CN113497090A - 一种显示基板及其制作方法、显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种显示基板及其制作方法、显示面板,涉及显示技术领域,该显示基板的制作方法可以改善在平坦层的不同厚度处刻蚀过孔产生的刻蚀差异,进而改善因刻蚀过量产生的金属氧化问题。显示基板包括:钝化层和覆盖钝化层的平坦层;平坦层包括第一平坦过孔和多个第二平坦过孔;钝化层包括第一钝化过孔和多个第二钝化过孔;多个第二平坦过孔和多个第二钝化过孔形成多个第二套孔;第一平坦过孔的孔深小于第二平坦过孔的孔深;第一钝化过孔的孔深大于等于所有第二平坦过孔中的最大孔深与第一平坦过孔的孔深的差值;钝化层与平坦层在第二套孔的内壁形成有台阶,台阶上设置有部分平坦层。本发明适用于显示基板的制作。

Description

一种显示基板及其制作方法、显示面板
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示基板及其制作方法、显示面板。
背景技术
OLED(Organic Light-Emtting Diode,有机发光二极管)是一种利用有机半导体材料制成的薄膜发光器件,其具有自发光的特性。
随着日益增长的显示需求,OLED在高精度和大尺寸TV(电视)显示技术中,受到了人们的广泛重视。现有OLED技术中,有机发光层EL需制作在平坦度较好的膜面,以保证器件的出光效率和发光材料的寿命。但现有开发技术中,在平坦层制备后,不同结构区域中平坦层(多采用SOG树脂材料制作)的厚度不同。这样,在平坦层的不同厚度处刻蚀过孔,容易产生刻蚀差异,出现刻蚀过量的情况,从而使得过孔下方的金属容易产生氧化,进而影响后续金属膜层的搭接和信号传输。
发明内容
本发明的实施例提供一种显示基板及其制作方法、显示面板,该显示基板的制作方法可以改善在平坦层的不同厚度处刻蚀过孔产生的刻蚀差异,进而改善因刻蚀过量产生的金属氧化问题,从而减轻对后续金属膜层的搭接和信号传输的影响。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
一方面,提供了一种显示基板,所述显示基板包括:显示区和至少位于所述显示区一侧的非显示区;所述显示基板还包括:钝化层和覆盖所述钝化层的平坦层,所述钝化层和所述平坦层位于所述显示区和所述非显示区;
所述平坦层包括位于所述非显示区的第一平坦过孔和位于所述显示区的多个第二平坦过孔;
所述钝化层包括位于所述非显示区的第一钝化过孔和位于所述显示区的多个第二钝化过孔;所述第一平坦过孔和所述第一钝化过孔形成第一套孔;多个所述第二平坦过孔和多个所述第二钝化过孔形成多个第二套孔;
所述第一平坦过孔的孔深小于所述第二平坦过孔的孔深;所述第一钝化过孔的孔深大于等于所有所述第二平坦过孔中的最大孔深与所述第一平坦过孔的孔深的差值;
所述钝化层与所述平坦层在所述第二套孔的内壁形成有台阶,所述台阶上设置有部分所述平坦层。
可选的,所述显示基板还包括衬底;所述钝化层和所述平坦层设置在所述衬底之上;
所述第二平坦过孔包括:相连的第一平坦子过孔和第二平坦子过孔,所述第一平坦子过孔远离所述衬底,所述第二平坦子过孔靠近所述衬底;
所述台阶位于所述第一平坦子过孔中靠近所述衬底的一侧、且与所述第二平坦子过孔相邻。
可选的,所述第一平坦子过孔和所述第二平坦子过孔在沿垂直于所述衬底方向上的截面包括相对的第一顶边和第一底边,所述第一顶边远离所述衬底,所述第一底边靠近所述衬底;所述第一顶边的长度大于所述第一底边的长度;
所述第一平坦子过孔的所述第一底边的长度大于所述第二平坦子过孔的所述第二顶边的长度。
可选的,所述显示基板还包括:第一金属层,所述钝化层覆盖所述第一金属层;
所述第一金属层包括:位于所述非显示区的第一金属部和位于所述显示区的第二金属部;所述第二金属部位于所述第一套孔的下方;所述第一金属部位于所述第二套孔的下方。
可选的,所述显示基板还包括阳极,所述阳极位于所述平坦层远离所述钝化层的一侧,所述阳极通过所述第二套孔与所述第二金属部电连接。
本发明的实施例提供了一种显示基板,显示基板包括:显示区和至少位于所述显示区一侧的非显示区;所述显示基板还包括:钝化层和覆盖所述钝化层的平坦层,所述钝化层和所述平坦层位于所述显示区和所述非显示区;所述平坦层包括位于所述非显示区的第一平坦过孔和位于所述显示区的多个第二平坦过孔;所述钝化层包括位于所述非显示区的第一钝化过孔和位于所述显示区的多个第二钝化过孔;所述第一平坦过孔和所述第一钝化过孔形成第一套孔;多个所述第二平坦过孔和多个所述第二钝化过孔形成多个第二套孔;所述第一平坦过孔的孔深小于所述第二平坦过孔的孔深;所述第一钝化过孔的孔深大于等于所有所述第二平坦过孔中的最大孔深与所述第一平坦过孔的孔深的差值;所述钝化层与所述平坦层在所述第二套孔的内壁形成有台阶,所述台阶上设置有部分所述平坦层。
该显示基板在平坦层的不同厚度处刻蚀的过孔的差异小,能改善因刻蚀过量产生的金属氧化问题,从而减轻对后续金属膜层的搭接和信号传输的影响;同时,钝化层与平坦层在第二套孔的内壁形成有台阶,台阶上设置有部分平坦层,一方面可以更好地保护下方设置的金属结构,防止其氧化;另一方面,从该结构可以反推出该显示基板的制作方法。
另一方面,提供了一种显示面板,包括上述显示基板。该显示面板在平坦层的不同厚度处刻蚀的过孔的差异小,能改善因刻蚀过量产生的金属氧化问题,具有金属膜层搭接质量高、信号传输稳定的特点。
再一方面,提供了一种显示基板的制作方法,所述显示基板包括:显示区和至少位于所述显示区一侧的非显示区;
所述方法包括:
形成钝化层和覆盖所述钝化层的平坦层;所述钝化层和所述平坦层位于所述显示区和所述非显示区;
对位于所述非显示区的第一平坦过孔区域和位于所述显示区的第二平坦过孔区域的所述平坦层进行第一次刻蚀,在所述第一平坦过孔区域形成第一平坦过孔,在所述第二平坦过孔区域形成至少一个第一平坦子过孔;所述第一次刻蚀的深度为所述第一平坦过孔的孔深;
对位于所述第一平坦过孔区域和所述第二平坦过孔区域的所述钝化层、以及位于所述第二平坦过孔区域的所述平坦层进行第二次刻蚀,形成第一钝化过孔和至少一个第二平坦子过孔;至少一个所述第一平坦子过孔和至少一个所述第二平坦子过孔形成至少一个第二平坦过孔;所述第一钝化过孔和所述第一平坦过孔形成第一套孔;所述第一平坦过孔的孔深小于所述第二平坦过孔的孔深;其中,所述第二次刻蚀的深度为所述第一钝化过孔的孔深;所述第一钝化过孔的孔深大于等于所述第二平坦过孔中的最大孔深与所述第一平坦过孔的孔深的差值;
形成保护层,所述保护层覆盖所述第一套孔;
对位于所述第二平坦过孔区域的所述钝化层进行第三次刻蚀,形成至少一个第二钝化过孔;所述第二钝化过孔和所述第二平坦过孔形成第二套孔。
可选的,所述保护层的材料为光刻胶。
可选的,所述显示基板还包括衬底,所述钝化层和所述平坦层形成在所述衬底之上;
所述第一平坦子过孔和所述第二平坦子过孔在沿垂直于所述衬底方向上的截面包括相对的第一顶边和第一底边,所述第一顶边远离所述衬底,所述第一底边靠近所述衬底;所述第一顶边的长度大于所述第一底边的长度;
所述第一平坦子过孔的所述第一底边的长度大于所述第二平坦子过孔的所述第二顶边的长度。
可选的,在所述形成钝化层和覆盖所述钝化层的平坦层之前,所述方法还包括:
形成第一金属层,所述钝化层覆盖所述第一金属层;
其中,所述第一金属层包括:位于所述非显示区的第一金属部和位于所述显示区的第二金属部。
可选的,所述第二次刻蚀还包括:
在所述第一钝化过孔形成之后,露出所述第一金属部。
可选的,所述第三次刻蚀还包括:
在至少一个所述第二钝化过孔形成之后,露出所述第二金属部。
可选的,所述第一金属层为源漏金属层,所述第二金属部包括源极和漏极。
可选的,在所述第三次刻蚀之后,所述方法还包括:
在所述平坦层之上形成阳极,所述阳极通过位于所述源极上方的所述第二套孔与所述源极接触。
可选的,在所述形成第一金属层之前,所述方法还包括:
依次形成有源层、栅绝缘层和栅极金属层;
其中,所述有源层包括半导体部和位于所述半导体部两侧的导体化部,所述源极和所述漏极分别与所述导体化部电连接。
本发明的实施例提供了一种显示基板的制作方法,所述显示基板包括:显示区和至少位于所述显示区一侧的非显示区;所述方法包括:形成钝化层和覆盖所述钝化层的平坦层;所述钝化层和所述平坦层位于所述显示区和所述非显示区;对位于所述非显示区的第一平坦过孔区域和位于所述显示区的第二平坦过孔区域的所述平坦层进行第一次刻蚀,在所述第一平坦过孔区域形成第一平坦过孔,在所述第二平坦过孔区域形成至少一个第一平坦子过孔;所述第一次刻蚀的深度为所述第一平坦过孔的孔深;对位于所述第一平坦过孔区域和所述第二平坦过孔区域的所述钝化层、以及位于所述第二平坦过孔区域的所述平坦层进行第二次刻蚀,形成第一钝化过孔和至少一个第二平坦子过孔;至少一个所述第一平坦子过孔和至少一个所述第二平坦子过孔形成至少一个第二平坦过孔;所述第一钝化过孔和所述第一平坦过孔形成第一套孔;所述第一平坦过孔的孔深小于所述第二平坦过孔的孔深;其中,所述第二次刻蚀的深度为所述第一钝化过孔的孔深;所述第一钝化过孔的孔深大于等于所述第二平坦过孔中的最大孔深与所述第一平坦过孔的孔深的差值;形成保护层,所述保护层覆盖所述第一套孔;对位于所述第二平坦过孔区域的所述钝化层进行第三次刻蚀,形成至少一个第二钝化过孔;所述第二钝化过孔和所述第二平坦过孔形成第二套孔。
对平坦层不同厚度处刻蚀过孔时,由于第一平坦过孔的孔深的深度小,第二平坦过孔的孔深的深度大;这样,在第一次刻蚀中,采用第一平坦过孔的孔深作为刻蚀深度,则在形成第一平坦过孔时,不会造成第一平坦过孔的过刻。在第二次刻蚀中,刻蚀深度为第一钝化过孔的孔深,而第一钝化过孔的孔深大于或等于所有第二平坦过孔中的最大孔深与第一平坦过孔的孔深的差值,则在形成第一钝化过孔和至少一个第二平坦过孔时,不会对第一钝化过造成过刻。在第三次刻蚀之前,采用保护层覆盖所述第一套孔,那么,在第三次刻蚀中,不会对第一平坦过孔和第一钝化过孔进行再次刻蚀,从而防止第一平坦过孔和第一钝化过孔过刻。综上,上述制作方法可以改善因第一平坦过孔过刻导致的其下方的金属层产生氧化的问题,从而减轻对后续金属膜层的搭接和信号传输的影响。即本发明实施例提供的显示基板的制作方法可以改善在平坦层的不同厚度处刻蚀过孔产生的刻蚀差异,进而改善因刻蚀过量产生的金属氧化问题,从而减轻对后续金属膜层的搭接和信号传输的影响。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的第一种显示基板的示意图;
图2为本发明实施例提供的一种显示基板的制作方法的流程示意;
图3为本发明实施例提供的第二种显示基板的示意图;
图4为本发明实施例提供的第三种显示基板的示意图;
图5为本发明实施例提供的第四种显示基板的示意图;
图6a为本发明实施例提供的第五种显示基板的示意图;
图6b为本发明实施例提供的第六种显示基板的示意图;
图6c为本发明实施例提供的第七种显示基板的示意图;
图7a为本发明实施例提供的第八种显示基板的示意图;
图7b为本发明实施例提供的第九种显示基板的示意图;
图8为本发明实施例提供的第十种显示基板的示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
在本发明的实施例中,采用“第一”、“第二”等字样对功能和作用基本相同的相同项或相似项进行区分,仅为了清楚描述本发明实施例的技术方案,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。
在本发明的实施例中,“多个”的含义是两个或两个以上,“至少一个”的含义是一个或一个以上,除非另有明确具体的限定。
实施例一
本发明实施例提供了一种显示基板,该显示基板包括:显示区和至少位于显示区一侧的非显示区;参考图6c所示,显示基板包括:钝化层28和覆盖钝化层28的平坦层29,钝化层和平坦层位于显示区和非显示区。
平坦层包括位于非显示区的第一平坦过孔和位于显示区的多个第二平坦过孔;钝化层包括位于非显示区的第一钝化过孔和位于显示区的多个第二钝化过孔;第一平坦过孔和第一钝化过孔形成第一套孔31;多个第二平坦过孔和多个第二钝化过孔形成多个第二套孔32。
第一平坦过孔的孔深小于所有第二平坦过孔的孔深;第一钝化过孔的孔深大于等于所有第二平坦过孔中的最大孔深与第一平坦过孔的孔深的差值。
钝化层28与平坦层29在第二套孔32的内壁形成有台阶(图7a中标记70),台阶上设置有部分平坦层(图7b中标记的M区域和N区域)。
示例的,上述多个第二平坦过孔和多个第二钝化过孔的对应关系为一一对应关系。
该显示基板可用于形成液晶显示面板,也可用于形成OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)显示面板,这里不做限定。
该显示基板在平坦层的不同厚度处刻蚀的过孔的差异小,能改善因刻蚀过量产生的金属氧化问题,从而减轻对后续金属膜层的搭接和信号传输的影响;同时,钝化层与平坦层在第二套孔的内壁形成有台阶,台阶上设置有部分平坦层,一方面可以更好地保护下方设置的金属结构,防止其氧化;另一方面,从该结构可以反推出实施例三的制作方法。
可选的,参考图7a所示,显示基板还包括衬底60,钝化层28和平坦层29形成在衬底60之上。第二平坦过孔包括:相连的第一平坦子过孔3021和第二平坦子过孔3022,第一平坦子过孔3021远离衬底60,第二平坦子过孔3022靠近衬底60;台阶70位于第一平坦子过孔3021中靠近衬底60的一侧、且与第二平坦子过孔3022相邻。
可选的,第一平坦子过孔和第二平坦子过孔在沿垂直于衬底方向上的截面包括相对的第一顶边和第一底边,第一顶边远离衬底,第一底边靠近衬底;第一顶边的长度大于第一底边的长度;第一平坦子过孔的第一底边的长度大于第二平坦子过孔的第二顶边的长度。
示例的,参考图7b所示,以左侧的第二平坦过孔为例,第一平坦子过孔的第一顶边的长度t1大于第一底边的长度b1,第二平坦子过孔的第一顶边的长度t2大于第一底边的长度b2,第一平坦子过孔的第一底边的长度b1大于第二平坦子过孔的第二顶边的长度t2。那么,图7b所示的M区域和N区域会保留部分未刻蚀的平坦层;这样,一方面可以保护下方设置的金属结构,示例的,可以增大第二金属部(图7b所示的源极30和漏极27)上方的厚度,从而更好地保护第二金属部,防止其氧化;另一方面,从该结构可以反推出显示基板的制作方法,更有利于保护产品。
可选的,参考图6c所示,显示基板还包括:第一金属层,钝化层覆盖第一金属层。
第一金属层包括:位于非显示区的第一金属部26和位于显示区的第二金属部(包括源极30和漏极27);第一金属部26位于第一套孔31的下方;第二金属部中的源极30位于右侧第二套孔32的下方、漏极27位于左侧第二套孔32的下方。
可选的,参考图8所示,显示基板还包括阳极50,阳极50位于平坦层29远离钝化层28的一侧,阳极50通过第二套孔(图8未标记)与第二金属部电连接。图8中绘示的是阳极50和源极30电连接。
当然,参考图8所示,上述显示基板还可以包括:缓冲层20、有源层、栅绝缘层(GI层)22、栅极金属层(包括位于显示区的栅极23和位于非显示区的电极24)、层间介质层(ILD层)25、其中,有源层包括半导体部(Act)211和位于半导体部211两侧的导体化部(导体化Act)210。
本发明实施例提供的显示基板的制作方法以及相关内容可以参考实施例三,此处不再赘述。
实施例二
本发明实施例提供了一种显示面板,包括实施例一的显示基板。该显示面板在平坦层的不同厚度处刻蚀的过孔的差异小,能改善因刻蚀过量产生的金属氧化问题,具有金属膜层搭接质量高、信号传输稳定的特点。
该显示面板可以是TN(Twisted Nematic,扭曲向列)型、VA(Vertical Alignment,垂直取向)型、IPS(In-Plane Switching,平面转换)型或ADS(Advanced Super DimensionSwitch,高级超维场转换)型等液晶显示面板,还可以是OLED显示面板以及包括这些显示面板的电视、数码相机、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或者部件。
实施例三
对图1所示的显示基板的平坦层(Resin层)17钝化层(PVX层)16刻蚀时,现有技术中,先对平坦层进行曝光,然后进行平坦层过孔的全部刻蚀;接着对钝化层进行曝光,然后进行钝化层过孔的全部刻蚀;从而至少在区域201和区域200处分别形成平坦层过孔和钝化层过孔。但是,现有刻蚀工艺均存在过量刻蚀,以保证不同区域的刻蚀均一性。这样在平坦层的不同厚度处刻蚀过孔后,会造成位于非显示区(S/B区域)中的区域200处的平坦层过孔的过刻,进而在钝化层过孔刻蚀后,导致其下方的金属层15产生氧化的问题,进而影响后续金属膜层的搭接和信号传输。另外,在显示区中的区域201处的平坦层过孔和钝化层过孔形成的套孔处也存在金属氧化现象。
图1中,虚线AB的左侧为TFT区域(薄膜晶体管区域),位于显示区域;虚线AB的右侧为S/B区域(Short bar区域),位于非显示区。图1中TFT区域和S/B区域之间的虚线AB表示两个区域并不是直接相邻,中间还设置其它区域,为了说明问题,将两者绘示在一起。图1中,△H1、△H2、△H3分别表示平坦层在不同区域具有不同的厚度,△H4表示钝化层在该处区域的厚度。当然,图1中还包括缓冲层10、有源层、栅绝缘层(GI层)12、栅极金属层(Gate层)13、层间介质层(ILD层)14、源漏金属层(SD层)15,其中,有源层包括半导体部(Act)111和位于半导体部111两侧的导体化部(导体化Act)110。
本发明实施例提供了一种显示基板的制作方法,显示基板包括:显示区和至少位于显示区一侧的非显示区。
上述显示区(Active Area,AA)是指用于实现显示的区域;非显示区是指显示区以外的区域,其可以包括Short bar区域(用于实现短路保护)、Fanout区(用于归集显示区的金属线)等。
参考图2所示,该方法包括:
S01、形成如图3所示的钝化层28和覆盖钝化层28的平坦层29;钝化层中设置有位于非显示区的第一钝化过孔区域和位于显示区的第二钝化过孔区域;钝化层和平坦层位于显示区和非显示区。
这里平坦层的材料可以是Resin(树脂),例如:SOG(Silicon-Organic,有机硅氧烷树脂)等。这里对于形成方法不做限定,其可以采用构图工艺形成,还可以采用喷墨打印工艺形成。为了提高现有设备利用率,多采用前者。构图工艺是将薄膜形成包含至少一个图案的层的工艺。其通常包括:在薄膜上涂光刻胶,利用掩膜板对光刻胶进行曝光,再利用显影液将需去除的光刻胶冲蚀掉,再刻蚀掉未覆盖光刻胶的薄膜部分,最后将剩下的光刻胶剥离。上述钝化层,又称PVX层,其材料可以是无机绝缘材料,例如:二氧化硅和氮氧化硅等。
S02、参考图4所示,对位于非显示区的第一平坦过孔区域和位于显示区的第二平坦过孔区域的平坦层进行第一次刻蚀,在第一平坦过孔区域形成第一平坦过孔301,在第二平坦过孔区域形成第一平坦子过孔3021;第一次刻蚀的深度为第一平坦过孔的孔深H1。
这里第一平坦过孔区域可以位于非显示区的Short bar区域,当然,也可以是非显示区中其它需要打过孔的区域。本发明实施例以及附图均以前者为例进行说明。
S03、参考图5所示,对位于第一平坦过孔区域和第二平坦过孔区域的钝化层、以及位于第二平坦过孔区域的平坦层进行第二次刻蚀,形成第一钝化过孔401和至少一个第二平坦子过孔(图7a中标记为3022);至少一个第一平坦子过孔和至少一个第二平坦子过孔形成至少一个第二平坦过孔302;第一钝化过孔401和第一平坦过孔301形成第一套孔(图6c标记的31);参考图3所示,第一平坦过孔的孔深H1小于所有第二平坦过孔的孔深(图3所示的H3和H4);其中,第二次刻蚀的深度为第一钝化过孔的孔深(图3所示的H2);第一钝化过孔的孔深大于等于所有第二平坦过孔中的最大孔深与第一平坦过孔的孔深的差值。
图5中,绘示了两个第二平坦过孔302;左侧的第二平坦过孔302的孔深对应图3中的H4,右侧的第二平坦过孔302的孔深对应图3中的H3,H4大于H3,H3大于H1;两个第二平坦过孔中的最大孔深为H4,而第一平坦过孔的孔深为H1,第一钝化过孔的孔深为H2;从图3中可以看出,H4-H1=H2,因此,图5中以第二次刻蚀的深度是H2为例进行绘示。即图5中是以第二次刻蚀的深度(即第一钝化过孔的孔深)等于所有第二平坦过孔中的最大孔深与第一平坦过孔的孔深的差值为例进行绘示。第二次刻蚀的深度(即第一钝化过孔的孔深)大于所有第二平坦过孔中的最大孔深与第一平坦过孔的孔深的差值的情况可以参考图5的说明,此处不再赘述。
上述至少一个第二平坦过孔是指一个或者多个第二平坦过孔。这里对于第二平坦过孔的具体位置和数量不做限定,具体需要根据实际情况而定。示例的,若将上述显示基板应用在OLED显示面板中,则在显示区内,平坦层的下方还会设置钝化层和薄膜晶体管,在平坦层的上方会设置阳极。其中,薄膜晶体管包括栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极;阳极与源极电连接。若源极和漏极设置在钝化层的下方且分别与钝化层接触,则在源极上方区域需要设置第二平坦过孔和第二钝化过孔,以实现与阳极的电连接。当然,此时漏极上方也可以设置第二平坦过孔和第二钝化过孔,以实现其它膜层与漏极电连接。
若上述第二平坦过孔的数量大于等于两个,则这些第二平坦过孔的孔深可以相同,也可以不同,具体需要根据位置和作用确定。
上述所有第二平坦过孔中的最大孔深与第一平坦过孔的孔深的差值是指所有第二平坦过孔中的最大孔深减去第一平坦过孔的孔深所得到的数值。
S04、形成保护层,保护层覆盖第一套孔。
需要说明的是,上述保护层可以仅覆盖第一套孔;当然,保护层还可以覆盖显示区域中除第二平坦过孔区域以外的区域,这里不做限定。本发明实施例以及附图以后者为例进行说明。
上述保护层的材料可以是光刻胶。为了简化工艺,参考图6a所示,可以整体涂覆一层光刻胶41,光刻胶覆盖平坦层、钝化层、第二平坦过孔、第一套孔。然后在光刻胶曝光显影后,去除第二平坦过孔上方的光刻胶、并保留除位于第二平坦过孔区域以外的区域的平坦层上方的光刻胶以及第一套孔上方的光刻胶;从而得到如图6b示的显示基板。
S05、参考图6c所示,对位于第二平坦过孔区域的钝化层进行第三次刻蚀,形成至少一个第二钝化过孔(图6c未标记);第二钝化过孔和第二平坦过孔形成第二套孔32。
示例的,上述第二钝化过孔和第二平坦过孔的对应关系为一一对应关系。
本发明的实施例提供了一种显示基板的制作方法,显示基板包括:显示区和至少位于显示区一侧的非显示区;方法包括:形成钝化层和覆盖钝化层的平坦层;钝化层和平坦层位于显示区和非显示区;对位于非显示区的第一平坦过孔区域和位于显示区的第二平坦过孔区域的平坦层进行第一次刻蚀,在第一平坦过孔区域形成第一平坦过孔,在第二平坦过孔区域形成至少一个第一平坦子过孔;第一次刻蚀的深度为第一平坦过孔的孔深;对位于第一平坦过孔区域和第二平坦过孔区域的钝化层、以及位于第二平坦过孔区域的平坦层进行第二次刻蚀,形成第一钝化过孔和至少一个第二平坦子过孔;至少一个第一平坦子过孔和至少一个第二平坦子过孔形成至少一个第二平坦过孔;第一钝化过孔和第一平坦过孔形成第一套孔;第一平坦过孔的孔深小于第二平坦过孔的孔深;其中,第二次刻蚀的深度为第一钝化过孔的孔深;第一钝化过孔的孔深大于等于第二平坦过孔中的最大孔深与第一平坦过孔的孔深的差值;形成保护层,保护层覆盖第一套孔;对位于第二平坦过孔区域的钝化层进行第三次刻蚀,形成至少一个第二钝化过孔;第二钝化过孔和第二平坦过孔形成第二套孔。
对平坦层不同厚度处刻蚀过孔时,由于第一平坦过孔的孔深的深度小,第二平坦过孔的孔深的深度大;这样,在第一次刻蚀中,采用第一平坦过孔的孔深作为刻蚀深度,则在形成第一平坦过孔时,不会造成第一平坦过孔的过刻。在第二次刻蚀中,刻蚀深度为第一钝化过孔的孔深,而第一钝化过孔的孔深大于或等于所有第二平坦过孔中的最大孔深与第一平坦过孔的孔深的差值,则在形成第一钝化过孔和至少一个第二平坦过孔时,不会对第一钝化过造成过刻。在第三次刻蚀之前,采用保护层覆盖第一套孔,那么,在第三次刻蚀中,不会对第一平坦过孔和第一钝化过孔进行再次刻蚀,从而防止第一平坦过孔和第一钝化过孔过刻。综上,上述制作方法可以改善因第一平坦过孔过刻导致的其下方的金属层产生氧化的问题,从而减轻对后续金属膜层的搭接和信号传输的影响。即本发明实施例提供的显示基板的制作方法可以改善在平坦层的不同厚度处刻蚀过孔产生的刻蚀差异,进而改善因刻蚀过量产生的金属氧化问题,从而减轻对后续金属膜层的搭接和信号传输的影响。
可选的,为了最大程度地利用现有工艺和材料,保护层的材料为光刻胶。
可选的,参考图7b所示,显示基板还包括衬底60,钝化层28和平坦层29形成在衬底60之上。
第一平坦子过孔和第二平坦子过孔在沿垂直于衬底方向上的截面包括相对的第一顶边和第一底边,第一顶边远离衬底,第一底边靠近衬底;第一顶边的长度大于第一底边的长度。
第一平坦子过孔的第一底边的长度大于第二平坦子过孔的第二顶边的长度。
参考图7b所示,第一平坦子过孔的第一顶边的长度t1大于第一底边的长度b1,第二平坦子过孔的第一顶边的长度t2大于第一底边的长度b2,第一平坦子过孔的第一底边的长度b1大于第二平坦子过孔的第二顶边的长度t2。
参考图7b所示,以左侧的第二平坦过孔为例,在第二次刻蚀中,按照第二平坦子过孔的第二顶边的长度t2进行开孔刻蚀,则在经过第二次刻蚀后,图7b所示的M区域和N区域会保留部分未刻蚀的平坦层;这样,一方面可以增大第二金属部上方的厚度,从而更好地保护第二金属部,防止其氧化;另一方面,从该结构可以反推出上述的制作方法,更有利于保护产品。
可选的,在S01、形成钝化层和覆盖钝化层的平坦层之前,上述方法还包括:
S06、形成第一金属层,钝化层覆盖第一金属层。
其中,参考图3所示,第一金属层包括:位于非显示区的第一金属部26和位于显示区的第二金属部(包括源极30和漏极27)。
上述第一金属层的材料不做限定,其可以是铜、银等。
进一步可选的,S03、第二次刻蚀还包括:
参考图5所示,在第一钝化过孔401形成之后,露出第一金属部26。
进一步可选的,S05、第三次刻蚀还包括:
参考图6c所示,在至少一个第二钝化过孔形成之后,露出第二金属部(包括源极30和漏极27)。
可选的,第一金属层可以为源漏金属层,第二金属部包括源极和漏极,这里,对于源极和漏极的材料不做限定,示例的,可以采用金属(例如:铜)制作。
进一步可选的,在S05、第三次刻蚀之后,上述方法还包括:
S07、参考图8所示,在平坦层29之上形成阳极50,阳极50通过位于源极上方的第二套孔与源极30接触。此时,阳极与第二金属部(即源极)电连接,第二金属部可用于向阳极供电。
进一步可选的,在S06、形成第一金属层之前,上述方法还包括:
S08、参考图3所示,依次形成有源层、栅绝缘层22和栅极金属层;其中,有源层包括半导体部211和位于半导体部211两侧的导体化部210,源极30和漏极27分别与导体化部210电连接,图3中,栅极金属层包括位于显示区的栅极23和位于非显示区的Short bar(S/B)区域的电极24。这样,在经过S07和S04之后,可以形成薄膜晶体管。上述有源层的材料是氧化物半导体材料,例如:IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide,铟镓锌氧化物)、ITZO(IndiumTin Zinc Oxide,铟锡锌氧化物)、IZO(Indium Zinc Oxide,氧化铟锌)等。
下面提供一具体实施例以详细说明本发明,这里以在第二平坦过孔区域形成两个第二平坦过孔为例进行说明。该显示基板的制作方法包括:
S101、在衬底上形成位于显示区和非显示区的缓冲层(Buffer层)。
S102、在缓冲层之上依次形成有源层、栅绝缘层(GI)、栅极金属层(Gate)和层间介质层(ILD)。其中,栅极金属层包括位于显示区的栅极和位于非显示区的Short bar(S/B)区域的电极。有源层包括半导体部(Act)、以及位于半导体部(Act)两侧的导体化部(导体化Act)。有源层、栅绝缘层(GI)、栅极均位于显示区的薄膜晶体管区域(TFT区域)。
S103、在层间介质层(ILD)之上形成源漏金属层(S/D层)。源漏金属层,即第一金属层,包括位于薄膜晶体管区域的源极和漏极(即第二金属部)、以及位于S/B区域的第一金属部。其中,源极和漏极分别与导体化部电连接。
S104、形成钝化层和覆盖钝化层的平坦层;钝化层覆盖上述源漏金属层;钝化层和平坦层位于显示区和非显示区。从而形成如图3所示的显示基板。
S105、参考图4所示,对平坦层中位于S/B区域的第一平坦过孔区域和位于薄膜晶体管区域的第二平坦过孔区域进行第一次刻蚀,形成第一平坦过孔301和第一平坦子过孔3021;第一次刻蚀的深度为第一平坦过孔的孔深H1。
S106、参考图5所示,对第二平坦过孔区域进行第二次刻蚀,形成第一钝化过孔401和两个第二平坦子过孔(图7a中标记为3022),两组第一平坦子过孔和第二平坦子过孔形成两个第二平坦过孔302(源极平坦过孔和漏极平坦过孔);第一钝化过孔301和第一平坦过孔401形成第一套孔(图6c标记为31);此时,第一金属部26露出。第一平坦过孔的孔深小于两个第二平坦过孔的孔深。
其中,第二次刻蚀的深度为第一钝化过孔的孔深;第一钝化过孔的孔深(H2)等于两个第二平坦过孔中的最大孔深(H4)与第一平坦过孔的孔深(H1)的差值。从而形成如图5所示的显示基板。
S107、参考图6a所示,涂覆光刻胶41,光刻胶覆盖平坦层、钝化层、第二平坦过孔、第一套孔。
S108、在光刻胶曝光显影后,去除第二平坦过孔上方的光刻胶、并保留除位于第二平坦过孔区域以外的区域的平坦层上方的光刻胶以及第一套孔上方的光刻胶;得到如图6b示的显示基板。
S109、参考图6c所示,对位于第二平坦过孔区域的钝化层进行第三次刻蚀,形成两个第二钝化过孔(源极钝化过孔和漏极钝化过孔),并露出第二金属部(包括源极30和漏极27);第二钝化过孔和第二平坦过孔一一对应形成第二套孔32。即两个第二平坦过孔(源极平坦过孔和漏极平坦过孔)和与之对应的两个第二钝化过孔(源极钝化过孔和漏极钝化过孔)分别形成两个第二套孔(源极套孔和漏极套孔)。图6c所示的显示基板是在第三次刻蚀之后,将剩余的光刻胶剥离之后的结构。
S110、参考图8所示,在平坦层29之上形成阳极50,阳极50通过位于源极上方的第二套孔(即源极套孔)与源极30接触。
以上所述,仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (15)

1.一种显示基板,其特征在于,所述显示基板包括:显示区和至少位于所述显示区一侧的非显示区;所述显示基板还包括:钝化层和覆盖所述钝化层的平坦层,所述钝化层和所述平坦层位于所述显示区和所述非显示区;
所述平坦层包括位于所述非显示区的第一平坦过孔和位于所述显示区的多个第二平坦过孔;
所述钝化层包括位于所述非显示区的第一钝化过孔和位于所述显示区的多个第二钝化过孔;所述第一平坦过孔和所述第一钝化过孔形成第一套孔;多个所述第二平坦过孔和多个所述第二钝化过孔形成多个第二套孔;
所述第一平坦过孔的孔深小于所述第二平坦过孔的孔深;所述第一钝化过孔的孔深大于等于所有所述第二平坦过孔中的最大孔深与所述第一平坦过孔的孔深的差值;
所述钝化层与所述平坦层在所述第二套孔的内壁形成有台阶,所述台阶上设置有部分所述平坦层。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板还包括衬底;所述钝化层和所述平坦层设置在所述衬底之上;
所述第二平坦过孔包括:相连的第一平坦子过孔和第二平坦子过孔,所述第一平坦子过孔远离所述衬底,所述第二平坦子过孔靠近所述衬底;
所述台阶位于所述第一平坦子过孔中靠近所述衬底的一侧、且与所述第二平坦子过孔相邻。
3.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,所述第一平坦子过孔和所述第二平坦子过孔在沿垂直于所述衬底方向上的截面包括相对的第一顶边和第一底边,所述第一顶边远离所述衬底,所述第一底边靠近所述衬底;所述第一顶边的长度大于所述第一底边的长度;
所述第一平坦子过孔的所述第一底边的长度大于所述第二平坦子过孔的所述第二顶边的长度。
4.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板还包括:第一金属层,所述钝化层覆盖所述第一金属层;
所述第一金属层包括:位于所述非显示区的第一金属部和位于所述显示区的第二金属部;所述第二金属部位于所述第一套孔的下方;所述第一金属部位于所述第二套孔的下方。
5.根据权利要求4所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板还包括阳极,所述阳极位于所述平坦层远离所述钝化层的一侧,所述阳极通过所述第二套孔与所述第二金属部电连接。
6.一种显示面板,其特征在于,包括权利要求1-5任一项所述的显示基板。
7.一种显示基板的制作方法,其特征在于,所述显示基板包括:显示区和至少位于所述显示区一侧的非显示区;
所述方法包括:
形成钝化层和覆盖所述钝化层的平坦层;所述钝化层和所述平坦层位于所述显示区和所述非显示区;
对位于所述非显示区的第一平坦过孔区域和位于所述显示区的第二平坦过孔区域的所述平坦层进行第一次刻蚀,在所述第一平坦过孔区域形成第一平坦过孔,在所述第二平坦过孔区域形成至少一个第一平坦子过孔;所述第一次刻蚀的深度为所述第一平坦过孔的孔深;
对位于所述第一平坦过孔区域和所述第二平坦过孔区域的所述钝化层、以及位于所述第二平坦过孔区域的所述平坦层进行第二次刻蚀,形成第一钝化过孔和至少一个第二平坦子过孔;至少一个所述第一平坦子过孔和至少一个所述第二平坦子过孔形成至少一个第二平坦过孔;所述第一钝化过孔和所述第一平坦过孔形成第一套孔;所述第一平坦过孔的孔深小于所述第二平坦过孔的孔深;其中,所述第二次刻蚀的深度为所述第一钝化过孔的孔深;所述第一钝化过孔的孔深大于等于所述第二平坦过孔中的最大孔深与所述第一平坦过孔的孔深的差值;
形成保护层,所述保护层覆盖所述第一套孔;
对位于所述第二平坦过孔区域的所述钝化层进行第三次刻蚀,形成至少一个第二钝化过孔;所述第二钝化过孔和所述第二平坦过孔形成第二套孔。
8.根据权利要求7所述的制作方法,其特征在于,所述保护层的材料为光刻胶。
9.根据权利要求7所述的制作方法,其特征在于,所述显示基板还包括衬底,所述钝化层和所述平坦层形成在所述衬底之上;
所述第一平坦子过孔和所述第二平坦子过孔在沿垂直于所述衬底方向上的截面包括相对的第一顶边和第一底边,所述第一顶边远离所述衬底,所述第一底边靠近所述衬底;所述第一顶边的长度大于所述第一底边的长度;
所述第一平坦子过孔的所述第一底边的长度大于所述第二平坦子过孔的所述第二顶边的长度。
10.根据权利要求9所述的制作方法,其特征在于,在所述形成钝化层和覆盖所述钝化层的平坦层之前,所述方法还包括:
形成第一金属层,所述钝化层覆盖所述第一金属层;
其中,所述第一金属层包括:位于所述非显示区的第一金属部和位于所述显示区的第二金属部。
11.根据权利要求10所述的制作方法,其特征在于,所述第二次刻蚀还包括:
在所述第一钝化过孔形成之后,露出所述第一金属部。
12.根据权利要求11所述的制作方法,其特征在于,所述第三次刻蚀还包括:
在至少一个所述第二钝化过孔形成之后,露出所述第二金属部。
13.根据权利要求12所述的制作方法,其特征在于,所述第一金属层为源漏金属层,所述第二金属部包括源极和漏极。
14.根据权利要求13所述的制作方法,其特征在于,在所述第三次刻蚀之后,所述方法还包括:
在所述平坦层之上形成阳极,所述阳极通过位于所述源极上方的所述第二套孔与所述源极接触。
15.根据权利要求14所述的制作方法,其特征在于,在所述形成第一金属层之前,所述方法还包括:
依次形成有源层、栅绝缘层和栅极金属层;
其中,所述有源层包括半导体部和位于所述半导体部两侧的导体化部,所述源极和所述漏极分别与所述导体化部电连接。
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6204168B1 (en) * 1998-02-02 2001-03-20 Applied Materials, Inc. Damascene structure fabricated using a layer of silicon-based photoresist material
US20040263742A1 (en) * 2003-06-27 2004-12-30 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Liquid crystal display device and method of fabricating the same
US20050253171A1 (en) * 2004-05-17 2005-11-17 Tae-Wook Kang Organic light emitting display and method of fabricating the same
CN102141710A (zh) * 2009-12-31 2011-08-03 乐金显示有限公司 薄膜晶体管阵列基板、包括该基板的液晶显示器及制造该基板的方法
CN104393001A (zh) * 2014-10-24 2015-03-04 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、显示装置
CN106158883A (zh) * 2016-09-27 2016-11-23 厦门天马微电子有限公司 显示面板、显示装置、阵列基板及其制作方法
CN106876411A (zh) * 2017-03-10 2017-06-20 京东方科技集团股份有限公司 显示基板的制作方法、显示基板和显示装置

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111886701A (zh) * 2018-03-28 2020-11-03 堺显示器制品株式会社 有机el显示装置及其制造方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6204168B1 (en) * 1998-02-02 2001-03-20 Applied Materials, Inc. Damascene structure fabricated using a layer of silicon-based photoresist material
US20040263742A1 (en) * 2003-06-27 2004-12-30 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Liquid crystal display device and method of fabricating the same
US20050253171A1 (en) * 2004-05-17 2005-11-17 Tae-Wook Kang Organic light emitting display and method of fabricating the same
CN102141710A (zh) * 2009-12-31 2011-08-03 乐金显示有限公司 薄膜晶体管阵列基板、包括该基板的液晶显示器及制造该基板的方法
CN104393001A (zh) * 2014-10-24 2015-03-04 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、显示装置
CN106158883A (zh) * 2016-09-27 2016-11-23 厦门天马微电子有限公司 显示面板、显示装置、阵列基板及其制作方法
CN106876411A (zh) * 2017-03-10 2017-06-20 京东方科技集团股份有限公司 显示基板的制作方法、显示基板和显示装置

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