用于驱动显示面板10的集成电路。集成电路可以包括用于显示(例如，用于显示图像)的集成电路和/或用于触摸单元(例如，触摸传感器)的集成电路。用于显示器的集成电路和用于触摸单元的集成电路可以被设置为单独的芯片，和/或可以被设置为彼此集成到一个芯片中。
显示面板10的副区域SR的第二垫区域PA2可以包括多个显示信号线垫和多个触摸信号线垫。驱动基底30可以连接到显示面板10的副区域SR的第二垫区域PA2。驱动基底30可以是柔性印刷电路板或柔性印刷电路膜。
图3是示出根据实施例的有效区域和包括坝布置区域和裂纹坝布置区域的非有效区域的平面图。图3是示出图1中所示的区域A的放大图。
参照图3，非有效区域NAR可以包括坝布置区域DP和裂纹坝布置区域CDP。坝布置区域DP和裂纹坝布置区域CDP可以设置在有效区域AAR周围(例如，设置为围绕在有效区域AAR的外围周围)，并且可以沿着有效区域AAR的边界延伸。坝布置区域DP可以设置在裂纹坝布置区域CDP与有效区域AAR之间。
多个坝结构(例如，见图5中的DAM1和DAM2)可以布置在坝布置区域DP处(例如，在坝布置区域DP中或上)，并且多个沟槽(例如，见图6中的TH1、TH2和TH3)可以布置在裂纹坝布置区域CDP处(例如，在裂纹坝布置区域CDP中或上)。
图4是沿着图1的线I-I'截取的剖视图，图5是沿着图3的线II-II'截取的剖视图，并且图6是沿着图3的线III-III'截取的剖视图。
参照图4，显示面板10包括基体基底101、设置在基体基底101上的多个导电层、多个绝缘层和有机发光层。
更详细地，基体基底101可以支撑设置在基体基底101上的每个层。基体基底101可以遍及有效区域AAR和非有效区域NAR设置。基体基底101可以由诸如以聚合物树脂为例的绝缘材料制成。聚合物树脂的示例可以包括例如聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PA)、聚芳酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚烯丙基化物、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、三乙酸纤维素(CAT)、乙酸丙酸纤维素(CAP)及它们的组合。基体基底101可以是能够弯折、折叠、卷曲等的柔性基底。构成柔性基底的材料的示例包括但不限于聚酰亚胺(PI)。在一些实施例中，基体基底101可以是由例如玻璃、石英等制成的刚性基底。
基体基底101可以包括面对位于基体基底101上的阻挡层102的一个表面101u(例如，上表面)，以及与所述一个表面101u相对的另一表面(例如，下表面)。基体基底101可以在有效区域AAR处(例如，在有效区域AAR中或上)是平坦的或基本平坦的。例如，基体基底101的一个表面101u可以在有效区域AAR处(例如，在有效区域AAR中或上)具有线性形状。基体基底101可以在非有效区域NAR的裂纹坝布置区域CDP处(例如，在非有效区域NAR的裂纹坝布置区域CDP中或上)被划分成具有不同厚度的两个部分。在裂纹坝布置区域CDP处(例如，在裂纹坝布置区域CDP中或上)，基体基底101包括具有第一厚度ta的第一基底部分101a和具有第二厚度tb的第二基底部分101b。第二厚度tb可以小于第一厚度ta。
第一基底部分101a可以具有与在有效区域AAR处(例如，在有效区域AAR中或上)的基体基底101的厚度相同或基本相同的厚度。例如，第一基底部分101a可以与在有效区域AAR处(例如，在有效区域AAR中或上)的基体基底101相同或基本相同。例如，第一基底部分101a的一个表面101u可以与在有效区域AAR处(例如，在有效区域AAR中或上)的基体基底101的一个表面101u定位在同一条线上(例如，在同一平面上)。
第二基底部分101b的一个表面101u可以定位在第一基底部分101a的一个表面101u下面(例如，定位得比第一基底部分101a的一个表面101u低)。第二基底部分101b可以设置成从第一基底部分101a向下凹陷。第二基底部分101b可以物理地连接到第一基底部分101a。在平面图中，第二基底部分101b可以设置在相邻的第一基底部分101a之间。第二基底部分101b可以使相邻的第一基底部分101a的侧表面的上端101s暴露。由相邻的第一基底部分101a的一个表面101u的延长线(例如，侧)、相邻的第一基底部分101a的侧表面的上端101s和第二基底部分101b的一个表面101u包围的空间可以被称为凹陷图案。例如，凹陷图案可以具有沟槽形状。凹陷图案可以沿着有效区域AAR的外围延伸。例如，凹陷图案可以沿着裂纹坝布置区域CDP延伸。
当形成在基体基底101的端部(例如，图1的在第二方向DR2上的一个长侧的端部)处的裂纹到达凹陷图案时，凹陷图案可以用于引起裂纹在沿着凹陷图案的延伸方向移动的同时减小(例如，消失)。
根据实施例，第二基底部分101b的数量可以是三个。例如，凹陷图案的数量可以是三个。例如，凹陷图案可以包括第一凹陷图案TH1、第二凹陷图案TH2和第三凹陷图案TH3，第一凹陷图案TH1、第二凹陷图案TH2和第三凹陷图案TH3可以以距基体基底101的端部(例如，图1的在第二方向DR2上的一个长侧的端部)从远到近的顺序连续布置，或者可以以距有效区域AAR从近到远的顺序连续布置。
凹陷图案TH1至TH3可以分别具有宽度(例如，可以分别具有预定宽度)W1至W3。例如，第一凹陷图案TH1可以具有第一宽度W1，第二凹陷图案TH2可以具有第二宽度W2，并且第三凹陷图案TH3可以具有第三宽度W3。第一宽度W1可以大于第二宽度W2和第三宽度W3中的每个，并且第二宽度W2可以大于第三宽度W3。例如，第一宽度W1可以为约5微米(um)，第二宽度W2可以为约4um，并且第三宽度W3可以为约3um。
通常，凹陷图案的宽度越大，上面讨论的裂纹减小效果(例如，裂纹消失效果)越大。在根据实施例的显示装置1中，具有大宽度的凹陷图案TH1至TH3可以以距有效区域AAR从近到远的顺序布置，从而顺序地减小朝向有效区域AAR延伸(例如，到达有效区域AAR)的裂纹的尺寸。
尽管在图6中示出了凹陷图案的数量是三个，但是本公开不限于此，并且凹陷图案的数量可以是一个、两个或者四个或更多个。
阻挡层102可以设置在基体基底101上。阻挡层102可以防止或基本上防止杂质离子的扩散，可以防止或基本上防止湿气和/或外部空气的渗透，并且可以执行表面平坦化功能。阻挡层102可以设置在有效区域AAR和非有效区域NAR处(例如，在有效区域AAR和非有效区域NAR中或上)。阻挡层102可以包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。在裂纹坝布置区域CDP处(例如，在裂纹坝布置区域CDP中或上)，阻挡层102可以不设置为在厚度方向上与第二基底部分101b叠置。尽管在附图中示出了阻挡层102形成为单层膜，但是本公开不限于此，并且在一些实施例中，阻挡层102可以是由不同材料的层叠膜制成的多层膜。
缓冲层103可以设置在阻挡层102上。缓冲层103可以防止或基本上防止杂质离子的扩散，可以防止或基本上防止湿气和/或外部空气的渗透，并且可以执行表面平坦化功能。缓冲层103可以设置在有效区域AAR和非有效区域NAR处(例如，在有效区域AAR和非有效区域NAR中或上)。缓冲层103可以包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。在裂纹坝布置区域CDP处(例如，在裂纹坝布置区域CDP中或上)，缓冲层103可以不设置为在厚度方向上与第二基底部分101b叠置。
阻挡层102和缓冲层103的与凹陷图案TH1至TH3相邻的侧表面可以在厚度方向上彼此对齐。
半导体层105可以设置在缓冲层103上。半导体层105可以形成薄膜晶体管的沟道。半导体层105设置在有效区域AAR的每个像素处(例如，在有效区域AAR的每个像素中或上)，并且在一些实施例中，还可以设置在非有效区域NAR处(例如，在非有效区域NAR中或上)。
半导体层105可以包括源区/漏区和有源区。半导体层105可以包括多晶硅。可以通过使非晶硅结晶来形成多晶硅。在另一实施例中，半导体层105可以包括单晶硅、低温多晶硅、非晶硅或氧化物半导体。
第一栅极绝缘层111可以设置在半导体层105上。第一栅极绝缘层111可以设置在有效区域AAR和非有效区域NAR处(例如，在有效区域AAR和非有效区域NAR中或上)。第一栅极绝缘层111可以包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。在裂纹坝布置区域CDP处(例如，在裂纹坝布置区域CDP中或上)，第一栅极绝缘层111可以不设置为在厚度方向上与第二基底部分101b叠置。
第一导电层120可以设置在第一栅极绝缘层111上。在实施例中，第一导电层120可以包括薄膜晶体管的栅电极121和存储电容器的第一电极123。
薄膜晶体管的栅电极121和存储电容器的第一电极123可以在相同或基本相同的工艺下由彼此相同或基本相同的材料形成。例如，第一导电层120可以包括从钼(Mo)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钛(Ti)、钽(Ta)、钨(W)和铜(Cu)之中选择的至少一种金属。尽管在附图中示出了第一导电层120形成为单层膜，但是在一些实施例中，第一导电层120可以形成为多层膜。在这种情况下，第一导电层120的多层膜可以形成为来自上述金属之中的不同金属的层叠膜。
第一导电层120还可以包括设置在非有效区域NAR处(例如，在非有效区域NAR中或上)的裂纹检测线MCDL。裂纹检测线MCDL和栅电极121可以在相同或基本相同的工艺下由彼此相同或基本相同的材料形成。
第二栅极绝缘层112可以设置在第一导电层120上。第二栅极绝缘层112可以设置在有效区域AAR和非有效区域NAR处(例如，在有效区域AAR和非有效区域NAR中或上)。第二栅极绝缘层112可以包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。在裂纹坝布置区域CDP处(例如，在裂纹坝布置区域CDP中或上)，第二栅极绝缘层112可以不设置为在厚度方向上与第二基底部分101b叠置。
第二栅极绝缘层112可以使第一导电层120和第二导电层130绝缘。
第二导电层130可以设置在第二栅极绝缘层112上。第二导电层130可以包括存储电容器的第二电极131。存储电容器的第二电极131可以与第一电极123叠置，并且第二栅极绝缘层112位于它们之间。在这种情况下，第一电极123和第二电极131可以利用第二栅极绝缘层112作为介电膜来形成存储电容器。
第二导电层130可以包括从钼(Mo)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钛(Ti)、钽(Ta)、钨(W)和铜(Cu)之中选择的至少一种金属。在实施例中，第二导电层130可以由与上述第一导电层120的材料相同或基本相同的材料制成。
尽管在附图中示出了第二导电层130形成为单层膜，但是在一些实施例中，第二导电层130可以形成为多层膜。
层间绝缘膜113设置在第二导电层130上。层间绝缘膜113可以使第二导电层130和第三导电层140绝缘。
层间绝缘膜113可以设置在有效区域AAR和非有效区域NAR处(例如，在有效区域AAR和非有效区域NAR中或上)。层间绝缘膜113可以包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。在裂纹坝布置区域CDP处(例如，在裂纹坝布置区域CDP中或上)，层间绝缘膜113可以不设置为在厚度方向上与第二基底部分101b叠置。
第三导电层140可以设置在层间绝缘膜113上。在实施例中，第三导电层140可以包括薄膜晶体管的第一源/漏电极141和第二源/漏电极143以及电力电压电极145。薄膜晶体管的第一源/漏电极141和第二源/漏电极143可以通过穿透(例如，延伸穿过)层间绝缘膜113、第二栅极绝缘层112和第一栅极绝缘层111的接触孔电连接到半导体层105的源区和漏区，电力电压电极145可以通过穿透(例如，延伸穿过)层间绝缘膜113的接触孔电连接到存储电容器的第二电极131。
第三导电层140可以包括从钼(Mo)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钛(Ti)、钽(Ta)、钨(W)和铜(Cu)之中选择的至少一种金属。如附图中所示，第三导电层140可以形成为单层膜。然而，本公开不限于此，并且第三导电层140可以形成为多层膜。例如，第三导电层140可以形成为具有Ti/Al/Ti、Mo/Al/Mo、Mo/AlGe/Mo或Ti/Cu的层叠结构。
第一过孔层114可以设置在第三导电层140上。第一过孔层114可以包括有机绝缘材料，诸如以聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂或苯并环丁烯(BCB)为例。
第一过孔层114可以设置在有效区域AAR和非有效区域NAR处(例如，在有效区域AAR和非有效区域NAR中或上)。第一过孔层114可以在非有效区域NAR处(例如，在非有效区域NAR中或上)从有效区域AAR与非有效区域NAR之间的边界设置到坝布置区域DP(例如，第一过孔层114的侧表面和坝布置区域DP可以彼此间隔开)，并且可以设置在坝布置区域DP处(例如，在坝布置区域DP中或上)。例如，第一过孔层114可以在坝布置区域DP处(例如，在坝布置区域DP中或上)形成第二坝DAM2的部分(例如，一部分)。构成第二坝DAM2的部分(例如，一部分)的第一过孔层114可以直接设置在层间绝缘膜113上。
第四导电层150可以设置在第一过孔层114上。第四导电层150可以包括数据信号线151、连接电极153和电力电压线155。数据信号线151可以通过穿透(例如，延伸穿过)第一过孔层114的接触孔电连接到薄膜晶体管的第一源/漏电极141。连接电极153可以通过穿透(例如，延伸穿过)第一过孔层114的接触孔电连接到薄膜晶体管的第二源/漏电极143。电力电压线155可以通过穿透(例如，延伸穿过)第一过孔层114的接触孔电连接到电力电压电极145。
第四导电层150可以包括从钼(Mo)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钛(Ti)、钽(Ta)、钨(W)和铜(Cu)之中选择的至少一种金属。第四导电层150可以形成为单层膜，但是本公开不限于此，并且第四导电层150可以形成为多层膜。例如，第四导电层150可以形成为具有Ti/Al/Ti、Mo/Al/Mo、Mo/AlGe/Mo或Ti/Cu的层叠结构。
第二过孔层115可以设置在第四导电层150上。第二过孔层115可以包括有机绝缘材料，诸如以聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂或苯并环丁烯(BCB)为例。
第二过孔层115可以在非有效区域NAR处(例如，在非有效区域NAR中或上)从有效区域AAR与非有效区域NAR之间的边界设置到坝布置区域DP(例如，第二过孔层115的侧表面和坝布置区域DP可以彼此间隔开)。从有效区域AAR与非有效区域NAR之间的边界设置到坝布置区域DP的第二过孔层115(例如，第二过孔层115的侧表面和坝布置区域DP可以彼此间隔开)可以覆盖第一过孔层114的侧表面。第二过孔层115还可以设置在坝布置区域DP处(例如，在坝布置区域DP中或上)。例如，第二过孔层115可以在坝布置区域DP处(例如，在坝布置区域DP中或上)构成第一坝DAM1的部分(例如，一部分)和第二坝DAM2的部分(例如，一部分)。构成第一坝DAM1的部分(例如，一部分)的第二过孔层115可以直接设置在层间绝缘膜113上，并且构成第二坝DAM2的部分(例如，一部分)的第二过孔层115可以直接设置在第一过孔层114上。
第二过孔层115还可以设置在裂纹坝布置区域CDP处(例如，在裂纹坝布置区域CDP中或上)。
设置在裂纹坝布置区域CDP的第一基底部分101a处(例如，在裂纹坝布置区域CDP的第一基底部分101a中或上)的阻挡层102、缓冲层103、栅极绝缘层111和112以及层间绝缘膜113可以在向上的方向上顺序地层叠。在裂纹坝布置区域CDP的第一基底部分101a处(例如，在裂纹坝布置区域CDP的第一基底部分101a中或上)，在向上方向上顺序层叠的阻挡层102、缓冲层103、栅极绝缘层111和112以及层间绝缘膜113可以被称为无机层叠膜。其下面定位有与第二基底部分101b相邻的第一基底部分101a的无机层叠膜可以设置为与第二基底部分101b间隔开。
无机层叠膜的侧表面可以在厚度方向上与其下面的第一基底部分101a的侧表面的上端101s对齐。无机层叠膜可以不设置为在厚度方向上与第二基底部分101b叠置。
设置在裂纹坝布置区域CDP处(例如，在裂纹坝布置区域CDP中或上)的第二过孔层115(例如，过孔有机层)可以在第一基底部分101a上设置在无机层叠膜与第一封装无机层181之间，可以在无机层叠膜的侧表面上设置在无机层叠膜的侧表面与第一封装无机层181之间，并且可以在第二基底部分101b上设置在第二基底部分101b的一个表面101u与第一封装无机层181之间。设置在裂纹坝布置区域CDP处(例如，在裂纹坝布置区域CDP中或上)的第二过孔层115可以在第一基底部分101a上直接插置于无机层叠膜与第一封装无机层181之间，可以在无机层叠膜的侧表面上直接插置于无机层叠膜的侧表面与第一封装无机层181之间，并且可以在第二基底部分101b上直接插置于第二基底部分102b的一个表面101u与第一封装无机层181之间。如这里所使用的，术语“直接插置”表示对应的插置组件与相邻组件直接接触。
设置在裂纹坝布置区域CDP处(例如，在裂纹坝布置区域CDP中或上)的第二过孔层115(例如，过孔有机层)可以连续地设置。
阳极电极161设置在第二过孔层115上。阳极电极161可以通过穿过(例如，延伸穿过)第二过孔层115的接触孔连接到连接电极153，并且可以通过接触孔电连接到薄膜晶体管的第二源/漏电极143。
像素限定层116可以设置在阳极电极161上。像素限定层116可以包括使阳极电极161暴露的开口。像素限定层116可以由有机绝缘材料或无机绝缘材料制成。在实施例中，像素限定层116可以包括诸如以光致抗蚀剂、聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、硅酮化合物或聚丙烯酸树脂为例的材料。
像素限定层116还可以设置在坝布置区域DP处(例如，在坝布置区域DP中或上)。例如，像素限定层116可以在坝布置区域DP处(例如，在坝布置区域DP中或上)构成第一坝DAM1的部分(例如，一部分)和第二坝DAM2的部分(例如，一部分)。构成第一坝DAM1的部分(例如，一部分)的像素限定层116可以直接设置在第二过孔层115上，并且构成第二坝DAM2的部分(例如，一部分)的像素限定层116可以直接设置在第二过孔层115上。
有机层162可以设置在阳极电极161的上表面上，并且设置在像素限定层116的开口处(例如，在像素限定层116的开口中或上)。有机层162可以设置为从像素限定层116的开口延伸到像素限定层116的上表面。然而，本公开不限于此，并且在一些实施例中，有机层162可以仅设置在像素限定层116的开口处(例如，在像素限定层116的开口中或上)。有机层162可以包括有机发光层、空穴注入/传输层和电子注入/传输层。阴极电极163设置在有机层162和像素限定层116上。阴极电极163可以是遍及多个像素设置的共电极。阳极电极161、有机层162和阴极电极163可以构成有机发光元件160。
薄膜封装层180设置在阴极电极163上。薄膜封装层180可以覆盖有机发光元件160。薄膜封装层180可以包括至少一个无机层和至少一个有机层。至少一个无机层和至少一个有机层可以交替布置。例如，薄膜封装层180可以包括顺序层叠的第一封装无机层181、封装有机层182和第二封装无机层183。
在薄膜封装层180处(例如，在薄膜封装层180中)，顺序层叠的第一封装无机层181、封装有机层182和第二封装无机层183可以设置在有效区域AAR和非有效区域NAR处(例如，在有效区域AAR和非有效区域NAR中或上)。
封装有机层182可以在非有效区域NAR处(例如，在非有效区域NAR中或上)从有效区域AAR与非有效区域NAR之间的边界设置到第一坝DAM1，并且可以不设置在第一坝DAM1外侧。例如，封装有机层182可以设置在第一坝DAM1的侧表面和第一坝DAM1的上表面的部分(例如，一部分)上。
封装无机层181和183可以围绕设置在第一坝DAM1的侧表面和第一坝DAM1的上表面的部分(例如，一部分)上的封装有机层182。例如，封装无机层181和183可以利用它们之间的封装有机层182彼此间隔开，直到第一坝DAM1的侧表面和第一坝DAM1的上表面的部分(例如，一部分)，但是可以从第一坝DAM1的上表面的另一部分到外侧彼此直接接触。封装无机层181和183还可以设置在坝布置区域DP和裂纹坝布置区域CDP处(例如，在坝布置区域DP和裂纹坝布置区域CDP中或上)。封装无机层181和183可以从有效区域AAR到裂纹坝布置区域CDP连续地设置。封装无机层181和183可以不设置在裂纹坝布置区域CDP与基体基底101的端部之间，并且可以使无机层叠膜的上表面暴露。
在裂纹坝布置区域CDP处(例如，在裂纹坝布置区域CDP中或上)，封装无机层181和183可以包括针对每个层的至少一个断开部分。
第一基底部分101a上的第二过孔层115的下部结构的表面高度可以大于第二基底部分101b上的第二过孔层115的下部结构的表面高度(例如，可以在第一基底部分101a上的第二过孔层115的下部结构与第二基底部分101b上的第二过孔层115的下部结构之间形成台阶结构)。第一基底部分101a上的第二过孔层115的下部结构的表面高度可以等于或基本等于第一基底部分101a的从第二基底部分101b向上突出的部分的高度ta-tb与无机层叠膜的厚度之和。在第一基底部分101a上的第二过孔层115的下部结构的表面高度可以大于在第二基底部分101b上的第二过孔层115的下部结构的表面高度，从而在封装无机层181和183的形成中引起断开。
更详细地，封装无机层181和183可以设置在无机层叠膜的上表面、无机层叠膜的侧表面、第一基底部分101a的侧表面的暴露的上端101s和第二基底部分101b的上表面101u上。在这种情况下，在形成膜时，由于第一基底部分101a上的第二过孔层115的下部结构和第二基底部分101b上的第二过孔层115的下部结构之间的台阶结构，可以在第二基底部分101b的上表面101u上的封装无机层181和183与第一基底部分101a的侧表面的暴露的上端101s上的封装无机层181和183之间对于每个层形成断开部分，如图6中所示。图6中所示的断开部分的位置是示例性的，并且本公开不限于此。
封装无机层181和183可以具有针对每个位置的不同厚度。
例如，在无机层叠膜的上表面上的第一封装无机层181可以具有第一厚度t1，在无机层叠膜的侧表面上的第一封装无机层181可以具有第二厚度t2，并且形成第一凹陷图案TH1的第二基底部分101b的上表面101u上的第一封装无机层181可以具有第三厚度t3。第一厚度t1可以大于第二厚度t2和第三厚度t3中的每个。因此，当使用第一封装无机材料在第一凹陷图案TH1上和第一凹陷图案TH1周围形成膜时，由于第一基底部分101a上的第二过孔层115的下部结构与第二基底部分101b上的第二过孔层115的下部结构之间的台阶结构，第一封装无机材料可以在第一基底部分101a上的第二过孔层115上形成(例如，可以容易地形成)为膜，而第一封装无机材料会不容易在第二基底部分101b或第一基底部分101a的侧表面的暴露的上端101s上形成为膜。
更详细地，在第二基底部分101b或第一基底部分101a的侧表面的暴露的上端101s上的第一封装无机层181的厚度可以根据凹陷图案的宽度而改变。例如，在第二基底部分101b或第一基底部分101a的侧表面的暴露的上端101s上的第一封装无机层181的厚度可以随着凹陷图案的宽度增大而增大。例如，第一凹陷图案TH1的第一封装无机层181的第三厚度t3可以大于第二凹陷图案TH2的第一封装无机层181的第四厚度t4和第三凹陷图案TH3的第一封装无机层181的第五厚度t5中的每个。其原因在于，随着凹陷图案的宽度减小，第一封装无机材料会不容易在第二基底部分101b上形成为膜。
在无机层叠膜的上表面上的第二封装无机层183可以具有第六厚度t6，在无机层叠膜的侧表面上的第二封装无机层183可以具有第七厚度t7，并且在形成第一凹陷图案TH1的第二基底部分101b的上表面101u上的第二封装无机层183可以具有第八厚度t8。第六厚度t6可以大于第七厚度t7和第八厚度t8中的每个。因此，当使用第二封装无机材料在第一凹陷图案TH1上和第一凹陷图案TH1周围形成膜时，由于第一基底部分101a上的第二过孔层115的下部结构与第二基底部分101b上的第二过孔层115的下部结构之间的台阶结构，第二封装无机材料可以在第一基底部分101a上的第二过孔层115上形成(例如，可以容易地形成)为膜，而第二封装无机材料会不容易在第二基底部分101b或第一基底部分101a的侧表面的暴露的上端101s上形成为膜。
更详细地，在第二基底部分101b或第一基底部分101a的侧表面的暴露的上端101s上的第二封装无机层183的厚度可以根据凹陷图案的宽度而改变。例如，在第二基底部分101b或第一基底部分101a的侧表面的暴露的上端101s上的第二封装无机层183的厚度可以随着凹陷图案的宽度增大而增大。例如，第一凹陷图案TH1的第二封装无机层183的第八厚度t8可以大于第二凹陷图案TH2的第二封装无机层183的第九厚度t9和第三凹陷图案TH3的第二封装无机层183的第十厚度t10中的每个。其原因在于，随着凹陷图案的宽度减小，第二封装无机材料会不容易在第二基底部分101b上形成为膜。
图7是示出裂纹坝布置区域中的多个沟槽的平面形状并且示出抑制从显示面板的边缘施加的裂纹的传播的情况的示意性平面图。
参照图7以及图6，可以从显示面板(例如，见图1中的10)的端部施加裂纹CRACK。裂纹CRACK可以通过定位为与显示面板10的端部相邻(例如，定位在显示面板10的端部附近)的封装无机层181和183传播到有效区域AAR。随着非有效区域NAR的面积(例如，边框面积)变得更小，可能不容易形成用于防止或基本上防止裂纹CRACK传播到有效区域AAR的单独的裂纹坝。然而，在根据一个或更多个实施例的显示装置1中，即使在单独的空间中没有形成裂纹坝，基体基底101也包括凹陷图案，使得当在基体基底101的端部处产生的裂纹CRACK到达凹陷图案时，凹陷图案可以引起裂纹CRACK沿着凹陷图案的延伸方向减小或消失。因此，可以能够防止或基本上防止裂纹CRACK传播到有效区域AAR。此外，第一基底部分101a上的第二过孔层115的下部结构的表面高度可以大于第二基底部分101b上的第二过孔层115的下部结构的表面高度，从而在封装无机层181和183的形成中引起断开。因此，可以能够防止或基本上防止从显示面板10的端部施加的裂纹通过定位为与显示面板10的端部相邻(例如，定位在显示面板10的端部附近)的封装无机层181和183传播到有效区域AAR。
图8是根据另一实施例的显示装置的剖视图。
参照图8，根据本实施例的显示装置2可以不同于图6的显示装置1，不同之处在于，封装无机层181_1和183_1可以延伸到基体基底101的端部。
更详细地，在根据本实施例的显示装置2中，封装无机层181_1和183_1可以延伸到基体基底101的端部。
即使在该实施例中，也可以从显示面板(例如，见图1中的10)的端部施加裂纹CRACK。裂纹CRACK可以通过定位为与显示面板10的端部相邻(例如，定位在显示面板10的端部附近)的封装无机层181_1和183_1传播到有效区域AAR。随着非有效区域NAR的面积(例如，边框面积)变得更小，可能不容易形成用于防止裂纹传播到有效区域AAR的单独的裂纹坝。然而，在根据本实施例的显示装置2中，即使在单独的空间中没有形成裂纹坝，基体基底101也包括凹陷图案，使得当在基体基底101的端部处产生的裂纹CRACK到达凹陷图案时，凹陷图案可以引起裂纹沿着凹陷图案的延伸方向消失或减小。因此，可以能够防止或基本上防止裂纹CRACK传播到有效区域AAR。此外，第一基底部分101a上的第二过孔层115的下部结构的表面高度可以大于第二基底部分101b上的第二过孔层115的下部结构的表面高度，从而在封装无机层181_1和183_1的形成中引起断开。因此，可以能够防止或基本上防止从显示面板10的端部施加的裂纹CRACK通过定位为与显示面板10的端部相邻(例如，定位在显示面板10的端部附近)的封装无机层181_1和183_1传播到有效区域AAR。
图9是根据另一实施例的显示装置的剖视图。
参照图9，根据本实施例的显示装置3可以不同于图6的显示装置1，不同之处在于，还可以在无机层叠膜上以及第一基底部分101a的侧表面的被第二基底部分102b暴露的上端101s与第二过孔层115之间设置金属残留层MRL。
更详细地，在根据本实施例的显示装置3中，还可以在无机层叠膜上以及第一基底部分101a的侧表面的被第二基底部分102b暴露的上端101s与第二过孔层115之间设置金属残留层MRL。
当上面参照图4描述的第四导电层150被完全沉积和蚀刻时，根据本实施例的金属残留层MRL可以由于第一基底部分101a上的第二过孔层115的下部结构和第二基底部分101b上的第二过孔层115的下部结构之间的台阶结构而部分地保留。金属残留层MRL可以包括与第四导电层150的材料相同或基本相同的材料，并且可以通过与第四导电层150相同或基本相同的工艺形成。
金属残留层MRL可以直接设置在无机层叠膜上以及第一基底部分101a的侧表面的被第二基底部分102b暴露的上端101s与第二过孔层115之间。
当阳极电极材料被完全沉积时，金属残留层MRL可以与阳极电极材料反应。因此，会发生阳极电极材料的腐蚀。然而，根据本实施例，因为第二过孔层115覆盖金属残留层MRL，所以可以防止或基本上防止阳极电极材料被金属残留层MRL腐蚀。
图10是根据另一实施例的显示装置的剖视图。
参照图10，根据本实施例的显示装置4可以不同于图6的显示装置1，不同之处在于，无机层叠膜的侧表面从第一基底部分101a的侧表面突出。
更详细地，在根据本实施例的显示装置4中，构成无机层叠膜的层102_1、103_1、111_1、112_1和113_1的侧表面可以从第一基底部分101a的侧表面突出。这是因为当通过蚀刻形成无机层叠膜时，不仅下面的第二基底部分101b而且相邻的第一基底部分101a也会被过蚀刻。构成无机层叠膜的层102_1、103_1、111_1、112_1和113_1的侧表面可以在厚度方向上彼此对齐。
构成无机层叠膜的层102_1、103_1、111_1、112_1和113_1可以在厚度方向上与第二基底部分101b部分地叠置。
图11是根据另一实施例的显示装置的剖视图。
参照图11，根据本实施例的显示装置5可以不同于图6的显示装置1，不同之处在于，无机层叠膜的栅极绝缘层111_2和112_2以及层间绝缘膜113_2的侧表面可以从阻挡层102和缓冲层103的侧表面向内定位。
更详细地，在根据本实施例的显示装置5中，无机层叠膜的栅极绝缘层111_2和112_2以及层间绝缘膜113_2的侧表面可以从阻挡层102和缓冲层103的侧表面向内定位。缓冲层103的上表面可以通过栅极绝缘层111_2和112_2以及层间绝缘膜113_2被暴露。
根据本实施例，无机层叠膜的栅极绝缘层111_2和112_2以及层间绝缘膜113_2的侧表面可以从阻挡层102和缓冲层103的侧表面向内定位，从而形成由于栅极绝缘层111_2和112_2以及层间绝缘膜113_2引起的台阶。由于栅极绝缘层111_2和112_2以及层间绝缘膜113_2引起的台阶可以在封装无机层181和183的形成中引起断开。因此，可以能够防止或基本上防止从显示面板10的端部施加的裂纹CRACK通过定位为与显示面板10的端部相邻(例如，定位在显示面板10的端部附近)的封装无机层181和183传播到有效区域AAR。
图12是根据另一实施例的显示装置的剖视图。
参照图12，根据本实施例的显示装置6可以不同于图6的显示装置1，不同之处在于，凹陷图案包括第三凹陷图案TH3、第二凹陷图案TH2和第一凹陷图案TH1，第三凹陷图案TH3、第二凹陷图案TH2和第一凹陷图案TH1可以以距基体基底101的端部(例如，图1的在第二方向DR2上的一条长侧的端部)从远到近的顺序连续布置或者可以以距有效区域AAR从近到远的顺序连续布置。
在根据本实施例的显示装置6中，凹陷图案TH1至TH3之中的具有越大宽度的凹陷图案可以布置得距有效区域AAR越远，从而防止或基本上防止裂纹CRACK到达有效区域AAR。
根据本公开的一个或更多个实施例，显示装置可以具有改善的对从显示面板的边缘施加的裂纹的抵抗性。
本公开的方面和特征不受前述内容的限制，并且这里预期了其他各种方面和特征。
尽管已经描述了一些实施例，但是本领域技术人员将容易理解的是，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，在实施例中的各种修改是可能的。将理解的是，每个实施例内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其他实施例中的其他类似特征或方面，除非另外描述。因此，将理解的是，前述内容是各种实施例的说明，而不应被解释为限于这里所公开的具体实施例，并且对所公开的实施例的各种修改以及其他实施例旨在被包括在如所附权利要求及其等同物中限定的本公开的精神和范围内。

Claims (10)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
基体基底，包括有效区域和位于所述有效区域周围的非有效区域，所述非有效区域包括裂纹坝布置区域；
多个无机层，位于所述基体基底上；以及
封装层，位于所述多个无机层上，并且包括封装无机层和位于所述封装无机层上的封装有机层，
其中：
所述基体基底在所述裂纹坝布置区域处包括具有第一厚度的第一基底部分以及位于所述第一基底部分中的相邻的第一基底部分之间并且连接到所述第一基底部分的第二基底部分，所述第二基底部分具有小于所述第一厚度的第二厚度；
所述第二基底部分使与其相邻的所述第一基底部分的侧表面的上端暴露；
所述多个无机层在所述裂纹坝布置区域处层叠以形成无机层叠膜；
针对所述第一基底部分中的每个布置多个无机层叠膜，并且所述多个无机层叠膜彼此间隔开且所述第二基底部分位于所述多个无机层叠膜之间；
过孔有机层在所述裂纹坝布置区域处定位在所述无机层叠膜与所述封装无机层之间；并且
所述封装无机层定位在所述第一基底部分和所述第二基底部分之上，并且包括至少一个断开部分。
2.根据权利要求1所述的显示装置，
其中，所述过孔有机层定位在所述无机层叠膜的上表面、所述无机层叠膜的侧表面、所述第一基底部分的所述侧表面的通过所述第二基底部分暴露的所述上端、以及所述第二基底部分的上表面之上。
3.根据权利要求2所述的显示装置，
其中，所述过孔有机层与所述无机层叠膜的所述上表面、所述无机层叠膜的所述侧表面、所述第一基底部分的所述侧表面的通过所述第二基底部分暴露的所述上端、以及所述第二基底部分的所述上表面直接接触。
4.根据权利要求2所述的显示装置，
其中，所述封装无机层位于所述无机层叠膜的所述上表面、所述无机层叠膜的所述侧表面和所述第二基底部分的所述上表面上。
5.根据权利要求4所述的显示装置，
其中，所述封装无机层包括位于所述过孔有机层上的第一封装无机层和位于所述第一封装无机层上的第二封装无机层。
6.根据权利要求5所述的显示装置，
其中，位于所述无机层叠膜的所述上表面上的所述第一封装无机层的第一厚度大于位于所述无机层叠膜的所述侧表面上的所述第一封装无机层的第二厚度和位于所述第二基底部分的所述上表面上的所述第一封装无机层的第三厚度中的每个。
7.根据权利要求5所述的显示装置，
其中，所述无机层叠膜包括位于所述第一基底部分上的阻挡层、位于所述阻挡层上的缓冲层、位于所述缓冲层上的第一栅极绝缘层、位于所述第一栅极绝缘层上的第二栅极绝缘层和位于所述第二栅极绝缘层上的层间绝缘膜。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，在所述有效区域处，所述显示装置还包括：
第一导电层，位于所述第一栅极绝缘层与所述第二栅极绝缘层之间；
第二导电层，位于所述第二栅极绝缘层与所述层间绝缘膜之间；以及
第三导电层，位于所述层间绝缘膜上。
9.一种显示装置，所述显示装置包括：
基体基底，包括有效区域和位于所述有效区域周围的非有效区域，所述非有效区域包括裂纹坝布置区域；
多个无机层，位于所述基体基底上；以及
封装层，位于所述多个无机层上，并且包括封装无机层和位于所述封装无机层上的封装有机层，
其中：
所述基体基底在所述裂纹坝布置区域处包括具有第一厚度的第一基底部分以及位于所述第一基底部分中的相邻的第一基底部分之间并且连接到所述第一基底部分的第二基底部分，所述第二基底部分具有小于所述第一厚度的第二厚度；
所述第二基底部分使与其相邻的所述第一基底部分的侧表面的上端暴露；
所述第二基底部分包括第一子基底部分和第二子基底部分，所述第一子基底部分和所述第二子基底部分彼此间隔开并且具有彼此不同的宽度；
所述多个无机层在所述裂纹坝布置区域处层叠以形成无机层叠膜；
针对所述第一基底部分中的每个布置多个无机层叠膜，并且所述多个无机层叠膜彼此间隔开且所述第二基底部分位于所述多个无机层叠膜之间；
所述封装无机层包括位于所述基体基底上的第一封装无机层和位于所述第一封装无机层上的第二封装无机层；
所述第一封装无机层和所述第二封装无机层中的每个定位在所述第一基底部分和所述第二基底部分之上，并且包括至少一个断开部分；并且
在第一子基底部分处的第一封装无机层的厚度不同于在第二子基底部分处的第一封装无机层的厚度。
10.根据权利要求9所述的显示装置，
其中，所述第一子基底部分的所述宽度大于所述第二子基底部分的所述宽度，并且
所述第一子基底部分定位得比所述第二子基底部分靠近所述有效区域。
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