CN113518687A - 经涂覆线材 - Google Patents

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Abstract

一种线材，其包含具有表面的线材芯，所述线材芯具有叠置于其表面上的涂层，其中所述线材芯自身为银线材芯或基于银的线材芯，其中所述涂层为1到1000nm厚的金单层或由1到100nm厚的钯内层与邻近的1到250nm厚的金外层构成的双层，其特征在于所述金层包含以所述线材的重量计，总比例在10到100wt.‑ppm范围内的选自由锑、铋、砷和碲组成的群组的至少一个成员。

Description

经涂覆线材
本发明涉及一种经涂覆线材，其包含银或基于银的线材芯和叠置于所述线材芯的表面上的涂层。本发明进一步涉及用于制造此类经涂覆线材的方法。
接合线材在电子和微电子应用中的使用为熟知的目前先进技术。尽管接合线材一开始由金制得，但如今使用较便宜的材料，例如铜、铜合金、银和银合金。此类线材可具有金属涂层。
关于线材几何结构，最常见的为圆形横截面的接合线材和具有近乎矩形横截面的接合带。两种类型的线材几何结构具有使其适用于特定应用的其优势。
本发明的目标为提供一种适合用于线材接合应用的经涂覆银或基于银的线材，所述线材尤其在球形无空气焊球(FAB)形成方面表现出色。待提供的经涂覆银或基于银的线材应使得能够有效地抑制球接合期间出现偏心球(off-centered ball；OCB)现象。
对所述目标解决方案的贡献由形成类别的权利要求书的主题提供。形成类别的权利要求书的从属性附属项表示本发明的优选实施例，其主题也对解决上文提及的目标作出贡献。
在第一方面中，本发明涉及一种线材，其包含具有表面的线材芯(下文也简称作“芯”)，所述线材芯具有叠置于其表面上的涂层，其中所述线材芯自身为银线材芯或基于银的线材芯，其中所述涂层为1到1000nm厚的金单层或由1到100nm厚的钯内层与邻近的1到250nm厚的金外层构成的双层，其特征在于金层包含以所述线材的重量计，总比例在10到100wt.-ppm(重量-ppm)，优选10到40wt.-ppm范围内的选自由锑、铋、砷和碲组成的群组的至少一个成员。同时，在一实施例中，选自由锑、铋、砷和碲组成的群组的至少一个成员的总比例可以金层的金的重量计在300到3500wt.-ppm，优选300到2000wt.-ppm，最优选600到1000wt.-ppm的范围内。
本发明的线材优选为用于在微电子中接合的接合线材。其优选为单件式物体。众多形状为已知的并且似乎适用于本发明的线材。优选形状为(横截面图)圆形、椭圆形和矩形形状。对于本发明，术语“接合线材”包含所有形状的横截面和所有常见线材直径，但具有圆形横截面和薄直径的接合线材为优选的。平均横截面在例如50到5024μm2或优选110到2400μm2的范围内；因此，在优选圆形横截面的情况下，平均直径在例如8到80μm或优选12到55μm的范围内。
可通过“定尺寸法(sizing method)”获得线材或线材芯的平均直径(或简言之为直径)。根据此方法，对定义长度的线材的物理重量进行测定。基于此重量，使用线材材料的密度计算线材或线材芯的直径。将直径计算为关于特定线材的五个切段的五个测量值的算术平均值。
线材芯为银线材芯或其为基于银的；即，线材芯由(a)银(即纯银)组成，或其由以(b)掺杂银、(c)银合金或(d)掺杂银的合金形式的基于银的材料组成。
本文所使用的术语“纯银”意谓由以下各者组成的纯银：(a1)量在99.99到100wt.-％(重量％)范围内的银；和(a2)总量为0到100wt.-ppm的其它组分(除银以外的组分)。
本文所使用的术语“掺杂银”意谓由以下各者组成的基于银的材料：(b1)量在>99.49wt％到99.997wt.-％的范围内的银；(b2)总量为30到<5000wt.-ppm的除银以外的至少一种掺杂元素；和(b3)总量为0到100wt.-ppm的其它组分(除银和至少一种掺杂元素以外的组分)。在一优选实施例中，本文所使用的术语“掺杂银”意谓由以下各者组成的掺杂银：(b1)量在>99.49到99.997wt.-％范围内的银，(b2)总量为30到<5000wt％.-ppm的选自由钙、镍、铂、钯、金、铜、铑和钌组成的群组的至少一种掺杂元素和(b3)总量为0到100wt.-ppm的其它组分(除银、钙、镍、铂、钯、金、铜、铑和钌以外的组分)。
本文所使用的术语“银合金”意谓由以下各者组成的基于银的材料：(c1)量在89.99到99.5wt.-％，优选97.99到99.5wt.-％范围内的银，(c2)总量在0.5到10wt.-％，优选0.5到2wt.-％范围内的至少一种合金元素和(c3)总量为0到100wt.-ppm的其它组分(除银和至少一种合金元素以外的组分)。在一优选实施例中，本文所使用的术语“银合金”意谓由以下各者组成的银合金：(c1)量在89.99到99.5wt.-％，优选97.99到99.5wt.-％范围内的银，(c2)总量在0.5到10wt.-％，优选0.5到2wt.-％范围的选自由镍、铂、钯、金、铜、铑和钌组成的群组的至少一种合金元素和(c3)总量为0到100wt.-ppm的其它组分(除银、镍、铂、钯、金、铜、铑和钌以外的组分)。
本文所使用的术语“掺杂银的合金”意谓由以下各者组成的基于银的材料：(d1)量在>89.49到99.497wt.-％，优选97.49到99.497wt.-％范围内的银，(d2)总量为30到<5000wt.-ppm的至少一种掺杂元素，(d3)总量在0.5到10wt.-％，优选0.5到2wt.-％范围内的至少一种合金元素和(d4)总量为0到100wt.-ppm的其它组分(除银、至少一种掺杂元素和至少一种合金元素以外的组分)，其中至少一种掺杂元素(d2)不为至少一种合金元素(d3)。在一优选实施例中，本文所使用的“掺杂银的合金”意谓由以下各者组成的掺杂银的合金：(d1)量在>89.49到99.497wt.-％，优选97.49到99.497wt.-％范围内的银，(d2)总量为30到<5000wt.-ppm的选自由钙、镍、铂、钯、金、铜、铑和钌组成的群组的至少一种掺杂元素，(d3)总量在0.5到10wt.-％，优选0.5到2wt.-％范围内的选自由镍、铂、钯、金、铜、铑和钌组成的群组的至少一种合金元素和(d4)总量为0到100wt.-ppm的其它组分(除银、钙、镍、铂、钯、金、铜、铑和钌以外的组分)，其中至少一种掺杂元素(d2)不为至少一种合金元素(d3)。
本发明提及“其它组分”和“掺杂元素”。任何其它组分的个别量低于30wt.-ppm。任何掺杂元素的个别量为至少30wt.-ppm。所有量(以wt.-％和wt.-ppm为单位)是基于线材芯或其前体物品或细长前体物品的总重量。
本发明的线材的芯可包含总量在0到100wt.-ppm，例如10到100wt.-ppm范围内的所谓的其它组分。在本发明上下文中，其它组分，通常也称为“不可避免的杂质”，为源从所用原料中存在的杂质或源自线材芯制造过程的少量化学元素和/或化合物。其它组分的0到100wt.-ppm的低总量确保线材特性的良好再现性。通常不单独添加存在于芯中的其它组分。以线材芯的总重量计，每种个别其它组分以低于30wt.-ppm的量包含于其中。
线材芯为主体材料的均质区域。因为任何主体材料始终具有可在一定程度上展现出不同特性的表面区域，所以线材芯的特性理解为主体材料均质区域的特性。主体材料区域的表面就形态、组成(例如硫、氯和/或氧含量)和其它特征来说可有所不同。表面为线材芯与叠置于线材芯上的涂层之间的界面区域。通常，涂层完全叠置于线材芯的表面上。在线材芯与叠置于其上的涂层之间的线材区域中，可能存在芯与涂层两者的材料的组合。
叠置于线材芯的表面上的涂层为1到1000nm厚，优选20到300nm厚的金单层或由1到100nm厚，优选1到30nm厚的钯内层与邻近的1到250nm厚，优选20到200nm厚的金外层构成的双层。在此上下文中，术语“厚”或“涂层厚度”意谓垂直于芯的纵向轴线方向上的涂层尺寸。
金单层或外层包含以线材(线材芯加涂层)的重量计，总比例在10到100wt.-ppm，优选10到40wt.-ppm范围内的选自由锑、铋、砷和碲组成的群组的至少一个成员。同时，在一实施例中，所述至少一个成员的总比例可以金层的金的重量计，在300到3500wt.-ppm，优选300到2000wt.-ppm，最优选600到1000wt.-ppm范围内。
优选地，锑存在于金层内。甚至更优选地，锑单独存在于金层内，即，不同时存在铋、砷和碲。换言之，在一优选实施例中，金层包含以线材(线材芯加涂层)的重量计，比例在10到100wt.-ppm，优选10到40wt.-ppm范围内的锑，而无铋、砷和碲存在于金层内；同时，在一甚至更优选实施例中，以金层的金的重量计，锑的比例可在300到3500wt.-ppm，优选300ppm到2000wt.ppm，最优选600到1000wt.-ppm范围内。
在一实施例中，选自由锑、铋、砷和碲组成的群组的至少一个成员可在金层内展现出浓度梯度，所述梯度在朝向线材芯的方向上(即，在垂直于线材芯的纵向轴线的方向上)增加。
申请人已发现，在金层内存在选自由锑、铋、砷和碲组成的群组的至少一个成员伴随数个出人意料且有利的作用。举例来说，金层的特点为展现出明亮闪耀的黄金外观；确保形成球形和轴对称FAB，和在球接合本发明的经涂覆线材时，可抑制或甚至防止出现OCB现象。所述至少一个成员以何种化学形式或何种化学物种存在于金层中(即，其是以元素形式抑或以化合物形式存在于金层中)为未知的。
在另一方面中，本发明还涉及一种用于制造上文所公开的其实施例中的任一者的本发明的经涂覆线材的方法。所述方法包含至少步骤(1)到(5)：
(1)提供银或基于银的前体物品，
(2)拉长前体物品，以形成细长前体物品，直到获得在706到31400μm2范围内的中间横截面或在30到200μm范围内的中间直径，
(3)在完成方法步骤(2)之后获得的细长前体物品的表面上施加金单层或钯内层与邻近的金外层的双层涂层，
(4)进一步拉长在完成方法步骤(3)后获得的经涂覆前体物品，直到获得所需最终横截面或直径和所需最终厚度在1到1000nm范围内的金单层，或由所需最终厚度在1到100nm范围内的钯内层与所需最终厚度在1到200nm范围内的邻近的金外层构成的双层，和
(5)在范围为200到600℃的烘箱设定温度下对完成方法步骤(4)后获得的经涂覆前体进行最终线材退火(strand annealing)持续0.4到0.8秒范围内的暴露时间，以形成经涂覆线材，
其中步骤(2)可包括在400到800℃的烘箱设定温度下，对前体物品进行中间分批退火持续50到150分钟范围内的暴露时间的一或多个子步骤，和
其中在步骤(3)中施加金层通过以下进行：从包含金和选自由锑、铋、砷和碲组成的群组的至少一个成员的金电镀浴进行电镀。
在本文中使用术语“线材退火”。其为允许快速产生具有高再现性的线材的连续方法。在本发明的上下文中，线材退火意谓以动态方式进行退火，同时将待退火的经涂覆前体拉过或移动通过常规退火烘箱，和在已离开退火烘箱之后卷绕于卷轴上。此处，退火烘箱通常为既定长度的圆筒管形式。在既定退火速度下(例如可在10到60米/分钟范围内选择)定义其温度曲线，可定义和设定退火时间/烘箱温度参数。
在本文中使用术语“烘箱设定温度”。其意谓退火烘箱的温度控制器中固定的温度。退火烘箱可为腔室炉型烘箱(在分批退火的情况下)或管状退火烘箱(在线材退火的情况下)。
本发明区分了前体物品、细长前体物品、经涂覆前体物品、经涂覆前体与经涂覆线材。术语“前体物品”用于尚未达到线材芯的所需最终横截面或最终直径的那些线材前期，而术语“前体”用于处于所需最终横截面或所需最终直径的线材前期。完成方法步骤(5)后，即对处于所需最终横截面或所需最终直径的经涂覆前体进行最终线材退火后，获得本发明意义上的经涂覆线材。
如方法步骤(1)中所提供的前体物品为银前体物品或其为基于银的；即前体物品由(a)银(即纯银)、(b)掺杂银、(c)银合金或(d)掺杂银的合金组成。关于术语“纯银”、“掺杂银”、“银合金”和“掺杂银的合金”的含义，参考前文的公开内容。
在银前体物品的实施例中，后者通常呈直径为例如2到25mm和长度为例如2到100m的棒的形式。此类银棒可通过使用适当模具连续铸银，接着冷却和固化制得。
在基于银的前体物品的实施例中，后者可通过将银与所需量的所需组分合金化、将银与所需量的所需组分掺杂或将银与所需量的所需组分合金化并掺杂获得。掺杂银或银合金或掺杂银的合金可通过金属合金领域的技术人员已知的常规方法，例如通过以所需成比例比率将组分熔融在一起制备。在此情况下，有可能使用一或多种常规母合金。可例如使用感应炉进行熔融过程，且有利的为在真空下或在惰性气体气氛下操作。所用材料可具有例如99.99wt.-％和更高的纯度等级。可冷却由此产生的熔体，以形成基于银的前体物品的均质片。通常，此前体物品为棒形式，其直径为例如2到25mm并且长度为例如2到100m。此棒可通过使用适当模具连续铸造基于银的熔体，接着冷却和固化制得。
在方法步骤(2)中，拉长前体物品以形成细长前体物品，直到获得在706到31400μm2范围内的中间横截面或在30到200μm范围内的中间直径。拉长前体物品的技术为已知的并且似乎适用于本发明的上下文。优选技术为辊压、锻造、拉模等，其中拉模特别优选。在后一情况中，在若干方法步骤中拉伸前体物品，直到达到所需中间横截面或所需中间直径。所属领域的技术人员熟知此类线材拉模方法。可使用常规碳化钨和金刚石拉伸模具，并且可使用常规拉伸润滑剂以支持拉伸。
本发明的方法的步骤(2)可包括在400到800℃范围内的烘箱设定温度下，对细长前体物品进行中间分批退火持续50到150分钟范围内的暴露时间的一或多个子步骤。此任选选用的中间分批退火可例如用拉伸成直径为约2mm和在卷筒上卷绕的棒进行。
任选选用的方法步骤(2)的中间分批退火可在惰性或还原气氛下进行。众多类型的惰性气氛以及还原气氛为所属领域中已知的并且用于吹扫退火烘箱。在已知惰性气氛中，氮气或氩气为优选的。在已知还原气氛当中，氢气为优选的。另一优选的还原气氛为氢气与氮气的混合物。优选氢气与氮气的混合物为90到98体积-％氮气与相应地2到10体积-％氢气，其中总体积-％为100体积-％。优选氮气/氢气的混合物等于93/7、95/5和97/3体积-％/体积-％，各者以混合物的总体积计。
在方法步骤(3)中，将以金单层或钯内层与邻近的金外层的双层涂层的形式的涂层施加于在完成方法步骤(2)后获得的细长前体物品的表面上，以便将涂层叠置于所述表面上。
技术人员知晓如何计算细长前体物品上的此涂层的厚度，以最终获得以关于线材实施例所公开的，即在最终拉长经涂覆前体物品之后的层厚度的涂层。技术人员知晓用于在银或基于银的表面上形成根据实施例的材料的涂层的多种技术。优选技术为镀覆(例如电镀和无电极镀覆)、从气相沉积材料(例如溅镀、离子镀覆、真空蒸发和物理气相沉积)和从熔体沉积材料。在施加由钯内层和金外层构成的所述双层的情况下，优选地通过电镀施加钯层。
通过电镀施加金层。利用金电镀浴(即允许银或基于银或钯阴极表面用金电镀的电镀浴)进行金电镀。换言之，金电镀浴为允许将以元素、金属形式的金直接施加到银或基于银或钯表面上的组合物，所述表面装上电线作为阴极。金电镀浴包含金和选自由锑、铋、砷和碲组成的群组的至少一个成员；因此，金电镀浴为不仅允许元素金沉积，而且允许在金层内沉积选自由锑、铋、砷和碲组成的群组的所述至少一个成员的组合物。所述至少一个成员为何种化学物种，即其是以元素形式抑或以化合物形式存在于金层中为未知的。金电镀浴可通过将以适合的化学形式的所述至少一个成员添加到含有金作为一或多种溶解盐的水性组合物中制得。可向其中添加至少一个成员的此类水性组合物的实例为由安美特(Atotech)制得的
Figure BDA0003243353310000061
K 24HF和由优美科(Umicore)制得的
Figure BDA0003243353310000062
558和
Figure BDA0003243353310000063
559。替代地，我们可使用已经包含选自由锑、铋、砷和碲组成的群组的至少一个成员的金电镀浴，例如由美泰乐(Metalor)制得的MetGold Pure ATF。金电镀浴中的金浓度可在例如8到40g/l(克/升)，优选10到20g/l范围内。金电镀浴中选自由锑、铋、砷和碲组成的群组的所述至少一个成员的浓度可在例如15到50wt.-ppm，优选15到35wt.-ppm范围内。
通过导引装上电线作为阴极的未经涂覆的细长前体物品或经钯涂覆的细长前体物品通过金电镀浴对金层进行电镀涂覆。可冲洗和干燥由此获得的离开金电镀浴的经金涂覆之前体物品，随后进行方法步骤(4)。使用水作为冲洗介质为有利的，而乙醇和乙醇/水混合物为冲洗介质的其它实例。穿过金电镀浴的未经涂覆的细长前体物品或经钯涂覆的细长前体物品的金电镀可在例如0.001到5A，尤其0.001到1A或0.001到0.2A范围内的电流下，在例如0.2到20V范围内的直流电压下进行。典型接触时间可在例如0.1到30秒，优选2到8秒范围内。在此上下文中所使用的电流密度可在例如0.01到150A/dm2范围内。金电镀浴的温度可在例如45到75℃，优选55到65℃范围内。
金涂层的厚度可视需要基本上经由以下参数来调节：金电镀浴的化学组成、细长前体物品与金电镀浴的接触时间、电流密度。在此状况中，金层的厚度可通常通过增加金电镀浴中的金的浓度、通过增加装上电线作为阴极的细长前体物品与金电镀浴的接触时间和通过增加电流密度来增大。
申请人并不知晓前述有益作用是否由在金电镀浴中存在的所述至少一个成员引起或其在仅存在于金层内是否为关键。
在方法步骤(4)中，进一步拉长完成方法步骤(3)后获得的经涂覆前体物品，直到(4)获得线材的所需最终横截面或直径，所述线材具有所需最终厚度在1到1000nm，优选20到300nm范围内的金单层，或由所需最终厚度在1到100nm，优选1到30nm范围内的钯内层与所需最终厚度在1到250nm，优选20nm到200nm范围内的邻近的金外层构成的双层。拉长经涂覆前体物品的技术为类似于上文方法步骤(2)的公开内容中提及的相同拉长技术。
在方法步骤(5)中，在200到600℃，优选350到500℃范围内的烘箱设定温度下对完成方法步骤(4)后获得的经涂覆前体进行最终线材退火持续0.4到0.8秒范围内的暴露时间，以形成经涂覆线材。
在一优选实施例中，将最终经线材退火的经涂覆前体，即仍较热的经涂覆线材在水中淬灭，在一实施例中，所述水可含有一或多种添加剂，例如，0.01到0.2体积％的一或多种添加剂。在水中淬灭意谓例如通过浸渍或滴注，立即或快速(即在0.2到0.6秒内)将最终经线材退火的经涂覆前体从其在方法步骤(5)中经历的温度冷却到室温。
完成方法步骤(5)和任选地淬灭后，完成本发明的经涂覆线材。为了充分受益于其特性，有利的为立即(即无延迟)，例如在完成方法步骤(5)后不超过28天内将其用于线材接合应用。替代地，为了保持线材的宽线材接合方法窗特性和为了防止其氧化或受到其它化学侵蚀，通常在完成方法步骤(5)后立即(即无延迟)，例如在完成方法步骤(5)后<1到5小时内将成品线材卷绕和真空密封，和随后储存以供进一步用作接合线材。储存于真空密封条件下不应超过12个月。在打开真空密封之后，应在不超过28天内将线材用于线材接合。
优选的是，在无尘室条件(US FED STD 209E无尘室标准，1k标准)下进行所有方法步骤(1)到(5)以及卷绕和真空密封。
本发明的第三方面为可通过前文所公开的方法(根据其任一实施例)获得的经涂覆线材。已发现本发明的经涂覆线材非常适合用作线材接合应用中的接合线材。线材接合技术为技术人员所熟知。在线材接合过程中，通常形成球接合(第1接合)和缝线接合(第2接合，楔形接合)。在形成接合期间施加一定的力(通常以克为单位测量)，通过所施加超声波能(通常以mA为单位测量)来支持所述力。线材接合方法中的所施加力的上限和下限的差与所施加超声波能上限和下限的差的数学乘积定义线材接合方法窗：
(所施加力上限-所施加力下限)·(所施加超声波能上限-所施加超声波能下限)＝线材接合方法窗。
线材接合方法窗定义力/超声波能组合的区域，所述区域允许形成符合规格的线材接合，即所述线材接合通过如(仅举几个为例)常规牵拉测试、推球测试和球剪切测试的常规测试。
实例
制备FAB：
其根据描述于FAB的KNS方法用户指南(KNS Process User Guide)(库利索法工业公司(Kulicke&Soffa Industries Inc),美国宾夕法尼亚州华盛顿堡(Fort Washington,PA,USA),2002,2009年5月31日)中的程序在环境气氛中操作。通过进行常规电点火法(electric flame-off，EFO)焙烧，通过标准焙烧(单步骤，17.5μm线材，50mA EFO电流，125μs EFO时间)来制备FAB。
测试方法A和B：
在T＝20℃和相对湿度RH＝50％下进行所有测试和测量。
A.FAB形态
通过扫描电子显微镜(SEM)以1000的放大率检验所形成的FAB。
评定：
++++＝极佳(球轴对称球)
+++＝优良(球轴对称球)
++＝满意(球并非完全圆形，但相对于线材轴线无明显倾角(<2度))
+＝较差(球并非完全圆形，但在FAB表面上无明显平台段，相对于线材轴线倾斜5到10度)
B.OCB出现
形成的FAB从预定高度(203.2μm的顶端)和速度(6.4μm/sec的接触速度)下降到Al-0.5.-wt％Cu接合衬垫。当接触接合衬垫时，一组经定义的接合参数(100g的接合力，95mA的超声波能和15ms的接合时间)产生效力使FAB变形且形成接合球。在形成球后，使瓷嘴上升到预定高度(152.4μm的线颈高度和254μm的线弧高度)以形成线弧。在形成线弧后，使瓷嘴下降到导线以形成焊点。在形成焊点后，瓷嘴上升且线材夹闭合以截断线材而形成预定尾部长度(254μm的尾部长度延伸)。对于各样品，使用显微镜以1000的放大率对有效数目2500个接合线材进行光学检测。测定缺陷的百分比。
线材实例
在各情况下，一定量的银(Ag)和任选地钯(Pd)或钯(Pd)与至少99.99％纯度(“4N”)的金(Au)在坩埚中熔融。随后从熔体连续铸造8mm棒形式的线材芯前体物品。随后在若干拉伸步骤中对棒进行拉伸，以形成具有2mm直径的圆形横截面的线材芯前体。在500℃的烘箱设定温度下对线材芯前体进行中间分批退火持续60分钟的暴露时间。在若干拉伸步骤中进一步拉伸棒，以形成具有46μm直径的圆形横截面的线材芯前体。随后用金单层或用钯内层与邻近的金外层的双层涂层对线材芯前体进行电镀。为此目的，将以装上电线作为阴极的线材芯前体移动通过61℃温金电镀浴或通过53℃温钯电镀浴和随后通过61℃温金电镀浴。
钯电镀浴(基于[Pd(NH3)4]Cl2，具有pH 7缓冲液)的钯含量为1.45g/l(克/升)。
制备含有锑、铋、砷或碲的四种不同金电镀浴：
包含锑(Sb)的金电镀浴(基于来自美泰乐的MetGold Pure ATF)的金含量为13.2g/l并且锑含量为20wt.-ppm。
包含铋(Bi)的金电镀浴(基于KAu(CN)2，具有pH 5缓冲液；添加BiPO4)的金含量为13.2g/l并且铋含量为25wt.-ppm。
包含砷(As)的金电镀浴(基于KAu(CN)2，具有pH 5缓冲液；添加As2O3)的金含量为13.2g/l并且砷含量为25wt.-ppm。
包含碲(Te)的金电镀浴(基于KAu(CN)2，具有pH 5缓冲液；添加TeO2)的金含量为13.2g/l并且碲含量为25wt.-ppm。
其后，将经涂覆线材前体进一步拉伸到17.5μm的最终直径，接着在220℃的烘箱设定温度下进行最终线材退火持续0.6秒的暴露时间，紧接着在含有0.07体积-％表面活性剂的水中淬灭由此获得的经涂覆线材。
借助于此程序，制造经钯与金涂覆的银和基于银的线材的若干不同样品1到26和4N纯度的未经涂覆参考银线材(Ref)。
下表1展示未经涂覆的线材和经涂布的线材的组成。
表1
Figure BDA0003243353310000101
Figure BDA0003243353310000111
Sb、Bi、As、Te、Au、Pd的存在通过感应耦合等离子体(Inductively CoupledPlasma；ICP)测定。通过扫描透射电子显微镜(Scanning Transmission ElectronMicroscopy；STEM)在横截面上测量层厚度。
下表2展示某些测试结果。
表2
Figure BDA0003243353310000112
Figure BDA0003243353310000113
Figure BDA0003243353310000114
“形成气体吹扫”意谓在FAB形成期间用95/5体积-％/体积-％的氮气/氢气吹扫FAB，而“在大气下”意谓在空气气氛下进行FAB形成。

Claims (9)

1.一种线材，其包含具有表面的线材芯，所述线材芯具有叠置于其表面上的涂层，其中所述线材芯自身为银线材芯或基于银的线材芯，其中所述涂层为1到1000nm厚的金单层或由1到100nm厚的钯内层与邻近的1到250nm厚的金外层构成的双层，其特征在于所述金层包含以所述线材的重量计，总比例在10到100wt.-ppm范围内的选自由锑、铋、砷和碲组成的群组的至少一个成员。
2.根据权利要求1所述的线材，其中以所述金层的所述金的重量计，选自由锑、铋、砷和碲组成的群组的所述至少一个成员的总比例在300到3500wt.-ppm的范围内。
3.根据权利要求1或2所述的线材，其具有在50到5024μm2范围内的平均横截面。
4.根据权利要求1或2所述的线材，其具有圆形横截面，所述圆形横截面具有在8到80μm范围内的平均直径。
5.根据前述权利要求中任一权利要求所述的线材，其中选自由锑、铋、砷和碲组成的群组的所述至少一个成员在所述金层内展现出浓度梯度，所述梯度在垂直于所述线材芯的纵向轴线的方向上增加。
6.根据前述权利要求中任一权利要求所述的线材，其中锑存在于所述金层内。
7.根据权利要求6所述的线材，其在所述金层内不同时存在铋、砷和碲。
8.一种用于制造根据前述权利要求中任一权利要求所述的经涂覆线材的方法，其中所述方法包含至少步骤(1)到(5)：
(1)提供银或基于银的前体物品，
(2)拉长所述前体物品，以形成细长前体物品，直到获得在706到31400μm2范围内的中间横截面或在30到200μm范围内的中间直径，
(3)在完成方法步骤(2)之后获得的所述细长前体物品的表面上施加金单层或钯内层与邻近的金外层的双层涂层，
(4)进一步拉长在完成方法步骤(3)后获得的经涂覆前体物品，直到获得所需最终横截面或直径和所需最终厚度在1到1000nm范围内的金单层，或由所需最终厚度在1到100nm范围内的钯内层与所需最终厚度在1到200nm范围内的邻近的金外层构成的双层，和
(5)在范围为200到600℃的烘箱设定温度下，对完成方法步骤(4)后获得的所述经涂覆前体进行最终线材退火持续0.4到0.8秒范围内的暴露时间，以形成所述经涂覆线材，
其中步骤(2)可包括在400到800℃的烘箱设定温度下，对所述前体物品进行中间分批退火持续50到150分钟范围内的暴露时间的一或多个子步骤，并且
其中在步骤(3)中施加所述金层通过以下进行：从包含金和选自由锑、铋、砷和碲组成的群组的至少一个成员的金电镀浴进行电镀。
9.根据权利要求8所述的方法，其中通过电镀施加所述钯层。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20240084472A1 (en) * 2021-02-05 2024-03-14 Heraeus Materials Singapore Pte. Ltd. Coated wire
WO2023096567A1 (en) * 2021-11-23 2023-06-01 Heraeus Materials Singapore Pte. Ltd. Ball-bond arrangement

Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11243111A (ja) * 1998-02-25 1999-09-07 Noge Denki Kogyo:Kk 金めっきしたボンディングワイヤおよびその製造方法
KR20030086811A (ko) * 2002-05-07 2003-11-12 엠케이전자 주식회사 반도체 소자 본딩용 금-은 합금 와이어
JP2011129256A (ja) * 2009-12-15 2011-06-30 Smk Corp 電子部品及び電子部品の製造方法
CN103184362A (zh) * 2012-01-02 2013-07-03 乐金股份有限公司 合金线材及其制造方法
WO2014178792A1 (en) * 2013-05-03 2014-11-06 Heraeus Materials Singapore Pte., Ltd. Copper bond wire and method of making the same
CN104781920A (zh) * 2012-09-05 2015-07-15 Mk电子株式会社 半导体器件用接合线及其制造方法
CN106415830A (zh) * 2015-05-26 2017-02-15 日铁住金新材料股份有限公司 半导体装置用接合线
CN107039295A (zh) * 2015-11-02 2017-08-11 田中电子工业株式会社 球焊用贵金属被覆铜线
WO2017154453A1 (ja) * 2016-03-11 2017-09-14 タツタ電線株式会社 ボンディングワイヤ
CN107958890A (zh) * 2016-10-14 2018-04-24 田中电子工业株式会社 球焊用铜合金线
CN108290254A (zh) * 2015-11-23 2018-07-17 贺利氏东方高科技有限公司 经涂覆的线材
CN108474058A (zh) * 2016-01-15 2018-08-31 贺利氏材料新加坡私人有限公司 经涂覆的线材
WO2018180189A1 (ja) * 2017-03-31 2018-10-04 タツタ電線株式会社 ボンディングワイヤ及び半導体装置
JP6487108B1 (ja) * 2018-11-26 2019-03-20 田中電子工業株式会社 パラジウム被覆銅ボンディングワイヤ及びその製造方法
CN109563636A (zh) * 2016-09-09 2019-04-02 贺利氏材料新加坡有限公司 包衣线材

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08325657A (ja) * 1995-05-26 1996-12-10 Tanaka Denshi Kogyo Kk ボンディング用金線
JPH11186314A (ja) * 1997-12-17 1999-07-09 Sumitomo Metal Mining Co Ltd ボンディングワイヤ
JP2001196411A (ja) * 2000-01-11 2001-07-19 Noge Denki Kogyo:Kk 金被覆した銀線ボンディングワイヤ
KR20090107292A (ko) * 2008-04-08 2009-10-13 이규한 반도체칩 본딩용 와이어
CN102884615A (zh) * 2010-04-14 2013-01-16 大自达电线株式会社 焊线
CN103474408B (zh) * 2013-09-26 2016-04-20 辽宁凯立尔电子科技有限公司 一种表面有镀金层的金银合金键合丝及其制备方法
CN204067342U (zh) * 2014-08-14 2014-12-31 汕头市骏码凯撒有限公司 一种半导体用键合丝
WO2016189758A1 (ja) * 2015-05-26 2016-12-01 日鉄住金マイクロメタル株式会社 半導体装置用ボンディングワイヤ
US10658326B2 (en) * 2016-07-20 2020-05-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Bonding wire having a silver alloy core, wire bonding method using the bonding wire, and electrical connection part of semiconductor device using the bonding wire

Patent Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11243111A (ja) * 1998-02-25 1999-09-07 Noge Denki Kogyo:Kk 金めっきしたボンディングワイヤおよびその製造方法
KR20030086811A (ko) * 2002-05-07 2003-11-12 엠케이전자 주식회사 반도체 소자 본딩용 금-은 합금 와이어
JP2011129256A (ja) * 2009-12-15 2011-06-30 Smk Corp 電子部品及び電子部品の製造方法
CN103184362A (zh) * 2012-01-02 2013-07-03 乐金股份有限公司 合金线材及其制造方法
CN104781920A (zh) * 2012-09-05 2015-07-15 Mk电子株式会社 半导体器件用接合线及其制造方法
WO2014178792A1 (en) * 2013-05-03 2014-11-06 Heraeus Materials Singapore Pte., Ltd. Copper bond wire and method of making the same
CN106415830A (zh) * 2015-05-26 2017-02-15 日铁住金新材料股份有限公司 半导体装置用接合线
CN107039295A (zh) * 2015-11-02 2017-08-11 田中电子工业株式会社 球焊用贵金属被覆铜线
CN108290254A (zh) * 2015-11-23 2018-07-17 贺利氏东方高科技有限公司 经涂覆的线材
CN108474058A (zh) * 2016-01-15 2018-08-31 贺利氏材料新加坡私人有限公司 经涂覆的线材
WO2017154453A1 (ja) * 2016-03-11 2017-09-14 タツタ電線株式会社 ボンディングワイヤ
CN109563636A (zh) * 2016-09-09 2019-04-02 贺利氏材料新加坡有限公司 包衣线材
CN107958890A (zh) * 2016-10-14 2018-04-24 田中电子工业株式会社 球焊用铜合金线
WO2018180189A1 (ja) * 2017-03-31 2018-10-04 タツタ電線株式会社 ボンディングワイヤ及び半導体装置
JP6487108B1 (ja) * 2018-11-26 2019-03-20 田中電子工業株式会社 パラジウム被覆銅ボンディングワイヤ及びその製造方法

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